專利名稱：半導(dǎo)體制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝置，具體涉及半導(dǎo)體基片的處理。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體基片(半導(dǎo)體晶圓)的第一主面和第二主面之間流過電流的縱型半導(dǎo)體裝置中，為了改善特性(例如降低導(dǎo)通電壓)而進(jìn)行著半導(dǎo)體基片的薄厚化。這樣的半導(dǎo)體基片在一般的片頁處理型半導(dǎo)體制造裝置內(nèi)，搬送到由金屬構(gòu)成的具有大致平坦表面的承載臺后，通過吸附而裝載在承載臺上。
但是，在例如口徑為6英寸且厚度薄至200μm以下的半導(dǎo)體基片中，半導(dǎo)體基片自身的強(qiáng)度降低。另外，半導(dǎo)體基片的背面附著灰塵和Si屑等組成的異物時，半導(dǎo)體基片為了加工或檢查處理而裝載在承載臺上時，該異物夾在半導(dǎo)體基片和承載臺之間。該異物若具有規(guī)定以上的硬度，則以該異物為基點(diǎn)對半導(dǎo)體基片施加大的應(yīng)力，因此有半導(dǎo)體基片破損或變形的情況產(chǎn)生的問題。
為了解決這樣的問題，專利文獻(xiàn)1公開了在半導(dǎo)體基片和承載臺之間介入由彈性體組成的緩沖體的半導(dǎo)體制造裝置的例。另外，專利文獻(xiàn)2～4公開在承載臺的表面形成孔等的半導(dǎo)體制造裝置的例。
專利文獻(xiàn)1特開昭55-43853專利文獻(xiàn)2特開昭62-199030專利文獻(xiàn)3特開B959-135742專利文獻(xiàn)4特開平4-152512專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體制造裝置中，由于在與承載臺之間另外介入緩沖體，因此產(chǎn)生處理中的操作性降低的問題。另外，專利文獻(xiàn)2～4中公開的半導(dǎo)體制造裝置中，從承載臺的表面形成的孔等使半導(dǎo)體基片吸附。因而，在孔等大的場合，以該孔等為基點(diǎn)對半導(dǎo)體基片施加大的應(yīng)力，因此產(chǎn)生半導(dǎo)體基片破損或變形的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于解決上述的問題而提出，目的在于提供可不降低處理中的操作性地防止半導(dǎo)體基片的破損和變形的半導(dǎo)體制造裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置的第1方面，是一種設(shè)有裝載半導(dǎo)體基片(30)的承載臺(100～105)的半導(dǎo)體制造裝置，其中，承載臺(100～105)包含由金屬構(gòu)成的與裝載的半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第1金屬部(10)；由導(dǎo)電彈性體構(gòu)成的與裝載的半導(dǎo)體基片(30)觸碰的導(dǎo)電彈性體部(20)。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置的第1方面，即使半導(dǎo)體基片(30)裝載在承載臺(100～105)上，由半導(dǎo)體基片(30)的背面附著的異物施加到半導(dǎo)體基片(30)的應(yīng)力也能夠降低，使半導(dǎo)體基片(30)保持平坦。從而，可不使處理中的操作性降低地防止半導(dǎo)體基片(30)的破損和變形。
本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置的第2方面，是一種具有裝載半導(dǎo)體基片(30)的承載臺(200～205)的半導(dǎo)體制造裝置，其中，承載臺(200～205)包含由在表面未進(jìn)行形成極多凹坑(51，53)的處理的金屬構(gòu)成的與裝載的半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第1金屬部(10)；以及由在表面進(jìn)行了形成極多凹坑(51，53)的處理的金屬構(gòu)成的與裝載的半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第2金屬部(50)。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置的第2方面，即使將半導(dǎo)體基片(30)放置在承載臺(200～205)，也可降低由半導(dǎo)體基片(30)的背面附著的異物施加到半導(dǎo)體基片(30)的應(yīng)力，使半導(dǎo)體基片(30)保持平坦。從而，可不使處理中的操作性降低地防止半導(dǎo)體基片(30)的破損和變形。通過以下的詳細(xì)說明和添附圖面可更加明白本發(fā)明的目的、特征、形態(tài)及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的承載臺的頂面圖。
圖2是承載臺的截面圖。
圖3是承載臺的截面圖。
圖4是承載臺的截面圖。
圖5是承載臺的頂面圖。
圖6是承載臺的頂面圖。
圖7是承載臺的頂面圖。
圖8是承載臺的頂面圖。
圖9是承載臺的頂面圖。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施例2的承載臺的頂面圖。
圖11是承載臺截面的局部放大圖。
圖12是承載臺截面的局部放大圖。
圖13是承載臺截面的局部放大圖。
圖14是承載臺的頂面圖。
圖15是承載臺的頂面圖。
圖16是承載臺的頂面圖。
圖17是承載臺的頂面圖。
圖18是承載臺的頂面圖。
圖19是承載臺截面的局部放大圖。
圖20是承載臺截面的局部放大圖。
圖21是承載臺截面的局部放大圖。
圖22是承載臺截面的局部放大圖。
圖23是承載臺截面的局部放大圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體制造裝置設(shè)有的承載臺100的頂面圖。另外，圖2是圖1中的A-A’截面圖。
如圖1～2所示，承載臺100由金屬構(gòu)成的平坦金屬部(第1金屬部)10a～10b和導(dǎo)電性硅膠等構(gòu)成的平坦導(dǎo)電彈性體部20組成。金屬部10a～10b及導(dǎo)電彈性體部20與承載臺100上裝載的1片半導(dǎo)體基片密合。再有，承載臺100是真空吸附型的場合，在金屬部10a～10b形成有許多吸附用的孔(圖1～2中省略)?；蛘撸摽滓部稍趯?dǎo)電彈性體部20中形成。
圖3是截面圖，表示緊臨將有灰塵和Si屑等組成的異物40在背面附著的半導(dǎo)體基片(半導(dǎo)體晶圓)30在圖2所示的承載臺100上裝載之前的情形。圖4是截面圖，表示圖3中半導(dǎo)體基片30通過真空吸附裝載在承載臺100上的情形。如圖4所示，異物40被埋入承載臺100的導(dǎo)電彈性體部20。從而，即使在承載臺100通過真空吸附裝載半導(dǎo)體基片30的場合，也可降低由異物40對半導(dǎo)體基片30施加的應(yīng)力，可使半導(dǎo)體基片30保持平坦，因此，可防止半導(dǎo)體基片30的破損和變形。
圖1所示的承載臺100中，金屬部10a～10b的表面積和導(dǎo)電彈性體部20的表面積之比任意，但是承載臺100的表面積中導(dǎo)電彈性體部20的表面積所占比例越高，越可降低半導(dǎo)體基片30的破損率。特別地，導(dǎo)電彈性體部20的表面積占承載臺100的表面積的50％以上時，可顯著降低半導(dǎo)體基片30的破損率。
圖1中表示在承載臺100的中心形成圓形的金屬部10a，在承載臺100的周圍形成環(huán)狀的金屬部10b，在金屬部10a和金屬部10b之間形成導(dǎo)電彈性體部20的情況。通過這樣形成，可確保承載臺100和半導(dǎo)體基片30間的導(dǎo)電性并提高承載臺100的表面積中導(dǎo)電彈性體部20的表面積所占比例，可降低半導(dǎo)體基片30的破損率。
另外，在需要進(jìn)一步提高導(dǎo)電性時和因半導(dǎo)體基片30翹曲而在承載臺100中無法確保導(dǎo)電性時等場合，也可如以下圖5～7所示來提高金屬部10所占的表面積。
圖5表示在圖1所示的承載臺100中，形成從中心呈放射狀向四個方向擴(kuò)展的金屬部10c的承載臺101。
另外，圖6表示在圖1所示的承載臺100中，取代金屬部10a而形成從中心呈放射狀向十二個方向擴(kuò)展的金屬部10d的承載臺102。
另外，圖7表示在圖1所示的承載臺100中，在金屬部10a和金屬部10b之間形成環(huán)狀的金屬部10e的承載臺103。
圖5～7中分別圖示的承載臺101～103與圖1所示承載臺100相比，金屬部10所占表面積的比例高。從而，與承載臺100相比可提高導(dǎo)電性，因此可在半導(dǎo)體基片30翹曲而在承載臺100中無法確保導(dǎo)電性等場合采用。
圖8表示在圖1所示的承載臺100中，在中心取代金屬部10a而形成了比金屬部10a小的圓形的金屬部10f并取代金屬部10b而環(huán)狀形成了8個金屬部10f的承載臺104。
另外，圖9表示十字形地形成了9個金屬部10f的承載臺105。
圖8～9分別圖示的承載臺104～105與圖1所示的承載臺100相比，導(dǎo)電彈性體部20所占表面積的比例高。從而，與承載臺100相比可進(jìn)一步降低破損率。
即，通過任意確定金屬部10及導(dǎo)電彈性體部20的形狀，可調(diào)節(jié)半導(dǎo)體基片30中的導(dǎo)電性及破損率。
這樣，本實(shí)施例的承載臺100～105具有由導(dǎo)電性硅膠等組成的平坦導(dǎo)電彈性體部20，因此，即使在通過真空吸附和靜電吸盤等裝載半導(dǎo)體基片30的場合，也可降低在半導(dǎo)體基片30的背面附著的異物40產(chǎn)生的施加到半導(dǎo)體基片30的應(yīng)力，使半導(dǎo)體基片30保持平坦。從而，可不使加工或檢查處理中的操作性降低地防止半導(dǎo)體基片30的破損和變形。
再有，以上說明了導(dǎo)電彈性體部20由導(dǎo)電性硅膠組成的情況，但是，導(dǎo)電彈性體部20不限于導(dǎo)電性硅膠，只要是具有導(dǎo)電性的彈性體即可。
(實(shí)施例2)實(shí)施例1的承載臺100～105中，通過部分地形成導(dǎo)電性硅膠組成的平坦導(dǎo)電彈性體部20，降低埋沒異物40對半導(dǎo)體基片30施加的應(yīng)力。但是，也可取代導(dǎo)電彈性體部20而形成作了疏面處理的金屬構(gòu)成的金屬部。
圖10是本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體制造裝置具有的承載臺200的頂面圖。另外，圖11是圖10中的B-B’截面的局部放大圖。
圖10表示取代圖1中的導(dǎo)電彈性體部20而形成進(jìn)行了疏面處理的金屬構(gòu)成的金屬部(第2金屬部)50。如圖11所示，在金屬部50的表面形成極多凹部(凹坑)51及凸部52。金屬部10a～10b及凸部52與承載臺200上裝載的1片半導(dǎo)體基片30密合。再有，承載臺200是真空吸附型的場合，在金屬部10a～10b形成許多吸附用的孔，圖10～11中省略。通過將吸附用的孔不在凹部51形成而僅在金屬部10a～10b形成，可防止吸附時在凹部51中以該孔為基點(diǎn)對半導(dǎo)體基片30施加大的應(yīng)力并使半導(dǎo)體基片30破損或變形的情況。
圖12是截面圖，表示即將把其背面附著了異物40的半導(dǎo)體基片30裝載于圖11所示的承載臺200之前的情形。圖13是截面圖，表示將圖12中的半導(dǎo)體基片30通過真空吸附裝載到了承載臺200上的情形。圖12中，異物40在凹部51的上方附著到半導(dǎo)體基片30的背面時，如圖13所示，異物40進(jìn)入承載臺200的凹部51。從而，與實(shí)施例1同樣，即使在承載臺200通過真空吸附裝載半導(dǎo)體基片30時，也可降低由異物40對半導(dǎo)體基片30施加的應(yīng)力，使半導(dǎo)體基片30保持平坦，因此可防止半導(dǎo)體基片30的破損和變形。
另外，圖12中，即使異物40不在凹部51的上方而在凸部52的上方附著到半導(dǎo)體基片30的背面的場合，由于伴隨吸附產(chǎn)生的空氣流將異物40推向凹部51，因此可使異物40進(jìn)入凹部51。
圖10所示的承載臺200中，金屬部10a～10b的表面積和金屬部50的表面積之比任意，但是與實(shí)施例1同樣，承載臺100的表面積中金屬部50的表面積所占比例越高，越可降低半導(dǎo)體基片30的破損率。特別地，金屬部50的表面積占承載臺100的表面積的50％以上時，可顯著降低半導(dǎo)體基片30的破損率。
圖10中，表示在承載臺200的中心形成圓形的金屬部10a，在承載臺200的周圍形成環(huán)狀的金屬部10b，在金屬部10a和金屬部10b之間形成金屬部50的情況。通過這樣形成，與實(shí)施例1同樣，可確保承載臺200和半導(dǎo)體基片30間的導(dǎo)電性并提高承載臺200的表面積中金屬部50的表面積所占比例，可降低半導(dǎo)體基片30的破損率。
另外，與實(shí)施例1同樣，需要進(jìn)一步提高導(dǎo)電性時和半導(dǎo)體基片30翹曲而在承載臺200中無法確保導(dǎo)電性時等，如以下圖14～16所示，也可提高金屬部10所占表面積。
圖14～16表示取代圖5～7中的導(dǎo)電彈性體部20而形成金屬部50。
圖14～16分別圖示的承載臺201～203與圖10所示承載臺200相比，金屬部10所占表面積的比例高。從而，與承載臺200相比可進(jìn)一步提高導(dǎo)電性，因此可在半導(dǎo)體基片30翹曲而在承載臺200中無法確保導(dǎo)電性等場合采用。
圖17～18表示取代圖8～9中的導(dǎo)電彈性體部20而形成金屬部50。
圖17～18分別圖示的承載臺204～205與圖10所示承載臺200相比，金屬部50所占表面積的比例高。從而，與承載臺200相比可進(jìn)一步降低破損率。
即，通過任意確定金屬部10及金屬部50的形狀，可調(diào)節(jié)半導(dǎo)體基片30中的導(dǎo)電性及破損率。
另外，圖11～13中表示了金屬部50的凹部51的截面呈矩形的情況，但是如圖19所示，可取代矩形的凹部51而形成截面為曲線狀的凹部53?；蛉鐖D20所示，也可形成凹部51、53兩者。即，該孔和凸部51、53中，深度、寬度、形狀及位置可任意確定。另外，凹部51、53中的寬度為1～10000μm2、深度為1～100μm時，可更顯著地降低半導(dǎo)體基片30的破損率。
另外，圖11、19～20所示的凹部51、53中，也可如圖21～23所示埋入導(dǎo)電彈性體60。即，圖21～23分別表示在圖11、19～20中的凹部51、53埋入導(dǎo)電彈性體60。通過在凹部51、53埋入導(dǎo)電彈性體60，可降低在半導(dǎo)體基片30的第一主面和第二主面之間或半導(dǎo)體基片30的第一主面上形成的上部電極和承載臺200之間施加高電壓時的異常放電。
這樣，本實(shí)施例的承載臺200～205，取代實(shí)施例1的承載臺100～105中的導(dǎo)電彈性體部20而形成進(jìn)行了疏面處理的金屬構(gòu)成的金屬部50。從而，與實(shí)施例1同樣，可不使加工或檢查處理中的操作性降低地防止半導(dǎo)體基片30的破損和變形。
再有，上述說明了金屬部50由作了疏面處理的金屬構(gòu)成的情況，但是不限于疏面處理，只要是可在金屬部50的表面形成極多凹坑即可。
本發(fā)明雖然進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是上述說明在所有方面中只是例示而并不限定本發(fā)明?？梢韵胍娢蠢镜谋姸嘧冃卫⒉辉诒景l(fā)明范圍之外。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)有裝載半導(dǎo)體基片(30)的承載臺(100～105)的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述承載臺(100～105)具備由金屬構(gòu)成的與裝載的所述半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第1金屬部(10)；由導(dǎo)電彈性體構(gòu)成的與裝載的所述半導(dǎo)體基片(30)觸碰的導(dǎo)電彈性體部(20)。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述第1金屬部(10)包含在所述承載臺(100，103)的中心形成的圓形金屬部(10a)和在所述承載臺(100，103)的周圍形成的環(huán)狀金屬部(10b)。
3.權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述導(dǎo)電彈性體部(20)的表面積占所述承載臺(100～105)的表面積的50％以上。
4.一種設(shè)有裝載半導(dǎo)體基片(30)的承載臺(200～205)的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述承載臺(200～205)具備由在表面未作形成極多凹坑(51，53)的處理的金屬構(gòu)成的與裝載的所述半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第1金屬部(10)；由在表面作了形成極多凹坑(51，53)的處理的金屬構(gòu)成的、與裝載的所述半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第2金屬部(50)。
5.權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，在所述第1金屬部(10)上形成吸附用的多個孔，在所述凹坑(51，53)中未形成所述孔。
6.權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述第1金屬部(10)包含在所述承載臺(200，203)的中心形成的圓形金屬部(10a)和在所述承載臺(200，203)的周圍形成的環(huán)狀金屬部(10b)。
7.權(quán)利要求4至權(quán)利要求6的任一項所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述第2金屬部(50)的表面積占所述承載臺(200～205)的表面積的50％以上。
8.權(quán)利要求4至權(quán)利要求7的任一項所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述凹坑(51，53)的廣度為1～10000μm2，深度為1～100μm。
9.權(quán)利要求4至權(quán)利要求8的任一項所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中，所述承載臺(200～205)還具有埋入所述凹坑(51，53)的導(dǎo)電彈性體(60)。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝置，其目的在于不降低處理中的操作性地防止半導(dǎo)體基片的破損和變形。為了達(dá)成上述目的，半導(dǎo)體制造裝置具有裝載半導(dǎo)體基片(30)的承載臺(100)，承載臺(100)具有由金屬構(gòu)成的與裝載的半導(dǎo)體基片(30)觸碰的第1金屬部(10)；由導(dǎo)電彈性體組成的與裝載的半導(dǎo)體基片(30)觸碰的導(dǎo)電彈性體部(20)。異物(40)埋入導(dǎo)電彈性體部(20)。
文檔編號H01L21/67GK101019221SQ20058002700
公開日2007年8月15日 申請日期2005年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月11日
發(fā)明者德田法史, 岡田裕子 申請人:三菱電機(jī)株式會社