專利名稱：功率器件和功率器件的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功率器件和一種用于監(jiān)測(cè)功率器件的方法。
背景技術(shù)：
放大器中的RF功率器件接收輸入信號(hào)并提供輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)典型地大于輸入信號(hào)。
然而，許多形式的功率器件需要某種形式的功率控制來維持或改進(jìn)功率器件的特性，例如功率器件的效率或線性特性。具體地，在多種線性系統(tǒng)中，RF功率器件典型地需要某種形式的輸出功率監(jiān)測(cè)和控制，以確保放大后的輸出信號(hào)中輸入信號(hào)的調(diào)制分量具有可接受的線性。
一種用于在RF功率器件中提供功率監(jiān)測(cè)的公知技術(shù)是使用RF功率耦合器，RF功率耦合器可以用于提供微波電路中的功率劃分或分布，以允許對(duì)RF功率器件進(jìn)行偏置和控制，RF功率耦合器可以用于多種應(yīng)用中，例如RF功率控制系統(tǒng)、RF功率監(jiān)測(cè)、RF放大器的線性化(例如包絡(luò)消除和恢復(fù))和前饋放大器。
此外，RF功率耦合器還可以用于為RF功率器件在輸出失配期間免受故障而提供保護(hù)，其中通過監(jiān)測(cè)從輸出負(fù)載反映出的功率而識(shí)別輸出失配。
典型地，使用分布式傳輸線和集總元件LC網(wǎng)絡(luò)來提供RF功率耦合器。然而，由于多數(shù)RF功率耦合器基于具有有限介電常數(shù)的在襯底表面上形成的四分之一波長(zhǎng)傳輸線的性質(zhì)，這將導(dǎo)致傳輸線相對(duì)長(zhǎng)，例如對(duì)于工作頻率為2GHz來說，即使在具有相對(duì)高的介電常數(shù)(例如Er等于10)的襯底上形成的四分之一波長(zhǎng)傳輸線也會(huì)具有20mm的量級(jí)。
由此，使用分布式耦合器需要印刷電路板上相當(dāng)數(shù)量的空間，因此將會(huì)導(dǎo)致當(dāng)用于功率控制和線性化時(shí)，引入了輸出信號(hào)的扣除復(fù)制(subtracted replica)的額外時(shí)延。
期望改進(jìn)這種情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種功率檢測(cè)器，用于監(jiān)測(cè)具有小型設(shè)計(jì)和高指向性的功率器件的直接功率和反射功率。
根據(jù)本發(fā)明一方面，提供了一種功率器件和一種功率器件的監(jiān)測(cè)方法，如所附權(quán)利要求中所述。
本發(fā)明提供的優(yōu)點(diǎn)是，允許對(duì)傳遞至負(fù)載的功率和從負(fù)載反射的功率獨(dú)立地進(jìn)行控制，在前向和反射功率檢測(cè)端口之間具有高方向性或隔離。
另外，本發(fā)明提供的優(yōu)點(diǎn)是，允許把雙向功率檢測(cè)電路合并到具有小型設(shè)計(jì)封裝的RF功率模塊的分立器件中。具體地，傳輸線的接地面可以被設(shè)置為封裝的一部分，也作為散熱器的一部分，其中所述分立器件裝配在散熱器上或當(dāng)然是分開裝配。這樣，可以利用接合線來實(shí)現(xiàn)感性耦合。
此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是，使功率檢測(cè)器處于分立功率晶體管的封裝內(nèi)表現(xiàn)出良好的耦合行為。可以利用寬范圍的隔離來確定與功率器件相關(guān)的直接功率和反射功率，從而允許對(duì)功率器件進(jìn)行更好和更為精確的控制。
功率檢測(cè)器檢測(cè)到的信號(hào)適用加到偏置控制電路的輸入。因此，可以設(shè)置放大器的最大等級(jí)。
具體地，被設(shè)置用于形成晶體管的輸出阻抗匹配電路的傳輸線是模擬具有特性阻抗Z的四分之一波長(zhǎng)傳輸線的集總元件。這提供的優(yōu)點(diǎn)是，允許實(shí)現(xiàn)比分布式傳輸線更為緊密的設(shè)計(jì)。最適合地，阻抗變換CLC電路的感性元件被設(shè)置為多個(gè)并聯(lián)接合線。這提供的優(yōu)點(diǎn)是，在功率器件的輸出端提供了高品質(zhì)的、靈活的且?guī)缀鯙槔硐氲母行栽?。使用并?lián)接合線和容性組件能夠?yàn)樽儞Q電路提供寬范圍的特性阻抗。另外，這個(gè)變換電路適于用在集成雙向功率檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)中。
優(yōu)選地，‘低通’濾波器電路用作RF功率器件(即晶體管)的輸入。期望借助于這個(gè)低通濾波器的預(yù)匹配能夠?qū)η懊娣糯笃骷?jí)的晶體管的阻抗或甚至是收發(fā)機(jī)IC進(jìn)行匹配。適合的預(yù)匹配電路包括L-C-L拓?fù)?，其中電容器連接在輸入信號(hào)和地之間。電感適于以多個(gè)接合線的形式而內(nèi)嵌。針對(duì)多個(gè)接合線的長(zhǎng)度和數(shù)目進(jìn)行選擇，以對(duì)期望的阻抗和濾波器特性進(jìn)行最優(yōu)化。
若干晶體管彼此并聯(lián)放置、同時(shí)功率晶體管僅與其中一個(gè)晶體管相連是適合的。在功率放大器的應(yīng)用中，期望功率檢測(cè)器提供對(duì)輸出電平的進(jìn)一步調(diào)諧。完全不需要修改功率設(shè)置。結(jié)果，為了最小化損失，適于把功率器件再分為若干個(gè)并聯(lián)的晶體管，其中僅有一個(gè)晶體管被設(shè)置有功率檢測(cè)器以允許進(jìn)一步的調(diào)諧。
功率檢測(cè)器自身與保護(hù)信號(hào)輸出相連也是適合的。保護(hù)信號(hào)輸出適合地為提供反射功率電平的隔離端口。例如，它通過合適選擇的電阻與地相連。
在其它實(shí)施例中，功率晶體管的輸入可以與另一個(gè)功率晶體管的輸出相連。這導(dǎo)致了兩級(jí)放大器。耦合可以在這里延伸，從而不僅能夠調(diào)整主功率晶體管的功率電平，而且如果需要更大的修改還可以對(duì)第一級(jí)的功率電平進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明的第一實(shí)施方式可以是，如果耦合反饋超過了特定的閾值電壓，那么功率控制信號(hào)端口將向第一級(jí)提供信號(hào)。本發(fā)明的第二實(shí)施方式是，存在與第一級(jí)的輸出和第二級(jí)(例如主晶體管)的輸入相連的分立功率檢測(cè)器。


參考下文描述的實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其它方面將會(huì)變得明顯并得以說明。
作為示例，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的功率器件；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的功率器件；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有雙向功率檢測(cè)器的阻抗變換/匹配電路；
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的阻抗匹配電路的等效示意圖；圖5、6、7、8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙向功率檢測(cè)器電路的一些性能特性。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了形成于襯底101上以形成分立封裝的等效功率器件100，例如適于對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行放大的功率器件。
功率器件100包括RF功率晶體管管芯102，例如MOSFET、LDMOST、BJT或HBT器件，管芯102通過預(yù)匹配電路104與功率器件輸入連接器/引線103相連，以允許RF功率晶體管102的阻抗與信號(hào)源的阻抗匹配，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的。
晶體管管芯102的輸出通過輸出阻抗匹配電路106與功率器件輸出連接器105相連，輸出阻抗匹配電路106被設(shè)置為允許把晶體管102的輸出阻抗變換為負(fù)載所需的阻抗，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的。
如下文所述，通過使用集總元件電容和作為感應(yīng)元件的接合線，輸出阻抗匹配電路106被設(shè)置為形成等效的四分之一波長(zhǎng)傳輸線。
雙向功率監(jiān)測(cè)電路107(即被設(shè)置為對(duì)兩個(gè)方向上的功率(直接功率和反射功率)進(jìn)行監(jiān)測(cè)的功率監(jiān)測(cè)電路)與輸出阻抗匹配電路106感性耦合。雙向功率監(jiān)測(cè)電路107被設(shè)置為具有第一端口109和第二端口110。雙向功率監(jiān)測(cè)電路107在第一端口106處提供了經(jīng)過輸出阻抗匹配電路106的一部分前向輸出功率，并且在第二端口110處提供了從負(fù)載(未示出)反射回的一部分功率。
第一端口109與第一檢測(cè)電路111的輸入相連，第一檢測(cè)電路111產(chǎn)生包絡(luò)反饋信號(hào)，以允許對(duì)功率器件100進(jìn)行控制/線性化或功率監(jiān)測(cè)。內(nèi)部控制電路(未示出)或外部控制系統(tǒng)(未示出)可以通過輸出引線112而使用來自第一檢測(cè)電路111的信號(hào)。第二端口110與第二檢測(cè)電路113相連，第二檢測(cè)電路113對(duì)從負(fù)載反射回的部分功率進(jìn)行處理，以產(chǎn)生偏置控制信號(hào)作為功率器件102的輸入。由此，第二檢測(cè)電路113用于防止晶體管102輸出端的過載情況。
如圖2所示，其中相同的參考數(shù)字用于圖1所示的等效元件，預(yù)匹配電路104包括形成于晶體管管芯102上的各個(gè)輸入端口與功率器件輸入連接器103之間的多個(gè)連線。每一個(gè)連線包括通過容性元件203相連的兩個(gè)感性元件201、202，例如接合線。選擇每一個(gè)連線的兩個(gè)感性元件201、202和容性元件203的值，以允許適合的輸入阻抗匹配，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的。
盡管在晶體管管芯102的輸入端口與功率器件輸入連接器103之間的預(yù)匹配電路104中可以使用單一的連線，然而預(yù)匹配電路的當(dāng)前實(shí)施例包括多個(gè)接線或連線(即9條連線)，以克服可能受到輸入信號(hào)功率影響的電流限制，然而，預(yù)匹配電路104可以包括功率器件輸入連接器103與晶體管管芯102的輸入端口之間的任意數(shù)目的接線/連線，這取決于功率器件100的功率需求。
如圖2所示，輸出匹配電路106包括形成于晶體管管芯102的各個(gè)輸出端口與電容204之間的多個(gè)連線(即9條連線)，電容204與功率器件輸出連接器105相連。
圖3中更加清楚地示出輸出匹配電路106包括9條并聯(lián)接合線301，其中每一條接合線301的一端與功率晶體管管芯102的輸出金屬條302相連，它用作寄生電容器，由此形成參考為地的第一電容310。多個(gè)接合線301的另一端與電容器204的金屬條309相連，從而形成參考為地的第二電容311。如上所述，電容器204與功率器件輸出連接器105相連。
晶體管管芯102的寄生電容310(在這個(gè)實(shí)施例中為10pF)用作模擬四分之一波長(zhǎng)傳輸線的集總元件的第一電容，其中模擬四分之一波長(zhǎng)傳輸線的集總元件用作輸出阻抗匹配電路106。寄生電容310的頂部還用作輸出阻抗匹配電路106的第一端口。
另外，與晶體管管芯102相關(guān)的安裝元件(未示出)被設(shè)置在封裝凸緣(未示出)上，其中封裝凸緣的頂層位于接合線301之下并用作向輸出信號(hào)提供返回路徑的傳輸線的地面，然而，可以使用任意適合的接地點(diǎn)。
對(duì)第二電容311進(jìn)行設(shè)置，以形成具有與晶體管管芯102的第一電容310近似電容值(即10pF)的電容，其中第二電容311的金屬條309形成了輸出阻抗匹配電路106的第二端口。
照此，對(duì)輸出阻抗匹配電路106進(jìn)行設(shè)置，以形成與四分之一波長(zhǎng)(即90°)傳輸線等效的集總元件，在這個(gè)實(shí)施例中表示為6歐姆的特性阻抗Z0。盡管當(dāng)前實(shí)施例把輸出阻抗匹配電路106示出為具有等效的四分之一波長(zhǎng)傳輸線，然而輸出匹配電路106可以被設(shè)置為具有實(shí)質(zhì)上等于90度或?yàn)?0度的奇數(shù)倍的傳輸線。
對(duì)于當(dāng)前實(shí)施例，通過0.33mm的間距提供了形成輸出阻抗匹配電路106的多個(gè)接合線301之間的互感耦合，然而，可以使用任意適合的間距。
盡管上面的實(shí)施例示出使用9條并聯(lián)的接合線301，然而，可以使用單一的接合線，使用單一的接合線可能限制最大傳輸RF功率，例如針對(duì)單一的38μm直徑的金接合線來說，電流可能被限制為小于0.6A的平均電流。照此，取決于功率器件100的電流需求，可以使用任意適合數(shù)量的接合線。
與輸出阻抗匹配電路106(即輸出變換電路)的接合線301感性耦合的接合線303被設(shè)置為與下文描述的其它4個(gè)電容304、305、306、307一同形成雙向功率監(jiān)測(cè)電路107(即雙定向耦合器)。
由于雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的接合線303與輸出阻抗匹配電路106的接合線301之間的磁場(chǎng)與每一個(gè)接合線301和接合線303之間的距離的二次方成反比，所以雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的接合線303與輸出阻抗匹配電路106的接合線之間出現(xiàn)的感性耦合主要出現(xiàn)在緊密的接合線301、303之間。
雙向功率監(jiān)測(cè)電路107由接合線303形成，接合線303與作為集總元件傳輸線一部分的接合線301并聯(lián)放置，以允許感性耦合，其中雙向功率監(jiān)測(cè)電路接合線303的一端被設(shè)置在第一焊盤307，而第一焊盤307被設(shè)置在與晶體管管芯102的輸出端形成的金屬條302相鄰的位置。接合線303的另一端被設(shè)置在第二焊盤308上，而第二焊盤308被設(shè)置在與電容204的金屬條309相鄰的位置。第二焊盤308用作例如特性阻抗Z0為25歐姆的雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的第三端口，而第一焊盤312用作例如特性阻抗Z0為25歐姆的雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的第四端口。
照此，形成集總元件阻抗轉(zhuǎn)換電路106的多個(gè)接合線301與雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的接合線303之間的互感耦合以及相關(guān)的電容304、305、306、307導(dǎo)致形成了反射功率檢測(cè)端口(即第三端口)和前向功率檢測(cè)端口(即第四端口)。
使用位于晶體管管芯102的輸出端形成的金屬條302附近的第一焊盤312導(dǎo)致形成了4個(gè)電容器304、305、306、307中的兩個(gè)電容器，第一焊盤307與晶體管輸出金屬條302之間的一個(gè)電容器304例如具有電容為0.98pF，而第一焊盤307與地(即參考電壓)之間的第二電容器305例如具有電容為2.15pF。使用位于電容204的金屬條309附近的第二焊盤308導(dǎo)致形成了4個(gè)電容器304、305、306、307中另外兩個(gè)電容器，第二焊盤308與電容204的金屬條309之間創(chuàng)建的一個(gè)電容器306例如具有電容為0.98pF，而第二焊盤308與地之間的另一個(gè)電容器307例如具有電容為2.15pF。
這提供了如下優(yōu)點(diǎn)用于監(jiān)測(cè)功率元件100的提供功率和反射功率的裝置具有小型化設(shè)計(jì)，而且在直接路徑與反射路徑之間具有高指向性。
圖4示出了輸出匹配電路106和雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的等效電路，針對(duì)頻帶1.6至2.6GHz被設(shè)置為提供反射功率和直接功率之間小于22dB的隔離。
根據(jù)功率器件的輸出Pout除以接合線的個(gè)數(shù)，可以估計(jì)每個(gè)單一的傳輸線接合線P_bw上傳輸?shù)墓β?，即P_bw＝Pout/n。
因此，雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的輸出端口的功率Pcoup(即端口4)可以被估計(jì)為Pcoup＝Pout/n/0.5C其中C是表示第二和第四端口之間的功率分配比的系數(shù)。
雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的第三端口(也被稱作隔離端口)表示從附加到功率器件輸出端的負(fù)載所反射的功率部分。
如上所述，第三端口與圖1所示的輸出失配檢測(cè)和保護(hù)電路113相連，以允許對(duì)直接和反射功率之間的失配進(jìn)行測(cè)量，從而允許對(duì)晶體管的偏置進(jìn)行調(diào)整以避免在失配變得過大時(shí)對(duì)晶體管管芯102造成損害。其優(yōu)點(diǎn)是，允許快速識(shí)別功率失配，并采取預(yù)防性動(dòng)作以避免損害，例如允許調(diào)整晶體管偏置或修改輸出阻抗匹配電路106以改進(jìn)阻抗匹配條件。
第四端口與圖1所示的包絡(luò)檢測(cè)和反饋信號(hào)電路111相連，以允許根據(jù)第四端口所提供的信息而進(jìn)行功率監(jiān)測(cè)、或例如對(duì)功率器件100進(jìn)行線性化，從而允許例如根據(jù)功率需求而對(duì)晶體管102的最佳功率輸出進(jìn)行設(shè)置。例如，在與無線電話(未示出)一同使用時(shí)，功率器件可以用于根據(jù)信號(hào)需求(例如與基站(未示出)的距離)而控制傳輸RF信號(hào)，從而允許對(duì)無線電話的功率需求進(jìn)行最優(yōu)化。同樣，功率器件100可以用于其它RF傳輸系統(tǒng)中，例如基站(未示出)。
作為示例，針對(duì)上文描述的具有指定的電容和電感值的功率器件100，圖5、6、7和8示出了雙向功率監(jiān)測(cè)電路107的典型頻率響應(yīng)。
圖5示出了一定頻率范圍上的端口3和端口4處的典型插入返回?fù)p失(IRL、S11)。返回?fù)p失中存在一個(gè)焦點(diǎn)(focus)，示出了接合線106(第一端口的輸出信號(hào))與接合線107(從第三端口至第四端口的功率監(jiān)測(cè)信號(hào))之間恰好發(fā)生了大致期望的頻率耦合。
圖6示出了從端口1至端口2和端口4的功率指向性(功率晶體管輸出)?？梢钥闯?，S14大于-13dB。這對(duì)應(yīng)于從端口1至端口2的信號(hào)的大約5％，而且對(duì)應(yīng)于第二端口處0.25dB的功率損失，這個(gè)功率損失大約是端口1處功率的6％。這個(gè)功率損失可以被接受，與耦合器有關(guān)的通常規(guī)則期望具有小于0.50dB的損失。此外它示出了這樣的優(yōu)點(diǎn)，即允許對(duì)傳遞至負(fù)載的功率和從負(fù)載反射的功率獨(dú)立地進(jìn)行控制，在前向和反射功率檢測(cè)端口之間具有高指向性或隔離。當(dāng)然，這是在與放大信號(hào)一同工作時(shí)的重要標(biāo)準(zhǔn)。另一點(diǎn)是，S14圖表很寬，這意味著它可以在寬頻率范圍內(nèi)使用，因而可以用于寬帶應(yīng)用。然而通常，耦合器的帶寬大于放大器的帶寬。
圖7示出了端口3與端口4之間的典型隔離(S34)。這里存在某些頻率依賴，但這是線性的且不是很強(qiáng)(在-28和-22dB之間)。結(jié)果，可以對(duì)返回信號(hào)和噪聲進(jìn)行區(qū)分。
圖8示出了端口的特性阻抗與頻率的關(guān)系。圖5、6、7和8的x軸以GHz表示頻率，而y軸表示dB。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，上面提供的電感器和電容器的值是示例性的，由此，可以使用任意適合的值以提供所需的不同RF特性。
權(quán)利要求
1.一種功率器件(100)，包括-晶體管(102)；-傳輸線(106)，被設(shè)置為形成晶體管(102)的輸出匹配電路；以及-定向耦合器(107)，與傳輸線(106)感性耦合，以形成晶體管(102)的功率檢測(cè)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件(100)，其中，功率檢測(cè)器是定向雙向RF功率檢測(cè)器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件(100)，其中，定向耦合器(107)是集總元件感性電容耦合器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件(100)，其中，傳輸線(106)是模擬四分之一波長(zhǎng)傳輸線的集總元件電容感性電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率器件(100)，其中傳輸線(106)的感性元件(301)是與第一端口的第一電容(310)相連、并與第二端口的第二電容(3311)相連的接合線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率器件(100)，其中，傳輸線(106)的感性元件(301)是多條接合線。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率器件(100)，其中，定向耦合器(107)的感性元件(303)是與第三端口的第三電容(306)和第四電容(307)相連、并與第四端口的第五電容(304)和第六電容(305)相連的接合線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件(100)，其中定向耦合器(107)的第三端口被設(shè)置為提供經(jīng)過傳輸線(106)而傳遞給負(fù)載的功率的指示。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件(100)，其中定向耦合器(107)的第三端口被設(shè)置為提供從負(fù)載耦合到傳輸線(106)的反射功率的指示。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件(100)，其中第四端口被設(shè)置為提供偏置控制電路(111)的輸入，以控制晶體管(102)的偏置。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率器件(100)，其中第一電容器(310)是晶體管(102)的寄生輸出電容。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件(100)，其中傳輸線(106)被設(shè)置為提供工作頻率上的信號(hào)的相移，該相移實(shí)質(zhì)上等于90度或?yàn)?0度的奇數(shù)倍。
13.一種具有晶體管(102)的功率器件(100)的電路，所述電路包括傳輸線(106)，被設(shè)置為形成晶體管(102)的輸出匹配電路；以及定向耦合器(107)，與傳輸線(106)感性耦合，以形成晶體管(102)的功率檢測(cè)器。
14.一種RF傳輸設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的功率器件(100)。
15.一種無線電話，包括根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的功率器件(100)。
16.一種基站，包括根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的功率器件(100)。
17.一種用于監(jiān)測(cè)具有晶體管(102)的功率器件(100)的方法，傳輸線(016)被設(shè)置為形成晶體管(102)的輸出匹配電路，而定向耦合器(017)與傳輸線(106)感性耦合，以提供從與功率器件(100)相連的負(fù)載反射的功率的指示，所述方法包括-提供從負(fù)載至偏置控制電路(111)的反射功率的指示，以允許對(duì)晶體管(102)的偏置進(jìn)行監(jiān)測(cè)。
全文摘要
一種RF功率器件，包括晶體管和小型阻抗變換電路，其中變換電路包括集總元件CLC模擬傳輸線和相關(guān)的嵌入式定向雙向RF功率檢測(cè)器，該檢測(cè)器與傳輸線感性耦合，以提供獨(dú)立的和高指向性的直接功率和反射功率檢測(cè)。
文檔編號(hào)H01P5/18GK101084622SQ200580043625
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2005年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月21日
發(fā)明者伊戈?duì)枴げ既R德諾夫 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司