專利名稱：半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的制造技術(shù)，且特別是有關(guān)于半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件改進(jìn)的連接結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷快速的成長(zhǎng)。IC材料技術(shù)的進(jìn)展已產(chǎn)生時(shí)代的IC，而每一時(shí)代相較于前一時(shí)代具有較小的特征尺寸和較復(fù)雜的電路?，F(xiàn)今持續(xù)的微縮金屬內(nèi)連線的寬度和間距的特征尺寸，及電性連接元件區(qū)域的接觸開口。
美國(guó)專利第6121684號(hào)是提供上述問(wèn)題的一解決方案，而其在此是供作參考。此專利提供一具有保護(hù)間隙壁的整合毗連接觸結(jié)構(gòu)(butt contact)。毗連接觸結(jié)構(gòu)(例如上述專利所揭露)，已經(jīng)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件所采用，以通過(guò)減少所需接觸結(jié)構(gòu)尺寸增加元件集成度。然而，因?yàn)榕B接觸結(jié)構(gòu)是常和矩形接觸結(jié)構(gòu)合并使用，如此的合并導(dǎo)致微影和蝕刻步驟困難度的增加。舉例來(lái)說(shuō)，微影和蝕刻步驟必須提供不同的接觸結(jié)構(gòu)的尺寸、形狀和負(fù)載效應(yīng)(loading effect)，而會(huì)導(dǎo)致經(jīng)常性的缺陷，例如黃光微影短接(photo bridge)、微小接觸洞沒(méi)開(contact hole blind)和/或高接面漏電。因此，需要針對(duì)半導(dǎo)體元件提供改進(jìn)的連接結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
上述的問(wèn)題是可通過(guò)本發(fā)明所提出的半導(dǎo)體元件改進(jìn)的連接結(jié)構(gòu)所達(dá)成的技術(shù)特點(diǎn)解決或是防止。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)。一開口包括一窄區(qū)域和兩個(gè)或是多個(gè)寬區(qū)域，其中窄區(qū)域是位于兩寬區(qū)域之間或位于多個(gè)寬區(qū)域的其中兩者之間。一導(dǎo)電插塞填入至少部分的開口。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，該窄區(qū)域的寬度是大體上介于該些寬區(qū)域?qū)挾鹊?/6～4/5。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)的尺寸是大體上小于0.05μm2。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)是用于連接一基底和一半導(dǎo)體元件的一層。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)是用以連接一內(nèi)連線層和一半導(dǎo)體元件的一基底。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)是連接一第一元件的源極區(qū)和一第二元件的柵極，其中該半導(dǎo)體元件包括第一元件和該第二元件兩者。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件。一連接層連接第一層，其中連接層包括一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)。一第二層連接上述連接層。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件，該第一層是為一柵極、一內(nèi)連線層或一基底。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件，至少一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)兩者是彼此鄰接。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件，該至少一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)兩者是重疊，其中重疊區(qū)的尺寸是大體上小于至少兩花生狀連接結(jié)構(gòu)尺寸的80％。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件，該一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)形成一孔鏈結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件，該一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)形成一孔陣列鏈結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件包括一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，每一花生形狀連接結(jié)構(gòu)用以連接該靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的兩節(jié)點(diǎn)。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)。一花生狀的開口包括窄區(qū)域和寬區(qū)域，其中窄區(qū)域是介于兩寬區(qū)域之間，而窄區(qū)域的寬度是大體上介于任一兩寬區(qū)域的1/6～4/5。一導(dǎo)電插塞至少部分填入花生狀開口。
本發(fā)明提供一種連接半導(dǎo)體元件多個(gè)層的方法。首先，提供一第一層及一第二層。其后，以至少一花生狀連接結(jié)構(gòu)連接第一層和第二層。
本發(fā)明所述半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，可改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)接觸開口制程微縮所產(chǎn)生的問(wèn)題。


圖1是繪示一連接結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2至圖5揭示部分半導(dǎo)體元件示范性的剖面圖；圖6繪示本發(fā)明一實(shí)施例孔鏈結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖7繪示本發(fā)明一實(shí)施例孔陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
可了解的是，以下所揭示提供許多不同的實(shí)施例，例如提供不同揭示的特征。安排和部分的特定范例是在以下揭示，以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，此些實(shí)施例僅為范例，而不用以限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明在許多范例中可重復(fù)號(hào)碼和/或文字，而此些重復(fù)僅為簡(jiǎn)化和標(biāo)示更清楚，其本身在各個(gè)實(shí)施例和/或所討論的圖式間并不代表特定的關(guān)系。更甚者，位于一第二特征上或上方的第一特征的形成在之后的描述中可包括第一特征和第二特征直接接觸的實(shí)施例，且亦可包括額外的特征位于第一特征和第二特征，而如此第一特征和第二特征是非直接接觸。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其所揭示是為一連接結(jié)構(gòu)100的俯視圖。在此實(shí)施例中，連接結(jié)構(gòu)100可包括花生狀的開口106和一導(dǎo)電插塞110。此開口106可包括一長(zhǎng)邊104和一短邊102。更甚者，此開口106可分別包括一窄區(qū)域100B和一寬區(qū)域100A和100C。窄區(qū)域100B的寬度W2可夾置于具寬度W1的寬區(qū)域100A和具寬度W3的寬區(qū)域100C之間，且寬度W2小于W1及/或W3。在此，寬度W2可約為寬度W1的1/6～4/5之間。相類似的，寬度W2可約為寬度W3的1/6～4/5之間。然而，可考慮的是寬度W2可較上述的相對(duì)于寬度W1和W3任一的參數(shù)為大，且寬度W2可較寬度W1和W3為大。
開口106可至少填入導(dǎo)電插塞110，而其包括耐火金屬、TiSi2、CoSi2、NiSi、PtSi、W、WSi2、金屬硅化物、TiN、TiW、TaN、Al、AlCu、Cu、含Cu材料和/或其它適合的材料。如以下圖4所相關(guān)，連接結(jié)構(gòu)100亦可包括一個(gè)或是多個(gè)擴(kuò)散阻障層(未繪示)，線化至少部分開口106。
在一實(shí)施例中，連接結(jié)構(gòu)100的尺寸可約小于0.05μm2。然而，可考慮的是連接結(jié)構(gòu)100的尺寸可大于0.05μm2。另外，開口106可包括其它矩形或是不規(guī)則的形狀。
連接結(jié)構(gòu)100可使用在各種的半導(dǎo)體元件，例如存儲(chǔ)器元件(包括但不限于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM))、邏輯元件(包括但不限于金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET))和/或其它元件，以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器為例，比連接結(jié)構(gòu)100可用以連接該靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的兩節(jié)點(diǎn)，例如上拉晶體管的漏極節(jié)點(diǎn)和另一CMOS的柵極節(jié)點(diǎn)。對(duì)于一單一半導(dǎo)體元件，連接結(jié)構(gòu)可用以連接多個(gè)內(nèi)連線層、內(nèi)連線層和基底、內(nèi)連線層和柵極、主動(dòng)區(qū)域和柵極，或是其它目的使用的連接。亦可考慮的是，連接結(jié)構(gòu)可用以連接不同的半導(dǎo)體元件，例如第一元件的漏極區(qū)和第二元件的柵極。內(nèi)連線層和柵極可包括N型摻雜的多晶硅、P型摻雜的多晶硅、N型和P型摻雜的多晶硅、金屬、耐火金屬、TiSi2、CoSi2、NiSi、PtSi、W、WSi2、金屬硅化物、TiN、TiW、TaN、Al、AlCu、Cu、含Cu材料和/或其它適合的材料。
以下更揭示一利用連接結(jié)構(gòu)100形成半導(dǎo)體元件的簡(jiǎn)化的示范制程。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其所揭示的是為部分的半導(dǎo)體元件200。在此實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件200可以基底210開始制作?；?10可包括基礎(chǔ)半導(dǎo)體(例如多晶硅、單晶硅、復(fù)晶硅和/或鍺)、復(fù)合半導(dǎo)體(例如碳化硅和/或砷化鎵)、合金半導(dǎo)體(例如SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInP和/或GaInP?；?10可包括一主體半導(dǎo)體(例如一主體硅)，而主體半導(dǎo)體可包括一外延硅層。此外，基底亦可以是絕緣層上有半導(dǎo)體(例如絕緣層上有硅)，或是一薄膜晶體管TFT基底?；?10亦可包括多層硅結(jié)構(gòu)或是多層復(fù)合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
一導(dǎo)電層220可通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(CVD)、等離子化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、原子層沉積法(APCVD)、物理氣相沉積法(PVD)、離子化物理氣相沉積法(I-PVD)、原子層沉積法(ALD)、電鍍或是其它制程沉積于形成在基底210中的凹陷。
亦可在形成導(dǎo)電層220的過(guò)程中使用化學(xué)機(jī)械研磨法和/或化學(xué)機(jī)械平坦化法(其之后統(tǒng)稱為CMP)。例如，CMP可用以平坦化導(dǎo)電層220，如此其可以大約和基底210的表面215共面，如圖2所示。在其它實(shí)施例中，可采用較少的導(dǎo)電層220的平坦化，如此導(dǎo)電層220可至少部分從基底210延伸至表面215上，另外，在此形成在基底210中導(dǎo)電層220的技術(shù)特征可應(yīng)用于上述兩實(shí)施例，或其它實(shí)施例。
導(dǎo)電層220可以是一連接至半導(dǎo)體元件、集成電路元件、集成電路組件和/或其中的內(nèi)連線的導(dǎo)電圖樣。導(dǎo)電層220的一深度d1可介于1500埃～5000埃。舉例來(lái)說(shuō)，在一實(shí)施例中，深度d1可約為3500埃。導(dǎo)電層220可包括鋁、鋁合金、銅、銅合金、鎢和/或其它導(dǎo)電材料。
半導(dǎo)體元件200可更包括一位于半導(dǎo)體基底210和導(dǎo)電層220上方的介電層230。介電層230可以是一蝕刻阻擋層和/或一擴(kuò)散阻障層，且可包括一個(gè)或是多個(gè)單一層。介電層230可包括氮化硅、其它介電材料和/或蝕刻阻擋材料。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其揭示本發(fā)明一實(shí)施例更進(jìn)一步發(fā)展的部分半導(dǎo)體元件300。在此實(shí)施例中，一介電層310可沉積在基底210或是介電層230的表面。介電層310可通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(CVD)、等離子輔助化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、原子層沉積法(ALD)、物理氣相沉積法(PVD)、旋轉(zhuǎn)涂布和/或其它制程形成。介電層310可以是金屬間介電層，而其可包括聚亞酰銨(Polyimide)、旋轉(zhuǎn)玻璃(SOG)、類鉆石碳(例如美商應(yīng)材所開發(fā)的Black Diamond)、氟硅玻璃FSG，Dow Chemical所開發(fā)的SILKTM，Trikon Technologies所開發(fā)的OrionTM，Honeywell所開發(fā)的FLARETM，JSR Micro所開發(fā)的LKD、Xerogel、Aerogel，多晶氟化碳和/或其它材料。在一實(shí)施例中，介電層310可包括介電常數(shù)小于約3.3的低介電材料。舉例來(lái)說(shuō)，介電層310可包括一有機(jī)低介電材料、CVD低介電材料和/或其它適合的材料。
介電層310可通過(guò)黃光、蝕刻和/或其它方法圖形化，以形成圖1的開口106，而暴露部分的下層介電層230或是導(dǎo)電層220。開口106可以是一貫孔或是一雙鑲嵌開口(例如一開口包括一貫孔和一導(dǎo)電線溝槽)。
若是必須或是需要，介電層230近似開口106暴露的部分亦可通過(guò)干蝕刻和/或其它制程移除，以暴露部分的下層導(dǎo)電層220。介電層230的移除可采用一使用CH4為主氣體，而混合O2或是N2以調(diào)整蝕刻速率和選擇性的制程。
現(xiàn)在請(qǐng)參照?qǐng)D4，其顯示本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件400。在此實(shí)施例中，一擴(kuò)散阻障層410可通過(guò)自離子化等離子(SIP)PVD和/或離子化金屬等離子(IMP)PVD形成，其中擴(kuò)散阻障層410可至少部分形成于開口106以當(dāng)作襯墊。擴(kuò)散阻障層可包括Ta、TaN、Ti、TiN和/或其它阻障材料。
在一實(shí)施例中，擴(kuò)散阻障層410可在移除部分的介電層230前形成。在此實(shí)施例中，擴(kuò)散阻障層410的底部部分及部分的介電層230可通過(guò)干蝕刻和/或?yàn)R擊連續(xù)的移除。
在另一范例中，在移除部分的介電層230之前或是之后，擴(kuò)散阻障層410的底部部分接近導(dǎo)電層220處，可通過(guò)SIP或是IMP臨場(chǎng)(in-situ)濺射移除。因此，至少部分的導(dǎo)電層220可被暴露。
在又一范例中，一第二擴(kuò)散阻障層(未繪示)可選擇性的沉積在擴(kuò)散阻障層410上方。此第二擴(kuò)散阻障層可以IMP或是SIP系統(tǒng)臨場(chǎng)(in-situ)形成，且其材料類似于上述的擴(kuò)散阻障層410。例如，第二擴(kuò)散阻障層可包括Ta、TaN、Ti、TiN和/或其它阻障材料。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示本發(fā)明一實(shí)施例的部分半導(dǎo)體元件500。在此實(shí)施例中，由鑲嵌制程或是其它方法填入圖1所示的導(dǎo)電插塞110于開口106，以形成圖1的連接結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，可沉積一個(gè)或是多個(gè)晶種層(包括銅、銅合金和/或其它種金材料)在擴(kuò)散阻障層上，而通過(guò)PVD、IMP、SIP和/或其它制程形成晶種層于開口106當(dāng)作襯墊。開口106可在之后以導(dǎo)電插塞110填滿，而其可包括大約相似于導(dǎo)電層220的導(dǎo)電材料。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電插塞110可包括耐火金屬TiSi2、CoSi2、NiSi、PtSi、W、WSi2、金屬硅化物、TiN、TiW、TaN、Al、AlCu、Cu、含銅物、鋁、鋁合金、鈷、鈷合金、鎢和/或其它適合的材料。形成導(dǎo)電插塞110的導(dǎo)電材料可通過(guò)電鍍和/或其它沉積制程形成在開口106中。形成在介電層310上過(guò)多的導(dǎo)電材料可在之后通過(guò)CMP和/或其它方法移除。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，其揭示本發(fā)明一實(shí)施例的孔鏈結(jié)構(gòu)600。在此實(shí)施例中，每一連接結(jié)構(gòu)602、604和606是和連接結(jié)構(gòu)100大約相似，而可一起形成孔鏈結(jié)構(gòu)600。雖然在此揭示中，連接結(jié)構(gòu)602、604和606的形狀和尺寸是為相似或是相同，可考慮的是連接結(jié)構(gòu)602、604和606的至少兩個(gè)可具有不同的形狀和尺寸。在一范例中，重疊區(qū)的尺寸可約小于連接結(jié)構(gòu)602和/或連接結(jié)構(gòu)606尺寸的80％。同樣的，重疊區(qū)610的尺寸可約小于連接結(jié)構(gòu)602和/或連接結(jié)構(gòu)604尺寸的80％。此外，亦可考慮的是一較少數(shù)或是較多數(shù)的連接結(jié)構(gòu)可用以形成孔鏈結(jié)構(gòu)600。
請(qǐng)參照?qǐng)D7，其揭示一示范的孔陣列結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例中，連接結(jié)構(gòu)702、704、706、708、710和712每一個(gè)都大約相似或是相同于連接結(jié)構(gòu)100，而可一起形成孔陣列結(jié)構(gòu)700。雖然在此范例中，連接結(jié)構(gòu)702、704、706、708、710和712的尺寸和和形狀是大約相似或是相同，其亦可具有不同的尺寸和形狀。此外，亦可考慮的是一較少數(shù)或是較多數(shù)的連接結(jié)構(gòu)可用以形成孔鏈結(jié)構(gòu)700或是其它連接型態(tài)。因此，本發(fā)明的接示可具有多樣化的變化。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下100連接結(jié)構(gòu)100A、100C寬區(qū)域100B窄區(qū)域
102短邊104長(zhǎng)邊106花生狀開口110導(dǎo)電插塞200半導(dǎo)體元件210基底220導(dǎo)電層215基底表面230介電層300半導(dǎo)體元件310介電層400半導(dǎo)體元件410擴(kuò)散阻障層500半導(dǎo)體元件602、604、606連接結(jié)構(gòu)700孔陣列結(jié)構(gòu)702、704、706、708、710、712連接結(jié)構(gòu)
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于所述半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)包括一開口，包括一窄區(qū)域和兩個(gè)或是多個(gè)寬區(qū)域，其中該窄區(qū)域是位于兩寬區(qū)域之間或位于該多個(gè)寬區(qū)域的其中兩者之間；及一導(dǎo)電插塞，填入至少部分的開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于該窄區(qū)域的寬度是介于該些寬區(qū)域?qū)挾鹊?/6～4/5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)的尺寸是小于0.05μm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)是用于連接一基底和一半導(dǎo)體元件的一層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)是用以連接一內(nèi)連線層和一半導(dǎo)體元件的一基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于該連接結(jié)構(gòu)是連接一第一元件的源極區(qū)和一第二元件的柵極，其中該半導(dǎo)體元件包括第一元件和該第二元件兩者。
7.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于所述半導(dǎo)體元件包括一第一層；一連接層，與該第一層接觸，其中該連接層包括一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)；及一第二層，連接該連接層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該第一層是為一柵極、一內(nèi)連線層或一基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于至少一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)兩者是彼此鄰接。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該至少一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)兩者是重疊，其中重疊區(qū)的尺寸是小于至少兩花生狀連接結(jié)構(gòu)尺寸的80％。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)形成一孔鏈結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該一個(gè)或是多個(gè)花生形狀連接結(jié)構(gòu)形成一孔陣列鏈結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該半導(dǎo)體元件包括一靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，每一花生形狀連接結(jié)構(gòu)用以連接該靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的兩節(jié)點(diǎn)。
14.一種半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，其特征在于所述半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)包括一花生狀的開口，包括一窄區(qū)域和兩寬區(qū)域，其中該窄區(qū)域是介于該兩寬區(qū)域之間，其中該窄區(qū)域的寬度是介于兩寬區(qū)域的任一個(gè)的1/6～4/5；及一導(dǎo)電插塞，至少部分填入花生狀開口。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)包括一花生狀的開口。花生狀的開口包括窄區(qū)域和寬區(qū)域，其中窄區(qū)域是位于兩寬區(qū)域之間或位于多個(gè)寬區(qū)域的其中兩者之間。一導(dǎo)電插塞至少部分填入花生狀開口。本發(fā)明所述半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件的連接結(jié)構(gòu)，可改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)接觸開口制程微縮所產(chǎn)生的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1755928SQ20051010290
公開日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2005年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月13日
發(fā)明者廖忠志, 謝松均, 崔壬汾, 林子貴, 吳啟明 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司