專(zhuān)利名稱(chēng)：一種自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種Salicide block(自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層)的刻蝕方法，尤其涉及一種能夠有效保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路工藝的日益發(fā)展，多晶硅線寬及其之間線寬間距正變得越來(lái)越窄，為了滿(mǎn)足設(shè)計(jì)的需要，這就要求Salicide block這層膜要能夠做到盡量的薄。但是Salicide block變薄后，產(chǎn)生了兩種負(fù)作用，一是由于Salicide block會(huì)產(chǎn)生數(shù)量更多的針孔，從而直接影響到salicide block性能；二是Salicide(自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物)形成前的HF(氫氟酸)刻蝕作用會(huì)對(duì)比較薄的Salicide block產(chǎn)生致命的影響，甚至將Salicide block全部洗去。
圖1是現(xiàn)在常用的Salicide block的刻蝕工藝及Salicide形成前的HF刻蝕流程。在該流程中由于受到化學(xué)氣相沉積(CVD)方法生長(zhǎng)的自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化物阻擋層本身特性的影響，經(jīng)過(guò)后續(xù)的HF刻蝕很容易破壞到很薄的自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化物阻擋層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法，它可以有效保護(hù)Salicide block。
為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種自對(duì)準(zhǔn)硅化合物阻擋層的刻蝕方法，它至少包括以下步驟第一步，NMOS、PMOS源漏注入；第二步，自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法生長(zhǎng)；第三步，涂膠；第四步，自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法掩膜版光罩；第五步，刻蝕；第六步，干法去膠；第七步，濕法去膠；第八步，源、漏擴(kuò)散退火。
第五步所述的刻蝕為濕法刻蝕。
因?yàn)楸景l(fā)明將源、漏擴(kuò)散退火這一過(guò)程放置到salicide生長(zhǎng)前的HF處理之前，利用源、漏的擴(kuò)散退火對(duì)自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法的致密化作用，大大減輕了Salicide形成前的HF刻蝕對(duì)Salicide block的刻蝕作用，從而起到了保護(hù)Salicide block的作用；另外，由原工藝的干法刻蝕更新為更為簡(jiǎn)單的濕法刻蝕，大大縮短了硅片的生產(chǎn)周期。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
圖1是現(xiàn)有Salicide block的刻蝕工藝及Salicide形成前的HF刻蝕流程示意圖；圖2是本發(fā)明Salicide block刻蝕工藝及Salicide形成前的HF刻蝕流程示意圖；圖3是采用本發(fā)明工藝方法與現(xiàn)有工藝方法下的salicide block在N型單晶硅上的方塊電阻測(cè)試結(jié)果對(duì)比示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖2所示，它是本發(fā)明Salicide block刻蝕工藝及硅化合物(Salicide)形成前的HF刻蝕流程示意圖，它包括以下步驟第一步，NMOS，PMOS源漏注入；第二步，Salicide block的刻蝕方法生長(zhǎng)；第三步，涂膠；第四步，Salicide block的刻蝕方法掩膜版光罩；第五步，濕法刻蝕；第六步，干法去膠；第七步，濕法去膠；第八步，源、漏擴(kuò)散退火。結(jié)合圖1來(lái)看，本發(fā)明工藝流程將源、漏擴(kuò)散退火這一步驟直接放置到salicide生長(zhǎng)前的HF處理之前的一步，它利用源、漏擴(kuò)散退火對(duì)Salicide block的致密化作用，大大減輕了Salicide形成前的HF刻蝕對(duì)Salicide block的刻蝕作用，數(shù)據(jù)證明經(jīng)過(guò)源、漏的擴(kuò)散退火的等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅對(duì)1∶100氫氟酸的刻蝕速率是未經(jīng)源漏擴(kuò)散退火的等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅的二分之一左右，所以，經(jīng)過(guò)源、漏的擴(kuò)散退火的salicide block更能夠經(jīng)得起salicide生長(zhǎng)前的HF刻蝕，從而起到了保護(hù)Salicide block的作用。
此外，由于經(jīng)過(guò)源、漏擴(kuò)散退火的salicide block更為致密，針孔的更少，所以為了滿(mǎn)足集成電路的工藝的不斷的發(fā)展需要，本發(fā)明工藝將Salicide block的厚度減薄為現(xiàn)有的二分之一到三分之二。比如在某一用等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅產(chǎn)品的作為salicideblock，在現(xiàn)有工藝狀況下，至少需要400～500埃的二氧化硅才能實(shí)現(xiàn)Salicide block的性能，但是在相同條件下，采用本發(fā)明工藝方法時(shí)，只需200～300埃就可以實(shí)現(xiàn)Salicide block的性能。隨著Salicideblock的厚度的減薄，新工藝簡(jiǎn)化了salicide block的刻蝕工藝，由原工藝的干法刻蝕更新為更為簡(jiǎn)單的濕法刻蝕，大大縮短了硅片的生產(chǎn)周期。其根本的原因是隨salicide block厚度的減薄，具備各向同性特性的濕法刻蝕對(duì)salicide block側(cè)面的刻蝕量已經(jīng)相當(dāng)小，基本可以忽略。
如圖3所示，它是同一批次的硅片，在其他工藝條件完全相同的情況下，采用本發(fā)明工藝方法與現(xiàn)有工藝方法下的salicide block在N型單晶硅上的方塊電阻測(cè)試結(jié)果對(duì)比示意圖。其中，曲線1表示現(xiàn)有工藝方法下的方塊電阻，曲線2表示是本發(fā)明工藝方法下的方塊電阻。由曲線1、2可見(jiàn)，用本發(fā)明工藝方法的salicide block與現(xiàn)有工藝方法的salicide block的方塊電阻的大小完全相同，但是本發(fā)明工藝方法的salicide block的厚度僅為現(xiàn)有工藝方法的salicide block的二分之一到三分之二。顯然，將源、漏擴(kuò)散退火這一過(guò)程放置到salicide生長(zhǎng)前的HF處理之前可以有效地保護(hù)Salicide block，并簡(jiǎn)化salicideblock的刻蝕工藝。
權(quán)利要求
1.一種自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，它至少包括以下步驟第一步，NMOS、PMOS源漏注入；第二步，自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層生長(zhǎng)；第三步，涂膠；第四步，自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層掩膜版光罩；第五步，刻蝕；第六步，干法去膠；第七步，濕法去膠；第八步，源、漏擴(kuò)散退火。
2.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，第五步所述的刻蝕為濕法刻蝕。
3.如權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法，其特征在于，第二步所述自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層生長(zhǎng)的厚度為現(xiàn)有自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層生長(zhǎng)的厚度的二分之一到三分之二之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的刻蝕方法，它可以有效保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層。它至少依次包括以下步驟NMOS，PMOS源漏注入；自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層生長(zhǎng)；涂膠；自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層掩膜版光罩；濕法刻蝕；干法去膠；濕法去膠；源漏擴(kuò)散退火。因?yàn)楸景l(fā)明將源、漏擴(kuò)散退火這一過(guò)程放置到salicide生長(zhǎng)前的HF處理之前，利用源、漏擴(kuò)散退火對(duì)自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化合物阻擋層的致密化作用，大大減輕了Salicide形成前的HF刻蝕對(duì)Salicide block的刻蝕作用，從而起到了保護(hù)Salicide block的作用；另外，由原工藝的干法刻蝕更新為更為簡(jiǎn)單的濕法刻蝕，大大縮短了硅片的生產(chǎn)周期。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK1964003SQ20051011012
公開(kāi)日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月8日
發(fā)明者周貫宇 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司