專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝方法，尤其涉及可以避免焊墊暴露于外而產(chǎn)生氧化的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其工藝方法。
背景技術(shù)：
在一般的晶片制造過程中，當(dāng)半導(dǎo)體元件完成前段工藝加工(如集成電路設(shè)計(jì)等)之后，便會(huì)將晶片送至封裝廠進(jìn)行封裝、檢測(cè)等后段工程。
圖1為現(xiàn)有一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝前的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，一般來說，晶片在進(jìn)行封裝之前，會(huì)先在已形成有焊墊102與熔絲結(jié)構(gòu)104的襯底100上形成一層保護(hù)層106，其中襯底100中包括有利用一般半導(dǎo)體工藝所完成的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)、導(dǎo)線或是其他半導(dǎo)體元件(未繪示)。然后，進(jìn)行二次光刻工藝與蝕刻工藝，一次是于焊墊區(qū)101的保護(hù)層106中形成開口108，暴露出焊墊102，而另一次是于熔絲區(qū)103的保護(hù)層106中形成開口110，并留下部分保護(hù)層106于熔絲結(jié)構(gòu)104上，以作為后續(xù)進(jìn)行激光修補(bǔ)之用。之后，再將晶片運(yùn)送至封裝廠進(jìn)行后續(xù)的工藝。
然而，晶片在運(yùn)送至封裝廠的過程中，暴露出來的焊墊102與外界接觸后，非常容易產(chǎn)生氧化的現(xiàn)象或遭到損害，因此必須相當(dāng)謹(jǐn)慎的控制晶片的運(yùn)送時(shí)間，因此一般焊墊102暴露在外界的時(shí)間必須控制在七天之內(nèi)。此外，由于形成開口108與開口110時(shí)，需要用到二道光掩模，因而必須消耗較多的時(shí)間及生產(chǎn)成本。另外，為了使激光修補(bǔ)能夠有最佳的效果，因此在熔絲區(qū)103進(jìn)行蝕刻時(shí)必須相當(dāng)謹(jǐn)慎，以控制位于熔絲結(jié)構(gòu)上的保護(hù)層106的厚度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以避免焊墊與外界接觸而氧化。
本發(fā)明的另一目的是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以防止焊墊在晶片的運(yùn)送過程中受到損害。
本發(fā)明的又一目的是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，可以減少工藝中所使用光掩模的數(shù)目。
本發(fā)明的再一目的是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，可以降低生產(chǎn)成本以及工藝時(shí)間。
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一襯底、一焊墊、一熔絲結(jié)構(gòu)與一保護(hù)層。襯底具有焊墊區(qū)與熔絲區(qū)。焊墊配置于焊墊區(qū)的襯底中。熔絲結(jié)構(gòu)配置于熔絲區(qū)的襯底中。保護(hù)層配置于襯底上，覆蓋焊墊區(qū)與熔絲區(qū)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的保護(hù)層的厚度例如介于500～1000之間。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的保護(hù)層的材質(zhì)例如為絕緣材料。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的焊墊的材質(zhì)例如為銅。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的熔絲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)例如為銅。
本發(fā)明還提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一襯底、一焊墊、一熔絲結(jié)構(gòu)、一第一保護(hù)層與一第二保護(hù)層。襯底具有焊墊區(qū)與熔絲區(qū)。焊墊配置于焊墊區(qū)的襯底中。熔絲結(jié)構(gòu)配置于熔絲區(qū)的襯底中。第一保護(hù)層配置于襯底上，且暴露出焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)。第二保護(hù)層配置于襯底上，覆蓋第一保護(hù)層、焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的第二保護(hù)層的厚度例如介于500～1000之間。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的第二保護(hù)層的材質(zhì)例如為絕緣材料。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的第一保護(hù)層例如為氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅層與氮化硅層所組成的復(fù)合層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的第一保護(hù)層的厚度例如介于4000～5000之間。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的焊墊的材質(zhì)例如為銅。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，上述的熔絲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)例如為銅。
本發(fā)明又提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，首先，提供一襯底，此襯底具有一焊墊區(qū)與一熔絲區(qū)，且焊墊區(qū)的襯底中已形成有焊墊以及熔絲區(qū)的襯底中已形成有熔絲結(jié)構(gòu)。接著，進(jìn)行至少一檢測(cè)步驟。之后，于襯底上形成第一保護(hù)層，覆蓋焊墊區(qū)與熔絲區(qū)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的第一保護(hù)層的厚度例如介于500～1000之間。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的第一保護(hù)層的材質(zhì)例如為絕緣材料。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的至少一檢測(cè)步驟例如為電性檢測(cè)步驟或第一良率檢測(cè)步驟。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的電性檢測(cè)步驟例如為晶片接受度測(cè)試(wafer acceptance test，WAT)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還可以于第一良率檢測(cè)步驟之后以及形成第一保護(hù)層之前，進(jìn)行激光修補(bǔ)步驟以及進(jìn)行第二良率檢測(cè)步驟。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還可以于至少一檢測(cè)步驟之前，于襯底上形成第二保護(hù)層，且暴露出焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明再提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，首先，提供一襯底，此襯底具有一焊墊區(qū)與一熔絲區(qū)，且焊墊區(qū)的襯底中已形成有焊墊以及熔絲區(qū)的襯底中已形成有熔絲結(jié)構(gòu)。接著，進(jìn)行第一檢測(cè)步驟。然后，于襯底上形成第一保護(hù)層，覆蓋焊墊區(qū)與熔絲區(qū)。然后，移除焊墊上的第一保護(hù)層，以形成焊墊開口。之后，進(jìn)行第二檢測(cè)步驟。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的第一保護(hù)層的厚度例如介于500～1000之間。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的第一保護(hù)層的材質(zhì)例如為絕緣材料。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的第一檢測(cè)步驟例如為電性檢測(cè)步驟。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的電性檢測(cè)步驟例如為晶片接受度測(cè)試。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，上述的第二檢測(cè)步驟例如為第一良率檢測(cè)步驟。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還可以于第一良率檢測(cè)步驟之后，進(jìn)行激光修補(bǔ)步驟以及進(jìn)行第二良率檢測(cè)步驟。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還可以于第一檢測(cè)步驟之前，于襯底上形成第二保護(hù)層，且暴露出焊墊與熔絲結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)因?yàn)橛谝r底上配置一層保護(hù)層，并同時(shí)覆蓋焊墊及熔絲結(jié)構(gòu)，因此可以避免暴露出焊墊，以防止焊墊因外界的濕氣而氧化。此外，對(duì)于熔絲結(jié)構(gòu)上的保護(hù)層的厚度也更容易控制，而可以達(dá)到最佳的激光修補(bǔ)效果。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于工藝中，因?yàn)椴恍枰謩e于焊墊區(qū)及熔絲區(qū)形成二個(gè)不同的開口，所以不用進(jìn)行二次蝕刻工藝，即不需使用二道光掩模，故可以節(jié)省生產(chǎn)成本以及工藝時(shí)間。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝前的剖面示意圖；圖2A為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2B為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3A至圖3C為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法的流程剖面圖；圖4A至圖4C為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法的流程剖面圖。
主要元件符號(hào)說明20a、20b半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100、200襯底101、201焊墊區(qū)102、202焊墊103、203熔絲區(qū)104、204熔絲結(jié)構(gòu)106、206、207保護(hù)層
108、110、208、210開口209焊墊開口具體實(shí)施方式
圖2A為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20a包括襯底200、焊墊202、熔絲結(jié)構(gòu)204與保護(hù)層206。襯底200具有焊墊區(qū)201與熔絲區(qū)203。焊墊202配置于焊墊區(qū)201的襯底200中，焊墊202的材質(zhì)例如為銅。熔絲結(jié)構(gòu)204配置于熔絲區(qū)203的襯底200中，熔絲結(jié)構(gòu)204的材質(zhì)例如為銅。保護(hù)層206配置于襯底200上，覆蓋焊墊區(qū)201與熔絲區(qū)203。保護(hù)層206的厚度例如介于500～1000之間，其材質(zhì)例如為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或一般熟知的絕緣材料。值得一提的是，當(dāng)晶片運(yùn)送至封裝廠的過程中，位于焊墊202上的保護(hù)層206可以防止焊墊202暴露于外界而遇到濕氣產(chǎn)生氧化現(xiàn)象，且當(dāng)晶片于封裝廠進(jìn)行后續(xù)工藝時(shí)，只需將焊墊202上的保護(hù)層206移除形成焊墊開口即可。另外，位于熔絲結(jié)構(gòu)204上的保護(hù)層206則可以作為后續(xù)進(jìn)行激光修補(bǔ)之用。
圖2B為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在本實(shí)施例中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20b與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20a的差異在于，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20b多了一層保護(hù)層207配置于襯底200上，且暴露出焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204，而保護(hù)層206則配置于襯底200上，覆蓋保護(hù)層207、焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204。保護(hù)層207例如為氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅層與氮化硅層所組成的復(fù)合層，其厚度例如介于4000～5000之間。在本實(shí)施例中，因?yàn)橛谝r底200上配置了保護(hù)層207，因此熔絲區(qū)203在進(jìn)行激光修補(bǔ)時(shí)，保護(hù)層207可以防止激光修補(bǔ)過程中所產(chǎn)生的微粒掉落于焊墊區(qū)201而對(duì)產(chǎn)品的良率造成影響。
以下將以半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20b為例，對(duì)晶片在進(jìn)行封裝之前的工藝做說明。
圖3A至圖3C為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法的流程剖面圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，提供襯底200，襯底200具有焊墊區(qū)201與熔絲區(qū)203，且焊墊區(qū)201的襯底20中已形成有焊墊202以及熔絲區(qū)203的襯底200中已形成有熔絲結(jié)構(gòu)204。此外，襯底200中還包括有利用一般半導(dǎo)體工藝所完成的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)、導(dǎo)線或是其他半導(dǎo)體元件(未繪示)。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，于襯底200上形成保護(hù)層207。之后，進(jìn)行蝕刻工藝，以于焊墊區(qū)201形成開口208，以及于熔絲區(qū)203形成開口210，并暴露出焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204。值得注意的是，開口208與開口210是于蝕刻工藝中同時(shí)形成，因此只需使用一道光掩模，因而節(jié)省了工藝時(shí)間與生產(chǎn)成本。接著，于焊墊區(qū)201進(jìn)行電性檢測(cè)步驟，電性檢測(cè)步驟例如為晶片接受度測(cè)試。然后，接著進(jìn)行第一良率檢測(cè)步驟。當(dāng)晶片被檢測(cè)出有缺陷時(shí)，便于熔絲區(qū)203進(jìn)行激光修補(bǔ)步驟，然后再進(jìn)行第二良率檢測(cè)步驟，以檢測(cè)經(jīng)激光修補(bǔ)后是否仍有缺陷存在。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，于襯底200上形成保護(hù)層206，覆蓋保護(hù)層207、焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204。然后，再將晶片運(yùn)送至封裝廠進(jìn)行后續(xù)的工藝。由于襯底200上已形成有保護(hù)層206覆蓋于焊墊202上，因此在晶片的運(yùn)送過程中，可以避免焊墊202與外界接觸而氧化。此外，當(dāng)保護(hù)層206形成后，也可以增加晶片的閑置時(shí)間(queue time)，而不必限定于7天內(nèi)對(duì)晶片進(jìn)行后續(xù)的封裝工藝。
此外，在另一實(shí)施例中，也可以省略形成保護(hù)層207的步驟，而于形成焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204之后，直接進(jìn)行良率檢測(cè)，然后再于襯底200上形成保護(hù)層206。
圖4A至圖4C為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法的流程剖面圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4A，提供襯底200，襯底200具有焊墊區(qū)201與熔絲區(qū)203，且焊墊區(qū)201的襯底200中已形成有焊墊202，而熔絲區(qū)203的襯底200中已形成有熔絲結(jié)構(gòu)204。然后，于襯底200上形成保護(hù)層207。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，進(jìn)行蝕刻工藝，以于焊墊區(qū)201形成開口208，以及于熔絲區(qū)203形成開口210，并暴露出焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204。然后，于焊墊區(qū)201進(jìn)行電性檢測(cè)步驟，電性檢測(cè)步驟例如為晶片接受度測(cè)試。然后，于襯底200上形成保護(hù)層206，覆蓋焊墊區(qū)201與熔絲區(qū)203。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，將晶片運(yùn)送至封裝廠進(jìn)行后續(xù)的工藝。首先，移除焊墊202上的保護(hù)層206，以形成焊墊開口209。然后，于焊墊區(qū)201進(jìn)行第一良率檢測(cè)步驟。當(dāng)晶片被檢測(cè)出有缺陷時(shí)，便于熔絲區(qū)203進(jìn)行激光修補(bǔ)步驟，然后再進(jìn)行第二良率檢測(cè)步驟，以檢測(cè)經(jīng)激光修補(bǔ)后是否仍有缺陷存在。而后，再對(duì)晶片進(jìn)行后續(xù)的封裝工藝。
同樣地，在另一實(shí)施例中，也可以省略形成保護(hù)層207的步驟，而于形成焊墊202與熔絲結(jié)構(gòu)204之后，直接進(jìn)行電性檢測(cè)步驟。
綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)因?yàn)橛谝r底上配置一層保護(hù)層來覆蓋焊墊及熔絲結(jié)構(gòu)，因此可以避免工藝中焊墊暴露于外界而產(chǎn)生氧化，并且可以更容易地控制熔絲結(jié)構(gòu)上的保護(hù)層的厚度，以達(dá)到最佳的激光修補(bǔ)效果。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于工藝中，僅進(jìn)行一次蝕刻工藝而同時(shí)于焊墊區(qū)以及熔絲區(qū)的保護(hù)層中形成開口，因此只需使用一道光掩模，因而節(jié)省了生產(chǎn)成本與工藝時(shí)間。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一襯底，該襯底具有一焊墊區(qū)與一熔絲區(qū)；一焊墊，配置于該焊墊區(qū)的該襯底中；一熔絲結(jié)構(gòu)，配置于該熔絲區(qū)的該襯底中；以及一保護(hù)層，配置于該襯底上，覆蓋該焊墊區(qū)與該熔絲區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層的厚度介于500～1000之間。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層的材質(zhì)包括絕緣材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該焊墊的材質(zhì)包括銅。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該熔絲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括銅。
6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一襯底，該襯底具有一焊墊區(qū)與一熔絲區(qū)；一焊墊，配置于該焊墊區(qū)的該襯底中；一熔絲結(jié)構(gòu)，配置于該熔絲區(qū)的該襯底中；一第一保護(hù)層，配置于該襯底上，且暴露出該焊墊與該熔絲結(jié)構(gòu)；以及一第二保護(hù)層，配置于該襯底上，覆蓋該第一保護(hù)層、該焊墊與該熔絲結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二保護(hù)層的厚度介于500～1000之間。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二保護(hù)層的材質(zhì)包括絕緣材料。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一保護(hù)層包括氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅層與氮化硅層所組成的復(fù)合層。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一保護(hù)層的厚度介于4000～5000之間。
11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該焊墊的材質(zhì)包括銅。
12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該熔絲結(jié)構(gòu)的材質(zhì)包括銅。
13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，包括提供一襯底，該襯底具有一焊墊區(qū)與一熔絲區(qū)，且該焊墊區(qū)的該襯底中已形成有一焊墊以及該熔絲區(qū)的該襯底中已形成有一熔絲結(jié)構(gòu)；進(jìn)行至少一檢測(cè)步驟；以及于該襯底上形成一第一保護(hù)層，覆蓋該焊墊區(qū)與該熔絲區(qū)。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該第一保護(hù)層的厚度介于500～1000之間。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該第一保護(hù)層的材質(zhì)包括絕緣材料。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該至少一檢測(cè)步驟包括一電性檢測(cè)步驟或一第一良率檢測(cè)步驟。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該電性檢測(cè)步驟包括晶片接受度測(cè)試。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還包括于該第一良率檢測(cè)步驟之后以及形成該第一保護(hù)層之前，進(jìn)行一激光修補(bǔ)步驟以及進(jìn)行一第二良率檢測(cè)步驟。
19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還包括于該至少一檢測(cè)步驟之前，于該襯底上形成一第二保護(hù)層，且暴露出該焊墊與該熔絲結(jié)構(gòu)。
20.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，包括提供一襯底，該襯底具有一焊墊區(qū)與一熔絲區(qū)，且該焊墊區(qū)的該襯底中已形成有一焊墊以及該熔絲區(qū)的該襯底中已形成有一熔絲結(jié)構(gòu)；進(jìn)行一第一檢測(cè)步驟；于該襯底上形成一第一保護(hù)層，覆蓋該焊墊區(qū)與該熔絲區(qū)；移除該焊墊上的該第一保護(hù)層，以形成一焊墊開口；以及進(jìn)行一第二檢測(cè)步驟。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該第一保護(hù)層的厚度介于500～1000之間。
22.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該第一保護(hù)層的材質(zhì)包括絕緣材料。
23.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該第一檢測(cè)步驟包括一電性檢測(cè)步驟。
24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該電性檢測(cè)步驟包括晶片接受度測(cè)試。
25.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，其中該第二檢測(cè)步驟包括一第一良率檢測(cè)步驟。
26.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還包括于該第一良率檢測(cè)步驟之后，進(jìn)行一激光修補(bǔ)步驟以及進(jìn)行一第二良率檢測(cè)步驟。
27.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝方法，還包括于該第一檢測(cè)步驟之前，于該襯底上形成一第二保護(hù)層，且暴露出該焊墊與該熔絲結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一襯底、一焊墊、一熔絲結(jié)構(gòu)與一保護(hù)層。襯底具有焊墊區(qū)與熔絲區(qū)。焊墊配置于焊墊區(qū)的襯底中。熔絲結(jié)構(gòu)配置于熔絲區(qū)的襯底中。保護(hù)層配置于襯底上，覆蓋焊墊區(qū)與熔絲區(qū)，以避免焊墊氧化。
文檔編號(hào)H01L23/525GK1979817SQ20051012970
公開日2007年6月13日 申請(qǐng)日期2005年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月1日
發(fā)明者吳炳昌 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司