專利名稱：測試磁性傳感器的探針板和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測試磁性傳感器的探針板和方法。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)的磁性傳感器測試中，通過將傳感器放置在由Helmholtz線圈等產(chǎn)生的磁場中，測量來自于被封裝的磁性傳感器的輸出信號。(例如，參考日本公開的專利Hei09-50601)。
在日本公開的專利Hei09-50601中公開的測試方法，如果磁性傳感器被判斷為有缺陷，則裝配磁性傳感器的成本就是浪費，因為在磁性傳感器被封裝之后才執(zhí)行該測試。
另一方面，日本公開的專利Sho62-55977公開了通過具有作為磁場發(fā)生器的線圈探測器的測試裝置來測試磁性傳感器的方法。在這種測試方法中，通過將線圈探測器的頂端靠近磁性傳感器并且向磁性傳感器施加磁場，測量來自于晶片(wafer)上的磁性傳感器的輸出信號。因此，磁性傳感器能夠在晶片狀態(tài)(wafer-state)下測試。
然而，從線圈探測器的頂端產(chǎn)生的磁場是單向的。因此，為了測試相應(yīng)于外部磁場的多個方向的磁性傳感器輸出，線圈探測器和磁性傳感器必須相對地旋轉(zhuǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種探針板，其能夠減少磁性傳感器模塊的制造成本。
本發(fā)明的另一個目的是提供測試磁性傳感器模塊的方法，其能夠減少磁性傳感器模塊的制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種探針板，包含在可變方向上向磁性傳感器施加磁場的多個線圈；以及檢測磁性傳感器輸出信號的一組探針。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種測試磁性傳感器的方法，包含以下步驟(a)探針板接觸晶片，其中磁性傳感器形成在該晶片上；(b)通過向形成在探針板中的多個線圈提供電流，向磁性傳感器施加磁場；(c)通過探針板檢測磁性傳感器的輸出信號；以及(d)通過改變施加到多個線圈的電流改變施加到磁性傳感器的磁場的方向。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了測試磁性傳感器模塊的方法，包含以下步驟(a)使形成在晶片上的磁性傳感器模塊的至少一個與探針板接觸，其中每個磁性傳感器具有磁性傳感器和數(shù)字信號處理器，該探針板具有向磁性傳感器施加磁場的線圈；(b)通過經(jīng)由探針板向數(shù)字信號處理器輸入測試信號、并經(jīng)由探針板獲得來自數(shù)字信號處理器的相應(yīng)于測試信號的響應(yīng)信號，來測試數(shù)字信號處理器；(c)通過為向磁性傳感器施加磁場的線圈提供電流、并經(jīng)由探針板獲得來自磁性傳感器模塊的響應(yīng)信號，來測試磁性傳感器；以及(d)將磁性傳感器模塊與探針板分離。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種測試磁性傳感器模塊的方法，包含以下步驟(a)將封裝的磁性傳感器模塊裝入測試插座中，其中封裝的磁性傳感器模塊具有磁性傳感器和數(shù)字信號處理器，測試插座具有向磁性傳感器施加磁場的線圈；(b)通過經(jīng)由測試插座向數(shù)字信號處理器輸入測試信號、并經(jīng)由測試插座獲得來自數(shù)字信號處理器的相應(yīng)于測試信號的響應(yīng)信號，來測試數(shù)字信號處理器；(c)通過為向磁性傳感器施加磁場的線圈提供電流、并經(jīng)由測試插座獲得來自磁性傳感器模塊的響應(yīng)信號，來測試磁性傳感器；以及(d)將封裝的磁性傳感器模塊從測試插座移開。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的測試系統(tǒng)的示意圖。
圖2是解釋通過根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的測試系統(tǒng)1測試的磁性傳感器模塊300的示意圖。
圖3是在測試時探針板外圍設(shè)備的放大圖。
圖4是探針板的俯視圖。
圖5A到5C是解釋向線圈提供的電流與細(xì)合磁場關(guān)系的圖表。
圖6是通過配備了探板130的探測器100測試磁性傳感器模塊300的流程圖。
圖7是具有矩形形狀線圈的探針板的俯視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第一改進(jìn)例子的探針板135的示意圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第二改進(jìn)例子的探針板136的示意圖。
圖10是由探針板136的線圈165產(chǎn)生的磁場SF3的示意圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第二改進(jìn)例子的探針板136的示意圖。
圖12是由探針板136的線圈165產(chǎn)生的磁場SF3的示意圖。
圖13A是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的另一個改進(jìn)例子的探針板136的示意圖。
圖13B是由探針板136的線圈165產(chǎn)生的磁場SF3的示意圖。
圖14是解釋通過根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的測試系統(tǒng)1對于磁性傳感器模塊300的晶片測試的流程圖。
圖15是在圖14中的步驟S104執(zhí)行的過程的流程圖。
圖16是磁性傳感器測試過程的流程圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的第一改進(jìn)例子的探針板430的俯視圖。
圖18是在測試時探針板430的放大圖。
圖19是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的第二改進(jìn)例子測試磁性傳感器模塊的流程圖。
圖20是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的測試系統(tǒng)2的示意圖。
圖21是在測試時的根據(jù)第三實施例的測試插座500的放大圖。
圖22是具有橢圓形狀線圈的測試插座的俯視圖。
圖23是通過根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的測試系統(tǒng)2磁性傳感器模塊300出廠檢驗的流程圖。
圖24是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的改進(jìn)例子的測試插座的俯視圖。
圖25是根據(jù)在測試時第三實施例的改進(jìn)例子的測試插座的放大圖。
圖26是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的另一個改進(jìn)例子的測試插座的俯視圖。
具體實施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的測試系統(tǒng)的示意圖。
根據(jù)本發(fā)明第四實施例的測試系統(tǒng)1具有探測器100、測試器的主體200等，并且測試形成在晶片30上的磁性傳感器模塊。
圖2是解釋通過根據(jù)本發(fā)明第一實施例的測試系統(tǒng)1測試的磁性傳感器模塊300的示意圖。
磁性傳感器模塊300包括磁性傳感器302、磁性傳感器304、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(以下稱為D/A轉(zhuǎn)換器)320、存儲器330、數(shù)字信號處理器340、電源350等。
磁性傳感器302和磁性傳感器304輸出相應(yīng)于外部磁場的模擬信號，并且它們的檢測方向直角交叉。此外，磁場傳感器模塊可以僅具有一個磁性傳感器或者具有多于兩個的磁性傳感器。以下，磁性傳感器302和磁性傳感器304將被共同稱為磁性傳感器。
A/D轉(zhuǎn)換器320將從磁性傳感器輸出的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。
作為存儲裝置的存儲器330是非易失性存儲器，用來存儲各種數(shù)據(jù)，例如磁性傳感器的修正值和溫度補(bǔ)償值等。
數(shù)字信號處理器340與輸入到端子360的時鐘信號同步，并且執(zhí)行各種信號處理。例如，數(shù)字信號處理器340依據(jù)磁性傳感器的輸出、存儲在存儲器330等中的修正值和溫度補(bǔ)償值，產(chǎn)生表示外部磁場方向的信號(以下成為角度信號)。除此以外，數(shù)字信號處理器340向端子362輸出角度信號，將各種數(shù)據(jù)寫入存儲器330，并且從存儲器330中讀取各種數(shù)據(jù)。
電源350通過作為輸入施加到端子364的電壓為磁性傳感器模塊300的每個組件提供電力。以下，端子360至364將被共同稱為端子。
如圖1所示，探測器100包含探測器的主體110等。將晶片30安裝到主體110上，并且將探針板裝到測試臺120上，該測試臺120放置在主體110上，并連接于測試器主體200。
圖3是在測試時探針板的外圍設(shè)備的放大圖。圖4是探針板的俯視圖。
如圖3所示，測試臺120將其對于探測器的主體110的相對方向改變到探針板130更靠近晶片30的方向，以及探針板130遠(yuǎn)離晶片30的方向。以下將解釋實施例，假設(shè)主體110向著探測器的測試臺120上升或下降(參考箭頭Z)。
探針板130包含探針頭140、印刷線路板150、線圈161到164(圖4)等。探針板130安裝到測試裝置(探測器)100，用來測試形成在晶片上的集成電路等的電特性。配備探針板130的探測器100能夠測量形成在晶片30上的磁性傳感器模塊(磁性傳感器芯片)300相應(yīng)于如圖5所示的外部磁場的輸出信號。探針板130能夠任意控制后面所述的探針(輸入/輸出端子)144頂端附近的磁場；因此，這對于測試磁性傳感器是特別有用的，其中這種磁性傳感器的輸出信號依賴于外部磁場的方向而變化，例如羅盤傳感器。
印刷線路板150被固定到測試臺120上，并且經(jīng)由測試臺120與測試器的主體200電聯(lián)接。
探針頭140具有基座142和多個探針144，并且被固定到印刷線路板150上。探針144被定位在基座142的中心。每個探針144的一個邊緣垂直的從基座142的表面突出，該表面是印刷線路板150的相對側(cè)。從基座142突出的每個探針144的頂端在測試磁性傳感器模塊300時與磁性傳感器300的端子接觸。探針144可以被定位在除了基座142中心的其他位置。
線圈161到164被固定到探針頭140上。例如，線圈161，162，163和164穿進(jìn)印刷線路板150并嵌入到四個凹處而被固定，其中四個凹處的底部形成在基座142上。如圖4所示，線圈161和162由探針144定位到關(guān)于基座142的中心對稱。同樣，線圈163和164由探針144定位到關(guān)于基座142的中心對稱。線圈161和162被設(shè)置在一位置，該位置是線圈163和164通過將基座142的中心設(shè)置為旋轉(zhuǎn)中心而被旋轉(zhuǎn)90度。以下，從線圈161到線圈162的方向?qū)⒎Q為X-方向(參考圖中的箭頭X)，從線圈163到線圈164的方向?qū)⒎Q為Y-方向(參考圖中的箭頭Y)。此外，線圈161到164可以通過除了圖中所示的結(jié)構(gòu)之外的其它結(jié)構(gòu)被嵌入到凹部142a。盡管在上述實施例中線圈161到164被嵌入到凹部142a中，但是固定線圈的方法并不限于此。此外，磁材料例如鐵氧體、坡莫合金等，或者磁心材料可以被放置在線圈161到164的中心，在這種情況下，大的磁場能夠通過小電流產(chǎn)生。
線圈161和線圈162電串聯(lián)，用來產(chǎn)生在線圈內(nèi)的反過來指向也一樣的磁場。當(dāng)向線圈161和162提供電流時，產(chǎn)生磁場SF1，其中該磁場在探針144頂端附近的部分指向X-方向(或者X-方向的相反方向)。同樣，線圈163和線圈164電串聯(lián)，用來產(chǎn)生在線圈內(nèi)的反過來指向也一樣的磁場。當(dāng)向線圈163和164提供電流時，產(chǎn)生磁場SF2，其中該磁場在探針144頂端附近的部分指向Y-方向(或者Y-方向的相反方向)。這也就是，通過向線圈161到164提供電流，磁場SF1和磁場SF2的方向在探針144頂端附近成直角交叉。
在磁場SF1和SF2已經(jīng)產(chǎn)生的情況下，磁場SF1和SF2的組合磁場CF1在探針144的頂端附近產(chǎn)生。在探針144頂端附近的組合磁場CF1的大小和組合磁場CF1的方向能夠通過控制磁場SF1和SF2的大小和方向來任意控制。磁場SF1的大小能夠通過施加到線圈161和162的電流的強(qiáng)度來控制，磁場SF1的方向能夠通過施加到線圈161和162的電流方向來控制。同樣，磁場SF2的大小和方向能夠通過控制施加到線圈163和164的電流的強(qiáng)度和方向來控制。
例如，為了產(chǎn)生組合磁場CF1，其在探針144的頂端附近指向與X-方向成角度θ的方向，由下述方程式(1)表示的電流(I1參考圖5A)提供給線圈161和162，由下述方程式(2)表示的電流(I2參考圖5B)提供給線圈163和164。在方程式(1)和(2)中，I1和I2的絕對值分別表示提供給線圈161(線圈162)和線圈163(線圈164)的電流的強(qiáng)度，I1和I2的符號分別表示提供給線圈161(線圈162)和線圈163(線圈164)的電流的方向。以下，組合磁場CF1的方向?qū)⒂稍赬-方向的角度表示(參考箭頭X)。
I1＝aCOSθ…(1)I2＝aSINθ…(2)如上所述，能夠產(chǎn)生組合磁場CF1(參考圖5C)，其中該磁場在探針144頂端附近的部分是任意方向(arbitral direction)。組合磁場幅值(m)相應(yīng)于最大電流值(a)，并且它們之間的關(guān)系由線圈161到164等繞組中的匝數(shù)確定。因為磁場SF1和磁場SF2直角交叉，提供給線圈161到164的大小和方向能夠容易的從組合磁場CF1在探針144頂端附近的磁場的大小和方向獲得。因此，線圈161到164優(yōu)選的布置在上述的配置中。然而，如果磁場SF1和磁場SF2不平行，則線圈161到164的其他配置能夠被應(yīng)用。
圖1中示出的測試器的主體200(測試器主體)測試磁性傳感器模塊300的方法如下，控制測試臺120的上下，通過探針板130向磁性傳感器線圈300輸入測試信號，在探針板130的線圈161到164中產(chǎn)生磁場，并且獲得磁性傳感器模塊300相應(yīng)于測試信號的響應(yīng)信號。
圖6是通過配備了探針板130的探測器100測試磁性傳感器模塊300的流程圖。該流程圖示出了測量過程的流程，用于測量與外部磁場一致的、從形成在晶片30上的磁性傳感器模塊300輸出的輸出信號。在這個測試中，作為外部磁場的組合磁場CF1施加到作為磁性傳感器的磁性傳感器模塊300。此外，磁性傳感器可以是霍爾元件或者磁阻元件。
在步驟S10中，探針144的頂端接觸到還未被測量的磁性傳感器芯片(chip)6的電極。
在步驟S11中，指向未測定方向的外部磁場被施加到磁性傳感器模塊300上。例如，通過控制施加到線圈161(線圈162)和線圈163(線圈164)的電流，組合磁場CF1在探針144頂端附近的磁場指向未測定方向。在以22.5度為間隔測試相應(yīng)于360度外部磁場的輸出信號的情況下，將按照順序產(chǎn)生指向0度，22.5度，45.0度…337.5度的組磁場CF1。
施加到磁性傳感器模塊300上的外部磁場的幅值是依據(jù)測試對象確定的。因此，優(yōu)選探針板130能夠在預(yù)定幅值范圍內(nèi)產(chǎn)生組合磁場CF1。當(dāng)能夠產(chǎn)生預(yù)定幅值內(nèi)的組合磁場CF1時，例如，通過向磁性傳感器模塊300施加不同幅值的組合磁場CF1，就能一次進(jìn)行多個對象的測試。例如，預(yù)定幅值范圍是從0.4A/m到4000A/m的幅值范圍。幅值0.4A/m是關(guān)于現(xiàn)有的磁性傳感器分辨率的最小值，4000A/m是從地磁幅值計算的最大值。此外，探針板130可以產(chǎn)生比幅值0.4A/m更小的組合磁場CF1，或者比幅值4000A/m更大的磁場。
在步驟S12中，測量磁性傳感器模塊300的輸出。例如，與磁性傳感器模塊300接觸的探針130讀出磁性傳感器模塊300的輸出信號。
在步驟S13中，判斷是否從磁性傳感器模塊300輸出了輸出信號。當(dāng)磁性傳感器模塊300輸出信號時，過程前進(jìn)到步驟S14。當(dāng)磁性傳感器模塊300沒有輸出信號時，磁性傳感器模塊300被認(rèn)為是有缺陷(defection)，即使存在外部磁場的未測定方向，仍然終止該磁性傳感器300模塊的測量，并測試未測定的磁性傳感器，也就是，過程前進(jìn)到步驟S16。此外，如果磁性傳感器模塊300在沒有執(zhí)行步驟S13的過程的情況下沒有輸出信號，則測量可以繼續(xù)。
在步驟S14中，記錄在步驟S12的測量結(jié)果。例如，與作為測量結(jié)果的輸出信號相應(yīng)的數(shù)據(jù)被存儲在存儲介質(zhì)中，例如存儲器。
在步驟S15中，判斷外部磁場所有方向的測量是否已經(jīng)完成。如果存在未測定的外部磁場方向，過程返回到步驟S11。如果已經(jīng)完成外部磁場的所有方向的測量，過程前進(jìn)到步驟S16。
在步驟S16中，判斷來自于磁性傳感器模塊300的、相應(yīng)于外部磁場所有方向的輸出信號是否正常，并將記錄結(jié)果。例如，來自于磁性傳感器模塊300的、相應(yīng)于外部磁場每個方向的理想輸出信號與在步驟S14的測量結(jié)果的差值被計算，并且判斷該差值是否在預(yù)定范圍內(nèi)。在步驟S16的判斷規(guī)則可以任意確定。
在步驟S17中，判斷對于形成在晶片30上的所有磁性傳感器模塊300的測試是否已經(jīng)完成。如果還存在沒有被測試的磁性傳感器模塊300，過程返回到步驟S10。如果對于形成在晶片30上的所有磁性傳感器模塊300的測試已經(jīng)完成，過程前進(jìn)到步驟S18。
在步驟S18中，根據(jù)測試結(jié)果標(biāo)記磁性傳感器模塊300。例如，具有缺陷的磁性傳感器模塊300將通過在預(yù)定位置印上預(yù)定標(biāo)記被標(biāo)記為有缺陷。根據(jù)測試結(jié)果的標(biāo)記可以以其他方式實現(xiàn)。例如，可以在具有缺陷的磁性傳感器模塊300的預(yù)定位置上刻痕，或者通過在預(yù)定位置印上預(yù)定標(biāo)記來標(biāo)記不具有缺陷的磁性傳感器模塊300為正常產(chǎn)品。此外，可以在完成對預(yù)定數(shù)量的晶片30的測試之后執(zhí)行步驟S18的過程。在該情況下，對于預(yù)定數(shù)量晶片30的測試結(jié)果將被存儲在存儲器等中。
利用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的探針板130，通過向線圈161到164施加電流而產(chǎn)生組合磁場CF1。來自于形成在晶片30上的磁性傳感器模塊300的、相應(yīng)于外部磁場的輸出信號能夠通過向磁性傳感器模塊300施加作為外部磁場的組合磁場CF1而被測量。由于磁性傳感器模塊300能夠在密封至封裝(package)之前被測試，因此裝配磁性傳感器的成本將不會被浪費。而且，測試結(jié)果能夠迅速地應(yīng)用到制造過程中。
此外，通過控制施加到線圈161到164的電流的大小和強(qiáng)度來控制組合磁場CF1在探針144頂端附近的磁場的方向。因此，在多個方向上相應(yīng)于外部磁場的磁性傳感器模塊300的輸出信號能夠在不改變探針板130和晶片30相對位置的情況下測量到。
盡管已經(jīng)在第一實施例中解釋了每個具有圓形橫截面的線圈161到164，但是線圈的形狀不局限于此。例如，線圈161到164的橫截面的形狀可以是如在探針板51(圖7)中示出的矩形或橢圓(圖22)。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的第一改進(jìn)例子的探針板135的示意圖。根據(jù)第二實施例的探針板132在圍繞探針144的四個邊的每一個上都具有兩個線圈。與第一實施例相似的改進(jìn)例子的組件用與第一實施例中相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，并且省略了對這些組件的解釋。
探針板135具有8個線圈，即線圈161a，162a，163a，164a，161b，162b，163b，164b。線圈161a，162a，163a，164a，161b，162b，163b，164b均嵌入到凹部142a中。線圈161a和162a經(jīng)由探針144被定位到關(guān)于穿過基座142中心的虛擬直線L1對稱，并且線圈161b和162b類似定位。線圈163a和164a經(jīng)由探針144定位到關(guān)于與虛擬直線L1成直角交叉的虛擬直線對稱，并且線圈163b和164b類似定位。盡管在探針板135中兩個線圈定位在探針144的每個邊上，但是在探針144的每個邊上可以定位三個或者更多線圈。
類似于第一實施例中的線圈161和162，線圈161a和線圈162a互相電聯(lián)接，并且線圈161b和162b也電聯(lián)接。類似于第一實施例中的線圈163和164，線圈163a和線圈164a互相電聯(lián)接，并且線圈163b和線圈164b也電聯(lián)接。
在探針頂端附近，由線圈161a(線圈162a)和線圈161b(線圈162b)產(chǎn)生的磁場方向是相同的，并且在探針頂端附近由線圈163a(線圈164a)和線圈163b(線圈164b)產(chǎn)生的磁場方向是相同的。這也就是，當(dāng)探針144的頂端與磁性傳感器模塊300的電極電聯(lián)接時，互相平行的磁通量穿過磁性傳感器模塊300；因此，能夠準(zhǔn)確的執(zhí)行相應(yīng)于外部磁場的磁性傳感器模塊300的輸出測試。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第二改進(jìn)例子的探針板136的示意圖。圖10是由探針板136的線圈165產(chǎn)生的磁場SF3的示意圖。根據(jù)第三實施例的探針板136具有線圈165，其產(chǎn)生指向關(guān)于基座142表面垂直的磁場SF3。相似于第一實施例的第二改進(jìn)例子的組件采用與第一實施例相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，并且省略了這些組件的解釋。
線圈165固定到探針板136的基座142。通過向線圈165提供電流，在探針144附近產(chǎn)生指向Z-方向(參考圖10中的箭頭Z)的磁場SF3。此外，如圖11和圖12所示，于其上放置晶片30的測試板可以具有線圈26。如果那樣的話，線圈165和線圈26電串聯(lián)，以在線圈內(nèi)產(chǎn)生指向相同方向的磁場。
通過控制由線圈161和線圈162產(chǎn)生的磁場SF1以及線圈165產(chǎn)生的磁場SF3，能夠產(chǎn)生指向任意方向并且與垂直于基座142表面的虛擬平面平行的組合磁場CF2。
盡管在上述的第一實施例和它的改進(jìn)例子中，探針144從基座142垂直突出，但是探針144的形狀并不局限與此。例如，如在圖13A和圖13B中示出的探針板137，探針144可以傾斜于基座142而突出。
圖14是解釋通過根據(jù)本發(fā)明第二實施例的測試系統(tǒng)1測試磁性傳感器模塊300的晶片的流程圖。該流程圖示出了測試形成在晶片30上的多個磁性傳感器模塊300中一個任意磁性傳感器模塊300的過程。在該第二實施例中，采用了如在第一實施例中的相同測試系統(tǒng)。與第一實施例類似的第二實施例的組件采用與第一實施例中相同的附圖標(biāo)記來標(biāo)記，并且省略對于這些組件的解釋。
在步驟S100中，測試器主體200執(zhí)行零磁場(zero-magnetic field)調(diào)節(jié)。例如，測試器主體200獲得提供的電流值(以下，稱為零磁場修正值)，該電流值被提供給線圈，是用來消去通過磁場SF1和磁場SF2強(qiáng)加到磁性傳感器模塊300的噪聲磁場所必需的。噪聲磁場是地磁和電子裝置產(chǎn)生的磁場。
例如，零磁場調(diào)節(jié)通過以下方式執(zhí)行。首先，具有磁性傳感器模塊300的晶片30被安裝到探測器主體110，其中當(dāng)外部磁場被除去時(以下，稱為零磁場狀態(tài))磁性傳感器模塊300的輸出為已知。當(dāng)改變提供給線圈161到164的電流值，磁性傳感器模塊300的響應(yīng)信號作為零磁場修正值表示零磁場狀態(tài)時，測試器主體200讀取提供的電流值。于是測試器主體200將零磁場修正值存儲到測試系統(tǒng)1的存儲裝置中，例如配備測試器主體200的存儲器(未在圖中示出)。通過測試器主體200執(zhí)行對磁性傳感器模塊300的響應(yīng)信號的測量，這通過測試器主體200經(jīng)由與磁性傳感器模塊300接觸的探針板130讀取磁性傳感器模塊300的輸出信號來進(jìn)行。測量響應(yīng)信號的方法將在下面詳細(xì)描述。此外，零磁場調(diào)節(jié)不是總是必須執(zhí)行的，但是，其會在每個預(yù)定的測試次數(shù)執(zhí)行。除此以外，執(zhí)行零磁場調(diào)節(jié)可以通過在探針144附近配置磁場測量裝置，例如高斯計等，并且通過磁場測量裝置測量外部磁場來進(jìn)行。
在步驟S101，測試器主體200調(diào)整磁性傳感器模塊300對探針板130的位置。例如，測試器主體200移動磁性傳感器模塊300的位置來使得探針板130的X-方向和設(shè)計的磁性傳感器302的檢測方向互相平行，并且使得探針板130的Y-方向和設(shè)計的磁性傳感器304的檢測方向互相平行。此時，探針板130優(yōu)選根據(jù)形成在晶片30上的規(guī)則圖案32(圖3)朝向磁性傳感器模塊300定位。該規(guī)則圖案是在晶片30上規(guī)則出現(xiàn)的圖案。例如，它可以是包括在晶片上的影印圖案中的襯墊(pad)的圖案、刷洗線(scrub line)、或被樹脂覆蓋后暴露的端子(terminals)。為了改善精確度，最好使用向一個方向(除向X方向和Y方向外)延伸預(yù)定長度的規(guī)則圖案。通過根據(jù)規(guī)則圖案32朝向探針板130定位磁性傳感器模塊300，具有朝向磁性傳感器模塊300的線圈的探針板130的準(zhǔn)確定位與以下比較將是可能的，例如，根據(jù)在劃線后形成在磁性傳感器模塊300上的對準(zhǔn)標(biāo)記、朝向在芯片狀態(tài)的磁性傳感器模塊300定位，或者通過將封裝的磁性傳感器模塊300安裝到插座上，向封裝的磁性傳感器模塊300施加磁場的線圈的定位。結(jié)果，通過由探針板130的線圈在準(zhǔn)確的方向上施加組合磁場CF1，磁性傳感器能夠被測試；因此，能夠提高測試磁性傳感器的精度。
在步驟S102中，探針板130與磁性傳感器模塊130接觸。例如，測試器主體200降下測試臺120，使得探針板130的探針144與磁性傳感器模塊300的端子接觸。結(jié)果，測試器主體200被電連接到磁性傳感器模塊300。
在步驟S104中，磁性傳感器模塊300在不施加組合磁場CF1的情況下被測試試。
圖15是在圖14中步驟S104執(zhí)行的過程的流程圖。
在步驟200，測試器主體執(zhí)行開路短路(open-short)測試。在開路短路測試中，測試器主體200通過公知的測試方法測試磁性傳感器模塊300是否存在開路或短路布線。公知的測試方法是，例如，這種測試方法，其中通過向端子施加電流在預(yù)定端子(包括除了輸入或輸出端子之外的為了測試的端子)之間的電連接，或者例如邊界掃描的測試方法等。
在步驟S202中，測試器主體200執(zhí)行漏電流測試。在漏電流測試中，測試器主體200測量漏電流，這是通過經(jīng)由探針板130向磁性傳感器模塊300的預(yù)定端子(包括除了輸入或輸出端子之外的為了測試的端子)施加電壓、并且判斷磁性傳感器模塊300是正常的或是不正常的來進(jìn)行的。
在步驟S204中，測試器主體執(zhí)行功能測試。在功能測試中，測試器主體200測試磁性傳感器模塊300來判斷數(shù)字信號處理器340是否如設(shè)計一樣工作。
例如，功能測試通過下述方式執(zhí)行。測試系統(tǒng)1存儲多個測試信號模式和響應(yīng)信號，該響應(yīng)信號是當(dāng)測試信號輸入到正常工作的數(shù)字信號處理器時的輸出。測試器主體200通過探針板130向磁性傳感器模塊300的端子364施加電源電壓，向端子360輸入時鐘信號，并且向端子362輸入其中一個測試信號。結(jié)果，數(shù)字信號處理器340輸出相應(yīng)于測試信號的響應(yīng)信號。測試器主體200通過探針板130讀取響應(yīng)信號。于是測試器主體200比較從數(shù)字信號處理器340輸出的響應(yīng)信號和正常的響應(yīng)信號，來判斷數(shù)字信號處理器340是否如設(shè)計一樣地工作。測試器主體200測試數(shù)字信號處理器340的多個功能，這是通過利用多個測試信號和存儲在存儲裝置中的相應(yīng)的正常響應(yīng)信號重復(fù)上述系列過程來進(jìn)行的。此外，在步驟S104的測試步驟中，測試器主體200僅需要執(zhí)行磁性傳感器模塊300的測試，而不需要向磁性傳感器模塊300施加組合磁場CF，并且不必執(zhí)行開路短路測試、漏電流測試以及功能測試。
在完成步驟S104的測試后，過程返回到圖14，在步驟S106中，測試器主體200測試磁性傳感器模塊300的磁性傳感器。在磁性傳感器測試中，從功能測試?yán)^續(xù)，當(dāng)電源電壓和時鐘信號被提供給磁性傳感器模塊300時，組合磁場CF1被施加到磁場傳感器模塊300。
圖16是磁性傳感器測試過程的流程圖。
從步驟S300到步驟S302，測試器主體200執(zhí)行靈敏度測試。例如，在步驟S300中，測試器主體200向磁性傳感器施加在靈敏度范圍的最小強(qiáng)度的外部磁場。更詳細(xì)的，測試器主體200通過向線圈161到164提供考慮到零磁場修正值的電流來產(chǎn)生的組合磁場CF1，以向磁性傳感器施加靈敏度范圍的最小強(qiáng)度的外部磁場。接著，測試器主體200通過探針板130從磁傳感器模塊300讀取響應(yīng)信號，并且通過判斷讀取的響應(yīng)信號是否相應(yīng)于施加的外部磁場來測試磁性傳感器的靈敏度。此后，在步驟S302中，測試器主體200在測試系統(tǒng)1的存儲裝置中存儲靈敏度測試的測試結(jié)果。
從步驟S304到步驟S308，測試器主體200執(zhí)行垂直度測試。例如，在步驟S304，測試器主體200以0度向磁性傳感器施加外部磁場。更詳細(xì)的，測試器主體200通過向線圈161到164提供考慮到零磁場修正值的電流，產(chǎn)生組合磁場CF1以向磁性傳感器施加0度的外部磁場。接著在步驟S306中，測試器主體200使得數(shù)字信號處理器340輸出表示磁性傳感器302的輸出的響應(yīng)信號、和表示磁性傳感器304的輸出的響應(yīng)信號，并且經(jīng)由探針板130讀取這些響應(yīng)信號。然后在步驟S308中，測試器主體200從讀取的響應(yīng)信號確定磁性傳感器302和304的輸出的垂直度(perpendicularity)并且將磁性傳感器302和304的輸出的垂直度存儲在測試系統(tǒng)1的存儲裝置中。此外，施加外部磁場的方向可以是除了0度以外的任意角度。此外，磁性傳感器302和304的輸出的垂直度可以通過相應(yīng)于多個方向的(在多個角度施加的)外部磁場的響應(yīng)信號來判斷。
從步驟S310到步驟S318，測試器主體200以360度內(nèi)的預(yù)定間隔向磁性傳感器模塊300施加外部磁場，以及對于每次向磁性傳感器模塊300以不同方向施加外部磁場時作為相應(yīng)于外部磁場的響應(yīng)信號的角度信號。以下，從S310到步驟S318的過程稱為檢測角度測試。作為獲得角度信號的結(jié)果，例如可以在朝向X方向和Y方向的坐標(biāo)側(cè)的內(nèi)部獲得輸出的方向圓(direction circle)。該測試判斷該方向圓是閉合的還是橢圓的、以及該圓的中心是否偏移。
在步驟S310中，測試器主體200向磁性傳感器模塊300施加指向未測定方向的外部磁場。例如，在以22.5度為間隔測試相應(yīng)于360度外部磁場的輸出信號的情況下，測試器主體200產(chǎn)生組合磁場CF1，依次指向0度，22.5度，45.0度…337.5度。
在步驟S312中，測試器主體200通過探針板130讀取磁性傳感器模塊300的響應(yīng)信號。
在步驟S314中，測試器主體200判斷響應(yīng)信號是否從磁性傳感器模塊300輸出。當(dāng)磁性傳感器模塊300輸出信號時，過程前進(jìn)到步驟S316。當(dāng)磁性傳感器模塊300不輸出信號時，磁性傳感器模塊300被認(rèn)為是有缺陷，即使存在未測定的外部磁場的方向，磁性傳感器模塊300的測量也被終止。此外，如果磁性傳感器模塊300不輸出信號，該測量也可以繼續(xù)。
在步驟S316中，測試器主體200將在步驟S312的測量結(jié)果(讀取的響應(yīng)信號)存儲在測試系統(tǒng)1的存儲裝置中。
在步驟S318中，測試器主體200判斷外部磁場所有方向的測量是否已經(jīng)完成。如果存在未測定的外部磁場的方向，過程返回到步驟S310。如果外部磁場所有方向的測量已經(jīng)完成，過程前進(jìn)到步驟S320，并且測試器主體200通過停止向線圈161到164提供電流來去除組合磁場CF。此外，去除組合磁場CF1的時間選擇可以是在完成外部磁場所有方向的測量之后的任何時間。
在步驟S322中，測試器主體200判斷磁場傳感器是否輸出相應(yīng)于外部磁場的所有方向的正確信號，并且將作為檢測角度測試的測試結(jié)果的判斷結(jié)果存儲到測試系統(tǒng)1的存儲裝置中。例如，考慮到垂直度測試的結(jié)果，測試器主體200根據(jù)測量到的響應(yīng)信號和相應(yīng)于所施加的外部磁場的理想響應(yīng)信號之間的差值，評定相應(yīng)于外部磁場所有方向的磁性傳感器的輸出信號。
在完成上述檢測角度測試之后，過程前進(jìn)到圖14中在步驟S108的測試過程。
在步驟S108中，測試器主體200將相應(yīng)于各種測試的測試結(jié)果的修正值寫入到磁性傳感器模塊300的存儲器330中。
在步驟S110中，測試器主體200測試電源電流。例如，測試器主體200在預(yù)定操作時間測量磁性傳感器模塊300的消耗電流。例如，預(yù)定操作時間是這樣一個時間，該時間是磁性傳感器模塊300不工作的時間，或者是角度信號被讀取的時間。測試器主體200判斷電源電流的正?；虍惓?故障)，這是通過比較測量到的消耗電流和正常磁性傳感器模塊300的消耗電流來進(jìn)行的。
在步驟S112，測試器主體200將探針板130從磁性傳感器模塊300分離。例如，測試器主體200使磁性傳感器模塊300下降，以將探針板130的探針144從磁性傳感器模塊300的端子360到364分離。
如上所述，通過根據(jù)第二實施例的測試系統(tǒng)1，磁性傳感器模塊300的晶片測試能夠測試數(shù)字信號處理器340和磁性傳感器，并且能將磁性傳感器的修正值在探針板130與磁性傳感器模塊300的一個連接寫入到存儲器330。對于磁性傳感器模塊300的測試過程能夠如此簡化，因此，能夠減少磁性傳感器模塊300的制造成本。
此外，當(dāng)在根據(jù)第二實施例的晶片測試中每個測試的測試結(jié)果顯示磁性傳感器模塊300有缺陷時，后續(xù)的測試不必執(zhí)行，并且可以代替來測試未測定(未測試)的磁性傳感器模塊300。除此以外，測試器主體200可以不判斷每個測試的測試結(jié)果。
圖17是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的第一改進(jìn)例子的探針板430的俯視圖。圖18是在測試時探針板430的放大圖。在該第二實施例的第一改進(jìn)中，除了探針板430以外第一和第二實施例中的所有組件基本相同。
探針板430包含探針頭440、印刷線路板450、線圈461到468等。印刷線路板450與在第一和第二實施例中的印刷線路板150基本相同。
探針頭440具有基座442和多個探針組445。多個探針組445以網(wǎng)格形狀定位在基座442的中心附近，并且每個探針組包含探針444，這些探針與在第一和第二實施例中的探針144基本相同。探針板430能夠與形成在晶片30上的多個磁性傳感器模塊300接觸。此外，探針組445的數(shù)量不僅限于如圖中顯示出的四個，還可以是兩個、三個或者多于四個。除此以外，根據(jù)形成在晶片30上的磁性傳感器模塊300的配置確定探針組445的位置；因此，探針組445能夠被以任何方式配置在基座442上。
線圈461到468被固定到探針頭440上，這與在第一和第二實施例中的線圈151到164相似。線圈461和線圈462被配置在探針組445的面向側(cè)(facingside)，并且與線圈161和162一樣連接。線圈461和線圈462通過電流供應(yīng)在探針組445頂端附近產(chǎn)生磁場MF1。線圈463和線圈464被配置在探針組445的面向側(cè)(facing side)，以在探針組445的頂端附近產(chǎn)生與磁場MF1相同方向的磁場MF2。
線圈465和線圈466被配置在探針組445的面向側(cè)，以在探針組445頂端附近產(chǎn)生方向與磁場MF1和MF2直角交叉的磁場MF3。線圈467和線圈468被配置在探針組445的面向側(cè)，以在探針組445頂端附近產(chǎn)生方向與磁場MF3相同的磁場MF4。以下，從線圈461到線圈462的方向被稱為X2-方向(參考箭頭X2)，從線圈465到線圈466的方向被稱為Y2-方向(參考箭頭Y2)。
通過在探針組445的每個邊配置兩個線圈，磁場MF1和磁場MF2能夠在探針組445頂端附近施加向X2-方向的一致磁場，磁場MF3和磁場MF4能夠在探針組445頂端附近施加向Y2-方向的一致磁場。此外，在探針組445的每個邊可以配置多于兩個的線圈。
除了在每個步驟一次測試多個磁性傳感器模塊300以外，通過根據(jù)第二實施例的第一改進(jìn)例子的測試系統(tǒng)1，測試形成在晶片上的磁性傳感器模塊300的每個步驟與通過根據(jù)第二實施例的測試系統(tǒng)1測試形成在晶片上的磁性傳感器模塊300的每個步驟基本相同。
通過根據(jù)第二實施例的第一改進(jìn)例子的測試系統(tǒng)1，在測試形成在晶片上的磁性傳感器模塊300中，數(shù)字信號處理器和磁性傳感器通過將探針板430連接到磁性傳感器模塊300的單一時機(jī)(single occasion)被測試；因此，能夠減少將探針板430連接到磁性傳感器模塊300的次數(shù)。結(jié)果，能夠縮短對于每個磁性傳感器模塊300的測試時間，因此，能夠進(jìn)一步減少磁性傳感器模塊300的制造成本。
圖19是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的第二改進(jìn)例子測試磁性傳感器模塊的流程圖。在圖19中示出的流程圖中，忽略了對于零磁場調(diào)節(jié)的步驟。
在根據(jù)第二實施例的晶片測試中，通過根據(jù)第二實施例的測試系統(tǒng)1，傳感器模塊300的晶片測試能夠測試數(shù)字信號處理器340和磁性傳感器，并且能夠在探針板130到磁性傳感器模塊300的一次連接中將磁性傳感器的修正值寫入存儲器330。然而，當(dāng)磁性傳感器模塊不具有將磁性傳感器的修正值電寫入的存儲裝置時(例如，根據(jù)第二實施例的存儲器330)，第二實施例在沒有進(jìn)行修改的情況下不能被應(yīng)用。因此，在該第二改進(jìn)例子中，描述了能夠減少制造成本、不具備電可寫存儲裝置的磁性傳感器模塊的測試方法。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的第二改進(jìn)例子的磁性傳感器模塊具有激光寫入存儲器，取代了磁性傳感器模塊300的存儲器330。因此，在該例子中的測試系統(tǒng)除了具有與在上述實施例中的測試系統(tǒng)1相同的組件外，還具有激光輻射(laser-radiating)裝置。
在步驟S400中，與在第二實施例中的步驟S101類似，測試器主體200將探針板130定位到形成在晶片30上的未測定磁性傳感器模塊300。
在步驟S402中，測試器主體200使探針板130與形成在晶片30上的未測定磁性傳感器模塊300相接觸。
在步驟S404中，與在第二實施例中的步驟S104到S110類似，測試器主體200執(zhí)行磁性傳感器模塊300的各種測試。然而，測試器主體200不執(zhí)行相應(yīng)于步驟S108的過程，即，將磁性傳感器的修正值寫入到激光寫入存儲器的過程，但是將修正值存儲到測試系統(tǒng)的存儲裝置中。測試器主體200在所有磁性傳感器模塊300被測試之后，將已經(jīng)判斷為正常產(chǎn)品的所有磁性傳感器模塊300的修正值寫入到激光寫入存儲器中。在步驟S410中將描述細(xì)節(jié)。
在步驟S406中，測試器主體200將探針板130與磁性傳感器模塊分離。
在步驟S408中，測試器主體200判斷是否所有的磁性傳感器模塊已經(jīng)測試。當(dāng)存在未測試的傳感器模塊時，過程返回到步驟S400，并且測試器主體200測試未測試的磁性傳感器模塊。當(dāng)所有磁性傳感器模塊都已經(jīng)被測試時，過程前進(jìn)到步驟S410。
在步驟S410中，測試器主體200通過激光輻射裝置將存儲在測試系統(tǒng)的存儲裝置中的修正值寫入到已經(jīng)判斷為正常產(chǎn)品的磁性傳感器模塊的相應(yīng)存儲器中。例如，測試器主體200使得激光輻射裝置向激光寫入存儲器輻射激光，以為了將磁性傳感器的修正值寫入到激光寫入存儲器，利用激光切割一部分激光寫入存儲器的存儲器電路。
在根據(jù)第二實施例的第二改進(jìn)例子的晶片測試中，磁性傳感器的修正值在完成形成在晶片30上的所有磁性傳感器模塊的測試之后被寫入到存儲器中；因此，測試磁性傳感器模塊的過程比較以下這種情況能夠被簡化，這種情況是交替進(jìn)行通過探針板130測試磁性傳感器模塊300以及通過激光輻射裝置將磁性傳感器的修正值寫入到存儲器。因此，制造磁性傳感器模塊的成本能夠減少。
此外，根據(jù)第二實施例的第二改進(jìn)例子的晶片測試能夠應(yīng)用于具有電子可寫存儲器的磁性傳感器模塊。
圖20是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的測試系統(tǒng)2的示意圖。與第一和第二實施例相似的第三實施例的組件標(biāo)記了與第一和第二實施例中相同的附圖標(biāo)記，并且省略了這些組件的解釋。
根據(jù)第三實施例的測試系統(tǒng)2包含測試插座(探針板)500、次基底(sub-substrate)601、主基底(main-substrate)610、測試臺100、測試器主體200等，并且在完成封裝后執(zhí)行磁性傳感器模塊300的測試，也就是，所謂的出廠檢驗。
測試插座500封閉了要被測試的磁性傳感器模塊300(參考圖21)。測試插座500被固定到次基底601并且與次基底601電聯(lián)接。例如，測試插座500的輸入/輸出引腳被焊接到次基底601的端子上。次基底601被固定到主基底610并且與主基底610電聯(lián)接。例如，次基底601被連接到主基底610。主基底610被固定到測試臺100，并且與測試臺100的內(nèi)部電路電聯(lián)接。利用電纜240將測試臺100連接到測試主體200。
圖21是在測試時根據(jù)第三實施例的測試插座500的放大圖。
測試插座500包含適配器插座510、插座主體520、線圈161到164等。
插座主體520包含基座530、蓋540、探針550等?；?30具有封閉磁性傳感器模塊300的凹部532。探針550被配置在基底530的凹部532之內(nèi)，與磁性傳感器模塊300的端子對應(yīng)。探針550在測試時與磁性傳感器模塊300的端子連接。結(jié)果，測試器主體200通過探針550與磁性傳感器模塊300電連接。優(yōu)選的是，對于測試插座500的金屬組件，例如探針550，應(yīng)去磁。通過將金屬組件去磁，可以防止通過線圈161到164產(chǎn)生的磁場磁化金屬組件。結(jié)果，可以提高測試磁性傳感器的準(zhǔn)確性。此外，探針550的形狀不限于圖中所示，并且可以是任何能夠與磁性傳感器模塊300的端子連接的形式。
在能夠?qū)⑸w540的位置從開啟凹部532的位置(參考圖21中的點劃線的蓋)移動到封閉凹部532的位置(參考圖21中的實線的蓋)的情況下，蓋540與基座530連接。在封閉凹部532的位置，蓋540將磁性傳感器模塊300推向?qū)⑻结?50與磁性傳感器模塊300的端子緊密接觸的方向。結(jié)果，探針500能夠穩(wěn)固的與磁性傳感器模塊300的端子接觸。此外，蓋可以不與基座530連接。在這種情況下，蓋540在封閉位置將通過引腳等固定到基座530。除此以外，如果探針550能夠穩(wěn)固地與磁性傳感器模塊300的端子接觸，插座主體520可以不具有蓋540。
線圈161到164被固定到適配器插座510。線圈的其它特征基本上與第一實施例中相同。插座500的俯視圖幾乎與圖4中示出的第一實施例的探針板130相同；因此，省略了解釋。除此以外，線圈161到164的剖面的形狀可以是如在探針板51中的矩形(圖7)或者橢圓(圖22)。
在將插座主體520任意的安裝到適配器插座510、以及從適配器插座510處分離的情況下，插座主體520被連接到適配器插座510。結(jié)果，當(dāng)探針550被與磁性傳感器模塊300的端子的摩擦磨損時，僅需要替換插座主體520。此外，如果插座主體520具有線圈161到164，可以省略適配器插座。
圖20中示出的測試器主體200測試磁性傳感器模塊300，這是通過以下操作進(jìn)行的，即，經(jīng)由測試插座500的探針550向磁性傳感器模塊300輸入測試信號，在測試插座500的線圈161到164中產(chǎn)生磁場，并且經(jīng)由測試插座500的探針550獲得相應(yīng)于測試信號的磁性傳感器模塊300的響應(yīng)信號。
圖23是通過根據(jù)本發(fā)明第三實施例的測試系統(tǒng)2，磁性傳感器模塊300的出廠檢驗的流程圖。步驟(S100，S104到S110)基本上與通過根據(jù)第二實施例的測試系統(tǒng)1在磁性傳感器模塊300的晶片測試中的相同，標(biāo)記了與第一實施例中相同的附圖標(biāo)記，并且省略了對這些步驟的解釋。
在步驟S100中，執(zhí)行與第一實施例相似的零磁場修正。
在步驟S103中，將磁性傳感器模塊300安裝到測試插座500上。結(jié)果，磁性傳感器300的端子與測試插座500的探針550相接觸，并且磁性傳感器模塊300通過探針550與測試器主體200電連接。
在步驟S104到步驟S110，執(zhí)行與第一實施例相似的各種測試等。
在步驟S113中，將磁性傳感器模塊300從測試插座500移開。
通過根據(jù)第三實施例的測試系統(tǒng)2，在被封裝的磁性傳感器模塊300的出廠檢驗中，通過將磁性傳感器模塊300放置到測試插座500一次，能夠執(zhí)行數(shù)字信號處理器340和磁性傳感器模塊300的磁性傳感器的測試，以及向存儲器330寫入磁性傳感器的修正值。因此，磁性傳感器模塊300的測試過程能夠簡化，并且能夠減少磁性傳感器模塊300的制造成本。
此外，當(dāng)在根據(jù)第三實施例的出廠檢驗中每一測試的測試結(jié)果顯示了磁性傳感器模塊300有缺陷時，不必執(zhí)行后續(xù)的測試，而可以測試未測定(未測試)的磁性傳感器模塊300。除此以外，測試器主體200可以不對于每個測試判斷測試結(jié)果。
圖24是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的改進(jìn)例子的測試插座的俯視圖。圖25是在測試時根據(jù)第三實施例的改進(jìn)例子測試插座的放大圖。
在第三實施例的改進(jìn)中，除了測試插座600之外的所有組件基本上與第三根據(jù)第三實施例的改進(jìn)例子的測試插座600除了具有根據(jù)第一實施例的第一改進(jìn)例子的探針板135的所有組件之外，還具有線圈561。線圈561被固定到適配器插座510，并且能夠通過向線圈561提供電流在測試插座600的探針550附近產(chǎn)生向Z3方向的磁場MF5(圖中的箭頭Z3)。
根據(jù)第三實施例的改進(jìn)例子的測試插座600能夠在測試插座600的探針550附近產(chǎn)生三維空間的朝向任意方向的組合磁場。
此外，線圈561可以被應(yīng)用于在本說明書中的任何類型的測試插座或者探針板。例如，如圖26所示，線圈561能夠添加到根據(jù)第三實施例的具有橢圓形狀線圈161到164的測試插座600。
此外，在本說明書中的每個實施例的每個改進(jìn)例子可以被應(yīng)用在本發(fā)明的任何一個上述實施例中。
已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。本發(fā)明并不局限于上述實施例。很明顯的，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠做出各種修改、改進(jìn)、組合等。
相關(guān)申請的交叉引用本申請基于2004年7月9日提交的日本專利申請2004-203281，日本專利申請文件C50094-1和日本專利申請文件C50095-1，上述的所有內(nèi)容在此引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種探針板，包含多個線圈，用于在可變方向上向磁性傳感器施加磁場；以及一組探針，用于檢測磁性傳感器的輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的探針板，其中多個線圈被配置在該組探針的每一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的探針板，其中探針被去磁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的探針板，其中探針板封閉磁性傳感器。
5.一種用于測試磁性傳感器的方法，包含以下步驟(a)使探針板接觸晶片，其中磁性傳感器形成在該晶片上；(b)通過向形成在探針板中的多個線圈提供電流，向磁性傳感器施加磁場；(c)通過探針板檢測磁性傳感器的輸出信號；以及(d)通過改變施加到多個線圈的電流改變施加到磁性傳感器的磁場的方向。
6.一種用于測試磁性傳感器模塊的方法，包含以下步驟(a)使形成在晶片上的磁性傳感器模塊的至少一個與探針板接觸，其中每個磁性傳感器模塊具有磁性傳感器和數(shù)字信號處理器，該探針板具有向磁性傳感器施加磁場的線圈；(b)通過經(jīng)由探針板向數(shù)字信號處理器輸入測試信號、并經(jīng)由探針板獲得來自于數(shù)字信號處理器的相應(yīng)于測試信號的響應(yīng)信號，來測試數(shù)字信號處理器；(c)通過為向磁性傳感器施加磁場的線圈提供電流、并經(jīng)由探針板獲得來自磁性傳感器模塊的響應(yīng)信號，來測試磁性傳感器；以及(d)將磁性傳感器模塊與探針板分離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的測試磁性傳感器模塊的方法，其中步驟(a)根據(jù)形成在晶片上的規(guī)則圖案將探針板定位到磁性傳感器模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的測試磁性傳感器模塊的方法，其中步驟(a)一次使探針板與多個磁性傳感器模塊接觸；以及步驟(c)向多個磁性傳感器模塊的磁性傳感器施加由電流供應(yīng)產(chǎn)生的磁場。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的測試磁性傳感器模塊的方法，還包含步驟(e)，通過經(jīng)由探針板向磁性傳感器模塊輸入相應(yīng)于步驟(c)的測試結(jié)果的磁性傳感器的修正值，將磁性傳感器的修正值存儲到磁性傳感器模塊的存儲裝置中。
10.一種用于測試磁性傳感器模塊的方法，包含以下步驟(a)將封裝的磁性傳感器模塊裝入測試插座中，其中封裝的磁性傳感器模塊具有磁性傳感器和數(shù)字信號處理器，測試插座具有向磁性傳感器施加磁場的線圈；(b)通過經(jīng)由測試插座向數(shù)字信號處理器輸入測試信號、并經(jīng)由測試插座獲得來自數(shù)字信號處理器的相應(yīng)于測試信號的響應(yīng)信號，來測試數(shù)字信號處理器；(c)通過為向磁性傳感器施加磁場的線圈提供電流、并經(jīng)由測試插座獲得來自磁性傳感器模塊的響應(yīng)信號，來測試磁性傳感器；以及(d)將封裝的磁性傳感器模塊從測試插座移開。
全文摘要
一種探針板，包含在可變方向上向磁性傳感器施加磁場的多個線圈，以及檢測磁性傳感器的輸出信號的一組探針。磁性傳感器的制造成本能夠減少。
文檔編號H01L21/66GK1727904SQ20051009226
公開日2006年2月1日 申請日期2005年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月9日
發(fā)明者鈴木隆嗣 申請人:雅馬哈株式會社