專利名稱：保護(hù)帶分離方法及使用該方法的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種保護(hù)帶分離方法，該方法能將粘性帶貼附到保護(hù)帶上，所述保護(hù)帶貼附在由環(huán)形框架通過支承粘性帶保持住的半導(dǎo)體晶片的表面上，且該方法能與粘性帶一體地、高精度地從半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶。本發(fā)明還涉及使用所述方法的設(shè)備。
背景技術(shù)：
通過使用諸如研磨或拋光之類的機(jī)械方法或者使用蝕刻的化學(xué)方法，加工半導(dǎo)體晶片(下文簡稱為“晶片”)的背側(cè)以使晶片變薄。在使用任何方法來加工晶片時(shí)，都會在晶片的表面上貼附保護(hù)帶以保護(hù)其上形成有布線圖案的表面。貼附有保護(hù)帶并進(jìn)行拋光的晶片的背側(cè)由環(huán)形框架通過支承粘性帶吸附地保持住。之后，從保持在環(huán)形框架上的晶片表面上分離保護(hù)帶以去除它。
具體地說，通過輥?zhàn)訉⒄承詭зN附在保護(hù)帶的表面上，并將粘性帶分離以從晶片表面與保護(hù)帶一體地分離和去除粘性帶，并將粘性帶和保護(hù)帶收卷起來。在將粘性帶貼附到保護(hù)帶表面上時(shí)，在支承粘性帶的貼附開始端一側(cè)上貼附一無粘性薄板，以防止粘性帶的貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶與繞輥?zhàn)泳砝@的粘性帶之間的接觸(例如可參見國際專利公報(bào)WO 97/08745)。
不過，傳統(tǒng)的保護(hù)帶分離方法存在以下問題。
近年來，隨著應(yīng)用的快速發(fā)展，要求減小晶片的厚度，并且使晶片變薄到150μm或更薄。在由支承粘性片DT從環(huán)形框架f的背側(cè)保持貼附有保護(hù)帶的變薄的晶片W并將保護(hù)帶從晶片表面分離的情況下，當(dāng)比晶片厚的無粘性薄板貼附到在粘性帶的貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶上時(shí)，由于晶片的厚度與薄板61的厚度之間的不同而產(chǎn)生了間隙G，如圖1所示。因而，輥?zhàn)?0施加在粘性帶Ts上的壓力由于間隙G而變得不均勻。由于間隙G，特別是在貼附開始端處粘性帶Ts并沒有可靠地與保護(hù)帶PT的端部緊密接觸。這就會在與保護(hù)帶PT一體地分離粘性帶時(shí)造成分離穩(wěn)定性低的問題。
如果無粘性薄板61加工得比晶片薄的話，粘性帶Ts就可以從一端均勻地貼附到保護(hù)帶PT的表面上。不過，問題在于，通過對板表面覆層無粘性材料來調(diào)整其厚度要比磨薄晶片W更為困難，并且在一系列晶片工藝中要將薄板61貼附到支撐粘性帶DT上的處理也很困難。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于前述的技術(shù)現(xiàn)狀而設(shè)計(jì)出本發(fā)明，本發(fā)明的一個主要的目的是提供一種保護(hù)帶分離方法，該方法能將粘性帶貼附到保護(hù)帶上，所述保護(hù)帶貼附在由環(huán)形框架通過支承粘性帶保持住的半導(dǎo)體晶片的表面上，且該方法能與粘性帶一體地、高精度地從半導(dǎo)體晶片上分離保護(hù)帶。本發(fā)明還提供使用所述方法的設(shè)備。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下的配置。
一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的方法，該方法包括以下步驟從滴液裝置將液體材料至少滴到分離粘性帶的貼附開始端一側(cè)處的支承粘性帶的粘貼面上；和在液體材料滴到支承粘性帶的粘貼面上之后，在由貼附件按壓分離粘性帶的非粘貼面的同時(shí)將分離粘性帶貼附到貼附于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)帶上，并由分離裝置從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶。
在由貼附件按壓分離粘性帶的同時(shí)將分離粘性帶貼附到保護(hù)帶表面上時(shí)，在分離粘性帶的貼附開始端一側(cè)處，分離粘性帶的高度低于半導(dǎo)體晶片和保護(hù)帶的厚度(高度)。如果半導(dǎo)體晶片例如磨薄到150μm或更薄，則在貼附操作開始時(shí)分離粘性帶就可能會接觸到支承粘性帶的粘貼面。采用根據(jù)本發(fā)明的方法，由于將液體材料滴在分離粘性帶的貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶的粘貼面上，所以可以避免分離粘性帶與支承粘性帶之間的直接接觸。也就是說，分離粘性帶可以均勻的力從半導(dǎo)體晶片的一端緊密地貼附在保護(hù)帶的表面上。結(jié)果就能從半導(dǎo)體晶片的一端可靠地一體分離保護(hù)帶和分離粘性帶。
較佳的是，滴到支承粘性帶上的液體材料例如是純水或酒精。所要滴的純水的量很小，并可從支承粘性帶的背側(cè)自然地蒸發(fā)掉。即使在純水沒有完全蒸發(fā)而殘留的情況下，由于在后繼處理中進(jìn)行切分時(shí)會使用純水，所以不會對半導(dǎo)體晶片產(chǎn)生任何不利影響。
為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明還采用以下的配置。
一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的方法，該方法包括以下步驟由保持裝置保持半導(dǎo)體晶片，且使保護(hù)帶粘貼面朝下；從分離粘性帶供應(yīng)裝置供應(yīng)分離粘性帶，且使其粘貼面朝上以面對保護(hù)帶的表面；從滴液裝置將液體材料滴到被供應(yīng)成面對保護(hù)帶的分離粘性帶的、在貼附開始端一側(cè)的粘貼面上；以及在液體材料滴到支承粘性帶的粘貼面上之后，在由貼附件按壓分離粘性帶的非粘貼面的同時(shí)將分離粘性帶貼附到貼附于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)帶上，并由分離裝置從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶。
在這種方法中，較佳的是，液體材料是其粘度能在粘貼面上保持靜止?fàn)顟B(tài)的液體材料，或者是由微粒所構(gòu)成的液體材料。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還采用以下的配置。
一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的設(shè)備，該設(shè)備包括保持裝置，用于在其上安裝和保持由環(huán)形框架保持住的半導(dǎo)體晶片；分離粘性帶供應(yīng)裝置，用于向由保持裝置保持的半導(dǎo)體晶片供應(yīng)分離粘性帶；分離裝置，用于將分離粘性帶貼附到保護(hù)帶表面，并通過使其上安裝和保持半導(dǎo)體晶片的保持裝置和用于按壓分離粘性帶的非粘貼面的貼附件相對彼此水平移動，而從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶；滴液裝置，用于在貼附分離粘性帶之前將液體材料滴到分離粘性帶的貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶的粘貼面上；以及帶子收集裝置，用于與分離下來的分離粘性帶一起地收集保護(hù)帶。
采用根據(jù)本發(fā)明的這種裝置，在將分離粘性帶貼附到保護(hù)帶表面上之前，由滴液裝置將液體材料滴到在貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶的背側(cè)上。之后，在貼附件進(jìn)行按壓的同時(shí)從保護(hù)帶的一端貼附分離粘性帶。因此，在貼附分離粘性帶時(shí)，通過滴到貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶的粘貼面上的液體材料，就可以防止分離粘性帶與支承粘性帶相接觸。也就是說，分離粘性帶可從半導(dǎo)體晶片的端部以均勻的壓力緊密地貼附到保護(hù)帶的表面上。結(jié)果，就可以可靠地從半導(dǎo)體晶片的端部一體地分離保護(hù)帶和分離粘性帶。
較佳的是，滴液裝置設(shè)置在離開貼附件沿行進(jìn)方向的前側(cè)一預(yù)定間隔處，并與貼附件一體地相對于保持裝置水平移動。采用這種結(jié)構(gòu)，液體材料能在分離保護(hù)帶的一系列操作中容易地滴到貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶的粘貼面上，從而也能提高工作效率。
例如可以使用噴嘴作為滴液裝置。例如可以使用刃狀件或輥?zhàn)幼鳛橘N附件。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還采用以下配置。
一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的設(shè)備，該設(shè)備包括保持裝置，用于保持由環(huán)形框架保持住、且保護(hù)帶粘貼面朝下的半導(dǎo)體晶片；分離粘性帶供應(yīng)裝置，用于向由保持裝置保持的半導(dǎo)體晶片供應(yīng)分離粘性帶；分離裝置，用于將分離粘性帶貼附到保護(hù)帶表面，并通過使其上安裝和保持半導(dǎo)體晶片的保持裝置和用于按壓分離粘性帶的非粘貼面的貼附件相對彼此水平移動，而從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶；滴液裝置，用于在貼附分離粘性帶之前將液體材料滴到分離粘性帶在其上貼附到保護(hù)帶的、貼附開始端一側(cè)上的分離粘性帶的粘貼面上；以及帶子收集裝置，用于與分離下來的分離粘性帶一起地收集保護(hù)帶。
在這種配置中，較佳的是，滴液裝置是用于噴射薄霧狀純水的噴嘴。


為了說明本發(fā)明，在附圖中示出了目前為較佳的若干形式。不過，應(yīng)予理解的是，本發(fā)明并不局限于所示的那些布置和裝置。
圖1示出了傳統(tǒng)技術(shù)的用于貼附粘性帶的一輥?zhàn)拥牟僮鳡顟B(tài)；圖2是示出整個半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備的立體圖；圖3是示出整個分離機(jī)構(gòu)的立體圖；圖4是示出分離機(jī)構(gòu)的主要部分的配置的側(cè)視圖；圖5是示出分離機(jī)構(gòu)的主要部分的配置的平面圖；圖6示出純水滴下的狀態(tài)；圖7示出分離機(jī)構(gòu)的操作；以及圖8示出分離機(jī)構(gòu)的操作。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖描述設(shè)有保護(hù)帶分離裝置的半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備的實(shí)施例。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備的整體配置的局部剖視立體圖。
半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備1包括晶片供應(yīng)部分2，其中裝有盒子C用于疊置地容納經(jīng)受背面研磨加工的晶片W；晶片傳送機(jī)構(gòu)3，該機(jī)構(gòu)3設(shè)有機(jī)械手4和按壓機(jī)構(gòu)5；用于校準(zhǔn)晶片W的校準(zhǔn)臺7；用于向安裝校準(zhǔn)臺7上的晶片W發(fā)射紫外線的紫外線照射單元14；用于吸附地保持晶片W的吸盤臺15；環(huán)形框架支承部分16，其中疊置地容納環(huán)形框架(下面簡稱為“環(huán)框架f”)；用于將環(huán)框架傳送到切分帶DT上的環(huán)形框架傳送機(jī)構(gòu)17；用于從環(huán)框架f的背側(cè)貼附切分帶DT的帶子處理部分18；環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26，用于沿垂直方向移動貼附有切分帶DT的環(huán)框架；用于制造固定框架MF的固定框架制造部分27，所述固定框架MF通過將晶片W貼附到貼附有切分帶DT的環(huán)框架上來集成；用于傳送制造好的固定框架MF的第一固定框架傳送機(jī)構(gòu)29；用于分離貼附于晶片W的表面的保護(hù)帶PT的分離機(jī)構(gòu)30；用于傳送由分離機(jī)構(gòu)30從其分離了保護(hù)帶PT的固定框架MF的第二固定框架傳送機(jī)構(gòu)35；用于轉(zhuǎn)動和傳送固定框架MF的轉(zhuǎn)臺36；以及用于疊置地容納固定框架MF的固定框架收集部分37。
晶片供應(yīng)部分2設(shè)有盒架，疊置地容納晶片W的盒子C安裝在該盒架上。保護(hù)帶PT貼附在晶片W的帶有圖案的表面(下文適當(dāng)?shù)胤Q作“表面”)上。晶片W保持水平的姿態(tài)，且其帶有圖案的表面朝上。
晶片傳送機(jī)構(gòu)3構(gòu)造成可由驅(qū)動機(jī)構(gòu)擺動和沿著豎向移動。具體地說，晶片傳送機(jī)構(gòu)3對機(jī)械手4的晶片保持器(將在下面描述)和按壓機(jī)構(gòu)4的壓板6的位置加以調(diào)整，并將晶片W從盒子C傳送到校準(zhǔn)臺7。
晶片傳送機(jī)構(gòu)3的機(jī)械手4在其末端設(shè)有馬蹄形的晶片保持器(未示出)。機(jī)械手4構(gòu)造成其晶片保持器能在疊置地容納在盒子C中的晶片W之間的間隙中前后移動。
晶片保持器設(shè)有吸附孔并從晶片W的背側(cè)通過真空吸附來保持住晶片W。
晶片傳送機(jī)構(gòu)3的按壓機(jī)構(gòu)5在其末端設(shè)有圓形壓板5，該圓形壓板5的形狀幾乎與晶片W的形狀相同。按壓機(jī)構(gòu)5的臂部分可以前后移動，以使壓板6在安裝在校準(zhǔn)臺7上的晶片W上方移動。壓板6的形狀并不局限于圓形，而可以是任何形狀，只要該形狀可以矯正晶片W中所發(fā)生的翹曲即可。例如，可以用棒桿的末端或類似的構(gòu)件壓抵在晶片W的翹曲部分上。
按壓機(jī)構(gòu)5是在晶片W安裝在校準(zhǔn)臺7的保持臺上時(shí)吸附作用較差的情況(將在下文進(jìn)行描述)下工作的。具體地說，當(dāng)晶片W中發(fā)生翹曲且無法吸附保持住晶片W時(shí)，壓板6按壓晶片W的表面并矯正翹曲，以使表面變得平直。在這種狀態(tài)下，保持臺8真空吸附晶片W的背側(cè)。
校準(zhǔn)臺7設(shè)有保持臺(未示出)，該保持臺用于根據(jù)定向平直段或類似的部分來定位所安裝的晶片W，并覆蓋和真空吸附晶片W的整個背側(cè)。
當(dāng)真空吸附晶片W時(shí)，校準(zhǔn)臺7可檢測出一壓力值。將檢測結(jié)果與一參考值相比，該參考值是參照正常操作(當(dāng)保持臺正常地真空吸附晶片W時(shí))的壓力值來確定的。當(dāng)壓力值高于參考值(也就是說，當(dāng)進(jìn)氣管中的壓力沒有充分降低時(shí))，就確定晶片W發(fā)生翹曲并沒有被保持臺真空吸附住。壓板6就工作以按壓晶片W并矯正翹曲，以使晶片W可被保持臺真空吸附住。
校準(zhǔn)臺7可以在安裝和定位晶片W的初始位置和一中間位置之間、在吸附保持住晶片W的狀態(tài)下傳送晶片W，且所述中間位置位于以多級的方式設(shè)置在帶子處理部分18(將在下文描述)上方的吸盤臺15與環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26之間。也就是說，校準(zhǔn)臺7將晶片W傳送到下一工藝步驟，且同時(shí)矯正晶片W的翹曲和保持晶片W處于平直狀態(tài)。
紫外線照射單元14在初始位置定位在校準(zhǔn)臺7的上方。紫外線照射單元14向貼附在晶片W表面上、作為紫外線固化粘性帶的保護(hù)帶PT發(fā)出紫外線。也就是說，通過紫外線的照射來減小保護(hù)帶的粘性。
吸盤臺15呈圓形，其形狀幾乎與晶片W的形狀相同，以能覆蓋和真空吸附晶片W的表面。驅(qū)動機(jī)構(gòu)(未示出)將吸盤臺15從帶子處理部分18上方的待命位置豎向移動到晶片W貼附到環(huán)框架f上的位置。
也就是說，吸盤臺15與其翹曲被矯正且由保持臺保持在平直狀態(tài)的晶片W接觸，并吸附保持晶片W。
吸盤臺15向下移動到其配合在用于吸附保持環(huán)框架f的環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26的開孔中的位置，切分帶DT(將在下文描述)從背側(cè)貼附于所述環(huán)框架f，且晶片W在環(huán)框架f的中心更靠近切分帶DT。
此時(shí)，由保持機(jī)構(gòu)(未示出)保持住吸盤臺15和環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26。
環(huán)框架供應(yīng)部分16呈貨車的形狀，具有設(shè)有輪子的底部，并裝載在半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備1內(nèi)。環(huán)框架供應(yīng)部分16的上部敞開，在該上部中將疊置地容納的環(huán)框架f向上滑動并送出。
環(huán)形框架傳送機(jī)構(gòu)17從頂上一個接一個地按順序真空吸附容納在環(huán)框架供應(yīng)部分16中的環(huán)框架f，并以先校準(zhǔn)臺(未示出)、然后貼附切分帶DT的位置的順序傳送環(huán)框架f。環(huán)框架傳送機(jī)構(gòu)17還用作一保持機(jī)構(gòu)，用于在貼附切分帶DT時(shí)將環(huán)框架f保持在貼附切分帶DT的位置。
帶子處理部分18包括用于供應(yīng)切分帶DT的帶子供應(yīng)件19；一對左、右張緊機(jī)構(gòu)20，用于張緊切分帶DT；用于將切分帶DT貼附到環(huán)框架f上的貼附單元21；用于切割貼附于環(huán)框架f的切分帶DT的切割機(jī)構(gòu)24；分離單元23，用于在切割機(jī)構(gòu)24進(jìn)行切割之后從環(huán)框架分離多余帶子的分離單元23；以及用于收集切割下來的多余的剩余帶子的帶子收集部分25。
張緊機(jī)構(gòu)20抓住切分帶DT的寬度方向的兩端并沿著帶子的寬度方向施加張力。具體地說，當(dāng)使用柔軟的切分帶DT時(shí)，由于沿帶子施加方向所施加的張力，在切分帶DT的表面上沿著帶子供應(yīng)方向會產(chǎn)生豎向皺紋。為了將切分帶DT均勻地貼附到環(huán)框架f上并同時(shí)避免豎向皺紋，就沿帶子寬度方向施加張力。
貼附單元21設(shè)置在保持在切分帶DT上方的環(huán)框架f的斜下方(圖2中為左下方)的待命位置。從環(huán)框架傳送機(jī)構(gòu)17傳送環(huán)框架f并將其保持貼附在切分帶DT的位置，且開始從帶子供應(yīng)部分19供應(yīng)切分帶DT，與此同時(shí)，設(shè)置在貼附單元21中的貼附輥22沿帶子供應(yīng)方向移動到位于右側(cè)的貼附開始位置。
到達(dá)貼附開始位置的貼附輥22向上移動并將切分帶DT壓抵在環(huán)框架f上。之后，貼附輥22從貼附開始位置向待命位置滾動，并在按壓切分帶DT的同時(shí)將切分帶DT貼附到環(huán)框架f上。
分離單元23從環(huán)框架f上分離切割機(jī)構(gòu)24(將在下文描述)切割下來的切分帶DT的多余部分。具體地說，在切分帶DT貼附到環(huán)框架f上并切割好之后，張緊機(jī)構(gòu)20放開對切分帶DT的抓持。分離單元23向帶子供應(yīng)部分19移過環(huán)框架f，以分離切割下來的多余切分帶DT。
切割機(jī)構(gòu)24設(shè)置在其上安裝有環(huán)框架f的切分帶DT的下方。當(dāng)切分帶DT通過貼附單元21貼附于環(huán)框架時(shí)，張緊機(jī)構(gòu)20放開對切分帶DT的抓持，且切割機(jī)構(gòu)向上移動。切割機(jī)構(gòu)24向上移動并沿著環(huán)框架f對切分帶DT進(jìn)行切割。
環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26位于在將切分帶DT貼附到環(huán)框架f的位置上方的待命位置。環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26在將切分帶DT貼附到環(huán)框架f的步驟完成時(shí)向下移動，并吸附保持環(huán)框架f。此時(shí)，已保持住環(huán)框架f的環(huán)框架傳送機(jī)構(gòu)17回到位于環(huán)框架供應(yīng)部分16上方的初始位置。
環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26吸附保持環(huán)框架f，并向上移動到將晶片W貼附到環(huán)框架f的位置。此時(shí)，吸附保持晶片W的吸盤臺15向下移動到將晶片W貼附到環(huán)框架f上的位置。
固定框架制造部分27包括貼附輥28。貼附輥28在按壓貼附于環(huán)框架f背側(cè)的切分帶DT的非粘貼面的同時(shí)進(jìn)行滾動。貼附輥28用諸如橡膠或樹脂之類的柔軟材料制成。
第一固定框架傳送機(jī)構(gòu)29真空吸附固定框架MF，該固定框架MF通過集成環(huán)框架f和晶片W來形成，所述第一固定框架傳送機(jī)構(gòu)29將固定框架MF傳送到分離機(jī)構(gòu)30的分離臺(未示出)。
如圖3所示，分離機(jī)構(gòu)30包括分離臺38，晶片W安裝在分離臺38上，并由分離臺38移動晶片W；用于供應(yīng)分離帶Ts的帶子供應(yīng)部分31；用于貼附和分離分離帶Ts的分離單元32；用于將純水滴到貼附分離帶Ts的貼附開始端一側(cè)上的、切分帶DT粘貼面上的滴水機(jī)構(gòu)39；以及用于收集分離的分離帶Ts和保護(hù)帶PT的帶子收集部分34。除了分離機(jī)構(gòu)30中的分離臺38之外的配置均設(shè)置在半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備1的整個表面(未示出)上。分離臺38對應(yīng)于本發(fā)明的保持裝置，帶子供應(yīng)部分31對應(yīng)于分離粘性帶供應(yīng)裝置，分離單元32對應(yīng)于分離裝置，滴液機(jī)構(gòu)39對應(yīng)于滴液裝置，以及分離帶Ts對應(yīng)于分離粘性帶。
分離臺38用多孔材料制成，通過真空從背側(cè)吸附固定框架MF。由半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備本體的軌道來保持分離臺38的可動機(jī)架，該可動機(jī)架支承成可沿著一對前/后軌道沿水平方向滑動，并通過諸如電動機(jī)(未示出)之類的驅(qū)動部分互鎖。
帶子供應(yīng)部分31供應(yīng)分離帶Ts，分離帶Ts引導(dǎo)自分離帶輥并在分離臺的上方通過。
如圖4和5所示，分離單元32包括刃狀件(edge member)33，該刃狀件具有尖銳的末端，用于分離帶子。刃狀件33由比晶片的直徑寬的板件構(gòu)成，分離單元32可擺動地附接于由轉(zhuǎn)動軸40軸向支承的邊緣單元41。還附接有分離帶傳送輥R。
氣缸46的連桿47通過活塞桿46a連接于邊緣單元41的一側(cè)，邊緣單元41根據(jù)活塞桿46a的進(jìn)出操作而沿著刃狀件33的行進(jìn)方向前后擺動，從而使刃狀件33的邊緣的末端沿豎向移動，也就是說，能改變高度也改變角度。
在與氣缸46相對的一側(cè)上，在邊緣單元41的左側(cè)和右側(cè)上附接兩個測微計(jì)43，脈沖電動機(jī)PM的轉(zhuǎn)動傳遞到所述測微計(jì)，并且調(diào)整軸44根據(jù)脈沖電動機(jī)PM的向正向/反向轉(zhuǎn)動而從所述測微計(jì)伸出或縮入所述測微計(jì)。
具體地說，所述兩個測微計(jì)43的結(jié)構(gòu)制成，將相同轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)動從單個脈沖電動機(jī)PM通過皮帶V傳遞到兩個測微計(jì)43，所述皮帶V環(huán)繞在同軸地附接于齒輪G的皮帶輪K上。脈沖電動機(jī)PM的轉(zhuǎn)動直接傳遞到齒輪G之一并傳遞到測微計(jì)43。轉(zhuǎn)動通過皮帶V間接地傳遞到另一齒輪G并傳遞到測微計(jì)43。左側(cè)和右側(cè)測微計(jì)44的調(diào)整軸44以相同的尺度(scale)凸伸和收縮。
測微計(jì)43的調(diào)整軸44的末端與邊緣單元41的框架的一側(cè)接觸。也就是說，活塞桿46a使邊緣單元41具有傾斜角以使邊緣具有預(yù)定的角度，該邊緣單元41與邊緣單元41的框架接觸，并起到擋塊的作用以使邊緣單元41不會傾斜超過所給定的傾斜角，且使邊緣的位置不沿高度方向、特別是向下移動。
滴液機(jī)構(gòu)39設(shè)置成L形活塞噴嘴48朝下并與刃狀件33隔開預(yù)定的間隔。當(dāng)推壓活塞桿49時(shí)，從活塞噴嘴48滴出預(yù)定量的存儲在內(nèi)部的純水WA。在面對活塞桿49的一側(cè)上附接有測微計(jì)51，脈沖電動機(jī)PM的轉(zhuǎn)動傳遞到該測微計(jì)51，并且調(diào)整軸50根據(jù)脈沖電動機(jī)PM的向正向/反向轉(zhuǎn)動而從測微計(jì)51伸出或縮入測微計(jì)51。
測微計(jì)51的結(jié)構(gòu)制成從脈沖電動機(jī)PM通過齒輪G向其傳遞相同的轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)動。也就是說，脈沖電動機(jī)PM的轉(zhuǎn)動直接傳遞到齒輪G，然后再傳遞到測微計(jì)51。測微計(jì)51的調(diào)整軸50以預(yù)定的尺度伸出和收進(jìn)，從而推壓活塞桿49。也就是說，在刃狀件33的前方滴下預(yù)定量的純水WA，也就是說滴到在分離帶Ts的貼附開始端一側(cè)上的切分帶DT的粘貼面上。
參見圖2，第二固定框架傳送機(jī)構(gòu)35真空吸附從分離機(jī)構(gòu)30送出的固定框架MF，并將其傳送到轉(zhuǎn)臺36。
轉(zhuǎn)臺36定位固定框架MF，并將固定框架MF裝入固定框架收集部分37。具體來說，當(dāng)由第二固定框架傳送機(jī)構(gòu)35將固定框架MF安裝在轉(zhuǎn)臺36上時(shí)，根據(jù)晶片W的定向平直段、環(huán)形框架f的定位形狀或類似的結(jié)構(gòu)來定位固定框架MF。在定位好固定框架MF之后，為了改變將固定框架MF裝入固定框架收集部分37的方向而轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)臺36。在確定裝入方向之后，轉(zhuǎn)臺36通過推動裝置(未示出)來推動固定框架MF，以將固定框架MF裝入固定框架收集部分37。
固定框架收集部分37安裝在可升降的安裝臺(未示出)上。通過安裝臺的豎向移動，就可以將推動裝置推動的固定框架MF裝入固定框架收集部分37的任一級中。
現(xiàn)將參照圖2至8描述半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備的一系列操作。
機(jī)械手4的晶片保持器插入盒子C之間的間隙。從下方吸附保持晶片W并一個一個地取出它們。將送出的晶片W傳送到校準(zhǔn)臺7。
由機(jī)械手4將晶片W安裝在保持臺8上，并從背側(cè)保持住晶片W。此時(shí)，由壓力計(jì)(未示出)檢測晶片W吸附水平，并將所測得的吸附水平與參照正常操作中的壓力值而確定的參考值相比較。
當(dāng)檢測到非正常吸附時(shí)，就使壓板6壓抵在晶片W的表面上，并通過矯正翹曲來使晶片W吸附保持在平直狀態(tài)。根據(jù)定向平直段或凹口來定位晶片W。
在完成了校準(zhǔn)臺7上的定位之后，由紫外線照射單元14對晶片W的表面進(jìn)行紫外線照射。
在通過保持臺8將晶片W吸附保持在校準(zhǔn)臺7上的同時(shí)，將經(jīng)過紫外線照射處理的晶片W傳送到接下去的固定框架制造部分27。校準(zhǔn)臺7移動到位于吸盤臺15和環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26之間的中間位置。
當(dāng)校準(zhǔn)臺7等待在預(yù)定位置時(shí)，位于上方的吸盤臺15向下移動，吸盤臺15的底面與晶片W接觸，并且吸盤臺15開始真空吸附晶片W。當(dāng)吸盤臺15開始進(jìn)行真空吸附時(shí)，保持臺8一側(cè)上的吸附保持作用停止，且吸盤臺15以晶片W在矯正了翹曲的平直狀態(tài)下被吸盤臺15所接受。已輸送完晶片W的校準(zhǔn)臺7回到其初始位置。
環(huán)框架傳送機(jī)構(gòu)17從頂部一個一個地真空吸附并取出疊裝在環(huán)框架供應(yīng)部分16中的環(huán)框架f。取出的環(huán)框架f被放置在校準(zhǔn)臺(未示出)上，然后被傳送到位于切分帶DT上方的切分帶DT貼附位置。
當(dāng)環(huán)框架f被環(huán)框架傳送機(jī)構(gòu)17保持住并處于切分帶DT貼附位置時(shí)，開始從帶子供應(yīng)部分19供應(yīng)切分帶DT。與此同時(shí)，貼附輥22移動到貼附開始位置。
當(dāng)貼附輥22到達(dá)貼附開始位置時(shí)，張緊機(jī)構(gòu)20抓持住切分帶DT沿寬度方向的兩端并沿帶子寬度方向施加張力。
接著，貼附輥22向上移動以將切分帶DT壓抵在環(huán)框架f的端部上并貼附它。在將切分帶DT貼附到環(huán)框架f的端部上之后，貼附輥22向作為待命位置的帶子供應(yīng)部分19一側(cè)滾動。此時(shí)，貼附輥22在推壓切分帶DT(非粘貼面)的同時(shí)滾動，從而將切分帶DT貼附到環(huán)框架f上。當(dāng)貼附輥22到達(dá)貼附位置的終點(diǎn)端時(shí)，放開張緊機(jī)構(gòu)20對切分帶DT的抓持。
與此同時(shí)，切割機(jī)構(gòu)24向上移動以沿著環(huán)框架f切割切分帶DT。在切割好切分帶DT之后，分離單元23朝向帶子供應(yīng)部分19移動并分離多余的切分帶DT。
之后，帶子供應(yīng)部分19工作以進(jìn)給切分帶DT，而切割下的帶子的多余部分則被送至帶子收集部分25。此時(shí)，貼附輥22移動到貼附開始位置以將切分帶DT貼附到下一環(huán)框架f上。
由環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26吸附保持貼附有切分帶DT的環(huán)框架f的框架部分，并向上移動它。此時(shí)，吸盤臺15也向下移動。也就是說，吸盤臺15和環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26移動到貼附晶片W的位置。
機(jī)構(gòu)15和26到達(dá)預(yù)定的位置，并由保持機(jī)構(gòu)(未示出)保持住。接著，貼附輥28移動到切分帶DT的貼附開始位置，并在按壓貼附于環(huán)框架f底面的切分帶DT的非粘貼面的同時(shí)進(jìn)行滾動，從而將切分帶DT貼附的晶片W上。結(jié)果，就制造出通過集成環(huán)框架f和晶片W來獲得的固定框架MF。
在制造好晶片W之后，吸盤臺15和環(huán)框架抬升機(jī)構(gòu)26向上移動。此時(shí)，保持臺(未示出)移動到位于固定框架MF下方的位置，并將固定框架MF安裝在保持臺上。第一固定框架傳送機(jī)構(gòu)29吸附保持安裝好的固定框架MF，并將其傳送到分離臺38上。
其上安裝了固定框架MF的分離臺38移動到位于分離單元32下方的位置，如圖7所示。當(dāng)固定框架MF到達(dá)分離單元32下方的預(yù)定位置時(shí)，分離臺38暫時(shí)停住。然后，滴液機(jī)構(gòu)39工作以從活塞噴嘴48將純水WA滴到在分離帶Ts的貼附開始端一側(cè)上的切分帶DT的粘貼面上，以使純水WA擴(kuò)散得比切分帶DT的寬度更寬，如圖6所示。
之后，刃狀件33在從帶子供應(yīng)部分31供應(yīng)的分離帶T運(yùn)轉(zhuǎn)的狀態(tài)下向下移動到預(yù)定高度。由于純水WA滴到刃狀件33向下移動的貼附開始端的位置上，故分離帶Ts和切分帶DT彼此不接觸。分離臺38也是在刃狀件33向下移動的狀態(tài)下開始移動。隨著這樣的移動，刃狀件33就在將分離帶Ts壓抵在保護(hù)帶PT上的同時(shí)將分離帶Ts貼附到晶片W表面上的保護(hù)帶PT上。在貼附分離帶Ts的同時(shí)，刃狀件33從晶片W的表面上與保護(hù)帶PT一起地分離所貼附的分離帶Ts。
當(dāng)分離臺38到達(dá)保護(hù)帶貼附終點(diǎn)端位置時(shí)，如圖8所示，刃狀件38向上移動，并且分離單元32回到初始位置。
經(jīng)過保護(hù)帶PT分離處理的固定框架MF被分離臺38移動到第二固定框架傳送機(jī)構(gòu)35的待命位置。
第二固定框架傳送機(jī)構(gòu)35將從分離機(jī)構(gòu)30送出的固定框架MF傳送到轉(zhuǎn)臺36。根據(jù)定向平直段或凹口來定位傳送過來的固定框架MF，并調(diào)整其裝入方向。在定位和裝入方向調(diào)整好之后，推動裝置推動固定框架MF，并將其裝入固定框架收集部分37。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備1的系列操作就完成了。在半導(dǎo)體晶片裝配設(shè)備中，分離臺38的移動量、停止位置及定時(shí)、刃狀件33的豎向移動及其定時(shí)、滴液機(jī)構(gòu)39從活塞噴嘴48滴下純水的量、以及類似的操作都預(yù)設(shè)在控制器(未示出)中。根據(jù)所設(shè)定的狀況，控制器以集中的方式控制諸部件。
如上所述，在分離帶Ts貼附到由環(huán)框架f保持的晶片W的表面上之前，將純水滴到在貼附開始端一側(cè)上的切分帶DT背側(cè)的粘貼面上，且使純水WA擴(kuò)散得比分離帶Ts寬并到達(dá)晶片W的端部。采用這種操作，即使當(dāng)刃狀件33在貼附分離帶Ts時(shí)貼附開始端一側(cè)上向下移動時(shí)，在刃狀件33上運(yùn)行的分離帶Ts也不會與切分帶DT的背側(cè)直接接觸。也就是說，分離帶Ts可以一預(yù)定的壓力、在晶片的端部處、從貼附開始端貼附到保護(hù)帶PT的表面上，且切分帶DT與分離帶Ts之間并不接觸。結(jié)果，就可以防止由于貼附分離帶Ts不均勻而使保護(hù)帶PT的分離精度下降。
由于純水WA用作滴到切分帶DT背側(cè)上的液體材料，所以該純水WA可以在將已從其分離了保護(hù)帶的固定框架MF傳送到下一工序的過程中自然收干。即使純水在隨后工序的切分工序中仍殘留，由于在切分時(shí)會要使用純水，所以不會產(chǎn)生任何不利的影響。
本發(fā)明并不局限于前述的實(shí)施例，而可作如下的修改。
(1)盡管在前述的實(shí)施例中是使用刃狀件33來貼附分離帶Ts的，但也可以使用輥?zhàn)觼硖娲?br> (2)盡管分離臺38是在從活塞噴嘴48滴純水時(shí)暫時(shí)停止的，但也可以由控制器來調(diào)節(jié)分離臺38的行進(jìn)而不將分離臺38停止。
(3)盡管在前述實(shí)施例中是使用純水作為液體材料的，但也可以使用諸如酒精或油之類的任何液體材料，只要這樣的材料能避免切分帶DT與分離帶Ts之間的接觸即可。
(4)盡管在前述實(shí)施例中是將純水滴到切分帶DT上的，但在倒置固定框架MF并從下方分離保護(hù)帶的情況下，液體材料可以滴到分離帶Ts一側(cè)上。在這種情況下，只要互換如圖3所示的分離機(jī)構(gòu)30的上和下部分、并將活塞噴嘴48指向分離帶Ts的粘貼面就足夠了。作為要滴的液體，可以使用其粘度能保持在分離帶Ts粘貼面上的靜止?fàn)顟B(tài)的液體材料，或者由例如通過形成純水或酒精薄霧而獲得的微粒所構(gòu)成的液體材料。
(5)盡管在前述的實(shí)施例中是在貼附粘性帶Ts時(shí)移動保持臺38的，刃狀件33和滴液機(jī)構(gòu)39可移動、而分離臺39固定?；蛘?，刃狀件33和滴液機(jī)構(gòu)39所構(gòu)成的裝置和分離臺38可以同時(shí)沿相反方向移動。
(6)盡管在前述的實(shí)施例中滴液機(jī)構(gòu)39與分離單元32是一體地形成的，但分離單元32和滴液機(jī)構(gòu)39也可以是分離的構(gòu)件并分別移動。
(7)盡管在前述的實(shí)施例中活塞噴嘴48的末端是面對正下方的，但活塞噴嘴48也可以傾斜的姿態(tài)附接以使其末端面對晶片W的端側(cè)。
(8)盡管在前述的實(shí)施例中是貼附帶形的分離帶Ts來分離保護(hù)帶PT的，但也可以使用例如包括粘性帶、標(biāo)簽或板形薄片在內(nèi)的粘性薄片，包括在加熱時(shí)表現(xiàn)出粘性的粘性帶、標(biāo)簽或板形薄片的粘性薄片，以及類似的材料?？梢云渌木唧w形式來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明而不超出本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)或主要貢獻(xiàn)的范圍。因此在示明本發(fā)明的保護(hù)范圍時(shí)應(yīng)參照所附權(quán)利要求書而非前面的說明書。
權(quán)利要求
1.一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的方法，該方法包括以下步驟從滴液裝置將液體材料至少滴到分離粘性帶的貼附開始端一側(cè)處的支承粘性帶的粘貼面上；和在液體材料滴到支承粘性帶的粘貼面上之后，在由貼附件按壓分離粘性帶的非粘貼面的同時(shí)將分離粘性帶貼附到貼附于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)帶上，并由分離裝置從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，滴到支承粘性帶的粘貼面上的液體材料是純水。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，滴到支承粘性帶的粘貼面上的液體材料是酒精。
4.一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的方法，該方法包括以下步驟由保持裝置保持半導(dǎo)體晶片，且使保護(hù)帶粘貼面朝下；從分離粘性帶供應(yīng)裝置供應(yīng)分離粘性帶，且使其粘貼面朝上以面對保護(hù)帶的表面；從滴液裝置將液體材料滴到被供應(yīng)成面對保護(hù)帶的分離粘性帶的、在貼附開始端一側(cè)的粘貼面上；以及在液體材料滴到支承粘性帶的粘貼面上之后，在由貼附件按壓分離粘性帶的非粘貼面的同時(shí)將分離粘性帶貼附到貼附于半導(dǎo)體晶片的保護(hù)帶上，并由分離裝置從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，滴到分離粘性帶的粘貼面上的液體材料是其粘度能在粘貼面上保持靜止?fàn)顟B(tài)的液體材料，或者是由微粒所構(gòu)成的液體材料。
6.一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的設(shè)備，該設(shè)備包括保持裝置，用于在其上安裝和保持由環(huán)形框架保持住的半導(dǎo)體晶片；分離粘性帶供應(yīng)裝置，用于向由保持裝置保持的半導(dǎo)體晶片供應(yīng)分離粘性帶；分離裝置，用于將分離粘性帶貼附到保護(hù)帶表面，并通過使其上安裝和保持半導(dǎo)體晶片的保持裝置和用于按壓分離粘性帶的非粘貼面的貼附件相對彼此水平移動，而從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶；滴液裝置，用于在貼附分離粘性帶之前將液體材料滴到分離粘性帶的貼附開始端一側(cè)上的支承粘性帶的粘貼面上；以及帶子收集裝置，用于與分離下來的分離粘性帶一起地收集保護(hù)帶。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，滴液裝置設(shè)置在離開貼附件沿行進(jìn)方向的前側(cè)一預(yù)定間隔處，并與貼附件一體地相對于保持裝置水平移動。
8.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，滴液裝置是噴嘴。
9.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，貼附件是刃狀件。
10.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，貼附件是輥?zhàn)印?br> 11.一種用于從由環(huán)形框架通過支承粘性帶從背側(cè)保持的、設(shè)有保護(hù)帶的半導(dǎo)體晶片分離保護(hù)帶的設(shè)備，該設(shè)備包括保持裝置，用于保持由環(huán)形框架保持住、且保護(hù)帶粘貼面朝下的半導(dǎo)體晶片；分離粘性帶供應(yīng)裝置，用于向由保持裝置保持的半導(dǎo)體晶片供應(yīng)分離粘性帶；分離裝置，用于將分離粘性帶貼附到保護(hù)帶表面，并通過使其上安裝和保持半導(dǎo)體晶片的保持裝置和用于按壓分離粘性帶的非粘貼面的貼附件相對彼此水平移動，而從半導(dǎo)體晶片的表面上一體地分離所述分離粘性帶和保護(hù)帶；滴液裝置，用于在貼附分離粘性帶之前將液體材料滴到分離粘性帶在其上貼附到保護(hù)帶的、貼附開始端一側(cè)上的分離粘性帶的粘貼面上；以及帶子收集裝置，用于與分離下來的分離粘性帶一起地收集保護(hù)帶。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其特征在于，滴液裝置是用于噴射薄霧狀純水的噴嘴。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于分離貼附在半導(dǎo)體晶片上的保護(hù)帶的設(shè)備。在利用刃狀件將分離帶壓抵在保護(hù)帶上的同時(shí)將分離帶貼附到保護(hù)帶上之前，所述保護(hù)帶貼附在由環(huán)形框架通過切分帶從背側(cè)保持住的半導(dǎo)體晶片的表面上，先從活塞噴嘴將純水滴到位于分離帶的貼附開始端前方的切分帶背側(cè)上。
文檔編號H01L21/304GK1763914SQ20051010897
公開日2006年4月26日 申請日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日
發(fā)明者山本雅之 申請人:日東電工株式會社