專利名稱：超低溫二極管玻殼的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種超低溫二極管玻殼。
背景技術：
現(xiàn)有技術中，制造二極管玻殼的原料可分為18號電子料、高溫料、低溫料等，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在封接溫度(軟化點)的高低，低的封接溫度不但封接時工況溫度比較低，可以節(jié)省加熱能源，而且低的封接溫度對二極管內(nèi)各配套元件的溫度影響比較小，從而相比可以不同程度地提高二極管的電性能，因此可以用來制造性能優(yōu)良的特殊用途的二極管。但是，由于軟化點較低，玻璃材質設計中的技術要求特別高，既要加入低熔點成分，又要保持它的合適的膨脹值、化學穩(wěn)定性以及電性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種超低溫二極管玻殼，具有比較低的封接溫度，對引線、芯片的電性能影響比較小，可以節(jié)約能源消耗，提高生產(chǎn)效率。
本發(fā)明的技術方案是一種超低溫二極管玻殼，其原料包括PbO 70-73.5％SiO224-28％K2O 1.05-2.55％。
本發(fā)明的優(yōu)點是1.封接溫度低本發(fā)明的封接溫度比目前市場使用的低溫料還低40℃，由于封接溫度超高，二極管的電性能超差，所以本發(fā)明對引線、芯片的電性能影響比較小。
2.節(jié)約能源本發(fā)明比較低的封接溫度，可導致企業(yè)能源消耗也隨之降低。
3.提高生產(chǎn)效率封接溫度的降低，可以使二極管的生產(chǎn)時間縮短，從而提高了生產(chǎn)效率。
下面結合實施例對本發(fā)明作進一步的描述

圖1為本發(fā)明的工藝流程圖；圖2為本發(fā)明與現(xiàn)有技術的性能比較表。
具體實施例方式
實施例一種超低溫二極管玻殼，采用下列配方氧化鉛71.526％氧化硅25.761％氧化鉀1.728％。
圖1為本發(fā)明的工藝流程圖，主要包括原料、化學分析、混料、熔制、拉管成型、裁管等步驟。
本發(fā)明的封接溫度比目前市場使用的低溫料還低40℃，由于封接溫度超高，二極管的電性能超差，所以本發(fā)明對引線、芯片的電性能影響比較小。
本發(fā)明比較低的封接溫度，可導致企業(yè)能源消耗也隨之降低。
封接溫度的降低，可以使二極管的生產(chǎn)時間縮短，從而提高了生產(chǎn)效率。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術的主要性能指標比較如圖2所示。
權利要求
1.一種超低溫二極管玻殼，其原料包括PbO 70-73.5％SiO224-28％K2O1.05-2.55％。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超低溫二極管玻殼，其原料包括PbO70－73.5％、SiO
文檔編號H01L23/02GK1810690SQ200510122798
公開日2006年8月2日 申請日期2005年11月30日 優(yōu)先權日2005年11月30日
發(fā)明者沈上達 申請人:建大電子(蘇州)有限公司