專利名稱：包括金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)的半導體集成電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路，尤其涉及半導體集成電路內(nèi)的屏蔽結(jié)構(gòu)和金屬化層。
背景技術：
使用包括各種具體處理步驟的復雜工藝來制造集成電路(ICs)。典型的，例如，組成IC的固態(tài)設備在半導體材料的表面上(或襯底)成形，所述半導體材料例如是硅。盡管硅已經(jīng)是最廣泛使用的半導體材料，其它材料，如砷化鎵(GaAs)和鍺化硅(SiGe)，對于某些包括模擬和專用集成電路的應用也變得普遍。一旦設備成形，單獨的元件被互連。所述設備通常由鋁、銅、鎢或一些其它導電材料制成的金屬線或?qū)Ь€互連。金屬線通常由晶片整個表面之上的沉積金屬層制造，然后精確地蝕刻掉除了那些定義金屬線之外的區(qū)域。由于設備的高密度，多數(shù)現(xiàn)代IC包括多個金屬層，其可以由層間電介質(zhì)(ILD)隔離。
模擬電路和尤其高頻模擬電路易受噪聲影響。當被放在噪聲環(huán)境中時，這些電路的操作可能受到不利的影響。尤其對于模擬和混合信號集成電路是這樣?；旌闲盘朓C可以包括所有模擬和數(shù)字電路，其在相同的半導體襯底上制造。一個電路產(chǎn)生的噪聲和寄生信號可以不利地影響其它電路的操作。例如，數(shù)字電路可以產(chǎn)生開關噪聲，其可能有害地影響附近的或另外耦合到該數(shù)字電路的模擬電路的操作。
在一些IC設計中，從電容耦合的觀點可能因而希望相互屏蔽信號。這通常通過在信號區(qū)域之間引入金屬線和/或金屬平面來實現(xiàn)。盡管在一些IC設計中這種方法起足夠作用，但在設計中需要許多重要信號的屏蔽，大量金屬平面屏蔽的使用導致非常高的金屬密度。不幸的是，許多制造技術在高金屬密度上施加很大的限制，以避免凹陷和其它制造問題。
此外，盡管從傳導的觀點在許多IC設計中信號的屏蔽通常是不被考慮的，在千兆赫茲頻率以及具有厚的金屬，通過連續(xù)的金屬平面可以達到合理的磁場衰減。但是，如上所述，由于制造性問題在許多制造技術中連續(xù)的金屬平面通常是不允許的(或不贊成的)。
精確匹配一個IC中不同元件的特性有時也是必需的。例如，可能希望精確匹配一個IC中成形的不同電容的電特性(例如，電容值)。依靠電容的類型和特定制造工藝，傳統(tǒng)微調(diào)技術可能是不可行的或不希望的。用于實現(xiàn)匹配的另一個方法包括使用連續(xù)的金屬平面屏蔽以為電容創(chuàng)造匹配的環(huán)境。但是，如上所述，除了與連續(xù)的金屬平面屏蔽的高金屬密度相關的制造性問題外，凹陷的可能性也可能阻礙創(chuàng)造匹配環(huán)境的能力。
最后，在IC設計中由于制造能力原因有時也希望確保好的平面化和一致的金屬均勻性。通常，目標是以均勻方式增加金屬密度到大于20％但低于大約70％或80％。填充程序通常用于在認為需要的任何地方增加金屬假填充結(jié)構(gòu)。但是，在一些如模擬設計的設計中，由于它們可能有害地影響性能，所述假金屬填充結(jié)構(gòu)不是所希望的。
因此期望提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，能夠提供合適的電容屏蔽、合適的電感屏蔽和/或期望的金屬均勻性或增加的金屬密度，而沒有與連續(xù)金屬面相關的制造問題。

發(fā)明內(nèi)容
公開了在集成電路中使用的金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)的各種實施例。在一個實施例中，半導體集成電路包括第一區(qū)域、第二區(qū)域、和在第一和第二區(qū)域之間插入的金屬網(wǎng)層。
在一個具體實施例中，例如，第一區(qū)域可以包括具有一個或多個有源半導體設備的設備層。第二區(qū)域可以包括包含有電路線的金屬化層?？梢栽诹硪粋€金屬化層的至少一部分上實現(xiàn)所述金屬網(wǎng)層。
在另一個實施例中，半導體集成電路包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的屏蔽。該屏蔽可以由包括基本均勻間隔開口圖案的第一金屬層形成。
在各種實施例中，可以在集成電路內(nèi)利用金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)來提供合適的電容屏蔽、合適的電感屏蔽和/或期望的金屬均勻性。


圖1是包括各種示例層的集成電路模片一部分的截面透視圖。
圖2是包括金屬屏蔽的集成電路模片一部分的截面透視圖。
圖3是在圖2示出的金屬網(wǎng)的一部分的實施例的俯視圖。
圖4A是一個實施例中包括一對金屬網(wǎng)的一對匹配的金屬-絕緣體-金屬電容的截面透視圖。
圖4B是圖4A中的每個金屬-絕緣體-金屬電容的俯視圖。
圖5是示出了圖2的集成電路模片的另一個實施例的進一步細節(jié)的截面透視圖。
圖6A是網(wǎng)結(jié)構(gòu)的可替換實施例的圖。
圖6B是網(wǎng)結(jié)構(gòu)的另一個可替換實施例的圖。
圖6C是網(wǎng)結(jié)構(gòu)的進一步可替換實施例的圖。
圖6D是網(wǎng)結(jié)構(gòu)的另一個可替換實施例的圖。
本發(fā)明可經(jīng)受各種修改和可替換形式，通過示例在附圖中示出具體實施例并且在此詳細描述。然而，應該理解附圖和此處詳細的說明并不打算限制本發(fā)明為公開的特定形式，但是相反的，本發(fā)明覆蓋落入由隨后所附權利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等價物和可替換物。
具體實施例方式
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖1，示出了包括各種示例層的集成電路模片一部分的截面透視圖。集成電路模片10包括半導體襯底15，其上制作了包括各種組件的設備層20和固態(tài)設備(未在圖1中示出)。另外，集成電路模片10包括指定為金屬1到金屬4的4個金屬層。所述金屬層由隔層或金屬間電介質(zhì)(ILD)層隔離，其被指定為ILD1到ILD3。最后，`鈍化層25覆蓋金屬層4。應該理解盡管在示出的實施例中示出了四個金屬層和三個ILD層。其它實施例可以包括任何數(shù)目的金屬層和任何數(shù)目的ILD層。例如，可替換實施例也可能合并其它類型層，諸如薄膜設備層。
在一個實施例中，所述集成電路可以是包括模擬和數(shù)字電路的復合信號IC。例如，在一個實施例中，集成電路模片10可以包括RF和基帶電路，其具體表達為在諸如蜂窩電話的通信設備中使用的收發(fā)器。應該注意在其它實施例中，集成電路可以具體實施為其它類型的電路。
另外，在一個實施例中，半導體襯底15可以是硅襯底。但是，在各種其它實施例中，例如半導體襯底15可以具體使用其它類型半導體材料，諸如砷化鎵(GaAs)或鍺化硅(SiGe)。
使用多個處理步驟在半導體襯底15表面上形成集成電路設備。如上討論的，該設備可以通過在各種金屬層上形成的金屬線彼此連接。在示出的實施例中，通過在金屬層1-4的一個或多個上制作的金屬線互連所述設備。
在一些情況中，在設備層20形成的設備或電路可能被來自電路附近的導線輻射的噪聲或寄生干擾不利影響。可逆的，噪聲可以從電路輻射并被耦合進上述導線。如上說明的，由于制造性問題，在許多IC設計中通常不贊成使用固體金屬平面來減少噪聲影響。
因此，如在圖2中示出的，為了減少在給出IC的給定區(qū)域生成的噪聲和/或信號影響，在一個實施例中，可以在特定金屬層(例如金屬2)上形成金屬網(wǎng)75形式的屏蔽以分離所述給定區(qū)域和受影響的區(qū)域。
金屬網(wǎng)75可以用于隔離或屏蔽IC的各個區(qū)域。在示出的實施例中，金屬網(wǎng)75可以屏蔽在金屬層1和/或設備層20上形成的導線、節(jié)點、或設備與金屬層3和/或4上的導線或節(jié)點，反之亦然。相似的，可以屏蔽金屬層3和4(或金屬網(wǎng)75以上的其它層中)上形成的組件諸如電容(未在圖2中示出)與金屬層2下面的信號。
應該注意在示出的實施例中，在金屬層2上形成金屬網(wǎng)75。然而，也可以在任何金屬層上形成金屬網(wǎng)75。另外，多于一個金屬層可以包括金屬網(wǎng)屏蔽。進一步，可以形成金屬網(wǎng)75以覆蓋整個金屬層而不只是一個部分(如圖2示出的)。在一些實施例中，在金屬網(wǎng)75中在所期望的位置提供對通孔的調(diào)節(jié)。
圖3是金屬網(wǎng)75的一部分的一個實施例的俯視圖。金屬網(wǎng)75是包括許多稱作蜂窩單元的較小結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)?？梢曰ミB許多蜂窩單元以形成任何尺寸的網(wǎng)。在示出的實施例中，每個蜂窩單元具有基本相同的幾何結(jié)構(gòu)，其是中心附近具有矩形洞的矩形。分解的視圖示出了蜂窩單元的示例性結(jié)構(gòu)。在該例子中，蜂窩單元的幾何形狀是正方形(即，在X和Y方向的尺寸基本相等)。
由金屬網(wǎng)75提供的屏蔽特征依據(jù)各種參數(shù)，包括例如，金屬層的厚度、正在使用的金屬材料、網(wǎng)的幾何形狀等。例如，當模型化電容屏蔽時，考慮在xy面(z＝0)的無窮平面結(jié)構(gòu)，其屏蔽在它下面生成的電場與到達它上面的任何結(jié)構(gòu)。所述電場可由位于z＜0的xy平面中的另一個無窮平面結(jié)構(gòu)生成，其位于某些源電勢V(x，y)。理想的，如果屏蔽平面結(jié)構(gòu)位于v＝0的電勢，那么在z＞0的屏蔽面結(jié)構(gòu)上面的每點的電勢應該是v＝0，與z＜0的電勢V(x，y)無關。如果屏蔽面結(jié)構(gòu)是連續(xù)完全接地平面，就是這種情況。
取代所述無限接地平面，替之以可在空間中分別在(x，y)方向以間距(a，b)重復的規(guī)則結(jié)構(gòu)。將空間分解為單元蜂窩。然后所述場分別以重復速率a、b在x、y方向周期性重復。電壓V(x、y、z)被分解為一系列形式Vn,m(x,y,z)=Fn,m(z)Cos(2πnxa)*Cos(wπmyb)]]>余弦項表示場的周期，F(xiàn)n，m(z)項表示當z＞0時場的衰減速率。每個項需要滿足方程。
∂2V∂x2+∂2V∂y2+∂2V∂z2=0]]>求解上述方程，解為
Fn.m(z)=An.mezzc(n,m),]]>其中Zc(n,m)=1(2πna)2+(2πnb)2]]>An，m是問題的初始條件的函數(shù)，它們由蜂窩單元的結(jié)構(gòu)設置。所以通過優(yōu)化An，m最小值的結(jié)構(gòu)或替換地通過使Zc盡可能小可以減少Fn.m(z)。Zc控制當z＞0時場的衰減速率。由于第一諧波是衰減最慢的一個，優(yōu)化該條件。
當n＝m＝1時，那么Zc(1,1)=12πa2b2a2+b2]]>為了最小化Zc(1，1)使用a＝b并且使得a和b盡可能的??；因此使用可能的最精細的x和y網(wǎng)格用于所述規(guī)則結(jié)構(gòu)。由于許多IC制造限制通常指示90度角度的結(jié)構(gòu)，在所述分解視圖中的蜂窩單元是一種基本的選擇結(jié)構(gòu)。
為了模型化金屬網(wǎng)75的電感屏蔽參數(shù)，針對簡化模型化場考慮具有半徑“R”的圓形電感屏蔽。同樣在相對頻率，考慮透入深度比得上或大于所述屏蔽的厚度。因此，可以認為所述磁場在整個厚度是常量。在所述屏蔽上的渦流電流形成生成相反的磁場，其減少入射場(與平面正交)的強度，這樣提供屏蔽。
在屏蔽的平面上有感應E場。在一次諧波場，方程為▿xE=-μ0∂H∂t]]>變?yōu)榀畑E＝-μoH(jω)問題的對稱暗示E只有一個θ分量。因此▿xE=-Z(EθR+∂Eθ∂R)]]>和EθR+∂Eθ∂R=μ0Hz(jω)]]>那么EθR+∂Eθ∂R-μ0Hz(jω)=0]]>對于入射到平面的常量Hz場(即，Hz＝Ho)，那么上述方程變?yōu)镋θ(R)=μ0H0jωR2]]>從Eθ中，電流密度J可以從下式計算J=σE=σμ0H0jωR2]]>
從該方程中，示出傳導性越好，能達到的屏蔽就越好(因為J增加，所述相反的磁場增加)。另外，也示出渦流電流的形成取決于圓周的最大可用半徑。因此，為了好的屏蔽，需要一種包括蜂窩單元的傳導金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)，其中每個蜂窩單元被互相耦合以形成網(wǎng)。這樣渦流電流可以以最小限制內(nèi)流過大圓周，從而生成所述相反的磁場。
因此，金屬網(wǎng)75包括許多緊密接近一個平面的互連的蜂窩單元，這樣金屬網(wǎng)75的傳導性允許金屬網(wǎng)中必需的電流流動，以在金屬網(wǎng)75分離的兩個區(qū)域之間提供足夠的電容屏蔽。進一步，金屬網(wǎng)75的傳導性允許在金屬網(wǎng)中需要的渦流電流流動，以在由金屬網(wǎng)75分離的兩個區(qū)域之間提供足夠的電感屏蔽。因此，有了區(qū)域之間足夠的電容和電感屏蔽，所述集成電路的設備可以以最小化干擾從一個區(qū)域到另一個區(qū)域適當操作。應該注意在各種實施例中，金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)75在操作期間可以接地(即耦合到接地電路)。
除了前述，許多設計規(guī)則要求(或喜愛)模片區(qū)域的特定百分比為金屬的。例如，許多制造工藝要求金屬層的20％到80％之間的金屬填充?？墒褂脗鹘y(tǒng)假填充程序來金屬回填模片區(qū)域以增加金屬覆蓋。然而，這些假填充通常非連續(xù)并且非均勻，并且可能引入不想要的電副作用。
從拓撲觀點看，金屬網(wǎng)75不僅在集成電路的區(qū)域之間提供屏蔽，還(或替換地)提供期望的金屬密度(使用規(guī)則金屬結(jié)構(gòu)同時在其延伸的整個區(qū)域上具有均勻性)。因此，取代使用傳統(tǒng)的假金屬填充程序以滿足制造規(guī)則，金屬網(wǎng)75可以用于在金屬層的給定區(qū)域上得到所期望的金屬密度百分比。
圖4A和4B示出了一對金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)的具體使用，如上描述的，其位置與集成電路模片10內(nèi)的一對電容相關聯(lián)。尤其是，在圖4A中，示出了一對金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容C1和C2以及金屬網(wǎng)75A和75B的截面部分。圖4B示出了圖4A中每個金屬-絕緣體-金屬電容的頂視圖。
共同參考圖4A和圖4B，每個MIM電容C1和C2包括由電介質(zhì)分離的第一金屬板和第二金屬板。示出第一金屬板在金屬層4上形成，第二金屬板在金屬層3上形成。同樣兩個板之間的電介質(zhì)在ILD3內(nèi)形成。另外，金屬網(wǎng)75A和金屬網(wǎng)75B在金屬層2上形成，其分別在MIM電容C1和MIM電容C2之下。應該注意在其它實施例中，MIM電容和金屬網(wǎng)75A-B可以在任何金屬層上形成。
在一些實施例中，可能期望匹配MIM電容C1和C2的電容。如上所述，金屬網(wǎng)75A和75B可以在電容C1和C2以及在它們下面的任何設備和/或?qū)Ь€之間提供屏蔽。尤其是，在一個實施例中，電容C1的金屬網(wǎng)75A的長度“d1”基本上與電容C2的金屬網(wǎng)75B的長度“d2”相同。由于金屬網(wǎng)75A和金屬網(wǎng)75B的屏蔽屬性，可以使得電容C1和C2的環(huán)境基本相等。因此，電容C1和C2的電容可以更加精確的匹配。另外，在一些處理技術中，與固定金屬面相比，金屬網(wǎng)凹陷的可能性更小。
在可替換的實施例中，應該注意金屬網(wǎng)75A和75B可以使用單個金屬網(wǎng)代替(未示出)。在該可替換的實施例中，所述單個金屬網(wǎng)可以屏蔽C1和C2，這樣電容C1和C2的環(huán)境可以基本相等。
圖5是示出了集成電路模片10的另一個實施例細節(jié)的截面透視圖，在集成電路模片10中采用一個金屬網(wǎng)屏蔽。尤其是，如圖5所示，集成電路模片10可以包括在半導體襯底15上形成的互補金屬氧化物半導體(COMS)設備60。已經(jīng)在金屬層1上形成了標明M1的各種導線以連接CMOS設備60的部件。金屬網(wǎng)75在金屬層2上示出。另外，集成電路模片10包括金屬層3和4，其分別包括標明M3和M4的金屬導線。ILD層2分離金屬層2和3，而ILD層3分離金屬層3和4。鈍化層25覆蓋金屬層4。
如上描述，金屬網(wǎng)75可以在由金屬網(wǎng)75分離的集成電路的區(qū)域之間提供屏蔽(電容的和/電感的)。例如，可以屏蔽導線M3與從CMOS設備60或?qū)Ь€M1輻射的任何信號。同樣，可以屏蔽CMOS設備60與從導線M3或M4輻射的任何信號。如果需要，也可以在包括其它設備的區(qū)域之間提供相似的屏蔽。
應該注意，在可替換的實施例中可以采用具有相似特征的許多可替換金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)。通常，可以使用由連接的和閉合的相同或不同尺寸的金屬單元集形成的任何結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以相對均勻覆蓋整個空間并在整個空間上維持近似同樣的密度，并且這里在集中的所有孔洞(或開口)都相對小(例如，這里的孔洞接近于技術允許的最小值)。例如，依據(jù)期望的電特性、金屬密度和/或其它因素，每個蜂窩單元孔的幾何結(jié)構(gòu)以及蜂窩單元間距可以變化。圖6A-6D示出了一些這樣的金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)的可替換實施例，其可用于取代金屬網(wǎng)75。
在圖6A中，金屬網(wǎng)175包括具有如圖3的基本同樣矩形幾何結(jié)構(gòu)的許多蜂窩單元。但是，與圖3的蜂窩單元相反，圖6A的蜂窩單元具有在x(a)方向上比y(b)方向上長的孔洞。另外，在x(a)方向上的間距與在y(b)方向上的不同。
在圖6B中，金屬網(wǎng)275也包括許多蜂窩單元，每個具有基本相同的矩形幾何結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)互連以形成網(wǎng)格。然而，金屬網(wǎng)275的洞的幾何結(jié)構(gòu)是六邊多邊形(例如，六邊形)。
在圖6C中，金屬網(wǎng)375包括許多互連的蜂窩單元以形成網(wǎng)格。然而，在金屬網(wǎng)375內(nèi)形成的洞的幾何結(jié)構(gòu)并不幾何一致(例如，一些洞是矩形的而另一些是六邊形)。
在圖6D中，金屬網(wǎng)475包括許多蜂窩單元，其具有變化的間距(在可接受的容許偏差內(nèi))。結(jié)果，在網(wǎng)格內(nèi)的孔間距在其空間上并不是整個均勻的。
金屬網(wǎng)圖6A-6D可以采用與在上面結(jié)合圖3的描述的概念相似的概念，并且因此提供電容屏蔽、電感屏蔽、和/或期望的金屬密度。
應該注意在進一步可替換的實施例中可以采用許多其它具體網(wǎng)格拓撲(例如維數(shù)、外形)。例如在另一個可替換實施例中，網(wǎng)格的洞幾何結(jié)構(gòu)可以以圓周的形式、以橢圓的形式或者不規(guī)則形式。同樣，在網(wǎng)格空間上的金屬百分比(即，金屬空間與開口空間的比例)可以不同于以上描述的實施例。
盡管已經(jīng)以相當多的細節(jié)描述了以上實施例，一旦充分理解了上述內(nèi)容，各種變化和修改對本領域的普通技術人員是顯而易見的。打算下列解釋的權利要求包含所有變化和修改。
權利要求
1.一種半導體集成電路包括第一區(qū)域；第二區(qū)域；以及在第一和第二區(qū)域之間插入的金屬網(wǎng)層。
2.如權利要求1的半導體集成電路，其中所述第一區(qū)域包括具有一個或多個有源半導體設備的設備層。
3.如權利要求2的半導體集成電路，其中所述第二區(qū)域包括包含電路導線的金屬化層。
4.如權利要求3的半導體集成電路，其中在另一個金屬化層的至少一個部分實現(xiàn)所述金屬網(wǎng)層。
5.如權利要求1的半導體集成電路，其中所述金屬網(wǎng)層的傳導性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電容屏蔽，以獲得半導體集成電路的適當操作。
6.如權利要求1的半導體集成電路，其中所述金屬網(wǎng)層的傳導性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電感屏蔽，以獲得半導體集成電路的適當操作。
7.如權利要求1的半導體集成電路，其中由金屬導線形成所述金屬網(wǎng)層，其中金屬導線包括指向第一方向的第一組基本平行導線和指向第二方向的第二組基本平行導線，其中第一組導線的每個導線與第二組導線中的每條導線交叉并且電連接，并且其中第二方向基本與第一方向正交。
8.如權利要求7的半導體集成電路，其中金屬網(wǎng)在第一方向比第二方向具有較小的間距。
9.如權利要求7的半導體集成電路，其中所述金屬導線在第一方向和第二方向上基本均勻間隔。
10.如權利要求1的半導體集成電路，其中第二區(qū)域包括第一電容，所述第一電容具有由層間電介質(zhì)材料分離的第一對傳導板。
11.如權利要求10的半導體集成電路，其中第二區(qū)域進一步包括第二電容，所述第二電容具有由所述層間電介質(zhì)材料分離的第二對傳導板。
12.如權利要求11的半導體集成電路，其中第一和第二電容是基本等效結(jié)構(gòu)以提供匹配的電容值。
13.如權利要求1的半導體集成電路，其中所述第一區(qū)域包括模擬和數(shù)字電路，其實施混合信號電路。
14.一種半導體集成電路包括第一區(qū)域；第二區(qū)域；以及位于第一和第二區(qū)域之間的屏蔽，其中所述屏蔽由包括基本均勻間隔開口的圖案的第一金屬化層形成。
15.如權利要求14的半導體集成電路，其中所述第一區(qū)域包括具有一個或多個有源半導體設備的設備層。
16.如權利要求15的半導體集成電路，其中所述第二區(qū)域包括包含電路導線的第二金屬化層。
17.如權利要求16的半導體集成電路，其中在第一金屬化層的至少一部分上實現(xiàn)所述屏蔽。
18.如權利要求14的半導體集成電路，其中所述屏蔽的傳導性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電容屏蔽，以獲得半導體集成電路的適當操作。
19.如權利要求14的半導體集成電路，其中所述屏蔽的傳導性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電感屏蔽，以獲得半導體集成電路的適當操作。
20.如權利要求14的半導體集成電路，其中第二區(qū)域包括第一電容，所述第一電容具有由層間電介質(zhì)材料分離的第一對傳導板。
21.如權利要求20的半導體集成電路，其中第二區(qū)域進一步包括第二電容，所述第二電容具有由所述層間電介質(zhì)材料分離的第二對傳導板。
22.如權利要求21的半導體集成電路，其中第一和第二電容是基本等效結(jié)構(gòu)以提供匹配的電容值。
23.一種集成電路包括第一信號節(jié)點；第二信號節(jié)點；以及在第一和第二信號節(jié)點之間的層上形成的金屬化網(wǎng)結(jié)構(gòu)。
24.如權利要求23的集成電路，其中在第一金屬化層的至少一部分上實施所述金屬化網(wǎng)結(jié)構(gòu)。
25.如權利要求23的集成電路，其中所述金屬化網(wǎng)結(jié)構(gòu)的傳導性在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間提供足夠電容屏蔽，以獲得集成電路的適當操作。
26.如權利要求23的集成電路，其中所述金屬化網(wǎng)結(jié)構(gòu)的傳導性在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間提供足夠電感屏蔽，以獲得集成電路的適當操作。
27.一種方法包括提供半導體集成電路的第一區(qū)域；提供半導體集成電路的第二區(qū)域；以及在第一和第二區(qū)域之間形成金屬網(wǎng)層。
28.如權利要求27的方法，其中所述第一區(qū)域包括具有一個或多個有源半導體設備的設備層。
29.如權利要求27的方法，其中所述第二區(qū)域包括包含電路導線的金屬化層。
30.如權利要求29的方法，進一步包括在另一個金屬化層上的至少一部分上形成所述金屬網(wǎng)層。
31.如權利要求27的方法，其中所述金屬網(wǎng)層的傳導性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電容屏蔽，以獲得半導體集成電路的適當操作。
32.如權利要求27的方法，其中所述金屬網(wǎng)層的傳導性在第一和第二區(qū)域之間提供足夠電感屏蔽，以獲得半導體集成電路的適當操作。
全文摘要
描述了一種用于集成電路的金屬網(wǎng)結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，半導體集成電路包括第一區(qū)域，其包括，例如具有一個或多個有源半導體設備的設備層。該電路也包括第二區(qū)域，其包括一個包含電路導線的金屬化層。該電路進一步包括在第一和第二區(qū)域之間插入的金屬網(wǎng)層，其可以在另一個金屬化層的至少一部分上實現(xiàn)。
文檔編號H01L23/60GK101023525SQ200580019593
公開日2007年8月22日 申請日期2005年5月13日 優(yōu)先權日2004年5月13日
發(fā)明者奧古斯托·M·瑪奎斯 申請人:硅谷實驗室公司