專利名稱：用于半導(dǎo)體器件的引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地說，涉及具有改善的連接或接合特性以及改善的封裝特性的用于半導(dǎo)體器件的引線框架。
背景技術(shù)：
用于半導(dǎo)體器件的引線框架包括安裝半導(dǎo)體芯片的平臺、通過布線接合與半導(dǎo)體芯片的電極電連接的內(nèi)引線，以及在襯底等上安裝半導(dǎo)體器件時(shí)用作外部連接接線端的外引線。這里，希望平臺具有良好的與半導(dǎo)體芯片接合的特性，內(nèi)引線具有良好的布線接合特性，并且外引線具有良好的通過焊接接合至例如在其上安裝半導(dǎo)體器件的襯底的特性。
圖1是平面圖，示出了用于半導(dǎo)體器件的引線框架的一個(gè)實(shí)例。在引線框架10中，參考標(biāo)號12表示外引線，14表示內(nèi)引線，16表示用作芯片安裝部分的平臺，在其上進(jìn)一步安裝半導(dǎo)體芯片(沒有示出)。平臺16通過支撐條18與導(dǎo)軌(rail)20連接。參考標(biāo)號22表示壩欄(dambar)。
如下所述，在引線框架10上形成希望的金屬膜后，在平臺上安裝半導(dǎo)體芯片，并通過布線接合將半導(dǎo)體芯片連接至內(nèi)引線。最后，用樹脂密封半導(dǎo)體芯片、布線和內(nèi)引線14，以完成半導(dǎo)體器件。預(yù)先在半導(dǎo)體器件的外引線12上形成焊料膜，或者在襯底上安裝半導(dǎo)體器件時(shí)進(jìn)行焊接。
最近，在襯底上安裝半導(dǎo)體器件中，從保護(hù)環(huán)境的立場，通常進(jìn)行利用無鉛(Pb)焊料的安裝方法。例如基于錫-鋅(Sn-Zn)的焊料，基于錫-銀(Sn-Ag)的焊料等可用作無鉛焊料。
作為用于半導(dǎo)體器件的引線框架，公知通過鎳(Ni)鍍層作為下層在由Cu或Cu合金構(gòu)成的襯底上鍍敷鈀(Pd)或Pd合金膜，并進(jìn)一步在其上形成薄的Au鍍膜或薄的Ag鍍膜，產(chǎn)生所謂的Pd-PPF(預(yù)鍍Pd的框架)(見JP-A-4-115558)。
作為具有上述外部鍍層的用于半導(dǎo)體器件的引線框架的另一個(gè)實(shí)例，JP-A-4-337657公開了一種引線框架，包括在引線框架的襯底上的Ni鍍層，在至少內(nèi)引線或外引線上的Pd或Pd合金鍍層，以及在其上的Au鍍層。并且，JP-A-11-111909公開了一種具有與上述類似的鍍層的鍍敷引線框架，以及JP-A-2001-110971公開了一種鍍敷引線框架，包括Ni鍍敷保護(hù)層和在引線框架的襯底上形成的Pd或Pd合金鍍敷中間層，以及通過在其上交替鍍敷Pd和Au形成的最外層。此外，JP-A-2002-76229公開了一種鍍敷引線框架，通過在引線框架的襯底上形成Ni層和Pd層，然后在其上形成Ag層產(chǎn)生該鍍敷引線框架，其中加熱時(shí)該Ag層可在Pd焊料中完全熔化。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，公知通過在引線框架的襯底上形成作為下層的Ni鍍層，隨后在該Ni鍍層上形成Pd或Pd合金鍍層，并進(jìn)一步在其上形成Au鍍層，產(chǎn)生多種類型的所謂Au/Pd/Ni引線框架。當(dāng)通過利用這些引線框架在封裝襯底上安裝半導(dǎo)體器件時(shí)，存在著引線框架與在襯底側(cè)施加的屬于無鉛焊料的基于錫-鋅(Sn-Zn)的焊料或基于錫-銀(Sn-Ag)的焊料之間的焊料潤濕性差的問題。
也就是說，盡管現(xiàn)有技術(shù)中已產(chǎn)生了多種關(guān)于Au/Pd/Ni層的厚度和其它因素的發(fā)明，在基于Sn-Zn的焊料方面仍存在焊料潤濕或擴(kuò)展不足的問題。具體地說，因?yàn)樵诰哂袕陌渲芊獠糠值姆庋b中暴露的寬焊接面積的管芯焊盤部分上焊料潤濕性較差，有時(shí)導(dǎo)致封裝問題。
并且，在熔化狀態(tài)下，屬于無鉛焊料的基于Sn-Zn的焊料易于向體材料的外側(cè)偏析。在具有Au/Pd/Ni層的Pd-PPF(預(yù)鍍Pd的框架)中，Pd可在溶化焊料的固相中擴(kuò)散。然而，當(dāng)這里利用基于Sn-Zn的焊料時(shí)，因?yàn)镻d以非常慢的擴(kuò)散速率擴(kuò)散到Zn偏析層中，產(chǎn)生被Zn偏析層阻擋的態(tài)，因而基于Sn-Zn的焊料呈現(xiàn)劣化的焊料潤濕性。
因此，本發(fā)明提供了一種基本上具有Pd-PPF(預(yù)鍍Pd的框架)結(jié)構(gòu)的用于半導(dǎo)體器件的引線框架，當(dāng)通過利用無鉛的基于Sn-Zn的焊料、基于Sn-Ag的焊料或任何其它無鉛焊料在封裝襯底上安裝利用引線框架的半導(dǎo)體器件時(shí)，該引線框架使基于Sn-Zn的焊料、基于Sn-Ag的焊料或任何其它無鉛焊料呈現(xiàn)有利的潤濕性，因此改善半導(dǎo)體器件的封裝特性。
根據(jù)本發(fā)明，為達(dá)到上述目標(biāo)，提供了一種用于半導(dǎo)體器件的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有復(fù)合鍍層。在所述引線框架上形成的所述復(fù)合鍍層包括由在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上形成的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下面的層或下層，在所述下層的上表面上形成的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上形成的厚度為0.02至0.1μm的Au鍍層。
此外，根據(jù)本發(fā)明，提供了另一種用于半導(dǎo)體器件的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有復(fù)合鍍層。在所述引線框架上形成的所述復(fù)合鍍層包括由在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上形成的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下層，在所述下層的上表面上形成的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上連續(xù)形成的厚度不大于0.03μm的Ag或Ag-Au合金鍍層和厚度不大于0.03μm的Au鍍層。優(yōu)選地，各所述Ag或Ag-Au合金鍍層和Au鍍層用作單一層。
此外，根據(jù)本發(fā)明，提供了又一種用于半導(dǎo)體器件的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有復(fù)合鍍層。在所述引線框架上形成的所述復(fù)合鍍層包括由在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上形成的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下層，在所述下層的上表面上形成的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上交替形成的各自厚度為0.02至0.2μm的Ag鍍層和Au鍍層。優(yōu)選地，各所述Ag鍍層和所述Au鍍層用作兩層，也就是說，總共四層。
另外，根據(jù)本發(fā)明，所述用于半導(dǎo)體器件的引線框架優(yōu)選地具有進(jìn)一步在所述復(fù)合鍍層上形成的無鉛焊料層。可通過所述無鉛焊料層在安裝半導(dǎo)體器件的封裝襯底上安裝本發(fā)明的所述引線框架。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，可如此設(shè)計(jì)上述用于半導(dǎo)體器件的引線框架，以使在所述引線框架的所述復(fù)合鍍層上形成無鉛焊料層后，通過所述無鉛焊料層在安裝半導(dǎo)體器件的封裝襯底上安裝所述用于半導(dǎo)體器件的引線框架。
在該優(yōu)選實(shí)施例中，在所述引線框架的所述復(fù)合鍍層上形成的所述無鉛焊料層，盡管不限于，但優(yōu)選地由無鉛的基于Sn-Zn的焊料、無鉛的基于Sn-Ag的焊料或其組合物形成。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)將所述Pd或Pd合金鍍層的厚度以及在其上形成的所述Au鍍層或所述Ag鍍層的厚度控制在預(yù)定的范圍內(nèi)時(shí)，可能改善相對于所述無鉛的基于Sn-Zn的焊料、無鉛的基于Sn-Ag的焊料或任何其它無鉛焊料的焊料潤濕性，因而改善在所述封裝襯底上所述半導(dǎo)體器件的接合和封裝特性。


圖1是平面圖，示出了用于半導(dǎo)體器件的常規(guī)引線框架；圖2是截面圖，示出了常規(guī)引線框架的鍍敷結(jié)構(gòu)；圖3是截面圖，示出了另一種常規(guī)引線框架的鍍敷結(jié)構(gòu)；圖4是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例1的引線框架的鍍敷結(jié)構(gòu)；圖5是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例2的引線框架的鍍敷結(jié)構(gòu)；圖6是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例3的引線框架的鍍敷結(jié)構(gòu)；圖7是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例4的引線框架的鍍敷結(jié)構(gòu)；以及圖8是示出了Au鍍敷厚度與焊料的潤濕和擴(kuò)展之間的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參考附圖，對比現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例和實(shí)例。
圖4是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例1的引線框架。如圖所示，引線框架具有在引線框架的襯底表面上鍍敷的層，以得到Au/Pd/Ni引線框架結(jié)構(gòu)。通過在包括Cu的襯底表面上形成Ni鍍層作為下層，隨后在Ni鍍層上形成Pd鍍層，然后在Pd鍍層上形成Au鍍層，產(chǎn)生用于半導(dǎo)體器件的引線框架10。在該實(shí)例中，控制例如鍍敷時(shí)間等鍍敷條件，以得到厚度為1.0μm的Ni鍍層，厚度為0.01μm的Pd鍍層和厚度為0.03μm的Au鍍層。然而，應(yīng)注意，在該實(shí)例和下述其它實(shí)例中，襯底可以由Cu合金或代替Cu的任何其它材料構(gòu)成。
圖5是截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例2的引線框架。如圖所示，引線框架具有在引線框架的襯底表面上鍍敷的層，以得到Au/Pd/Ni引線框架結(jié)構(gòu)。與實(shí)例1一樣，引線框架10在包括Cu的襯底表面上形成作為下層的Ni鍍層，在Ni鍍層上形成Pd鍍層，并在Ni鍍層上形成Au鍍層。然而，在該實(shí)例中，改變例如鍍敷時(shí)間等鍍敷條件，以得到厚度為0.005μm的Pd鍍層和厚度為0.05μm的Au鍍層，而Ni鍍層的厚度與實(shí)例1一樣，為1.0μm。
圖2和圖3是通過在引線框架的襯底表面上形成鍍層產(chǎn)生Au/Pd/Ni結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)引線框架的截面圖。在圖2和圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例中，分別與圖4和圖5所示的實(shí)例1和實(shí)例2一樣，在包括Cu的襯底表面上形成作為下層的Ni鍍層，在Ni鍍層上形成Pd鍍層，并在Pd鍍層上進(jìn)一步形成Au鍍層。類似地，Ni鍍層的厚度調(diào)整為1.0μm。然而，在圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中，如此調(diào)整例如鍍敷時(shí)間等鍍敷條件，以使得到的Pd鍍層具有0.03μm的厚度，Au鍍層具有0.01μm的厚度。并且，在圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)中，調(diào)整例如鍍敷時(shí)間等鍍敷條件，以使Pd鍍層具有0.01μm的厚度，Au鍍層具有0.01μm的厚度。
為了比較實(shí)例1和實(shí)例2與現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例，通過利用具有不同鍍層厚度的Au/Pd/Ni引線框架，制備了多種評價(jià)樣品，以評價(jià)其焊料潤濕性。
首先，制備了包括Au/Pd/Ni引線框架的以下六種評價(jià)樣品，其中與圖4所示的實(shí)例1和圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例一樣，Ni鍍層的具有不變的厚度1.0μm，Pd鍍層具有不變的厚度0.01μm，而改變Au鍍層的厚度。根據(jù)以下方法評價(jià)樣品的焊料潤濕性。
1)Au0.005μm/Pd0.010μm/Ni1.0μm/Cu襯底2)Au0.010μm/Pd0.010μm/Ni1.0μm/Cu襯底(圖3的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例)3)Au0.020μm/Pd0.010μm/Ni1.0μm/Cu襯底4)Au0.050μm/Pd0.010μm/Ni1.0μm/Cu襯底5)Au0.100μm/Pd0.010μm/Ni1.0μm/Cu襯底6)Au0.200μm/Pd0.010μm/Ni1.0μm/Cu襯底首先，在樣品引線框架上涂覆無鉛的基于Sn-Zn的焊膏，以形成直徑為1.6mm且高度為0.2mm的圓柱涂覆。焊料具有Sn-8Zn-3Bi的組分。
然后，在220℃下熱板上加熱具有涂覆焊膏的樣品60秒。然后，在五個(gè)測量點(diǎn)測量加熱時(shí)在樣品上潤濕和擴(kuò)展的樣品的焊料直徑。其后，確定在五個(gè)點(diǎn)測量的焊料直徑的平均值，以比較該平均值與加熱前測量的焊膏直徑(1.6mm)。在圖8中繪制出根據(jù)加熱前作為100％的焊料直徑表示的加熱后焊料膏的直徑平均值(％)，即焊料的潤濕和擴(kuò)展。
由圖8可知，當(dāng)Au鍍層的厚度不大于0.010μm時(shí)，例如樣品(1)和樣品(2)，焊料的潤濕和擴(kuò)展約為120％或更小，因此可知不能得到良好的焊料潤濕性。另一方面，當(dāng)Au鍍層的厚度不小于0.020μm時(shí)，例如樣品(3)至(6)，可知可得到良好的焊料潤濕性。應(yīng)注意，在樣品(2)對應(yīng)于圖3的現(xiàn)有技術(shù)的樣品(1)至(6)中，圖4的實(shí)例1應(yīng)位于樣品(3)與樣品(4)之間。
然后，通過不僅改變Au鍍層厚度而且改變Pd鍍層厚度，關(guān)于同樣的Au/Pd/Ni引線框架制備了14種引線框架樣品，如下面的表1所示。根據(jù)與上述評價(jià)方法類似的方式評價(jià)了樣品的Sn/Zn焊料潤濕性。結(jié)果總結(jié)于下面的表1中。
表1

如表1所示，在預(yù)處理時(shí)無預(yù)熱的條件下并在350℃下加熱30秒后，測量引線框架樣品(樣品編號為1至14)的焊料潤濕面積。在表1中，“差”表示焊料潤濕面積不大于100％，即表示焊料受到排斥的情況，“不合格”表示焊料潤濕面積為100％至120％，即表示焊料不能被采用的情況，“合格”表示焊料潤濕面積為121％至150％，即表示焊料能被采用的情況，以及“良好”表示焊料潤濕面積是有利的不小于151％。
通過表1的結(jié)果可知，如果Au鍍敷的厚度不小于0.02μm，當(dāng)Pd鍍敷的厚度為0.01μm時(shí)，可得到良好的焊料潤濕性。因此，在圖4所示的實(shí)例1中，由于Au鍍敷的厚度為0.03μm，如表1所示，可得到的良好的焊料潤濕性。
并且可知，如果Au鍍敷的厚度不小于0.02μm，即使當(dāng)Pd鍍層的厚度為0.005μm時(shí)，也可得到良好的焊料潤濕性。因此，在圖5所示的實(shí)例2中，由于Au鍍敷的厚度為0.05μm，如表1所示，可得到良好的焊料潤濕性。
也就是說，在Au/Pd/Ni結(jié)構(gòu)的引線框架中，如果Pd鍍層的厚度減小至不損失耐熱性的程度，并且在所需厚度下形成能快速擴(kuò)散到無鉛焊料的Zn偏析層中的Au鍍層，可得到良好的焊料潤濕性。
圖6和圖7分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)例3和實(shí)例4的用于半導(dǎo)體器件的引線框架。對應(yīng)于實(shí)例3的圖6示出了一種結(jié)構(gòu)，其中在引線框架的襯底(Cu)表面上的Ni鍍層上形成Pd鍍層，然后進(jìn)一步在Pd鍍層上連續(xù)形成Ag鍍層或Ag-Au合金鍍層以及Au鍍層，而對應(yīng)于實(shí)例4的圖7示出了一種結(jié)構(gòu)，其中在引線框架的襯底(Cu)表面上的Ni鍍層上形成Pd鍍層，然后進(jìn)一步在Pd鍍層上交替形成Ag鍍層和Au鍍層。應(yīng)注意，在這些層結(jié)構(gòu)中，如果需要，還可沉積Ag鍍層和/或Au鍍層。
以上參考

了本發(fā)明的實(shí)例。應(yīng)注意，本發(fā)明不應(yīng)限于上述實(shí)例，只要在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可進(jìn)行多種形式上的修改或改善。
工業(yè)適用性如上所述，本發(fā)明提供了一種具有Au/Pd/Ni結(jié)構(gòu)的用于半導(dǎo)體器件的引線框架，其中適當(dāng)?shù)剡x擇Au/Pd/Ni鍍層的厚度，具體地說Pd鍍層或Au鍍層的厚度，從而當(dāng)通過利用無鉛的基于Sn-Zn的焊料或無鉛的基于Sn-Ag的焊料在封裝襯底上安裝利用引線框架的半導(dǎo)體器件時(shí)，可改善無鉛焊料的潤濕性，從而可改善在封裝襯底上半導(dǎo)體器件的封裝特性。
另外，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)通過在引線框架的襯底表面上的基于Ni的鍍層上形成Pd鍍層，然后在Pd鍍層上連續(xù)形成Ag鍍層或Ag-Au合金鍍層以及Au鍍層，或者在Pd鍍層上交替形成Ag鍍層和Au鍍層，產(chǎn)生用于半導(dǎo)體器件的引線框架時(shí)，如果，具體地說，適當(dāng)?shù)剡x擇Pd鍍層、Au鍍層或Ag鍍層的厚度，與在上述引線框架中一樣，可改善無鉛的基于Sn-Zn的焊料或無鉛的基于Sn-Ag的焊料的潤濕性。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體器件的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有在其上施加的復(fù)合鍍層，所述復(fù)合鍍層包括由在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上沉積的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下層，在所述下層的上表面上沉積的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及進(jìn)一步在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上沉積的厚度為0.02至0.1μm的Au鍍層。
2.一種用于半導(dǎo)體器件的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有在其上施加的復(fù)合鍍層，所述復(fù)合鍍層包括由在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上沉積的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下層，在所述下層的上表面上沉積的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上連續(xù)沉積的厚度不大于0.03μm的Ag或Ag-Au合金鍍層和厚度不大于0.03μm的Au鍍層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的引線框架，其中各所述Ag或Ag-Au合金鍍層以及所述Au鍍層具有單層結(jié)構(gòu)。
4.一種用于半導(dǎo)體器件的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有在其上施加的復(fù)合鍍層，所述復(fù)合鍍層包括在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上沉積的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下層，在所述下層的上表面上沉積的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上交替沉積的各自厚度為0.02至0.2μm的Ag鍍層和Au鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的引線框架，其中各所述Ag鍍層和所述Au鍍層形成為兩層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)的引線框架，其中所述復(fù)合鍍層還包括在其上形成的無鉛焊料層，通過所述無鉛焊料層在半導(dǎo)體器件的封裝襯底上安裝所述引線框架。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)的引線框架，其中所述引線框架具有這樣的設(shè)計(jì)，在所述復(fù)合鍍層上形成無鉛焊料層后，通過所述無鉛焊料層在半導(dǎo)體器件的封裝襯底上安裝所述引線框架。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的引線框架，其中所述無鉛焊料包括無鉛的基于Sn-Zn的焊料、無鉛的基于Sn-Ag的焊料或其組合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任何一項(xiàng)的引線框架，其中所述襯底包括Cu或Cu合金。
全文摘要
一種用于半導(dǎo)體器件的Pd－PPF結(jié)構(gòu)的引線框架，包括內(nèi)引線和外引線，其中構(gòu)成所述引線框架的襯底的整個(gè)表面或至少所述外引線具有復(fù)合鍍層，所述復(fù)合鍍層包括由在構(gòu)成所述引線框架的所述襯底的所述整個(gè)表面上或在至少所述外引線上沉積的基于Ni的鍍層構(gòu)成的下層，在所述下層的上表面上沉積的厚度為0.005至0.01μm的Pd或Pd合金鍍層，以及在所述Pd或Pd合金鍍層的上表面上沉積的厚度為0.02至0.1μm的Au鍍層。當(dāng)通過利用無鉛的基于Sn－Zn焊料或任何其它無鉛焊料在封裝襯底上安裝半導(dǎo)體器件時(shí)，改善了所述引線框架與所述無鉛的基于Sn－Zn的焊料或任何其它無鉛焊料之間的潤濕性，從而改善了所述半導(dǎo)體器件的封裝特性。
文檔編號H01L23/50GK1774803SQ20058000032
公開日2006年5月17日 申請日期2005年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月27日
發(fā)明者關(guān)和光, 吉江崇, 門崎幸一 申請人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社