專利名稱：液晶顯示板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)板，更具體地，涉及這樣的LCD板及其制造方法，其適于通過防止由液晶材料的膨脹導(dǎo)致的缺陷而提高保持單元間隙(cell gap)的可靠性。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)裝置通過向液晶層施加電場(chǎng)而控制光透射率，從而顯示圖像。為此，LCD裝置包括具有以矩陣形狀設(shè)置的液晶晶元的LCD板、和用于驅(qū)動(dòng)該LCD板的驅(qū)動(dòng)電路。該LCD板包括設(shè)置成彼此面對(duì)的薄膜晶體管(TFT)陣列基板和濾色器陣列基板；設(shè)置成保持這兩個(gè)基板之間固定單元間隙的間隔體；以及填充在該單元間隙中的液晶材料。
在過去幾年中已提出各種類型的LCD板結(jié)構(gòu)以解決特定問題。具體地，LCD板中的間隔體在TFT陣列基板與濾色器陣列基板之間提供了特定單元間隙。然而，由于在該間隙中的液晶受到高溫時(shí)膨脹，因此保持該單元間隙的可靠性降低。為了解決這個(gè)問題，最近提出了一種用于LCD板的雙間隔體結(jié)構(gòu)。
圖1是表示采用現(xiàn)有技術(shù)的雙間隔體結(jié)構(gòu)的LCD板的平面圖。如圖1所示，LCD板以TFT陣列基板和柱狀間隔體為中心。圖2A是表示沿圖1的線I-I’截取的TFT陣列基板的剖視圖，并且圖2B表示沿線II-II’截取的TFT陣列基板的剖視圖。
圖1、圖2A和圖2B中所示的LCD板包括濾色器陣列基板60；TFT陣列基板70；以及液晶材料(未示出)，其被注入濾色器陣列基板60與TFT陣列基板70之間的內(nèi)部空間中。濾色器陣列基板60包括黑底(blackmatrix)64、濾色器66、主柱狀間隔體(column spacer)24、輔助柱狀間隔體23、以及形成在上基板62上的上配向膜58。TFT陣列基板70包括薄膜晶體管6、像素電極18、以及形成在下基板42上的下配向膜52。
在濾色器陣列基板60中，黑底64形成在上基板62上與形成在下基板42上的選通線2、數(shù)據(jù)線4和TFT 6相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，并且提供了待形成濾色器66的單元區(qū)域(cell area)。黑底64防止漏光并吸收外部光，從而增加對(duì)比度。在使用垂直方向電場(chǎng)的TN(扭轉(zhuǎn)向列)型中，可以在濾色器66上形成公共電極(未示出)。相反，在使用水平方向電場(chǎng)的IPS(面內(nèi)切換)型中，可以在TFT陣列基板70上形成公共電極(未示出)。
TFT陣列基板70包括選通線2和數(shù)據(jù)線4，它們形成在下基板42上以彼此交叉，在它們之間具有柵絕緣膜44；形成在各交叉部分處的TFT6；以及像素電極18，其形成在由所述交叉結(jié)構(gòu)限定的單元區(qū)域中。TFT陣列基板70還包括形成在選通線2與下一級(jí)(next stage)像素電極18的交疊部分中的存儲(chǔ)電容器。(圖1顯示了下一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容器20。)TFT 6包括與選通線2相連的柵極8；與數(shù)據(jù)線4相連的源極10；與像素電極18相連的漏極12；以及形成在柵極8上的有源層14，在源極10與漏極12之間設(shè)有溝道。有源層14與數(shù)據(jù)線4、源極10和漏極12交疊，并且在源極10與漏極12之間包括溝道部分。還在有源層14上形成有歐姆接觸層47，以與數(shù)據(jù)線4、源極10和漏極12歐姆接觸。有源層14和歐姆接觸層47限定了半導(dǎo)體圖案48。
在TFT 6中，響應(yīng)于供應(yīng)給選通線2的選通信號(hào)，供應(yīng)給數(shù)據(jù)線4的像素電壓信號(hào)對(duì)像素電極18充電。為此，像素電極18通過貫穿鈍化膜50的接觸孔17與TFT 6的漏極12相連。像素電極18生成與公共電極(未示出)的電位差。該電位差使位于TFT陣列基板70與濾色器陣列基板60之間的液晶因介電各向異性而旋轉(zhuǎn)。液晶的旋轉(zhuǎn)將通過像素電極18從光源(未示出)入射的光發(fā)射到上基板上。
圖1中所示的存儲(chǔ)電容器20實(shí)際上是用于下一級(jí)像素的存儲(chǔ)電容器。因此，存儲(chǔ)電容器20包括前一級(jí)選通線2、和與該前一級(jí)選通線2交疊的像素電極18(部分示出)，在它們之間形成有柵絕緣膜44和鈍化膜50。存儲(chǔ)電容器20有助于保持在像素電極18中充電的像素電壓，直到充有下一像素電壓。
主柱狀間隔體24位于與存儲(chǔ)電容器20交疊的區(qū)域中，并且輔助柱狀間隔體23位于與選通線2交疊的區(qū)域中。另外，主柱狀間隔體24和輔助柱狀間隔體23定位成與濾色器陣列基板60的黑底64交疊。
主柱狀間隔體24與TFT陣列基板70接觸以保持單元間隙。為此，存儲(chǔ)電容器20位于主柱狀間隔體24的下部，并通過由上存儲(chǔ)電極54形成的臺(tái)階差限定，該上存儲(chǔ)電極54由源/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案形成。
輔助柱狀間隔體23設(shè)置成通常浮在TFT陣列基板70上方，并用于防止在液晶膨脹時(shí)產(chǎn)生缺陷。另外，當(dāng)向基板施加外部壓力時(shí)，輔助柱狀間隔體23開始與TFT陣列基板70接觸，從而加強(qiáng)主柱狀間隔體24以保持單元間隙。
在現(xiàn)有技術(shù)的具有雙間隔體結(jié)構(gòu)的LCD板中，如果TFT陣列基板70的鈍化膜50由例如光丙稀(photo-acryl)的有機(jī)材料形成，則該雙間隔體結(jié)構(gòu)并不能適當(dāng)?shù)貓?zhí)行其功能。例如，圖3中所示的LCD板具有由有機(jī)材料形成的TFT陣列基板70的鈍化膜50。當(dāng)鈍化膜50由有機(jī)材料形成時(shí)，在TFT陣列基板70內(nèi)不會(huì)生成臺(tái)階差。因此，在主柱狀間隔體24與輔助柱狀間隔體23之間不會(huì)有高度差。結(jié)果，在現(xiàn)有技術(shù)的采用有機(jī)鈍化膜50的LCD板中，失去了防止因液晶膨脹導(dǎo)致的缺陷以及通過使用雙間隔體結(jié)構(gòu)而獲得增加單元可靠性這樣的優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明意在一種液晶顯示(LCD)板，其基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的目的是提供一種LCD板，其適于增加保持單元間隙的可靠性并防止由于液晶膨脹導(dǎo)致的缺陷。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面描述中闡明，其部分根據(jù)該描述而明了，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)施而得知。通過在所寫說明書及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，將實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體實(shí)施和廣義描述的，一種液晶顯示板包括濾色器陣列基板，其具有第一柱狀間隔體和第二柱狀間隔體，該第一柱狀間隔體部分插入到第一孔中；以及薄膜晶體管(TFT)陣列基板，其與該濾色器陣列基板面對(duì)并具有保護(hù)性鈍化膜。
在另一方面中，一種液晶顯示板的制造方法包括形成一濾色器陣列基板，該濾色器陣列基板具有第一柱狀間隔體和第二柱狀間隔體，該第一柱狀間隔體部分插入到第一孔中；形成薄膜晶體管(TFT)陣列基板，其具有保護(hù)性鈍化膜；以及將該濾色器陣列基板與TFT陣列基板附著在一起。
應(yīng)該理解，上述總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，旨在提供對(duì)所要保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。


包含附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且將其并入，以構(gòu)成本說明的一部分，附圖顯示了本發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的采用雙間隔體結(jié)構(gòu)的液晶顯示(LCD)板的平面圖；圖2A和圖2B分別是沿著圖1的線I-I’和II-II’截取的剖視圖；圖3是表示現(xiàn)有技術(shù)的具有有機(jī)鈍化膜的LCD板的視圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的LCD板的視圖；圖5是表示當(dāng)形成圖4的紅色濾色器時(shí)使用的示例性掩模的視圖；圖6A至圖6E是用于說明本發(fā)明的LCD板的濾色器陣列基板的示例性制造方法的視圖；圖7是表示本發(fā)明的LCD板的薄膜晶體管(TFT)陣列基板的示例性制造方法的流程圖；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的LCD板的平面圖；以及圖9A和圖9B分別是沿著圖8的線III-III’和IV-IV’截取的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中示出了其示例。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的液晶顯示(LCD)板的剖視圖。圖4中所示的LCD板包括布置成彼此面對(duì)的濾色器陣列基板160和TFT陣列基板170，在它們之間具有主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123。TFT基板170包括選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線104，它們形成在下基板142上彼此交叉，并在它們之間具有柵絕緣圖案144；形成在各交叉部分處的TFT 106；以及像素電極118，其形成在由所述交叉結(jié)構(gòu)限定的單元區(qū)域中。
TFT 106包括與選通線相連的柵極108；與數(shù)據(jù)線104相連的源極110；與像素電極118相連的漏極112；以及與柵極108交疊的有源層114，在源極110和漏極112之間形成有溝道。有源層114形成為與數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112交疊，并且在源極110和漏極112之間包括溝道。在有源層114上形成有歐姆接觸層147，以與數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112歐姆接觸。有源層114和歐姆接觸層147限定了半導(dǎo)體圖案148。
在TFT 106中，響應(yīng)于供應(yīng)給選通線102的選通信號(hào)，供應(yīng)給數(shù)據(jù)線104的像素電壓信號(hào)對(duì)像素電極118充電。為此，像素電極118通過貫穿鈍化膜150的第一接觸孔117與TFT 106的漏極112相連。像素電極118通過所充的像素電壓而生成與公共電極(未示出)的電位差。該電位差使位于TFT陣列基板170與濾色器陣列基板160之間的液晶因介電各向異性而旋轉(zhuǎn)，從而允許通過像素電極118從光源(未示出)入射的光發(fā)射到上基板上。
濾色器陣列基板160包括在上基板162上的黑底164，其限定了待形成濾色器166的單元區(qū)域。濾色器166形成在由黑底164分割的該單元區(qū)域中。主柱狀間隔體124形成在濾色器166和黑底164上，而輔助柱狀間隔體123形成在黑底164上。上配向膜158形成在上基板162的整個(gè)表面上。
黑底164形成在上基板162上的與下基板142的數(shù)據(jù)線(未示出)、選通線(未示出)和TFT 106區(qū)域相對(duì)應(yīng)處，并提供待形成濾色器166的單元區(qū)域。黑底164防止漏光并吸收外部光，從而增加對(duì)比度。濾色器166形成在由黑底164分割的單元區(qū)域中。在使用垂直方向電場(chǎng)的TN(扭轉(zhuǎn)向列)型中，可以在濾色器上以形成公共電極(未示出)。相反，在使用水平方向電場(chǎng)的IPS(面內(nèi)切換)型中，可以在TFT陣列基板上形成公共電極(未示出)。因此，在TN型中，可以在濾色器與柱狀間隔體123和124之間形成公共電極。
主柱狀間隔體124與TFT陣列基板170接觸，從而保持單元間隙。另一方面，輔助柱狀間隔體123布置成浮在TFT陣列基板170上方，通常在它們之間具有指定距離，并且用于防止當(dāng)液晶膨脹時(shí)產(chǎn)生缺陷。因此，當(dāng)向基板施加外部壓力時(shí)，輔助柱狀間隔體123開始與TFT陣列基板170接觸，從而加強(qiáng)主柱狀間隔體124以保持單元間隙。為此，在濾色器陣列基板160上設(shè)置有指定的第一孔172，并且輔助柱狀間隔體123部分地形成在該第一孔172中。
更具體地，該第一孔172形成在濾色器166(例如，紅色(R)濾色器)的待形成輔助柱狀間隔體123的區(qū)域中。如圖5所示，通過使用掩模180執(zhí)行光刻工藝。掩模180包括遮蔽部分180b，其阻截在待形成紅色(R)濾色器的區(qū)域中的光；以及透射部分180a，其透射待形成輔助柱狀間隔體123和紅色R濾色器的區(qū)域之外的區(qū)域中的光。因此，紅色(R)濾色器形成有凹槽172，該凹槽使得在相鄰區(qū)域中的黑底164露出該紅色(R)濾色器。然后，分別執(zhí)行用于形成綠色(G)和藍(lán)色(B)濾色器的光刻工藝，從而如圖5所示，形成具有凹槽172的濾色器166。
在根據(jù)上述方法形成濾色器166之后，在TN型的情況下，可以形成公共電極(未示出，)或者在IPS型的情況下，形成保護(hù)層(overcoatlayer)。然后將輔助柱狀間隔體123形成在第一孔172中，從而可以形成相對(duì)于上基板162的表面具有不同高度的主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123。
結(jié)果，即使在TFT陣列基板170中采用有機(jī)鈍化膜150，也可以在濾色器陣列基板160中形成臺(tái)階差。這樣，可以使得主柱狀間隔體124與TFT陣列基板170接觸，而輔助柱狀間隔體123設(shè)置成浮在TFT陣列基板170上方，它們之間具有指定距離。因此，也可以將具有有機(jī)鈍化膜150的LCD板制成為具有完全功能性的雙間隔體結(jié)構(gòu)，從而可以改善保持單元間隙的可靠性，同時(shí)防止因液晶膨脹導(dǎo)致的缺陷。
下面將參照?qǐng)D6A至圖6E來說明本發(fā)明的LCD板的示例性制造方法。首先，在通過例如濺射(sputtering)的淀積方法在上基板162上形成不透明材料之后，使用掩模通過光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)該不透明材料進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成黑底164，如圖6A所示。以示例為目的，可以使用鉻(Cr)，一種不透明樹脂，作為黑底164材料。
在形成有黑底164的上基板162上淀積了紅色樹脂之后，將具有透射部分180a和遮蔽部分180b的掩模180(圖5)在上基板162上方對(duì)齊。使用掩模180執(zhí)行光刻工藝，從而形成具有使黑底164露出的第一孔172的紅色(R)濾色器。
然后，在形成紅色(R)濾色器和第一孔172的上基板162上淀積綠色樹脂。通過光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)該綠色樹脂進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成綠色(G)濾色器。同樣，在上基板162上在綠色(G)濾色器和紅色(R)濾色器之間淀積藍(lán)色樹脂之后，通過光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)該藍(lán)色樹脂進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成藍(lán)色(B)濾色器。如圖6B所示，形成具有紅色(R)濾色器、綠色(G)濾色器和藍(lán)色(B)濾色器以及第一孔172的濾色器166。
在TN型的情況下，如圖6C所示，可以在濾色器166上形成公共電極163。在IPS型的情況下，形成保護(hù)層163而不是公共電極163。然后，在公共電極163上形成間隔體材料。如圖6D所示，使用光刻工藝和蝕刻工藝，形成主柱狀間隔體124和部分地插入到第一孔172中的輔助柱狀間隔體123。
在另選例中，不脫離本發(fā)明的范圍地，可以在形成主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123之后形成公共電極/保護(hù)層163。因此，如圖6E所示，主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123可以直接形成在黑底164和濾色器166上。然而，不脫離本發(fā)明的范圍地，公共電極/保護(hù)層也可以形成在黑底/濾色器與柱狀間隔體之間。
在形成主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123之后，將例如聚酰亞胺的配向材料散布在上基板162的整個(gè)表面上。對(duì)該配向材料執(zhí)行摩擦工藝，從而形成上配向膜158，如圖6E所示。
圖7是用于簡(jiǎn)要地說明形成TFT陣列基板170的過程的流程圖。首先，使用掩模通過光刻工藝和蝕刻工藝在下基板142上形成例如柵極108和選通線(未示出)的柵極圖案(S2)。在形成柵極圖案之后，形成柵絕緣膜144。使用掩模通過光刻工藝和蝕刻工藝，在柵絕緣膜144上形成包括有源層114和歐姆接觸層147的半導(dǎo)體圖案148、以及形成在半導(dǎo)體圖案148上的包括數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112的源/漏極圖案，從而形成TFT 106(S4)。然后，在形成TFT 106之后，在下基板142的整個(gè)表面上淀積有機(jī)材料，以形成具有使TFT 106的漏極112露出的接觸孔117的有機(jī)鈍化膜150(S6)。在鈍化膜150上形成像素電極118，使像素電極118通過接觸孔117與漏極112接觸(S8)。形成下配向膜152以覆蓋像素電極118(S10)。
然后使TFT陣列基板170與濾色器陣列基板160結(jié)合。當(dāng)將TFT陣列基板170與濾色器陣列基板160結(jié)合在一起時(shí)，主柱狀間隔體124開始與TFT陣列基板170接觸，而輔助柱狀間隔體123并不與其接觸。當(dāng)向基板施加外部壓力時(shí)，輔助柱狀間隔體123開始與TFT陣列基板170接觸，從而加強(qiáng)主柱狀間隔體124以有助于保持單元間隙。這里，輔助柱狀間隔體123和主柱狀間隔體124設(shè)置在TFT陣列基板170的TFT 106的上方。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的公用上存儲(chǔ)(storage-on-common)方法的LCD板的平面圖。圖9A和圖9B分別是表示沿著線III-III’和IV-IV’截取的圖8的LCD板的剖視圖。
圖8的公用上存儲(chǔ)方法的LCD板包括濾色器陣列基板160和TFT陣列基板170，并具有主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123。濾色器陣列基板160具有與本發(fā)明第一示例性實(shí)施例相似的結(jié)構(gòu)，而TFT陣列基板170包括形成為與用于顯示圖像的像素區(qū)域的中心交叉的存儲(chǔ)電容器120。
如圖9B所示，存儲(chǔ)電容器120包括存儲(chǔ)線155；柵絕緣膜144；以及上存儲(chǔ)電極154，其由形成在下基板142上的半導(dǎo)體圖案和源/漏極圖案制成。上存儲(chǔ)電極154通過貫穿有機(jī)鈍化膜150的第二孔174露出，并且與下配向膜152接觸。
根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的LCD板在輔助柱狀間隔體123與TFT陣列基板170之間形成較窄間隙(d3)，從而更有效地防止由于液晶膨脹導(dǎo)致的缺陷并增加保持單元間隙的可靠性。為此，主柱狀間隔體124定位成部分插入到第一孔172中，該第一孔通過本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的方法而設(shè)置在濾色器陣列基板160上，并且輔助柱狀間隔體123布置在與設(shè)置在TFT陣列基板170的存儲(chǔ)電容器120上方的第二孔174相對(duì)應(yīng)的位置處。
主柱狀間隔體124形成在深度(d1)大約為2.0～2.3μm(微米)的第一孔172上。輔助柱狀間隔體123形成在深度(d2)大約為2.5～2.8μm的存儲(chǔ)電容器120的第二孔174上方。結(jié)果，主柱狀間隔體124可以與TFT陣列基板170接觸，而輔助柱狀間隔體123因存儲(chǔ)電容器120上方的第二孔174而不與TFT陣列基板接觸。因此，在輔助柱狀間隔體123與TFT陣列基板170之間的分開間隙(d3)大約為0.3～0.5μm。大約為0.3～0.5μm的間隙(d3)是用于實(shí)現(xiàn)主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123的功能的最佳條件。
在根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的LCD板中，主柱狀間隔體124部分插入到濾色器陣列基板160中，并且輔助柱狀間隔體123部分插入到TFT陣列基板170中。這樣，可以使插入深度差最佳，以實(shí)現(xiàn)主柱狀間隔體124和輔助柱狀間隔體123的功能。因此，改善了保持單元間隙的功能，并且可以更有效地防止液晶膨脹導(dǎo)致的缺陷問題。
根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的LCD板的制造方法，使用與本發(fā)明第一示例性實(shí)施例相同的方法形成了濾色器陣列基板160。通過不同的過程形成公用上存儲(chǔ)方法的TFT陣列基板170。
公用上存儲(chǔ)方法的TFT陣列基板170包括有機(jī)鈍化膜150，該有機(jī)鈍化膜具有使存儲(chǔ)電容器120的上存儲(chǔ)電極154露出的第二孔174。另選地，第二孔174可以用橫過在存儲(chǔ)電容器120上方的TFT陣列基板170形成的凹槽(未示出)替換，以在TFT陣列基板170與輔助間隔體123之間提供間隙距離。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD板及其制造方法在濾色器陣列基板中形成第一孔，并且將間隔體部分插入到該第一孔中，以在具有有機(jī)鈍化膜的LCD板中采用雙間隔體結(jié)構(gòu)。因此，在插入到第一孔中的間隔體與沒有插入到第一孔中的間隔體之間形成臺(tái)階差，從而改善了保持單元間隙的可靠性，同時(shí)防止因液晶膨脹導(dǎo)致的缺陷。
另外，在公用上存儲(chǔ)方法的LCD板中還形成貫穿有機(jī)鈍化膜的第二孔或凹槽，以將所有的雙間隔體插入到該指定第二孔或凹槽中，從而可以獲得在TFT陣列基板與輔助柱狀間隔體之間最佳的間隔距離。結(jié)果，可以進(jìn)一步改善保持單元間隙的可靠性。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，顯然可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明的LCD板進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物范圍內(nèi)的本發(fā)明的這些修改和變化。
本申請(qǐng)要求于2005年6月30日提出的韓國專利申請(qǐng)No.P2005-0058005的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其合并在本文中。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示板，包括濾色器陣列基板，其包括濾色器層、第一柱狀間隔體和第二柱狀間隔體，該第一柱狀間隔體部分插入到限定在該濾色器層中的第一孔中；以及薄膜晶體管(TFT)陣列基板，其與該濾色器陣列基板面對(duì)并包括保護(hù)性鈍化膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示板，其中，所述濾色器陣列基板還包括上基板；以及在該上基板上的黑底，其限定單元區(qū)域，其中，所述濾色器層形成在由該黑底限定的單元區(qū)域中，并且所述第一孔貫穿所述濾色器層以使所述黑底露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示板，其中，所述第一孔貫穿紅色濾色器以使黑底露出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示板，其中，在所述第二柱狀間隔體與黑底之間形成公共電極和保護(hù)層中的至少一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示板，其中，所述第二柱狀間隔體總是與TFT陣列基板接觸，而所述第一柱狀間隔體適于在被施加外部壓力時(shí)與TFT陣列基板接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示板，其中，所述TFT陣列基板還包括下基板；選通線和數(shù)據(jù)線，它們形成在該下基板上，彼此交叉，在它們之間具有柵絕緣膜；TFT，其形成在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中；在像素區(qū)域中的像素電極，其通過貫穿有機(jī)鈍化膜的接觸孔與該TFT相連；以及下配向膜，其形成在像素電極和有機(jī)鈍化膜上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示板，其中，所述TFT陣列基板還包括在像素區(qū)域中的存儲(chǔ)電容器；以及第二孔，其貫穿有機(jī)鈍化膜以使該存儲(chǔ)電容器露出，其中，所述第二柱狀間隔體位于該第二孔中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示板，其中，所述第一柱狀間隔體總是與TFT陣列基板接觸，并且所述第二柱狀間隔體適于在施加外部壓力時(shí)與TFT陣列基板接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示板，其中，所述TFT陣列基板還包括在像素區(qū)域中的存儲(chǔ)電容器；以及凹槽，其貫穿有機(jī)鈍化膜以使該存儲(chǔ)電容器暴露，其中，所述第二柱狀間隔體位于該凹槽中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示板，其中，所述第一柱狀間隔體總是與TFT陣列基板接觸，并且所述第二柱狀間隔體適于在被施加外部壓力時(shí)與TFT陣列基板接觸。
11.一種液晶顯示板的制造方法，包括形成濾色器陣列基板，該濾色器陣列基板包括濾色器層、第一柱狀間隔體和第二柱狀間隔體，該第一柱狀間隔體部分插入到限定在該濾色器層中的第一孔中；形成薄膜晶體管(TFT)陣列基板，其包括保護(hù)性有機(jī)鈍化膜；以及將該濾色器陣列基板與TFT陣列基板附著在一起。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述形成濾色器陣列基板的步驟包括在上基板上形成限定單元區(qū)域的黑底；以及在由所述黑底限定的單元區(qū)域中形成所述濾色器層，其中，所述第一孔與濾色器同時(shí)形成，以使該黑底露出。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，包括在所述第一柱狀間隔體與黑底之間形成公共電極和保護(hù)層中的至少一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述第二柱狀間隔體總是與TFT陣列基板接觸，而所述第一柱狀間隔體適于在被施加外部壓力時(shí)與TFT陣列基板接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述形成TFT陣列基板的步驟包括在下基板上形成包括柵極和選通線的柵極圖案；形成柵絕緣膜以覆蓋該柵極圖案；在該柵絕緣膜上形成數(shù)據(jù)線以與所述選通線交叉；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域中形成TFT；在像素區(qū)域中形成像素電極，其通過貫穿有機(jī)鈍化膜的接觸孔與該TFT相連；以及在像素電極和有機(jī)鈍化膜上形成下配向膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，所述形成TFT陣列基板的步驟包括在像素區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容器；以及形成第二孔，其貫穿有機(jī)鈍化膜以露出該存儲(chǔ)電容器，其中，所述第二柱狀間隔體位于該第二孔中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其中，所述第一柱狀間隔體總是與TFT陣列基板接觸，并且所述第二柱狀間隔體適于在被施加外部壓力時(shí)與TFT陣列基板接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，所述TFT陣列基板還包括在像素區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容器；以及形成凹槽，其貫穿有機(jī)鈍化膜以使該存儲(chǔ)電容器露出，其中，所述第二柱狀間隔體位于該凹槽中。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其中，所述第一柱狀間隔體總是與TFT陣列基板接觸，并且所述第二柱狀間隔體適于在被施加外部壓力時(shí)與TFT陣列基板接觸。
全文摘要
液晶顯示板及其制造方法。液晶顯示板包括濾色器陣列基板，其具有第一柱狀間隔體和第二柱狀間隔體，該第一柱狀間隔體部分插入到第一孔中；以及薄膜晶體管(TFT)陣列基板，其與該濾色器陣列基板面對(duì)并具有保護(hù)鈍化膜。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1892346SQ200510135070
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者金炳勳, 李榮勳, 金在旭 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社