專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，尤其涉及具有貫通電極的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為新的封裝技術(shù)，CSP(Chip Size Package芯片尺寸封裝)正在受到注目。所謂CSP是指具有和半導(dǎo)體芯片的外形尺寸大致相同的外形尺寸的小型封裝。
目前，作為CSP的一種，具有貫通電極的BGA型半導(dǎo)體裝置是眾所周知的。該BGA型半導(dǎo)體裝置具有貫通半導(dǎo)體襯底且與其表面的焊盤電極連接的貫通電極。在該半導(dǎo)體裝置的背面，格子狀配置有多列由焊錫等金屬部件構(gòu)成的球狀導(dǎo)電端子，這些導(dǎo)電端子介由配線層與所述貫通電極連接。而在將該半導(dǎo)體裝置組裝在電子設(shè)備中時(shí)，各導(dǎo)電端子與電路襯底例如印刷線路板上的配線圖案連接。
該BGA型半導(dǎo)體裝置與側(cè)部具有突出的引腳的SOP(Small OutlinePackage)或QFP(Quad Flat Package)等其他CSP型半導(dǎo)體裝置相比，具有可設(shè)置多個導(dǎo)電端子且可小型化的優(yōu)點(diǎn)。
圖19是具有貫通電極的BGA型半導(dǎo)體裝置的貫通電極部的剖面圖。在由硅(Si)等構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底10的表面介由層間絕緣膜12形成有焊盤電極11。在半導(dǎo)體襯底10的表面介由樹脂層14粘接例如玻璃襯底等支承體13。且形成有貫通半導(dǎo)體襯底10并到達(dá)焊盤電極11的通孔16。在該通孔16的側(cè)壁及半導(dǎo)體襯底10的背面形成有由氧化硅膜(SiO2膜)或氮化硅膜(SiN膜)等構(gòu)成的絕緣膜17。
在通孔16之中形成有與焊盤電極11連接的勢壘籽晶層20及貫通電極21。在半導(dǎo)體襯底10的表面延伸設(shè)置有與貫通電極21相連的配線層22。覆蓋半導(dǎo)體襯底10背面的貫通電極21、配線層22及絕緣膜17形成有由抗焊料劑構(gòu)成的保護(hù)層23。在配線層22上的保護(hù)層23形成開口部，通過該開口部形成有與配線層22連接的球狀導(dǎo)電端子24。
專利文獻(xiàn)1特開2003-309221號公報(bào)但是，在上述BGA型半導(dǎo)體裝置中，當(dāng)作為一種耐久試驗(yàn)進(jìn)行熱循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)時(shí)，如圖20所示，主要在半導(dǎo)體裝置的四個角部(切割后半導(dǎo)體襯底10的角部)存在保護(hù)膜23剝離或保護(hù)膜23及其下層的絕緣膜17兩者自半導(dǎo)體襯底10剝離且半導(dǎo)體裝置的可靠性劣化的問題。其原因可考慮在半導(dǎo)體裝置接收熱循環(huán)負(fù)載的過程中，會在保護(hù)膜23及絕緣膜17施加熱應(yīng)力，保護(hù)膜23及其下層的絕緣膜17不能承受該熱應(yīng)力而產(chǎn)生剝離。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體襯底；焊盤電極，其介由第一絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體襯底的表面；通孔，其貫通所述半導(dǎo)體襯底并到達(dá)所述焊盤電極；第二絕緣膜，其覆蓋所述通孔的側(cè)壁及半導(dǎo)體襯底的背面；貫通電極，其形成于所述通孔之中，且與所述焊盤電極連接；剝離防止層，其形成于所述第二絕緣膜上；保護(hù)層，其覆蓋所述貫通電極、所述第二絕緣膜及所述剝離防止層。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，利用剝離防止層的錨固效應(yīng)防止其上層的保護(hù)層的剝離，位于保護(hù)層下層的第二絕緣膜也難于剝離。另外，所述剝離防止層設(shè)于所述半導(dǎo)體襯底的角部。由于保護(hù)膜的剝離容易在應(yīng)力集中的半導(dǎo)體襯底的角部產(chǎn)生，故通過在該部分配置剝離防止層可有效地防止保護(hù)膜等的剝離。
另外，在所述半導(dǎo)體襯底的背面形成有槽或孔部，所述第二絕緣膜及所述剝離防止層的一部分配置于該槽或孔部之中。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，尤其可對第二絕緣膜得到錨固效應(yīng)，可進(jìn)一步提高剝離防止效果。且所述保護(hù)層被分割為多個島區(qū)域。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，緩和了施加在保護(hù)層的熱應(yīng)力，故有利于防止保護(hù)層的剝離。還具有防止剝離進(jìn)展的效果。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括準(zhǔn)備介由第一絕緣膜在其表面形成有焊盤電極的半導(dǎo)體襯底，在與所述焊盤電極對應(yīng)的位置形成貫通所述半導(dǎo)體襯底的通孔的工序；形成覆蓋所述通孔的側(cè)壁及所述半導(dǎo)體襯底的背面的第二絕緣膜的工序；同時(shí)形成在所述通孔之中與所述焊盤電極連接的貫通電極及所述半導(dǎo)體襯底背面上的所述第二絕緣膜上的剝離防止層的工序；形成覆蓋所述貫通電極、所述第二絕緣膜及所述剝離防止層的保護(hù)層的工序。
根據(jù)該制造方法，不僅可得到防止保護(hù)層等剝離的效果，而且，由于同時(shí)形成貫通電極和剝離防止層，故可得到不需設(shè)置用于形成剝離防止層的特殊工序這一制造方法特有的效果。利用電解鍍敷法同時(shí)形成貫通電極和剝離防止層有利于縮短制造工序。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在具有貫通電極的半導(dǎo)體裝置中，可防止保護(hù)膜及絕緣膜的剝離，故可提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的角部放大平面圖；圖3是沿圖2的X-X線的剖面圖；圖4(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖5(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖6(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖7(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖8(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖9(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖10(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖11(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖12是本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的角部放大平面圖；圖13是沿圖12的X-X線的剖面圖；圖14(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖15(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖16(a)、(b)是說明本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖17是本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的角部放大平面圖；圖18(a)、(b)是沿圖17的X-X線的剖面圖；圖19是現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置的貫通電極部的剖面圖；圖20是現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置的角部的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明實(shí)施例1。圖1是從背面看半導(dǎo)體裝置100的平面，圖2是其角部的放大平面圖，圖3是沿圖1、圖2的X-X線的剖面圖。圖11(a)是沿圖1Y-Y線的剖面圖。
如圖1所示，在該半導(dǎo)體裝置100的背面矩陣狀配置有多個球狀導(dǎo)電端子24，各個導(dǎo)電端子24通過貫通電極21、配線層22與半導(dǎo)體裝置表面的焊盤電極11連接。圖11(a)的剖面圖與現(xiàn)有例中說明的圖19基本相同。
在本實(shí)施例中，在半導(dǎo)體裝置100的四個角部形成有用于防止絕緣膜17、保護(hù)膜23的剝離的剝離防止層30。通過將剝離防止層30配置于角部以外的半導(dǎo)體裝置10的空隙例如球狀導(dǎo)電端子24之間，可提高剝離防止效果。剝離防止層30的圖案形狀是任意的，例如可以是圖2的十字狀形狀，也可以是矩形。
其剖面結(jié)構(gòu)如圖3所示，在形成于半導(dǎo)體襯底10的背面的絕緣膜17上形成有剝離防止層30，覆蓋該絕緣膜17及剝離防止層30形成有由抗焊料劑等構(gòu)成的保護(hù)層30。在剝離防止層30利用電解鍍敷法形成時(shí)，具有由勢壘籽晶層20和上層的銅層25構(gòu)成的層積結(jié)構(gòu)，但也可以由與保護(hù)層30附著性好的單一金屬層構(gòu)成。通常，與氧化膜等絕緣膜比較，銅與由抗焊料劑等構(gòu)成的保護(hù)層23的附著性更好，錨固效應(yīng)大，故最好剝離防止層30至少包括銅層。
下面參照圖4～圖11說明設(shè)有上述剝離防止層30的半導(dǎo)體裝置100的制造方法。這里，圖4～圖11中上側(cè)的圖(a)對應(yīng)圖1的沿Y-Y線的剖面圖，下側(cè)的圖(b)對應(yīng)圖1的沿X-X線的剖面圖。
首先，如圖4所示，準(zhǔn)備了表面形成有未圖示的電子器件的半導(dǎo)體襯底10。未圖示的電子器件例如為CCD(Charge Coupled Device)及紅外線傳感器等受光元件或作為發(fā)光元件的器件?；蛘呶磮D示的電子器件也可以是上述受光元件及發(fā)光元件以外的電子器件。
另外，在半導(dǎo)體襯底10的表面形成有與未圖示的電子器件連接的外部連接用電極即焊盤電極11。焊盤電極11介由第一絕緣膜即層間絕緣膜12形成于半導(dǎo)體襯底10的表面。
這里，半導(dǎo)體襯底10例如由硅(Si)構(gòu)成，理想的是具有約20～200μm的膜厚。另外，焊盤電極11例如由鋁(Al)構(gòu)成，理想的是具有約1μm的膜厚。另外，層間絕緣膜12例如由氧化膜構(gòu)成，理想的是具有0.8μm的膜厚。
另外，在半導(dǎo)體襯底10的表面根據(jù)需要可形成支承體13。該支承體13介由樹脂層14形成于半導(dǎo)體襯底10的表面。這里，在未圖示的電子器件是受光元件或發(fā)光元件時(shí)，支承體13由例如玻璃等具有透明或半透明性狀的材料形成。在未圖示的電子器件不是受光元件或發(fā)光元件時(shí)，支承體13也可以由不具有透明或半透明性狀的材料形成。另外，支承體13可以是帶狀體。該支承體13可以在之后工序除去?；蛘咧С畜w13也可以不被除去而留下來。
然后，如圖5所示，在半導(dǎo)體襯底10的背面上選擇性地形成第一抗蝕層15a。即第一抗蝕層15a在半導(dǎo)體襯底10的背面中與焊盤電極11對應(yīng)的位置具有開口部。然后，以該第一抗蝕層15a為掩膜，理想的是利用干式蝕刻法蝕刻半導(dǎo)體襯底10。作為干式蝕刻的蝕刻氣體可采用公知的CHF3等。
通過該蝕刻，從背面至表面貫通對應(yīng)焊盤電極11的位置的半導(dǎo)體襯底10，形成通孔16。在通孔16的底部，露出層間絕緣膜12，其下方連接焊盤電極11。然后，以第一抗蝕層15a為掩膜，利用干式蝕刻或濕式蝕刻，蝕刻在通孔16底部露出的層間絕緣膜12，使其形成薄膜或被完全除去?；蛘撸瑢娱g絕緣膜12的蝕刻工序也可以不在該工序進(jìn)行而和后述的其他蝕刻工序同時(shí)進(jìn)行。
然后，在除去第一抗蝕層15a后，如圖6所示，包括通孔16內(nèi)部，在半導(dǎo)體襯底10的整個背面形成第二絕緣膜即絕緣膜17。這里，絕緣膜17例如由氧化硅膜(SiO2膜)或氮化硅膜(SiN膜)構(gòu)成，利用例如等離子CVD法形成。
然后，如圖7所示，在絕緣膜17上形成第二抗蝕層18。然后，如圖8所示，以第二抗蝕層18為掩膜，蝕刻除去通孔16底部的絕緣膜17(在殘留層間絕緣膜12時(shí)將其一并除去)。該蝕刻最好為例如反應(yīng)性離子蝕刻，但也可以是其他蝕刻。通過上述蝕刻，可使形成于通孔16側(cè)壁的絕緣膜17留下而除去該底部的絕緣膜17，露出焊盤電極11。上述蝕刻后除去第二抗蝕層18。
然后，如圖9所示，在包括通孔16的半導(dǎo)體襯底10的背面的絕緣膜17上形成勢壘籽晶層20。勢壘籽晶層20具有由未圖示的勢壘金屬層和籽晶層構(gòu)成的層積結(jié)構(gòu)。這里，上述勢壘金屬層例如由鎢化鈦(TiW)層、氮化鈦(TiN)層或者氮化鉭(TaN)層等金屬構(gòu)成。上述籽晶層構(gòu)成用于鍍敷形成后述配線層22的電極，例如由銅(Cu)等金屬構(gòu)成。勢壘籽晶層20例如由濺射法、CVD法、無電解鍍敷法或其他成膜方法形成。另外，在通孔16的側(cè)壁的絕緣膜17由氮化硅膜(SiN膜)形成時(shí)，該氮化硅膜(SiN膜)形成銅擴(kuò)散的勢壘，故勢壘籽晶層20也可以具有僅由銅(Cu)構(gòu)成的籽晶層形成的單層結(jié)構(gòu)。
然后，在包括通孔16內(nèi)部在內(nèi)的勢壘籽晶層20上利用例如電解鍍敷法形成由銅(Cu)構(gòu)成的貫通電極21及與該貫通電極21連接的配線層22。鍍敷膜厚被調(diào)節(jié)為將貫通電極21完全或不完全埋入通孔16內(nèi)的厚度。這里，貫通電極21及配線層22介由勢壘籽晶層20與在通孔16底部露出的焊盤電極11電連接。利用該電解鍍敷，在半導(dǎo)體裝置的角部，如圖9(b)所示，在勢壘籽晶層20上形成與配線層22連接的銅層25。
然后，如圖10所示，在半導(dǎo)體襯底10的背面的配線層22上及銅層25上，選擇性形成用于將配線層22及銅層25構(gòu)圖為規(guī)定圖案的第三抗蝕層15b。第三抗蝕層15b形成于對應(yīng)規(guī)定圖案殘留的配線層22及銅層25的區(qū)域上。殘留的配線層22的區(qū)域至少包括通孔16的形成區(qū)域、剝離防止層30的形成區(qū)域。
然后，以第三抗蝕層15b為掩膜，蝕刻除去不需要的配線層22、銅層25及勢壘籽晶層20。通過該蝕刻配線層22被構(gòu)圖為規(guī)定的圖案。而在圖10(b)中，利用該蝕刻形成由銅層25及勢壘籽晶層20構(gòu)成的剝離防止層30。
然后，如圖11所示，在除去第三抗蝕層15b后，在半導(dǎo)體襯底10的背面上，覆蓋它形成例如由抗焊料劑等抗蝕劑材料等構(gòu)成的保護(hù)層23。在保護(hù)層23中對應(yīng)配線層22的位置設(shè)置開口部。然后，在于該開口部露出的配線層22上利用網(wǎng)印法形成例如由焊錫等金屬構(gòu)成的球狀導(dǎo)電端子24。
利用以上工序完成在角部具有剝離防止層30且由半導(dǎo)體芯片10及層積于其上的各層構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置100。以上工序利用晶片工序進(jìn)行，故可在一張晶片上同時(shí)形成多個半導(dǎo)體裝置100。通過沿多個半導(dǎo)體裝置100的邊界即切割線進(jìn)行切割，切斷分離為圖1所示的各個半導(dǎo)體裝置100。
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施例2。圖12是半導(dǎo)體裝置100的角部的放大平面圖，圖13是沿圖12的X-X線的剖面圖。本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同點(diǎn)是在半導(dǎo)體襯底100的背面形成槽或孔部28，絕緣膜17及剝離防止層30的一部分配置在該槽或孔部28中。由此，特別是絕緣膜17和半導(dǎo)體襯底10利用槽或孔部28的錨固效應(yīng)而牢固附著，故剝離防止效果更高。
參照圖14～圖16說明本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖14～圖16中上側(cè)的圖(a)對應(yīng)圖1的沿Y-Y線的剖面圖，下側(cè)的圖(b)對應(yīng)圖12的沿X-X線的剖面圖。
首先，如圖14所示，與實(shí)施例1同樣，準(zhǔn)備了形成有未圖示的電子器件的半導(dǎo)體襯底10。在半導(dǎo)體襯底10的表面形成與未圖示的電子器件連接的外部連接用電極即焊盤電極11。焊盤電極11介由第一絕緣膜即層間絕緣膜12形成于半導(dǎo)體襯底10的表面。在半導(dǎo)體襯底10的表面根據(jù)需要可形成支承體13。
然后，如圖15所示，在半導(dǎo)體襯底10的背面上選擇性形成第一抗蝕層15a。即第一抗蝕層15a具有與對應(yīng)焊盤電極11的區(qū)域?qū)?yīng)的第一開口部，和與形成剝離防止層30的區(qū)域?qū)?yīng)的第二開口部。這里，第二開口部設(shè)定得小于第一開口部。例如，若第一開口部為大于或等于數(shù)十μm，則第二開口部為約5μm。
然后，以該第一抗蝕層15a為掩膜，利用干式蝕刻法蝕刻半導(dǎo)體襯底10。作為蝕刻氣體可采用公知的CHF3等。通過該蝕刻，形成貫通對應(yīng)焊盤電極11的區(qū)域的半導(dǎo)體襯底10的通孔16及不貫通半導(dǎo)體襯底10的槽或孔部28。這是由于第二開口部的開口直徑較小，蝕刻氣體不易從此處進(jìn)入其中，因此，在通孔16完全形成的時(shí)刻，該部分還未到貫通半導(dǎo)體襯底10的程度。若半導(dǎo)體襯底10的厚度為130μm，則槽或孔部28的深度為50μm左右。然后，通過進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的工序，如圖16所示，得到具有局部埋入槽或孔部28的剝離防止層30的半導(dǎo)體裝置。
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施例3。圖17是半導(dǎo)體裝置100的角部的放大平面圖，圖18(a)是沿圖17的X-X線的剖面圖。本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同點(diǎn)是保護(hù)層23隔著多個縫隙SL被分割為多個島區(qū)域23A。尤其是在半導(dǎo)體裝置100的角部形成這種島區(qū)域23A是有效的。但也可以在半導(dǎo)體裝置100的整個面上形成島區(qū)域23A。這樣通過將由抗焊料劑等構(gòu)成的保護(hù)層23分割為多個島區(qū)域23A，可分散熱應(yīng)力，防止保護(hù)膜23及絕緣膜17的剝離。將保護(hù)層23分割為多個島區(qū)域23A的工序可以與在保護(hù)層23上開設(shè)用于形成球狀導(dǎo)電端子24的開口部的工序同時(shí)進(jìn)行。
本實(shí)施例的特征結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于實(shí)施例2。即如圖18(b)所示，在半導(dǎo)體襯底100的背面形成槽或孔部28，將絕緣膜17及剝離防止層30的一部分配置在該槽或孔部28之中。然后，在半導(dǎo)體裝置100的角部或半導(dǎo)體裝置100的整個面上形成島區(qū)域23A。
另外，也可以不形成剝離防止層30而在保護(hù)層23形成縫隙。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底；焊盤電極，其介由第一絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體襯底的表面；通孔，其貫通所述半導(dǎo)體襯底并到達(dá)所述焊盤電極；第二絕緣膜，其覆蓋所述通孔的側(cè)壁及半導(dǎo)體襯底的背面；貫通電極，其形成于所述通孔之中，且與所述焊盤電極連接；剝離防止層，其形成于所述第二絕緣膜上；保護(hù)層，其覆蓋所述貫通電極、所述第二絕緣膜及所述剝離防止層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述剝離防止層設(shè)于所述半導(dǎo)體襯底的角部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底的背面形成有槽或孔部，所述第二絕緣膜及所述剝離防止層的一部分配置于該槽或孔部之中。
4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保護(hù)層被分割為多個島區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述剝離防止層至少包括銅層。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底；焊盤電極，其介由第一絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體襯底的表面；通孔，其貫通所述半導(dǎo)體襯底并到達(dá)所述焊盤電極；第二絕緣膜，其覆蓋所述通孔的側(cè)壁及半導(dǎo)體襯底的背面；貫通電極，其形成于所述通孔之中，且與所述焊盤電極連接；配線層，其與所述貫通電極連接且在所述半導(dǎo)體襯底背面的所述絕緣膜上延伸設(shè)置；剝離防止層，其形成于所述第二絕緣膜上；保護(hù)層，其覆蓋所述貫通電極、所述第二絕緣膜、所述配線層及所述剝離防止層；導(dǎo)電端子，其通過形成于所述配線層上的所述保護(hù)層的開口部與所述配線層連接。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述剝離防止層設(shè)于所述半導(dǎo)體襯底的角部。
8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底的背面形成有槽或孔部，所述第二絕緣膜及所述剝離防止層的一部分配置于該槽或孔部之中。
9.如權(quán)利要求6～8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保護(hù)層被分割為多個島區(qū)域。
10.如權(quán)利要求6～9任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述剝離防止層至少包括銅層。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備介由第一絕緣膜在其表面形成有焊盤電極的半導(dǎo)體襯底，在與所述焊盤電極對應(yīng)的位置形成貫通所述半導(dǎo)體襯底的通孔的工序；形成覆蓋所述通孔的側(cè)壁及所述半導(dǎo)體襯底的背面的第二絕緣膜的工序；同時(shí)形成在所述通孔之中與所述焊盤電極連接的貫通電極及所述半導(dǎo)體襯底背面上的所述第二絕緣膜上的剝離防止層的工序；形成覆蓋所述貫通電極、所述第二絕緣膜及所述剝離防止層的保護(hù)層的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述貫通電極及所述剝離防止層利用電解鍍敷法形成。
13.如權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述剝離防止層設(shè)于所述半導(dǎo)體襯底的角部。
14.如權(quán)利要求11～13任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括在形成所述通孔的同時(shí)利用蝕刻在所述半導(dǎo)體襯底的背面形成槽或孔部的工序，所述第二絕緣膜及所述剝離防止層的一部分形成于該槽或孔部之中。
15.如權(quán)利要求11～14任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括將所述保護(hù)層分割為多個島區(qū)域的工序。
16.如權(quán)利要求11～15任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述剝離防止層至少包括銅層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在具有貫通電極的半導(dǎo)體裝置中，防止保護(hù)膜及絕緣膜的剝離，提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。在半導(dǎo)體裝置(100)的角部形成用于防止絕緣膜(17)、保護(hù)層(23)的剝離的剝離防止層(30)。剝離防止層(30)配置于角部以外的半導(dǎo)體裝置(10)的空隙例如球狀導(dǎo)電端子(24)之間，從而進(jìn)一步提高剝離防止效果。其剖面結(jié)構(gòu)在形成于半導(dǎo)體襯底(10)背面的絕緣膜(17)上形成剝離防止層(30)，覆蓋該絕緣膜(17)及剝離防止層(30)形成由抗焊料劑等構(gòu)成的保護(hù)層(23)。在剝離防止層(30)利用電解鍍敷法形成時(shí)，具有由勢壘籽晶層(20)和上層的銅層(25)構(gòu)成的層積結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L25/065GK1755916SQ20051010686
公開日2006年4月5日 申請日期2005年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月29日
發(fā)明者梅本光雄, 龜山工次郎, 鈴木彰 申請人:三洋電機(jī)株式會社, 關(guān)東三洋半導(dǎo)體股份有限公司