專利名稱：發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝的結(jié)構(gòu)及其構(gòu)裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管的構(gòu)裝，特別是有關(guān)一種發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝(wafer-level chip scale packaging，WL-CSP)，用以加強(qiáng)其導(dǎo)熱效率。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種能把電能直接轉(zhuǎn)換成光能的發(fā)光元件，其發(fā)光原理與傳統(tǒng)光源不同，具有工作電壓低、耗電量小、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，再加上重量輕、成本低和可大量生產(chǎn)等特性，廣泛地應(yīng)用在電子、通訊和消費(fèi)性電子產(chǎn)品等各種領(lǐng)域，已成為日常生活不可或缺的重要元件。
傳統(tǒng)半導(dǎo)體構(gòu)裝(packaging)材料主要的功能，在避免芯片和內(nèi)部導(dǎo)體受到物理的、化學(xué)的損壞，以達(dá)到對整個(gè)半導(dǎo)體元件或電路保護(hù)的作用。隨著半導(dǎo)體構(gòu)裝技術(shù)的演進(jìn)，半導(dǎo)體構(gòu)裝材料也從過去單純的保護(hù)芯片的需求，演進(jìn)到提高半導(dǎo)體電性功能及更高可信賴性(reliability)要求的重要一環(huán)。
隨著技術(shù)的進(jìn)步，發(fā)光二極管的可發(fā)光度越來越高，其產(chǎn)生的熱能也越來越高。溫度越高，發(fā)光二極管的性能會(huì)因熱而降低，半導(dǎo)體特性也會(huì)因而產(chǎn)生亮度衰減，更嚴(yán)重會(huì)造成元件的燒壞。傳統(tǒng)的發(fā)光二極管構(gòu)裝技術(shù)，在形成發(fā)光二極管矩陣時(shí)，無法有效地解決熱的問題。傳統(tǒng)對于熱的解決，通常是在印刷電路板(PCB)層級或系統(tǒng)層級中找尋較佳的散熱設(shè)計(jì)，然而仍無法有效的解決熱的傳導(dǎo)問題；美國專利第6,498,355號(題為”High Flux LED Array”)揭露幾種發(fā)光二極管的電路與散熱構(gòu)裝，如圖1A至圖1C所示。
于圖1A中，發(fā)光二極管4倒置(flip)于印刷電路板(PCB)及金屬板6上面；其中，印刷電路板包含介電層10及其上面的導(dǎo)線層8。發(fā)光二極管4所產(chǎn)生的熱通過導(dǎo)熱接觸端(thermal contact)20及導(dǎo)熱材質(zhì)24而傳導(dǎo)至金屬板6；另外，印刷電路板(8、10)中設(shè)有通孔(via)12，其內(nèi)填充有導(dǎo)熱材質(zhì)以輔助散熱。
圖1B顯示另一種發(fā)光二極管的散熱構(gòu)裝。與圖1A不同的是，發(fā)光二極管28與印刷電路板(8、10)之間具有一個(gè)次基板(submount)30；此次基板30內(nèi)有電源導(dǎo)電通孔40，用以讓發(fā)光二極管28的電源端電性連接至導(dǎo)線層8。與圖1A相同的是，發(fā)光二極管28所產(chǎn)生的熱通過導(dǎo)熱接觸端(thermal contact)46及導(dǎo)熱材質(zhì)24而傳導(dǎo)至金屬板6；另外，印刷電路板(8、10)中設(shè)有通孔(via)12以輔助散熱。
圖1C顯示另一種發(fā)光二極管的散熱構(gòu)裝。與圖1B不同的是，發(fā)光二極管28的電源端并非經(jīng)由電源導(dǎo)電通孔，而是通過引線(wirebond)5電性連接至導(dǎo)線層8。與圖1A和圖1B相同的是，發(fā)光二極管28所產(chǎn)生的熱通過導(dǎo)熱接觸端(thermal contact)46及導(dǎo)熱材質(zhì)24而傳導(dǎo)至金屬板6；另外，印刷電路板(8、10)中設(shè)有通孔(via)12以輔助散熱。
上述散熱構(gòu)裝的缺點(diǎn)在于構(gòu)裝所占的面積遠(yuǎn)大于發(fā)光二極管的實(shí)際面積。即使散熱效果再好，載板單位面積內(nèi)所能容納的發(fā)光二極管數(shù)量會(huì)因構(gòu)裝所需的面積受到限制，而無法彰顯其散熱構(gòu)裝的優(yōu)點(diǎn)。
鑒于上述傳統(tǒng)散熱構(gòu)裝的缺點(diǎn)，有必要提出一種新的散熱構(gòu)裝結(jié)構(gòu)和方法，有效地散熱且增加發(fā)光二極管在單位面積的數(shù)量，進(jìn)而增加單位面積的發(fā)光亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法及其形成的結(jié)構(gòu)，用以將發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱能有效地加以傳導(dǎo)并減少構(gòu)裝所占的面積。由于晶圓級芯片構(gòu)裝(chip scale packaging)層級較接近熱源的部分，從此構(gòu)裝層級進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，不但效果最顯著而且成本也最少。
根據(jù)上述的目的，本發(fā)明揭露一種發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法及結(jié)構(gòu)。于本發(fā)明的一實(shí)施例中，芯片構(gòu)裝(CSP)的載體(carrier)基板具有填充導(dǎo)熱材質(zhì)的導(dǎo)熱通道(through hole)；該載體基板的上連結(jié)一發(fā)光二極管芯片，其正電極及負(fù)電極連接于載體基板的正面。藉此，發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱得以通過導(dǎo)熱通道而傳導(dǎo)到連接端(package-to-board connections)，并進(jìn)一步傳導(dǎo)至印刷電路板或?qū)щ娊饘倨?br> 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝制程。首先，提供一載體(carrier)基板與發(fā)光二極管芯片，并形成導(dǎo)熱通道于載體基板內(nèi)。填充導(dǎo)熱材質(zhì)于導(dǎo)熱通道內(nèi)；最后，連接發(fā)光二極管芯片的正電極及負(fù)電極于載體基板的正面。


圖1A至圖1C顯示傳統(tǒng)發(fā)光二極管的電路與散熱構(gòu)裝。
圖2A至圖2E的剖面圖顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝的構(gòu)裝方法及其結(jié)構(gòu)。
圖3A及圖3B顯示從載體基板底面(或正面)的俯視圖，可以看到正電源通道、導(dǎo)熱通道、負(fù)電源通道、及填充通道的端面形狀及其整體分布情形。
圖4A至圖4E的剖面圖顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝的構(gòu)裝方法及其結(jié)構(gòu)。
圖5A至圖5E的剖面圖顯示依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝的構(gòu)裝方法及其結(jié)構(gòu)。
圖6A至圖6B顯示發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝的一種應(yīng)用裝置例。
圖6C至圖6D顯示發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝的另一種應(yīng)用裝置例。
圖中符號說明4發(fā)光二極管5引線(wire bond)6金屬板8導(dǎo)線層10 介電層12 通孔(via)20 導(dǎo)熱接觸端(thermal contact)24 導(dǎo)熱材質(zhì)28 發(fā)光二極管30 次基板(submount)40 電源導(dǎo)電通孔46 導(dǎo)熱接觸端(thermal contact)110 載體(carrier)基板111 導(dǎo)熱通道(through hole或thermal via)111P 正電源通道111N 負(fù)電源通道112 導(dǎo)熱材質(zhì)(thermally conductive material)114 凸塊(bump)115 插腳(pin)116 填充通道(fill channel)117 導(dǎo)熱介電材質(zhì)118 發(fā)光二極管118P 正電極118N 負(fù)電極
120 錫球122 導(dǎo)熱區(qū)322 導(dǎo)熱介電材質(zhì)/導(dǎo)熱區(qū)422 導(dǎo)熱區(qū)50 構(gòu)裝好的發(fā)光二極管52 印刷電路板54 填充有導(dǎo)熱材質(zhì)的通孔(via)56P 正電源端56N 負(fù)電源端552 金屬片(塊)(plate/block)556P 正電源端556N 負(fù)電源端58P、58N 電絕緣層具體實(shí)施方式
本發(fā)明一些實(shí)施例的詳細(xì)描述如下，然而，除了該詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實(shí)施例施行。亦即，本發(fā)明的范圍不受已提出的實(shí)施例的限制，而應(yīng)以本發(fā)明提出的申請專利范圍為準(zhǔn)。當(dāng)本發(fā)明的實(shí)施例圖式中的各元件或結(jié)構(gòu)在描述說明時(shí)，不應(yīng)以此作為有限定的認(rèn)知，即如下的說明未特別強(qiáng)調(diào)數(shù)目上的限制時(shí)，本發(fā)明的精神與應(yīng)用范圍可推及多數(shù)個(gè)元件或結(jié)構(gòu)并存的結(jié)構(gòu)上。
圖2A至圖2E的剖面圖顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝(chip scale packaging)的構(gòu)裝方法及其結(jié)構(gòu)。首先，如圖2A所示，準(zhǔn)備一載體(carrier)基板(業(yè)界一般稱為submount或substrate)110，并于其內(nèi)部形成至少一導(dǎo)熱通道(through hole或thermalvia)111；為了增加導(dǎo)熱效果，可以形成多個(gè)導(dǎo)熱通道111。此導(dǎo)熱通道111的形成方法，可以使用傳統(tǒng)的鉆孔(drilling)技術(shù)，例如蝕刻或激光技術(shù)。接著，填充導(dǎo)熱材質(zhì)(thermally conductive material)112于這些導(dǎo)熱通道111中；導(dǎo)熱材質(zhì)112一般使用導(dǎo)電金屬，例如銅或銀。這些填充有導(dǎo)熱材質(zhì)112的導(dǎo)熱通道111主要用以傳導(dǎo)發(fā)光二極管(LED)所產(chǎn)生的熱(詳后面描述及圖式)。
如圖2B所示，形成封裝至板的連接端(package-to-boardconnections，以下簡稱連接端)，例如凸塊(bump)114于載體基板110的底面；每一凸塊114與導(dǎo)熱通道111的端面相接觸。此連接端也可以用插腳(pins)、銀膠(silver paste)、錫膠(solder paste)等來替代。在本實(shí)施例中，更于載體基板110中形成一或多個(gè)填充通道(fill channel)116，例如使用傳統(tǒng)的蝕刻或激光技術(shù)。這些填充通道116用于后續(xù)步驟中，用以從載體基板110的底面注射或填充以導(dǎo)熱材質(zhì)。填充通道116的內(nèi)徑可以比導(dǎo)熱通道111小，也可以比導(dǎo)熱通道111大。圖2B中的凸塊114形成與填充通道116的形成，其先后順序可以交換，并不會(huì)影響后續(xù)的構(gòu)裝制程。
于圖2C中，將已形成有發(fā)光二極管118元件的晶粒(chip)，通過錫球120，將發(fā)光二極管118的正電極(P)118P及負(fù)電極(N)118N分別與載體基板110正面予以固著。其中，發(fā)光二極管118的正電極(/正電源)118P與負(fù)電極(/負(fù)電源)118N皆位于同一面。與正電極118P和負(fù)電極118N相對應(yīng)的錫球120數(shù)目，分別至少為一；通常，錫球120的數(shù)目并不僅有兩個(gè)。在附圖中，發(fā)光二極管118的結(jié)構(gòu)僅為一示意圖，本發(fā)明的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝(chip scalepackaging)并不限定發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)、材質(zhì)，一般或特殊的發(fā)光二極管都可以適用于本發(fā)明所揭露的構(gòu)裝中；因此，本說明書將不會(huì)針對發(fā)光二極管作進(jìn)一步說明。圖3A顯示從載體基板110底面(或正面)的俯視圖，可以看到正電極(源)通道111P、導(dǎo)熱通道111、負(fù)電極(源)通道111N、及填充通道116的端面形狀及其整體分布情形(layout)。對于此種分布作法，每一個(gè)正電源通道111P、導(dǎo)熱通道111、負(fù)電源通道111N、或填充通道116呈柱狀(column)的。圖3B顯示另一種分布作法，其正電源通道111P、導(dǎo)熱通道111、或負(fù)電源通道111N呈區(qū)塊狀(block)。
將發(fā)光二極管118與載體基板110結(jié)合后，形成如圖2D所示的剖面結(jié)構(gòu)。接著，自載體基板110底面的填充通道116入口，注射或填入導(dǎo)熱的介電材質(zhì)(thermally conductive dielectric material)117；導(dǎo)熱介電材質(zhì)117可以使用一般的導(dǎo)熱介電材質(zhì)，例如環(huán)氧樹脂(epoxyresin)或聚亞醯胺(polyimide，PI)。此注射或填入的導(dǎo)熱介電材質(zhì)117從填充通道116的另一端開口(亦即位于載體基板110正面的開口)溢出，填滿發(fā)光二極管118與載體基板110所形成的空間里，因而形成一導(dǎo)熱區(qū)122。此導(dǎo)熱區(qū)122可以幫助將發(fā)光二極管118所產(chǎn)生的熱，有效傳導(dǎo)至填充有導(dǎo)熱材質(zhì)112的導(dǎo)熱通道111及凸塊114。值得注意的是，導(dǎo)熱122的形成方法并不限定于本實(shí)施例的作法；甚至，也可以不需形成此種導(dǎo)熱區(qū)。
圖2E 示另一種剖面結(jié)構(gòu)，其使用插腳-孔洞(pin-through-hole)的方式，以插腳115來代替前述的凸塊114。
圖4A至圖4E的剖面圖顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝(chip scale packaging)的構(gòu)裝方法及其結(jié)構(gòu)；與前一實(shí)施例(圖2A至圖2E)相同的部分使用相同的元件符號。首先，于載體基板110的導(dǎo)熱通道111中填充導(dǎo)熱材質(zhì)(thermally conductivematerial)112(圖4A)；然而，與前一實(shí)施例不同的地方為，載體基板110中并沒有形成填充通道(fill channel)(圖2B的116)；取而代之的是，在形成凸塊114之前(或之后)，于載體基板110的正面涂布導(dǎo)熱介電材質(zhì)(thermally conductive dielectric material)322(圖4B)。當(dāng)發(fā)光二極管118與載體基板110進(jìn)行結(jié)合(圖4C)，則發(fā)光二極管118與載體基板110所形成的空間里即可形成導(dǎo)熱區(qū)322(圖4D)。圖4E顯示另一種剖面結(jié)構(gòu)，其使用插腳-孔洞(pin-through-hole)的方式，以插腳115來代替前述的凸塊114。
圖5A至圖5E的剖面圖顯示依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝(chip scale packaging)的構(gòu)裝方法及其結(jié)構(gòu)；與第一實(shí)施例(圖2A至圖2E)相同的部分使用相同的元件符號。首先，于載體基板110的導(dǎo)熱通道111中填充導(dǎo)熱材質(zhì)(thermally conductivematerial)112(圖5A)。與第一實(shí)施例不同的地方為，在形成凸塊114(圖5B)之前(或之后)，載體基板110中并沒有形成填充通道(fillchannel)(圖2B的116)。取而代之的是，在結(jié)合發(fā)光二極管118與載體基板110(圖5C)之后，以導(dǎo)熱介電材質(zhì)(thermally conductivedielectric material)進(jìn)行習(xí)知的底部填膠(underfill)，因而于發(fā)光二極管118與載體基板110所形成的空間里形成導(dǎo)熱區(qū)422(圖5D)。第五E圖顯示另一種剖面結(jié)構(gòu)，其使用插腳-孔洞(pin-through-hole)的方式，以插腳115來代替前述的凸塊114。
前述各種實(shí)施例所形成的發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝(chip scalepackaging)，可以應(yīng)用于各種的發(fā)光二極管裝置中，圖6A-圖6B及圖6C-圖6D顯示其中的兩種應(yīng)用情形。如圖6A至圖6B所示，構(gòu)裝好的發(fā)光二極管50通過凸塊114與一印刷電路板(PCB)52表面的接觸墊(pad)互相結(jié)合，再連結(jié)至印刷電路板52中填充有導(dǎo)熱材質(zhì)的通孔(via)54；甚至，還可以再加上散熱器(heat sink)(未顯示于圖式中)用以將熱作進(jìn)一步傳導(dǎo)。構(gòu)裝好的發(fā)光二極管50的正電源通道111P通過凸塊114電性連結(jié)至正電源端56P，而負(fù)電源通道111N則是通過凸塊114電性連結(jié)至負(fù)電源端56N；這兩個(gè)電源端可以位于印刷電路板52的不同層或不同區(qū)域。第六B圖顯示另一種剖面結(jié)構(gòu)，其使用插腳-孔洞(pin-through-hole)的方式，以插腳115來代替前述的凸塊114。
圖6C至圖6D顯示另一種發(fā)光二極管裝置的應(yīng)用例。構(gòu)裝好的發(fā)光二極管50通過凸塊114與一金屬片(塊)(plate/block)552接觸；甚至，還可以再加上散熱器(heat sink)(未顯示于圖式中)用以將熱作進(jìn)一步傳導(dǎo)。構(gòu)裝好的發(fā)光二極管50的正電源通道111P通過凸塊114電性連結(jié)至正電源端556P，而負(fù)電源通道111N則是通過凸塊114電性連結(jié)至負(fù)電源端556N；這兩個(gè)電源端位于金屬片552的不同區(qū)域，且這些區(qū)域分別由電絕緣層58P、58N(例如氧化層)所隔離開來。圖6D顯示另一種剖面結(jié)構(gòu)，其使用插腳-孔洞(pin-through-hole)的方式，以插腳115來代替前述的凸塊114。
上述本發(fā)明的實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟悉此技藝的人士能了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以的限定本發(fā)明的專利范圍，即凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神所完成的等效的各種改變或修飾都涵蓋在本發(fā)明所揭露的范圍內(nèi)，均應(yīng)包含在所述的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征是，包含一發(fā)光二極管芯片，其正電極及負(fù)電極位于該發(fā)光二極管芯片的同一表面；一載體基板，具有至少一填充有導(dǎo)熱材質(zhì)的導(dǎo)熱通道，該發(fā)光二極管芯片的正電極及負(fù)電極連接于該載體基板的第一面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，更包含至少一連接端，位于該載體基板的第二面而與該導(dǎo)熱通道接觸，藉此，該發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱得以通過該導(dǎo)熱通道，而傳導(dǎo)到該連接端。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，更包含一導(dǎo)熱區(qū)，由導(dǎo)熱材質(zhì)組成，位于該發(fā)光二極管芯片與該載體基板連結(jié)所形成的空間中，該導(dǎo)熱區(qū)與該導(dǎo)熱通道接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，更包含至少一填充通道，位于該載體基板內(nèi)，用以自該載體基板的第二面填充該導(dǎo)熱材質(zhì)至該導(dǎo)熱區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，更包含一空間，位于該發(fā)光二極管芯片與該載體基板之間。
6.一種發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，其特征是，包含提供一載體基板與一發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片的一表面上具有正電極與負(fù)電極；形成至少一導(dǎo)熱通道于該載體基板內(nèi)，該導(dǎo)熱通道貫通該載體基板的第一面與第二面；填充導(dǎo)熱材質(zhì)于該導(dǎo)熱通道內(nèi)；及連接該發(fā)光二極管芯片的正電極及負(fù)電極于該載體基板的第一面。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，更包含形成至少一填充通道于該載體基板內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，于連接該發(fā)光二極管芯片與該載體基板之后，更包含經(jīng)由該填充通道而填充導(dǎo)熱材質(zhì)至該發(fā)光二極管芯片與該載體基板連結(jié)所形成的空間中。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，于連接該發(fā)光二極管芯片與該載體基板之前，更包含涂布導(dǎo)熱材質(zhì)于該載體基板的第一面。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，于連接該發(fā)光二極管芯片與該載體基板之后，更包含以導(dǎo)熱材質(zhì)進(jìn)行底部填膠于該發(fā)光二極管芯片與該載體基板連結(jié)所形成的空間中。
11.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，更包含形成一空間于該發(fā)光二極管芯片與該載體基板之間。
12.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的晶圓級芯片構(gòu)裝方法，更包含固接至少一連接端于該載體基板的第二面而與該導(dǎo)熱通道接觸。
13.一種發(fā)光二極管裝置，其特征是，包含至少一晶圓級發(fā)光二極管構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其中每一個(gè)該晶圓級發(fā)光二極管構(gòu)裝結(jié)構(gòu)包含一發(fā)光二極管芯片，其正電極及負(fù)電極位于該發(fā)光二極管芯片的同一表面；一載體基板，具有至少一填充有熱導(dǎo)材質(zhì)的導(dǎo)熱通道，該發(fā)光二極管芯片的正電極及負(fù)電極連接于該載體基板的第一面；及至少一連接端，位于該載體基板的第二面而與該導(dǎo)熱通道接觸，藉此，該發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱得以通過該導(dǎo)熱通道，而傳導(dǎo)到該連接端；及一共同基板，通過該連接端固接于該晶圓級發(fā)光二極管構(gòu)裝結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，其中上述的共同基板內(nèi)包含至少一填充有導(dǎo)熱材質(zhì)的通孔，其一端與該連接端接觸。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管裝置，更包含一散熱片，接觸于該共同基板的通孔的另一端。
16.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，其中該共同基板由導(dǎo)體材質(zhì)所構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，更包含一導(dǎo)熱區(qū)，由導(dǎo)熱材質(zhì)組成，位于該發(fā)光二極管芯片與該載體基板連結(jié)所形成的空間中，該導(dǎo)熱區(qū)與該導(dǎo)熱通道接觸。
18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管裝置，更包含至少一填充通道，位于該載體基板內(nèi)，用以自該載體基板的第二面填充該導(dǎo)熱材質(zhì)至該導(dǎo)熱區(qū)。
19.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管裝置，更包含一空間，位于該發(fā)光二極管芯片與該載體基板之間。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種發(fā)光二極管晶圓級芯片構(gòu)裝的結(jié)構(gòu)及其構(gòu)裝方法。發(fā)光二極管芯片構(gòu)裝的載體基板具填充有導(dǎo)熱材質(zhì)的導(dǎo)熱通道，用以將發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱能傳導(dǎo)至載體基板。連結(jié)此具有導(dǎo)熱通道的載體基板與發(fā)光二極管，因而形成晶圓級芯片構(gòu)裝。該結(jié)構(gòu)用以將發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱能有效地加以傳導(dǎo)并減少構(gòu)裝所占的面積。由于晶圓級芯片構(gòu)裝層級較接近熱源的部分，從此構(gòu)裝層級進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，不但效果最顯著而且成本也最少。
文檔編號H01L23/367GK1949547SQ200510108569
公開日2007年4月18日 申請日期2005年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月10日
發(fā)明者譚瑞敏, 駱韋仲, 沈里正 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院