專利名稱：一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種濾波器，特別涉及一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的多層濾波器，其濾波特性是對(duì)特定的頻率進(jìn)行濾波選擇，對(duì)被選擇的頻率信號(hào)不具備平衡轉(zhuǎn)換和阻抗轉(zhuǎn)換的功能，一般需要通過巴倫元件進(jìn)行平衡轉(zhuǎn)換和阻抗轉(zhuǎn)換后，即對(duì)濾波后的信號(hào)進(jìn)行平衡轉(zhuǎn)換為相位差180°的平衡信號(hào)，且與其他阻容元件組成匹配電路后，才能與功放IC芯片的端口配接，這種方法應(yīng)用在電路中涉及的元件較多，電路參數(shù)調(diào)試量大，占用電路板的面積大。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是在于提供一種用于連接到一高頻放大電路或其他類似電路的平衡輸入/輸出的小型化的三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，這種濾波器通過將導(dǎo)電的金屬材料涂覆在濾波器層疊體的內(nèi)部，形成電容、諧振器等分立元器件，通過將涂覆有導(dǎo)電的金屬材料的各層陶瓷片利用低溫共燒技術(shù)層疊形成同時(shí)具有濾波、平衡轉(zhuǎn)換的濾波器，克服了背景技術(shù)中現(xiàn)有的多層濾波器功能單一的缺點(diǎn)。
本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案達(dá)到上述目的一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，包括層疊體，包括沿層疊方向?qū)盈B在一起的多個(gè)片狀陶瓷介質(zhì)層；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)諧振器；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)接地負(fù)載電容器和多個(gè)耦合電容器；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)屏蔽接地層；
設(shè)置在層疊體中的三條λ/4微帶線；其中兩個(gè)λ/4微帶線設(shè)置在同一片陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在與前述兩個(gè)λ/4微帶線設(shè)置的陶瓷介質(zhì)層相鄰的陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線，包括設(shè)置在諧振器和λ/4微帶線之間的過孔金屬線和λ/4微帶線與公共連接端之間的過孔金屬線；設(shè)置在層疊體表面的多個(gè)外部接地電極，它們各自電氣連接所述多個(gè)諧振器和多個(gè)接地負(fù)載電容器的端部；設(shè)置在層疊體表面的一個(gè)外部輸入電極、兩個(gè)外部輸出電極和一個(gè)外部公共連接端，外部輸入電極與第一諧振器相連，兩個(gè)外部輸出電極和外部公共連接端分別與設(shè)置在同一片陶瓷介質(zhì)層上兩個(gè)λ/4微帶線的頭端相連；所述的多個(gè)屏蔽接地層分別設(shè)置在包含有諧振器和電容器片狀陶瓷介質(zhì)層上下方及包含λ/4微帶線的片狀陶瓷介質(zhì)層的上下方，所述的多個(gè)耦合電容器設(shè)置在所述的多個(gè)諧振器之間，所述的多個(gè)接地負(fù)載電容器設(shè)置在所述的多個(gè)諧振器與多個(gè)外部接地電極之間，所述的電容器分二層設(shè)置在層疊體內(nèi)，包括設(shè)置在相鄰兩層上的兩側(cè)電容圖案。。
本實(shí)用新型的優(yōu)選方案是一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，包括十一層片狀陶瓷介質(zhì)層；兩個(gè)帶狀線抽頭式諧振器，設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；兩個(gè)接地電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；
一個(gè)耦合電容器，耦合電容器一側(cè)電容器圖案設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層上，耦合電容器另一側(cè)電容器圖案與上述一側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線，包括設(shè)置在諧振器和λ/4微帶線之間的過孔金屬線和λ/4微帶線與公共連接端之間的過孔金屬線；兩條λ/4微帶線設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線與兩條λ/4微帶線相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線電氣連接λ/4微帶線與帶狀線諧振器；兩個(gè)外部接地電極，它們各自電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器、兩個(gè)接地電容器的端部、屏蔽接地層；屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案；設(shè)置在所述十一層疊體表面上的外部輸入電極、外部輸出電極、外部的公共連接端，外部輸入電極與帶狀線抽頭式諧振器電連接，外部輸出電極分別與兩條λ/4微帶線的頭部電連接，外部的公共連接端與設(shè)置在第九層上公共連接端圖案連接，過孔金屬線電氣連接在第九層上公共連接端圖案和兩條λ/4微帶線的尾端。
本實(shí)用新型的另一優(yōu)選方案是一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，包括十一層片狀陶瓷介質(zhì)層；兩個(gè)抽頭式帶狀線諧振器和一個(gè)帶狀線諧振器，設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；三個(gè)接地負(fù)載電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案、第三接地電容的接地側(cè)電容器圖案設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上，第三接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第三接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；兩條λ/4微帶線設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線與兩條λ/4微帶線相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線電氣連接λ/4微帶線與抽頭式帶狀線諧振器；兩個(gè)外部接地電極，它們各自電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器、帶狀線諧振器、兩個(gè)接地電容器的端部、屏蔽接地層；屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案；設(shè)置在所述十一層疊體表面上的外部輸入電極、外部輸出電極、外部的公共連接端，外部輸入電極與帶狀線抽頭式諧振器電連接，外部輸出電極分別與兩條λ/4微帶線的頭部電連接，外部的公共連接端與設(shè)置在第九層上公共連接端圖案連接，過孔金屬線電氣連接在第九層上接公共連接端圖案和兩條λ/4微帶線的尾端。
本實(shí)用新型的另一優(yōu)選方案是一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，包括十一層片狀陶瓷介質(zhì)層；兩個(gè)帶狀線抽頭式諧振器，設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；兩個(gè)接地電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；
一個(gè)耦合電容器，耦合電容器一側(cè)電容器圖案設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層上，耦合電容器另一側(cè)電容器圖案與上述一側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層上；兩條λ/4微帶線設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線與兩條λ/4微帶線相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線電氣連接λ/4微帶線與帶狀線抽頭式諧振器；三個(gè)外部接地電極，它們各自電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器、兩個(gè)接地電容器的端部、屏蔽接地層；屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案；設(shè)置在所述十一層疊體表面上的外部輸入電極、外部輸出電極、外部的公共連接端，外部輸入電極與帶狀線抽頭式諧振器電連接，外部輸出電極分別與兩條λ/4微帶線的頭部電連接，外部的公共連接端與設(shè)置在第九層上公共連接端圖案連接，過孔金屬線電氣連接在第九層上接公共連接端圖案和λ/4微帶線的尾部，過孔金屬線電氣連接在第九層上接公共連接端圖案和λ/4微帶線的尾端。
本實(shí)用新型的有益效果采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的濾波器，在不增加單個(gè)濾波器體積的前提下，將巴倫與濾波器在內(nèi)部組合在一起，形成具有濾波和巴倫功能的三端口濾波器，可替代原1個(gè)濾波器、1個(gè)巴倫、7個(gè)阻容元件，降低了成本；濾波器的二個(gè)輸出端口與IC芯片的端口直接連接，中間不需要任何的匹配元件，有效地減少功放IC芯片的外圍元器件的使用，從而減少了電路設(shè)計(jì)的工作量，生產(chǎn)中這部分電路可以免調(diào)試，也減小了電路板的面積，為通信設(shè)備小型化創(chuàng)造了條件。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1中三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖2是圖1所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的立體示意圖；圖3是圖1所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的等效電路圖；圖4是圖1所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的特性曲線圖；圖5是圖1所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的特性曲線相位圖；圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例2中三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖7是圖6所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的立體示意圖；圖8是圖6所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的等效電路圖；圖9是圖6所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的特性曲線圖；圖10是圖6所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的特性曲線相位圖；圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例3中三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的分解透視圖；圖12是圖11所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的立體示意圖；圖13是圖11所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的等效電路圖；圖14是圖11所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的特性曲線圖；圖15是圖11所示三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器的特性曲線相位圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1如圖1、2、3、4、5所示，其中圖中斜線部分為涂覆導(dǎo)電金屬材料部分，可以是Ag、Cu、Au等材料，通過印刷、蒸發(fā)涂覆等技術(shù)形成。一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，長、寬、高分別為2.5mm，2.0mm，1.2mm，可由介電常數(shù)在9～40之間的十一層片狀陶瓷介質(zhì)層101，102，103，104，105，106，107，108，109，110，111，設(shè)置在層疊體內(nèi)部的兩個(gè)帶狀線抽頭式諧振器104a、104b、兩個(gè)接地電容器、一個(gè)耦合電容器、三條λ/4微帶線107a、107b、106a，屏蔽接地層102a、105a、108a、110a，過孔金屬線112、113、114，兩個(gè)外部接地電極115a、115b，設(shè)置在層疊體外表面的外部輸入電極116a、外部輸出電極116b、116c、外部的公共連接端116d構(gòu)成。
其中十一層片狀陶瓷介質(zhì)層，其中101、111為濾波器的上下保護(hù)層；兩個(gè)抽頭式諧振器為帶狀線抽頭式諧振器104a、一個(gè)帶狀線諧振器104b，通過在第四層陶瓷介質(zhì)層104上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成，如銀或銅；接地負(fù)載電容器為兩個(gè)接地電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案103a、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案103b設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層103上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層104上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層104上；一個(gè)耦合電容器，耦合電容器一側(cè)電容器圖案103c設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層103上，耦合電容器另一側(cè)電容器圖案與上述一側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層104上；上述的電容器圖案通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；兩條λ/4微帶線107a、107b設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線106a與兩條λ/4微帶線107a、107b相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線112電氣連接λ/4微帶線106a與帶狀線諧振器104b；上述的微帶線也是通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案102a、105a、108a、110a；屏蔽接地圖案由在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；上述十一層涂覆導(dǎo)電金屬材料片狀陶瓷介質(zhì)層通過低溫共燒技術(shù)層疊在一起，構(gòu)成層疊體；在層疊體的外表面，設(shè)置兩個(gè)外部接地電極115a、115b，它們各自連接電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器104a、104b、兩個(gè)接地電容器的端部和屏蔽接地層；在層疊體表面上設(shè)置的外部輸入電極116a、外部輸出電極116b、116c、外部的公共連接端116d，外部輸入電極116a與一個(gè)帶狀線抽頭式諧振器104a電連接，外部輸出電極116b、116c分別與兩條λ/4微帶線107a、107b的頭部電連接，外部的公共連接端116d與設(shè)置在第九層上接公共連接端圖案109a電連接，過孔金屬線112電氣連接在第四層上接另一個(gè)帶狀線抽頭式諧振器和λ/4微帶線106a的尾部，過孔金屬線113、114電氣連接在第九層上接公共連接端圖案109a和兩條λ/4微帶線107a、107b的尾部；外部接地電極及外部輸入、輸出電極，外部的公共連接端同樣由通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；根據(jù)設(shè)計(jì)要求，陶瓷介質(zhì)厚度可以各不相同，一般設(shè)置在諧振器與電容器之間的陶瓷介質(zhì)厚度在30～60um之間；圖案層與屏蔽層之間的陶瓷介質(zhì)的厚度200～400um之間；λ/4帶狀線之間的陶瓷介質(zhì)的厚度50～150um之間，內(nèi)電極涂覆的金屬圖案厚度10～15um、諧振器與電容器的圖案尺寸可根據(jù)膜片尺寸，一般兩個(gè)諧振器之間的距離不小于150um。
這種濾波器通過將導(dǎo)電的金屬材料涂覆在濾波器層疊體的內(nèi)部，在不增加單個(gè)濾波器體積的前提下，通過將涂覆有導(dǎo)電的金屬材料的各層陶瓷片利用低溫共燒技術(shù)層疊形成不僅可濾波、同時(shí)可將不平衡信號(hào)轉(zhuǎn)換成相位差180°的平衡電信號(hào)輸出，見圖4、5所示。
實(shí)施例2如圖6、7、8、9、10所示，其中圖中斜線部分為涂覆導(dǎo)電金屬材料部分，可以是Ag、Cu、Au等材料，通過印刷、蒸發(fā)涂覆等技術(shù)形成。一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，由十一層片狀陶瓷介質(zhì)層201，202，203，204，205，206，207，208，209，210，211，兩個(gè)抽頭式帶狀線諧振器204a、204c、一個(gè)帶狀線諧振器204b，三個(gè)接地電容器，三條λ/4微帶線207a、207b、206a，屏蔽接地層202a、205a、208a、210a，過孔金屬線212、213、214，兩個(gè)外部接地電極215a、215b，外部輸入電極216a、外部輸出電極216b、216c、外部的公共連接端216d構(gòu)成；其中，十一層片狀陶瓷介質(zhì)層，根據(jù)設(shè)計(jì)要求，陶瓷介質(zhì)厚度可以各不相同，其中201、211為濾波器的上下保護(hù)層；兩個(gè)抽頭式帶狀線諧振器204a、204c，一個(gè)帶狀線諧振器204b，通過在第四層陶瓷介質(zhì)層204上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成，如銀或銅；接地負(fù)載電容器為三個(gè)接地電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案203a、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案203b、第三接地電容的接地側(cè)電容器圖案203c設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層203上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層204上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層204上，第三接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第三接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層204上，上述的電容器圖案通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；兩條λ/4微帶線207a、207b設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線206a與兩條λ/4微帶線207a、207b相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線212電氣連接λ/4微帶線206a與帶狀線諧振器204c；上述的微帶線也是通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案202a、205a、208a、210a；屏蔽接地圖案由在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；上述十一層涂覆導(dǎo)電金屬材料片狀陶瓷介質(zhì)層通過低溫共燒技術(shù)層疊在一起，構(gòu)成層疊體；在層疊體的外表面，設(shè)置了兩個(gè)外部接地電極215a、215b，它們各自連接電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器204a、204c、帶狀線諧振器204b、三個(gè)接地電容器的端部；在所述十一層疊體表面上還設(shè)置了外部輸入電極216a、外部輸出電極216b、216c、外部的公共連接端216d，外部輸入電極216a與一個(gè)帶狀線抽頭式諧振器204a電連接，外部輸出電極216b、216c分別與兩條λ/4微帶線207a、207b的頭部電連接，外部的公共連接端216d與設(shè)置在第九層上接公共連接端圖案209a，過孔金屬線212電氣連接在第四層上接另一個(gè)帶狀線抽頭式諧振器和λ/4微帶線206a的尾部，過孔金屬線213、214電氣連接在第九層上接公共連接端圖案209a和兩條λ/4微帶線207a、207b的尾部。
外部接地電極及外部輸入、輸出電極，外部的公共連接端同樣由通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；本實(shí)施例與實(shí)施1不同之處在于，本實(shí)施例中濾波器為三節(jié)結(jié)構(gòu)的濾波器，相對(duì)于實(shí)施例1中的二節(jié)結(jié)構(gòu)的濾波器，本實(shí)施例中濾波器的特性獲得提高，見圖9、圖10，圖9和圖10是結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的特性曲線圖和相位圖，頻率選擇性明顯得到了提高。
實(shí)施例3如圖11、12、13、14、15所示，其中圖中斜線部分為涂覆導(dǎo)電金屬材料部分，可以是Ag、Cu、Au等材料，通過印刷、蒸發(fā)涂覆等技術(shù)形成。一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，由十一層片狀陶瓷介質(zhì)層301，302，303，304，305，306，307，308，309，310，311，帶狀線抽頭式諧振器304b、304a，兩個(gè)接地電容器，耦合電容器，三條λ/4微帶線307a、307b、306a，屏蔽接地層302a、305a、308a、310a，過孔金屬線312、313、314，三個(gè)外部接地電極314a、314b、314c，外部輸入電極315b、外部輸出電極315d、315e、外部的公共連接端315a、315c構(gòu)成；其中，十一層片狀陶瓷介質(zhì)層，根據(jù)設(shè)計(jì)要求，陶瓷介質(zhì)厚度可以各不相同，其中301、311為濾波器的上下保護(hù)層；
兩個(gè)帶狀線抽頭式諧振器304b、304a，通過在第四層陶瓷介質(zhì)層304上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成，如銀或銅；接地負(fù)載電容器為兩個(gè)接地電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案303b、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案303c設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層303上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層304上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層304上；一個(gè)耦合電容器，耦合電容器一側(cè)電容器圖案303a設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層303上，耦合電容器另一側(cè)電容器圖案與上述一側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層304上；上述的電容器圖案通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；兩條λ/4微帶線307a、307b設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線306a與兩條λ/4微帶線307a、307b相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線312電氣連接λ/4微帶線306a與帶狀線諧振器304a；上述的微帶線也是通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案302a、305a、308a、310a；上述的屏蔽接地圖案是通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；上述十一層涂覆導(dǎo)電金屬材料片狀陶瓷介質(zhì)層通過低溫共燒技術(shù)層疊在一起，構(gòu)成層疊體；在層疊體的外表面設(shè)置三個(gè)外部接地電極314a、314b、314c，它們各自連接電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器304b、帶狀線諧振器304a、兩個(gè)接地電容器的端部；在所述十一層疊體表面上設(shè)置的外部輸入電極315b、外部輸出電極315d、315e、外部的公共連接端315a、315c，外部輸入電極315b與一個(gè)帶狀線抽頭式諧振器304b電連接，外部輸出電極315d、315e分別與兩條λ/4微帶線307a、307b的頭部電連接，外部的公共連接端315a、315c與設(shè)置在第九層上接公共連接端圖案309a，過孔金屬線312電氣連接在第四層上接另一個(gè)帶狀線抽頭式諧振器和λ/4微帶線306a的尾部，過孔金屬線313電氣連接在第九層上接公共連接端圖案309a和λ/4微帶線307b的尾部，過孔金屬線314電氣連接在第九層上接公共連接端圖案309a和λ/4微帶線307a的尾部，外部接地電極及外部輸入、輸出電極同樣由通過在陶瓷介質(zhì)層上涂覆導(dǎo)電金屬材料形成；這種濾波器通過將導(dǎo)電的金屬材料涂覆在濾波器層疊體的內(nèi)部，在不增加單個(gè)濾波器體積的前提下，通過將涂覆有導(dǎo)電的金屬材料的各層陶瓷片利用低溫共燒技術(shù)層疊形成不僅可濾波、同時(shí)可將不平衡信號(hào)轉(zhuǎn)換成相位差180°的平衡電信號(hào)輸出，見圖14、15所示。
本實(shí)施例與實(shí)施例1、2不同之處在于，如圖12所示，本實(shí)施例中的濾波器的外電極的數(shù)量和排列方式與實(shí)施例1、2中的濾波器不同，相對(duì)于實(shí)施例1、2中的濾波器，本實(shí)施例中濾波器的外電極的數(shù)量多，排列方式不同，能滿足用戶不同場合下的要求。
權(quán)利要求1.一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，其特征在于包括層疊體，包括沿層疊方向?qū)盈B在一起的多個(gè)片狀陶瓷介質(zhì)層；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)諧振器；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)接地負(fù)載電容器和多個(gè)耦合電容器；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)屏蔽接地層；設(shè)置在層疊體中的三條λ/4微帶線；其中兩個(gè)λ/4微帶線設(shè)置在同一片陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在與前述兩個(gè)λ/4微帶線設(shè)置的陶瓷介質(zhì)層相鄰的陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線，包括設(shè)置在多個(gè)諧振器之一的諧振器和λ/4微帶線之間的過孔金屬線和λ/4微帶線與公共連接端之間的過孔金屬線，過孔金屬線電連接諧振器和λ/4微帶線、λ/4微帶線與公共連接端；設(shè)置在層疊體表面的多個(gè)外部接地電極，它們各自電氣連接所述多個(gè)諧振器和多個(gè)接地負(fù)載電容器的端部；設(shè)置在層疊體表面的一個(gè)外部輸入電極、兩個(gè)外部輸出電極和一個(gè)外部公共連接端，外部輸入電極與第一諧振器相連，兩個(gè)外部輸出電極和外部公共連接端分別與設(shè)置在同一片陶瓷介質(zhì)層上兩個(gè)λ/4微帶線的頭端相連；所述的多個(gè)屏蔽接地層分別設(shè)置在包含有諧振器和電容器片狀陶瓷介質(zhì)層上下方及包含λ/4微帶線的片狀陶瓷介質(zhì)層的上下方，所述的多個(gè)耦合電容器設(shè)置在所述的多個(gè)諧振器之間，所述的多個(gè)接地負(fù)載電容器設(shè)置在所述的多個(gè)諧振器與多個(gè)外部接地電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，其特征在于所述的電容器分二層設(shè)置在層疊體內(nèi)，包括設(shè)置在相鄰兩層上的兩側(cè)電容圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，其特征在于所述的多個(gè)片狀陶瓷介質(zhì)層包括第一到第十一層(101，102，103，104，105，106，107，108，109，110，111)；所述的多個(gè)諧振器為兩個(gè)帶狀線抽頭式諧振器(104a、104b)，設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(104)上；所述的多個(gè)接地負(fù)載電容器為兩個(gè)接地電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案(103a)、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案(103b)設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層(103)上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(104)上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(104)上；所述的多個(gè)耦合電容器為一個(gè)耦合電容器，耦合電容器一側(cè)電容器圖案(103c)設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層(103)上，耦合電容器另一側(cè)電容器圖案與上述一側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(104)上；所述的兩條λ/4微帶線(107a、107b)設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線(106a)與兩條λ/4微帶線(107a、107b)相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線(112)電氣連接λ/4微帶線(106a)與帶狀線諧振器(104b)；所述的多個(gè)外部接地電極為兩個(gè)外部接地電極(115a、115b)，它們各自電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器(104a、104b)、兩個(gè)接地電容器(103a、103b)的端部、屏蔽接地層(102a、105a、108a、110a)；所述的屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案(102a、105a、108a、110a)；設(shè)置在所述十一層疊體表面上的外部輸入電極(116a)、外部輸出電極(116b、116c)、外部的公共連接端(116d)，外部輸入電極(116a)與帶狀線抽頭式諧振器(104a)電連接，外部輸出電極(116b、116c)分別與兩條λ/4微帶線(107a、107b)的頭部電連接，外部的公共連接端(116d)與設(shè)置在第九層上公共連接端圖案(109a)連接，過孔金屬線(113、114)電氣連接在第九層上公共連接端圖案(109a)和兩條λ/4微帶線(107a、107b)的尾端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，其特征在于所述的多個(gè)片狀陶瓷介質(zhì)層包括第一到第十一層(201，202，203，204，205，206，207，208，209，210，211)；所述的多個(gè)諧振器包括兩個(gè)抽頭式帶狀線諧振器(204a、204c)和一個(gè)帶狀線諧振器(204b)，設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(204)上；所述的多個(gè)接地負(fù)載電容器為三個(gè)接地負(fù)載電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案(203a)、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案(203b)、第三接地電容的接地側(cè)電容器圖案(203c)設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層(203)上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(204)上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(204)上，第三接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第三接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(204)上；所述的兩條λ/4微帶線(207a、207b)設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線(206a)與兩條λ/4微帶線(207a、207b)相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線(212)電氣連接λ/4微帶線(206a)與抽頭式帶狀線諧振器(204c)；所述的多個(gè)外部接地電極為兩個(gè)外部接地電極(215a、215b)，它們各自電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器(204a、204c)、帶狀線諧振器(204b)、兩個(gè)接地電容器(203a、203b、203c)的端部、屏蔽接地層(202a、205a、208a、210a)；所述的屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地層(202a、205a、208a、210a)；設(shè)置在所述十一層疊體表面上的外部輸入電極(216a)、外部輸出電極(216b、216c)、外部的公共連接端(216d)，外部輸入電極(216a)與帶狀線抽頭式諧振器(204a)電連接，外部輸出電極(216b、216c)分別與兩條λ/4微帶線(207a、207b)的頭部電連接，外部的公共連接端(216d)與設(shè)置在第九層上公共連接端圖案(209a)連接，過孔金屬線(213、214)電氣連接在第九層上接公共連接端圖案(209a)和兩條λ/4微帶線(207a、207b)的尾端。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，其特征在于所述的多個(gè)片狀陶瓷介質(zhì)層包括第一到第十一層(301，302，303，304，305，306，307，308，309，310，311)；所述的多個(gè)諧振器為帶狀線抽頭式諧振器(304b、304a)，設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(304)上；所述的多個(gè)接地負(fù)載電容器為兩個(gè)接地負(fù)載電容器，第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案(303b)、第二接地電容的接地側(cè)電容器圖案(303c)設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層(303)上，第一接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(304)上，第二接地電容的通電側(cè)電容器圖案與所述第一接地電容的接地側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(304)上；所述的多個(gè)耦合電容器為一個(gè)耦合電容器，耦合電容器一側(cè)電容器圖案(303a)設(shè)置在第三層陶瓷介質(zhì)層(303)上，耦合電容器另一側(cè)電容器圖案與上述一側(cè)電容器圖案相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在第四層陶瓷介質(zhì)層(304)上；所述的兩條λ/4微帶線(307a、307b)設(shè)置在第七層陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線(306a)與兩條λ/4微帶線(307a、307b)相對(duì)應(yīng)地設(shè)置第六層陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線(312)電氣連接λ/4微帶線(306a)與帶狀線抽頭式諧振器(304a)；所述的多個(gè)外部接地電極為三個(gè)外部接地電極(314a、314b、314c)，它們各自電氣連接所述帶狀線抽頭式諧振器(304b、304a)、兩個(gè)接地電容器的端部、屏蔽接地層(302a、305a、308a、310a)；所述的屏蔽接地層包括設(shè)置在第二、五、八、十層上屏蔽接地圖案(302a、305a、308a、310a)；設(shè)置在所述十一層疊體表面上的外部輸入電極(315b)、外部輸出電極(315d、315e)、外部的公共連接端(315a、315c)，外部輸入電極(315b)與帶狀線抽頭式諧振器(304b)電連接，外部輸出電極(315d、315e)分別與兩條λ/4微帶線(307a、307b)的頭部電連接，外部的公共連接端(315a、315c)與設(shè)置在第九層上公共連接端圖案(309a)連接，過孔金屬線(313)電氣連接在第九層上接公共連接端圖案(309a)和λ/4微帶線(307b)的尾部，過孔金屬線(314)電氣連接在第九層上接公共連接端圖案(309a)和λ/4微帶線(307a)的尾端。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種三端口多層陶瓷介質(zhì)濾波器，包括層疊體；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)諧振器；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)接地負(fù)載電容器和多個(gè)耦合電容器；設(shè)置在層疊體中的多個(gè)屏蔽接地層；設(shè)置在層疊體中的三條λ/4微帶線；其中兩個(gè)λ/4微帶線設(shè)置在同一片陶瓷介質(zhì)層上，另一條λ/4微帶線相對(duì)應(yīng)地設(shè)置在與前述兩個(gè)λ/4微帶線設(shè)置的陶瓷介質(zhì)層相鄰的陶瓷介質(zhì)層上；過孔金屬線，包括設(shè)置在諧振器和λ/4微帶線之間的過孔金屬線和λ/4微帶線與公共連接端之間的過孔金屬線；設(shè)置在層疊體表面的多個(gè)外部接地電極，它們各自電氣連接所述多個(gè)諧振器和多個(gè)接地負(fù)載電容器的端部。本實(shí)用新型成本低，體積小，使用方便。
文檔編號(hào)H01P1/203GK2845193SQ20052011588
公開日2006年12月6日 申請日期2005年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者陸德龍, 王劍強(qiáng), 唐雄心, 史紀(jì)元, 李蘇萍 申請人:浙江正原電氣股份有限公司