專利名稱：疊層陶瓷電子部件的制造方法及其制造裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及疊層陶瓷電子部件的制造方法及其制造裝置。
背景技術：
移動電話和計算機等信息移動體通信相關的近年的電子設備逐漸朝小型輕量化發(fā)展，在內(nèi)置的無源部件中也同樣要求小型輕量化。在作為無源部件的疊層陶瓷電容器那樣的疊層陶瓷電子部件中也強烈要求小型大容量化。
為了實現(xiàn)疊層陶瓷電容器的大容量化，進行陶瓷層及內(nèi)部電極層的薄層化和多疊層化尤為重要。
圖13A是現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器1001的立體圖。圖13B和圖13C分別是圖13A所示的疊層陶瓷電容器1001的線13B和線13C的剖視圖。隨著薄層化多疊層化，電容器1001的形成有內(nèi)部電極層1012的部分的厚度與未形成內(nèi)部電極層1012的部分的厚度的厚度差1001A增加，因厚度差1001A造成的陶瓷層1013的粘著力降低，存在燒結(jié)陶瓷層1013后產(chǎn)生側(cè)面的破裂或?qū)娱g剝離的情況。由于電容器1001的外形形狀帶有圓角，所以存在安裝時無法吸附的情況。
圖13D是另一現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器1002的立體圖。圖13E和圖13F分別是圖13D所示的疊層陶瓷電容器1002的線13E和線13F的剖視圖。提出解決圖13B所示的厚度差1001A造成的上述問題，形成沒有厚度差1001A的圖13D所示的電容器1002的方法。
圖14A～圖14F是特開平6-96991號公報所公開的表示現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造方法的陶瓷層片的剖視圖。
如圖14A所示，在支承膜1014A上形成以規(guī)定形狀圖案形成的多個內(nèi)部電極層1012，由此制作內(nèi)部電極層片1014C。另外，如圖14B所示，在支承膜1014B上的整個面上形成陶瓷層1013，由此制作多個陶瓷層片。進而，在陶瓷層1013上的至少角部和外周部形成厚度差抑制層1011，由此制作多個復合陶瓷厚度差抑制層片1016。厚度差抑制層1011和陶瓷層1013由同一材料構成。
然后，如圖14C所示，在基座1022上重疊多個陶瓷層1013，通過加熱壓接制作陶瓷基材層1027。接著，以內(nèi)部電極層1012與陶瓷基材層1027相對的方式，在陶瓷基材層1027上疊層內(nèi)部電極層片1014C，加熱壓接后，只剝離支承膜1014A，在陶瓷基材層1027的表面1027A上形成內(nèi)部電極層1012。
然后，如圖14D所示，以厚度差抑制層1011與陶瓷基材層1027相對的方式，在陶瓷基材層1027的表面1027A上疊層復合陶瓷厚度差抑制層片1016并加熱壓接。之后，剝離支承膜1014B，在陶瓷基材層1027的表面1027A上形成復合陶瓷厚度差抑制層片1016。厚度差抑制層1011位于未形成內(nèi)部電極層1012的陶瓷基材層1027的表面1027A上。陶瓷層1013位于內(nèi)部電極1012上和厚度差抑制層1011上。
重復圖14A～圖14D所示的工序，如圖14E所示，疊層多個陶瓷層1013、多個內(nèi)部電極層1012和多個厚度差抑制層1011而制作有效層部1001B。
然后，在有效層部1001B上疊層設于支承膜上的陶瓷層1013，從支承膜側(cè)加熱壓接，只剝離支承膜形成陶瓷層1013。重復規(guī)定次數(shù)陶瓷層1013的加熱壓接和支承膜的剝離，制作陶瓷基材層1028，如圖14F所示，制作疊層體坯塊(green block)1001C。
然后，根據(jù)需要對獲得的疊層體坯塊1001C進行加熱加壓，沿厚度方向1001D切斷，切出各個疊層體。之后，對疊層體進行煅燒，通過燒焊外部電極1019制作疊層陶瓷電容器1002。
在特開2002-313665號公報中公開有對內(nèi)部電極層片1014C進行對位的現(xiàn)有的方法。利用識別相機對內(nèi)部電極層1012進行拍攝并對位，由此制作疊層體坯塊1001C。
在特開2002-343675號公報中公開有對內(nèi)部電極層1012和厚度差抑制層1011進行對位的其它現(xiàn)有的方法。將在陶瓷層1013上印刷的內(nèi)部電極層1012和在陶瓷層1013上印刷的厚度差抑制層1011對合并使其嵌合。
相對于厚度3μm以下、進而2μm以下的內(nèi)部電極層1012，需要將厚度差抑制層1011的厚度減薄到同程度的3μm以下、進而2μm以下。在上述現(xiàn)有的方法中，在厚度差抑制層1011的厚度減薄到3μm以下、進而2μm以下的情況下，無法正確特定厚度差抑制層1011的形成位置，難以在未形成內(nèi)部電極層1012的部分高精度對位厚度差抑制層1011。
圖15是現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的陶瓷層片的剖視圖。如圖15所示，若內(nèi)部電極層1012和厚度差抑制層1011的位置錯開重疊，則重疊的部分1051的厚度大，厚度差抑制層1011和內(nèi)部電極1012均不存在的部分產(chǎn)生間隙1052。在疊層時的加熱壓接中，存在對內(nèi)部電極層1012和厚度差抑制層1011重疊的部分1051施加規(guī)定大小以上的壓力而變形的情況。另外，在疊層時的加熱壓接中，存在如下情況不對產(chǎn)生間隙1052的部分施加規(guī)定壓力，而將陶瓷層1013加熱壓接到疊層體坯塊1001C之后，在剝離支承膜1014時，產(chǎn)生未轉(zhuǎn)印陶瓷層1013的部分。
另外，若內(nèi)部電極層1012和厚度差抑制層1011的位置錯開，則存在陶瓷層1013的相對的內(nèi)部電極層1012之間的部分增厚，無法獲得期望的電氣特性的情況。另外，若為了特定厚度差抑制層1011的位置而耗費時間，則陶瓷電容器1002的生產(chǎn)性降低。
另外，在特開2002-313665號公報中公開的方法中，相對于定位標識，光源和識別相機處于同一方向。在定位標識和形成有該定位標識的陶瓷層的對比度大時，能夠高精度識別定位標識。但是，在定位標識和陶瓷層的對比度小時，無法高精度識別定位標識，從而無法高精度對位內(nèi)部電極層和厚度差抑制層。
因此，提出如下方法通過控制內(nèi)部電極層所包含的金屬粉末的形狀，利用內(nèi)部電極層和陶瓷層的反射光所造成的對比度之差，對內(nèi)部電極層和陶瓷層進行對位。但是，如內(nèi)部電極層和陶瓷層，在選擇不同種類材料時該方法有效，但在由同一材料構成的陶瓷層和厚度差抑制層中，難以明確對比度。例如，若使陶瓷層所含有的陶瓷粉末粒子和厚度差抑制層所含有的陶瓷粉末粒徑不同，則存在煅燒時的燒結(jié)收縮率產(chǎn)生差值，燒結(jié)后產(chǎn)生裂紋或剝落的情況。
另外，在特開2002-343675號公報中公開的方法中，將內(nèi)部電極層和厚度差抑制層在一張內(nèi)部電極層片及厚度差抑制層片整個面上對合并使其嵌合而疊層。但是，將厚度3μm以下進行2μm以下的內(nèi)部電極層和厚度差抑制層與數(shù)cm四方到數(shù)十cm四方面積的一張內(nèi)部電極層片及厚度差抑制層片相互以高精度進行對位則比較難。

發(fā)明內(nèi)容
制作具有在第一支承體的同一表面上設置的內(nèi)部電極層和多個第一定位標識的內(nèi)部電極層片。制作具有在第二支承體的同一表面上設置的由陶瓷構成的厚度差抑制層和多個第二定位圖案的陶瓷層片。根據(jù)多個第一定位標識確定內(nèi)部電極層片的第一基準點。根據(jù)多個第二定位標識確定陶瓷層片的第二基準點。使第一基準點位于規(guī)定位置的同時，使內(nèi)部電極位于由陶瓷構成的基材層上，由此在基材層的表面上疊層內(nèi)部電極層片。使第二基準點位于規(guī)定位置的同時，使厚度差抑制層不與內(nèi)部電極層重疊且在內(nèi)部電極層的周圍位于基材層上，由此在基材層上疊層陶瓷層片。使陶瓷層位于內(nèi)部電極層上和厚度差抑制層上，由此制造疊層陶瓷電子部件。
根據(jù)該方法，能夠減少內(nèi)部電極層和厚度差抑制層的位置偏移造成的疊層陶瓷部件的不良。


圖1是本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的立體圖；圖2A是圖1所示的疊層陶瓷部件的線2A-2A的剖視圖；圖2B是圖1所示的疊層陶瓷部件的線2B-2B的剖視圖；圖3A是用于說明本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖3B是用于說明本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖3C是用于說明本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖3D是用于說明本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖3E是用于說明本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖3F是用于說明本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖4A是實施方式的疊層陶瓷部件的內(nèi)部電極層片的立體圖；圖4B是實施方式的疊層陶瓷部件的陶瓷層片的立體圖；圖5A是實施方式的疊層陶瓷部件的內(nèi)部電極層片的局部立體圖；圖5B是圖5A所示的內(nèi)部電極層片的線5B-5B的剖視圖；圖6A是實施方式的疊層陶瓷部件的陶瓷層片的局部立體圖；圖6B是圖6A所示的陶瓷層片的線6B-6B的剖視圖；圖6C是實施方式的疊層陶瓷部件的另一陶瓷層片的局部立體圖；圖6D是圖6C所示的陶瓷層片的線6D-6D的剖視圖；圖7是實施方式的疊層陶瓷部件的制造裝置的概略圖；圖8是實施方式的疊層陶瓷部件的另一制造裝置的概略圖；圖9是實施方式的疊層陶瓷部件的又一制造裝置的概略圖；圖10A是實施方式的疊層陶瓷部件的內(nèi)部電極層片的俯視圖；圖10B是實施方式的疊層陶瓷部件的陶瓷層片的俯視圖；圖11表示實施方式的疊層陶瓷電容器的樣品的評價結(jié)果；圖12A是實施方式的疊層陶瓷電容器的另一內(nèi)部電極層片的剖視圖；圖12B是實施方式的疊層陶瓷電容器的另一陶瓷層片的剖視圖；圖12C是實施方式的疊層陶瓷電容器的另一陶瓷層片的剖視圖；圖13A是現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的立體圖；圖13B是圖13A所示的疊層陶瓷電容器的線13B-13B的剖視圖；圖13C是圖13A所示的疊層陶瓷電容器的線13C-13C的剖視圖；圖13D是另一現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的立體圖；圖13E是圖13D所示的疊層陶瓷電容器的線13E-13E的剖視圖；圖13F是圖13D所示的疊層陶瓷電容器的線13F-13F的剖視圖；圖14A是用于說明現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；
圖14B是用于說明現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖14C是用于說明現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖14D是用于說明現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖14E是用于說明現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖14F是用于說明現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的制造工序的陶瓷層片的剖視圖；圖15是用于制造現(xiàn)有的疊層陶瓷電容器的陶瓷層片的剖視圖。
圖中11-厚度差抑制層；12-內(nèi)部電極層；13-陶瓷層；14A-支承膜；14B-支承膜；15A1-基準點(第-基準點)；15A11～15A14-定位標識(第一定位標識)；15Ak-基準點(第一基準點)；15Ak1～15Ak4-定位標識(第一定位標識)；15B1-基準點(第二基準點)；15B11～15B14-定位標識(第二定位標識)；15Bk-基準點(第二基準點)；15Bk1～15Bk4-定位標識(第二定位標識)；16-復合陶瓷層；17-光源；18-相機；19-外部電極；20-數(shù)據(jù)處理部；21-片供給部；27-下基材層；28-上基材層；29-片選擇部；701-內(nèi)部電極層片；702-陶瓷層片；5001-識別部；5002-疊層部；5003-加壓部；5004-剝離部。
具體實施例方式
圖1是作為本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件的疊層陶瓷電容器501的立體圖。圖2A和圖2B分別是圖1所示的疊層陶瓷電容器501的線2A和線2B的剖視圖。電容器501具備電容器塊501A和在電容器塊501A的兩端設置的外部電極19。電容器塊501A由多個陶瓷層13和在陶瓷層13之間設置的內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11構成。內(nèi)部電極層12連接于外部電極19。
以下，對疊層陶瓷電容器501的制造方法進行說明。
圖3A～圖3F是對用于制造疊層陶瓷電容器501的疊層體坯塊的制造工序進行說明的剖視圖。
首先，對內(nèi)部電極層12的制作方法進行說明。制作相對于100重量份的Ni等金屬粉末，適量混合了2重量份以上10重量份以下的乙基纖維素等有機粘合劑、和萜品醇等有機溶劑的導電膏。在作為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等透光性有機膜的支承膜14A的表面114A上印刷導電膏并干燥，在表面114A上同時形成厚度2μm的多個內(nèi)部電極層12和定位標識15A11～15A14，由此制作圖3A所示的內(nèi)部電極層片701。即，支承膜14A作為支承內(nèi)部電極層12的支承體而起作用，在該支承體的表面上設有內(nèi)部電極層12。內(nèi)部電極層12采用相鄰內(nèi)部電極層12的間隔D11為500μm而設計的圖案進行印刷。即，在內(nèi)部電極層片701中，內(nèi)部電極12和定位標識15A11～15A14，配置在作為支承它們的支承體的支承膜14A的表面114A上。支承膜14A的表面114A與其支承體的表面相對應。在支承膜14A的表面114A上設有未形成內(nèi)部電極層12的部分1114A。
圖4A是內(nèi)部電極層片701的立體圖。圖5A是內(nèi)部電極層片701的局部立體圖。圖5B是圖5A所示的內(nèi)部電極層片701的線5B-5B的剖視圖。定位標識15A11～15A14形成在內(nèi)部電極層片的四角。定位標識15A11～15A14為直徑1.00mm的圓形，定位標識15A11和15A12的中心間的距離、定位標識15A12和15A14的中心間的距離、定位標識15A13和15A14的中心間的距離、定位標識15A11和15A13的中心間的距離全部為100.00mm，且配置在正方形的四角。定位標識15A11～15A14如圖5A所示從支承膜14A突出，實際上如圖5B所示，根據(jù)導電膏的印刷后的滲析所造成的形狀變化，具有比設計值的直徑1.00mm稍大的1.03mm的直徑D12。
其次，對陶瓷層13的制作方法進行說明。
相對于以鈦酸鋇等電介質(zhì)陶瓷粉末為主成分的100重量份的原料粉末，混合2重量份以上10重量份以下的聚乙烯醇縮丁醛等有機粘合劑、2重量份以上8重量份以下的鄰苯二甲酸酯等可塑劑、適量的醋酸丁酯等有機溶劑，制作陶瓷漿。利用刮刀等的片成形法，在作為透光性有機膜的支承膜14B的表面114B上涂敷陶瓷漿，然后干燥，如圖3B所示，在表面114B上制作具有陶瓷層13的陶瓷層片。陶瓷層13的厚度為3μm。進而，利用同樣的方法，制作具有支承膜、和在該支承膜上設置的厚度50μm的陶瓷層的陶瓷層片。
其次，對厚度差抑制層11的制作方法進行說明。
如圖3B所示，采用將用于制作陶瓷層13的陶瓷漿以陶瓷層13的表面113A上線寬達到500μm的方式設計的圖案，在表面113A上同時印刷厚度差抑制層11和定位標識15B11～15B14。使陶瓷漿干燥，制作復合陶瓷片16，獲得由支承膜14B和支承膜14B的表面114B上的復合陶瓷片16構成的陶瓷層片702。即，在陶瓷層片702中，支承膜14B和陶瓷層13作為支承厚度差抑制層11的支承體而起作用，在該支承體的表面上設有厚度差抑制層11。陶瓷層13的表面113A與該支承體的表面對應。在陶瓷層13的表面113A上設有未形成厚度差抑制層11的部分1113A。在將內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702以表面114A和表面114B朝向相同方向的方式重疊時，厚度差抑制層11位于表面114A的未形成內(nèi)部電極層12的部分1114A上，且內(nèi)部電極層12位于表面113A的未形成厚度差抑制層11的部分1113A上。厚度差抑制層11干燥后具有與內(nèi)部電極層12相同的厚度2μm。
圖4B是陶瓷層片702的立體圖。在陶瓷層13上形成的定位標識15B11～15B14設計為成為以陶瓷層13的表面113A為底且以厚度差抑制層11為側(cè)面的直徑1.00mm的圓形的凹部。即，定位標識15B11～15B14與定位標識15A11～15A14具有同一形狀。定位標識15B11～15B14配置在定位標識15B11和15B12的中心間的距離、定位標識15B12和15B14的中心間的距離、定位標識15B13和15B14的中心間的距離、定位標識15B11和15B13的中心間的距離全部為100.00mm的正方形的四角。即，在將內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702以表面114A和表面114B朝向相同方向的方式重疊時，定位標識15B11～15B14配置為與內(nèi)部電極層片701的定位標識15A11～15A14位于大致相同位置。
圖6A是陶瓷層片702的局部立體圖。圖6B是圖6A所示的陶瓷層片702的線6B-6B的剖視圖。定位標識15B11～15B14使用陶瓷漿與厚度差抑制層11同時形成在陶瓷層13的表面113A上。如圖6A所示，定位標識15B11～15B14以與從內(nèi)部電極層12突出的定位標識15A11～15A14相反的圖案，即采用陶瓷漿而形成，作為以陶瓷層13的表面113A的一部分為底的凹部而形成。定位標識15B11～15B14的外周部15B111～15B141的厚度D13即側(cè)面的高度為厚度差抑制層11的厚度，即2μm。定位標識15B11～15B14為直徑D14的圓，根據(jù)陶瓷漿的印刷后的滲析所造成的形狀變化，實際上是比設計值的直徑1.00mm稍小的直徑0.97mm的圓。
圖6C是疊層陶瓷電容器501的另一陶瓷層片1702的局部立體圖。圖6D是圖6C所示的陶瓷層片1702的線6D-6D的剖視圖。在陶瓷層片1702中，代替圖6A和圖6B所示的定位標識15B11～15B14而具備定位標識115B11～115B14。定位標識115B11～115B14不在它們的周圍印刷陶瓷漿，而具有與內(nèi)部電極層片701的定位標識15A11～15A14大致相同的形狀，且從陶瓷層13突出。
在特開2002-313665號公報所公開的現(xiàn)有的方法中，在定位標識與形成有該定位標識的陶瓷層的對比度大的情況下，能夠高精度識別定位標識。但是，在定位標識與陶瓷層的對比度小的情況下，無法高精度識別定位標識，從而無法高精度對位內(nèi)部電極層和厚度差抑制層。
在實施方式中，可在陶瓷漿中相對于100重量份的陶瓷粉末，以0.1重量份以上3重量份以下的范圍添加作為藍色、深藍色或黑色等著色劑的有機系偶氮染料，形成厚度差抑制層11及定位標識15B11～15B14、115B11～115B14。該陶瓷粉末呈乳白色，在定位標識15B11～15B14、115B11～115B14與厚度差抑制層11均薄的情況下，與陶瓷層13的對比度不明確，定位困難。因此，為了明確定位標識15B11～15B14、115B11～115B14與成為印刷該定位標識的被印刷體的陶瓷層13的對比度，在陶瓷漿中添加藍色、深藍色或黑色等暗色的著色劑。相對于100重量份的陶瓷粉末，著色劑小于0.1重量份的情況下，有時對比度不明確，定位困難。另外，若著色料大于3重量份，則內(nèi)部電極層12所含的金屬粉末的暗色與厚度差抑制層11的色調(diào)變?yōu)橄嗤?。在將由此作成的疊層體坯塊分片切斷時，有時無法明確判斷切斷位置。另外，若著色劑的添加量大于3重量份，則對個片進行脫脂煅燒時，有時著色劑的殘渣會殘留于燒結(jié)后的陶瓷層，而造成氣孔等結(jié)構缺陷。因此，在陶瓷漿中，相對于100重量份的陶瓷粉末，優(yōu)選添加0.1重量份以上3重量份以下的著色劑。
然后，如圖3C所示，在基座22上疊層形成于支承膜上的厚度50μm的陶瓷層，從支承膜側(cè)加壓壓接后，只剝離支承膜。重復該操作規(guī)定次數(shù)，形成由陶瓷構成的下基材層27。然后，以定位標識15A11～15A14配置于規(guī)定位置的方式對圖3A所示的內(nèi)部電極層片701的內(nèi)部電極層12進行定位，并將貼合在下基材層27的表面27A上。之后，從支承膜14A側(cè)對內(nèi)部電極層12進行加熱壓接，只剝離支承膜14A，從而將內(nèi)部電極層12轉(zhuǎn)印并形成在下基材層27的表面27A上。
然后，如圖3D所示，以定位標識15B11～15B14為基準，將圖3B所示的陶瓷層片702的復合陶瓷片16疊層在下基材層27的表面27A上。厚度差抑制層11位于下基材層27的表面27A上未形成內(nèi)部電極層12的部分27B上。即，下基材層27的表面27A上的厚度差抑制層11位于內(nèi)部電極層12的周圍。之后，從支承膜14B側(cè)對復合陶瓷片16進行加熱壓接，只剝離支承膜14B，獲得疊層體5011。由于在未形成內(nèi)部電極層12的部分形成有厚度差抑制層11，所以陶瓷層13的表面113A的相反的表面113B平坦。
然后，使用內(nèi)部電極層片701，與圖3C同樣，在陶瓷層13的表面113B上形成內(nèi)部電極12。而且，使用陶瓷層片702，與圖3D同樣，在內(nèi)部電極12和陶瓷層13的表面113B上形成復合陶瓷片16。于是，交替形成內(nèi)部電極12和復合陶瓷片16，如圖3E所示，在下基材層27的表面27A上制作有效層部501B。
然后，如圖3F所示，在有效層部501B的表面501C上，疊層形成于支承膜上的厚度50μm的陶瓷層。從支承膜層對陶瓷層進行加熱壓接后，只剝離支承膜。重復該操作規(guī)定次數(shù)，形成上基材層28，制作疊層體坯塊501D。
然后，對疊層體坯塊501D進行加熱加壓，按規(guī)定尺寸切斷，分割為個片的疊層體坯塊。
然后對獲得的疊層體坯塊進行脫脂，之后煅燒。之后，在內(nèi)部電極層12露出的端面形成外部電極19，獲得疊層陶瓷電容器501。
如圖3A～圖3F所示，根據(jù)實施方式，內(nèi)部電極層12支承于作為有機膜的支承膜14A上，厚度差抑制層11支承于在作為有機膜的支承膜14B上形成的陶瓷層13上。由此，根據(jù)分別疊層形成于支承膜上的內(nèi)部電極層、陶瓷層、厚度差抑制層的方法，能夠以較少的疊層次數(shù)并以高生產(chǎn)性制造疊層陶瓷電容器501。另外，在陶瓷層13上形成內(nèi)部電極層12的情況下，因內(nèi)部電極層12的形成時對陶瓷層13帶來的損傷，內(nèi)部電極層12具有相互短路的可能性。例如，在使用導電性膏劑通過絲網(wǎng)印刷法等在陶瓷層13上形成內(nèi)部電極層12時，因印刷時的機械的損傷或?qū)щ娦愿鄤┲兴挠袡C溶劑的薄板腐蝕(sheet attack)，有時陶瓷層13膨潤而產(chǎn)生龜裂。該情況下，具有導電性膏劑滲入龜裂中而與其它內(nèi)部電極層12短路的可能性。在陶瓷層13上形成厚度差抑制層11時，該問題不易產(chǎn)生，能夠容易且高成品率地制造疊層陶瓷電容器。
在此，對內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702的疊層及對位進行說明。
圖7是實施方式的疊層陶瓷部件501的制造裝置1的概略圖。圖10A是內(nèi)部電極層片701的俯視圖。在制造裝置1中，夾著定位標識15A11～15A14、15B11～15B14相對配置有光源17和識別相機18。制造裝置包括由多個光源17和多個相機18構成的識別部5001、片供給部21、疊層部5002、加壓部5003、和剝離部5004。
首先，在片供給部21上配置第一片內(nèi)部電極層片701，對吸附用空洞部26進行減壓而固定在片供給部21上。然后，對于定位標識15A11～15A14，使從識別部5001的光源17發(fā)出的光通過設于片供給部21的空洞部24，利用相機18對透過定位標識15A11～15A14的光進行拍攝，獲得定位標識15A11～15A14的圖像。由數(shù)據(jù)處理部20對獲得的圖像進行圖像處理，求出圖10A所示的定位標識15A11～15A14的各個中心點的坐標(XA11、YA11)～(XA14、YA14)。進而，數(shù)據(jù)處理部20根據(jù)這些中心點的坐標求出連結(jié)定位標識15A11和15A14的直線LA11、與連結(jié)定位標識15A12和15A13的直線LA21的交點的坐標((XA1+XA2+XA3+XA4)/4，(YA1+YA2+YA3+YA4)/4)，將基準點15A1確定為該交點。進而，求出基準點15A1處的直線LA11、LA21所成的角度θA1。
然后，在將第一片內(nèi)部電極層片701固定于片供給部21的狀態(tài)下，向疊層部5002的基座22的上方移動。之后，調(diào)整片供給部26的朝向和位置，使得基準點15A1和直線LA11、LA21位于規(guī)定位置，以在固定于基座22上的下基材層27上形成內(nèi)部電極層12的方式配置內(nèi)部電極層片701后，使吸附用空洞部26返回到常壓，將內(nèi)部電極層片701疊層在下基材層27上。
然后，利用加壓部5003的沖頭23從支承膜14A側(cè)對在基座22上的下基材層27上疊層的第一片內(nèi)部電極層片701進行加熱加壓。之后，在剝離部5004處剝離支承膜14A，在下基材層27上形成最下面的內(nèi)部電極層12。
然后，在片供給部21上配置第一片陶瓷層片702，對吸附用空洞部26進行減壓而固定于片供給部21。然后，對于定位標識15B11～15B14，使從識別部5001的光源17發(fā)出的光通過設于片供給部21的識別用空洞部24，利用識別相機18對透過定位標識15B11～15B14的光進行拍攝，獲得定位標識15B11～15B14的圖像。由數(shù)據(jù)處理部20對獲得的圖像進行圖像處理，求出圖10B所示的定位標識15B11～15B14的各個中心點的坐標(XB11、YB11)～(XB14、YB14)。進而，數(shù)據(jù)處理部20根據(jù)這些中心點的坐標求出連結(jié)定位標識15B11和15B14的直線LB11、與連結(jié)定位標識15B12和15B13的直線LB21的交點的坐標((XB1+XB2+XB3+XB4)/4，(YB1+YB2+YB3+YB4)/4)，將基準點15B1確定為該交點。進而，求出基準點15B1處的直線LB11、LB21所成的角度θB1。
然后，在將第一片陶瓷層片702固定于片供給部21的狀態(tài)下，向疊層部5002的基座22的上方移動。之后，調(diào)整片供給部21的朝向和位置，，以在具有內(nèi)部電極層12的下基材層27上形成厚度差抑制層11的方式配置陶瓷層片702后，使吸附用空洞部26返回到常壓，將陶瓷層片702疊層在下基材層27上。
在將陶瓷層片702疊層在下基材層27上時，為了使厚度差抑制層11配置在下基材層27的未設有內(nèi)部電極層12的部分27B上且不配置在內(nèi)部電極層12上，對陶瓷層片702的對位進行說明。第一片內(nèi)部電極層片701如圖10A所示，定位標識15A11～15A14與基準點15A1具有角度θA1。調(diào)整片供給部21的位置，使得內(nèi)部電極層片701的基準點15A1與陶瓷層片的基準點15B1一致、且通過基準點15A1角度θA1/2的直線LA31即角度θA1的二等分線LA31與通過基準點15B1角度θB1/2的直線LB31即角度θB1的二等分線LB31一致。
之后，利用加壓部5003的沖頭23從支承膜14B側(cè)將陶瓷層片702加熱壓接到形成有內(nèi)部電極層12的下基材層27上。之后，在剝離部5004處剝離支承膜14B，在下基材層27的部分27B上形成厚度差抑制層11，在厚度差抑制層11和內(nèi)部電極層12上形成陶瓷層13。
之后，同樣交替使用內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702，如圖2A所示，在相同表面上形成內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11，且交替形成內(nèi)部電極層12和陶瓷層13。即，交替形成厚度差抑制層11和陶瓷層13。
在疊層陶瓷電容器501中，如圖2A所示，疊層多片(N片)內(nèi)部電極層12，交替連接于外部電極19。
與基材層27上配置的第一片內(nèi)部電極層片701的定位標識15A11～15A14、基準點15A1、角度θA1同樣，第二片內(nèi)部電極層片701具有定位標識15A21～15A24、基準點15A2、角度θA2，第k(1≤k≤N)片內(nèi)部電極層片701具有定位標識15Ak1～15Ak4、基準點15Ak、角度θAk。在將第k片內(nèi)部電極層片701疊層在陶瓷層13的表面113B上時，調(diào)整片供給部21，使得第一片內(nèi)部電極層片701的基準點15A1與基準點15Ak一致，且直線LA31與通過基準點15Ak成為角度θAk/2的直線LA3k即角度θAk的二等分線LA3k一致。另外，為了將第奇數(shù)片內(nèi)部電極12連接于外部電極19的一方，將第偶數(shù)片內(nèi)部電極12連接于外部電極19的另一方，沿圖10A的Y方向?qū)?nèi)部電極層片701分層按規(guī)定距離交替錯開疊層在陶瓷層13上。
在多個內(nèi)部電極層12之間設有陶瓷層13。與第一片內(nèi)部電極層12上配置的第一片陶瓷層片702的定位標識15B11～15B14、基準點15B1、角度θB1同樣，第二片陶瓷層片702具有定位標識15B21～15B24、基準點15B2、角度θB2，第k(1≤k≤N)片陶瓷層片702具有定位標識15Bk1～15Bk4、基準點15Bk、角度θBk。在將第k片陶瓷層片702疊層在內(nèi)部電極12和下基材層27的部分27B上時，調(diào)整片供給部21，使得第一片內(nèi)部電極層片701的基準點15A1與基準點15B1一致，且直線LA31與通過基準點15B1成為角度θB1/2的直線LB31即角度θB1的二等分線LB31一致。之后，交替疊層第(N-1)片內(nèi)部電極層片701和第(N-1)片陶瓷層片702。在將第k片陶瓷層片702疊層在內(nèi)部電極12和下基材層27的部分27B上時，調(diào)整片供給部21，使得第一片陶瓷層片702的基準點15B1與基準點15Bk一致，且直線LB31與通過基準點15Bk成為角度θBk/2的直線LB3k即角度θBk的二等分線LB3k一致。
圖8是實施方式的疊層陶瓷部件501的另一制造裝置2的概略圖。制造裝置2在制造裝置1的基礎上還具備片選擇部29。片選擇部29判定由數(shù)據(jù)處理部20求出的定位標識15Ak1～15Ak4、15Bk1～15Bk4的位置是否在規(guī)定范圍之外，除去定位標識的位置在規(guī)定范圍之外的內(nèi)部電極層片701及陶瓷層片702，只選擇定位標識的位置處于規(guī)定范圍內(nèi)的內(nèi)部電極層片701及陶瓷層片702，并送給疊層部5002。片供給部21將具有規(guī)定范圍之外位置的定位標識的內(nèi)部電極層片和陶瓷層片置于片承受部25。
圖9是疊層陶瓷部件501的又一制造裝置3的概略圖。在制造裝置3中，代替圖7所示的制造裝置1的識別部5001具備識別部6001。識別部6001不同于識別部5001，光源17針對片供給部21與相機18位于同一側(cè)。
利用圖7～圖9分別表示的制造裝置1～制造裝置3，制作疊層體坯塊，并制作了疊層體陶瓷電容器的試料1～試料8和比較例。這些疊層陶瓷電容器的試料，具有外形尺寸縱3.2mm、橫1.6mm、高度1.6mm，煅燒后的內(nèi)部電極層12間的電介質(zhì)陶瓷層13的厚度2μm，及煅燒后的內(nèi)部電極層12的厚度1.5μm。另外，這些試料分別由300片內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702而具有300層內(nèi)部電極層12。圖11表示疊層陶瓷電容器的樣品和其評價結(jié)果。
在制造裝置1～3中，數(shù)據(jù)處理部20求出內(nèi)部電極層片701的定位標識15Ak1～15Ak4的中心點的坐標(XAk1、YAk1)～(XAk4、Yak4)，分別算出作為正方形一邊的定位標識15Ak1與15Ak2間的距離、定位標識15Ak2與15Ak4間的距離、定位標識15Ak3與15Ak4間的距離、定位標識15Ak1與15Ak3間的距離。進而，數(shù)據(jù)處理部20算出了成為正方形對角線的定位標識15Ak1與15Ak4間的距離和定位標識15Ak2與15Ak3間的距離。同樣，數(shù)據(jù)處理部20求出陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4的中心點的坐標(XBk1、YBk1)～(XBk1、YBk1)，分別算出作為正方形一邊的定位標識15Bk1與15Bk2間的距離、定位標識15Bk2與15Bk4間的距離、定位標識15Bk3與15Bk4間的距離、定位標識15Bk1與15Bk3間的距離。進而，數(shù)據(jù)處理部20算出了成為正方形對角線的定位標識15Bk1與15Bk4間的距離和定位標識15Bk2與15Bk3間的距離。
在制造裝置1中制作了試料1～5的疊層陶瓷電容器501。在試料1中，陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4如圖6A和圖6B所示，是以設于厚度差抑制層11的陶瓷層13的表面113A的一部分為底的凹部。在試料2中，陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4如圖6C和圖6D所示，具有由厚度差抑制層11的陶瓷漿而形成的從陶瓷層13的表面113A突出的定位標識形狀115B11～115B14的形狀。在試料3中，在試料2的陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4中添加了0.10％的著色劑。在試料4中，在試料2的陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4中添加了1.00％的著色劑。在試料5中，在試料2的陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4中添加了3.00％的著色劑。
在制造裝置2中制作了試料6～8的疊層陶瓷電容器。將成為正方形一邊的定位標識15Ak1與15Ak2間的距離、定位標識15Ak2與15Ak4間的距離、定位標識15Ak3與15Ak4間的距離、定位標識15Ak1與15Ak3間的距離、定位標識15Bk1與15Bk2間的距離、定位標識15Bk2與15Bk4間的距離、定位標識15Bk3與15Bk4間的距離、定位標識15Bk1與15Bk3間的距離以99.95mm以上100.05mm以下即設計尺寸100mm且±0.05％的公差T1作為規(guī)定的范圍，且成為正方形對角線的定位標識15Ak1與15Ak4間的距離、定位標識15Ak2與15Ak3間的距離、定位標識15Bk1與15Bk4間的距離、定位標識15Bk2與15Bk3間的距離以141.35mm以上141.49mm以下即141.42mm的設計尺寸且±0.05％的公差T1作為規(guī)定的范圍。片供給部21將具有位于選擇了片選擇部29的規(guī)定范圍的定位標識的內(nèi)部電極層片701送給疊層部5002，制作了試料6的疊層陶瓷電容器。試料6與試料2同樣，從內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702獲得。然后，將成為正方形一邊的定位標識15Ak1與15Ak2間的距離、定位標識15Ak2與15Ak4間的距離、定位標識15Ak3與15Ak4間的距離、定位標識15Ak1與15Ak3間的距離、定位標識15Bk1與15Bk2間的距離、定位標識15Bk2與15Bk4間的距離、定位標識15Bk3與15Bk4間的距離、定位標識15Bk1與15Bk3間的距離以99.97mm以上100.03mm以下即設計尺寸100mm且±0.03％的公差T1作為規(guī)定的范圍，且成為正方形對角線的定位標識15Ak1與15Ak4間的距離、定位標識15Ak2與15Ak3間的距離、定位標識15Bk1與15Bk4間的距離、定位標識15Bk2與15Bk3間的距離以141.38mm以上141.46mm以下即141.42mm的設計尺寸且±0.03％的公差T1作為規(guī)定的范圍。片供給部29將具有位于其規(guī)定范圍的定位標識的內(nèi)部電極層片701送給疊層部5002，制作了試料7的疊層陶瓷電容器。試料7與試料2同樣，從內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702獲得。另外，試料8在試料7的陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4中添加了1.00％的著色劑。
在制造裝置3中制作了比較例的疊層陶瓷電容器。在比較例中，陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4如圖6A和圖6B所示，是設于厚度差抑制層11的凹部。在比較例中，在陶瓷層片702中未添加著色劑。
圖11將各試料的疊層陶瓷電容器所用的陶瓷層片702的定位標識15Bk1和15Bk4間的距離的平均值M1和標準偏差σ1與評價結(jié)果一并表示。內(nèi)部電極層片701的定位標識15Ak1和15Ak4間的距離的平均值和標準偏差分別為141.43mm和0.007mm。
因內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11的重疊所造成的陶瓷層13的不均勻，有時產(chǎn)生疊層時的加熱壓接的異常的壓力分布，陶瓷層13不被部分地轉(zhuǎn)印而作成不良的疊層體坯塊501D。另外，因內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11的重疊，有時制作具有規(guī)定范圍外的靜電容量的不良的試料。圖11表示作為試料的評價結(jié)果，非不良的良品的疊層體坯塊501D的良品率和具有規(guī)定范圍的靜電容量的良品試料的良品率。
在由制造裝置3制作的比較例中，由于厚度差抑制層11薄到2μm，所以定位標識15Bk1～15Bk4對比度低而無法識別，無法疊層用于形成厚度差抑制層11的陶瓷層片702。
與此相對，在制造裝置1和2中，在識別部5001中從光源17透過定位標識15Bk1～15Bk4的光具有鮮明的對比度，由相機18接收該光，由此能夠識別定位標識15Bk1～15Bk4。由此能夠疊層陶瓷層片702。
在試料2～8中，陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4具有與內(nèi)部電極層片的定位標識15Ak1～15Ak4相同的形狀，即從陶瓷層13突出的形狀。由此，陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4間的距離的平均值與內(nèi)部電極層片701的定位標識15Ak1～15Ak4間的距離的平均值大致相同，定位標識15Bk1～15Bk4間的距離的標準偏差小。因此，定位標識15Ak1～15Ak4、15Bk1～15Bk4能夠高精度識別，其結(jié)果，疊層體坯塊501D的良品率和基于靜電容量的疊層陶瓷電容器501的良品率比試料1大。
在試料3～5、8中，陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4添加藍色、深藍色或黑色等有機系偶氮染料，著色為與陶瓷層13(通常為乳白色)不同的顏色。由此，能夠高精度識別陶瓷層片702的位置，其結(jié)果，疊層體坯塊501D的良品率和基于靜電容量的疊層陶瓷電容器501的良品率在試料3～5中比試料2大，試料8比試料6和試料7大。
另外，在制造裝置2中，通過只選擇定位標識15Ak1～15Ak4、15Bk1～15Bk4間的距離處于作為規(guī)格值的規(guī)定范圍的內(nèi)部電極層片701及陶瓷層片702，制作疊層體坯塊501D，能夠高精度識別內(nèi)部電極層片701和陶瓷層片702的位置，從而能夠更容易地對它們進行對位。其結(jié)果，疊層體坯塊501D的良品率和基于靜電容量的疊層陶瓷電容器501的良品率在試料6～8中比試料1～5大。在實施方式中，只選擇了定位標識間的距離處于規(guī)定范圍的內(nèi)部電極層片701及陶瓷層片702，但通過只選擇角度θAk、θBk處于作為規(guī)格值的規(guī)定范圍的內(nèi)部電極層片701及陶瓷層片702，制作疊層體坯塊501D，也具有同樣的效果。
通過本實施方式的上述方法利用制造裝置1或2制造的疊層陶瓷電容器501，即使隨著內(nèi)部電極層12的薄層化而厚度差抑制層11薄層化，也能夠容易且高精度定位并疊層厚度差抑制層11，能夠抑制內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11的重疊引起的不良、即陶瓷層13未部分地轉(zhuǎn)印的不良和具有規(guī)定范圍外的靜電容量的不良的產(chǎn)生。
根據(jù)本實施方式，定位標識15Bk1～15Bk4使用陶瓷漿與厚度差抑制層11同時形成在陶瓷層13上，利用具有厚度差抑制層11的部分和沒有厚度差抑制層11的部分起到定位標識的作用。由此，可不必分別形成厚度差抑制層11和定位標識15Bk1～15Bk4而能夠以高生產(chǎn)性形成，在多個陶瓷層片702間，厚度差抑制層11和定位標識15Bk1～15Bk4的位置精度大致相同，所以陶瓷層片701能夠以高精度疊層。
另外，如圖11所示，在實施方式的疊層陶瓷電容器中，內(nèi)部電極層片701的定位標識15Ak1～15Ak4從作為支承體的支承膜14A突出，具有圖5A和圖5B所示的形狀。陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4具有圖6A和圖6B所示的形狀、或從作為支承體的陶瓷層13突出的圖6C和圖6D所示的定位標識115B11～115B14的形狀。通過使內(nèi)部電極層片701的定位標識15Ak1～15Ak4和陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4形成相同形狀，可將內(nèi)部電極層12的導電膏和厚度差抑制層11的陶瓷漿的印刷滲析和印刷凹陷、印刷干燥時引起的厚度不均等的形狀變化相互大致同樣地進行控制。由此，利用相機18能夠高精度識別定位標識15Ak1～15Ak4和定位標識15Bk1～15Bk4，從而能夠?qū)λ鼈冞M行高精度定位。因此，在陶瓷層片702的定位標識15Bk1～15Bk4具有圖6A和圖6B所示的形狀時，通過使內(nèi)部電極層片701的定位標識15Ak1～15Ak4也同樣形成圖6A和圖6B所示的形狀，能夠獲得同樣的效果。
在本實施方式中，圖3A所示的有機膜的支承膜14A和內(nèi)部電極層12所構成的內(nèi)部電極層片701、和圖3B所示的有機膜的支承膜14B和陶瓷層13及厚度差抑制層11所構成的陶瓷層片702交替地疊層。支承膜14A作為支承內(nèi)部電極層12的支承體而起作用，支承膜14B和陶瓷層13作為支承厚度差抑制層11的支承體而起作用。
圖12A、圖12B和圖12C分別是實施方式的疊層陶瓷電容器的其它內(nèi)部電極層片2701、陶瓷層片2702和陶瓷層片2703的剖視圖。
內(nèi)部電極層片2701具備支承膜14A、支承膜14A上的陶瓷層2013、陶瓷層2013上的內(nèi)部電極層12。即，支承膜14A和支承膜14A上的陶瓷層2013作為支承內(nèi)部電極層12的支承體而起作用。陶瓷層片2702具備支承膜14B、支承膜14B上的厚度差抑制層11。即，支承膜14B作為支承厚度差抑制層11的支承體而起作用。陶瓷層片2703具備支承膜14C、支承膜14C上的陶瓷層3013。
可交替疊層內(nèi)部電極層片2701和陶瓷層片2702而制作實施方式的陶瓷電容器501。在該電容器中，陶瓷層2013代替陶瓷層13而使用。在該電容器中，厚度差抑制層11可不與內(nèi)部電極層12重疊地位于內(nèi)部電極層12的周圍，具有與實施方式同樣的效果。
另外，可對陶瓷層片2702、陶瓷層片2703和圖3A所示的內(nèi)部電極層片701進行疊層，制作實施方式的陶瓷電容器501。即，在基材層27的上面27A上使內(nèi)部電極層片701的面114A相對而疊層，將內(nèi)部電極層12轉(zhuǎn)印到基材層27的上面27A上，然后剝離支承膜14A。此時，在面27A上形成未設有內(nèi)部電極層12的部分27B。在轉(zhuǎn)印了內(nèi)部電極12的基材層27上疊層陶瓷層片2702。此時，厚度差抑制層11在面27A的未形成內(nèi)部電極12的部分27B位于內(nèi)部電極12的周圍。然后，剝離支承膜14B，將厚度差抑制層11轉(zhuǎn)印到面27A的部分27B上。在轉(zhuǎn)印到基材層27的上面27A上的內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層13上疊層陶瓷層片2703，將陶瓷層3013疊層到內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層13上，然后剝離支承膜14C。由此，獲得圖3D所示的疊層體5011。在該電容器中，陶瓷層3013代替陶瓷層13而使用。在該電容器中，厚度差抑制層11可不與內(nèi)部電極層12重疊地位于內(nèi)部電極層12的周圍，具有與實施方式同樣的效果。
也可使用內(nèi)部電極層片2701和陶瓷層片702來制作實施方式的陶瓷電容器501。在該電容器中，預先疊層內(nèi)部電極層片2701和陶瓷層片702，制作在陶瓷層14B、2013之間夾有內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層13的多個疊層體。然后，疊層這些疊層體而制作疊層陶瓷電容器。在該電容器中，陶瓷層2013與陶瓷層13抵接，作為圖3E所示的陶瓷層13而起作用。在該電容器中，厚度差抑制層11可不與內(nèi)部電極層12重疊地位于內(nèi)部電極層12的周圍，具有與實施方式同樣的效果。
在本實施方式中，即使形成內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11的印刷方法不同，也能夠高精度對位這些層。但是，為了進一步高精度對位，優(yōu)選使用照相凹版印刷法等同一印刷手法形成內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11。
根據(jù)本實施方式，在內(nèi)部電極層片和陶瓷層片的疊層加壓時，通過與溫度上升耦合而控制壓力上升，能夠更加高精度疊層內(nèi)部電極層片和陶瓷層片。
另外，在本實施方式中，厚度差抑制層11與內(nèi)部電極層12同片數(shù)配置，但厚度差抑制層11的片數(shù)和位置沒有限制。即使考慮內(nèi)部電極層12的厚度差的整體而加厚厚度差抑制層11并減少片數(shù)，也能夠獲得同樣的效果。另外，厚度差抑制層11等間隔疊層、或任意疊層均能夠獲得同樣的效果。
另外，在本實施方式中，使陶瓷層13、內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11的厚度相同，且使內(nèi)部電極層12和厚度差抑制層11的層數(shù)相同，但即使它們不同也能夠獲得同樣的效果。
作為本發(fā)明實施方式的疊層陶瓷部件對疊層陶瓷電容器501進行了說明，但對同一平面上具有不同部分的層進行疊層的其它疊層陶瓷電子部件也能夠由實施方式的上述方法制造，能夠獲得同樣的效果。
(產(chǎn)生上的可利用性)本發(fā)明的制造方法和制造裝置能夠降低內(nèi)部電極層和厚度差抑制層的位置偏移所造成的不良，對疊層陶瓷電子部件的制造有用。
權利要求
1.一種疊層陶瓷電子部件的制造方法，包括制作至少一個內(nèi)部電極層片的步驟，該至少一個內(nèi)部電極層片分別具有具有表面的第一支承體、在所述第一支承體的所述表面上設置的內(nèi)部電極層、和在所述第一支承體的所述表面上設置的多個第一定位標識；制作至少一個陶瓷層片的步驟，該至少一個陶瓷層片分別具有具有表面的第二支承體，在所述第二支承體的所述表面上設置的由陶瓷構成的厚度差抑制層、和在所述第二支承體的所述表面上設置的多個第二定位標識；根據(jù)所述至少一個內(nèi)部電極層片的所述多個第一定位標識確定所述至少一個內(nèi)部電極層片的第一基準點的步驟；根據(jù)所述至少一個陶瓷層片的所述多個第二定位標識確定所述至少一個陶瓷層片的第二基準點的步驟；以使所述第一基準點位于規(guī)定位置的同時使所述內(nèi)部電極位于由陶瓷構成的基材層的表面上的方式，將所述至少一個內(nèi)部電極層片中的一個疊層在所述基材層的所述表面上的步驟；以使所述第二基準點位于所述規(guī)定位置的同時使所述厚度差抑制層不與所述內(nèi)部電極層重疊且在所述內(nèi)部電極層的周圍位于所述基材層的所述表面上的方式，將所述至少一個陶瓷層片中的一個疊層在所述基材層的所述表面上的步驟；使陶瓷層位于所述內(nèi)部電極層上的步驟；使所述陶瓷層位于所述厚度差抑制層上的步驟。
2.根據(jù)權利要求1所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述第一支承體還具有具有與所述第一支承體的所述表面對應的表面的第一支承膜，所述第二支承體還具有具有表面的第二支承膜，在所述第二支承膜的所述表面上設有所述陶瓷層，所述陶瓷層具有與所述第二支承體的所述表面對應的表面，所述制造方法還包括在將所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個疊層在所述基材層的所述表面上的步驟之后，將所述第一支承膜從所述內(nèi)部電極層剝離的步驟；在將所述至少一個陶瓷層片中的所述一個疊層在所述基材層的所述表面上的步驟之后，將所述第二支承膜從所述陶瓷層剝離的步驟。
3.根據(jù)權利要求2所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述第一支承膜是有機膜。
4.根據(jù)權利要求2所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述第二支承膜是有機膜。
5.根據(jù)權利要求2所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述多個第二定位標識具有與所述陶瓷層不同的顏色。
6.根據(jù)權利要求1所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述第一支承體還具有具有表面的第一支承膜，在所述第一支承膜的所述表面上設有所述陶瓷層，所述陶瓷層具有與所述第一支承體的所述表面對應的表面，所述第二支承體還具有具有與所述第二支承體的所述表面對應的表面的第二支承膜，所述制造方法還包括在將所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個疊層在所述基材層的所述表面上的步驟之后，將所述第一支承膜從所述內(nèi)部電極層剝離的步驟；在將所述至少一個陶瓷層片中的所述一個疊層在所述基材層的所述表面上的步驟之后，將所述第二支承膜從所述陶瓷層剝離的步驟。
7.根據(jù)權利要求6所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述第一支承膜是有機膜。
8.根據(jù)權利要求6所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述第二支承膜是有機膜。
9.根據(jù)權利要求1所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，制作所述至少一個內(nèi)部電極層片的步驟包括在所述第一支承體的所述表面上涂敷導電膏形成所述內(nèi)部電極層的步驟；和與在所述第一支承體的所述表面上涂敷所述導電膏而形成所述內(nèi)部電極層的步驟的同時，在所述第一支承體的所述表面上涂敷所述導電膏而形成所述多個第一定位標識的步驟，制作所述至少一個陶瓷層片的步驟包括在所述第二支承體的所述表面上涂敷陶瓷漿而形成所述厚度差抑制層的步驟；和與在所述第二支承體的所述表面上涂敷所述陶瓷漿而形成所述厚度差抑制層的步驟的同時，在所述第二支承體的所述表面上涂敷所述陶瓷漿而形成所述多個第二定位標識的步驟。
10.根據(jù)權利要求9所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述多個第一定位標識由所述導電膏形成且從所述第一支承體的所述表面上突出，所述多個第二定位標識由所述陶瓷漿而形成且從所述第二支承體的所述表面上突出。
11.根據(jù)權利要求9所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述多個第一定位標識是以所述第一支承體的所述表面的一部分為底的由所述導電膏形成的凹部，所述多個第二定位標識是以所述第二支承體的所述表面的一部分為底的由所述陶瓷漿而形成的凹部。
12.根據(jù)權利要求1所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，還包括從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個的步驟；從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個的步驟。
13.根據(jù)權利要求12所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，還包括對分別通過所述多個第一定位標識中的兩個、以第一角度交叉的兩個第一直線進行定義的步驟；對分別通過所述多個第二定位標識中的兩個、以第二角度交叉的兩個第二直線進行定義的步驟，從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個的步驟包括根據(jù)所述第一角度從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個的步驟，從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個的步驟的步驟包括根據(jù)所述第二角度從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個的步驟的步驟。
14.根據(jù)權利要求13所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個的步驟包括判定所述第一角度是否在規(guī)定范圍內(nèi)的步驟，從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個的步驟的步驟包括判定所述第一角度是否在規(guī)定范圍內(nèi)的步驟。
15.根據(jù)權利要求12所述的疊層陶瓷電子部件的制造方法，其中，從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個的步驟包括判定所述多個第一定位標識間的距離是否處于規(guī)定范圍的步驟，從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個的步驟的步驟包括判定所述多個第二定位標識間的距離是否處于規(guī)定范圍的步驟。
16.一種疊層陶瓷電子部件的制造裝置，具備供給部，其供給至少一個內(nèi)部電極層片和至少一個陶瓷層片，所述至少一個內(nèi)部電極層片分別具有具有表面的第一支承體、在所述第一支承體的所述表面上設置的內(nèi)部電極層、和在所述第一支承體的所述表面上設置的多個第一定位標識，所述至少一個陶瓷層片分別具有具有表面的第二支承體，在所述第二支承體的所述表面上設置的由陶瓷構成的厚度差抑制層、和在所述第二支承體的所述表面上設置的多個第二定位圖案；光源；相機，其對從所述光源通過所述多個第一定位標識的光、和從所述光源通過所述多個第一定位標識的光進行拍攝；數(shù)據(jù)處理部，其根據(jù)所述相機所拍攝的通過所述多個第一定位標識的所述光確定第一基準點，且根據(jù)所述相機所拍攝的通過所述多個第二定位標識的所述光確定第二基準點；疊層部，其以使所述第一基準點位于規(guī)定位置的同時使所述內(nèi)部電極層位于由陶瓷構成的基材層的表面上的方式，將所述至少一個內(nèi)部電極層片中的一個疊層在所述基材層的所述表面上，且以使所述第二基準點位于所述規(guī)定位置的同時使所述厚度差抑制層不與所述內(nèi)部電極層重疊且在所述內(nèi)部電極層的周圍位于所述基材層的所述表面上的方式，將所述至少一個陶瓷層片中的一個疊層在所述基材層的所述表面上。
17.根據(jù)權利要求16所述的疊層陶瓷電子部件的制造裝置，其中，所述第一支承體具有第一支承膜，所述第二支承體具有第二支承膜，所述疊層陶瓷電子部件的制造裝置還具備剝離部，該剝離部將所述第一支承膜和所述第二支承膜分別從所述第一支承體和所述第二支承體剝離。
18.根據(jù)權利要求16所述的疊層陶瓷電子部件的制造裝置，其中，還具備片選擇部，其從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個，且從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個。
19.根據(jù)權利要求18所述的疊層陶瓷電子部件的制造裝置，其中，所述數(shù)據(jù)處理部求出所述多個第一定位標識間的距離、和所述多個第二定位標識間的距離，所述片選擇部根據(jù)所述多個第一定位標識間的所述距離，從所述至少一個內(nèi)部電極層片中選擇所述至少一個內(nèi)部電極層片中的所述一個，且根據(jù)所述多個第一定位標識間的所述距離，從所述至少一個陶瓷層片中選擇所述至少一個陶瓷層片中的所述一個。
全文摘要
制作具有在第一支承體的同一表面上設置的內(nèi)部電極層和多個第一定位標識的內(nèi)部電極層片。制作具有在第二支承體的同一表面上設置的由陶瓷構成的厚度差抑制層和多個第二定位圖案的陶瓷層片。根據(jù)多個第一定位標識確定內(nèi)部電極層片的第一基準點。根據(jù)多個第二定位標識確定陶瓷層片的第二基準點。使第一基準點位于規(guī)定位置的同時，使內(nèi)部電極位于由陶瓷構成的基材層上，由此在基材層的表面上疊層內(nèi)部電極層片。使第二基準點位于規(guī)定位置的同時，使厚度差抑制層不與內(nèi)部電極層重疊且在內(nèi)部電極層的周圍位于基材層上，由此在基材層上疊層陶瓷層片。使陶瓷層位于內(nèi)部電極層上和厚度差抑制層上，由此制造疊層陶瓷電子部件。根據(jù)該方法，能夠減少內(nèi)部電極層和厚度差抑制層的位置偏移造成的疊層陶瓷部件的不良。
文檔編號H01G13/00GK101019196SQ20058003058
公開日2007年8月15日 申請日期2005年10月4日 優(yōu)先權日2004年10月13日
發(fā)明者鐮田雄樹, 及川悟, 坂口佳也, 尾籠剛, 坂口知也 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社