專利名稱：芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板內(nèi)部搭載多個發(fā)光元件的、可以作為各種顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明裝置等的光源來使用的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板。
背景技術(shù)：
以往，以芯片部件型LED為代表的芯片部件型發(fā)光器件，作為顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明裝置等的光源使用。并且，上述芯片部件型發(fā)光器件，伴隨著近幾年平板用途的擴大，其適用范圍也變廣。伴隨著上述用途的擴大，芯片部件發(fā)光器件需要增大元件自身的發(fā)光量，并且需要增大相對于耗電的發(fā)光量，換言之，需要提高轉(zhuǎn)換成光的轉(zhuǎn)換效率，而且，需要適合量產(chǎn)，因此，需要能夠低價制造的芯片部件型發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
以往的芯片部件型發(fā)光器件，如以下專利文獻1～3所示，一般是使用下述布線基板來制造在絕緣基板的一部分上形成貫通孔或者有錐面的孔，并且在其表面上形成進行電連接的布線圖案。即，在安裝在上述布線基板貫通孔底面上的由金屬薄板構(gòu)成的散熱板上，搭載如發(fā)光二極管等的1個發(fā)光元件，然后通過引線鍵合，將元件的電極連接在上述布線圖案上，完成芯片部件型發(fā)光元件。
專利文獻1專利第3137823號公報專利文獻2特開2000-223752號公報專利文獻3特開2003-31850號公報發(fā)明內(nèi)容但是上述以往技術(shù)中的芯片部件型發(fā)光器件的安裝結(jié)構(gòu)，對于各基板，是只搭載1個如發(fā)光二極管等發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，因此，如上述，其結(jié)構(gòu)不適用于與各元件的發(fā)光量增大相對應(yīng)的、在其內(nèi)部搭載多個發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
即，上述專利文獻1所述的結(jié)構(gòu)中，安裝在貫通孔里面的金屬薄板與布線圖案連接，由此，其內(nèi)部搭載的發(fā)光二極管中的一側(cè)的電極與該金屬薄板連接，另一側(cè)的電極，例如通過引線鍵合等，與形成在布線基板一部分上的其他的連接布線圖案連接。但是，形成在該布線基板一部分上的其他的連接布線圖案的結(jié)構(gòu)，不適用于安裝在貫通孔里面的金屬薄板上搭載多個發(fā)光二極管的情況。
另外，上述專利文獻1所述的結(jié)構(gòu)中，通過引線鍵合等使內(nèi)部搭載的發(fā)光二極管的另一側(cè)電極與形成在布線基板一部分上的連接布線圖案連接，然后，用透明樹脂填充內(nèi)部搭載了發(fā)光二極管的貫通孔，形成光學(xué)元件。但是，發(fā)光二極管的電極與布線圖案連接的引線鍵合，從上述布線基板上方突出來，因此，妨礙之后在貫通孔中填充透明樹脂的工序，無法準(zhǔn)確地填充透明樹脂。并且，上述專利文獻1中還在布線基板上而增設(shè)了發(fā)射箱板，圍住內(nèi)部搭載了發(fā)光二極管的貫通孔。但是，上述結(jié)構(gòu)中，在布線基板上設(shè)置了多個發(fā)光元件后，難以正確安裝該反射箱板，并且發(fā)光二極管所發(fā)射的一部分光從上述布線基板與反射箱板的接合部分泄露出來，因此，光的轉(zhuǎn)換效率降低。特別是上述貫通孔內(nèi)搭載了多個發(fā)光二極管時，這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。
另外，上述專利文獻2及3所述的結(jié)構(gòu)中，形成在絕緣性基板上的貫通孔里面安裝了作為散熱板的金屬薄板，其表面設(shè)置了發(fā)光二極管，但與上述專利文獻1不同，發(fā)光二極管的電極的電連接，在與形成在上述基板表面的布線圖案之間進行。但是，這種結(jié)構(gòu)不適用于安裝在貫通孔里面的金屬薄板上搭載多個發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。即，專利文獻2及3所述的結(jié)構(gòu)也有上述同樣的問題點。
因此，本發(fā)明是鑒于上述以往技術(shù)中的問題點發(fā)明的，具體來說，其目的在于，提供一種芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板，是內(nèi)部搭載了多個發(fā)光元件的芯片部件型發(fā)光器件，能夠提高光轉(zhuǎn)換效率，并且適用于量產(chǎn)，因此能夠低成本地制造。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種芯片部件型發(fā)光器件或者布線基板，該布線基板具有搭載所容納的發(fā)光元件的底基板和層疊粘接在上述底基板上面的反射基板；上述底基板的一部分上形成有將發(fā)光元件搭載在內(nèi)部的非貫通孔，并且該底基板的上端周邊部分上形成有用于將上述發(fā)光元件電連接的布線圖案，并且上述非貫通孔的底面上形成有厚度比形成上述布線圖案的金屬薄膜厚的散熱導(dǎo)體；上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非貫通孔，而是形成有直徑大于上述非貫通孔的貫通孔，其內(nèi)周表面上形成有由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜，并且在上述底基板的非貫通孔的上端周邊部分形成有當(dāng)該反射基板設(shè)置在上述底基板上時從該反射基板的貫通孔的底面露出的布線圖案的一部分(發(fā)光元件連接區(qū))。
根據(jù)本發(fā)明，上述芯片部件型發(fā)光器件或者布線基板中，上述反射基板的貫通孔的內(nèi)周表面或者上述底基板非貫通孔的內(nèi)周表面上的由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜，優(yōu)選由對白色光反射效率好的銀、鎳、鋁中任一種金屬薄膜形成。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選上述芯片部件型發(fā)光器件或者布線基板中，上述底基板及層疊粘接在其上面的上述反射基板的端面上還形成有貫通上述兩個基板的多個貫通孔，搭載發(fā)光元件后，沿著上述兩個基板的貫通孔的大致中心位置切斷，并且在該貫通孔的內(nèi)周形成分別與形成在上述底基板的貫通孔的周邊部分上的上述布線圖案的一部分(發(fā)光元件連接區(qū))電連接的導(dǎo)體層，具有使上述發(fā)光元件與外部連接的端子電極。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選上述布線基板的端子電極中，貫通上述底基板及層疊粘接在其上面的上述反射基板這兩個基板的貫通孔的上述反射基板的上端面或者上述底基板的下端面中的任意一處形成有用封堵部件封口的非貫通孔，搭載發(fā)光元件后，沿著上述兩個基板的非貫通孔的大致中心位置切斷，作為端子電極。
根據(jù)本發(fā)明，上述底基板的非貫通孔，優(yōu)選在1個非貫通孔的內(nèi)部形成了搭載多個發(fā)光元件的2.0～6.0的非貫通孔。
根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選形成在層疊粘接在上述底基板上面的反射基板上的貫通孔內(nèi)周的反射面是上端面比該底基板底面大的錐形(錐度為90°～120°)。
如上述，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供轉(zhuǎn)換效率更高的光輸出的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。
首先，圖1表示本發(fā)明一個實施方式的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板。該芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板，如圖所示，外形是大致正方形的板狀，基本上由底基板10、層疊粘接在該底基板上的反射基板20、多個發(fā)光元件如本例中是8個發(fā)光二極管30、30...構(gòu)成。作為多個發(fā)光元件的8個發(fā)光二極管30、30...，設(shè)置在上述底基板10大致中央上形成的貫通孔11的里(底)面上，在形成散熱板的厚金屬薄膜12表面上按規(guī)定位置排列設(shè)置。而且，形成在該底基板10上的貫通孔11的內(nèi)周面及上述金屬薄膜12的表面上，如銀等金屬薄膜構(gòu)成的反射膜13形成為一體，后面將詳細說明。
另外，附圖2只表示構(gòu)成上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板的底基板10，如圖所示，上述底基板10上面，為了使上述多個發(fā)光二極管30、30...與未圖示的外部驅(qū)動電路電連接，將布線圖案14、14...等間隔地設(shè)置在上述貫通孔11周邊，圍住上述貫通孔11，其制造工序?qū)⒃诤竺嬖敿氄f明。圖1中，符號15、15...表示使多個發(fā)光二極管30、30...與上述布線圖案14、14...間電連接的、如通過引線鍵合進行布線的引線。
另外，層疊粘接在上述底基板10上面的反射基板20的大致中央部分上也形成貫通孔21，該貫通孔21的內(nèi)周面上也形成了如銀等金屬薄膜構(gòu)成的反射膜22，其制造工序?qū)⒃诤竺嬖敿氄f明。該貫通孔21的直徑比形成在上述底基板10上的貫通孔11的直徑大，因此，如上述圖1所示，在該反射基板20層疊粘接在上述底基板10上的狀態(tài)下，形成在上述底基板上的布線圖案14、14...的一部分，更具體地來說是形成在底基板10的貫通孔11周邊部分上的布線圖案的一部分通過該貫通孔21露出來。即，在底基板10上面層疊粘接了反射基板20的基板上設(shè)置多個發(fā)光二極管30、30...，然后如上述，通過引線鍵合等，與形成在上述底基板10上面的布線圖案14、14...之間電連接。所以，與上述布線圖案14、14...間電連接的引線15、15...，在上述層疊粘接的2個基板(底基板10及反射基板20)內(nèi)部，即，引線15不從反射基板20上面突出，也能夠連接。
如上述圖1所示，構(gòu)成芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板的底基板10和反射基板20的各端面上形成有多個(本例中為8×2＝16個)的端面電極40、40...。即，由這些端面電極40、40...將該芯片部件型發(fā)光器件搭載在如母板等其他基板上時，能夠?qū)崿F(xiàn)與形成在基板上的布線圖案間的電連接。
下面參照附圖3～圖5說明上面已經(jīng)說明了詳細結(jié)構(gòu)的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板中、將底基板10層疊粘接在反射基板20上而構(gòu)成的基板的制造方法。
附圖3表示上述底基板10的制造方法，該圖中表示了底基板10的制造過程中各階段的剖面結(jié)構(gòu)。
首先，準(zhǔn)備如環(huán)氧樹脂等絕緣材料構(gòu)成的厚度約0.3mm的中心基材300，其一個面(圖例中的上面)上粘接了厚度約18μm的銅箔310，另一面(圖例中的下面)粘接了厚度約25μm的粘接片320[圖3(a)]。接著，在上述準(zhǔn)備的基材300表面上，上述貫通孔11(參照上述圖1)的位置上如利用NC開設(shè)如本例中3.1左右的孔[圖3(b)]。然后，在上述基材300的下面，即與粘接了銅箔310的面相反的面上粘接比上述銅箔310厚、厚度約70μm的銅箔330[圖3(c)]。接著，在形成端面電極40、40...(參照上述圖1)的位置上，開設(shè)如0.6左右的孔[圖3(d)]，并在整體上實施厚度約20μm的銅鍍層340[圖3(e)]。
接著，在上述基材300的上面，即與上述反射基板20的接合(粘接)面上，例如利用蝕刻，除去上述銅箔310，由此形成規(guī)定電路圖案14[圖3(f)]。然后從形成的規(guī)定電路圖案上方粘接事先在規(guī)定位置上形成了開口部的粘接片350[圖3(g)]，由此得到上述底基板10。由上述得到的底基板10的一例，如上述圖2所示。
附圖4表示上述反射基板20的制造方法，該圖中，表示上述反射基板20的制造過程中各階段的剖面結(jié)構(gòu)。
首先，準(zhǔn)備如環(huán)氧樹脂等絕緣材料構(gòu)成的厚度約0.3mm的中心基材400，其兩面粘接了厚度約25μm的粘接片410、420[圖4(a)]。接著，在上述基材400的表面上的上述貫通孔21(參照上述圖1)的位置上如利用NC開設(shè)5.0左右的孔，并且在形成上述端面電極40、40...的位置上，開設(shè)如0.6左右的孔[圖4(b)]。然后，在上述基材400表(上)面粘接事先在上述貫通孔21位置上開設(shè)了5.0左右的孔的銅箔430，并在其背(下)面粘接事先在上述貫通孔21和上述端面電極40的位置上開設(shè)了5.0左右的孔的銅箔440[圖4(c)]，然后整體實施厚度約20μm的銅鍍層450[圖4(d)]，并利用蝕刻除去形成在上述基材300表(上)面的銅箔430，形成規(guī)定圖案[圖4(e)]，得到上述反射基板20。
接著，參照圖5說明將上面得到的反射基板20層疊粘接在底基板10上的工序。這里，層疊粘接制成的反射基板20與底基板10，由其制造過程中各階段的剖面結(jié)構(gòu)來表示。
首先，將由上述圖4(e)得到的反射基板20層疊在由上述圖3(g)得到的底基板10上[圖5(a)]。即，在粘接在上述底基板10上面的粘接片350上層疊粘接反射基板20。接著，利用蝕刻等除去上述層疊粘接在底基板10下面的厚度約70μm的銅箔330，形成芯片部件型發(fā)光器件的焊錫面電路[圖5(b)]。然后在整體上實施厚度約5μm的鎳(Ni)層和厚度約0.3μm的金(Au)層構(gòu)成的貴金屬鍍層510[圖5(c)]。接著在底基板10的整個下面粘接遮蔽膠帶520[圖5(d)]，在其整體實施約0.3μm厚的銀(Ag)層530[圖5(e)]。然后剝離貼在上述底基板10整個下面的遮蔽膠帶[圖5(f)]，制成將底基板10層疊粘接在反射基板20上的基板。然后，在上述底基板10的貫通孔11內(nèi)，將多個發(fā)光二極管設(shè)置在其里(底)面的散熱板12上，進行布線，得到芯片部件型發(fā)光器件。由于上述工序中同時制造多個器件，所以使用表面積大的基板，將多個基板制成一體。并且，上述圖5(f)中的點劃線表示在上述基板內(nèi)安裝多個發(fā)光二極管完成芯片部件型發(fā)光器件后、用于分離切斷每個芯片部件的切斷線。
根據(jù)由上述制造工序得到的芯片部件型發(fā)光器件的布線基板，如附圖6所示，在構(gòu)成上述基板的底基板10的大致中央部分上形成的貫通孔11的里(底)面上所設(shè)置的散熱板(金屬薄膜)12上，通過傳熱性高的模塑樹脂材料60，將上述多個發(fā)光二極管30、30...固定在規(guī)定位置上。然后通過引線鍵合等進行布線。這時，如上述圖1所示，與發(fā)光二極管之間實施布線的布線圖案14、14...形成作為在層疊成2層的基板的下側(cè)基板的上述底基板10的表(上)面，并且這些布線圖案14、14...的一部分從粘接在其上面的反射基板20表面上開設(shè)的貫通孔21中露出，多個發(fā)光二極管30、30...的各電極，通過引線鍵合與布線圖案14、14...間進行布線。該圖6中，被布線的引線由符號15表示。
由此，通過上述結(jié)構(gòu)，在上述多個發(fā)光二極管30、30...的電極與布線圖案14、14...之間布線的引線15沒有從上述芯片部件型發(fā)光器件基板的表(上)面、即反射基板20的表(上)面突出來，能夠安裝在基板內(nèi)部。即，根據(jù)芯片部件型發(fā)光器件的上述結(jié)構(gòu)，發(fā)光二極管30、30...搭載在基板上之后，不需要為了保護其布線部分而在其上部填充透明樹脂。
換言之，如上述圖6所示，在發(fā)光二極管30、30...安裝在基板內(nèi)部的狀態(tài)下，作為芯片部件型發(fā)光器件，可以作為如顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明裝置等的光源使用。而且，如上述，因為能夠搭載多個發(fā)光二極管30、30...，所以能夠得到高的光輸出，并且不需要在發(fā)光二極管30上面填充透明樹脂，所以能夠得到元件發(fā)出的光不被該透明樹脂吸收、轉(zhuǎn)換效率更高的芯片部件型發(fā)光器件。并且，由上述發(fā)光二極管30上面不需要填充透明樹脂，所以元件內(nèi)部的發(fā)熱不會因在其上面填充的該樹脂而影響向周圍擴散，或者說不會因停滯在該樹脂內(nèi)部而導(dǎo)致發(fā)光二極管溫度上升。
另外，如上述圖6所示，在構(gòu)成上述布線基板的底基板10上一體地形成了反射基板20，并且，在底基板10上開設(shè)的貫通孔11的底面及其內(nèi)周面和在反射基板20上開設(shè)的貫通孔21的內(nèi)周面上，如上述，其正個面都實施了由鎳(Ni)層和金(Au)層構(gòu)成的貴金屬鍍層510，并且其表面上還形成了由銀(Ag)層530(厚度約1μm)構(gòu)成的反射膜13、22。因此，設(shè)置在底基板10的貫通孔11內(nèi)部的多個發(fā)光二極管30、30...射出的光，被這些反射膜13、22反射，不會泄露到外部，從反射基板20上開設(shè)的貫通孔21的上部引出。即，能夠以很好的轉(zhuǎn)換效率獲得多個發(fā)光元件的高的光輸出。
附圖7表示上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板的變形例。如圖所示，根據(jù)本變形例，上述芯片部件型發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)中，在其反射基板20的表(上)面安裝如玻璃和樹脂等透明板狀部件70，并且，與該板狀部件70的一部分一體地形成如用于擴散光的透鏡等所謂的光學(xué)元件。即，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與上述實施例一樣，發(fā)光元件的散熱性好，并且能夠以很好的轉(zhuǎn)換效率獲得多個發(fā)光元件的高的光輸出，并且其輸出光是擴散后射出的，因此尤其適用于作為顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明裝置等光源使用的芯片部件型發(fā)光器件。并且，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由板狀部件70，能夠防止因器件外部的異物侵入貫通孔11、21內(nèi)部而導(dǎo)致如引線15間短路或破損，因此能夠防止發(fā)光元件30的破壞。
附圖8表示上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板的其他變形例。如圖示，根據(jù)此變形例，在上述底基板10及反射基板20上開設(shè)的貫通孔11、21內(nèi)部填充透明樹脂，使其內(nèi)部搭載的多個發(fā)光二極管30、30...及其布線用的引線15浸漬并固化，并且將其外周面例如形成為凸?fàn)?，由此，將所謂的光學(xué)元件形成為一體。而且根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠以很好的轉(zhuǎn)換效率獲得多個發(fā)光元件的高的光輸出，并且其輸出光是擴散后輸出，尤其適用于作為顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明裝置等光源使用的芯片部件型發(fā)光器件。并且，對于器件外部的異物侵入，能夠安全保護引線和發(fā)光二極管30。
上述圖7或圖8所示的變形例中，例如在上述底基板10上開設(shè)的貫通孔11、21內(nèi)部設(shè)置的多個發(fā)光二極管30、30...為藍色發(fā)光二極管時，在安裝在反射基板20表(上)面的透明板狀部件70或者貫通孔11、21內(nèi)部填充的透明樹脂80中混入將藍色光轉(zhuǎn)換為白色光的部件后，能夠容易得到可獲得白色光的芯片部件型發(fā)光器件，而白色光的芯片部件型發(fā)光器件最適合作為顯示面板、液晶顯示裝置的背光燈、照明裝置等的光源。上述部件例如有在環(huán)氧樹脂中混入微細二氧化硅、YAG熒光體而形成的物質(zhì)。
另外，上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板中，根據(jù)上述底基板10和反射基板20層疊后構(gòu)成的基板各端面上形成的端面電極40、40的結(jié)構(gòu)，由于其上端面由半圓形的導(dǎo)體層41密封，所以填充上述透明樹脂80時，即使從貫通孔11、21泄漏到外部，也不會到其電極面，能夠可靠地得到端面電極40、40。
附圖9表示上述底基板10上開設(shè)的貫通孔11內(nèi)部，在其里(底)面設(shè)置的散熱板(金屬薄膜)12表面上，多個發(fā)光二極管的排列的其他例子。即，上述實施例中，作為一例，是將8個發(fā)光二極管30、30...分別設(shè)置為4行2列。但是，本發(fā)明并不限定于上述例子，如該圖所示，也可以沿著上述貫通孔11的內(nèi)周面設(shè)置。或者這8個發(fā)光二極管，例如作為1個塊30′供給時，如附圖10所示，在上述貫通孔11內(nèi)部，設(shè)置在其散熱板(金屬薄膜)12表面的大致中央部分。并且還可以用其他方法來排列。
圖2表示上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板中，形成在其底基板10上面的多個布線圖案13、13...的一例。如圖所示，該實施例中，相鄰的布線圖案14、14電連接。具體說來，與相鄰的一對發(fā)光二極管的“+”、“-”電極連接的布線圖案是按“+”“+”“-”“-”的順序排列的。并且根據(jù)上述布線圖案13、13...的排列，設(shè)置在基板內(nèi)的多個發(fā)光二極管30、30...通過引線鍵合等與布線圖案14、14...間電連接后，即使布線后的引線15、15之間互相接近或者接觸，也由于是相同極性，所以能夠避免短路的發(fā)生。
上述各種實施例中，在上述底基板10及反射基板20上開設(shè)的貫通孔11、21是圓形的，但本發(fā)明并不限定于此，也可以是橢圓形或者方形。這時也能夠得到上述同樣的效果。另外，上述實施例中，在上述底基板10及反射基板20上開設(shè)的貫通孔11、21與其內(nèi)周面垂直地形成，這一點上，本發(fā)明也并不限定于此，例如在基材上形成貫通孔11、21時[參照上述圖3(b)或者圖4(b)]，通過使用如錐柄麻花鉆等，可以使其內(nèi)周面傾斜。
上述說明中，上述結(jié)構(gòu)的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板中，設(shè)置在其底基板10的貫通孔11內(nèi)部的多個發(fā)光元件，作為一例，是用8個發(fā)光二極管30、30...來說明的。但是本發(fā)明并不限定于此，可以是2個或者2個以上的個數(shù)(例如最好是4個、6個、9個、10個等)，另外，發(fā)光元件并不限定于上述發(fā)光二極管，也可以是其他半導(dǎo)體發(fā)光元件，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白。另外，設(shè)置在上述底基板10的貫通孔11內(nèi)部的多個發(fā)光元件可以由作為光的三原色的紅色、綠色、藍色的發(fā)光二極管構(gòu)成。這時，通過組合上述三色的發(fā)光二極管設(shè)置在上述底基板10的貫通孔11內(nèi)，能夠得到白色光，或者組合2種或2種以上，也能夠得到期望色調(diào)的光。


表示本發(fā)明一個實施方式的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板結(jié)構(gòu)的擴大立體圖。
表示構(gòu)成上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板的底基板結(jié)構(gòu)的擴大立體圖。
用于表示上述底基板的制造方法的工序圖，表示其制造過程中各階段的剖面結(jié)構(gòu)。
用于表示上述反射基板的制造方法的工序圖，表示其制造過程中各階段的剖面結(jié)構(gòu)。
表示上述反射基板層疊粘接在上述底基板上面的基板的制造方法的工序圖，表示其制造過程中各階段的剖面結(jié)構(gòu)。
表示上述方法得到的基板上搭載多個光學(xué)元件構(gòu)成芯片部件型發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
表示上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板變形例的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
表示上述芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板其他變形例的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
表示上述芯片部件型發(fā)光器件中發(fā)光元件排列的其他例子的剖面圖。
表示上述芯片部件型發(fā)光器件中發(fā)光元件排列的其他例子的剖面圖。
符號說明10 底基板11 貫通孔12 散熱板(厚金屬薄膜)13 反射膜14 布線圖案15 布線用引線20 反射基板21 貫通孔22 反射膜30 發(fā)光二極管40 端面電極
權(quán)利要求
1.一種芯片部件型發(fā)光器件，在絕緣基板內(nèi)部容納·搭載了發(fā)光元件，其特征在于該絕緣基板具有搭載所容納的發(fā)光元件的底基板和層疊粘接在上述底基板上面的反射基板；上述底基板的一部分上形成有將發(fā)光元件搭載在內(nèi)部的非貫通孔，并且該底基板的上端周邊部分上形成有用于將上述發(fā)光元件電連接的布線圖案，并且上述非貫通孔的底面上形成有厚度比形成上述布線圖案的金屬薄膜厚的散熱導(dǎo)體；上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非貫通孔，而是形成有直徑大于上述非貫通孔的貫通孔，其內(nèi)周表面上形成有由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜，并且在上述底基板的非貫通孔的上端周邊部分形成有當(dāng)該反射基板設(shè)置在上述底基板上時從該反射基板的貫通孔的底面露出的布線圖案的一部分(發(fā)光元件連接區(qū))。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片部件型發(fā)光器件，其特征在于上述反射基板的貫通孔的內(nèi)周表面或者上述底基板非貫通孔的內(nèi)周表面上的由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜，由對白色光反射效率好的銀、鎳、鋁中任一種金屬薄膜形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片部件型發(fā)光器件，其特征在于上述底基板及層疊粘接在其上面的上述反射基板的端面上還形成有貫通上述兩個基板的多個貫通孔，搭載發(fā)光元件后，沿著上述兩個基板的貫通孔的大致中心位置切斷，并且在該貫通孔的內(nèi)周形成分別與形成在上述底基板的貫通孔的周邊部分上的上述布線圖案的一部分(發(fā)光元件連接區(qū))電連接的導(dǎo)體層，具有使上述發(fā)光元件與外部連接的端子電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片部件型發(fā)光器件，其特征在于上述布線基板的端子電極中，貫通上述底基板及層疊粘接在其上面的上述反射基板這兩個基板的貫通孔的上述反射基板的上端面或者上述底基板的下端面中的任意一處形成有用封堵部件封口的非貫通孔，搭載發(fā)光元件后，沿著上述兩個基板的非貫通孔的大致中心位置切斷，作為端子電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片部件型發(fā)光器件，其特征在于上述底基板的非貫通孔，在1個非貫通孔的內(nèi)部形成了搭載多個發(fā)光元件的2.0～6.0的非貫通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片部件型發(fā)光器件，其特征在于形成在層疊粘接在上述底基板上面的反射基板上的貫通孔內(nèi)周的反射面是上端面比該底基板底面大的錐形(錐度為90°～120°)。
7.一種布線基板，用于在絕緣基板內(nèi)部容納·搭載發(fā)光元件，其特征在于具有搭載所容納的發(fā)光元件的底基板和層疊粘接在上述底基板上面的反射基板；上述底基板的一部分上形成有將發(fā)光元件搭載在內(nèi)部的非貫通孔，并且該底基板的上端周邊部分上形成有用于將上述發(fā)光元件電連接的布線圖案，并且上述非貫通孔的底面上形成有厚度比形成上述布線圖案的金屬薄膜厚的散熱導(dǎo)體；上述反射基板不阻塞形成在上述底基板上的非貫通孔，而是形成有直徑大于上述非貫通孔的貫通孔，其內(nèi)周表面上形成有由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜，并且在上述底基板的非貫通孔的上端周邊部分上形成有當(dāng)該反射基板設(shè)置在上述底基板上時從該反射基板的貫通孔的底面露出的布線圖案的一部分(發(fā)光元件連接區(qū))。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板，其特征在于上述反射基板的貫通孔的內(nèi)周表面或者上述底基板的非貫通孔的內(nèi)周表面上的由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜，由對白色光反射效率好的銀、鎳、鋁中任一種金屬薄膜形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板，其特征在于上述底基板及層疊粘接在其上面的上述反射基板的端面上還形成有貫通上述兩個基板的多個貫通孔，搭載發(fā)光元件后，沿著上述兩個基板的貫通孔的大致中心位置切斷，并且在該貫通孔的內(nèi)周形成分別與形成在上述底基板的貫通孔的周邊部分上的上述布線圖案的一部分(發(fā)光元件連接區(qū))電連接的導(dǎo)體層，具有使上述發(fā)光元件與外部連接的端子電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布線基板，其特征在于上述端子電極中，貫通上述底基板及層疊粘接在其上面的上述反射基板這兩個基板的貫通孔的上述反射基板的上端面或者上述底基板的下端面中的任意一處形成有用封堵部件封口的非貫通孔，搭載發(fā)光元件后，沿著上述兩個基板的非貫通孔的大致中心位置切斷，作為端子電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板，其特征在于上述底基板的非貫通孔，在1個非貫通孔內(nèi)部形成了搭載多個發(fā)光元件的2.0～6.0的非貫通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線基板，其特征在于形成在層疊粘接在上述底基板上面的反射基板上的貫通孔的內(nèi)周的反射面是上端面比該底基板底面大的錐形(錐度為90°～120°)。
全文摘要
提供具有多個發(fā)光元件、能夠使高的光輸出轉(zhuǎn)換效率更好的芯片部件型發(fā)光器件及其使用的布線基板。絕緣基板內(nèi)部搭載了多個發(fā)光二極管30、30…的芯片部件型發(fā)光器件，具有底基板10及其上面層疊粘接的反射基板20。底基板上形成貫通孔11，其里面形成厚金屬薄膜的散熱板12，其內(nèi)周及其底部形成反射膜13，還形成布線圖案14、14…。反射基板20上形成直徑比底基板的貫通孔大的貫通孔21，其內(nèi)周形成反射膜22。該反射基板設(shè)置粘接在底基板中、布線圖案的一部分從該貫通孔中露出的位置上，設(shè)置的多個發(fā)光二極管與底基板上的布線圖案連接安裝。
文檔編號H01L33/46GK101036239SQ200580034260
公開日2007年9月12日 申請日期2005年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月7日
發(fā)明者西田貴紀(jì), 磯田聰, 杉浦良治, 櫻井正幸 申請人:日立Aic株式會社