專利名稱：非揮發(fā)性存儲器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲器的制造方法，特別是涉及一種非揮發(fā)性存儲器的制造方法。
背景技術(shù)：
在各種非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品中，具有可進行多次數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等動作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點的可電抹除且可編程只讀存儲器(EEPROM)，已成為個人計算機和電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲器元件。
在美國專利第4939690號案中提出一種閃存結(jié)構(gòu)，以摻雜的多晶硅(polysilicon)制作浮置柵極(floating gate)與控制柵極(control gate)。而且，為了避免閃存結(jié)構(gòu)在抹除時，因過度抹除現(xiàn)象太過嚴重，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)的誤判的問題。而在控制柵極與浮置柵極側(cè)壁、基底上方另設(shè)一選擇柵極(select gate)，而形成分離柵極(Split-gate)結(jié)構(gòu)。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，亦有采用一電荷儲存層(charge trapping layer)取代多晶硅浮置柵極，此電荷儲存層的材料例如是氮化硅。這種氮化硅電荷儲存層上下通常各有一層氧化硅，而形成氧化硅/氮化硅/氧化硅(oxide-nitride-oxide，簡稱ONO)復(fù)合層。此種元件通稱為硅/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS)元件，具有分離柵極結(jié)構(gòu)的SONOS元件也以經(jīng)被揭露出來，如美國專利第5930631號案。
然而，上述具有分離柵極結(jié)構(gòu)的SONOS元件，由于設(shè)置分離柵極結(jié)構(gòu)需要較大的分離柵極區(qū)域而具有較大的存儲單元尺寸，因此其存儲單元尺寸較具有堆棧柵極的可電抹除且可編程只讀存儲器的存儲單元尺寸大，而產(chǎn)生無法增加元件集成度的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一個目的為提供一種非揮發(fā)性存儲器的制造方法，可以提高存儲單元集成度。
本發(fā)明的再一目的為提供一種非揮發(fā)性存儲器的制造方法，可以提高存儲器儲存容量，且工藝簡單，可以降低成本。
本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲器的制造方法，首先提供一個基底，其至少可區(qū)分為存儲單元區(qū)及周邊電路區(qū)。接著，于存儲單元區(qū)的基底上形成多個第一存儲單元，且相鄰二個第一存儲單元之間具有一個間隙。接下來，于存儲單元區(qū)的基底上形成第二復(fù)合層，其包括一層第二電荷儲存層。繼之，于周邊電路區(qū)的基底上形成柵介電層。之后，于基底上形成導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層覆蓋這些第一存儲單元并填滿這些間隙。繼之，于導(dǎo)體層上形成介電層。接著，進行一個移除步驟，以移除周邊電路區(qū)中的部分介電層，并移除存儲單元區(qū)中的介電層及部分導(dǎo)體層，而形成填滿這些間隙的多個第二柵極，這些第二柵極與第二復(fù)合層構(gòu)成多個第二存儲單元，且這些第二存儲單元與這些第一存儲單元構(gòu)成一個第一存儲單元行。然后，圖案化周邊電路區(qū)的介電層與導(dǎo)體層，以于周邊電路區(qū)形成多個柵極結(jié)構(gòu)。接下來，于第一存儲單元行兩側(cè)的基底中各形成源極/漏極區(qū)。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，移除步驟包括以這些第一存儲單元為終止層進行一個第一化學(xué)機械研磨工藝。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，移除步驟包括先進行一個第二化學(xué)機械研磨工藝，以平坦化介電層。然后，以這些第一存儲單元為終止層，進行一個蝕刻工藝。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，在存儲單元區(qū)的基底上形成第二復(fù)合層以及于周邊電路區(qū)的基底上形成柵介電層的方法，首先于基底上形成第二復(fù)合層。接著，形成圖案化光致抗蝕劑層，其覆蓋存儲單元區(qū)中的第二復(fù)合層。然后，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除周邊電路區(qū)中的第二復(fù)合層。接下來，于周邊電路區(qū)的基底上形成柵介電層。之后，移除圖案化光致抗蝕劑層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，還包括于形成第二復(fù)合層之前，于第一存儲單元的側(cè)壁分別形成一間隙壁。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，還包括于這些第一存儲單元形成之后，于這些間隙壁形成之前，于各個第一存儲單元側(cè)壁上形成襯氧化層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，襯氧化層的形成方法包括進行一快速熱回火工藝。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，于基底中形成源極/漏極區(qū)的方法包括離子注入法。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法更包括形成一個第二存儲單元行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，第一存儲單元行與第二存儲單元行之間的距離大于相鄰二個第一存儲單元之間的距離。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，源極/漏極區(qū)之一形成于第一存儲單元行與第二存儲單元行之間的基底中。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法在第一存儲單元行中，最外側(cè)的二個第一存儲單元的寬度大于其它第一存儲單元的寬度。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，介電層的厚度包括3000埃左右。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，各個第一存儲單元從基底起由下而上包括一第一復(fù)合層、一第一柵極與一頂蓋層，其中第一復(fù)合層包括一層第一電荷儲存層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，各個第一柵極的材料包括摻雜多晶硅或多晶硅化金屬。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，第一電荷儲存層與第二電荷儲存層的材料包括氮化硅或摻雜多晶硅。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，頂蓋層包括氧化硅層、氮化硅層或是由氧化硅層與氮化硅層所組成的堆棧層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，各個第一復(fù)合層與各個第二復(fù)合層各自還包括底介電層及頂介電層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，底介電層及頂介電層的材料包括氧化硅。
依照本發(fā)明實施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，圖案化介電層的方法，包括各向異性蝕刻法。
在本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，由于采用于堆棧柵極結(jié)構(gòu)之間填入第二復(fù)合層及導(dǎo)體層，不需要光刻蝕刻工藝即可于堆棧柵極結(jié)構(gòu)之間制作出另一種柵極結(jié)構(gòu)，因此可形成高密度的存儲單元。另外，此工藝方法較為簡單，且可以減少制造成本。
另一方面，在本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，存儲單元區(qū)中的第二柵極與周邊電路區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)整合在同一工藝中進行，可簡化制造流程。且存儲單元區(qū)中的第二柵極與周邊電路區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)由同一導(dǎo)體層所形成，可有效降低制造成本。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖1A～圖1G為依照本發(fā)明一實施例所繪示的非揮發(fā)性存儲器的制造流程剖面圖。
簡單符號說明100基底102存儲單元區(qū)104周邊電路區(qū)106、131存儲單元108、120復(fù)合層108a、120a介電層108b、120b電荷儲存層108c、120c頂介電層110、130柵極114頂蓋層114a氧化硅層114b氮化硅層116間隙壁118襯氧化層122柵介電層124、138、140圖案化光致抗蝕劑層
126導(dǎo)體層128介電層132、134存儲單元行136柵極結(jié)構(gòu)142源極區(qū)144漏極區(qū)具體實施方式
圖1A～圖1F為依照本發(fā)明一實施例所繪示的非揮發(fā)性存儲器的制造流程剖面圖。首先，請參照圖1A，提供一基底100，基底100例如是硅基底，在此基底100上至少可區(qū)分為存儲單元區(qū)102及周邊電路區(qū)104。接著，在存儲單元區(qū)102的基底100上形成多個存儲單元106。而存儲單元106是由復(fù)合層108、柵極110、頂蓋層114所構(gòu)成。存儲單元106的形成方法例如是依序于基底100上形成復(fù)合介電材料層、導(dǎo)體層、絕緣材料層后，于存儲單元區(qū)102上形成一圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，再進行一個蝕刻工藝以圖案化存儲單元區(qū)102中的上述材料層，同時移除周邊電路區(qū)104中的上述材料層，再移除圖案化光致抗蝕劑層而形成之。
值得注意的是，在后續(xù)形成的各個存儲單元行中，最外側(cè)二個存儲單元106的寬度大于存儲單元行中其它的存儲單元106，可避免后續(xù)形成的源極/漏極區(qū)的摻雜范圍超過存儲單元行最外側(cè)的存儲單元106，而造成電性上的缺陷。
復(fù)合層108例如是由底介電層108a、電荷儲存層108b、頂介電層108c所構(gòu)成。底介電層108a的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。電荷儲存層108b的材料例如是氮化硅或摻雜多晶硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。頂介電層108c的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。當然，底介電層108a及頂介電層108c也可以是其它類似的材料。電荷儲存層108b的材料并不限于氮化硅或摻雜多晶硅，也可以是其它能夠使電荷陷入于其中的材料，例如鉭氧化層、鈦酸鍶層與鉿氧化層等。
柵極110的材料例如是摻雜的多晶硅，此柵極110的形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進行離子注入步驟以形成之。在另一實施例中，柵極110的材料可為多晶硅化金屬，例如是由一層摻雜多晶硅層與一層金屬硅化物層所組成，形成的方法例如是先形成摻雜多晶硅層之后，再進行一個化學(xué)氣相沉積工藝而形成之。其中，金屬硅化物層的材料例如是硅化鎳或硅化鎢。
頂蓋層114可為氧化硅層、氮化硅層或是由氧化硅層與氮化硅層所組成的堆棧層。在本實施例中，頂蓋層114例如是由氧化硅層114a與氮化硅層114b所組成的堆棧層，而氮化硅層114b可作為硬掩模層使用。頂蓋層114的形成方法例如是先以四-乙基-鄰-硅酸酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)/臭氧(O3)為反應(yīng)氣體源，利用化學(xué)氣相沉積法而形成氧化硅層114a。接著，再利用化學(xué)氣相沉積法于氧化硅層114a上形成氮化硅層114b。
接著，請參照圖1B，于各個存儲單元106的側(cè)壁形成間隙壁116。間隙壁116的形成方法例如是先形成一層絕緣材料層后，進行各向異性蝕刻工藝，而只留下位于存儲單元106側(cè)壁的絕緣材料層。間隙壁116的材料例如是氮化硅。在另一實施例中，可于存儲單元106形成之后，于間隙壁形成之前進行一個快速熱回火工藝，而在各個柵極110及金屬硅化物層112側(cè)壁上形成襯氧化層118。
然后，請參照圖1C，在存儲單元區(qū)102的基底100上形成另一復(fù)合層120并于周邊電路區(qū)104的基底100上形成柵介電層122。而存儲單元區(qū)102的復(fù)合層120與周邊電路區(qū)104的柵介電層122的形成方法，例如是先于基底100上形成復(fù)合層120。接著，形成一層圖案化光致抗蝕劑層124，其覆蓋存儲單元區(qū)102中的復(fù)合層120。然后，以圖案化光致抗蝕劑層124為掩模，移除周邊電路區(qū)中的復(fù)合層120，移除的方法例如是各向異性蝕刻法。接下來，于周邊電路區(qū)104的基底100上形成柵介電層122，形成的方法例如是熱氧化法。之后，移除圖案化光致抗蝕劑層124。
復(fù)合層120例如是由底介電層120a、電荷儲存層120b、頂介電層120c所構(gòu)成。其中，各材料層的材料與形成方法大致上與復(fù)合層108相類似，故于此不再贅述。
接著，請參照圖1D，于基底100上形成導(dǎo)體層126，其中導(dǎo)體層126填滿相鄰兩存儲單元106之間的間隙。導(dǎo)體層126的材料例如是摻雜的多晶硅，此導(dǎo)體層126的形成方法例如是先利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，再進行一個離子注入步驟形成之。
接著，于導(dǎo)體層126上形成一層介電層128，其材料例如是氧化硅，其形成方法例如是先以四-乙基-鄰-硅酸酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)/臭氧(O3)為反應(yīng)氣體源，利用化學(xué)氣相沉積法而形成介電層128。
接下來，請參照圖1E，進行一個移除步驟，例如是進形一個化學(xué)機械研磨工藝，以平坦化介電層128。然后，進行另一個移除步驟，例如是以頂蓋層114為蝕刻終止層，進行一個蝕刻工藝，以移除周邊電路區(qū)104中的部分介電層128，并移除存儲單元區(qū)中的介電層128及部分導(dǎo)體層126。藉此暴露出這些存儲單元106的上表面，并形成填滿這些間隙的多個柵極130。其中，介電層128的厚度例如是5000埃。
在另一實施例中，可直接進行一個移除步驟移除周邊電路區(qū)104中的部分介電層128，并移除存儲單元區(qū)102中的介電層128及部分導(dǎo)體層126。這個移除步驟例如是以頂蓋層114為研磨終止層，進行一個化學(xué)機械研磨工藝。藉此暴露出這些存儲單元106的上表面，并形成填滿這些間隙的多個柵極130。其中，介電層128的厚度例如是3000埃。
在進行上述移除步驟之后，所形成的柵極130與復(fù)合層120構(gòu)成多個存儲單元131。
以上述方法所形成的柵極130，其表面較為平坦，輪廓也較容易控制，可減少存儲單元陣列在布局上的限制。且在導(dǎo)體層126上形成介電層128，可以避免周邊電路區(qū)104上的導(dǎo)體層126在上述移除存儲單元區(qū)102中的介電層128及部分導(dǎo)體層126的過程中受到破壞。
上述存儲單元131與存儲單元106可形成多個存儲單元行。在本實施例中，僅以存儲單元行132、134作為說明。存儲單元行132、134之間的距離大于各存儲單元106間的距離，此一較大的間距有助于在后續(xù)內(nèi)連線工藝中插塞的形成。
接下來，請參照圖1F，圖案化周邊電路區(qū)104的介電層128與導(dǎo)體層126，以形成多個柵極結(jié)構(gòu)136。而形成多個柵極結(jié)構(gòu)136的方法，例如是先形成一層圖案化光致抗蝕劑層138，覆蓋存儲單元區(qū)102，并暴露出周邊電路區(qū)中部分介電層128。接著，移除部份介電層128及導(dǎo)體層126，以形成柵極結(jié)構(gòu)136，移除的方法例如是進行一個各向異性蝕刻工藝。然后，移除圖案化光致抗蝕劑層138。
然后，請參照圖1G，于基底100上形成一層圖案化光致抗蝕劑層140，暴露出后續(xù)欲形成源極區(qū)/漏極區(qū)的區(qū)域。接著，進行一蝕刻工藝，移除欲形成源極區(qū)/漏極區(qū)的區(qū)域上的柵極130及復(fù)合層108。
之后，以圖案化光致抗蝕劑層140為掩模，進行一摻質(zhì)注入步驟，而于存儲單元行兩側(cè)的基底100中形成源極區(qū)142與漏極區(qū)144。意即源極區(qū)142與漏極區(qū)144位于相鄰兩存儲單元行的基底中。然后，移除圖案化光致抗蝕劑層140。后續(xù)完成非揮發(fā)性存儲器的工藝為于本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，在此不再贅述。
在上述實施例中，由于采用于存儲單元106之間形成復(fù)合層120與柵極130，不需要光刻蝕刻工藝即可于存儲單元106之間制作出另一種柵極結(jié)構(gòu)。因此可形成高密度的存儲單元。另外，此工藝方法較為簡單，且可以減少制造成本。
另一方面，在本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，存儲單元區(qū)102中的柵極130與周邊電路區(qū)104中的柵極結(jié)構(gòu)136整合在同一工藝中進行，可簡化制造流程。且存儲單元區(qū)102中的柵極130與周邊電路區(qū)104中的柵極結(jié)構(gòu)136由同一導(dǎo)體層126所形成，可有效降低制造成本。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點1、本發(fā)明所提出的非揮發(fā)性存儲器的制造方法在存儲單元區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)之間形成另一種柵極結(jié)構(gòu)，可制造出高密度的非揮發(fā)性存儲器元件。
2、依照本發(fā)明所提出的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，可將存儲單元區(qū)及周邊電路區(qū)的工藝進行整合，可簡化非揮發(fā)性存儲器的制造流程，并減少制造成本。
3、在本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲器的制造方法中，存儲單元行最外側(cè)二個柵極結(jié)構(gòu)的寬度較寬，可避免源極/漏極區(qū)的摻雜范圍超過存儲單元行最外側(cè)的柵極結(jié)構(gòu)，減少電性缺陷的產(chǎn)生。
4、依照本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲器的制造方法在存儲單元區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)之間所形成的另一種柵極結(jié)構(gòu)，其表面較為平坦，輪廓也較容易控制，可減少存儲單元陣列在布局上的限制。
5、依照本發(fā)明所提出的非揮發(fā)性存儲器的制造方法所形成的存儲單元行，在相鄰兩存儲單元行之間具有較大的間距，有助于在后續(xù)內(nèi)連線工藝中插塞的形成。
6、本發(fā)明會在形成周邊電路區(qū)的柵極的導(dǎo)體層上形成一層介電層，在存儲單元區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)之間形成另一種柵極結(jié)構(gòu)時，可以避免周邊電路區(qū)的導(dǎo)體層受到破壞。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以后附的權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)性存儲器的制造方法，包括提供一基底，其至少可區(qū)分為一存儲單元區(qū)及一周邊電路區(qū)；于該存儲單元區(qū)的該基底上形成多個第一存儲單元，且相鄰二個第一存儲單元之間具有一間隙；于該存儲單元區(qū)的該基底上形成一第二復(fù)合層，其包括一第二電荷儲存層；于該周邊電路區(qū)的該基底上形成一柵介電層；于該第二復(fù)合層及該柵介電層上形成一導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層覆蓋該些第一存儲單元并填滿該些間隙；于該導(dǎo)體層上形成一介電層；進行一移除步驟，以移除該周邊電路區(qū)中的部分該介電層，并移除該存儲單元區(qū)中的該介電層及部分該導(dǎo)體層，而形成填滿該些間隙的多個第二柵極，該些第二柵極與該第二復(fù)合層形成多個第二存儲單元，且該些第二存儲單元與該些第一存儲單元構(gòu)成一第一存儲單元行；圖案化該周邊電路區(qū)的該介電層與該導(dǎo)體層，以于該周邊電路區(qū)形成多個柵極結(jié)構(gòu)；以及于該第一存儲單元行兩側(cè)的該基底中各形成一源極/漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該移除步驟包括以該些第一存儲單元為終止層進行一第一化學(xué)機械研磨工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該移除步驟包括進行一第二化學(xué)機械研磨工藝，以平坦化該介電層；以及以該些第一存儲單元為終止層，進行一蝕刻工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中在該存儲單元區(qū)的該基底上形成該第二復(fù)合層以及于該周邊電路區(qū)的該基底上形成該柵介電層的方法，包括于該基底上形成該第二復(fù)合層；形成一圖案化光致抗蝕劑層，其覆蓋該存儲單元區(qū)中的該第二復(fù)合層；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除該周邊電路區(qū)中的該第二復(fù)合層；于該周邊電路區(qū)的該基底上形成該柵介電層；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層。
5.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，還包括于形成該第二復(fù)合層之前，于該些第一存儲單元的側(cè)壁分別形成一間隙壁。
6.如權(quán)利要求5所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，還包括于該些第一存儲單元形成之后，于該些間隙壁形成之前，于各該第一存儲單元側(cè)壁上形成一襯氧化層。
7.如權(quán)利要求6所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該襯氧化層的形成方法包括進行一快速熱回火工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中于該基底中形成該源極/漏極區(qū)的方法包括離子注入法。
9.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，還包括形成一第二存儲單元行。
10.如權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該第一存儲單元行與該第二存儲單元行之間的距離大于相鄰二個第一存儲單元之間的距離。
11.如權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該源極/漏極區(qū)之一形成于該第一存儲單元行與該第二存儲單元行之間的該基底中。
12.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，在該第一存儲單元行中，最外側(cè)的二個第一存儲單元的寬度大于其它該些第一存儲單元的寬度。
13.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該介電層的厚度包括3000埃左右。
14.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中各該第一存儲單元從該基底起由下而上包括一第一復(fù)合層、一第一柵極與一頂蓋層，其中該第一復(fù)合層包括一第一電荷儲存層。
15.如權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中各該第一柵極的材料包括摻雜多晶硅或多晶硅化金屬。
16.如權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該第一電荷儲存層與該第二電荷儲存層的材料包括氮化硅或摻雜多晶硅。
17.如權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該頂蓋層包括氧化硅層、氮化硅層或是由氧化硅層與氮化硅層所組成的堆棧層。
18.如權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該第一復(fù)合層與該第二復(fù)合層各自還包括一底介電層及一頂介電層。
19.如權(quán)利要求18所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中該底介電層及該頂介電層的材料包括氧化硅。
20.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器的制造方法，其中圖案化該介電層的方法，包括各向異性蝕刻法。
全文摘要
一種非揮發(fā)性存儲器的制造方法，在存儲單元區(qū)的基底上形成多個第一存儲單元，包括第一復(fù)合層、第一柵極與頂蓋層，且相鄰二個第一存儲單元之間具有一個間隙。然后，于這些間隙中的形成多個柵極，這些柵極與第二復(fù)合層構(gòu)成第二存儲單元，且這些第二存儲單元與這些第一存儲單元構(gòu)成一個存儲單元行。且在此一工藝中，同時形成周邊電路區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)。其中，這些間隙中的多個柵極與周邊電路區(qū)的柵極由同一導(dǎo)體層所形成。
文檔編號H01L21/8247GK1917181SQ20051009206
公開日2007年2月21日 申請日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月16日
發(fā)明者曾維中, 魏鴻基, 畢嘉慧 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司