專利名稱：撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種不會(huì)產(chǎn)生晶須、具有良好的接觸電阻、并且不會(huì)產(chǎn)生小孔的撓性印刷布線基板及撓性扁平電纜的端子部。
背景技術(shù)：
電子設(shè)備等所使用的撓性印刷布線基板(以下稱為FPC)、撓性扁平電纜(以下稱為FFC)大多將銅、銅合金作為布線使用。并且將其與其他布線板等電連接時(shí)，大多使用連接器連接。在這種連接器連接中，為了降低布線和連接器的接觸電阻以避免導(dǎo)通不良，對(duì)銅布線端子進(jìn)行表面處理。例如包括金、錫-鉛合金等的電解鍍處理。但是，鍍金存在成本高的問(wèn)題。并且在使用了含鉛的合金的鍍覆處理中，鉛析出會(huì)產(chǎn)生污染環(huán)境的問(wèn)題，因此需要實(shí)現(xiàn)無(wú)鉛鍍覆。對(duì)鍍純錫或不含鉛的錫合金的處理進(jìn)行了研究。但是，鍍不含鉛的錫合金或用純錫的銅布線端子部與連接器嵌合時(shí)確認(rèn)會(huì)發(fā)生以下情況在該布線端子部中由于連接器的引腳被擠壓，從兩個(gè)接觸部的薄膜中飛快地產(chǎn)生稱作晶須的須狀結(jié)晶。這種現(xiàn)象在鍍純錫、鍍不含鉛的錫類合金中較為明顯。進(jìn)一步通過(guò)實(shí)驗(yàn)確認(rèn)出，在對(duì)鍍膜進(jìn)行塑性變形后施加超過(guò)一定壓力的壓力時(shí)也會(huì)發(fā)生該現(xiàn)象。當(dāng)這種晶須成長(zhǎng)時(shí)，會(huì)在銅布線之間產(chǎn)生短路，并導(dǎo)致電子設(shè)備等出現(xiàn)問(wèn)題。
在日本專利公報(bào)特開平11-343594號(hào)公報(bào)中公開了解決晶須等問(wèn)題的技術(shù)。即該公報(bào)公開了以下結(jié)構(gòu)在至少表面由Cu或Cu合金構(gòu)成的基體表面上，經(jīng)由依次層疊Cu3Sn(ε相)、Cu6Sn5(η’相)而成的中間層，形成含有CuSn的層或含有CuSn的合金層。這些層均含有0.1～3重量％的Cu、或具有1～20μm的厚度。這些層均通過(guò)以下方法制造在含有0.2～50ppm Cu離子的Sn鍍?cè)』騍n合金鍍?cè)≈?，?duì)至少表面由Cu或Cu合金構(gòu)成的基體進(jìn)行電鍍來(lái)制造。并且該公報(bào)中還記載了，通過(guò)回流處理可基本防止晶須產(chǎn)生。但是僅通過(guò)上述回流處理，對(duì)于自然產(chǎn)生的晶須雖然具有抑制效果，但對(duì)于因連接器嵌合而產(chǎn)生的晶須則不一定有充分的效果。
在日本專利第3014814號(hào)公報(bào)中公開了，在鍍錫的銅的或銅合金的微細(xì)圖案中抑制導(dǎo)致短路的鍍錫須的方法。即在該方法中，首先在銅或銅合金的微細(xì)圖案上通過(guò)鍍覆形成具有0.15μm以上厚度的純錫層，接著通過(guò)熱處理使該純錫層整體變?yōu)镃u-Sn擴(kuò)散層。之后在其上形成具有0.15～0.8μm厚度的純錫層，從而抑制鍍錫須的產(chǎn)生。但是在該方法中，由于進(jìn)行二次鍍錫步驟，因此工藝變得復(fù)雜，并且制造成本較高。因此要求解決這些問(wèn)題的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種撓性印刷布線基板端子部及撓性扁平電纜端子部，其含有純錫鍍層或不含鉛的錫合金鍍層，基本不會(huì)產(chǎn)生晶須，具有良好的接觸電阻。并且，本發(fā)明的另一目的在于提供一種實(shí)用的撓性印刷布線基板端子部及撓性扁平電纜端子部，其不會(huì)產(chǎn)生晶須，具有良好的接觸電阻，并且不會(huì)產(chǎn)生小孔，具有良好光澤性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一技術(shù)方案，提供一種撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其與連接器嵌合，其特征在于，通過(guò)對(duì)形成有純錫或錫合金鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理，在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層，并且使上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm。
本發(fā)明的第二技術(shù)方案，提供一種如第一技術(shù)方案所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其中，上述純錫或錫合金的鍍層殘留厚度為0.2μm以上并小于1.0μm。
本發(fā)明的第三技術(shù)方案，提供一種如第一或第二技術(shù)方案所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其中，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的鍍層的厚度中，使初始鍍層的厚度為0.5μm以上。
本發(fā)明的第四技術(shù)方案，提供一種如第三技術(shù)方案所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其中，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層的厚度，作為根據(jù)殘留鍍層中及金屬間化合物的擴(kuò)散層中的錫存在量求得的厚度，為0.5μm以上。
本發(fā)明的第五技術(shù)方案，提供一種如技術(shù)方案1～4的任意一個(gè)所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其中，上述錫合金鍍層選自錫銅合金、錫銀合金、錫鉍合金。
本發(fā)明的第六技術(shù)方案，提供一種如技術(shù)方案1～5的任意一個(gè)所述撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其中，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層，通過(guò)一次鍍覆處理而形成。
根據(jù)上述本發(fā)明的各技術(shù)方案，通過(guò)對(duì)形成有純錫或錫合金鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理，在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層，并且使上述純錫或錫合金的鍍層殘留厚度為0.2～1.6μm，因此即使產(chǎn)生晶須也較細(xì)小，在實(shí)用上不會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。具體而言，可使有可能生成的晶須的最大長(zhǎng)度為50μm以下，當(dāng)上述端子部與連接器嵌合時(shí)不會(huì)產(chǎn)生晶須導(dǎo)致的短路事故。并且在上述端子部中，可使接觸電阻小于50mΩ。進(jìn)一步也不會(huì)產(chǎn)生因鉛引起的環(huán)境污染問(wèn)題。
進(jìn)一步優(yōu)選上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2μm以上并小于1.0μm，可進(jìn)一步抑制晶須的產(chǎn)生。具體而言，即使產(chǎn)生晶須，也可使其最大長(zhǎng)度為30μm以下，即使與連接器嵌合也不會(huì)產(chǎn)生短路事故。并且，端子部的接觸電阻較佳，小于50mΩ。當(dāng)然也不會(huì)產(chǎn)生因鉛引起的環(huán)境污染問(wèn)題。
并且，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的鍍層的厚度中，使初始鍍層的厚度為0.5μm以上，從而除了上述效果外，還可防止生成小孔等問(wèn)題，因此可切實(shí)被覆襯底的銅或銅合金布線。并且，電鍍表面的光澤性在實(shí)用上也不會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。進(jìn)一步，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層的厚度，作為根據(jù)殘留鍍層中及金屬間化合物的擴(kuò)散層中的錫存在量求得的厚度，為0.5μm以上，因此即使在電鍍后無(wú)法直接測(cè)量鍍層厚度的情況下，也可獲知產(chǎn)品的初始鍍層厚度。
并且，錫合金鍍層選自錫銅合金、錫銀合金、錫鉍合金，因此可提供一種可選擇各種無(wú)鉛的錫合金鍍層、并且具有上述特性的FPC端子部或FFC端子部。
并且，在本發(fā)明的FPC端子部或FFC端子部中，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層，通過(guò)一次鍍覆處理而形成，因此可通過(guò)簡(jiǎn)單的制造工藝獲得具有上述特性的FPC端子部或FFC端子部，從而可降低制造成本。
具體實(shí)施例方式
以下詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
(第一實(shí)施方式)在本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的FPC或FFC的嵌合了連接器的端子部中，通過(guò)對(duì)形成了純錫或錫合金鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理，在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層。是上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm的FPC或FFC端子部。
本發(fā)明人對(duì)將FPC端子部或FFC端子部嵌合到連接器中時(shí)、特別是嵌合到具有引腳的連接器中時(shí)所產(chǎn)生的晶須(ウィスカ一)進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了晶須的產(chǎn)生受到了來(lái)自連接器的外部應(yīng)力的很大影響這一事實(shí)，根據(jù)這一事實(shí)完成了本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)熱擴(kuò)散處理調(diào)整含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層、與純錫或錫合金鍍層的厚度關(guān)系，可降低作用于鍍層的外部應(yīng)力的影響，從而抑制晶須的產(chǎn)生。
因此，通過(guò)對(duì)形成了純錫或錫合金鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理，在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層。并且，進(jìn)行熱處理以使上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm。這樣一來(lái)，在與連接器嵌合時(shí)也可抑制晶須的產(chǎn)生，并且即使產(chǎn)生晶須，也可使其最大長(zhǎng)度為50μm以下，在FPC、FFC端子部中不會(huì)因連接器嵌合而導(dǎo)致短路。
并且，在熱處理后的純錫或錫合金鍍層的殘留厚度小于0.2μm的情況下，當(dāng)該端子部嵌合到連接器時(shí)，接觸電阻變大，無(wú)法充分確保導(dǎo)通。并且，在其殘留厚度超過(guò)1.6μm的情況下，當(dāng)該端子部嵌合到連接器時(shí)，晶須的發(fā)生頻度(發(fā)生率、長(zhǎng)度)變大，并且其最大長(zhǎng)度會(huì)超過(guò)50μm。另一方面，當(dāng)鍍層的殘留厚度為1～1.6μm時(shí)，可確認(rèn)晶須的最大長(zhǎng)度為50μm以下。當(dāng)純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm時(shí)，由銅及錫構(gòu)成的金屬間化合物擴(kuò)散層的厚度為0.1～3.5μm左右。并且該端子部具有小于50mΩ的良好的低接觸電阻，并且不會(huì)產(chǎn)生鉛的環(huán)境問(wèn)題。
(第二實(shí)施方式)在第二實(shí)施方式的FPC端子部或FFC端子部中，上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2以上并小于1.0μm。這樣一來(lái)，通過(guò)使純錫或錫合金鍍層的殘留厚度小于1.0μm，可更好地抑制產(chǎn)生的晶須。并且即使產(chǎn)生晶須，也可使其最大長(zhǎng)度為30μm以下。因此即使將端子部嵌合到連接器，也不會(huì)產(chǎn)生短路事故。并且，F(xiàn)PC端子部或FFC端子部具有小于50mΩ的低接觸電阻，在電氣性能方面較為優(yōu)越。并且由于是無(wú)鉛的鍍層，因此不會(huì)產(chǎn)生鉛的環(huán)境問(wèn)題。
(第三實(shí)施方式)在本發(fā)明的第三實(shí)施方式下的FPC端子部或FFC端子部中，為了進(jìn)一步防止小孔(pin hole)的產(chǎn)生，使在銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層的厚度為0.5μm以上。具體而言，銅或銅合金布線上最初形成的純錫或錫合金的鍍層通過(guò)電解鍍形成，以使其具有0.5μm以上的厚度，接著通過(guò)熱處理形成由銅及錫構(gòu)成的金屬間化合物擴(kuò)散層、及純錫或錫合金鍍層。進(jìn)行處理以使熱處理后的鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm，優(yōu)選為0.2以上并小于1.0μm，從而可提供一種晶須的最大長(zhǎng)度為50μm以下或30μm以下的FPC或FFC端子部。純錫或錫合金的初始鍍層厚度小于0.5μm時(shí)，電解鍍時(shí)會(huì)產(chǎn)生小孔等缺陷，長(zhǎng)期使用時(shí)會(huì)成為導(dǎo)致腐蝕的原因，因此并不優(yōu)選。并且銅或銅合金布線上最初形成的純錫或錫合金鍍層，即使再厚也只是優(yōu)選為4～5μm左右。這是因?yàn)?，通過(guò)熱處理使鍍層殘留厚度為1.6μm以下需要較長(zhǎng)時(shí)間，且由此會(huì)導(dǎo)致由銅及錫構(gòu)成的金屬間化合物擴(kuò)散層變厚，彎曲性變差。因此鍍層中易產(chǎn)生裂紋。并且，這些鍍層可通過(guò)電解鍍、非電解鍍形成。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的FPC端子部或FFC端子部，即使產(chǎn)生晶須也可使其最大長(zhǎng)度為50μm以下或30μm以下，即使該端子部與連接器嵌合，也可防止因晶須而產(chǎn)生的短路事故。并且，上述端子部沒(méi)有小孔，具有小于50mΩ的接觸電阻，光澤性在實(shí)用上也沒(méi)有問(wèn)題。特別是在初始鍍層厚度為1.5μm以上的情況下，該端子部具有良好的光澤性。進(jìn)一步，因彎曲產(chǎn)生的裂紋也較少發(fā)生，不會(huì)對(duì)銅布線等的強(qiáng)度產(chǎn)生不良影響。
(第四實(shí)施方式)
在本發(fā)明的第四實(shí)施方式的FPC端子部或FFC端子部中，將上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層的厚度，作為根據(jù)殘留鍍層中及金屬間化合物的擴(kuò)散層中的錫存在量求得的厚度，可以使上述初始鍍層的厚度為0.5μm以上。這樣決定初始鍍層的厚度時(shí)，即使在鍍覆后無(wú)法直接測(cè)量鍍層厚度的情況下，也可獲知產(chǎn)品的初始鍍覆厚度。即，初始鍍層是鍍覆后的層，尚未形成擴(kuò)散層，但在熱處理后，通過(guò)來(lái)自襯底層的銅的擴(kuò)散，形成由銅、錫的金屬間化合物構(gòu)成的擴(kuò)散層，結(jié)果初始鍍層變薄。因此，在熱處理后的FPC端子部或FFC端子部的錫及錫合金層中，單位面積下的錫的存在量，如果與例如0.5μm的初始鍍層厚度時(shí)的量相同，則可視初始鍍層厚度為0.5μm，因此可測(cè)量初始鍍層厚度。并且，錫的存在量例如如下進(jìn)行測(cè)定通過(guò)熒光X線膜厚計(jì)來(lái)測(cè)量錫的特性X線強(qiáng)度；或溶解試驗(yàn)材料，并通過(guò)化學(xué)分析對(duì)錫進(jìn)行定量。
說(shuō)明通過(guò)該方法測(cè)量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。表1表示實(shí)驗(yàn)條件及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。在該表中，初始鍍層的“厚度”表示在鍍層形成后10分以內(nèi)由熒光X線膜厚計(jì)(使用精工(セイコ一インスツルメンツ)株式會(huì)社制造的SFT-3200)測(cè)量的值。即，在熒光X線膜厚計(jì)的測(cè)量中，根據(jù)錫X線強(qiáng)度(cpscounts per second)求得錫的殘留量，通過(guò)錫的密度求得初始鍍層的厚度。
并且，熒光X線強(qiáng)度的測(cè)量使用了0.025mm×0.4mm的準(zhǔn)直儀。并且在該測(cè)量中，X線與具有0.4mm寬度的布線的長(zhǎng)度方向并列照射。
(表1)

接著，對(duì)該鍍層用各種熱處理?xiàng)l件進(jìn)行熱處理，從而形成由銅及錫構(gòu)成的金屬間化合物擴(kuò)散層，其結(jié)果是獲得了各種厚度的殘留鍍層。接著和熱處理前一樣用熒光X線膜厚計(jì)進(jìn)行測(cè)量，求得錫的存在量及初始鍍層的厚度。其結(jié)果也顯示在表1中。
從表1的實(shí)驗(yàn)例1至5可知，熱處理前的初始鍍層厚度、和根據(jù)熱處理后的錫存在量求得的初始鍍層厚度一致。因此，在鍍覆之后未測(cè)量初始鍍層厚度的端子部中，也可在之后獲知初始鍍層的厚度。
(第五實(shí)施方式)在本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的FPC端子部或FFC端子部中，從錫銅合金、錫銀合金、錫鉍合金中選擇上述錫合金，從而可實(shí)現(xiàn)無(wú)鉛化、及良好的焊接性等特性。具體而言，優(yōu)選的是，從含有0.2～3質(zhì)量％的銅的錫銅合金、含有0.5～5質(zhì)量％的銀的錫銀合金、含有0.5～4質(zhì)量％的鉍的錫鉍合金中選擇。
并且，上述由純錫或錫合金構(gòu)成的鍍層的熱處理?xiàng)l件，考慮到FPC的構(gòu)成材料、鍍層的種類，可選擇更優(yōu)選的條件。例如，通過(guò)在140～180℃下數(shù)小時(shí)、或在上述純錫或錫合金的熔點(diǎn)附近的溫度下數(shù)秒～數(shù)十秒，可實(shí)現(xiàn)工業(yè)上實(shí)用的制造方法。通過(guò)這種熱處理?xiàng)l件，在上述銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層，并且可獲得上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm、優(yōu)選0.2以上并小于1.0μm的FPC端子部。進(jìn)一步，不會(huì)對(duì)構(gòu)成FPC端子的絕緣材料造成損害。并且在FFC中，從實(shí)用的制造方法的角度而言，優(yōu)選純?cè)阱a或錫合金的熔點(diǎn)以上0.05秒至數(shù)秒，但根據(jù)情況不同也可在熔點(diǎn)以下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的熱處理，并且也可組合這些熱處理?xiàng)l件來(lái)進(jìn)行。
(第六實(shí)施方式)在本發(fā)明的第六實(shí)施方式涉及的FPC端子部或FFC端子部中，對(duì)于初始鍍層，在上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層通過(guò)一次鍍覆處理而形成。通過(guò)這種一次的初始鍍覆處理，可獲得具有上述特性的FPC端子部或FFC端子部，因此在制造成本方面較為有利。并且如上所述，除了鍍純錫外，也可適用于錫銅合金、錫銀合金、錫鉍合金等無(wú)鉛的錫合金鍍覆，因此鍍覆處理的使用范圍變大。
通過(guò)表2記載的實(shí)施例及比較例，確認(rèn)了本發(fā)明的效果。在實(shí)施例中，首先準(zhǔn)備了具有0.5mm間距銅布線的FPC端子部及FFC端子部。在其上形成表2所示的各種鍍層。接著，F(xiàn)PC端子部利用烘箱或回流爐以預(yù)定的條件進(jìn)行熱處理。并且，F(xiàn)PC端子部利用通電退火爐或烘箱以預(yù)定的條件進(jìn)行熱處理。之后，對(duì)上述鍍層的截面利用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察金屬間化合物的生成，并且測(cè)量殘留鍍層的厚度。表2中的殘留鍍層的厚度是20個(gè)測(cè)量點(diǎn)的測(cè)量值的平均值。并且，在上述端子部中嵌合引腳前端R為0.025mm的ZIF型連接器，以進(jìn)行試驗(yàn)。連接器使用了鍍金/鎳的連接器及鍍純錫的連接器二種。在端子部和連接器嵌合的狀態(tài)下，在室溫下放置1000小時(shí)。之后，將FPC端子部或FFC端子部從ZIF型連接器脫離，為了確認(rèn)是否產(chǎn)生晶須，觀察端子部的鍍層。觀察以500倍以上的觀察倍率通過(guò)SEM來(lái)進(jìn)行。其結(jié)果如表2所示。在表2中的“晶須”一欄中，“◎”表示觀察的晶須的最大長(zhǎng)度為30μm以下，“○”表示觀察的晶須的最大長(zhǎng)度為50μm以下，并且“×”表示觀察的晶須的最大長(zhǎng)度超過(guò)50μm。并且，將端子部與ZIF型連接器嵌合，通過(guò)測(cè)試器測(cè)量接觸電阻。其結(jié)果如表2所示。在表2的“接觸電阻”一欄中，“×”表示接觸電阻為50mΩ以上，“○”表示小于50mΩ。并且，當(dāng)接觸電阻小于50mΩ時(shí)，可獲得電氣性能良好的嵌合部。
(表2)

如表2的實(shí)施例1至13所示，對(duì)形成了純錫或無(wú)鉛錫合金的鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理、從而在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層、且上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm的FPC或FFC端子部中，例如即使產(chǎn)生晶須也基本上為30μm以下，最大長(zhǎng)度下也為50μm以下。進(jìn)一步，當(dāng)鍍層的殘留厚度小于1.0μm時(shí)，晶須的最大長(zhǎng)度為30μm以下。并且，接觸電阻全部小于50mΩ。并且在彎曲性上也是不會(huì)在鍍層上產(chǎn)生裂紋的良好產(chǎn)品。
與之相對(duì)，如比較例1或2所示，熱處理后的殘留鍍層的厚度為1.70μm或2.80μm較厚時(shí)，產(chǎn)生的晶須的最大長(zhǎng)度超過(guò)50μm。并且如比較例3至5所示，熱處理后的鍍層的殘留厚度小于0.2μm時(shí)，接觸電阻變?yōu)?0mΩ以上，電氣性能不良。
接著，進(jìn)一步通過(guò)表3記載的實(shí)施例及比較例確認(rèn)了本發(fā)明的效果。表3所示的實(shí)施例及比較例與上述表2的方法相同的方法來(lái)制造。并且通過(guò)同樣的測(cè)量方法調(diào)查了是否產(chǎn)生晶須、及接觸電阻。并且，在各實(shí)施(比較)例中，在鍍層形成后，通過(guò)100倍以上的放大鏡調(diào)查了鍍層中有無(wú)小孔。在表3的“有無(wú)小孔”一欄中，“○”表示完全未發(fā)現(xiàn)小孔，“×”表示確認(rèn)了至少一個(gè)小孔。并且，通過(guò)實(shí)體顯微鏡測(cè)量了鍍層表面的光澤性。其結(jié)果在表3中表示。在表3的“光澤性”一欄中，“○”表示表面良好的光澤性，“△”表示表面是在實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題的半光澤性。
(表3)

如表3的實(shí)施例14～28所示，純錫或無(wú)鉛的錫合金的鍍層形成為初始鍍層厚度0.5μm以上、對(duì)銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理而在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層、且上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm的FPC或FFC端子部中，晶須的產(chǎn)生被抑制，例如即使產(chǎn)生晶須其最大長(zhǎng)度也為50μm以下。并且，當(dāng)純錫或無(wú)鉛的錫合金鍍層的初始鍍層厚度為0.5μm以上、鍍層的殘留厚度為0.2以上并小于1.0μm時(shí)，可進(jìn)一步抑制晶須的產(chǎn)生，晶須的最大長(zhǎng)度為30μm以下。并且，接觸電阻在任意一個(gè)實(shí)施例中均小于50mΩ。進(jìn)一步，當(dāng)初始鍍層厚度為0.5μm以上時(shí)，鍍層中不會(huì)產(chǎn)生小孔，光澤性在實(shí)用上也沒(méi)有問(wèn)題。特別當(dāng)初始鍍層厚度為1.5μm以上時(shí)，光澤性良好。進(jìn)一步，在彎曲試驗(yàn)中鍍層中也未產(chǎn)生裂紋。
與之相對(duì)，如比較例6至8所示，即使熱處理后的殘留鍍層的厚度為0.2μm以上，在初始鍍層的厚度小于0.5μm時(shí)，雖然晶須的最大長(zhǎng)度不會(huì)超過(guò)50μm，接觸電阻也較低，但存在產(chǎn)生小孔的問(wèn)題。小孔的產(chǎn)生在長(zhǎng)期使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生不良影響。
產(chǎn)業(yè)化可行性如本發(fā)明所述，在銅或銅合金布線上形成了鍍純錫或錫類合金的FPC端子部或FFC端子部，即使與連接器嵌合并長(zhǎng)期使用時(shí)，產(chǎn)生的晶須也極其微小，不會(huì)發(fā)生短路，因此適用于各種電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其與連接器嵌合，其特征在于，通過(guò)對(duì)形成有純錫或錫合金鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理，在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層，并且使上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其特征在于，上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2μm以上并小于1.0μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其特征在于，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的鍍層的厚度中，使初始鍍層的厚度為0.5μm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其特征在于，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層的厚度，作為根據(jù)殘留鍍層中及金屬間化合物的擴(kuò)散層中的錫存在量求得的厚度，為0.5μm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4的任意一項(xiàng)所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其特征在于，上述錫合金鍍層從錫銅合金、錫銀合金、錫鉍合金中選擇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5的任意一項(xiàng)所述的撓性印刷布線基板端子部或撓性扁平電纜端子部，其特征在于，上述銅或銅合金布線上形成的純錫或錫合金的初始鍍層，通過(guò)一次鍍覆處理而形成。
全文摘要
在撓性印刷布線基板或撓性扁平電纜的與連接器嵌合的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的端子部中，通過(guò)對(duì)形成有純錫或錫合金鍍層的銅或銅合金布線進(jìn)行熱處理，在銅或銅合金布線上形成含有銅及錫的金屬間化合物擴(kuò)散層，并且上述純錫或錫合金鍍層的殘留厚度為0.2～1.6μm。
文檔編號(hào)H01R13/03GK1981565SQ200580022948
公開日2007年6月13日 申請(qǐng)日期2005年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月8日
發(fā)明者市川雅照, 直江邦浩, 味村彰治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉(cāng)