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      引線框架及其半導(dǎo)體封裝的制作方法

      文檔序號(hào):6854778閱讀:89來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):引線框架及其半導(dǎo)體封裝的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及引線框架及其半導(dǎo)體封裝,尤其涉及表面安裝型半導(dǎo)體封裝(或表面安裝芯片封裝),例如四側(cè)無(wú)引腳扁平封裝(QFN封裝)等,其中引線的終端暴露在用于密封半導(dǎo)體器件的樹(shù)脂矩形表面上。
      本申請(qǐng)要求日本專(zhuān)利出版物No.2004-291547的優(yōu)先權(quán),其內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
      背景技術(shù)
      近來(lái),電子器件的尺寸、厚度和重量已經(jīng)得以減小,從而已經(jīng)用例如其中引線終端暴露在用于密封半導(dǎo)體器件的樹(shù)脂矩形表面上的QFN封裝等表面安裝型半導(dǎo)體封裝替換傳統(tǒng)已知的雙列直插式封裝(DIP)。例如,日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)出版物NO.2003-309242和2001-257304披露了QFN封裝的實(shí)例;且日本未申專(zhuān)利申請(qǐng)出版物NO.H06-21315披露了用在半導(dǎo)體器件中的引線框架的實(shí)例。
      圖36是示出用于在傳統(tǒng)已知的QFN封裝中使用的引線框架的實(shí)例的平面圖,其中具有矩形形狀的引線框架1包括平臺(tái)3,用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片(或半導(dǎo)體器件)2;多條引線4,形成為圍繞平臺(tái)3,且其內(nèi)端4a向著平臺(tái)3向內(nèi)延伸;以及多個(gè)壩條(dam bar)5(構(gòu)成框架部),在平臺(tái)3和引線4的周緣區(qū)域中設(shè)置,其中四個(gè)連接引線3a從四個(gè)拐角向內(nèi)延伸,且連接至平臺(tái)3,從而固定在適當(dāng)位置,且其中引線4的外端直接連接和固定至壩條5。多個(gè)狹縫6分別在壩條5外部形成。
      通過(guò)在薄金屬板上執(zhí)行壓力加工或進(jìn)行蝕刻產(chǎn)生引線框架1。
      如圖37中所示,當(dāng)使用引線框架1產(chǎn)生QFN封裝時(shí),半導(dǎo)體芯片2焊接到且固定至平臺(tái)3的表面,其中使用焊線7在半導(dǎo)體芯片2的襯墊(pad)和引線4的內(nèi)端4a之間執(zhí)行焊接,從而使它們電連接在一起。
      接著,模制由環(huán)氧樹(shù)脂組成的密封樹(shù)脂8,以覆蓋半導(dǎo)體芯片2、平臺(tái)3、焊線7和引線4的內(nèi)端4a,從而使它們整體組合在一起。
      接著,使在密封樹(shù)脂8外部暴露并凸出的引線4的表面4c和后側(cè)4d經(jīng)受電鍍(plating),以便形成焊接鍍層9,所述焊接鍍層用于提高焊料對(duì)引線4的可濕性。
      最終,在密封樹(shù)脂8外部凸出的引線4的指定部分沿切割線A經(jīng)受切割,從而使得引線4彼此電絕緣。
      這樣,通過(guò)上述工藝產(chǎn)生QFN封裝(即,表面安裝型半導(dǎo)體封裝)。
      使用扁平引線設(shè)計(jì)傳統(tǒng)已知的QFN封裝;因此,當(dāng)模制密封樹(shù)脂,將引線的內(nèi)端與平臺(tái)以及其中的焊線整合在一起時(shí),可減少引線和密封樹(shù)脂之間的接觸區(qū)的粘力。
      由于熱應(yīng)力和外部應(yīng)力或其中導(dǎo)線斷電(electrically broken)的其它故障,這種粘力的減少可造成引線和密封樹(shù)脂之間的分離。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體封裝和引線框架,其能提高引線和密封樹(shù)脂之間的接觸區(qū)的粘力,從而可能防止引線和密封樹(shù)脂彼此分離,且可能避免線斷電的故障。結(jié)果,可能提高使用引線框架的半導(dǎo)體封裝的可靠性。
      通過(guò)加工薄金屬板,以形成用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)、形成為圍繞平臺(tái)的多條引線、和用于將平臺(tái)和多條引線固定在一起的框架部,從而產(chǎn)生根據(jù)本發(fā)明的引線框架。在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以多種方式設(shè)計(jì)引線框架,其實(shí)例在下面進(jìn)行描述。
      在第一方面,引線的內(nèi)端表面分別在縱向和/或?qū)挾确较蛏涎由?,以便形成與密封樹(shù)脂接觸的延伸部。
      在第二方面,在引線內(nèi)端中形成切口,以使引線內(nèi)端表面和切口與密封樹(shù)脂接觸。
      在第三方面,引線內(nèi)端在指定的側(cè)中向外延伸,以便形成使得引線的內(nèi)端表面和延伸部與密封樹(shù)脂接觸的延伸部。
      上述所有實(shí)例都增加了引線和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能提高引線和密封樹(shù)脂之間的粘力。此外,可能防止包括引線的電路由于引線和密封樹(shù)脂之間的分離而斷電。
      可以使得對(duì)于靠近框架部拐角設(shè)置的引線形成延伸部的方式進(jìn)一步修改引線框架;通道和/或凹槽在引線內(nèi)端中形成;凸起在引線內(nèi)端中形成;穿過(guò)厚度方向的通孔在引線內(nèi)端中形成;形成尺寸大于焊接區(qū)的洞,以覆蓋引線內(nèi)端中的焊接區(qū)。這樣,可能進(jìn)一步增加引線和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;可能進(jìn)一步提高引線和密封樹(shù)脂之間的粘力;以及可能避免引線和密封樹(shù)脂之間的位置移動(dòng)(或位置偏移)的發(fā)生。
      并且,使用上述引線框架產(chǎn)生半導(dǎo)體封裝,以便提高其可靠性。


      將參看附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和其它目的、方面和實(shí)施例,在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的引線框架的平面圖;圖2是示出用在圖1中所示的引線框架中的引線的平面圖;圖3是圖2中所示引線的側(cè)視圖;圖4是示出使用圖1中所示的引線框架產(chǎn)生的QFN封裝的主要部分的截面圖;圖5是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的引線框架中使用的引線的平面圖;圖6是圖5中所示引線的側(cè)視圖;圖7是示出實(shí)現(xiàn)圖5中所示引線的修改的引線的平面圖;圖8是圖7中所示引線的側(cè)視圖;圖9是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的引線框架中使用的引線的平面圖;圖10是圖9中所示引線的側(cè)視圖;圖11是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的引線框架中使用的引線的平面圖;圖12是圖11中所示引線的側(cè)視圖;圖13是示出實(shí)現(xiàn)圖11中所示引線的修改的引線的平面圖;
      圖14是圖13中所示引線的側(cè)視圖;圖15是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的引線框架中使用的引線的平面圖;圖16是圖15中所示引線的側(cè)視圖;圖17是示出實(shí)現(xiàn)圖15中所示引線的修改的引線的平面圖;圖18是圖17中所示引線的側(cè)視圖;圖19是示出在根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的引線框架中使用的引線的平面圖;圖20是圖19中所示引線的側(cè)視圖;圖21是示出根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的引線框架的主要部分的平面圖;圖22是圖21中所示引線框架的引線的側(cè)視圖;圖23是示出根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的引線框架的主要部分的平面圖;圖24是圖23中所示引線框架的引線的側(cè)視圖;圖25是示出實(shí)現(xiàn)圖24中所示引線的修改的引線的平面圖;圖26是圖25中所示引線的正視圖;圖27是示出根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的引線框架的平面圖;圖28是示出圖27中所示引線框架的引線的平面圖;圖29是圖28中所示引線的正視圖;圖30是示出圖27中所示引線框架的另一引線的平面圖;圖31是圖30中所示引線的正視圖;圖32是示出實(shí)現(xiàn)圖28中所示引線的修改的引線的平面圖;圖33是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施例的引線框架中使用的引線的平面圖;圖34是圖33中所示引線的側(cè)視圖;圖35是示出封裝在密封樹(shù)脂中的圖33的引線的的截面圖;圖36是示出用于在傳統(tǒng)已知的QFN封裝中使用的引線框架的平面圖;以及圖37是示出使用圖36中所示引線框架的QFN封裝的主要部分的截面圖。
      具體實(shí)施例方式
      將借助于參考附圖的實(shí)例進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明。
      1.第一實(shí)施例圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的引線框架的平面圖,其中所述引線框架用于是表面安裝型半導(dǎo)體封裝的實(shí)例的QFN封裝。
      在圖1中,附圖標(biāo)記11表示引線框架,其中通過(guò)在由磷青銅、銅、鐵鎳合金等組成的薄金屬板上執(zhí)行壓力加工或進(jìn)行蝕刻產(chǎn)生所述引線框架。
      引線框架11包括平臺(tái)13,在平面圖中為矩形形狀,在其上安裝半導(dǎo)體芯片(或構(gòu)成QFN封裝的主要部件的半導(dǎo)體器件);多條引線14(具有梳狀或條狀形狀),排列為圍繞平臺(tái)13,且其內(nèi)端14a向著平臺(tái)13向內(nèi)延伸;以及多個(gè)壩條15(構(gòu)成框架部),排列在平臺(tái)13和引線14的周緣區(qū)域中,其中四個(gè)拐角經(jīng)由引線13a連接并固定至平臺(tái)13,且其中引線14的外端14b直接連接并固定至壩條15。狹槽16在壩條15外部平行于壩條15形成。
      圖2和3示出引線14的形狀,其中內(nèi)端部21的表面21a在縱向(即,左右方向)上細(xì)長(zhǎng),也在寬度方向(即,上下方向)上延伸,從而形成延伸部22。
      延伸部22具有指定長(zhǎng)度L1,所述長(zhǎng)度比與縱向上的表面21a相對(duì)的后側(cè)21b的長(zhǎng)度L2長(zhǎng)。凹槽23在延伸部22的表面21a上靠近壩條15的指定位置(未示出)形成。
      凹槽23對(duì)應(yīng)于矩形開(kāi)口,其中其寬度匹配引線14的寬度,其長(zhǎng)度比其寬度短,其深度設(shè)定為在引線14的厚度的1/3到2/3范圍內(nèi)。
      當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),將其部分導(dǎo)入凹槽23中,以便增加引線14和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積,由此可能提高陰線14和密封樹(shù)脂之間的粘合強(qiáng)度。
      如圖4中所示,當(dāng)使用引線框架11產(chǎn)生QFN封裝時(shí),將半導(dǎo)體芯片12焊接和固定到平臺(tái)13的表面;接著,使用焊線18使引線14的延伸部22經(jīng)受焊接,因而電連接至半導(dǎo)體芯片12的襯墊。
      接著,模制由環(huán)氧樹(shù)脂組成的密封樹(shù)脂19,以便整合半導(dǎo)體芯片12、平臺(tái)13、焊線18和包括延伸部22的引線14的內(nèi)端部21,它們?nèi)空w結(jié)合。
      在模制步驟中,將熔化的樹(shù)脂導(dǎo)入凹槽23中,從而凹槽23被用樹(shù)脂填充。接著,實(shí)施硫化,以硬化密封樹(shù)脂19。
      由于提供了在引線14的延伸部22中形成的凹槽23,所以可能增加引線14和密封樹(shù)脂19之間的總接觸面積;因此,可能提高引線14和密封樹(shù)脂19之間的粘合強(qiáng)度。
      在完成密封樹(shù)脂19的硬化后,在引線14和密封樹(shù)脂19之間建立非常高的粘合強(qiáng)度。
      此外,將密封樹(shù)脂19部分導(dǎo)入引線14的凹槽23中,接著將其硬化;即,硬化樹(shù)脂部分與凹槽嚙合;這樣,可能進(jìn)一步提高引線14和密封樹(shù)脂19之間的粘合強(qiáng)度。
      接著,使暴露在密封樹(shù)脂19外部的引線14的外端的表面14c和后側(cè)14d經(jīng)受?chē)婂?,以便形成用于在焊接中使用的鍍?0。
      最終,使暴露在密封樹(shù)脂19外部的引線14的外端經(jīng)受沿切割縣A的切割,從而使引線14彼此電絕緣。
      如上所述,可能產(chǎn)生為表面安裝型半導(dǎo)體封裝的實(shí)例的QFn封裝。
      在本實(shí)施例的引線框架11中,引線14的內(nèi)端部21的表面21a既在縱向上延伸,又在寬度方向上延伸,以便形成延伸部22,在所述延伸部22中,凹槽23在所述表面上靠近壩條15的指定位置形成;因此,可能提高引線14和密封樹(shù)脂19之間的粘合強(qiáng)度。
      在使用本實(shí)施例的引線框架11的QFN封裝中,可能可靠地避免引線14和密封樹(shù)脂19之間的分離發(fā)生;因此,可能避免故障發(fā)生,即,可能防止包括引線14的電路斷電。因此,可能提高與QFN封裝相關(guān)的可靠性。
      2.第二實(shí)施例圖5是示出適于根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的引線框架的引線的平面圖;圖6是圖5中所示的引線的側(cè)視圖。即,第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于,與用在第一實(shí)施例中的引線14相比,用在第二實(shí)施例中的引線31具有在其厚度方向上穿過(guò)延伸部22的通孔32,其中通孔32在延伸部22的靠近位于其縱向上的端部的指定部分處形成。
      由于靠近位于縱向上的延伸部22的端部設(shè)置了穿過(guò)其厚度方向的通孔32,所以當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),將它部分導(dǎo)入凹槽23和樹(shù)脂31中,接著被硬化;因此,可能進(jìn)一步增加引線31和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;另外,可能防止引線31和密封樹(shù)脂相互移位。這樣,可能進(jìn)一步提高引線31和密封樹(shù)脂之間的粘力,其中在引線31和密封樹(shù)脂之間不可能發(fā)生任何位置移動(dòng)。
      圖7是示出實(shí)現(xiàn)引線31的修改的引線41的平面圖;圖8是引線41的側(cè)視圖。
      引線41具有穿過(guò)延伸部22的位于縱向上的端部的厚度方向的兩個(gè)通孔32;因此,與引線31相比,可能進(jìn)一步提高密封樹(shù)脂和引線41之間的粘力,其中在引線31和密封樹(shù)脂之間不可能發(fā)生任何位置移動(dòng)。
      根據(jù)特征在于使用上述引線31和41的本實(shí)施例,在延伸部22的位于縱向上的端部中形成至少一個(gè)穿過(guò)厚度方向的通孔32;因此,可能進(jìn)一步提高引線31和41與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      當(dāng)使用具有引線31或41的引線框架產(chǎn)生QFN封裝時(shí),可能避免故障的發(fā)生,即,可能防止包括引線31或41的電路由于引線31或41與密封樹(shù)脂之間的分離而斷電。因此,可能提高與QFN有關(guān)的可靠性。
      3.第三實(shí)施例圖9是示出用在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的引線框架中的引線51的平面圖;圖10是引線51的側(cè)視圖。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于,與用在第一實(shí)施例中的引線14相比,用在第三實(shí)施例中的引線51具有延伸部22,所述延伸部的端部向上彎曲,以形成彎曲部52,所述彎曲部52增加了引線51和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積,從而提高了它們之間的粘力。
      第三實(shí)施例的引線51可展示類(lèi)似于第一實(shí)施例的引線14的指定效果。
      在第三實(shí)施例中,引線51的延伸部22的端部向上彎曲,以形成彎曲部52,這樣,可能進(jìn)一步提高引線51和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      4.第四實(shí)施例圖11是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的引線框架中使用的引線61的平面圖;圖12是引線61的側(cè)視圖。第四實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于,與用在第一實(shí)施例中的引線14相比,用在第四實(shí)施例中的引線61具有內(nèi)端部21的表面21a,所述內(nèi)端部?jī)H在寬度方向(即,圖11中的上下方向)上延伸,以形成延伸部62,其中切口63在延伸部62的位于寬度方向上的兩側(cè)上形成。
      由于引線61(其中切口63形成在僅在寬度方向上延伸的延伸部62的兩側(cè)上)的提供,當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),它部分被導(dǎo)入引線61的切口63和凹槽23中,接著被硬化;因此,可能進(jìn)一步增加引線61和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積,由此避免在引線61和密封樹(shù)脂之間的移位的發(fā)生。這樣,可能進(jìn)一步提高引線61和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      圖13是示出引線61的修改的引線71的平面圖;圖14是引線71的側(cè)視圖。在引線71中,內(nèi)端21的表面21a在縱向(即,左右方向)上、在寬度方向(即,上下方向和圖14)的片狀物的垂直方向)上延伸,以形成延伸部72,其中另一切口63在延伸部72的位于縱向上的端部形成。
      由于引線71(其中延伸部72在縱向和寬度方向上延伸,且其中另一切口63在延伸部72的端部形成)的提供,所以與引線61相比,可能進(jìn)一步提高密封樹(shù)脂和引線71之間的粘力。
      在使用引線61和71的本實(shí)施例中,可能展示類(lèi)似于使用引線14的第一實(shí)施例的指定效果。
      此外,本實(shí)施例的特征在于,內(nèi)端部21的表面21a僅在寬度方向上延伸,以形成延伸部62,或既在縱向又在寬度方向上延伸,以形成延伸部72,其中切口63在關(guān)于延伸部62和72的指定位置適當(dāng)形成。因此,可能進(jìn)一步提高密封樹(shù)脂和引線61和71之間的粘力。
      5.第五實(shí)施例圖15是示出在根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的引線框架中使用的引線81的平面圖;圖16是引線81的側(cè)視圖。第五實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于,與第一實(shí)施例中使用的引線14相比,第五實(shí)施例中使用的引線81具有凸緣82,所述凸緣的每個(gè)都具有板狀形狀,從內(nèi)端部21的側(cè)21c和21d垂直向外凸出,其中內(nèi)端面21的表面21a以及凸緣82一起與密封樹(shù)脂接觸。
      由于在引線81的內(nèi)端部21的側(cè)21c和21d上形成的凸緣82的提供,當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),凸緣82的所有上表面和內(nèi)端部21的表面21a與密封樹(shù)脂接觸;因此,可能顯著增加引線81和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積,其中可能避免引線81和密封樹(shù)脂之間的移位發(fā)生。因此,可能進(jìn)一步提高引線81和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      圖17是示出實(shí)現(xiàn)引線81的修改的引線91的平面圖;圖18是引線91的側(cè)視圖。與引線81相比,引線91具有凹槽23,所述凹槽23在內(nèi)端部21的表面21a上靠近壩條(未示出)的指定位置形成。
      由于凹槽23在內(nèi)端21的表面21a上靠近壩條的指定位置形成,所以當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),增加了密封樹(shù)脂和引線91(除了凸緣82外,還具有凹槽23)之間的總接觸面積;因此,可能進(jìn)一步提高引線91和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      在使用引線81和91的本實(shí)施例中,可能展示類(lèi)似于使用引線14的第一實(shí)施例的指定效果。
      由于提供了從內(nèi)端部21的側(cè)21c和21d凸出的凸緣82,所以可能進(jìn)一步提高密封樹(shù)脂和引線81和91之間的粘力。
      6.第六實(shí)施例圖19是示出在根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的引線框架中使用的引線101的平面圖;圖20是引線101的側(cè)視圖。第六實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于,與在第一實(shí)施例中使用的引線14相比,在第六實(shí)施例中使用的引線101具有形成在延伸部22的表面上的同心通道。具體而言,同心通道102包括圓形通道102a、一對(duì)弓形通道102b、和弓形通道102c。
      由于同心通道102在延伸部22的表面上形成,所以當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),所有同心通道102和延伸部22與密封樹(shù)脂接觸;因此,可能增加引線101和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積,其中可能進(jìn)一步提高引線101和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      在使用引線101的本實(shí)施例中,可能展示類(lèi)似于使用引線14的第一由于同心通道102在延伸部22的表面上形成,所以可能進(jìn)一步提高引線101和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      7.第七實(shí)施例圖21是示出根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的引線框架的主要部分的平面圖;圖22是圖21中所示引線框架的引線的側(cè)視圖。第七實(shí)施例提供了適于QFN類(lèi)型的表面安裝型半導(dǎo)體封裝的引線框架的實(shí)例。
      具體而言,引線框架111具有兩種類(lèi)型的引線112和113,這兩種引線交替排列,以圍繞平臺(tái)(未示出),且分別連接和固定至壩條15。
      在引線112中,內(nèi)端部21的表面21a以梯級(jí)方式在寬度方向(即,圖21中的上下方向;圖22的片狀物的垂直方向)上向著壩條15延伸,以形成延伸部114。延伸部114具有進(jìn)一步延伸的矩形終端區(qū),所述終端區(qū)靠近壩條15,其中開(kāi)口區(qū)小于進(jìn)一步延伸的終端區(qū)的矩形凹槽115在進(jìn)一步延伸的終端區(qū)中形成。
      引線113的側(cè)部成形為和與之鄰接的引線112大體互補(bǔ),其中內(nèi)端部21的表面21a以梯級(jí)方式在寬度方向(即,圖21中的上下方向)上向著壩條(未示出)延伸,以形成延伸部116,所述延伸部116具有進(jìn)一步延伸的矩形終端區(qū),所述終端區(qū)靠近平臺(tái),其中矩形凹槽115在進(jìn)一步延伸的終端區(qū)中形成。
      如上所述,引線112和113具有延伸部114和116,其中矩形凹槽115在進(jìn)一步延伸的終端區(qū)中形成。即,由于形成具有矩形凹槽115的延伸部114和116,所以可能增加引線112和113與密封樹(shù)脂(未示出)之間的總接觸面積;因此,可能提高引線112和113與密封樹(shù)脂之間的粘合強(qiáng)度。
      密封樹(shù)脂部分導(dǎo)入引線112和113的矩形凹槽115中,接著被硬化;因此,可能進(jìn)一步提高引線112和113與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      在具有引線112和113的本實(shí)施例中,可能顯示類(lèi)似于使用引線14的第一實(shí)施例的指定效果。
      由于矩形凹槽115在延伸部114和116的進(jìn)一步延伸的終端區(qū)中形成,所以可能進(jìn)一步提高引線112和113與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      8.第八實(shí)施例圖23是示出根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的引線框架的主要部分的平面圖;圖24是圖23中所示引線框架的引線的側(cè)視圖。即,圖23中所示的引線框架121具有兩種類(lèi)型的引線122和123,這兩種引線交替排列,以圍繞平臺(tái)(未示出),且分別連接和固定至壩條15。
      在引線122中,內(nèi)端部21的表面21a在寬度方向(即,圖23中的上下方向)上延伸,以形成延伸部124,其中凹槽23在延伸部的表面上靠近壩條15形成,且其中分別具有棱柱形狀的凸起125從延伸部124的側(cè)端垂直凸出。
      引線123的兩側(cè)成形為和與之鄰接的引線122大體互補(bǔ),其中所述兩側(cè)在寬度方向上延伸,以形成延伸部124,且其中分別具有棱柱形狀的凸起125從延伸部124的側(cè)端垂直凸出。
      以使引線122的凸起125和引線123的凸起125在縱向上彼此不重疊的方式將它們交替排列。
      由于提供了分別從引線122和123凸出且交替排列以便在縱向上彼此不重疊的凸起125,所以可能增加引線122和123與密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能提高引線122和123與密封樹(shù)脂之間的粘合強(qiáng)度。
      圖25是示出實(shí)現(xiàn)引線122的修改的引線127的平面圖;圖26是引線27的正視圖。引線127提供了通過(guò)將每個(gè)棱柱形凸起彎曲成L形形成的L形凸起128,而不是上述從延伸部124的側(cè)端垂直凸出的凸起125。
      由于提供了L形凸起128,所以當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),由于L形凸起128和凹槽23的協(xié)作,可能顯著增加引線127和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能顯著提高引線127和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      在具有引線122和123的本實(shí)施例中,可能顯示類(lèi)似于使用引線14的第一實(shí)施例的指定效果。
      由于提供了分別從引線122和123凸出的凸起125,所以可能進(jìn)一步提高引線122和123與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      通過(guò)使用L形凸起128而不是凸起125,可能顯著提高引線127與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      9.第九實(shí)施例圖27是示出根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的引線框架31的平面圖。與第一實(shí)施例的引線框架11相比,將第九實(shí)施例的引線框架設(shè)計(jì)為使得最外的引線132和133具有與沿壩條15設(shè)置的其它引線14不同的形狀。
      具體而言,最外引線132具有如圖28和29中所示的延伸部22,其中延伸部22的拐角以三角形形式向著連接引線13a進(jìn)一步延伸,以形成延伸部134。
      類(lèi)似地,最外引線133具有如圖30和31中所示的延伸部22,其中延伸部22的相對(duì)拐角以三角形形式向著連接引線13a進(jìn)一步延伸,以形成延伸部135。
      由于提供分別從引線132和133的延伸部22向著連接引線13a延伸的延伸部134和135,所以可能增加引線132和133與密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能提高引線132和133與密封樹(shù)脂之間的粘合強(qiáng)度。
      圖32是示出實(shí)現(xiàn)引線132的修改的引線137的平面圖,其中引線137具有在其厚度方向上穿過(guò)延伸部134的通孔138。
      由于通孔138在延伸部134中的形成,所以當(dāng)模制密封樹(shù)脂時(shí),由于延伸部134、通孔138、和凹槽23的協(xié)作,可能顯著增加引線137與密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能顯著提高引線137與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      在具有引線132和133的本實(shí)施例中,可能顯示類(lèi)似于使用引線14的第一實(shí)施例的指定效果。
      由于延伸部134和135在引線132和133中的設(shè)置,可能顯著提高引線132和133與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      由于通孔138在延伸部134中的形成,可能進(jìn)一步提高引線137與密封樹(shù)脂之間的粘力。
      順便提及,可能進(jìn)一步形成穿過(guò)引線133的延伸部135的通孔138,由此引線133可顯示類(lèi)似于引線137的效果。
      10.第十實(shí)施例圖33是示出用于在根據(jù)本發(fā)明的第十實(shí)施例的引線框架中使用的引線141的平面圖;圖34是引線141的側(cè)視圖。第十實(shí)施例的引線141與第一實(shí)施例的引線14的區(qū)別之處在于,形成尺寸大于焊接區(qū)的尺寸的洞142,以覆蓋延伸部22的表面上的焊接區(qū)。
      如圖35中所示,使用焊線18執(zhí)行焊接,以建立半導(dǎo)體芯片(未示出)的襯墊和洞142之間的電連接;接著,模制由環(huán)氧樹(shù)脂組成的密封樹(shù)脂,以封裝焊線18和引線141內(nèi)端,從而將它們整體結(jié)合。
      在模制步驟中,將密封樹(shù)脂部分導(dǎo)入凹槽23和洞142中,接著將其硬化。這增強(qiáng)了引線141和密封樹(shù)脂之間的嚙合。這樣,可能顯著增加引線141和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能進(jìn)一步提高引線141和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      在具有引線141的本實(shí)施例中,可能顯示類(lèi)似于使用引線14的第一由于尺寸大于焊接區(qū)的尺寸且形成為覆蓋延伸部22的表面上的焊接區(qū)的洞142的提供,所以可能增強(qiáng)了引線14和密封樹(shù)脂之間的嚙合。這也顯著增加了引線141和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;因此,可能進(jìn)一步提高引線141和密封樹(shù)脂之間的粘力。
      如前所述,本發(fā)明的基本設(shè)計(jì)在于,使得引線的內(nèi)端表面在縱向和/或?qū)挾确较蛏涎由欤员闾岣咭€和密封樹(shù)脂之間的粘力。即,本發(fā)明可應(yīng)用于包括QFN封裝在內(nèi)的各種類(lèi)型的表面安裝型半導(dǎo)體封裝;因此,它展示了巨大的工業(yè)效果。
      最后,本發(fā)明不必局限于上述為說(shuō)明性而非限制性的實(shí)施例;因此,落在本發(fā)明的范圍內(nèi)的任何改變和修改由權(quán)利要求書(shū)所涵蓋。
      權(quán)利要求
      1.一種引線框架,包括平臺(tái),用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片;多條引線,形成為圍繞所述平臺(tái);以及框架部,用于將所述平臺(tái)和多條引線固定在一起,其中引線的內(nèi)端表面分別在縱向和/或?qū)挾确较蛏涎由欤员阈纬膳c密封樹(shù)脂接觸的延伸部。
      2.一種引線框架,包括平臺(tái),用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片;多條引線,形成為圍繞所述平臺(tái);以及框架部,用于將所述平臺(tái)和多條引線固定在一起,其中切口在引線內(nèi)端中形成,以使引線內(nèi)端表面和切口與密封樹(shù)脂接觸。
      3.一種引線框架,包括平臺(tái),用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片;多條引線,形成為圍繞所述平臺(tái);以及框架部,用于將所述平臺(tái)和多條引線固定在一起,其中引線內(nèi)端在指定側(cè)向外延伸,以便形成延伸部,使得引線的內(nèi)端表面和延伸部與密封樹(shù)脂接觸。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架,其中對(duì)于靠近框架部拐角設(shè)置的引線形成所述延伸部。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一所述的引線框架,其中通道和/或凹槽在引線內(nèi)端中形成。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一所述的引線框架,其中凸起在引線內(nèi)端中形成。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一所述的引線框架,其中穿過(guò)厚度方向的通孔在引線內(nèi)端中形成。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一所述的引線框架,其中形成尺寸大于焊接區(qū)的洞,以覆蓋引線內(nèi)端中的焊接區(qū)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一所述的引線框架,其中形成尺寸大于焊接區(qū)的洞,以覆蓋引線內(nèi)端中的焊接區(qū),且其中包括焊接區(qū)的引線內(nèi)端在指定方向上延伸。
      10.一種半導(dǎo)體封裝,其中密封樹(shù)脂模制為含有引線框架,所述引線框架包括平臺(tái),用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片;多條引線,形成為圍繞所述平臺(tái);以及框架部,用于將所述平臺(tái)和多條引線固定在一起,其中引線的內(nèi)端表面分別在縱向和/或?qū)挾确较蛏涎由?,以便形成與密封樹(shù)脂接觸的延伸部。
      11.一種半導(dǎo)體封裝,其中密封樹(shù)脂模制為含有引線框架,所述引線框架包括平臺(tái),用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片;多條引線,形成為圍繞所述平臺(tái);以及框架部,用于將所述平臺(tái)和多條引線固定在一起,其中切口在引線內(nèi)端中形成,以使引線內(nèi)端表面和所述切口與密封樹(shù)脂接觸。
      12.一種半導(dǎo)體封裝,其中密封樹(shù)脂模制為整合引線框架,所述引線框架包括平臺(tái),用于在上面安裝半導(dǎo)體芯片;多條引線,形成為圍繞所述平臺(tái);以及框架部,用于將所述平臺(tái)和多條引線固定在一起,其中引線內(nèi)端在指定側(cè)向外延伸,以便形成延伸部,使得引線的內(nèi)端表面和延伸部與密封樹(shù)脂接觸。
      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝,其中對(duì)于靠近框架部拐角設(shè)置的引線形成所述延伸部。
      14.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一所述的半導(dǎo)體封裝,其中通道和/或凹槽在引線內(nèi)端中形成。
      15.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一所述的半導(dǎo)體封裝,其中凸起在引線內(nèi)端中形成。
      16.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一所述的半導(dǎo)體封裝,其中穿過(guò)厚度方向的通孔在引線內(nèi)端中形成。
      17.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一所述的半導(dǎo)體封裝,其中尺寸大于焊接區(qū)的洞形成為覆蓋引線內(nèi)端中的焊接區(qū)。
      全文摘要
      通過(guò)使用薄金屬板形成用于安裝半導(dǎo)體芯片的平臺(tái)、圍繞平臺(tái)的多條引線、和用于將平臺(tái)和引線固定在一起的框架部,從而產(chǎn)生引線框架。引線的內(nèi)端表面分別在縱向和/或?qū)挾确较蛏涎由?,以形成延伸部;切口在引線的內(nèi)端中形成;或引線內(nèi)端向外延伸,以形成延伸部。模制密封樹(shù)脂,以整合引線框架,從而產(chǎn)生半導(dǎo)體封裝。因此,可能增加引線和密封樹(shù)脂之間的總接觸面積;可能提高引線和密封樹(shù)脂之間的粘力;這樣,可能提高半導(dǎo)體封裝在安裝中的可靠性。
      文檔編號(hào)H01L23/495GK1767186SQ20051010698
      公開(kāi)日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月4日
      發(fā)明者白坂健一, 江口博孝 申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社
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