專利名稱：：納米模塑方法納米模塑方法發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及納米模塑(nano-molding)方法。
背景技術(shù)：
：用于制造具有納米尺寸的結(jié)構(gòu)的新型技術(shù)對(duì)納米科學(xué)和技術(shù)中的進(jìn)展是至關(guān)重要的。由于對(duì)更小電子設(shè)備和生物分析裝置的需要已經(jīng)增加，所以產(chǎn)生了對(duì)用于制造此類設(shè)備的改進(jìn)的制造方法的需要。該方法可以用于電子、磁性、機(jī)械和光學(xué)設(shè)備，以及用于生物和化學(xué)分析的設(shè)備的制造。該方法可以用于，例如，限定微型電路的特征和結(jié)構(gòu)，以及光波導(dǎo)和部件的結(jié)構(gòu)和操作特征。這些方法還可以在半導(dǎo)體工業(yè)中發(fā)揮重要作用，替代常規(guī)的投影模式光刻法，該投影模式光刻法的實(shí)際極限使得不可能達(dá)到小于45納米的尺寸下的分辨率。投影模式光刻法是構(gòu)圖特征的方法，其中將光致抗蝕劑的薄層施加到基材表面并將該抗蝕劑的所選部分暴露于光的圖案下。然后將該抗蝕劑顯影以使用于進(jìn)一步加工例如蝕刻的曝光過的基材的所需圖案顯露。該方法的困難是分辨率受在該抗蝕劑和基材中散射的光的波長和該抗蝕劑的厚度和性能限制。結(jié)果，投影模式光刻法不能用來經(jīng)濟(jì)地產(chǎn)生小于ioo納米的特征尺寸。正在探索包括電子束、蘸水筆(dippen)和納米壓印(nano-imprint)技術(shù)的下一代石印(NGL)方法。電子束方法包括在稱作抗蝕劑的聚合物中產(chǎn)生圖案，并使用基于短波長UV輻射或電子束的顯微石印(microlithography)。由于暴露在成像輻射下聚合物的溶解度變化，使用溶劑除去該聚合物膜的一部分而形成圖案。然而，使用這些技術(shù)商業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)長度標(biāo)度小于100nm的尺寸是昂貴的并且可能使用非常特殊的成像工具和材料來進(jìn)行。NGL技術(shù)中，使用塑模將特征壓印到薄聚合物膜中的那些4已經(jīng)引起相當(dāng)多的注意。雖然與光刻技術(shù)相關(guān)聯(lián)的明確定義的光學(xué)器件使它們的分辨率得到精確規(guī)定成為可能，但是基于納米模塑的NGL的分辨率極限確定起來難得多。支配模塑方法的不確定的聚合物物理性質(zhì)和沒有可靠的方法來評(píng)價(jià)長度小于5納米下的分辨率代表對(duì)目前技術(shù)的一些限制。因此，本領(lǐng)域中需要一種納米模塑方法，該方法解決上述問題并且能夠用來生產(chǎn)具有小于10納米的橫向和垂直尺寸的浮雕結(jié)構(gòu)(reliefstructure)。本領(lǐng)域中還需要這樣一種方法，該方法j吏檢驗(yàn)由該方法生產(chǎn)的部件上的尺寸成為可能。發(fā)明概述納米模塑方法，包括復(fù)制小于7納米的特征尺寸(featuressizes)的壓印方法。該納米模塑方法生產(chǎn)小于2納米的所復(fù)制的特征的線邊緣粗糙度。該納米模塑方法包括以下步驟a)形成其上形成有納米級(jí)(nano-scale)特征的第一基材，b)將至少一種聚合物澆鑄到該基材上，c)將該至少一種聚合物固化從而形成塑模，d)從該第一基材上移去該塑模，e)提供其上施加有模塑材料的第二基材，f)將該塑模壓靠到該第二基材上從而使該模塑材料與該塑模的形狀一致，g)將該模塑材料固化，和h)從該具有固化的模塑材料的第二基材上移去該塑模，從而露出第一基材的復(fù)制物。附圖簡述圖l是本發(fā)明的納米模塑方法的圖示；圖2(a-d)是第一基材的單壁碳管的原子力顯微圖像(a)和由本發(fā)明的方法生產(chǎn)的三個(gè)獨(dú)立的復(fù)制物的原子力顯微圖像(b-d);圖3(a-c)包括由本發(fā)明的方法形成的復(fù)制物的原子力顯微圖像(a)和兩個(gè)透射電子顯微鏡圖像，一個(gè)是由本發(fā)明的方法形成的復(fù)制物(b)，和第一基材的單壁碳管(c);圖4(a-h)包括在與直徑為2、1.3和0.9納米的各個(gè)碳納米管相聯(lián)系的模塑材料中形成的特征的高度曲線圖(a)，復(fù)制物上特征的長度平均高度作為單壁碳納米管直徑的函數(shù)的曲線圖(b)，直徑為2、1.3和0.9的各個(gè)碳納米管的原子力顯微圖像(c-e)，和與直徑為2、1.3和0.9的各個(gè)碳納米管相聯(lián)系的復(fù)制物的原子力顯農(nóng)史圖像(f-h)。優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明的納米模塑方法的圖示。該方法包括以下步驟a)形成其上形成有納米級(jí)特征的第一基材，b)向該第一基材澆鑄至少一種聚合物，c)將該至少一種聚合物固化從而形成塑模，d)從該第一基材上移去該塑模，e)提供其上施加有模塑材料的第二基材，f)使該塑模壓靠該第二基材從而使該模塑材料與該塑模的形狀一致，g)將該模塑材料固化，和h)從該具有固化的模塑材料的第二基材上移去該塑模從而露出該第一基材的復(fù)制物。在本發(fā)明的優(yōu)選方面，該第一基材是其上形成了單壁碳納米管(SWNT)的硅晶片。該硅晶片可以包括其上形成的二氧化硅(Si02)層以促進(jìn)該SWNT的粘附和形成。該第一基材還可以包括其它材料，例如用電子束石印術(shù)、X射線石印術(shù)制成的塑模，或在塑料片材上的生物材料。該第一基材優(yōu)選包括小直徑SWNT的高質(zhì)量亞單層(sub-monolayers)，其充當(dāng)納米塑模可以由其構(gòu)造的模板。該管的圓柱形橫截面和高的長徑比、它們的尺寸在許多微米長度上的原子尺寸均勻性、它們的化學(xué)惰性和在基材范圍上的大面積上大量生長或沉積的能力使得所述SWNT適合用于本發(fā)明的方法?？梢允褂没诩综幕瘜W(xué)氣相沉積并使用較高濃度的鐵蛋白催化劑形成SWNT。所形成的SWNT可以具有0.5-10nm的直徑，并且優(yōu)選具有0.5-5nm的直徑和在Si02/Si晶片上的1-10個(gè)管/m2的覆蓋度。該管的直徑的連續(xù)范圍和它們較高但為亞單層的覆蓋度使得它們對(duì)于評(píng)價(jià)分辨率或尺寸極限是理想的。SWNT的圓柱形幾何形狀使它們的尺寸可簡單地通過它們高度的原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量值表征。該SWNT通過范德華粘合力與Si02/Si晶片結(jié)合，當(dāng)如下面將更詳細(xì)討論那樣將固化的聚合物塑模剝離時(shí)，該范德華粘合力以足夠的強(qiáng)度將該SWNT與該基材結(jié)合以防止它們的移去。優(yōu)選地，該SWNT在大區(qū)域上沒有聚合物殘余，從而使復(fù)制該第一基材上形成的高分辨率特征成為可能。缺少聚合物殘余表明該塑模不污染母體(master),因此塑模中的特征起因于真實(shí)的復(fù)制而不是材料破壞。任選地，在該第一基材上形成的SWNT可以包括其上施加的硅烷層，以充當(dāng)脫模劑，從而防止用來形成第一基材的塑模的聚合物粘附。在形成該第一基材后，向該第一基材澆鑄至少一種聚合物并且固化以形成塑模。在本發(fā)明的優(yōu)選方面，該塑模是具有多個(gè)聚合物層的復(fù)合塑模。向該第一基材施加的第一層是基于聚二甲基硅氧烷的較高模量(~lOMPa)彈性體(h-PDMS)。該h-PDMS優(yōu)選通過將乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷、1，3，5,7-四乙烯基-1，3，5,7-四甲基環(huán)四硅氧烷和鉑催化劑混合來制備。接下來，添加甲基氫硅氧烷-二甲基硅氧烷并混合，從而形成h-PDMS的預(yù)聚物混合物。該h-PDMS的預(yù)聚物混合物可以通過旋轉(zhuǎn)澆鑄(spincasting)或者通過在該第一基材上沉積該h-PDMS的預(yù)聚物混合物來澆鑄。通過鉑催化劑使該h-PDMS的預(yù)聚物混合物部分地固化，該鉑催化劑引起SiH鍵加成到該h-PDMS的預(yù)聚物混合物中的乙烯基間，從而形成SiCH2-CH2-Si鍵(亦稱氫化硅烷化)。該h-PDMS的預(yù)聚物混合物中基料(base)和交聯(lián)低聚物兩者上的多個(gè)反應(yīng)部位使3D交聯(lián)成為可能，從而阻止鍵接原子之間的相對(duì)移動(dòng)。該h-PDMS的預(yù)聚物混合物的低粘度(在室溫下為~1000cP)和有機(jī)硅骨架的順應(yīng)性使微細(xì)特征的復(fù)制成為可能。然后將第二聚合物施加到部分固化的h-PDMS層的背面。優(yōu)選地，將物理上韌性、低模量的P固S(s-PDMS)層施加到部分固化的h-PDMS層上以使該塑才莫易于處理。在本發(fā)明的優(yōu)選方面，該s-PDMS是可從DowCorningCorporation商購的Sylgard184。在施加s-PDMS層之后，可以將第一基材上的多個(gè)聚合物層完全固化以形成復(fù)合塑模。在塑模的形成之后，將模塑材料施加到將該塑模壓到其上的第二基材上，從而使該模塑材料與該塑模的形狀一致。該第二基材優(yōu)選是Si02/Si晶片，如前面關(guān)于第一基材所述。也可以使用其它材璃板或其它適合充當(dāng)基材目的的材料。該模塑材料可以是預(yù)聚物、單體或任何能夠用該復(fù)合塑才莫模塑的聚合物，并且具有用于分析的必要特性。優(yōu)選地，該模塑材料是聚氨酯預(yù)聚物(PU)，更優(yōu)選光固化性或紫外線固化性PU聚合物。此外，該模塑材料可以是聚丙烯酸(PAA)，它能夠通過TEM成像分析。該P(yáng)U制劑優(yōu)選包括預(yù)聚物、擴(kuò)鏈劑、催化劑和粘合促進(jìn)劑。輕輕地將該塑模壓靠這層引起該液態(tài)PU預(yù)聚物流動(dòng)并順應(yīng)塑模上的浮雕特征。讓光通過該透明的塑模使PU經(jīng)歷擴(kuò)鏈和交聯(lián)從而產(chǎn)生肖氏D硬度在60范圍內(nèi)的固化PU。在該模塑材料的固化之后，移去塑模以露出形成于該第一基材上的特征的復(fù)制物。該P(yáng)U表面的直接AFM表征以原子尺寸精度揭示壓印的浮雕的垂直尺寸。如上面概括那樣，該固化優(yōu)選是光固化，盡管其它固化技術(shù)也可以被本發(fā)明的方法使用。圖2示出了施加到第一基材上的SWNT和三種不同PU結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)區(qū)域的AFM圖像，所述PU結(jié)構(gòu)是用源自第一基材或母體的單一塑模壓印的。定性地，數(shù)據(jù)表示本發(fā)明的方法精確地復(fù)制與SWNT相聯(lián)系的納米級(jí)特征，甚至對(duì)于多個(gè)壓印周期來說仍如此。在該第一基材上的Y形的SWNT聯(lián)結(jié)，以及較小的管片段都可在每個(gè)PU樣品中見到。從該"Y"結(jié)構(gòu)(圖2插圖)的較低的左支收集的線掃描表明壓印的浮雕特征具有與母體上的那些相似的高度。這些特征的橫截面形狀中的一些明顯的扭曲可能歸因于與模塑的PU的表面上的粗糙度有關(guān)的AFM后生物。這一粗糙度具有對(duì)于復(fù)制物1為0.37認(rèn)，和對(duì)于復(fù)制物2和復(fù)制物3為0.4認(rèn)的均方根幅度(由AFM測(cè)定)。與該粗糙度相聯(lián)系的最大峰-谷高度變化在~1.5nm的范圍內(nèi)。由AFM獲得的圖像僅精確地揭示浮雕特征的高度。透射電子顯微術(shù)(TEM)能夠測(cè)定它們的寬度。為該目的壓印聚丙烯酸(PAA)而不是PU，因?yàn)镻AA是公認(rèn)的用于TEM分析的聚合物。圖3a表示用用于圖2的結(jié)果的相同PDMS塑模壓印的PAA層在相同區(qū)域中測(cè)定的AFM圖像。復(fù)制精度、特征的高度、表面粗糙度及其它性能與PU中觀8察的那些相似。在壓印的PAA上沉積(與PAA的表面成30度)Pt/C(以提供TEM中的對(duì)比)和然后C(以正入射，以提供Pt的結(jié)構(gòu)支撐)，然后用水溶解該P(yáng)AA產(chǎn)生浮雕結(jié)構(gòu)的Pt/C膜復(fù)制物。為了對(duì)比，通過將Si02層(用H20中的2%HF)蝕刻掉以使該復(fù)制物脫離而從SWNT母體制備類似的Pt/C復(fù)制物。圖3示出了兩類復(fù)制物的TEM圖像。沿著管特征的暗和亮條紋分別表示金屬聚集(build-up)和陰影的區(qū)域。最暗和最亮區(qū)域之間的間距近似定義特征的寬度。通過分析所研究的浮雕特征的直線長度(50nin)上平均的圖像的線掃描來測(cè)定該間距。以這種方式由壓印的PAA和SWNT母體測(cè)定的輪廓顯示類似的形狀。在這兩種情形下，觀察到3nm至10nm的寬度范圍。小于3nm的寬度難以測(cè)定，這至少部分歸因于Pt/C的表觀粒度(~lnm)。復(fù)制物的TEM數(shù)據(jù)與母體的尺寸和橫截面形狀一致。從圖2-4給出的AFM和TEM圖像可以看出，母體上直徑大于2.5nm的SWNT可靠地在復(fù)制物中作為連續(xù)復(fù)制的特征出現(xiàn)。然而，這些特征的高度沿著它們的長度從約等于母體上SWNT的高度的最大值變化到最小值，該最小值與減去了與峰-谷表面粗糙度相當(dāng)?shù)闹档脑摳叨认喈?dāng)。該粗糙度在限制分辨率的聚合物物理性質(zhì)中起作用并且是該聚合物物理性質(zhì)的指示。該粗糙度，包括線邊緣粗糙度和峰-谷粗糙度導(dǎo)致斷裂，或明顯缺失的部分的產(chǎn)生，它們?cè)谂c直徑〈2nm的SWNT相聯(lián)系的浮雕特征的AFM圖像中開始出現(xiàn)，如圖4中所示。在本發(fā)明的優(yōu)選方面，該線邊緣粗糙度和表面粗糙度小于2納米。對(duì)于l-2nm直徑SWNT,這些斷裂表示壓印的結(jié)構(gòu)的總長度的相當(dāng)大部分。小于lnm，僅有小部分的復(fù)制結(jié)構(gòu)是可見的，如圖4a中所示。然而，即使在~1認(rèn)尺度下，仍然可能通過將沿著特征的長度收集的AFM線切割(cuts)平均來鑒定復(fù)制的浮雕，如圖4b中所示。分辨率極限可以通過將作為SWNT直徑函數(shù)的位置平均的浮雕高度繪圖來總結(jié)，如圖4a-e中所示。極限分辨率與預(yù)聚物(PDMS、PU或PAA)順應(yīng)表面(母體或PDMS塑模)的能力和聚合物(PDMS、PU或PAA)保持模塑的形狀的能力相關(guān)。三個(gè)數(shù)椐片表明PDMS塑模限制分辨率。首先，模塑的浮雕特征中的斷裂(圖4f-h中所示)通常在多個(gè)模塑周期中的相同位置上發(fā)生。其次，不相似的聚合物(即PU和PAA)中壓印的結(jié)構(gòu)具有類似的表面粗糙度和浮雕高度分布。第三，在棵露的氟化Si02/Si晶片上模塑的PU產(chǎn)生的表面粗糙度(0.19nm)比用源自這些相同晶片的平坦PDMS塑模產(chǎn)生的表面粗糙度小。對(duì)于極高分辨率的特征，存在至少兩種重要的影響復(fù)制物分辨率極限的長度尺寸(i)交聯(lián)點(diǎn)之間的平均距離，其對(duì)于h-PDMS大約為~1認(rèn)，和(ii)化學(xué)鍵長度，其在O.2nm的范圍內(nèi)。使用不同PDMS聚合物的上述長度尺寸和特征的分辨率極限的相關(guān)性在表1中給出。雖然難以將觀察到的粗糙度和分辨率極限指定給PDMS的特定分子特征，但交聯(lián)點(diǎn)的密度可能是重要參數(shù)。交聯(lián)點(diǎn)之間的平均分子量(Mc)和交聯(lián)點(diǎn)之間的距離(D)如下測(cè)定將樣品在甲苯中溶脹并應(yīng)用Flory-Huggins理論。表1匯總Mc和D值，和對(duì)于h-PDMS、這一材料的低交聯(lián)點(diǎn)密度變型(hl-PDMS)和可商購的低模量PDMS(s-PDMS)的試驗(yàn)分辨率極限和粗糙度參數(shù)。這三種材料顯示分辨率和交聯(lián)點(diǎn)密度之間的定性相關(guān)性。它們還表明分辨率和粗糙度是相關(guān)的；兩者都受聚合物鏈的順應(yīng)性和交聯(lián)聚合物保持模塑形狀的能力影響。通過增加h-PDMS中的交聯(lián)點(diǎn)數(shù)目來改進(jìn)分辨率的嘗試失敗，這歸因于所得材料粘到SWNT第一基材上的傾向。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>實(shí)施例將以下實(shí)施例程序用來生產(chǎn)圖2-4中分析和顯示的納米模塑制品。碳納米管母體的制備用具有100nm厚的Si02層(熱生長)的硅晶片提供SWNT生長的基材。將用去離子水以1:1000的體積比稀釋的鐵蛋白催化劑(Aldrich)澆鑄到該晶片上。然后立即將該晶片放入800。C的石英管加熱爐中2分鐘，接著在900t:下用氫氣吹掃l分鐘。讓曱烷(5Q0標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘(sccm))和氫氣("sccm)在900。C下流過該石英管IO分鐘以使該SWNT生長。形成塑模將SWNT/Si02/Si母體連同100juL的(十三氟-l，1，2，2-四氬辛基)-l-三氯珪烷(UnitedChemicalTech)—起放入真空室中2hr。所得的硅烷層(單層或亞單層覆蓋度是預(yù)期的)防止PDMS對(duì)棵露Si02的粘附。如下制備h-PDMS(Gelest，Inc):將3.4g的(7-8%乙烯基甲基硅氧烷)(二甲基硅氧烷)、100|^徑的(1，3，5，7-四乙烯基-1，3，5，7-四甲基環(huán)四硅氧烷)和50jug的鉑催化劑混合并放入真空室中5分鐘。然后添加lg的(25-30%甲基氫硅氧烷)(二甲基硅氧烷)，混合并隨后將所得樣品放回真空中5分鐘。在1000rpm下將該預(yù)聚物混合物旋轉(zhuǎn)澆鑄到SWNT母體上40s，然后在65"C下烘烤4分鐘。然后將通過以10:1的比例混合基料和固化劑而制備的s-PDMS(Sylgard184，DowCorning)倒在h-PDMS上。在65。C下烘烤2hr完成聚合物的固化。典型的厚度對(duì)于h-PDMS是10Mm，對(duì)于s-PDMS是3mm。模塑材料:在9000rpm下將聚氨酯(PU)(NOA73,NorlandProducts)旋轉(zhuǎn)澆鑄到Si02/Si晶片上40s。將塑模放置到該薄膜上并溫和地壓制以確保界面處良好的濕潤。通過塑模將PU暴露在大約19mw/cm2的紫外光(350-380nm;長波紫外線燈，UVP)下lhr，從而將PU固化并使該膜固化。測(cè)定分析通過AFM(Dimension3100，DigitalInstrument)和TEM(Phi1ipsCM200，F(xiàn)EI)進(jìn)行SWNT母體和壓印的PU結(jié)構(gòu)的表征。金屬遮蔽的復(fù)制物的TEM照片在120kV下取得。用來自BudgetSensors的觸頭(tips)(BS-Tap300Al)以輕拍才莫式執(zhí)《亍AFM測(cè)定。該觸頭的共振頻率是300kHz。TEM樣品的制備將數(shù)滴聚丙烯酸(PAA)的甲醇溶液(30wt%)放置到PDMS塑模上。在露天下以該結(jié)構(gòu)放置該樣品，直到甲醇蒸發(fā)(10小時(shí)通常是足夠的)。然后剝離該P(yáng)AA膜，在PAA的表面上留下壓印的納米結(jié)構(gòu)。將該樣品放入熱蒸發(fā)器的真空室中。在30度的仰角下將Pt/C源放置在該樣品上。在該樣品上沉積數(shù)納米Pt/C。隨后，在該樣品上在正入射下將厚度為10nm的碳膜蒸發(fā)。將該樣品浸入DI水中數(shù)小時(shí)直到PAA溶解。然后使Pt/C和碳膜浮在水面上。稍后通過TEM銅絲網(wǎng)收集它們。已經(jīng)以例示性方式描述了本發(fā)明，并且應(yīng)該理解已使用的術(shù)語旨在說明而不是限制。根據(jù)上述教導(dǎo)，本發(fā)明的許多改進(jìn)和改變是可能的。因此，應(yīng)當(dāng)理解在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，本發(fā)明可以按具體描述以外的方式實(shí)踐。權(quán)利要求1.納米模塑方法，包括能夠生產(chǎn)復(fù)制物的壓印方法，其中線邊緣粗糙度小于2納米。2.權(quán)利要求1的納米模塑方法，其中該壓印方法能夠復(fù)制至少一種具有小于7納米的最小橫向尺寸的特征。3.權(quán)利要求1的納米模塑方法，其中材料的由峰-谷表面粗糙度測(cè)定的固有表面粗糙度小于2納米。4.權(quán)利要求2的納米模塑方法，其中材料的由峰-谷表面粗糙度測(cè)定的固有表面粗糙度小于2納米。5.權(quán)利要求1的納米模塑方法，包括以下步驟a)形成其上形成有納米級(jí)特征的第一基材；b)向該第一基材澆鑄至少一種聚合物；c)將該至少一種聚合物固化，從而形成塑模；d)從該第一基材上移去該塑模；e)提供其上施加有模塑材料的第二基材；f)將該塑模壓靠到該第二基材上，從而使該模塑材料與該塑模的形狀一致；g)將該模塑材料固化；h)從該具有固化的模塑材料的第二基材上移去該塑模，從而露出該第一基材的復(fù)制物。6.權(quán)利要求5的納米模塑方法，其中澆鑄和固化該至少一種聚合物的步驟包括以下步驟a)將第一聚合物澆鑄到該第一基材上；b)將該第一聚合物部分地固化；c)將第二聚合物施加到該第一聚合物上；d)將該第一和第二聚合物固化，從而形成復(fù)合塑模。7.權(quán)利要求6的納米模塑方法，其中該笫一聚合物包含h-聚二曱基硅氧烷。8.權(quán)利要求6的納米模塑方法，其中該第二聚合物包含s-聚二曱基硅氧烷。9.權(quán)利要求5的納米模塑方法，其中該第一基材具有尺寸大于2納米的納米級(jí)特征。10.權(quán)利要求9的納米模塑方法，其中該尺寸為2-80納米。11.權(quán)利要求9的納米模塑方法，其中該尺寸為2-7納米。12.權(quán)利要求5的納米模塑方法，其中形成該第一基材的步驟包括在硅晶片上形成單壁碳納米管。13.權(quán)利要求5的納米模塑方法，其中該模塑材料包含光固化性材料。14.權(quán)利要求13的納米模塑方法，其中該光固化性材料選自聚氨酯或乙烯基官能單體。15.權(quán)利要求5的納米模塑方法，其還包括檢驗(yàn)該復(fù)制物的尺寸的步驟。16.權(quán)利要求15的納米模塑方法，其中該檢驗(yàn)步驟包括a)測(cè)量該第一基材上的垂直尺寸；b)測(cè)量該復(fù)制物上的垂直尺寸；c)將該第一基材和復(fù)制物的垂直測(cè)量值進(jìn)行比較。17.權(quán)利要求16的納米模塑方法，其中使用原子力顯微術(shù)測(cè)量該垂直尺寸。18.權(quán)利要求15的納米模塑方法，其中該檢驗(yàn)步驟包括a)測(cè)量該第一基材上的橫向尺寸；b)測(cè)量該復(fù)制物上的橫向尺寸；c)將該第一基材和復(fù)制物的橫向測(cè)量值進(jìn)行比較。19.權(quán)利要求18的納米模塑方法，其中使用透射電子顯微術(shù)測(cè)量該橫向尺寸。全文摘要納米模塑方法，包括復(fù)制小于7納米的特征尺寸的壓印方法。該納米模塑方法生產(chǎn)小于2納米的所復(fù)制的特征的線邊緣粗糙度。該納米模塑方法包括以下步驟a)形成其上形成有納米級(jí)特征的第一基材，b)將至少一種聚合物澆鑄到該基材上，c)將該至少一種聚合物固化，從而形成塑模，d)從該第一基材移去該塑模，e)提供其上施加有模塑材料的第二基材，f)將該塑模壓靠到該第二基材上，從而使該模塑材料與該塑模的形狀一致，g)將該模塑材料固化，和h)從該具有固化的模塑材料的第二基材上移去該塑模，從而露出該第一基材的復(fù)制物。文檔編號(hào)H01L21/00GK101443884SQ200580051576公開日2009年5月27日申請(qǐng)日期2005年9月15日優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日發(fā)明者A·施姆,J·羅杰斯,峰華申請(qǐng)人:陶氏康寧公司;伊利諾伊大學(xué)董事會(huì)