專利名稱：沉積多孔膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種用于在基材上沉積多孔膜之加工方法。更明確地說，本發(fā)明涉及一種用于沉積供制造半導(dǎo)體集成電路用之多孔氧化硅或摻雜氧化硅膜的加工方法。該方法亦有利地用于需要多孔結(jié)構(gòu)之其它應(yīng)用。
2.相關(guān)領(lǐng)域的描述以往，采用介電常數(shù)(k)約4之二氧化硅作為供制造半導(dǎo)體集成電路用之絕緣材料。隨著裝置尺寸縮小，互連RC(電阻一電容)延遲問題需要該絕緣體具有更低介電常數(shù)以給出優(yōu)良的電路性能。半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)以各種技術(shù)交點(diǎn)確認(rèn)此等目標(biāo)，并將之發(fā)表于International Technology Roadmap for Semiconductors。介電常數(shù)低于4通常稱為低k值，而低于2.2通常稱為超低k值。預(yù)計(jì)在90nm裝置這一代以后需要k值低于2.6之低k電介質(zhì)以制造裝置。
介電常數(shù)是外電場(chǎng)在一種材料中感應(yīng)電偶極傾向的尺度。這種所謂的電極化度系由該材料中的電子、離子與失真極化所支配的。極化現(xiàn)象的綜述與各種類型的低介電常數(shù)材料的更詳細(xì)論述可參見K.Maex等人的作品[K.Maex，M.R.Baklanov，D.Shamiryan，F(xiàn).Iacopi，S.H.Brongersma，and Z.S.Yanovitskaya，J.App.Phys.，Vol.93，No.11，p.8793-8841]或S.Wolf之作品[“SiliconProcessing for The VLSI Era，Volume 4Deep-Submicron Process Technology”by S.Wolf，Lattice Press，Sunset Beach，California，2002，p.639-670]。
基本上，為了弱化二氧化硅中之極化，可以改變硅與氧的結(jié)構(gòu)晶格，以極化較少之鍵取代部分或全部硅-氧鍵，及/或?qū)胱杂煽臻g以降低該膜中之材料密度。已在研究的方法包括1)開發(fā)基于二氧化硅的摻雜氧化物、2)開發(fā)基于倍半硅氧烷的無機(jī)-有機(jī)雜化聚合物、3)開發(fā)有機(jī)聚合物，及4)開發(fā)無定形無定形碳膜。
基于二氧化硅的氧化物通常是通過采用或不采用等離子體強(qiáng)化的化學(xué)氣相沉積(CVD)法沉積的。摻雜氟可提供k值約3.6之氟硅酸鹽玻璃(FSG)。碳或其它烷基取代基可以進(jìn)一步降低該介電常數(shù)；有時(shí)可使k值達(dá)到低至2.6至2.8。已有報(bào)告指出完全無定形碳膜或氟碳化合物膜可產(chǎn)生更低k值。不過，無定形碳膜技術(shù)仍然尚未成熟，目前還無法列入制造考慮。
由于基于CVD二氧化硅的氧化物具有類似硅氧化物的結(jié)構(gòu)，因此呼吁以此作為半導(dǎo)體電介質(zhì)。該等膜幾乎不需要對(duì)電路設(shè)計(jì)作修正。半導(dǎo)體制造商亦可應(yīng)用現(xiàn)有工具組及基本設(shè)施繼續(xù)其裝置制造。此等膜中一部分已采用在180nm、150nm、130nm甚至90nm的節(jié)點(diǎn)(node)。不過，含氧碳化物膜在后續(xù)加工中傾向于發(fā)生碳損耗，導(dǎo)致低于所需之最終介電常數(shù)。此外，在二氧化硅中結(jié)合碳會(huì)引入許多處理復(fù)雜度，特別是在蝕刻、化學(xué)機(jī)械拋光與清潔方面。因此，實(shí)施方式令人畏懼且成本高昂。
相反地，由于基于倍半硅氧烷的無機(jī)-有機(jī)雜化聚合物和有機(jī)聚合物具有比二氧化硅更為開放的分子晶格，且分子組份中之極化鍵更少，因此其本身就是低k值電介質(zhì)。這些材料可提供寬范圍的低k值。此等膜通常通過旋涂法施加，盡管某些膜亦可通過CVD法沉積。該旋涂膜必須經(jīng)過固化以驅(qū)除過量溶劑，完全該化學(xué)反應(yīng)，并發(fā)生致密化作用。與二氧化硅相較，此等膜通常在機(jī)械上更軟且熱穩(wěn)定性較低。其亦可能吸收濕氣，因此經(jīng)常需要額外覆蓋層以保護(hù)所述膜。由于所述不同性質(zhì)，在常規(guī)加工中有許多限制，且通常在綜合加工中需要改良以容納所述膜。因此，尚未注意到其受普遍采用。
近年來，工業(yè)上已斷定世界上不存在一種完全致密的旋涂或CVD材料，其具有足夠低之介電常數(shù)并同時(shí)符合對(duì)90nm這一代及以后各代的綜合加工之所有不同需求。由于介電常數(shù)值與主體基質(zhì)密度成比例，因此注意力已轉(zhuǎn)移到探索通過在絕緣體中導(dǎo)入孔率來降低介電常數(shù)的可能性。
已知溶膠-凝膠技術(shù)可提供一種用于在二氧化硅網(wǎng)絡(luò)中導(dǎo)入摻雜物及形成多孔模板的靈活手段。不過，溶膠-凝膠技術(shù)需要小心地膠凝并干燥。其不同加工模式、加工控制與綜合路徑與半導(dǎo)體裝置制造不兼容。此等膜中有許多亦顯示出其機(jī)械性質(zhì)隨著k值降低而變差。
在該電介質(zhì)中導(dǎo)入孔隙容積的更適合途徑系使用犧牲成孔劑(詳見美國(guó)專利6,271,273號(hào)與美國(guó)專利6,451,712號(hào))。將一種熱不穩(wěn)定性材料(稱為成孔劑)與有機(jī)硅酸鹽聚合物加以摻合，并施涂以形成膜，如同常規(guī)的旋涂電介質(zhì)那樣。固化該膜，然后對(duì)其進(jìn)行退火步驟以揮發(fā)該成孔劑，同時(shí)形成該固化膜之骨架多孔框架。此熱解技術(shù)的關(guān)鍵系首先，該成孔劑必須與熱固性基質(zhì)分離，且在退火步驟期間必須分解并且完全去除，不留下任何殘留物。其次，該成孔劑分解必須在低于主體材料的玻璃化溫度下進(jìn)行，不引起該多孔結(jié)構(gòu)崩解。第三，在相分離和成孔劑熱驅(qū)除期間必須小心處理膜應(yīng)力的變化，不造成任何膜龜裂或?qū)与x。以此方法形成的多孔膜通常具有大的孔大小分布，且最小孔在20nm范圍。
已經(jīng)使用CVD技術(shù)探索該成孔劑概念(詳見例如美國(guó)專利6,054,206號(hào)與美國(guó)專利6,171,945號(hào))。將容易熱不穩(wěn)定的有機(jī)基團(tuán)會(huì)沉積在有機(jī)硅酸鹽玻璃中。然后對(duì)該膜加以退火以揮發(fā)該不穩(wěn)定的有機(jī)組份，形成多孔結(jié)構(gòu)。還報(bào)道用電子束處理(詳見例如美國(guó)專利6,737,365號(hào))或紫外光輻照(詳見美國(guó)專利申請(qǐng)案20040096672)來有效去除此等物質(zhì)并額外加強(qiáng)該主體材料的交聯(lián)。一般來說用這種方法可獲得具有與離去的有機(jī)基團(tuán)大小相當(dāng)?shù)目椎募{米多孔膜。據(jù)說該納米多孔基質(zhì)能在后續(xù)處理中可提供良好的機(jī)械與熱穩(wěn)定性。然而，如同其它成孔劑技術(shù)，此種CVD技術(shù)是以揮發(fā)有機(jī)物質(zhì)為基礎(chǔ)的，如果預(yù)期要去除的有機(jī)物質(zhì)未完全去除，則存在除氣殘留物殘存的問題。此外，仍然存在著如前述討論與加工含碳氧化物膜有關(guān)的綜合加工復(fù)雜性的問題。
迄今為止仍需要開發(fā)低k膜。本發(fā)明目的系創(chuàng)造一種用以產(chǎn)生多孔低k介電膜的CVD方法，該方法可以延伸至制造超低k膜。希望該膜與二氧化硅一樣具有化學(xué)、機(jī)械與熱穩(wěn)定性。另外希望與現(xiàn)有技術(shù)相比較，該方法綜合要求不會(huì)過于極端且昂貴。
發(fā)明的概述本發(fā)明總體上涉及形成多孔膜。更明確地說，本發(fā)明涉及在基材上形成多孔二氧化硅或摻雜二氧化硅膜用于形成半導(dǎo)體集成電路。所揭示方法使用循環(huán)方式沉積該膜。在每個(gè)循環(huán)中，首先共沉積二氧化硅與硅或摻雜二氧化硅與硅之薄層。(該共沉積膜一般被視為富含硅之氧化物或富含硅之摻雜氧化物)。然后，使該膜置于化學(xué)試劑(該化學(xué)世界可優(yōu)先從該共沉積物的二氧化硅中去除硅)中，留下多孔結(jié)構(gòu)。交替重復(fù)該處理步驟以構(gòu)成該膜厚度。
各層中孔大小與孔分布是由所結(jié)合的犧牲硅之?dāng)?shù)量以及該硅在該層中的分布情況決定的。每個(gè)后續(xù)沉積步驟在先前產(chǎn)生的多孔層上沉積一層共沉積物，隨后的選擇性硅去除步驟原位形成多孔結(jié)構(gòu)。因此，利用本發(fā)明揭示的循環(huán)方法，通過在每個(gè)循環(huán)中改變加工條件，可在該二氧化硅膜中有利地獲得所需之孔率分布。
本發(fā)明有三個(gè)顯著特性1)共沉積二氧化硅(或概括地說主體基質(zhì)材料)與硅、2)在去除硅步驟過程中，將該共沉積膜置于選擇性硅去除試劑中，及3)在方法上促進(jìn)并優(yōu)化對(duì)該共沉積與選擇性硅去除步驟的控制。
作為本發(fā)明之具體實(shí)施例，該選擇性硅去除試劑較佳選自分子鹵化物或鹵化物質(zhì)，包括氟、氯、溴及其衍生物。該選擇性硅去除試劑亦可為衍生自含有氫氧化鉀或氫氧化四甲銨(TMAH)或乙二胺焦兒茶酚(EDP)(pyrocatecol)或其衍生物之溶液的蒸氣，視需要還可混以與該蒸氣不發(fā)生反應(yīng)的高蒸氣壓的載體氣體(醇)。
在本發(fā)明另一具體實(shí)施例中，促進(jìn)該選擇性去除硅反應(yīng)的較佳試劑選自分子氟、二氟化氙及其組合物。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施方式中，該沉積步驟采用等離子體強(qiáng)化的化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)。該試劑流包括一種共沉積混合物，所述混合物含有至少一種含硅前體和其它本領(lǐng)域已知的用于促進(jìn)二氧化硅與硅或摻雜二氧化硅與硅之PECVD的其它化學(xué)試劑，及至少一種選擇性硅去除試劑。
在所述較佳方法中，使用RF功率調(diào)制以促進(jìn)所述共沉積與選擇性去除硅之循環(huán)方法。當(dāng)該RF功率位于沉積氧化硅與硅的最適水準(zhǔn)時(shí)，進(jìn)行該材料之沉積。當(dāng)RF功率關(guān)閉或降至低數(shù)值時(shí)，不再發(fā)生解離(不論是發(fā)生共沉積的解離還是共沉積該硅去除試劑之解離)。此時(shí)，利用該硅去除試劑的化學(xué)作用，自該共沉積物優(yōu)先去除硅，留下多孔二氧化硅結(jié)構(gòu)。
以此種方法獲得的多孔二氧化硅膜具有均勻分散之小尺寸孔，其與該共沉積物中分散的硅之均勻度與分布相同。該膜中的孔大小與孔率分布是由反應(yīng)器室設(shè)計(jì)、該試劑混合物中組份的流量和沉積條件(諸如溫度、壓力、RF功率、電極間距及與進(jìn)行該循環(huán)方法有關(guān)的參數(shù)(諸如加工循環(huán)頻率與工作循環(huán)))所決定的。
本發(fā)明其它具體實(shí)例揭示于權(quán)利要求書。本發(fā)明總體上亦適于形成多孔摻雜的二氧化硅膜，只要該摻雜物成份不會(huì)與該選擇性硅去除試劑發(fā)生明顯反應(yīng)即可，或者萬一發(fā)生反應(yīng)，剩余的反應(yīng)產(chǎn)物有利于加強(qiáng)該膜性質(zhì)或者是加強(qiáng)該膜性質(zhì)所需的。同樣地，在共沉積過程中將該摻雜物結(jié)合至該二氧化硅中。本發(fā)明總體上還適于形成可與硅共沉積且與該選擇性硅去除試劑呈相對(duì)化學(xué)惰性的任何主體基質(zhì)材料之多孔膜。
本文所述之加工方法提供獲得用于制造半導(dǎo)體集成電路之多孔低k值介電膜的方法。該方法亦有利于制造供其它領(lǐng)域中之應(yīng)用的其它多孔結(jié)構(gòu)，所述領(lǐng)域包括但不局限于半導(dǎo)體、高級(jí)封裝、能量?jī)?chǔ)存與高級(jí)微系統(tǒng)。
附圖簡(jiǎn)述通過本發(fā)明的描述并參考附圖可容易地了解本發(fā)明的教示，其中

圖1系流程圖，說明共沉積二氧化硅-硅，然后選擇性去除該共沉積層中之硅以形成多孔二氧化硅膜的依次交替步驟。每個(gè)循環(huán)之后，加工條件可做改變以改變?cè)撃ぶ锌茁史植肌?br> 圖2A至2I概要說明本發(fā)明循環(huán)共沉積與選擇性去除硅方法形成的范例多孔膜。
圖3A至3I概要說明用本發(fā)明之循環(huán)方法可制得具有不同孔率分布的范例多孔膜。
圖4系概要說明加工循環(huán)頻率、循環(huán)周期、工作循環(huán)，并說明范例RF功率釋放波形的RF功率水準(zhǔn)。
圖5是通用循環(huán)加工流程圖，用于根據(jù)硅與該膜材料共沉積然后選擇性去除硅之交替重復(fù)步驟形成其它多孔膜。該通用方法主張本發(fā)明更廣的范圍。
發(fā)明的詳細(xì)描述本發(fā)明提出一種在基材上形成多孔二氧化硅或摻雜多孔二氧化硅膜的加工方法用于半導(dǎo)體集成電路制造。使用本揭示所述之特性，該方法亦總體上適于形成其它主體基質(zhì)材料之多孔膜。為了簡(jiǎn)明討論起見，本發(fā)明人將說明焦點(diǎn)主要放在多孔二氧化硅膜上。
根據(jù)本發(fā)明，該方法需要循環(huán)加工流程以形成該膜。在每個(gè)循環(huán)中，先共沉積二氧化硅與硅或摻雜二氧化硅與硅之薄層。(該共沉積膜一般被視為富含硅之氧化物或富含硅之摻雜氧化物)。然后，自該共沉積物選擇性去除硅，以產(chǎn)生多孔氧化硅結(jié)構(gòu)。交替重復(fù)該加工步驟以構(gòu)成該膜厚度。本說明中，將更詳細(xì)描述本發(fā)明條件與實(shí)施方式。
為了明暸起見，本文中膜中的“硅”是指在共沉積過程中混入所述膜中與二氧化硅松散鍵合的硅，諸如填隙的硅或與氫或羥基鍵合的硅，或共價(jià)鍵合于硅的硅，或元素硅共沉積。本文中膜中的“二氧化硅”是指含有完全或部分與氧鍵合之硅的任何經(jīng)氧化之硅。此外，除非另有說明，否則術(shù)語(yǔ)“二氧化硅”可以互換使用，用以指經(jīng)氧化之硅，它可以是未摻雜的或摻雜有其它成份。富含硅之氧化物被視為氧化硅與硅之共沉積物。術(shù)語(yǔ)“主體基質(zhì)”是指多孔結(jié)構(gòu)的固體物質(zhì)，且術(shù)語(yǔ)“主體基質(zhì)材料”是指由該多孔結(jié)構(gòu)所制成的材料。
圖1顯示該循環(huán)方法的簡(jiǎn)化流程圖，圖2A至2I是該經(jīng)加工膜在膜形成不同階段的剖面圖。此等橫剖面圖系經(jīng)簡(jiǎn)化僅用于說明的目的，不應(yīng)視為該共沉積膜組份的實(shí)際排列。
本發(fā)明方法是從步驟102由位于反應(yīng)室中的基材開始的。圖2A中，該起始基材圖標(biāo)為硅晶圓202，并且已對(duì)其進(jìn)行預(yù)處理。預(yù)處理所得之結(jié)果系由在硅晶圓上之組合結(jié)構(gòu)204概要圖標(biāo)。204的表面是半導(dǎo)體裝置制造過程中經(jīng)處理的晶圓進(jìn)入低k值電介質(zhì)沉積段的典型的起始表面。表面204還具有其它用途，包括硅晶圓的裸表面。
在步驟204中，設(shè)定起始加工參數(shù)以共沉積二氧化硅與硅之薄層。在步驟106中，進(jìn)行沉積且產(chǎn)生共沉積膜220，其包括分散在二氧化硅208中的硅206。此系概要圖示于圖2B。
在下一個(gè)步驟108中，自共沉積物220選擇性去除硅206。圖2C顯示該僅剩下二氧化硅208之開口氧化硅基質(zhì)230的橫剖面。
通常需要一個(gè)以上的循環(huán)以形成所需膜厚度，因此在下一循環(huán)中交替重復(fù)步驟106與108。通過下一循環(huán)中之步驟106，在先前產(chǎn)生之開口氧化硅基質(zhì)層230上面形成相同之共沉積層220，封閉該開口部分以形成孔215，如圖2D所示。圖2E顯示在后續(xù)選擇性去除步驟108之后，共沉積物220中的氧化硅206被去除。該重復(fù)沉積與選擇性去除步驟形成較厚之多孔二氧化硅膜。圖1中之步驟110判定是否已達(dá)到所需之膜厚度。若未達(dá)到所需膜厚度，則重復(fù)相同之依次共沉積與選擇性去除硅步驟，以構(gòu)成該多孔膜的厚度。圖2A至2I顯示完成四個(gè)循環(huán)的結(jié)果。視需要可重復(fù)更多次循環(huán)。該加工在步驟120結(jié)束。
每層中的孔大小與孔分布是由硅在共沉積物中的分布與所結(jié)合之犧牲硅數(shù)量決定的。就此特征來看，該循環(huán)方法亦可機(jī)動(dòng)地用于制得具有不同孔率分布的多孔膜。圖3A至3I概要說明可在相同之起始表面204上制得的不同孔率膜。層238示意性地顯示包含比層220更少的硅，在去除硅步驟108之后，層238會(huì)形成孔少于層230的多孔層240。須注意的是，圖3a至3I表示的孔率分布僅出于說明的目的，并不限制本發(fā)明可制得之各種孔率分布。
如圖1中之流程圖所示，每個(gè)循環(huán)之后，可在步驟114時(shí)重新選擇加工條件，以沉積不同的氧化硅與硅共沉積膜。不同的硅加入量會(huì)改變沉積層之孔率。圖3B與3I顯示若有需要，沿該多孔膜的厚度方向可以形成致密氧化硅膜。在此情況下，在共沉積步驟中不需要摻入硅。
由于該多孔膜完全是在原位形成的，因此作為本發(fā)明另一具體實(shí)施例，視需要可在該循環(huán)加工之前或之后插入任何其它制造加工步驟。如圖3I所示之層250，相似的致密襯層、覆蓋層、蝕刻中止層或任何其它加工理層可與該多孔膜共同沉積，而毋須打破真空。這對(duì)于例如形成雙重波紋結(jié)構(gòu)方法的處理整體性而言特別有利。
就本發(fā)明而言，沉積后無成孔劑待揮發(fā)。多孔二氧化硅基質(zhì)在化學(xué)上與致密的二氧化硅相似。該精密分布的孔提供良好結(jié)構(gòu)完整性與熱穩(wěn)定性。以此方法可以獲得廣范圍的低k值電介質(zhì)。
本發(fā)明本質(zhì)系1)共沉積二氧化硅(即主體基質(zhì)材料)與硅、2)在選擇性去除硅步驟過程中將該共沉積膜置于選擇性硅去除試劑中，及3)促進(jìn)循環(huán)加工以調(diào)整該共沉積與該選擇性去除硅步驟。
使用硅作為犧牲材料形成該多孔膜是本發(fā)明的關(guān)鍵。與硅共沉積提供了二氧化硅模板，使多孔結(jié)構(gòu)可由該模板形成。該選擇性硅去除試劑使得該結(jié)構(gòu)得以形成。存硅產(chǎn)業(yè)中已詳知有某些化學(xué)試劑可容易地與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但不會(huì)與其它材料反應(yīng)。因此，我們可以利用這些不同的化學(xué)活性性質(zhì)以促進(jìn)選擇性去除硅步驟。
就本發(fā)明而言，該選擇性硅去除試劑較好選自分子鹵化或鹵化的物質(zhì)，包括氟、氯、溴及其衍生物。該選擇性硅去除試劑亦可選自由包含氫氧化鉀、氫氧化四甲銨(TMAH)、乙二胺焦兒茶酚(EDP)，或其類似物或其衍生物溶液所衍生之蒸氣，視需要所述蒸氣還可混以不會(huì)與該蒸氣起反應(yīng)的高蒸氣壓載體氣體(例如醇)。
就本發(fā)明而言，較佳之選擇性硅去除試劑系選自分子氟(F2)、二氟化氙(XeF2)與其組合物。
本發(fā)明另一重要方面系促進(jìn)該循環(huán)加工以調(diào)整該共沉積與選擇性去除硅步驟。視該膜所需性質(zhì)，有許多方法可實(shí)施本發(fā)明。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可知在不違背本發(fā)明精神的情況下有其它沉積方法及數(shù)種進(jìn)行該循環(huán)的加工形式。
本發(fā)明較佳具體實(shí)施例中，該共沉積是使用等離子體強(qiáng)化的化學(xué)氣相沉積技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。使用具備13.56MHz之對(duì)稱平行板構(gòu)造的射頻(RF)源之PECVD反應(yīng)器以在加工室中產(chǎn)生沉積用之等離子體。該試劑流包括共沉積試劑混合物與一或多種選擇性硅去除試劑。使用間歇RF功率以調(diào)制該共沉積與該選擇性去除硅步驟。在這兩個(gè)步驟過程中向加工室供應(yīng)相同試劑流。
圖4說明RF功率調(diào)制控制中之重要特性。為了簡(jiǎn)化說明，該圖中以矩形脈沖列表示該RF功率波形。實(shí)際上，亦可使用其它波形。該波形可由循環(huán)頻率、循環(huán)周期及工作循環(huán)(duty cycle)表征。所述循環(huán)周期是完成一個(gè)處理循環(huán)中所有處理步驟所需的持續(xù)時(shí)間。所述循環(huán)頻率是循環(huán)周期的倒數(shù)，而工作循環(huán)是循環(huán)周期內(nèi)發(fā)生共沉積之時(shí)間的比例。
圖4中，本發(fā)明人顯示該處理循環(huán)系由共沉積與選擇性去除硅步驟所組成。在共沉積過程中，該RF功率系以Pd運(yùn)行。在此功率水準(zhǔn)下，該RF功率高得足以解離用于共沉積二氧化硅與硅二者的前體。該循環(huán)其余時(shí)間，關(guān)閉RF功率或設(shè)定在低水準(zhǔn)從而中止沉積。不僅使該功率水準(zhǔn)低到使二氧化硅與硅沉積用的前體不會(huì)解離，還必須使功率低于會(huì)解離所述選擇性硅去除試劑的功率水準(zhǔn)Pf。圖4任意說明該選擇性硅去除步驟期間功率水準(zhǔn)設(shè)為零的波形。
為了促進(jìn)同時(shí)PECVD形成二氧化硅與硅，該共沉積試劑混合物必須包括至少一種含硅前體與一種含氧前體。由于熟悉PECVD技術(shù)之人士了解有許多合適的化學(xué)物質(zhì)組合，因此在此不再詳細(xì)描述前體的選擇。不過，本發(fā)明人給出用于本發(fā)明較佳方法中之下列共沉積混合物。該較佳共沉積混合物包括硅烷(SiH4)、一氧化二氮(N2O)，具有或不具原硅酸四乙酯(TEOS)、具有或不具氫(H2)及氬(Ar)或其它惰性氣體。
如常規(guī)的富含硅之PECVD氧化硅那樣，該二氧化硅-硅共沉積物將包含二氧化硅與某些間隙硅原子，硅共價(jià)彼此鍵合，并且硅與氫或羥基等弱鍵合。當(dāng)將該共沉積物置于選擇性硅去除試劑中時(shí)，該試劑會(huì)化學(xué)性蝕刻該硅，同時(shí)氧化硅實(shí)質(zhì)上保持完整。該化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行速率由加工溫度與該處理室中所述選擇性硅去除試劑濃度而定。
在本發(fā)明人較佳實(shí)施方式中，在共沉積和選擇性硅去除步驟過程中向該處理室連續(xù)進(jìn)料相同試劑混合物。因此，該共沉積反應(yīng)是在該選擇性硅去除試劑的存在下發(fā)生的。通過開啟RF功率，在該等離子體反應(yīng)中該選擇性硅去除試劑會(huì)解離并沉淀。其甚至?xí)饺朐撃ぶ?。例如，若使用氟作為選擇性硅去除試劑，在共沉積過程中亦會(huì)形成某些氟化的氧化物。(該氟化的氧化物有利于進(jìn)一步降低該二氧化硅的介電常數(shù))。此外，視該共沉積加工條件，這些基團(tuán)會(huì)蝕刻掉某些已沉積之硅與氧化物。由所有此等反應(yīng)來看，雖然在進(jìn)料流中必須存在合理濃度之選擇性硅去除試劑以促進(jìn)用合理速率選擇性去除硅，但重要的是使該濃度保持在低于共沉積條件下的濃度從而凈結(jié)果是在共沉積步驟過程中發(fā)生沉積。
除了該沉積與選擇性去除硅加工條件之外，該循環(huán)頻率與該工作循環(huán)亦在形成該多孔膜中扮演重要角色。該選擇性硅去除步驟的持續(xù)期間通常設(shè)定在長(zhǎng)得足以去除在同一循環(huán)中所沉積之部分或所有硅。若在一個(gè)循環(huán)中沉積太厚的共沉積層，則選擇性硅去除試劑必須通過厚的共沉積物以去除硅。此方法無效率，有時(shí)其甚至無法使小分子(例如氟)遠(yuǎn)程擴(kuò)散進(jìn)入所述材料進(jìn)行反應(yīng)。另一方面，沉積薄層也不一定是適當(dāng)?shù)?，尤其是需要結(jié)合大量硅以構(gòu)成高孔率膜時(shí)。太薄的層在去除硅之后會(huì)形成稀少的氧化硅基質(zhì)。下一循環(huán)中之共沉積物會(huì)填滿該等間隙。因此，該加工循環(huán)頻率與該工作循環(huán)必須根據(jù)所述共沉積和選擇性去除硅的速率設(shè)定，使得可獲得該膜所需之孔大小與孔率分布。
作為另一具體實(shí)施例，本發(fā)明循環(huán)方法可用以制造具有納米孔徑的多孔二氧化硅或摻雜二氧化硅膜。其容量說明于下列實(shí)施例中。若以400/min之表觀速率共沉積硅并以1000/min之表觀速率共沉積二氧化硅，且若該加工循環(huán)頻率系3Hz、工作循環(huán)為50％(即，共沉積過程為0.167秒)，則每個(gè)循環(huán)內(nèi)僅形成數(shù)埃的共沉積物。所述表觀沉積速率可由既定時(shí)間間隔內(nèi)沉積在該膜中之二氧化硅與硅相對(duì)數(shù)量計(jì)算求得。例如，可由SIMS(次級(jí)離子質(zhì)譜)分析與FTIR(傅利葉轉(zhuǎn)換紅外線)吸收光譜測(cè)得該沉積物中之硅與氧的相對(duì)量估算該共沉積層的氧化硅與硅相對(duì)量。在此種條件下，該分散硅的大小與該共沉積物層的厚度具有相同的數(shù)量級(jí)。當(dāng)該硅原子被選擇性去除時(shí)，將會(huì)發(fā)生相同大小的分散開口。在下一循環(huán)中形成的共沉積物會(huì)覆蓋此等開口，并封閉下方空間。該方法可制造具有有利納米大小孔的膜。因此，以該方法可制得孔大小自0.3nm至50nm且孔率自0.5％至90％的多孔膜。
總結(jié)上述進(jìn)行該P(yáng)ECVD加工的條件，本發(fā)明人給出下列具體實(shí)施例。該較佳試劑流包括硅烷、一氧化二氮，具有或不具原硅酸四乙酯(TEOS)，及具有或不具氫或氬或其它惰性氣體。該硅烷對(duì)一氧化二氮流量比介于0.005與100間。該進(jìn)料流亦包含0.1至50％分子氟或二氟化氙或其組合物。在沉積過程中，該P(yáng)ECVD室壓力保持在介于0.01乇與15乇之間，電極間距介于0.1英時(shí)與3英時(shí)間，該基材溫度介于25℃與500℃間，且該RF功率密度介于0.01W/cm2與5W/cm2。該選擇性去除硅步驟是在與共沉積步驟相同之壓力與溫度下進(jìn)行的。施加13.56MHz RF功率，加工循環(huán)頻率為0.0005Hz至500Hz，共沉積工作循環(huán)為1％至99％。為求清楚起見，本文將對(duì)稱平行板反應(yīng)器的RF功率密度界定為RF功率除以二倍的陰極或陽(yáng)極面積。
更佳情況系，該P(yáng)ECVD方法采用硅烷對(duì)一氧化二氮流量比自0.01至30之進(jìn)料流。該進(jìn)料流亦包含1％至30％分子氟、二氟化氙或其組合物。在沉積過程中，該加工室的壓力保持在0.1乇與10乇之間，電極間距介于0.3英時(shí)與1.5英時(shí)之間，基材溫度保持在300℃與400℃之間，而RF功率密度介于0.2W/cm2與1.0W/cm2。施加13.56MHz RF功率，加工循環(huán)頻率為0.1Hz至10Hz，共沉積工作循環(huán)自5％至70％。
不待言，本發(fā)明此較佳實(shí)施方式可容易地在裝有RF功率調(diào)制控制的PECVD系統(tǒng)上進(jìn)行。若該P(yáng)ECVD系統(tǒng)上沒有所述RF功率調(diào)制控制，可在循環(huán)加工過程中使用一組加工步驟以仿真循環(huán)RF功率切換?；蛘撸梢孕薷脑揜F功率輸送硬件使之具有計(jì)時(shí)電路，或修改該系統(tǒng)以提供一機(jī)構(gòu)，從而釋放供沉積用之RF功率可以間歇地關(guān)閉或降至前述之低水準(zhǔn)。另一選擇是，可將硅去除試劑與共沉積試劑混合物作為單一的試劑加料流一同導(dǎo)入用于共沉積與硅去除步驟。
另一種在常規(guī)PECVD反應(yīng)器上實(shí)施本發(fā)明的方式是以兩個(gè)獨(dú)立處理程序分別進(jìn)行該共沉積與選擇性硅去除步驟。此二加工步驟可在同一加工室中交替進(jìn)行，以仿真循環(huán)處理。雖然如同常規(guī)PECVD方法進(jìn)行該共沉積，但是在選擇性硅去除步驟過程中不施加RF功率。該共沉積試劑與該選擇性硅去除試劑可于其各自加工期間分別加入。
或者，在設(shè)計(jì)具有多個(gè)依次加工段的加工室中(詳見例如美國(guó)專利6,007,675號(hào))，實(shí)施本發(fā)明的另一種方式系在該共沉積步驟之后將該基材移到同一反應(yīng)器的一個(gè)單獨(dú)的加工段。僅對(duì)于進(jìn)行共沉積的加工段施加RF功率。此情節(jié)中，在同一反應(yīng)器中，以相同進(jìn)料流但在不同加工段上同時(shí)一并處理至少兩片晶圓(一片進(jìn)行共沉積，一片進(jìn)行選擇性去除硅)。
另一實(shí)施本發(fā)明的方法是在一組設(shè)備(a cluster tool)的分立反應(yīng)室中進(jìn)行該共沉積與選擇性硅去除步驟。將基材在兩個(gè)反應(yīng)室之間移送使之依次進(jìn)行共沉積與選擇性去除硅加工。
對(duì)于分立的反應(yīng)室加工，可使用任何能形成共沉積物的沉積方法進(jìn)行本發(fā)明的循環(huán)處理。某些方法可能是物理氣相沉積、熱化學(xué)氣相沉積、旋涂與其它方法。事實(shí)上，只要能形成二氧化硅-硅共沉積物并且能將該共沉積物置于含有選擇性硅去除試劑環(huán)境下以去除該硅，所述實(shí)施方式可擴(kuò)展到任何實(shí)施方式。視需要可以重復(fù)相同處理順序以形成該多孔膜的厚度。
在所有前述實(shí)施方式中，重要的是必須注意在加工循環(huán)頻率與工作循環(huán)方面它們不完全是相同的。因此，各種實(shí)施方式的適用性取決于具體的加工化學(xué)與需要選擇之加工條件。本發(fā)明人相信在PECVD構(gòu)造中使用RF振幅調(diào)制可以提供最靈活的手段，穩(wěn)定地控制該共沉積與選擇性去除硅的環(huán)境，以有效率進(jìn)行本發(fā)明。
最后，本文的說明并未區(qū)分用于形成多孔二氧化硅膜或形成多孔摻雜的二氧化硅膜的方法，實(shí)施多孔摻雜二氧化硅膜有例如多孔摻雜氟之二氧化硅(FSG)、多孔摻雜碳之二氧化硅、多孔摻雜磷之二氧化硅(PSG)、多孔氫硅倍半氧烷(HSQ)、多孔甲基硅倍半氧烷(MSQ)、多孔摻雜硼之二氧化硅(BSQ)、多孔摻雜硼-磷之二氧化硅(BPSQ)等等。事實(shí)上，本文并未區(qū)分用于形成其它多孔膜之方法，該等其它多孔膜有例如多孔氮化硅、多孔氧氮化硅、多孔碳化硅、多孔氮化硼、多孔氧氮化硼、多孔氧化鋁、多孔氮化鋁、多孔氧氮化鋁等等。重復(fù)地說，本發(fā)明顯著之處系與硅共沉積及選擇性去除犧牲硅。因此，本發(fā)明范圍不僅涵括形成多孔二氧化硅膜，亦涵括對(duì)于該選擇性硅去除試劑呈相對(duì)惰性的主體基質(zhì)材料(無機(jī)或有機(jī)或其組合物)的其它多孔膜。即使某些組成膜材料會(huì)與該選擇性硅去除試劑反應(yīng)，但只要形成多孔膜，此方法即在本發(fā)明范圍內(nèi)。
實(shí)例之一是以本發(fā)明方法通過在二氧化硅-硅膜中共沉積含碳物質(zhì)，可形成多孔摻雜碳之二氧化硅膜。使用諸如氟之選擇性硅去除試劑會(huì)侵蝕該膜中的部分碳，在該去除硅步驟過程中形成氟碳化合物物質(zhì)。根據(jù)該膜組成與該加工條件，該反應(yīng)產(chǎn)物可具有揮發(fā)性且可與該硅之氟化物一同去除，或其可為非揮發(fā)性并在該膜中留下氟碳化合物組份。(須注意該C-F鍵有利于對(duì)該膜提供疏水性質(zhì))。對(duì)于該膜的需求有待決定，但只要依照硅共沉積和選擇性去除硅的基本特性來形成多孔膜，則該方法在本發(fā)明范圍內(nèi)。
其后，在圖5中，本發(fā)明人給出使用本發(fā)明基本概念形成多孔膜的通用流程圖。與圖1所示加工流程相似，但是代替步驟106的是，在步驟506中該共沉積包括所有構(gòu)成膜材料與硅。步驟508中，該選擇性硅去除試劑自該共沉積物去除硅。該膜中的其它成份亦與該選擇性硅去除試劑反應(yīng)，但構(gòu)成所需之主體基質(zhì)材料的成份必須對(duì)該選擇性硅去除試劑呈相對(duì)惰性。用于二氧化硅膜的相同具體實(shí)施例可適用于此等實(shí)例。
總結(jié)地說，可進(jìn)行本發(fā)明以提供用于半導(dǎo)體集成電路制造之具有寬范圍低介電常數(shù)的多孔二氧化硅膜與摻雜的二氧化硅膜。相同的循環(huán)加工方法可以更廣泛擴(kuò)展至提供其它使用硅作為犧牲材料并使用至少一種選擇性硅去除試劑該硅以形成多孔膜的多孔膜。本方法有利于用在許多用途，包括但不局限于半導(dǎo)體、高級(jí)封裝、能量?jī)?chǔ)存與高級(jí)微系統(tǒng)。
雖然上述說明有關(guān)本發(fā)明具體實(shí)施例，但在不違背本發(fā)明基本范圍之下可想出其它與另外的本發(fā)明具體實(shí)施例。例如，使用在仟赫范圍的低RF頻率或是在13.56MHz以外之兆赫頻率范圍所產(chǎn)生的等離子體、使用混合頻率RF功率，或以不同產(chǎn)生等離子體方式(不論是電容耦合或電感耦合或去耦)均應(yīng)視為本發(fā)明中具體實(shí)現(xiàn)之同一PECVD實(shí)施方法的不同改造方式。另外須注意的是該循環(huán)加工的變化，諸如添加任何沉積前與沉積后處理，包括等離子體、電子束、離子束、紫外線、化學(xué)或熱處理步驟以活化曝露之膜表面或改良該膜性質(zhì)，此等均不違背本發(fā)明精神。沉積額外材料以加強(qiáng)該膜性質(zhì)或促進(jìn)硅去除反應(yīng)亦不違背本發(fā)明精神。
權(quán)利要求
1.一種將主體基質(zhì)材料的多孔膜沉積在一基材上的方法，其包括數(shù)個(gè)加工循環(huán)，其中每個(gè)循環(huán)包括一共沉積該主體基質(zhì)材料與硅；一在共沉積之后，將該共沉積物置于包括至少一種選擇性硅去除試劑的反應(yīng)環(huán)境，從而使該共沉積物中的硅通過該選擇性硅去除試劑優(yōu)先化學(xué)去除，在該共沉積物中形成孔；重復(fù)進(jìn)行該共沉積與該選擇性硅去除步驟，構(gòu)成該多孔膜的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該共沉積步驟是以選自旋涂、熱化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積的沉積技術(shù)，以及以在射頻至微波頻譜范圍內(nèi)的電磁能量輔助的沉積技術(shù)進(jìn)行的。
3.一種在真空環(huán)境下在一基材上沉積主體基質(zhì)材料的多孔膜的方法，其包括數(shù)個(gè)加工循環(huán)，其中每個(gè)循環(huán)包括-以化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在有或無等離子體強(qiáng)化協(xié)助之下，共沉積該主體基質(zhì)材料與硅；-在共沉積之后，將該共沉積物置于包括至少一種選擇性硅去除試劑的反應(yīng)環(huán)境中，從而用選擇性硅去除試劑優(yōu)先化學(xué)去除該共沉積物中的硅，在該共沉積物中形成孔；重復(fù)進(jìn)行該共沉積與該選擇性硅去除步驟，構(gòu)成該多孔膜的厚度。
4.一種在真空環(huán)境下基于等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積技術(shù)在一基材上沉積主體基質(zhì)材料之多孔膜的方法，其包括-向一真空環(huán)境提供一基材；-向該真空環(huán)境中導(dǎo)入本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的用于促進(jìn)所述膜主體基質(zhì)材料之PECVD與硅之PECVD的化學(xué)試劑的前體；-還在該反應(yīng)混合物中導(dǎo)入至少一種選擇性硅去除試劑；-對(duì)該氣態(tài)反應(yīng)物施加RF功率調(diào)制，以控制多個(gè)加工循環(huán)之操作，在每個(gè)調(diào)制循環(huán)過程中，先進(jìn)行該主體基質(zhì)材料與硅之PECVD共沉積，然后優(yōu)先化學(xué)去除該共沉積物中之硅，以在該共沉積物中形成孔。
5.如權(quán)利要求4所述的RF功率調(diào)制波形，其特征在于該循環(huán)中一段時(shí)間內(nèi)的RF功率水準(zhǔn)設(shè)定為同時(shí)適于該膜主體基質(zhì)材料之沉積與硅之沉積，而在同一循中以后的時(shí)間段內(nèi)則將該RF功率水準(zhǔn)關(guān)閉或降到低于所述選擇性硅去除試劑沉積或解離所需之水準(zhǔn)。
6.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，其特征在于所述膜主體基質(zhì)材料是無機(jī)或有機(jī)材料，或其組合物。
7.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，其特征在于所述膜主體基質(zhì)材料選自二氧化硅、摻雜碳之二氧化硅、摻雜氟之二氧化硅(FSG)、摻雜硼之二氧化硅(BSG)、摻雜磷之二氧化硅(PSG)、摻雜硼磷之二氧化硅(BPSG)、摻雜鍺之二氧化硅(GSG)、氫硅倍半氧烷(HSQ)、甲基硅倍半氧烷(MSQ)、氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、氮化硼、氧氮化硼，及其組合物。
8.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，其特征在于所述選擇性硅去除試劑選自包括氟、氯、溴與衍生物之分子鹵化物與鹵化物質(zhì)。
9.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，其特征在于所述選擇性硅去除試劑選自分子氟、二氟化氙與其組合物。
10.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，其特征在于該選擇性硅去除試劑是一種溶液的蒸氣，所述溶液含有至少一種選自下列的化學(xué)物質(zhì)氫氧化鉀、氫氧化四甲銨(TMAH)、乙二胺焦兒茶酚(EDP)及其衍生物，還可任選地混以對(duì)該選擇性硅去除試劑呈化學(xué)惰性之高蒸氣壓載體氣體。
11.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于該共沉積與該選擇性硅去除步驟是在同一組裝置的分立加工室中進(jìn)行的。
12.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于所述共沉積與該選擇性硅去除步驟是在同一加工室中進(jìn)行的。
13.如權(quán)利要求3所述的方法，其是在一PECVD系統(tǒng)中使用配方程序進(jìn)行的，包括在該配方程序中之一系列加工步驟，以促進(jìn)該共沉積與該選擇性硅去除步驟之循環(huán)進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求3所述的方法，它是在一多段反應(yīng)器中的獨(dú)立段中進(jìn)行的，其中所述共沉積步驟是通過用RF功率的PECVD在一個(gè)段中進(jìn)行的，而所述選擇性硅去除步驟是在無RF功率的不同段中進(jìn)行的。
15.如權(quán)利要求4所述的方法，其是在裝有RF功率調(diào)制能力之PECVD系統(tǒng)中進(jìn)行的。
16.如權(quán)利要求4所述的方法，其是在一PECVD系統(tǒng)中進(jìn)行的，所述PECVD系統(tǒng)經(jīng)改良以提供可以控制RF功率水準(zhǔn)變化的機(jī)構(gòu)，以促進(jìn)需要RF功率之共沉積步驟與不需要RF功率的選擇性硅去除步驟的循環(huán)運(yùn)行，但是所述不需要RF功率的選擇性硅去除步驟能使RF功率水準(zhǔn)低于選擇性硅去除劑解離所需的RF功率水準(zhǔn)。
17.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于該RF功率是以0.0005Hz至500Hz之加工循環(huán)頻率輸出的，共沉積工作循環(huán)自1％至99％，較佳之加工循環(huán)頻率自0.1Hz至10Hz，共沉積工作循環(huán)自5％至70％。
18.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該P(yáng)ECVD條件包括RF激勵(lì)頻率為100kHZ至100MHz的單頻模式，較佳為13.56MHz。
19.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該P(yáng)ECVD條件包括RF激勵(lì)頻率為100kHZ至100MHz的混頻模式。
20.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該共沉積是以介于0.01與5W/cm2之RF功率密度進(jìn)行的，較佳系介于0.2與1.0W/cm2。
21.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該共沉積是以保持0.1與3英時(shí)之電極間距進(jìn)行的，較佳系介于0.3與1.5英時(shí)。
22.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該共沉積是以保持在介于25℃與500℃間之基材溫度進(jìn)行的，較佳系介于300℃與400℃。
23.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該共沉積是以維持在介于0.01與15乇之加工室壓力下進(jìn)行的，較佳系介于0.1與10乇。
24.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于該選擇性去除硅的步驟是以維持在介于25℃與500℃間之溫度下進(jìn)行的，較佳系介于300℃與400℃。
25.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于該選擇性去除硅的步驟是以維持在介于0.01與700乇的加工室壓力下進(jìn)行的，較佳系介于0.1至10乇。
26.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于該共沉積試劑混合物包括硅烷與一氧化二氮，其流量比介于0.005與100間，較佳系介于0.01與30間，并任選包括可改善共沉積期間之離子撞擊的氣體，該氣體選自氬、氫、氦或其組合物。
27.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于該加工室中之選擇性硅去除試劑濃度介于0.1％與100％。
28.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于該選擇性硅去除步驟之試劑流包括濃度介于0.1％與100％之分子氟。
29.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于該試劑混合物中之選擇性硅去除試劑的濃度介于0.1％與50％。
30.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于該試劑混合物包括濃度介于1％與30％之分子氟。
31.如權(quán)利要求1、3或4所述的用于制造多孔膜的方法，其特征在于不到共沉積與選擇性去除硅循環(huán)使用不同的加工條件，以改變?cè)撃ぶ茁史植肌?br> 32.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，用于制造孔大小自0.3nm至50nm的多孔膜。
33.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，用于制造孔率自0.5％至90％的多孔膜。
34.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，它還包括至少一個(gè)在該方法選定循環(huán)間隔之間進(jìn)行的其它加工步驟，所述加工步驟選自等離子體、電子束、離子束、電磁輻射、化學(xué)或熱輻照。
35.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，它還包括在毋須中斷真空之情況下，于同一沉積室中在沉積該多孔膜之前于該基材上沉積一襯墊層。
36.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，它還包括在毋須中斷真空之情況下，于同一沉積室中在多孔膜上面沉積一覆蓋層。
37.如權(quán)利要求1、3或4所述的方法，它還包括在毋須中斷真空之情況下，于同一沉積室中在該多孔膜上面沉積一低k蝕刻中止層。
全文摘要
本發(fā)明提出一種用于沉積多孔氧化硅與摻雜氧化硅膜之方法。該方法使用循環(huán)方式，其中每個(gè)循環(huán)包括先共沉積氧化硅與硅，然后選擇性去除該硅以形成多孔結(jié)構(gòu)。在較佳具體實(shí)施例中，該共沉積作用系以等離子體強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行。該試劑進(jìn)料流包括共沉積試劑與選擇性硅去除試劑的混合物。使用RF功率調(diào)變控制該共沉積作用及該選擇性硅去除步驟，后者步驟總是在關(guān)閉該RF功率或是將其降至低水準(zhǔn)時(shí)進(jìn)行。以此方法可制得具有高度均勻小孔及所需孔率輪廓之多孔膜。該方法有利于形成廣泛范圍之供半導(dǎo)體集成電路制造用的低k電介質(zhì)。該方法亦有利于形成用于其它應(yīng)用之其它多孔膜。
文檔編號(hào)H01L21/469GK101015046SQ200580028245
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月17日
發(fā)明者麥妍施, 羅金誠(chéng) 申請(qǐng)人:麥妍施, 羅金誠(chéng)