專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。特別地，本發(fā)明涉及在薄膜晶體管(以下，在本說明書中簡稱為“TFT”)等的半導(dǎo)體元件(裝置)之上形成層間絕緣膜的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，在各種應(yīng)用中使用絕緣膜。其例子如下用于防止在玻璃襯底中包含的鈉等的雜質(zhì)擴散進入TFT的半導(dǎo)體層中的基底膜、TFT的柵絕緣膜、用于使布線相互絕緣和分開的層間絕緣膜、用于保護表面的鈍化膜、存儲單元的電容器絕緣膜等。
近年來，為了實現(xiàn)更高的集成度和微型化的半導(dǎo)體集成電路，需要元件或布線的微型化和多層化。層間絕緣膜被設(shè)置為使布線相互絕緣。當(dāng)在層間絕緣膜之上進一步形成布線或電極等時，要求層間絕緣膜的表面具有平坦性。
SOG膜是公知的具有平坦性的絕緣膜(例如，專利文獻(xiàn)1日本專利申請公開No.10-242277)。
SOG膜是指通過涂敷之后加熱處理(焙燒)用溶劑稀釋硅化合物的溶液形成的絕緣膜。SOG膜大致分為兩種類型在硅化合物中含有有機成分的有機SOG膜和在硅化合物不含有機成分的無機SOG膜。
作為SOG膜的一例，可以舉出包含硅氧烷聚合物的樹脂。通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜具有耐熱性比通過焙燒不含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜更高的特性。
一般在空氣中進行含有硅氧烷聚合物的樹脂的涂敷后的焙燒。此時，存在在形成的絕緣膜中產(chǎn)生裂紋的問題。特別是，在絕緣膜的厚度為1μm或更厚的區(qū)域，裂紋更容易產(chǎn)生。注意，空氣的意思是在室溫下(考慮到全球平均氣溫，約為15℃)包含約78.1％的氮氣(體積比)和約20.9％的氧氣的氣氛。
為了防止裂紋產(chǎn)生，可以考慮將絕緣膜的厚度設(shè)置為1μm或更薄以及調(diào)整樹脂成分等方法。但是，使用這些方法，存在由于絕緣膜的厚度太薄而導(dǎo)致絕緣不良或由于樹脂成分的改變而導(dǎo)致涂敷不均的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于，提供具有抑制裂紋的產(chǎn)生且即使在較厚的區(qū)域也具有良好的絕緣性和平坦性的絕緣膜的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的另一目的在于提供加入上述半導(dǎo)體裝置的電子裝置。注意，在本說明書中，半導(dǎo)體裝置是指可通過利用半導(dǎo)體特性而動作的裝置。具體而言，作為其例子，可以舉出以液晶顯示裝置或EL顯示裝置為代表的顯示裝置。
本發(fā)明通過以下手段解決上述問題。換句話說，可以通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣(O2)濃度和1％或更低的水(H2O)濃度的氣氛中、在對涂敷后的包含硅氧烷聚合物的樹脂進行焙燒時、進行熱處理，形成抑制裂紋產(chǎn)生的絕緣膜。優(yōu)選在具有1％或更低(更優(yōu)選為0.1％或更低)的氧氣濃度和0.1％或更低的水濃度的氣氛中進行該熱處理，由此得到更顯著的效果。
對于熱處理氣氛中的氧氣濃度和水濃度對絕緣膜的形成的影響，可以考慮如下。
在通過加熱處理包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜中，包含諸如烷基、芳基或烯基的有機基團。有機基團與熱處理氣氛中的氧氣或水反應(yīng)，并部分地變成諸如CO2或H2O的氣體并脫離。結(jié)果，可以想到絕緣膜的體積會減少，裂紋容易產(chǎn)生。另外，諸如烷基、芳基或烯基的有機基團有松馳應(yīng)力的效果?？梢哉J(rèn)為當(dāng)有機基團與熱處理氣氛中的氧氣或水反應(yīng)時，應(yīng)力松馳的效果降低，因此，裂紋容易產(chǎn)生。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的一個方面包括以下步驟形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；和通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成絕緣膜。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的另一個方面包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在基底膜之上形成包含具有源區(qū)、漏區(qū)和溝道形成區(qū)的半導(dǎo)體層，柵絕緣膜和柵電極的TFT；在柵絕緣膜和柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在第一層間絕緣膜之上形成通過第一接觸孔與源區(qū)或漏區(qū)連接的布線；在第一層間絕緣膜和布線之上形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成第二層間絕緣膜；在第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；和在第二層間絕緣膜之上形成通過第二接觸孔與布線連接的電極。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的再一個方面包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在基底膜之上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體膜；通過使非晶態(tài)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化，形成結(jié)晶性半導(dǎo)體膜；通過對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜進行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜之上形成柵電極；通過使用柵電極作為掩模對半導(dǎo)體層進行摻雜，形成第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；在柵絕緣膜和柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在第一層間絕緣膜之上形成通過第一接觸孔與第一雜質(zhì)區(qū)連接的布線；在第一層間絕緣膜和布線之上形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成第二層間絕緣膜；在第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；和在第二層間絕緣膜之上形成通過第二接觸孔與布線電接連的電極。
在通過加熱處理包含硅氧烷聚合物的樹脂形成絕緣膜后的步驟中，可以伴隨熱處理。在本發(fā)明中，在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，進行加熱處理包含硅氧烷的樹脂形成絕緣膜后熱處理。因此，即使在形成絕緣膜后也可以防止裂紋產(chǎn)生。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的又一個方面包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在基底膜之上形成包含具有源區(qū)、漏區(qū)和溝道形成區(qū)的半導(dǎo)體層，柵絕緣膜和柵電極的TFT；在柵絕緣膜和柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在第一層間絕緣膜之上形成通過第一接觸孔與源區(qū)或漏區(qū)連接的布線；在第一層間絕緣膜和布線之上形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成第二層間絕緣膜；在第二層間絕緣中形成第二接觸孔；在第二層間絕緣膜之上形成通過第二接觸孔與布線接連的電極；和在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的另一個方面包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在基底膜之上形成包含具有源區(qū)、漏區(qū)和溝道形成區(qū)的半導(dǎo)體層，柵絕緣膜和柵電極的TFT；在柵絕緣膜和柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在第一層間絕緣膜之上形成通過第一接觸孔與源區(qū)或漏區(qū)連接的布線；在第一層間絕緣膜和布線之上形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成第二層間絕緣膜；在第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；在第二層間絕緣膜之上形成通過第二接觸孔與布線接連的第一電極；在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理；形成覆蓋第一電極的一部分的絕緣膜；在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理；形成覆蓋第一電極的沒有被絕緣膜覆蓋的區(qū)域的電致發(fā)光層；在電致發(fā)光層之上形成第二電極。
在本發(fā)明的上述特征中，從絕緣襯底到布線或第一層間絕緣膜的上表面的厚度的最厚部分和最薄部分之間的差是300nm或更大。
在根據(jù)本發(fā)明的上述特征的第二層間絕緣膜中，最厚部分具有1.0μm或更大的厚度。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的另一個方面包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在基底膜之上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體膜；通過使非晶態(tài)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化，形成結(jié)晶性半導(dǎo)體膜；通過對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜進行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜之上形成柵電極；通過使用柵電極作為掩模對半導(dǎo)體層進行摻雜，形成第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；在柵絕緣膜和柵電極之上形成無機絕緣材料的膜；在由無機絕緣材料形成的膜之上形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成絕緣膜；在由無機絕緣材料形成的膜和絕緣膜中形成接觸孔；和在由無機絕緣材料形成的膜和絕緣膜之上形成通過接觸孔與第一雜質(zhì)區(qū)接連的布線。
在本說明書中公開的關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法的本發(fā)明的另一個方面包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在基底膜之上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體膜；通過使非晶態(tài)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化，形成結(jié)晶性半導(dǎo)體膜；通過對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜進行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜之上形成柵電極；通過使用柵電極作為掩模對半導(dǎo)體層進行摻雜，形成第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；在柵絕緣膜和柵電極之上形成無機絕緣材料的膜；在由無機絕緣材料形成的膜之上形成(或涂敷)包含硅氧烷聚合物的樹脂；通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對樹脂進行加熱處理，形成絕緣膜；在由無機絕緣材料形成的膜和絕緣膜中形成接觸孔；在由無機絕緣材料形成的膜和絕緣膜之上形成通過接觸孔與第一雜質(zhì)區(qū)接連的布線；和形成與布線的一部分交疊的電極。
在本發(fā)明的上述特征中，包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
在本發(fā)明的上述特征中，不活潑氣體包含氮氣(N2)。
根據(jù)本發(fā)明，可以形成可抑制裂紋產(chǎn)生并且即使在較厚的區(qū)域也具有良好的絕緣性和平坦性的絕緣膜。優(yōu)選地，在具有1％或更低(更優(yōu)選0.1％或更低)的氧氣濃度和0.1％或更低的水濃度的氣氛中，實施熱處理，由此得到更顯著的效果。
根據(jù)本發(fā)明，即使在形成抑制裂紋產(chǎn)生的絕緣膜后進行熱處理，也可以防止該絕緣膜中的裂紋產(chǎn)生。結(jié)果，可以以低成本和高產(chǎn)量制造具有上述絕緣膜的半導(dǎo)體裝置。


圖1A～1D表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法(實施方式1)。
圖2A和圖2B表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法(實施方式1)。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置(實施方式2)。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置(實施方式4)。
圖5表示根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置(實施方式4)。
圖6表示根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置(實施方式3)。
圖7表示根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置(實施方式3)。
圖8A～8D表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法(實施方式6)。
圖9A和圖9B表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法(實施方式6)。
圖10A～10C表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法(實施方式6)。
圖11A～11C表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法(實施方式6)。
圖12A和圖12B表示使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置的電子裝置(實施方式8)。
圖13A～13G表示使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置的電子裝置(實施方式8)。
圖14A和圖14B表示發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)(實施方式5)。
圖15A和圖15B表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置(實施方式7)。
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的最佳實施方式。但是，本發(fā)明不限于以下說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以對本發(fā)明的方式和細(xì)節(jié)進行各種變更。因此，不能將本發(fā)明解釋為限于以下實施方式的說明。注意，在以下說明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，對于在不同附圖之間的相同部分或具有相似功能的部分，使用相同的附圖標(biāo)記，并省略對其進行重復(fù)說明。
(實施方式1)在本實施方式中，參照圖1A～2B解釋使用包含硅氧烷聚合物的樹脂形成絕緣膜的步驟。
首先，如圖1A所示，在絕緣襯底101之上形成基底膜102。絕緣襯底101可以為例如鋇-硼硅酸鹽玻璃或鋁-硼硅酸鹽玻璃等的玻璃襯底、石英襯底或陶瓷襯底等。雖然由諸如塑料的具有撓性的合成樹脂制成的襯底一般與上述襯底相比具有較低的耐熱性，但只要可以耐受制造步驟中的處理溫度，就可以被用作絕緣襯底101?？梢酝ㄟ^CMP方法對絕緣襯底101的表面進行拋光，以使其平坦化。
可以通過以等離子CVD方法或低壓CVD方法為代表的CVD方法或濺射方法等公知的方法形成基底膜102。基底膜可以具有使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧化氮化硅膜和氮化氧化硅膜的任一種的單層結(jié)構(gòu)，或者可以具有將它們適當(dāng)層疊的結(jié)構(gòu)。在本說明書中，氧化氮化硅是指氧的成分比比氮高的物質(zhì)，且也可以被稱為包含氮的氧化硅。另外，在本說明書中，氮化氧化硅是指氮的成分比比氧高的物質(zhì)，且也可以被稱為包含氧的氮化硅。在本實施方式中，層疊厚度為50nm的氮化氧化硅膜和厚度為100nm的氧化氮化硅膜，作為基底膜。
然后，在基底膜102之上，形成半導(dǎo)體膜103。半導(dǎo)體膜103可以為非晶態(tài)半導(dǎo)體膜。它也可以為微結(jié)晶性半導(dǎo)體膜或結(jié)晶性半導(dǎo)體膜。對于半導(dǎo)體膜的材料沒有限制，但優(yōu)選使用硅或鍺化硅(SiGe)。在本實施方式中，非晶態(tài)硅膜被形成為具有54nm的厚度。注意，可以在形成半導(dǎo)體膜后，進行去除在半導(dǎo)體膜中包含的氫的步驟。具體地，可以在500℃的溫度下將半導(dǎo)體膜加熱一個小時。
當(dāng)以不使基底膜102和半導(dǎo)體膜103之間的界面暴露在空氣中的方式形成基底膜102和半導(dǎo)體膜103時，可以防止界面受到污染，并可以減少被制造的TFT的特性的變化。在本實施方式中，以不暴露在空氣中的方式通過等離子CVD方法連續(xù)形成基底膜102和半導(dǎo)體膜103。
然后，使用公知的方法(激光結(jié)晶法、熱結(jié)晶法或使用鎳等的促進結(jié)晶的元素的熱結(jié)晶法等)使半導(dǎo)體膜103結(jié)晶，以形成結(jié)晶性半導(dǎo)體膜104。這里，在結(jié)晶后，可以用硼(B)等的給予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜104進行全面摻雜，以在TFT的形成溝道形成區(qū)域的區(qū)域上進行溝道摻雜，由此控制TFT的閾值電壓。
然后，在對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜104進行構(gòu)圖后，如圖1B所示形成柵絕緣膜105。柵絕緣膜105可以具有使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧化氮化硅膜和氮化氧化硅膜中的任一個的單層結(jié)構(gòu)，或者可以具有將它們適當(dāng)層疊的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，通過層疊形成柵絕緣膜，以使其具有110nm的厚度。
然后，如圖1C所示在柵絕緣膜105之上形成柵電極106。柵電極106可以由諸如Al、Mo或W的金屬形成，并可具有該金屬的單層結(jié)構(gòu)或其疊層結(jié)構(gòu)。作為替代方案，可以使用多晶硅膜作為柵電極106。在本實施方式中，層疊厚度為30nm的氮化鉭(TaN)膜和厚度為370nm的鎢(W)膜。此時，優(yōu)選將TaN膜形成為比W膜寬0.5μm～1.5μm。
然后，用柵電極106作為掩模，用硼(B)等的給予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜104進行摻雜。在該步驟中，可以以自整合的方式形成TFT的源區(qū)和漏區(qū)。在本實施方式中，用公知的摻雜方法在溝道形成區(qū)和源區(qū)與漏區(qū)之間形成低濃度雜質(zhì)區(qū)(LDD區(qū))。但是，也可以不對其進行設(shè)置。
在摻雜后，可以進行熱處理、強光照射或激光照射，以激活添加到雜質(zhì)區(qū)中的雜質(zhì)元素。除了激活雜質(zhì)元素外，這樣做還可以回復(fù)對于柵絕緣膜105和柵絕緣膜105與半導(dǎo)體層之間的界面的等離子損傷。
然后，如圖1D所示在柵絕緣膜105和柵電極106之上形成第一層間絕緣膜107。在本實施方式中，層疊厚度為100nm的氮化氧化硅膜和厚度為900nm的氧化氮化硅膜。
在形成第一層間絕緣膜107后，優(yōu)選通過在氮氣氣氛中在300℃～550℃(更優(yōu)選為400℃～500℃)進行熱處理1～12小時，實施氫化被構(gòu)圖的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜104(半導(dǎo)體層)的步驟。在本步驟中，可以通過在第一層間絕緣膜107中包含的氫消除半導(dǎo)體層中的懸掛鍵。在本實施方式中，在410℃進行熱處理一個小時。
然后，如圖2A所示，在第一層間絕緣膜107中形成接觸孔，以使其到達(dá)TFT的源區(qū)和漏區(qū)。接觸孔可以為錐形孔。
形成布線108(電極)，以使其覆蓋接觸孔。布線108用作源極或漏極。通過使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr或Ba等的金屬、其合金或其金屬氮化物，形成布線108。另外，它可以具有其層疊的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，形成厚度為100nm的鈦(Ti)膜、厚度為700nm的鋁硅合金(Al-Si)膜和厚度為200nm的鈦(Ti)膜，并將其構(gòu)圖為希望的形狀。
如圖2B所示，在第一層間絕緣膜107和布線108之上，形成第二層間絕緣膜109。使用通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜作為第二層間絕緣膜109。在本實施方式中，說明的是具有通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)的第二層間絕緣膜，但是，第二層間絕緣膜可以具有包含通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜作為最上層的疊層結(jié)構(gòu)。硅氧烷聚合物優(yōu)選包含苯基。
作為通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜，使用這樣一種涂敷膜，該涂敷膜使用具有由硅(Si)和氧(O)的鍵合構(gòu)成的骨架并包含至少包含氫的有機基團(例如，烷基或芳香族碳?xì)浠衔?作為置換基或包含氟基作為置換基的材料。焙燒后的膜也可被稱為包含烷基的氧化硅(SiOx)膜。包含烷基的氧化硅(SiOx)膜具有較高的光透過性并可以耐受300℃或更高的熱處理。另外，也可以適當(dāng)?shù)貙ρ趸枘?、氮化硅膜、氧化氮化硅膜或氮化氧化硅膜等進行組合。在本實施方式中，通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜被形成為具有1.3μm的厚度。
這里，解釋通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂形成絕緣膜的方法。首先，在用純水清洗后，進行稀釋劑預(yù)濕處理，以改善可濕性。然后，從涂敷裝置在襯底之上涂敷包含在溶劑中溶解具有硅(Si)和氧(O)的鍵的低分子成分(前驅(qū)體)的絕緣材料的組合物。在本實施方式中，涂敷的是包含20％～40％的硅氧烷聚合物并使用3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇作為溶劑的樹脂。然后，可以通過對組合物和襯底一起加熱以促進溶劑的揮發(fā)(蒸發(fā))和低分子成分的交聯(lián)反應(yīng)，得到絕緣膜。然后，去除具有涂敷膜的襯底端面的周邊上的涂敷膜。注意，通過控制旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)數(shù)、旋轉(zhuǎn)時間和作為涂敷材料液的包含絕緣材料的組合物的濃度和粘度，對膜厚進行控制。在本實施方式中，涂敷條件是，在吐出40ml的組合物后，以1000rpm的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)17秒。然后，在涂敷樹脂后實施熱處理，以形成絕緣膜。在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，實施熱處理。優(yōu)選地，氧氣濃度是1％或更低(更優(yōu)選為0.1％或更低)，水濃度為0.1％或更低。通過如本發(fā)明那樣控制熱處理氣氛中的氧氣和水的濃度，可以防止由于熱處理氣氛中包含的氧氣和水與在絕緣膜中包含的有機基團的反應(yīng)，導(dǎo)致的絕緣膜的體積的減少或有機基團具有的應(yīng)力松馳效果的減少。因此，可以形成抑制裂紋產(chǎn)生的良好的絕緣膜。在350℃進行熱處理一個小時。可以在大氣壓力或低壓下在處理室內(nèi)進行焙燒。在本實施方式中，第二層間絕緣膜109在最厚的部分具有1.5μm或更厚的厚度，在最薄的部分具有0.4μm的厚度。最厚部分與布線108的接觸部分或布線108的周邊對應(yīng)，最薄部分與布線108的上部分對應(yīng)。
當(dāng)?shù)诙娱g絕緣膜109的最厚部分具有1.0μm或更厚的厚度時，通過進行隨后的加熱處理等，特別容易產(chǎn)生裂紋。因此當(dāng)如本實施方式的例子中所述那樣最厚部分的厚度是1.0μm或更厚時，應(yīng)用本發(fā)明是十分有效的。
在在第二層間絕緣膜109中形成接觸孔后，形成第一電極110，以使其通過接觸孔與布線108電接觸。對于第一電極110，可以使用包含氧化硅的氧化銦錫(以下稱為“ITSO”)、氧化鋅、氧化錫或氧化銦等。作為替代方案，可以使用2％～20％的氧化鋅(ZnO)與氧化銦混合的氧化銦氧化鋅合金的透明導(dǎo)電膜?？梢允褂蒙鲜鐾该鲗?dǎo)電膜以外的氮化鈦膜和鈦膜。在這種情況下，在形成透明導(dǎo)電膜后，氮化鈦膜或鈦膜被形成為具有可透過光的厚度(優(yōu)選為約5nm～30nm)。在本實施方式中，作為第一電極110形成的ITSO膜具有110nm的厚度。
可以通過CMP方法或用聚乙烯醇的多孔體進行清洗，對第一電極110進行拋光，使得其表面平坦化。并且，可以在通過CMP方法對表面進行拋光后，在第一電極110的表面上進行紫外線照射或氧等離子處理。
在形成第一電極110后，可以實施熱處理。該熱處理可以增加透明導(dǎo)電膜的透光率。因此，可以制成高度可靠的顯示裝置。在本實施方式中，在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中進行形成第一電極110后的熱處理。因此，在通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的第二層間絕緣膜109中，可以抑制由于形成第一電極110后的熱處理導(dǎo)致的裂紋產(chǎn)生。在本實施方式中，在250℃進行形成第一電極110后的熱處理一個小時。
在本實施方式中說明了p溝道型TFT的制造步驟。但是，當(dāng)通過用柵電極作為掩模用給予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)對結(jié)晶性半導(dǎo)體膜104進行摻雜制造n溝道型TFT時，也可以應(yīng)用本發(fā)明。另外，當(dāng)在同一襯底之上制造p溝道型TFT和n溝道型TFT時，也可以應(yīng)用本發(fā)明。
TFT可以具有形成一個溝道形成區(qū)的單柵結(jié)構(gòu)、形成兩個溝道形成區(qū)的雙柵結(jié)構(gòu)或形成三個溝道形成區(qū)的三柵結(jié)構(gòu)。周邊驅(qū)動電路區(qū)中的TFT也可以具有單柵結(jié)構(gòu)、雙柵結(jié)構(gòu)或三柵結(jié)構(gòu)。
不限于本實施方式中所述的TFT的制造方法，本發(fā)明可用于頂柵型(平面型)、底柵型(逆交錯(inversely staggered)型)或具有在溝道區(qū)之上和之下配置的兩個柵極使得柵絕緣膜位于其間的雙柵型等。
使用上述步驟，可以制造具有根據(jù)本發(fā)明制造的通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜的TFT。
(實施方式2)在本實施方式中，說明使用實施方式1中制作的TFT、具有電致發(fā)光元件(以下稱為“EL元件”)的顯示裝置(EL顯示裝置)的制作方法。
在本實施方式中，從第一電極110吸取來自EL元件的光。因此，使用透光膜形成第一電極110。在本實施方式中，如實施方式1那樣使用包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)作為第一電極110。
首先，如圖3所示，形成絕緣膜111(稱為岸構(gòu)件(bank)、隔壁、障壁或隆起等)，以使其覆蓋第一電極110的端部和TFT。
絕緣膜111可以由以下材料形成氧化硅、氮化硅、氧化氮化硅、氧化鋁、氮化鋁或氧化氮化鋁等的無機絕緣材料；丙烯酸、甲基丙烯酸或其衍生物；聚酰亞胺、芳香族聚酰亞胺或聚苯并咪唑等的耐熱高分子材料；包含含有硅、氧和氫并通過使用硅氧烷系材料作為起始材料形成的化合物中的包含Si-O-Si鍵的無機硅氧烷系絕緣材料；或與硅鍵合的氫被甲基或苯基等的有機基團置換的有機硅氧烷系絕緣材料。它可以用丙烯酸或聚酰亞胺等的光敏或非光敏材料形成。在本實施方式中，用光敏聚酰亞胺形成在平坦區(qū)厚度為1.5μm的絕緣膜111。
絕緣膜111優(yōu)選具有諸如曲率半徑連續(xù)變化的形狀，由此提高在絕緣膜111之上形成的電致發(fā)光層112(包含有機化合物的層)和第二電極113的覆蓋性。
為了進一步提高可靠性，優(yōu)選在形成電致發(fā)光層112之前進行熱處理。優(yōu)選通過該熱處理釋放在第一電極110或絕緣膜111中包含或在其上吸附的水分。
一般在氧氣氣氛中進行該熱處理。但是，在本實施方式中，在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，進行該熱處理。通過如本發(fā)明中那樣控制熱處理氣氛中的氧氣和水的濃度，可以防止由于熱處理氣氛中包含的氧氣和水與在絕緣膜中包含的有機基團的反應(yīng)，導(dǎo)致的絕緣膜的體積的減少或有機基團具有的應(yīng)力松馳效果的減少。因此，在通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜中，可以抑制由于熱處理導(dǎo)致的裂紋產(chǎn)生。在本實施方式中，在300℃進行熱處理一個小時。
然后，在第一電極110之上形成電致發(fā)光層112。雖然在圖3中僅示出一個像素，但是在本實施方式中單獨地形成與紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的每一種顏色對應(yīng)的電致發(fā)光層。在本實施方式中，通過使用蒸鍍掩模的蒸鍍方法，選擇性地形成發(fā)射紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的光的各材料，以形成電致發(fā)光層112?？梢酝ㄟ^使用蒸鍍掩模的蒸鍍方法或液滴吐出法，選擇性形成發(fā)射紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的光的各材料。液滴吐出法具有可以不使用掩模而單獨進行RGB的著色的優(yōu)點。在本實施方式中，通過蒸鍍方法形成發(fā)射紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的光的各材料。
注意，在蒸鍍電致發(fā)光材料前，優(yōu)選在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，進行熱處理，以去除水分等。在本實施方式中，在300℃進行熱處理一個小時。
然后，在電致發(fā)光層112之上形成用導(dǎo)電膜形成的第二電極113。對于第二電極113，可以使用具有低功函數(shù)的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，即MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或CaN)。由此，形成包含第一電極110、電致發(fā)光層112和第二電極113的發(fā)光元件。
在圖3中所示的顯示裝置中，來自發(fā)光元件的光透過在絕緣襯底101和第一電極110之間形成的膜，并沿箭頭方向從第一電極110射出。
設(shè)置覆蓋第二電極113的鈍化膜是有效的。鈍化膜可以具有包含氮化硅、氧化硅、氧化氮化硅(SiON)、氮化氧化硅(SiNO)、氮化鋁(AlN)、氧化氮化鋁(AlON)、氮含量比氧含量大的氮化氧化鋁(AlNO)、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)或含氮碳膜(CN)的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。另外，可以使用具有由硅(Si)和氧(O)的鍵構(gòu)成的骨架并包含至少包含氫的有機基團(例如，烷基或芳香族碳?xì)浠衔?作為取代基或包含氟基作為取代基的材料。
在這種情況下，優(yōu)選使用具有良好的覆蓋性的膜作為鈍化膜，并且使用碳膜特別是DLC膜是有效的。由于DLC膜可以在從室溫到100℃的溫度范圍形成，因此可以在具有低耐熱性的電致發(fā)光層112之上容易成膜。DLC膜具有較高的阻擋氧的效果并可以抑制電致發(fā)光層112的氧化。因此，可以防止在后面的密封步驟中的電致發(fā)光層112的氧化的問題。
然后，用密封劑將具有發(fā)光元件的絕緣襯底101固定到密封襯底上，密封發(fā)光元件。由于可以通過密封劑防止水分從斷面進入，因此可以防止發(fā)光元件劣化并可增加顯示裝置的可靠性。注意，可以用填充劑填充被密封劑包圍的區(qū)域，或者通過在氮氣氣氛中進行密封，封入氮氣等。填充劑可以通過以液態(tài)滴下，填充顯示裝置。由于本實施方式中的發(fā)光元件是下面發(fā)射型，因此不需要使用透光填充劑。但是，當(dāng)透過填充劑吸取光時，需要用透光材料形成填充劑。填充劑的一個例子是可見光硬化、紫外線硬化或熱硬化的環(huán)氧樹脂。根據(jù)上述步驟，完成具有發(fā)光元件的顯示裝置。
為了防止元件由于水分而劣化，優(yōu)選在EL顯示面板中設(shè)置干燥劑。在本實施方式中，在密封襯底中形成以包圍像素區(qū)的凹槽中設(shè)置干燥劑，使其不會妨礙薄型化。另外，還通過在與柵布線層對應(yīng)的區(qū)域中設(shè)置干燥劑，擴大吸水面積，由此提高吸水效果。由于在發(fā)光元件的光發(fā)射不直接影響的柵布線層之上形成干燥劑，因此光吸取效率不會降低。
在本實施方式中，說明用玻璃襯底密封發(fā)光元件的情況。密封是用于保護發(fā)光元件使其不受濕氣的影響的工藝，它由以下方法的任一種完成使用覆蓋構(gòu)件的機械方法；使用熱硬性樹脂或紫外線硬化性樹脂的方法；使用金屬氧化物、金屬氮化物等的阻擋性能好的薄膜的方法。覆蓋構(gòu)件可以由玻璃、陶瓷、塑料或金屬形成，但當(dāng)光穿過覆蓋構(gòu)件射出時，覆蓋構(gòu)件需要具有光透過性能。通過熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等的密封劑將覆蓋構(gòu)件固定到具有發(fā)光元件的襯底上，且通過熱處理或紫外線照射處理使樹脂硬化，由此形成密閉空間。在此密閉空間中設(shè)置以氧化鋇為代表的吸濕劑也是有效的?？梢栽诿芊鈩┥匣虿粫恋K來自發(fā)光元件的光的隔壁之上或其周邊，設(shè)置吸濕劑。并且，可以用熱硬化性樹脂或紫外線硬化性樹脂填充覆蓋構(gòu)件和具有發(fā)光元件的襯底之間的空間。在這種情況下，將以氧化鋇為代表的吸濕劑添加到熱硬化性樹脂或紫外線硬化性樹脂中是有效的。
根據(jù)本發(fā)明，可以制成高度可靠的顯示裝置。因此，可以以低成本和高產(chǎn)量制造高精細(xì)和高畫質(zhì)的顯示裝置。
(實施方式3)參照圖6和圖7說明本發(fā)明的另一實施方式。本實施方式說明在實施方式1中制造的顯示裝置中，不形成第二層間絕緣膜109而使用本發(fā)明的例子。因此，省略對相同部分或具有相似的功能的部分進行重復(fù)說明。
由于形成柵電極106以前的步驟與實施方式1中說明的相同，因此說明其后的步驟。
首先，如圖6所示，在柵絕緣膜105和柵電極106之上形成第一層間絕緣膜607。在本實施方式中，第一層間絕緣膜607被形成為具有氮化氧化硅膜和通過焙燒包含硅氧化烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜的兩層結(jié)構(gòu)?？梢允褂醚趸?、氮化硅、氧化氮化硅、氧化鋁、氮化鋁或氧化氮化鋁等的無機絕緣材料的膜，以取代氮化氧化硅膜。
通過在涂敷上述樹脂后進行熱處理，形成通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜?？梢栽诎换顫姎怏w作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中進行該熱處理。優(yōu)選地，氧氣濃度是1％或更低(更優(yōu)選為0.1％)，水濃度為0.1％或更低。通過如本發(fā)明那樣控制熱處理氣氛中的氧氣和水的濃度，可以防止由于熱處理氣氛中包含的氧氣和水與在絕緣膜中包含的有機基團的反應(yīng)，導(dǎo)致的絕緣膜的體積的減少或有機基團具有的應(yīng)力松馳效果的減少。因此，可以形成抑制裂紋產(chǎn)生的良好的絕緣膜?？梢栽诖髿鈮毫虻蛪合略谔幚硎覂?nèi)進行該熱處理。
然后，在第一層間絕緣膜607中形成接觸孔，以到達(dá)TFT的源區(qū)和漏區(qū)。接觸孔可以具有錐形的形狀。
然后，形成布線608(電極)，以使其覆蓋接觸孔。布線608用作源極或漏極。
然后，在形成與TFT的半導(dǎo)體層中的源區(qū)或漏區(qū)連接的布線608后，形成第一電極610，以使其與布線608部分地交疊。
第一電極610用作像素電極，并可以用與實施方式2中的第一電極110相同的材料形成。在本實施方式中，如實施方式2那樣，光穿過第一電極610被吸取。因此，由作為透明導(dǎo)電膜的ITSO形成第一電極610。
然后，形成絕緣膜611，以使其覆蓋第一電極610的端部和TFT?？梢允褂门c實施方式2中說明的絕緣膜111相同的材料形成絕緣膜611，但在本實施方式中，用丙烯酸(acrylic)形成絕緣膜611。
然后，在第一電極610之上形成電致發(fā)光層612，并在其之上層疊第二電極613，由此形成發(fā)光元件。形成鈍化膜，以使其覆蓋第二電極613。最后，通過密封劑將絕緣襯底101固定到密封襯底上。注意，可以用填充劑填充由密封劑包圍的區(qū)域。
圖7中所示的顯示裝置具有布線708與第一電極710連接使得布線708部分地與第一電極710交疊的結(jié)構(gòu)。為了以這種方式進行連接，可以在第一層間絕緣膜707之上形成第一電極710后在第一層間絕緣膜707中形成接觸孔，且布線708可以形成為部分地與第一電極710交疊。由于可以在通過焙燒包含硅氧烷聚合物的樹脂得到的絕緣膜之上形成第一電極710，因此這種結(jié)構(gòu)可以提供良好的覆蓋性和成膜性。并且，具有可以在第一電極710上充分進行CMP等的拋光處理并可形成具有良好的平坦性的第一電極710的優(yōu)點。
根據(jù)本發(fā)明，可以制造高度可靠的顯示裝置。因此，可以以低成本和高產(chǎn)量制造高精細(xì)和高畫質(zhì)的顯示裝置。
(實施方式4)可以通過應(yīng)用本發(fā)明，形成具有發(fā)光元件的顯示裝置。來自發(fā)光元件的光的發(fā)射方法包含以下三類下面發(fā)射型、上面發(fā)射型和兩面發(fā)射型。在實施方式2中，說明了作為單面發(fā)射型的下面發(fā)射型的例子。但在本實施方式中，參照圖4和圖5說明兩面發(fā)射型和作為單面發(fā)射型的上面發(fā)射型的例子。
圖4中所示的顯示裝置是兩面發(fā)射型，它具有光沿箭頭方向穿過具有發(fā)光元件的襯底和密封襯底射出的結(jié)構(gòu)。注意，在本實施方式中，形成透明導(dǎo)電膜，并將其蝕刻成希望的形狀，由此形成第一電極410?？梢酝ㄟ^使用透明導(dǎo)電膜形成第一電極410。可以使用氮化鈦膜或鈦膜，以取代透明導(dǎo)電膜。在這種情況下，在形成透明導(dǎo)電膜后，形成氮化鈦膜或鈦膜，以使其具有可透過光的厚度(優(yōu)選為約5nm～30nm)。在本實施方式中，用ITSO作為第一電極410。
然后，在電致發(fā)光層412之上，設(shè)置由導(dǎo)電膜形成的第二電極413。由于第二電極413被制成為用作陰極，因此可以使用具有低功函數(shù)的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，即MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或CaN)作為第二電極413。在圖4中所示的顯示裝置中，用薄金屬膜(厚度為10nm的MgAg膜)和透明導(dǎo)電膜(厚度為100nm的ITSO膜)的層疊膜形成第二電極413，其形成時的厚度應(yīng)足夠薄，以使其可以透光。
圖5中所示的顯示裝置是單面發(fā)射型并沿箭頭方向向上發(fā)光。在圖4中所示的兩面發(fā)射型顯示裝置中，具有在第一電極410下面設(shè)置反射膜的結(jié)構(gòu)。換句話說，如圖5所示，在反射性金屬膜551之上設(shè)置用作陽極的作為透明導(dǎo)電膜的第一電極510?？梢酝ㄟ^使用Ta、W、Ti、Mo、Al或Cu等形成反射性金屬膜。優(yōu)選使用尤其對于可見光反射性高的材料；在本實施方式中，使用TiN膜。另外，在第二層間絕緣膜109中使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，且第二層間絕緣膜109形成為具有良好的絕緣性和平坦性。因此通過發(fā)光元件的顯示具有高精細(xì)且沒有顯示不均勻性。
在電致發(fā)光層512之上設(shè)置由導(dǎo)電膜形成的第二電極513。由于第二電極513被制成為用作陰極，因此可以使用具有低功函數(shù)的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，即MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或CaN)作為第二電極513。在本實施方式中，第二電極513具有薄金屬膜(厚度為10nm的MgAg膜)和ITSO膜(厚度為100nm)的層疊結(jié)構(gòu)，其形成時的厚度應(yīng)足夠薄，以使其可以透光。
(實施方式5)說明可用于本發(fā)明的發(fā)光元件的方式。在發(fā)光元件中，電致發(fā)光層被夾在第一電極和第二電極之間。在選擇第一電極和第二電極的材料時須考慮其功函數(shù)。第一電極和第二電極中的每一個根據(jù)像素結(jié)構(gòu)可以為陽極或陰極中的任一個。
當(dāng)TFT的極性是p溝道型時，第一電極優(yōu)選為陽極，第二電極優(yōu)選為陰極。當(dāng)TFT的極性是n溝道型時，第一電極優(yōu)選為陰極，第二電極優(yōu)選為陽極。
當(dāng)如圖14A所示第一電極810是陽極801，第二電極830是陰極807時，優(yōu)選通過在第一電極(陽極)810之上依次層疊HIL(孔注入層)802、HTL(孔輸送層)803、EML(發(fā)光層)804、ETL(電子輸送層)805、EIL(電子注入層)806和第二電極(陰極)806，形成電致發(fā)光層820。
當(dāng)如圖14B所示第一電極810是陰極807，第二電極830是陽極801時，優(yōu)選通過在第一電極(陰極)810之上依次層疊EIL(電子注入層)806、ETL(電子輸送層)805、EML(發(fā)光層)804、HTL(孔輸送層)803、HIL(孔注入層)802、和第二電極(陽極)830，形成電致發(fā)光層820。
通過在各像素中形成發(fā)光波長帶不同的發(fā)光層，發(fā)光層可進行彩色顯示。典型地，形成與R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))的各顏色對應(yīng)的發(fā)光層。在這種情況下，通過在像素的發(fā)光側(cè)設(shè)置透過發(fā)光波長帶的光的濾光器，可以增加顏色純度并防止像素部分的鏡面化(眩目)。在像素的發(fā)光側(cè)設(shè)置濾光器可以省略常規(guī)技術(shù)中需要的圓偏振片等并可以消除從發(fā)光層發(fā)射的光的損失。并且，可以減少當(dāng)從斜方向觀察像素部分(顯示屏)時出現(xiàn)的色調(diào)的變化。
作為發(fā)光層，通過使用蒸鍍掩模的蒸鍍方法，單獨地、選擇性地形成發(fā)射R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))的光的材料。也可以通過如濾色器那樣的液滴吐出方法，形成發(fā)射R(紅)、G(綠)和B(藍(lán))的光的材料(低分子或高分子材料等)。由于可以不使用掩模單獨地進行RGB的著色，因此液滴吐出方法是優(yōu)選的。
另外，發(fā)光層可以形成為發(fā)射單色光或白光。在使用白色發(fā)光材料的情況下，可以通過在像素的發(fā)光側(cè)設(shè)置透過具有特定波長的光的濾光器(著色層)，進行彩色顯示。
另外，可以在密封襯底之上形成濾色器(著色層)?？梢酝ㄟ^蒸鍍方法或液滴吐出法形成濾色器。當(dāng)使用濾色器時，也可以進行高精細(xì)顯示。這是因為濾色器可以在RGB的各發(fā)射光譜中將較寬的峰調(diào)整為較尖銳的峰。
以上說明了形成發(fā)射RGB的各光的材料的情況；但是，也可以通過形成發(fā)射單色的光的材料并將該材料與濾色器或顏色轉(zhuǎn)換層組合，進行全色顯示。例如，可以在第二襯底(密封襯底)之上形成濾色器或顏色轉(zhuǎn)換層，然后將其固定到具有發(fā)光元件的襯底上?？梢酝ㄟ^蒸鍍方法或液滴吐出方法形成濾色器。當(dāng)使用濾色器時，濾色器可以在RGB的各發(fā)射光譜中將較寬的峰調(diào)整為較尖銳的峰。因此，可以進行高精細(xì)顯示。
并且，可以使用包含金屬絡(luò)合物等的三重激發(fā)(triplet excitation)材料以及一重激發(fā)(singlet excitation)發(fā)光材料作為發(fā)光層。例如，在發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的像素中，發(fā)射輝度減半時間較短的紅光的像素由三重激發(fā)發(fā)光材料制成，而發(fā)射其它光的像素由一重激發(fā)發(fā)光材料制成。三重激發(fā)發(fā)光材料具有良好的發(fā)光效率和得到相同的輝度消耗較少的電力的特性。當(dāng)使用三重激發(fā)材料作為紅色像素時，僅需向發(fā)光元件施加少量的電流。因此，可以提高可靠性。也可以是，發(fā)射紅光和綠光的像素由三重激發(fā)發(fā)光材料制成，而發(fā)射藍(lán)光的像素由一重激發(fā)發(fā)光材料制成，以實現(xiàn)較低的電力消耗。通過用三重激發(fā)發(fā)光材料形成發(fā)射具有高可見度的綠光的發(fā)光元件，可以實現(xiàn)低電力消耗。
上述用于形成發(fā)光層的材料只是例子。可以通過適當(dāng)層疊孔注入輸送層、孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、發(fā)光層、電子阻擋層、孔阻擋層等的功能性層，形成發(fā)光元件。并且，可以形成這些層的混合層或混合結(jié)合。可以改變發(fā)光層的層結(jié)構(gòu)。只要沒有背離本發(fā)明的范圍，諸如設(shè)置出于此目的的電極或設(shè)置分散的發(fā)光材料的變更是可接受的，以取代設(shè)置特定的電子注入?yún)^(qū)或發(fā)光區(qū)。
上述發(fā)光元件通過被沿向前的方向加偏壓而發(fā)光?？梢酝ㄟ^簡單矩陣模式或有源矩陣模式驅(qū)動由發(fā)光元件形成的顯示裝置的像素。在任一種模式中，各像素被制成為通過在特定的定時對其向前施加偏壓而發(fā)光，且像素在一定的周期處于非發(fā)光狀態(tài)。通過在非發(fā)光時間施加向后的偏壓，可以提高發(fā)光元件的可靠性。在發(fā)光元件中，存在在特定的驅(qū)動條件下發(fā)光強度降低的劣化模式或在像素內(nèi)非發(fā)光區(qū)擴大且輝度明顯降低的劣化模式。但是，通過交替驅(qū)動，可以減緩劣化的進行。由此，可以提高發(fā)光裝置的可靠性。可以將數(shù)字驅(qū)動或模擬驅(qū)動的任一種應(yīng)用于發(fā)光元件。
在上述結(jié)構(gòu)中，可以使用具有低功函數(shù)的材料作為陰極；例如，優(yōu)選Ca、Al、CaF、MgAg或AlLi等。電致發(fā)光層可以是單層型、層疊型和各層之間沒有界面的混合型中的任一種?？梢杂梢恢夭牧?、三重材料、其組合或包含有機化合物或無機化合物的電荷注入輸送材料和發(fā)光材料形成電致發(fā)光層。作為替代方案，電致發(fā)光層可以包含低分子有機化合物、中分子有機化合物(包含低聚物或枝晶體等)和高分子有機化合物的層的一種或多種。電致發(fā)光層可以與電子注入輸送性或孔注入輸送性無機化合物組合。通過使用透光的透明導(dǎo)電膜形成第一電極；例如，使用氧化銦與2wt％～20wt％的氧化鋅(ZnO)混合的透明導(dǎo)電膜以及ITO或ISTO。
根據(jù)本發(fā)明，可以制造高度可靠的顯示裝置。因此，可以以低成本和高產(chǎn)量制造高精細(xì)和高畫質(zhì)的顯示裝置。
本實施方式可以適當(dāng)?shù)嘏c實施方式1～4中的任何一種組合。
(實施方式6)在本實施方式中，說明應(yīng)用本發(fā)明的薄膜集成電路的制造方法。
首先，如圖8A所示在襯底200之上形成剝離層201?？梢允褂美玟^-硼硅酸鹽玻璃、鋁-硼硅酸鹽玻璃等的玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等作為襯底200。并且，也可以使用包含不銹鋼的金屬襯底和其表面上具有絕緣膜的半導(dǎo)體襯底。雖然由諸如塑料的具有撓性的合成樹脂制成的襯底一般具有比上述襯底耐熱性低的傾向，但只要可以耐受制造步驟中的處理溫度，就可以被用作襯底200?？梢酝ㄟ^CMP方法等進行拋光，使襯底200的表面平坦化。注意，在本實施方式中，使用石英襯底作為襯底200。
可以使用包含金屬的膜作為剝離層201。特別地，可以用包含鎢(W)、鉬(Mo)、鈮(Nb)或鈦(Ti)中的任一種的膜形成剝離層201。并且，可以在金屬膜上形成金屬膜的氧化物。具體而言，可以在W上形成包含WOx的膜；在Mo上形成包含MoOx的膜；在Nb上形成包含NbOx的膜；在Ti上形成包含TiOx的膜等等(x＝2，3)?？梢允褂肅VD方法以及濺射方法形成剝離層。剝離層可以被形成為具有30nm～1μm的厚度，優(yōu)選具有30nm～50nm的厚度。在本實施方式中，使用包含W的金屬膜作為剝離層201。
然后，如圖8B所示，在剝離層201之上的要設(shè)置薄膜集成電路的區(qū)域中選擇性地形成絕緣膜。絕緣膜可以形成為具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，它形成為具有第一絕緣膜202和第二絕緣膜203的層疊結(jié)構(gòu)。例如，分別使用氧化硅膜和氧化氮化硅膜作為第一絕緣膜和第二絕緣膜。作為替代方案，絕緣膜可以具有以下三層的層疊結(jié)構(gòu)作為第一絕緣膜的氧化硅膜，作為第二絕緣膜的氮化氧化硅膜，作為第三絕緣膜的氧化氮化硅膜。在通過使用物理手段在以下步驟中實施剝離的情況下，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與剝離層201直接接觸的第一絕緣膜202。
然后，如圖8C所示，在絕緣膜203之上形成薄膜晶體管。薄膜晶體管包含被構(gòu)圖為希望的形狀的半導(dǎo)體膜211和212，用作柵絕緣膜的絕緣膜213、柵電極214和215。
半導(dǎo)體膜211和212可以具有非晶態(tài)、非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)混合的半非晶態(tài)、可以在非晶態(tài)半導(dǎo)體中觀察到0.5～20nm的晶粒的微晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)中的任一條件。
并且，通過使得構(gòu)圖的半導(dǎo)體膜在薄膜集成電路中所占的面積比為1％～30％，可以防止由于彎曲應(yīng)力導(dǎo)致的薄膜晶體管的損傷或剝離。
柵絕緣膜213被形成為覆蓋半導(dǎo)體膜211和212。柵絕緣膜213可以為氧化硅、氮化硅或氮化氧化硅等的單層，或可通過層疊其多個膜而形成?？梢允褂玫入x子CVD方法或濺射方法等，以形成柵絕緣膜213。這里，通過濺射方法用厚度為30～200nm的包含硅的絕緣膜形成柵絕緣膜213。
可以通過在絕緣膜213之上形成第一導(dǎo)電層、在其上形成第二導(dǎo)電層，并對第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層進行構(gòu)圖，形成柵電極214和215。在本實施方式中，使用氮化鉭(TaN)作為第一導(dǎo)電層，使用鎢(W)作為第二導(dǎo)電層?？梢酝ㄟ^濺射方法同時形成TaN膜和W膜。可以通過在氮氣氣氛中使用鉭的鈀材，形成TaN膜?？梢酝ㄟ^使用鎢的鈀材，形成W膜。
在本實施方式中，由TaN形成第一導(dǎo)電層，由W形成第二導(dǎo)電層。但不限于此，可以通過使用選自Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中的一種元素或以該元素為主要成分的合金材料或化合物材料，形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。作為替代方案，可以使用用磷等雜質(zhì)元素?fù)诫s的以多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜。也可以使用AgPdCu合金。也可以適當(dāng)?shù)剡x擇其組合。第一導(dǎo)電層可以被形成為具有20～100nm的厚度。第二導(dǎo)電層可以被形成為具有100～400nm的厚度。在本實施方式中，柵電極中的每一個被形成為具有兩個層的層疊結(jié)構(gòu)。作為替代方案，它們中的每一個可以具有單層結(jié)構(gòu)或三個層或更多個層的層疊結(jié)構(gòu)。
然后，通過使用形成和構(gòu)圖的柵電極或光刻膠作為掩模，選擇性地向半導(dǎo)體膜211和212中添加給予n型或p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)。半導(dǎo)體膜211和212的每一個具有溝道形成區(qū)和雜質(zhì)區(qū)(除了源區(qū)和漏區(qū)外，還包含GOLD區(qū)或LDD區(qū))，并可以根據(jù)添加的雜質(zhì)元素的導(dǎo)電性，區(qū)分n溝道型TFT204或p溝道型TFT205。
在圖8C中，n溝道型TFT204在柵電極214一側(cè)具有側(cè)壁，并且，在半導(dǎo)體膜211中形成選擇性添加給予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)的源區(qū)、漏區(qū)和LDD區(qū)。在p溝道型TFT205的半導(dǎo)體膜212中，形成選擇性添加給予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)。這里，示出的是在柵電極214和215一側(cè)形成側(cè)壁且在n溝道型TFT204中選擇性地形成LDD區(qū)的結(jié)構(gòu)；但是，本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)?？梢栽趐溝道型TFT205中形成LDD區(qū)，或可以在p溝道型TFT205中不形成側(cè)壁。
作為替代方案，可以形成n溝道型TFT204補充性地與p溝道型TFT205組合的CMOS結(jié)構(gòu)。注意，可以通過事先用給予一種導(dǎo)電性的雜質(zhì)對位于柵電極下面的半導(dǎo)體膜的溝道區(qū)進行摻雜，控制TFT的閾值。例如，在n溝道型TFT204中，用硼等賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)對半導(dǎo)體膜211進行摻雜。
然后，如圖8D所示，形成層間絕緣膜206。在本實施方式中，為了應(yīng)用本發(fā)明，使用包含在溶劑中溶解包含硅氧烷聚合物的樹脂的絕緣材料的組合物作為形成層間絕緣膜206的材料，并用涂敷裝置涂敷該組合物。
然后，可以通過將組合物和襯底一起加熱以促進溶劑的揮發(fā)(蒸發(fā))和低分子成分的交聯(lián)反應(yīng)，得到絕緣膜。注意，通過控制旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)數(shù)、旋轉(zhuǎn)時間和作為涂敷材料液的包含絕緣材料的組合物的濃度和粘度，對絕緣膜的厚度進行控制。然后，在涂敷樹脂后實施熱處理，以形成絕緣膜。在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，實施該熱處理。優(yōu)選地，氧氣濃度是1％或更低(更優(yōu)選為0.1％或更低)，水濃度為0.1％或更低。通過如本發(fā)明那樣控制熱處理氣氛中的氧氣和水的濃度，可以防止由于熱處理氣氛中包含的氧氣和水與在絕緣膜中包含的有機基團的反應(yīng)，導(dǎo)致的絕緣膜的體積的減少或有機基團具有的應(yīng)力松馳效果的減少。因此，可以形成抑制裂紋產(chǎn)生的良好的絕緣膜?？梢栽诖髿鈮毫虻蛪合略谔幚硎覂?nèi)進行焙燒。
使用上述材料，即使厚度較厚，也可以抑制裂紋產(chǎn)生；因此，可以得到足夠的絕緣性和平坦性的層間絕緣膜。并且，上述材料高度耐熱；因此，可以得到可耐受多層布線中的回流處理的層間絕緣膜。并且，由于材料的吸濕性較低，因此可以形成脫水量較少的層間絕緣膜。
另外，可以在形成層間絕緣膜206前形成第一鈍化膜。形成包含硅的厚度為100～200nm的絕緣膜作為鈍化膜?？梢允褂玫入x子體CVD方法或濺射方法，以形成鈍化膜。作為替代方案，可以使用由SiH4、N2O和H2形成的氧化氮化氫化硅(silicon oxynitride hydride)膜作為鈍化膜。自然，鈍化膜可以被形成為具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。
并且，可以在形成層間絕緣膜206后形成氮化氧化硅膜等的第二鈍化膜。第二鈍化膜可以被形成為具有約10～200nm的厚度，這樣可以抑制水分進出層間絕緣膜206。作為替代方案，可以使用氮化硅膜、氮化鋁膜、氧化氮化鋁膜、類金剛石碳(DLC)膜或氮化碳(CN)膜作為第二鈍化膜。
然后，蝕刻層間絕緣膜206，以形成到達(dá)源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔。然后，形成分別與各源區(qū)和漏區(qū)電連接的布線207a～207c。布線207a～207c的每一個可以具有選自Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au和Mn的一種元素或包含多種元素的合金的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。這里，優(yōu)選用包含Al的金屬膜形成布線207a～207c。在本實施方式中，對Ti膜和包含Al和Ti的合金膜的層疊膜進行構(gòu)圖，以形成布線207a～207c。自然，布線不限于兩層結(jié)構(gòu)，它可以具有單層結(jié)構(gòu)或三層或更多層的層疊結(jié)構(gòu)。并且，布線的材料不限于Al和Ti的層疊膜。例如，可以對在TaN膜之上形成Al膜或Cu膜并進一步在其上形成Ti膜的層疊膜進行構(gòu)圖，以形成布線207a～207c。
然后，形成絕緣膜208，以使其覆蓋布線207a～207c。可以使用諸如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧化氮化硅(SiOxNy)(x＞y＞0)膜或氮化氧化硅(SiNxOy)(x＞y＞0)膜的包含氧或氮的絕緣膜作為絕緣膜208。典型地，優(yōu)選使用氮化氧化硅(SiNxOy)膜。作為替代方案，可以使用樹脂膜。
然后，如圖9A所示，在絕緣膜208之上形成保護膜209。在本實施方式中，為了應(yīng)用本發(fā)明，涂敷包含在溶劑中溶解包含硅氧烷聚合物的樹脂的絕緣材料的組合物，以形成保護膜209。
可以通過將組合物和襯底一起加熱以促進溶劑的揮發(fā)(蒸發(fā))和低分子成分的交聯(lián)反應(yīng)，形成用作保護膜209的絕緣膜。注意，通過控制旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)數(shù)、旋轉(zhuǎn)時間和作為涂敷材料液的包含絕緣材料的組合物的濃度和粘度，對絕緣膜的厚度進行控制。然后，在涂敷樹脂后實施熱處理，以形成絕緣膜。在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，實施該熱處理。優(yōu)選地，氧氣濃度是1％或更低(更優(yōu)選為0.1％或更低)，水濃度為0.1％或更低。通過如本發(fā)明那樣控制熱處理氣氛中的氧氣和水的濃度，可以防止由于熱處理氣氛中包含的氧氣和水與在絕緣膜中包含的有機基團的反應(yīng)導(dǎo)致的絕緣膜的體積的減少或有機基團具有的應(yīng)力松弛效果的減少。因此，可以形成抑制裂紋產(chǎn)生的良好的絕緣膜?？梢栽诖髿鈮毫虻蛪合略谔幚硎覂?nèi)進行焙燒。
通過設(shè)置保護膜209，可以防止TFT層240在被從襯底200上剝離時出現(xiàn)翹曲。在本實施方式中，TFT層240是指在開口中暴露其側(cè)面的第一絕緣膜202、第二絕緣膜203、絕緣膜213(柵絕緣膜)、層間絕緣膜206和絕緣膜208。
然后，完全去除剝離層201。在本實施方式中，通過其與蝕刻劑的化學(xué)反應(yīng)，去除剝離層。通過引入作為蝕刻劑的包含鹵族元素氟化物的氣體或液體，去除剝離層。這里，通過在以下條件下使用配有降壓手段、增壓手段和控溫手段的裝置，去除剝離層蝕刻劑，ClF3(三氟化氯)；溫度，室溫至150℃；流量，50sccm；壓力，9Torr。但是，條件不限于此。該裝置具有可以處理多個襯底200的鐘形罩。通過氣體導(dǎo)入管引入ClF3氣體，并通過排放管排出不需要的氣體。并且，可以在裝置的側(cè)面上設(shè)置諸如加熱器的加熱手段。
這里，如圖9A所示，將包含鹵族元素氟化物的氣體或液體引入開口中。當(dāng)通過加熱手段使處理溫度為100℃～300℃時，可以加快反應(yīng)速度。結(jié)果，可以減少ClF3氣體的消耗，并可以縮短處理時間。
設(shè)定蝕刻劑、氣體流量、溫度等，使得TFT層240的各層不被蝕刻。由于本實施方式中使用的ClF3氣體具有選擇性地蝕刻W的特性，因此它可以選擇性地去除作為剝離層的W。因此，使用由包含W的金屬膜形成的層作為剝離層，并使用包含氧或氮的絕緣膜作為基底膜。由于剝離層和基底膜之間的反應(yīng)速度的差較大，這意味著選擇比高，因此可以容易地在保護TFT層240的同時去除剝離層。在本實施方式中，由于在TFT層240的上下設(shè)置的絕緣膜，露出在側(cè)面的層間絕緣膜、柵絕緣膜、布線等的端部，TFT層240沒有被ClF3蝕刻。
注意，可以在200℃或更高的溫度下，通過氯與氟的反應(yīng)，經(jīng)過的過程，產(chǎn)生ClF3。根據(jù)反應(yīng)空間的溫度，ClF3(沸點11.75℃)在某些情況下為液態(tài)。在這種情況下，也可以使用包含鹵族元素氟化物的液體，進行濕蝕刻。
可以使用ClF3等與氮氣混合的氣體作為另一種包含鹵族元素氟化物的氣體。
蝕刻劑不限于ClF3或鹵族元素氟化物，只要它蝕刻剝離層但不蝕刻基底膜。例如，可以使用CF4、SF6、NF3或F2等的包含氟的等離子氣體?？梢允褂盟募谆@(TMAH)等的強堿溶液作為另一種蝕刻劑。
只要在用包含ClF3等的鹵族元素氟化物的氣體化學(xué)去除剝離層的情況下，使用被選擇性地蝕刻的材料作為剝離層，使用不被蝕刻的材料作為基底膜，剝離層和基底膜的組合不限于上述材料。
然后，在去除剝離層201后，使襯底200剝離。在完全去除剝離層201的情況下，如圖9B所示，可以不使用物理手段而將襯底200和TFT層240分開。
另一方面，參照圖10A～10C說明不完全去除剝離層時將TFT層240和襯底200分開的方法。
在圖10A中，在與直到圖9A中所示的步驟類似的形成后，將蝕刻劑引入開口中，并在不完全去除剝離層201的情況下保留剝離層221的一部分。可以通過調(diào)整蝕刻劑流量和反應(yīng)時間，控制保留多少剝離層201。
然后，如圖10B所示，在保護膜209之上設(shè)置輔助襯底222。作為輔助襯底222，可以使用石英襯底或撓性襯底。當(dāng)使用撓性襯底時，可用在一個表面上具有粘接劑的撓性膜將其固定到保護膜209上。在這種情況下，可以使用熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、環(huán)氧或丙烯酸樹脂或樹脂添加劑等的粘接劑或膠帶(tape)作為用于將輔助襯底222固定在保護膜209上的粘接劑。
然后，如圖10C所示，通過使用輔助襯底221，從襯底200物理剝離TFT層240。通過以上步驟，可從襯底200剝離TFT層240。由于通過使用這種方法可以在不完全去除剝離層的情況下從襯底剝離TFT層240，因此可以縮短剝離步驟的處理時間。另外，可以以與剝離前相同的規(guī)則配置的狀態(tài)得到剝離后的TFT層240。換句話說，由于在不完全去除剝離層201的情況下進行剝離，因此可以以與剝離前相同的配置狀態(tài)得到固定到輔助襯底221上的TFT層240。因此，在后面的步驟中也可以縮短處理時間。
由于從襯底200剝離的TFT層240具有增強用的保護膜209，因此可以將其直接安裝到物品上，或可以與TFT層240單獨轉(zhuǎn)移到的轉(zhuǎn)移襯底一起安裝。參照圖11A～11C說明將TFT層240單獨轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移襯底的情況。
如圖11A所示，將剝離的TFT層240固定到轉(zhuǎn)移襯底223上。作為轉(zhuǎn)移襯底223，優(yōu)選使用撓性襯底?？梢允褂糜梢跃蹖Ρ蕉姿嵋叶?PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚砜(PES)為代表的塑料或丙烯酸等的合成樹脂制成的襯底作為撓性襯底。當(dāng)TFT層240在強度上存在問題時，優(yōu)選使用具有環(huán)氧樹脂等的有機樹脂的轉(zhuǎn)移襯底223。
然后，剝離輔助襯底222，并通過切片(dicing)、劃線(scribing)或激光切割方法選擇性地切割轉(zhuǎn)移襯底223(見圖11B)，由此使薄膜集成電路相互分開(見圖11C)。在本實施方式中，通過使用被玻璃襯底吸收的CO2激光切割薄膜集成電路?？梢栽赥FT層240的側(cè)面等的周圍設(shè)置環(huán)氧樹脂等的有機樹脂，以用于增強。結(jié)果，可以從外部保護TFT層240，可以提高機械強度。
可以對剝離的襯底220進行再利用。因此，在使用襯底的薄膜集成電路的制造過程中，可以實現(xiàn)成本降低。例如，石英襯底具有平坦性良好、耐熱性較高等的優(yōu)點；但它具有高成本的問題。但是，通過對襯底進行再利用，即使在使用成本比玻璃襯底高的石英襯底的情況下，也可以實現(xiàn)成本降低。
(實施方式7)在本實施方式中，說明當(dāng)將具有半導(dǎo)體元件的襯底固定到透明密封襯底上并且襯底的任一個或兩個具有用于保持襯底之間的距離恒定的柱狀或壁狀結(jié)構(gòu)(隔板)時應(yīng)用本發(fā)明的例子。
在圖15A和圖15B中示出與由本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置的一個方面對應(yīng)的液晶顯示面板。圖15A表示第一襯底1600和第二襯底1604之間的間隙被第一密封材料1605和第二密封材料1606密封的面板的頂視圖。并且，圖15B與沿圖15A中的A-A′和B-B′切取的斷面對應(yīng)。
在圖15A中，1601表示信號線(柵極線)驅(qū)動電路，1602表示像素部分，1603表示掃描線驅(qū)動電路。并且，在被第一密封材料1605和第二密封材料1606密封的區(qū)域內(nèi)設(shè)置像素部分1602和掃描線驅(qū)動電路1603。
在第一襯底1600和第二襯底1604之間填充液晶材料1619。為了保持封閉的空間之間的間隙，在第一密封材料1605和第二密封材料1606中包含間隙材料。
下面，參照圖15B說明斷面結(jié)構(gòu)。由于在第一襯底1600之上形成像素部分1602和掃描線驅(qū)動電路1603，因此可以減少顯示裝置的面積。并且，像素部分1602和掃描線驅(qū)動電路1603包含多個以薄膜晶體管為代表的半導(dǎo)體元件。例如，在掃描線驅(qū)動電路1603中形成n溝道型TFT1612和p溝道型TFT1613組合的CMOS電路。并且，在第二襯底1604的表面之上設(shè)置濾色器1621。
在像素部分1601中形成多個像素，且在各像素中形成液晶元件1615。液晶元件1615是指第一電極1616與第二電極1618交疊使得其間具有液晶材料1619的部分。第一電極1616通過布線1617與像素驅(qū)動TFT1611電連接。雖然在本實施方式中在形成布線1617后形成第一電極1616，但可以在形成第一電極1616后形成布線1617。在第二襯底1604側(cè)形成用于液晶元件1615的第二電極1618。并且，分別在第一電極1616和第二電極1618上形成取向膜1630和1631。
雖然附圖中未示出，但通過粘接劑在第一襯底1600和第二襯底1604的一個側(cè)面或兩個側(cè)面上固定偏振片。注意，可以使用配有延遲膜的環(huán)形偏振片或橢圓形偏振片作為偏振片。
附圖標(biāo)記1622表示用于保持第一電極1616和第二電極1618之間的間隙(單元間隙)的柱狀或壁狀結(jié)構(gòu)(隔板)。通過將絕緣膜蝕刻為希望的形狀，形成隔板1622。通過連接布線1623從撓性印刷電路(FPC)1609供給向信號線驅(qū)動電路1601或像素部分1602發(fā)送的各種信號或電位。注意，通過各向異性導(dǎo)電膜或各向異性導(dǎo)電樹脂1627使FPC1609和連接布線1623相互電連接?？梢杂煤噶系鹊膶?dǎo)電糊劑代替各向異性導(dǎo)電膜或各向異性導(dǎo)電樹脂1627。說明用本發(fā)明設(shè)置隔板1622的方法。
首先，通過使用涂敷裝置在襯底之上涂敷包含在溶劑中溶解包含硅氧烷聚合物的樹脂的絕緣材料的組合物，作為用于形成柱狀或壁狀結(jié)構(gòu)(隔板)1622的材料?？梢詫⒔M合物涂敷到具有半導(dǎo)體元件的襯底或相對的密封襯底中的任一個上。作為替代方案，可以將其涂敷到兩個襯底上。
然后，可以通過將組合物和襯底一起加熱以促進溶劑的揮發(fā)(蒸發(fā))和低分子成分的交聯(lián)反應(yīng)，得到絕緣膜。注意，通過控制旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)數(shù)、旋轉(zhuǎn)時間和作為涂敷材料液的包含絕緣材料的組合物的濃度和粘度，對絕緣膜的厚度進行控制。然后，在涂敷樹脂后實施熱處理，以形成絕緣膜。在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中，實施該熱處理。優(yōu)選地，氧氣濃度是1％或更低(更優(yōu)選為0.1％或更低)，水濃度為0.1％或更低。通過如本發(fā)明那樣控制熱處理氣氛中的氧氣和水的濃度，可以防止由于熱處理氣氛中包含的氧氣和水與在絕緣膜中包含的有機基團的反應(yīng)，導(dǎo)致的絕緣膜的體積的減少或有機基團具有的應(yīng)力松馳效果的減少。因此，可以形成抑制裂紋產(chǎn)生的良好的絕緣膜。在350的溫度下熱處理一個小時?？梢栽诖髿鈮毫虻蛪合略谔幚硎覂?nèi)進行焙燒。
最后，將絕緣膜構(gòu)圖為希望的形狀，由此形成柱狀或壁狀結(jié)構(gòu)(隔板)1622。
如本實施方式中所述，當(dāng)在襯底之上涂敷包含在溶劑中溶解包含硅氧烷聚合物的樹脂的絕緣材料的組合物并然后將其加熱時，通過應(yīng)用本發(fā)明，可以得到抑制裂紋產(chǎn)生的柱狀或壁狀結(jié)構(gòu)(隔板)1622。
(實施方式8)作為使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置的電子裝置，可以舉出下列例子電視機、照相機(視頻攝像機或數(shù)字照相機等)、護目鏡(goggle)型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻重放裝置(汽車聲響或音頻部件等)計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動式計算機、手機、便攜式游戲機或電子書籍等)、包含記錄介質(zhì)的圖像重放裝置(具體地，指可以處理DVD和藍(lán)光光盤(Blue-ray disc)等的記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)并具有可以顯示其圖像的顯示器的裝置)和分別具有其它顯示部分的電子裝置。這些電子裝置的實例如圖12A～13G所示。
圖12A表示電視機，該電視機包含外殼2001、顯示部分2002、揚聲器部分2003和視頻輸入端子2004等?？梢酝ㄟ^在顯示部分2002等中使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造電視機。
圖12B表示具有大尺寸(20英寸或更大)顯示部分的電視機，該電視機包含外殼2011、顯示部分2012、揚聲器部分2013、和作為操作部分的鍵盤2014等。將本發(fā)明用于制造顯示部分2012。由于使用可彎曲的材料用于顯示部分2012，因此電視機具有彎曲的顯示部分。如上所述，可以自由設(shè)計顯示部分的形狀；因此，可以制造具有希望的形狀的電視機。
根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的電視機。
自然，本發(fā)明不限于電視機，也可以將其應(yīng)用于車站、機場等中的信息顯示板或街道中的廣告顯示牌以及個人計算機的監(jiān)視器等的大面積顯示介質(zhì)。
圖13A表示數(shù)字照相機，該數(shù)字照相機包含機身2101、顯示部分2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接端口2105和快門2106等?？梢栽陲@示部分2102、顯示部分2102以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造數(shù)字照相機。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的數(shù)字照相機。
圖13B表示計算機，該計算機包括機身2201、外殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口2205、點擊鼠標(biāo)(pointingmouse)2206等?？梢栽陲@示部分2203、顯示部分2203以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造計算機。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的計算機。
圖13C表示移動式計算機，該移動式計算機包括機身2301、顯示部分2302、開關(guān)2303、操作鍵2304、紅外端口2305等?？梢栽陲@示部分2302、顯示部分2402以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造移動式計算機。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的移動式計算機。
圖13D表示具有記錄介質(zhì)的便攜式圖像重放裝置(DVD重放裝置等)，該便攜式圖像重放裝置包括機身2401、外殼2402、顯示部分A2403、顯示部分B2404、記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A2403主要顯示圖像信息，顯示部分B2404主要顯示字符信息?？梢栽陲@示部分A2403、顯示部分B2404、顯示部分2403和2404以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造圖像重放裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的圖像重放裝置。
圖13E表示護目鏡型顯示器，該護目鏡型顯示器包括機身2501、顯示部分2502、支架部分2503等。可以在顯示部分2502、顯示部分2502以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造護目鏡型顯示器。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的護目鏡型顯示器。
圖13F表示視頻攝像機，該視頻攝像機包括機身2601、顯示部分2602、外殼2603、外部連接端口2604、遙控接收部分2605、圖像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、操作鍵2609、目鏡部分2610等?？梢栽陲@示部分2602、顯示部分2602以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造視頻攝像機。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的視頻攝像機。
圖13G表示手機，該手機包括機身2701、外殼2702、顯示部分2703、音頻輸入部分2704、音頻輸出部分2705、操作鍵2706、外部連接端口2707、天線2708等?？梢栽陲@示部分2703、顯示部分2703以外的電路等中，通過使用根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體裝置制造手機。根據(jù)本發(fā)明，可以形成具有較高的平坦性且由于裂紋得到抑制而具有較高的可靠性的絕緣膜。因此，可以以高產(chǎn)量制造高性能和高可靠性的手機。
注意，除了上述電子裝置外，還可以將半導(dǎo)體裝置用于前端(front)或后端(rear)型投影儀。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍非常寬，以至于可被應(yīng)用于各種領(lǐng)域中的電子裝置中。
本發(fā)明基于在2004年9月29日在日本專利局提交的日本專利申請No.2004-284952，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在襯底之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；和在包含不活潑氣體的氣氛中加熱所述樹脂，其特征在于，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包含半導(dǎo)體層、柵絕緣膜和柵電極；在所述柵絕緣膜和所述柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在所述第一層間絕緣膜之上形成布線，其中，所述布線通過所述第一接觸孔與所述半導(dǎo)體層電連接；在所述第一層間絕緣膜和所述布線之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；在包含不活潑氣體的氣氛中加熱所述樹脂，以形成第二層間絕緣膜，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；在所述第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；和在所述第二層間絕緣膜之上形成電極，其中，所述電極通過所述第二接觸孔與所述布線電接連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從所述絕緣襯底到所述布線或所述第一層間絕緣膜的上表面的厚度的最厚部分和最薄部分的差是300nm或更大。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二層間絕緣膜的最厚部分具有1.0μm或更大的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體膜；使所述非晶態(tài)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化；通過對所述結(jié)晶性半導(dǎo)體膜進行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜之上形成柵電極；通過在所述半導(dǎo)體層中摻雜雜質(zhì)，形成第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；在所述柵絕緣膜和所述柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在所述第一層間絕緣膜之上形成布線，其中，所述布線通過所述第一接觸孔與所述第一雜質(zhì)區(qū)電連接；在所述第一層間絕緣膜和所述布線之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；在包含不活潑氣體的氣氛中加熱所述樹脂，以形成第二層間絕緣膜，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；在所述第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；和在所述第二層間絕緣膜之上形成電極，其中，所述電極通過所述第二接觸孔與所述布線電接連。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從所述絕緣襯底到所述布線或所述第一層間絕緣膜的上表面的厚度的最厚部分和最薄部分的差是300nm或更大。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二層間絕緣膜的最厚部分具有1.0μm或更大的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
20.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包含半導(dǎo)體層、柵絕緣膜和柵電極；在所述柵絕緣膜和所述柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在所述第一層間絕緣膜之上形成布線，其中，所述布線通過所述第一接觸孔與所述半導(dǎo)體層電連接；在所述第一層間絕緣膜和所述布線之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；在包含不活潑氣體的氣氛中第一次加熱所述樹脂，以形成第二層間絕緣膜，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；在所述第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；在所述第二層間絕緣膜之上形成電極，其中，所述電極通過所述第二接觸孔與所述布線電接連；和在包含不活潑氣體的氣氛中第二次加熱所述樹脂，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從所述絕緣襯底到所述布線或所述第一層間絕緣膜的上表面的厚度的最厚部分和最薄部分的差是300nm或更大。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二層間絕緣膜的最厚部分具有1.0μm或更大的厚度。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
24.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
25.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
26.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
27.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包含半導(dǎo)體層、柵絕緣膜和柵電極；在所述柵絕緣膜和所述柵電極之上形成第一層間絕緣膜；在所述第一層間絕緣膜中形成第一接觸孔；在所述第一層間絕緣膜之上形成布線，其中，所述布線通過所述第一接觸孔與所述半導(dǎo)體層電連接；在所述第一層間絕緣膜和所述布線之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；在包含不活潑氣體的氣氛中第一次加熱所述樹脂，以形成第二層間絕緣膜，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；在所述第二層間絕緣膜中形成第二接觸孔；在所述第二層間絕緣膜之上形成第一電極，其中，所述第一電極通過所述第二接觸孔與所述布線電接連；在包含不活潑氣體的氣氛中第二次加熱所述樹脂，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；形成絕緣膜，以覆蓋所述第一電極的一部分；在包含不活潑氣體的氣氛中第三次加熱所述樹脂，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；形成電致發(fā)光層，以覆蓋所述第一電極的沒有被所述絕緣膜覆蓋的區(qū)域；和在所述電致發(fā)光層之上形成第二電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從所述絕緣襯底到所述布線或所述第一層間絕緣膜的上表面的厚度的最厚部分和最薄部分的差是300nm或更大。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二層間絕緣膜的最厚部分具有1.0μm或更大的厚度。
30.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
31.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
32.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
33.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
34.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體膜；使所述非晶態(tài)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化；通過對所述結(jié)晶性半導(dǎo)體膜進行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜之上形成柵電極；通過在所述半導(dǎo)體層中摻雜雜質(zhì)，形成第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；在所述柵絕緣膜和所述柵電極之上形成無機絕緣材料；在所述無機絕緣材料之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；在包含不活潑氣體的氣氛中加熱所述樹脂，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；在所述無機絕緣材料和所述樹脂中形成接觸孔；和在所述無機絕緣材料和所述樹脂之上形成布線，其中，所述布線通過所述接觸孔與所述第一雜質(zhì)區(qū)電連接。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
36.根據(jù)權(quán)利要求34的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
37.根據(jù)權(quán)利要求34的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
38.根據(jù)權(quán)利要求34的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
39.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣襯底之上形成基底膜；在所述基底膜之上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體膜；使所述非晶態(tài)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化；通過對所述結(jié)晶性半導(dǎo)體膜進行構(gòu)圖，形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層之上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜之上形成柵電極；通過在所述半導(dǎo)體層中摻雜雜質(zhì)，形成第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；在所述柵絕緣膜和所述柵電極之上形成無機絕緣材料；在所述無機絕緣材料之上形成包含硅氧烷聚合物的樹脂；在包含不活潑氣體的氣氛中加熱所述樹脂，其中，所述氣氛具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度；在所述無機絕緣材料和所述樹脂中形成接觸孔；在所述無機絕緣材料和所述樹脂之上形成布線，其中，所述布線通過所述接觸孔與所述第一雜質(zhì)區(qū)電連接；和形成與所述布線的一部分交疊的電極。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述包含硅氧烷聚合物的樹脂包含甲基和苯基。
41.根據(jù)權(quán)利要求39的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述不活潑氣體包含氮氣。
42.根據(jù)權(quán)利要求39的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是EL顯示裝置。
43.根據(jù)權(quán)利要求39的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是數(shù)字照相機、計算機、圖像重放裝置、護目鏡型顯示器、視頻攝像機、電視機和手機。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。目的在于形成具有絕緣性和平坦性的絕緣膜。通過在包含不活潑氣體作為其主要成分并具有5％或更低的氧氣濃度和1％或更低的水濃度的氣氛中對涂敷后的包含硅氧烷聚合物的樹脂進行加熱處理，形成絕緣膜。優(yōu)選地，氧氣濃度是1％或更低，水濃度為0.1％或更低。包含硅氧烷的樹脂包含甲基和苯基。而且，不活潑氣體是氮氣。
文檔編號H01L21/768GK1770405SQ200510107058
公開日2006年5月10日 申請日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月29日
發(fā)明者大谷久, 森谷幸司, 坂倉真之, 大沼英人 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所