專利名稱：基板回收方法以及基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于回收裝置內的基板的基板回收方法以及基板處理裝置。
背景技術：
例如半導體器件制造工序中的光刻工序，通常使用涂敷顯影處理裝置進行。涂敷顯影處理裝置，例如在外殼內具有用于輸入輸出基板的輸入輸出部、配置有進行抗蝕劑涂敷處理和顯影處理以及熱處理等各種處理的多個處理單元的處理部、用于在該處理部與曝光裝置之間交接基板的接口部。另外，涂敷顯影處理裝置例如在殼體內具有在上述各部分間或處理單元間輸送基板的多個輸送單元。
在上述涂敷顯影處理裝置正常運行時，輸入到輸入輸出部中的多塊基板由輸送單元依次向處理部輸送，在處理部的各處理單元中對各基板進行抗蝕劑涂敷處理、熱處理等既定處理。之后，各基板通過接口部被輸送到曝光裝置，曝光處理后返回處理部，實施顯影處理等既定處理后，返回輸入輸出部。
然而，在上述涂敷顯影處理裝置中，如果發(fā)生運行中的處理單元產(chǎn)生故障等問題，則必須使涂敷顯影處理裝置停止，修復產(chǎn)生故障的處理單元。此時，在涂敷顯影處理裝置內，殘留著多塊基板。對于這些基板，為了使涂敷顯影處理裝置恢復正常狀態(tài)后再次開始通常的基板處理，例如要通過操作員的回收動作回收到輸入輸出部(例如參照專利文獻1)。
但是，若在上述涂敷顯影處理裝置中單張式處理多塊基板時發(fā)生故障，則各基板處于各種狀態(tài)。例如，在顯影單元中，有時在基板的表面上存有顯影液。又，在熱處理單元中，有時基板升溫到了較高溫度。當回收這樣意外的各種狀態(tài)下的基板時，例如用于回收的輸送單元或用于基板交接的交接單元會被例如基板上的顯影液污染，或由于高溫的基板而受到熱的影響。因此，即使消除故障后，涂敷顯影處理裝置內的輸送單元或交接單元也已被污染，或溫度不穩(wěn)定，從而對再次開始后的基板處理帶來不良影響。若為了防止這一問題而進行輸送單元或交接單元的維護，則發(fā)生故障后使涂敷顯影處理裝置恢復正常狀態(tài)并再次開始基板處理需要較長時間，結果導致基板的生產(chǎn)效率下降。
專利文獻1特愿平9-17838號公報。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于這點作出的，目的在于提供一種基板回收方法以及基板處理裝置，在涂敷顯影處理裝置等基板處理裝置發(fā)生故障時，能回收基板處理裝置內殘存的基板以便不對后面的基板處理帶來不良影響，可迅速再次開始基板處理。
為了達到上述目的，本發(fā)明是一種基板回收方法，在基板處理裝置中，將上述基板處理裝置內的基板回收到輸入輸出部，所述基板處理裝置具有輸入輸出部，用于輸入輸出基板；處理部，具備處理基板的多個處理單元；基板輸送機構，能夠將從上述輸入輸出部輸入的基板依次輸送到上述處理部的處理單元，并能將在上述處理部實施既定處理后的基板返回上述輸入輸出部，該方法的特征在于，在上述基板處理裝置發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將基板處理裝置內的所有基板回收到上述輸入輸出部；對于上述回收的基板中的、正在上述處理單元內接受處理的基板，在該處理單元中的處理結束后再進行回收。另外，“故障”，不僅包括基板處理裝置內的各種參數(shù)出現(xiàn)問題的情況，也包括基板處理裝置內進行的基板處理不能恰當執(zhí)行的情況。
根據(jù)本發(fā)明，在基板處理裝置發(fā)生故障時，對于正在基板處理裝置內接受處理的基板，在該處理結束后進行回收，所以可在處理單元的處理完全結束而變成不會對基板輸送機構帶來不良影響的狀態(tài)后，回收基板。由于回收的基板不會對基板輸送機構帶來不良影響，所以基板回收后不必維護基板輸送機構，可在消除故障后迅速再次開始基板處理裝置的基板處理或基板輸送。因此，可迅速再次開始基板處理，提高基板的生產(chǎn)效率。
對于正在上述處理部所具備的液體處理單元中實施液體處理的基板，也可以在結束該液體處理后將該基板干燥，再進行回收。這種情況下，輸送臂等基板輸送機構不會受到回收的基板上附著的液體污染。
又，對于正在上述處理部所具備的熱處理單元中實施加熱處理的基板，也可以在結束該加熱處理后將該基板冷卻，再進行回收。這種情況下，基板輸送機構不會受到回收的基板的熱量的熱影響。
也可設計成，正常時，由上述基板輸送機構將輸入到上述輸入輸出部的基板沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送；在發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將基板處理裝置內的基板沿著上述既定輸送路線輸送，但省略該既定輸送路線上的既定處理單元。這種情況下，將正常時的輸送路線進行所謂簡化而輸送，所以可迅速回收基板。又，由于基板沿著輸送路線回收，所以例如不等到基板處理裝置內的所有基板都被回收，也可將其他基板輸入基板處理裝置而開始處理。
也可設計成，正常時，由上述基板輸送機構將輸入到上述輸入輸出部的基板沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送；發(fā)生故障時，不利用上述既定輸送路線，由上述基板輸送機構將基板處理裝置內的基板從各基板的位置向上述輸入輸出部的方向輸送。這種情況下，無論發(fā)生故障時基板處在基板處理裝置的哪個位置，各基板都被向輸入輸出部的方向輸送回收，所以可迅速回收基板。
也可以設計成，發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將上述處理部的處理單元內的基板輸送到更接近上述輸入輸出部的空的處理單元。
上述空的處理單元有多個時，可將基板輸送到離該基板最近的空的處理單元。
也可以設計成，在發(fā)生故障時，不回收導致故障發(fā)生的處理單元內的基板，而回收其他所有的基板；對于導致上述故障發(fā)生的處理單元內的基板，消除故障后使用上述基板輸送機構回收。由此，導致故障發(fā)生的處理單元內的基板也可使用基板輸送機構回收。
另一方面的本發(fā)明是一種基板處理裝置，在殼體內具有輸入輸出部，用于輸入輸出基板；處理部，具備處理基板的多個處理單元；基板輸送機構，能夠將從上述輸入輸出部輸入的基板依次輸送到上述處理部的處理單元，并能將在上述處理部實施既定處理后的基板返回上述輸入輸出部，其特征在于，具有基板回收控制部，該基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得在發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將殼體內的所有基板回收到上述輸入輸出部，并且，對于上述回收的基板中的、正在上述處理單元內接受處理的基板，在該處理單元中的處理結束后再進行回收。
根據(jù)本發(fā)明，在發(fā)生故障時，對于正在殼體內的處理單元內接受處理的基板，在該處理結束后進行回收，所以可在處理單元的處理完全結束而變成不會對基板輸送機構帶來不良影響的狀態(tài)后，回收基板。由于回收的基板不會對基板輸送機構帶來不良影響，所以基板回收后不必維護基板輸送機構，可在消除故障后迅速再次開始基板處理裝置的基板處理或基板輸送。因此，可迅速再次開始基板處理，提高基板的生產(chǎn)效率。
也可以設計成，上述處理部具有在基板上實施液體處理的液體處理單元；上述基板回收控制部控制基板輸送機構，使得對于發(fā)生故障時正在上述液體處理單元中實施液體處理的基板，在結束該液體處理后進行干燥，再進行回收。這種情況下，例如輸送臂等基板輸送機構不會被回收的基板上附著的液體污染。
也可以設計成，上述處理部具有對基板實施加熱處理的熱處理單元；上述基板回收控制部，對于發(fā)生故障時正在上述熱處理單元中實施加熱處理的基板，在結束該加熱處理后進行冷卻，再進行回收。這種情況下，基板輸送機構不會受到回收的基板的熱量的熱影響。
也可設計成，正常時，上述基板輸送機構沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送基板；上述基板回收控制部，在發(fā)生故障時如下進行輸送，即，利用上述基板輸送機構將上述殼體內的基板沿著上述既定輸送路線輸送，但省略該既定輸送路線上的既定處理單元。這種情況下，由于將正常時的輸送路線進行所謂簡化而輸送，所以可迅速回收基板。又，基板沿著輸送路線回收，所以即使不等待例如基板處理裝置內的所有基板都被回收，也可將其他基板輸入基板處理裝置而開始處理。
也可設計成，正常時，上述基板輸送機構沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送基板；上述基板回收控制部，在發(fā)生故障時如下進行輸送，即，不利用上述既定輸送路線，由上述基板輸送機構將上述殼體內的基板從各基板的位置向上述輸入輸出部的方向輸送。這種情況下，無論發(fā)生故障時基板處在基板處理裝置的哪個位置，各基板都被向輸入輸出部的方向輸送回收，所以可迅速回收基板。
也可以設計成，在發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將上述處理部的處理單元內的基板輸送到比該處理單元更接近上述輸入輸出部的空的處理單元。上述空的處理單元有多個時，可由上述基板輸送機構將上述基板輸送到離該基板最近的空的處理單元。
也可以設計成，上述基板回收控制部，發(fā)生故障時不回收導致故障發(fā)生的處理單元內的基板，而回收其他所有的基板，對于導致上述故障發(fā)生的處理單元內的基板，消除故障后借助上述基板輸送機構進行回收。
根據(jù)本發(fā)明，即使發(fā)生故障時也可迅速再次開始基板處理裝置中的基板處理，所以可提高基板的生產(chǎn)效率。


圖1是本實施方式的涂敷顯影處理裝置的概要俯視圖。
圖2是圖1的涂敷顯影處理裝置的主視圖。
圖3是圖1的涂敷顯影處理裝置的后視圖。
圖4是處理時的晶片的輸送路線的說明圖。
圖5是用于表示晶片的回收路徑的涂敷顯影處理裝置的俯視圖。
圖6是簡化后的輸送路線的說明圖。
附圖標記說明1 基板處理裝置2 盒搬運站3 處理站30 第1輸送單元31 第2輸送單元160 控制部W 晶片具體實施方式
以下說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。圖1是作為本實施方式的基板處理裝置的涂敷顯影處理裝置1的結構的概要俯視圖，圖2是涂敷顯影處理裝置1的主視圖，圖3是涂敷顯影處理裝置1的后視圖。
涂敷顯影處理裝置1，如圖1所示，例如具有下述結構，即，在作為覆蓋裝置整體的殼體的外殼1a內，一體連接有作為輸入輸出部的盒搬運站2，將例如25張晶片W以盒單位從外部相對于涂敷顯影處理裝置1輸入輸出，或相對于盒C輸入輸出晶片W；作為處理部的處理站3，通過將在涂敷顯影工序中單片式地實施既定處理的各種處理單元多層配置而構成；接口部4，與該處理站3相鄰設置，在與圖未示的曝光裝置之間進行晶片W的交接。
盒搬運站2中，可在盒載置臺5上的既定位置沿X方向(圖1中的上下方向)將多個盒C載置成一列。在盒搬運站2中，設置有可在輸送路徑6上沿X方向移動的晶片輸送單元7。晶片輸送單元7在上下方向上也可移動，可選擇性地訪問在盒C內沿上下方向排列的晶片W。晶片輸送單元7可繞鉛直方向的軸(θ方向)旋轉，也可對后述處理站3側的第3處理單元組G3內的單元進行訪問。
處理站3如圖1所示，具有多層配置多個處理單元的例如7個處理單元組G1～G7。在作為處理站3的正面?zhèn)?、即X方向的負方向(圖1中的下方)側，從盒搬運站2側起依次配置有第1處理單元組G1、第2處理單元組G2。在處理站3的中央部，從盒搬運站2側起依次配置有第3處理單元組G3、第4處理單元組G4以及第5處理單元組G5。在處理站3的背面?zhèn)?、即X方向的正方向(圖1中的上方)側，從盒搬運站2側起依次配置有第6處理單元組G6、第7處理單元組G7。
在第3處理單元組G3與第4處理單元組G4之間，設置有第1輸送單元30。第1輸送單元30，例如具有可向θ方向旋轉且可在水平方向和上下方向上移動的輸送臂30a。第1輸送單元30，通過使輸送臂30a相對于相鄰的第1處理單元組G1、第3處理單元組G3、第4處理單元組G4以及第6處理單元組G6內的各單元進退，可在該各處理單元組G1、G3、G4以及G6內的各單元之間輸送晶片W。
在第4處理單元組G4與第5處理單元組G5之間，設置有第2輸送單元31。第2輸送單元31與第1輸送單元30一樣具有輸送臂31a，可選擇性地訪問第2處理單元組G2、第4處理單元組G4、第5處理單元組G5以及第7處理單元組G7的各單元并輸送晶片W。
如圖2所示，在第1處理單元組G1中，從下起依次重疊有5層向晶片W供給既定液體而進行處理的液體處理單元，例如在晶片W上涂敷抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷單元40～44。在第2處理單元組G2中，從下起依次重疊5層液體處理單元，例如對晶片W進行顯影處理的顯影單元50～54。又，在第1處理單元組G1以及第2處理單元組G2的最下層，分別設置有用于向各處理單元組G1以及G2內的上述液體處理單元供給各種處理液的化學室60、61。
例如，如圖3所示，在第3處理單元組G3中，用于進行晶片W的交接的過渡單元70、71、在高精度的溫度管理下冷卻晶片W的冷卻單元72～74以及在高溫下對晶片W進行加熱處理的高溫熱處理單元75～78，從下起依次重疊9層。例如，過渡單元70、71，在Y方向的兩側具有晶片W的輸送口，使得在Y方向的兩側相鄰的晶片輸送單元7和第1輸送單元30兩者均可訪問。因此，過渡單元70、71具有在晶片輸送單元7與第1輸送單元30之間交接晶片W的功能。
在第4處理單元組G4中，例如冷卻單元80、81、對抗蝕劑涂敷處理后的晶片W進行加熱處理的預烘干單元82～86、以及對顯影處理后的晶片W進行加熱處理的后烘干單元87～89，從下起依次重疊10層。例如，第4處理單元組G4內的所有單元，均在Y方向的兩側具有晶片W的輸送口，使得在Y方向的兩側相鄰的第1輸送單元30和第2輸送單元31兩者都可訪問。因此，第4處理單元組G4內的所有單元，都具有在第1輸送單元30與第2輸送單元31之間交接晶片W的功能。
在第5處理單元組G5中，例如冷卻單元90～93、對曝光后的晶片W進行加熱處理的作為熱處理單元的曝光后烘干單元94～99，從下起依次重疊10層。曝光后烘干單元94～99，例如在容器內具有載置晶片W并進行加熱的加熱板和載置晶片W并進行冷卻的冷卻板，可進行晶片W的加熱和冷卻兩種處理。例如，第5處理單元組G5內的所有單元，均在Y方向的兩側具有晶片W的輸送口，具有在第2輸送單元31與接口部4的后述第1晶片輸送單元122之間交接晶片W的功能。
在第6處理單元組G6中，例如圖3所示，用于對晶片W進行疏水處理的附著單元100、101、對晶片W進行加熱處理的加熱處理單元102、103，從下起依次重疊4層。
在第7處理單元組G7中，例如圖3所示，從下起依次重疊3層后烘干單元110～112。
接口部4，例如圖1所示，從處理站3側起依次設置有第1接口部120、第2接口部121。在第1接口部120中，例如第1晶片輸送單元122設置在與第5處理單元組G5對應的位置上。在第1晶片輸送單元122的X方向的兩側配置有例如2個單元組H1、H2。
在例如X方向正方向側的單元組H1中，如圖3所示，例如從下起依次配置有緩沖盒單元130、131、選擇性地僅將晶片W的外周部曝光的周邊曝光單元132。在X方向負方向側的單元組H2中，如圖2所示，例如從下起依次配置有冷卻單元140、141、過渡單元142。
如圖1所示，第1晶片輸送單元1 22例如可在水平方向和上下方向上移動，且可向θ方向旋轉，可訪問第5處理單元組G5、單元組H1以及單元組H2內的各單元。
在第2接口部121中，例如設置有在朝向X方向設置的輸送路徑150上移動的第2晶片輸送單元151。晶片輸送單元151可在Z方向上移動，且能向θ方向旋轉，例如可訪問單元組H2內的各單元、和與第2接口部121相鄰的圖未示的曝光裝置。因此，處理站3內的晶片W可借助第1以及第2晶片輸送單元121、151而在處理站3與曝光裝置之間輸送。
在本實施方式中，由晶片輸送單元7、第1輸送單元30、第2輸送單元31、第1晶片輸送單元122以及第2晶片輸送單元151構成基板輸送機構。
涂敷顯影處理裝置1中進行的晶片處理或晶片輸送的控制，例如由圖1所示的作為基板回收控制部的控制部160進行。在控制部160中，例如對每批晶片W，設定有針對涂敷顯影處理裝置1內的單元的既定輸送路線?？刂撇?60控制涂敷顯影處理裝置1內的輸送單元7、30、31、122、151等的動作，沿著設定的輸送路線輸送晶片W，對晶片W實施既定處理。
又，在控制部160中設定有晶片回收功能，即，在涂敷顯影處理裝置1中產(chǎn)生問題時，例如處理單元發(fā)生故障時，將涂敷顯影處理裝置1內的晶片W回收?？刂撇?60，通過啟動晶片回收功能，而向例如涂敷顯影處理裝置1內的輸送單元7、30、31、122、151等輸出晶片回收命令，控制各輸送單元的動作，可將涂敷顯影處理裝置1內的所有晶片W向盒搬運站2的方向回收。此時，控制部160，可使用各輸送單元，將晶片W輸送到例如接近盒搬運站2的空的單元?？刂撇?60，在空的單元有多個時，可將晶片W輸送到離其位置最近的單元。又，控制部160，對于發(fā)生故障時正在各處理單元中接受處理的晶片W，可使該處理單元中的處理結束后再進行回收。
在此，說明利用以上那樣構成的涂敷顯影處理裝置1進行的晶片處理的一例。例如，當收納多個未處理晶片W的盒C載置在盒搬運站2的載置臺6上時，該盒C內的晶片W沿著預先針對批單位設定的既定輸送路線而被進行輸送處理。圖4表示晶片W的輸送路線的一例。
例如，首先，晶片W被從盒C取出后，利用晶片輸送單元7輸送到第3處理單元組G3的過渡單元70。輸送到過渡單元70的晶片W，被第1輸送單元30輸送到第6處理單元組G6的附著單元100，在晶片W上涂敷例如HMDS，提高晶片W與抗蝕劑液的緊貼性。接著，晶片W被第1輸送單元30輸送到第3處理單元組G3的冷卻單元72，冷卻后，由第1輸送單元30輸送到第1處理單元組G1的抗蝕劑涂敷單元40，實施抗蝕劑涂敷處理。
實施過抗蝕劑涂敷處理的晶片W，被第1輸送單元30輸送到第4處理單元組G4的預烘干單元82而被加熱干燥后，由第2輸送單元31輸送到第5處理單元組G5的冷卻單元90而被冷卻。之后，晶片W由第1接口部121的第1晶片輸送單元122輸送到單元組H1的周邊曝光單元132，進行周邊曝光處理后，收納在緩沖盒單元130中。之后，晶片W由晶片輸送單元122輸送到單元組H2的冷卻單元140，由第2接口部121的第2晶片輸送單元151輸送到圖未示的曝光裝置。在曝光裝置中結束了曝光處理的晶片W由第2晶片輸送單元151輸送到第1接口部120的過渡單元142，之后由第1晶片輸送單元122輸送到第5處理單元組G5的曝光后烘干單元94。在曝光后烘干單元94中加熱后的晶片W由第2輸送單元31輸送到第4處理單元組G4的冷卻單元80中而被冷卻后，輸送到第2處理單元組G2的顯影單元50而被顯影。
顯影處理結束后的晶片W，由第2輸送單元31輸送到第7處理單元組G7的后烘干單元110，實施加熱處理后，輸送到第4處理單元組G4的冷卻單元81而被冷卻。之后，晶片W由第1輸送單元30輸送到第3處理單元組G3的過渡單元71，接著由晶片輸送單元7返回盒搬運站2的盒C內。這樣，結束對晶片W進行的一系列光刻工序。
在涂敷顯影處理裝置1中，盒C內的多張晶片W依次被輸送到處理站3側，順著上述輸送路線，各晶片W被單片式連續(xù)處理。
在上述涂敷顯影處理裝置1中發(fā)生故障時，利用控制部160啟動晶片回收功能。該晶片回收功能的動作，可在感知故障發(fā)生的警報器輸出時自動進行，也可利用操作員的操作進行。當晶片回收功能啟動時，例如如圖5所示，涂敷顯影處理裝置1內的所有晶片W被向盒搬運站2側輸送。此時，例如正在處理站3或接口部4內的處理單元中接受處理的晶片W在該處理結束后被輸送。例如發(fā)生故障時，正在顯影單元50中接受顯影處理而存有顯影液的晶片W繼續(xù)顯影處理，直到靜止顯影結束、顯影液被甩干，在顯影處理結束后被向盒搬運站2輸送。又，發(fā)生故障時，正在冷卻單元72、80、81等中接受冷卻的晶片W，繼續(xù)冷卻處理直到溫度下降到設定溫度，冷卻處理結束后被向盒搬運站2輸送。
在此，說明利用上述晶片回收功能回收的晶片W的回收路徑。
首先，說明發(fā)生故障時處于接口部4的單元組H1或H2內的晶片W的回收路徑。發(fā)生故障時收納在例如單元組H1內的周邊曝光單元132內的晶片W，不利用正常時的輸送路線，而是首先由第1晶片輸送單元122輸送到離盒搬運站2更近的第5處理單元組G5的具有交接功能的處理單元90～99中的某一個中。此時，晶片W被輸送到處理單元90～99中空的單元中。沒有空的處理單元時，則在處理單元90～99的某一個空出時立即輸送到該空出的處理單元。又，空的處理單元有多個時，輸送到例如離周邊曝光單元132最近的單元，例如同一高度上的預定的處理單元。
例如將晶片W從周邊曝光單元132輸送到第5處理單元組G5的某一個處理單元90～99中后，接著，晶片W由第2輸送單元31向離盒搬運站2更近的第4處理單元組G4的具有交接功能的處理單元80～89的某一個輸送。此時也同樣，在沒有空的處理單元時，一旦空出立即輸送到該處理單元，空的處理單元有多個時，輸送到最近的處理單元。
同樣，輸送到第4處理單元組G4內的某一個處理單元80～89中的晶片W，由第1輸送單元30向更接近盒搬運站2的第3處理單元組G3的具有交接功能的過渡單元70、71的某一個輸送。此時也同樣，在兩個過渡單元70、71中都有其他晶片時，一旦其他晶片被輸出而空出，則立即輸送到該過渡單元，兩個過渡單元70、71空出時，輸送到最近的單元。輸送到第3處理單元組G3的過渡單元70、71的某一個中的晶片W由晶片輸送單元7輸送到盒C而進行回收。
發(fā)生故障時存在于處理單元組G3～G5中的晶片W，沿著存在于上述單元組H1、H2中的晶片W的回收路徑回收。又，發(fā)生故障時存在于處理單元組G2或G7內的晶片W，由第2輸送單元31輸送到第4處理單元組G4內的空的處理單元80～89的某一個，之后沿著上述回收路徑回收。另外，發(fā)生故障時存在于處理單元組G1或G6中的晶片W由第1輸送單元30輸送到第3處理單元組G3內的空的過渡單元70、71的某一個，之后沿著上述回收路徑回收。
如上所述，發(fā)生故障時存在于涂敷顯影處理裝置1內的晶片W，由各輸送單元從當時的位置依次輸送到更接近盒搬運站2側的單元，然后朝向盒搬運站2直線輸送。這樣，能利用晶片回收功能回收涂敷顯影處理裝置1內的所有晶片W。
根據(jù)以上的實施方式，涂敷顯影處理裝置1設有晶片回收功能，所以即使發(fā)生故障也可迅速回收涂敷顯影處理裝置1內的所有晶片W。又，正在顯影單元50或冷卻單元72、80、81等處理單元中接受處理的晶片W，在處理結束后被回收，所以各輸送單元不會輸送非預定狀態(tài)的晶片W，可抑制例如輸送單元或其輸送目的地單元被顯影液污染，或受到熱的不良影響。因此，不必隨著晶片W的回收進行輸送單元或處理單元的維護，可迅速再次開始涂敷顯影處理裝置1的處理。其結果，可提高晶片W的生產(chǎn)效率。
在以上實施方式中，殘留在涂敷顯影處理裝置1內的晶片W被向盒搬運站2的方向輸送來加以回收，而不利用正常時的輸送路線，所以可在短時間內回收晶片W。又，各輸送單元，輸送目的地單元一旦空出則立即輸送晶片W，而空的單元有多個時，將晶片W輸送到最近的處理單元，所以可在更短時間內回收晶片W。
在以上實施方式中，即使發(fā)生故障時晶片W處于顯影處理中，也是在顯影單元50中進行到晶片W干燥，結束液體處理后回收晶片W，但對于例如抗蝕劑涂敷單元那樣在其他處理單元中進行晶片W的干燥的液體處理單元，也可將晶片W輸送到該其他處理單元，在該處理單元干燥晶片W后回收晶片W。例如，對于正在抗蝕劑涂敷單元40中接受抗蝕劑涂敷處理的晶片W，也可輸送到預烘干單元82，干燥后再進行回收。
又，在上述實施方式中，是在冷卻單元72等中將晶片W冷卻到既定溫度后回收晶片W，但在其他熱處理單元，例如加熱晶片W的熱處理單元82、94、110等中，也可以加熱到既定的設定溫度后回收。這種情況下，不會輸送非預定溫度的晶片W，可抑制對輸送單元或輸送目的地單元帶來熱的不良影響。又，對于在熱處理單元加熱了的晶片W，也可必須冷卻后再回收。這種情況下，可將對輸送單元或輸送目的地單元的熱的不良影響抑制到最小。若是在冷卻后回收加熱了的晶片W，則在具有加熱功能和冷卻功能兩種功能的熱處理單元中，也可以在同一熱處理單元內進行加熱和冷卻。又，在不具有冷卻功能的熱處理單元中，可將晶片W輸送到冷卻單元，冷卻后回收晶片W。
在以上的實施方式中，在控制部160中設定有發(fā)生故障時用與正常時的輸送路線無關的回收路徑回收晶片W的晶片回收功能，但也可設定簡化(short cut)正常時的輸送路線而回收晶片W的晶片回收功能。這種情況下，利用控制部160的晶片回收功能，沿著正常時的輸送路線輸送晶片，并且跳過該輸送路線上的既定單元。例如在上述輸送路線中，省略向圖5所示處理單元組G1、G2、G6以及G7的單元進行的晶片W輸送，例如，省略向抗蝕劑涂敷單元40、顯影單元50、附著單元100以及后烘干單元110進行的晶片W輸送。因此，例如如圖6所示，發(fā)生故障時的晶片W，例如在過渡單元70之后被輸送到冷卻單元72，在冷卻單元72之后輸送到預烘干單元82，在冷卻單元80之后輸送到冷卻單元81。根據(jù)該例子，是沿著正常時的輸送路線回收晶片W，所以可更簡單地進行與該回收時的晶片輸送有關的控制。又，在涂敷顯影處理裝置1內的所有晶片W回收結束之前，可使其他的晶片進入涂敷顯影處理裝置1內，開始后面的晶片處理。并且，在上述例子中，省略了向處理單元組G1、G2、G6以及G7的單元進行的輸送，而使用直線狀排列的處理單元組G3～G5回收晶片W，所以回收路徑變成直線，可縮短回收時間。
另外，在上述例子中省略晶片W輸送的單元，不限于上述例子。例如，也可省略向下述單元進行的輸送，所述單元是指，在發(fā)生故障的時刻，批次的先頭晶片W在輸送路線上沒有通過的既定區(qū)間的單元。這種情況下，例如，若先頭晶片W在發(fā)生故障的時刻沿著圖4所示的輸送路線到達第5處理單元組G5的冷卻單元90，則可以將正常時輸送路線上的從冷卻單元90到同一第5處理單元組G5的曝光后烘干單元94的單元全部省略。該批晶片W，從冷卻單元90例如沿著圖6所示的回收路徑，經(jīng)冷卻單元80、冷卻單元81、過渡單元71返回盒C。
又，在發(fā)生故障而回收晶片W時，也可選擇下述兩種晶片回收功能中的某一種，即，不利用正常時的輸送路線而是向盒搬運站2直線回收晶片W的晶片回收功能、和沿著正常時的輸送路線簡化而回收晶片W的晶片回收功能。
在以上的實施方式中記載的控制部160中，也可設定下述晶片回收功能，即，發(fā)生故障時，僅不回收導致該故障發(fā)生的處理單元內殘留的晶片W，而回收其他的晶片W，故障消除后可回收該處理單元內的晶片。這種情況下，例如，在抗蝕劑涂敷單元40發(fā)生故障，晶片W收納在該抗蝕劑涂敷單元40內時，若利用控制部160啟動晶片回收功能，則回收抗蝕劑涂敷單元40內的晶片W以外的晶片W。此時，作業(yè)員對抗蝕劑涂敷單元40進行修復作業(yè)。而在抗蝕劑涂敷單元40復原后，再次利用控制部160啟動晶片回收功能時，剩下的抗蝕劑涂敷單元40內的晶片W被回收到盒搬運站2。這種情況下，導致故障發(fā)生的處理單元內的晶片W，也可在故障消除后利用涂敷顯影處理裝置1的晶片回收功能進行回收。又，由于可迅速回收導致故障發(fā)生的處理單元以外的晶片W，所以例如可利用導致該故障發(fā)生的處理單元以外的其他處理單元再次開始晶片處理。
以上說明了本發(fā)明的實施方式的一例，但本發(fā)明不限于該例，可采用各種形式。例如，本實施方式中記載的涂敷顯影處理裝置1內的輸送單元或處理單元等單元的種類、數(shù)量、配置不限于此。又，本發(fā)明不限于涂敷顯影處理裝置1，例如也可用于蝕刻裝置、成膜裝置、清洗裝置等其他基板處理裝置。并且，本發(fā)明除半導體晶片以外，也可用于FPD(平板顯示器)用基板、光掩模用玻璃基板等其他基板的處理裝置。
工業(yè)實用性本發(fā)明用于在基板處理裝置發(fā)生故障時迅速再次開始基板處理。
權利要求
1.一種基板回收方法，在基板處理裝置中，將上述基板處理裝置內的基板回收到輸入輸出部，所述基板處理裝置具有輸入輸出部，用于輸入輸出基板；處理部，具備處理基板的多個處理單元；基板輸送機構，能夠將從上述輸入輸出部輸入的基板依次輸送到上述處理部的處理單元，并能將在上述處理部實施既定處理后的基板返回上述輸入輸出部，該方法的特征在于，在上述基板處理裝置發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將基板處理裝置內的所有基板回收到上述輸入輸出部；對于上述回收的基板中的、正在上述處理單元內接受處理的基板，在該處理單元中的處理結束后再進行回收。
2.如權利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，對于正在上述處理部所具備的液體處理單元中實施液體處理的基板，結束該液體處理后將該基板干燥，再進行回收。
3.如權利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，對于正在上述處理部所具備的熱處理單元中實施加熱處理的基板，結束該加熱處理后將該基板冷卻，再進行回收。
4.如權利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，正常時，由上述基板輸送機構將輸入到上述輸入輸出部的基板沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送；在上述基板處理裝置發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將基板處理裝置內的基板沿著上述既定輸送路線輸送，但省略該既定輸送路線上的既定處理單元。
5.如權利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，正常時，由上述基板輸送機構將輸入到上述輸入輸出部的基板沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送；上述基板處理裝置發(fā)生故障時，不利用上述既定輸送路線，由上述基板輸送機構將基板處理裝置內的基板從上述發(fā)生故障時的各基板位置向上述輸入輸出部的方向輸送。
6.如權利要求5所述的基板回收方法，其特征在于，在上述基板處理裝置發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將上述處理部的處理單元內的基板輸送到更接近上述輸入輸出部的空的處理單元。
7.如權利要求6所述的基板回收方法，其特征在于，上述空的處理單元有多個時，將基板輸送到離該基板最近的空的處理單元。
8.如權利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，在上述基板處理裝置發(fā)生故障時，不回收導致該故障發(fā)生的處理單元內的基板，而回收其他所有的基板；對于導致上述故障發(fā)生的處理單元內的基板，消除故障后使用上述基板輸送機構回收。
9.一種基板處理裝置，在殼體內具有輸入輸出部，用于輸入輸出基板；處理部，具備處理基板的多個處理單元；基板輸送機構，能夠將從上述輸入輸出部輸入的基板依次輸送到上述處理部的處理單元，并能將在上述處理部實施既定處理后的基板返回上述輸入輸出部，該裝置特征在于，具有基板回收控制部，該基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得在上述基板處理裝置發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將殼體內的所有基板回收到上述輸入輸出部，并且，對于上述回收的基板中的、發(fā)生上述故障時正在上述處理單元內接受處理的基板，在該處理單元中的處理結束后再進行回收。
10.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部具有在基板上實施液體處理的液體處理單元；上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得對于發(fā)生故障時正在上述液體處理單元中實施液體處理的基板，在結束該液體處理后進行干燥，再進行回收。
11.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部具有對基板實施加熱處理的熱處理單元；上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得對于發(fā)生故障時正在上述熱處理單元中實施加熱處理的基板，在結束該加熱處理后進行冷卻，再進行回收。
12.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，正常時，上述基板輸送機構沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送基板；上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得在發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將上述殼體內的基板沿著上述既定輸送路線輸送，但省略上述既定輸送路線上的既定處理單元。
13.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，正常時，上述基板輸送機構沿著既定輸送路線相對于上述多個處理單元輸送基板；上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得發(fā)生故障時，不利用上述既定輸送路線，由上述基板輸送機構將上述殼體內的基板從各基板的位置向上述輸入輸出部的方向輸送。
14.如權利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得在發(fā)生故障時，由上述基板輸送機構將上述處理部的處理單元內的基板輸送到比該處理單元更接近上述輸入輸出部的空的處理單元。
15.如權利要求14所述的基板處理裝置，其特征在于，上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得上述空的處理單元有多個時，由上述基板輸送機構將上述基板輸送到離該基板最近的空的處理單元。
16.如權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述基板回收控制部控制上述基板輸送機構，使得發(fā)生故障時不回收導致故障發(fā)生的處理單元內的基板，而回收其他所有的基板，對于導致上述故障發(fā)生的處理單元內的基板，消除故障后借助上述基板輸送機構進行回收。
全文摘要
在基板處理裝置發(fā)生故障時，回收基板處理裝置內殘存的基板以便不對后面的基板處理帶來不良影響，迅速再次開始基板處理。在涂敷顯影處理裝置內發(fā)生故障時，利用裝置內的輸送單元將涂敷顯影處理裝置內的所有基板回收到輸入輸出部。此時，各輸送單元，將基板從故障發(fā)生時的各位置向輸入輸出部的方向輸送來進行回收。并且，對于故障發(fā)生時正在處理單元內接受處理的基板，在該處理結束后回收。
文檔編號H01L21/677GK1981372SQ20058002299
公開日2007年6月13日 申請日期2005年6月23日 優(yōu)先權日2004年7月7日
發(fā)明者東真喜夫, 宮田亮, 原圭孝 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社