專利名稱：一種天線配置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及天線配置。它們尤其涉及便攜式蜂窩電 話中的天線配置。
背景技術(shù)：
諸如便攜式蜂窩電話之類的電子通信設(shè)備通常包括天線配置以 便發(fā)射和接收電磁波。近些年，天線配置內(nèi)的天線元件數(shù)量已經(jīng)增 加從而使通信設(shè)備能夠通過更多數(shù)量的射頻頻帶進(jìn)行通信。
天線配置可以包括安裝在地平面(通常是該通信設(shè)備的印刷電 路板)上的至少一個(gè)天線元件。由于天線元件和地平面之間的電》茲 耦合，所以天線元件在地平面之上的高度影響該天線元件的帶寬。 特別地，天線元件的帶寬隨天線元件在地平面之上的高度降低而降 低。因而，天線元件在地平面之上的高度通常必須大于最小的閾值
高度以確保合理的帶寬。例如，在移動(dòng)電話中，諸如PIFA或環(huán)形天 線之類的內(nèi)部天線通常將具有最小的閾值高度，該高度根據(jù)要覆蓋 的帶寬而通常大于4mm。因而，天線元件和地平面之間的電》茲耦合 是確定電子通信設(shè)備內(nèi)的天線配置所需空間量的 一個(gè)因素。
如果有多于一個(gè)的天線元件安裝在地平面上，則電磁耦合可以 發(fā)生在天線元件之間。此電磁耦合能夠影響天線元件的阻抗(以及 因此影響諧振頻率)。該問題在包括一個(gè)或多個(gè)可移動(dòng)天線元件的 通信設(shè)備中尤其尖銳。當(dāng)前，對(duì)該問題的一個(gè)解決方案是在物理上 盡可能大地分開天線元件。然而，與此解決方案相關(guān)的一個(gè)劣勢是 增加了天線配置的大小。對(duì)該問題的另一個(gè)解決方案是提供附加的 電子電路以最小化電磁耦合的影響。附加電路的一個(gè)示例是隔離器， 該隔離器可以用于最小化作用于所連接通信電路的天線阻抗變化影響。隔離器通常定位在功率放大器和天線元件之間以防止不希望的 信號(hào)影響發(fā)射器輸出。然而，與該附加電路相關(guān)的一個(gè)劣勢是其可 能增加損耗，從而導(dǎo)致增加功耗。與附加電路相關(guān)的另一個(gè)劣勢是 其可能增加電子通信設(shè)備的成本。
因而，希望提供一種可替換的天線配置。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供一種天線配置，包括具有 一個(gè)或多個(gè)表面的第一天線元件；以及層壓(laminate)衰減器，其 定位于鄰近該第一天線元件的至少一個(gè)表面的一部分，其中配置層 壓衰減器用于對(duì)預(yù)定射頻電磁波進(jìn)行衰減。
該天線配置可以進(jìn)一步包括地平面，其中層壓衰減器可以定位 在第一天線元件和地平面之間。
第一天線元件可在至少第一工作頻帶中工作并且可以配置層壓 衰減器以衰減具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。
層壓衰減器可以包括多個(gè)薄片，其中至少一個(gè)薄片可以包括金屬。
層壓衰減器可以包括換能器，配置換能器以將具有第一工作頻 帶內(nèi)頻率的電磁波轉(zhuǎn)換為具有第 一 工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。
層壓衰減器可以包括多個(gè)薄片。換能器可以定位在第一天線元
件和多個(gè)薄片之間。
層壓衰減器可以包括第 一材料和第二材料，交替地配置第 一材 料和第二材料以形成多個(gè)薄片。第 一材料和第二材料可以具有基本 上不同的聲阻抗。
多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片可以具有等于聲波波長的四分之一的厚度。
多個(gè)薄片中的至少一個(gè)可以包括金屬。 換能器可以包括壓電材料。
天線配置可以進(jìn)一步包括第二天線元件，該第二天線元件可在至少第二工作頻帶中工作?？梢耘渲脤訅核p器以衰減具有第二工 作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。
層壓衰減器可以包括換能器，配置該換能器以將具有第二工作 頻帶內(nèi)頻率的電磁波轉(zhuǎn)換為具有第二工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。
層壓衰減器可以包括多個(gè)薄片，該多個(gè)薄片定位于鄰近第一天 線元件。該換能器可以定位于鄰近多個(gè)薄片，遠(yuǎn)離第一天線元件。
層壓衰減器可以包括第一材料和第二材料，交替地配置第一材 料和第二材料以形成所述多個(gè)薄片。第 一材料和所述第二材料可以
具有基本上不同的聲阻抗。
多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片可以具有等于聲波波長的四分之一的厚度。
換能器可以包括壓電材料。
層壓衰減器可以定位于鄰近第一天線元件的每個(gè)表面。
第一天線元件可在至少第一工作頻帶中工作。該天線配置可以 包括其他層壓衰減器，其他層壓衰減器定位于鄰近第一天線元件的 至少一個(gè)表面的一部分?？梢耘渲闷渌麑訅核p器以衰減具有第一 工作頻帶內(nèi)頻率的電；茲波。
該天線配置可以進(jìn)一步包括地平面。其他層壓衰減器可以定位 在第一天線元件和地平面之間。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備 包括之前段落中所述的天線配置。
根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，提供一種方法，用于形成天線配
置，該方法包括提供具有一個(gè)或多個(gè)表面的第一天線元件；將層 壓衰減器定位于鄰近第一天線元件的至少一個(gè)表面的一部分，其中 配置層壓衰減器以衰減預(yù)定的射頻電磁波。
根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式，提供一種在天線配置中對(duì)層壓衰 減器的使用，該層壓衰減器包括第一材料和第二材料，交替地配 置第一材料和第二材料以形成多個(gè)薄片，第一材料和第二材料具有 基本上不同的聲阻抗。


為了更好地理解本發(fā)明，現(xiàn)在將僅通過示例的方式參考附圖，
其中
圖1示出了包括天線配置的無線收發(fā)器設(shè)備的示意圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的天線配置的示意性側(cè)視
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的天線配置的示意性側(cè)視
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的天線配置的示意性俯視
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的天線配置的示意性側(cè)視 圖；以及
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的天線配置的示意性側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
附圖示出了天線配置12,其包括具有一個(gè)或多個(gè)表面24的第 一天線元件18;以及層壓衰減器26，其定位于鄰近第一天線元件18 的至少一個(gè)表面24的一部分，其中配置該層壓衰減器26用于衰減 預(yù)定的射頻電磁波。
更詳細(xì)地，圖1示出了諸如移動(dòng)蜂窩電話、蜂窩基站、其他無 線通信設(shè)備或用于此類設(shè)備的模塊之類的無線收發(fā)器設(shè)備10的示意 圖。該無線收發(fā)器設(shè)備10包括天線配置12、連接至天線配置12的 無線收發(fā)器電路14以及連接至無線收發(fā)器電路14的功能電路16。 在無線收發(fā)器設(shè)備IO是移動(dòng)蜂窩電話的實(shí)施方式中，功能電路16 包括處理器、存儲(chǔ)器和諸如麥克風(fēng)、揚(yáng)聲器和顯示器之類的輸入/輸 出設(shè)備。通常提供無線收發(fā)器電路14和功能電路16的電子組件經(jīng) 由印刷電路板(PWB)互連。PWB可以用作天線配置12的地平面。
參考圖2，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，天線配置12包括經(jīng)由饋線22耦合到地平面20的天線元件18。層壓衰減器26位于天線元 件18和地平面20之間以減小天線元件18和地平面20之間的電石茲 耦合。減少電》茲耦合可以將天線元件18與地平面20隔離開來，并 且從而當(dāng)天線元件18在給定地平面20之上的高度時(shí)增加天線元件 18的帶寬。
更詳細(xì)地，天線元件18的形狀在此實(shí)施方式中是條形，^v而簡 化了本發(fā)明實(shí)施方式的附圖并且有助于對(duì)其進(jìn)行理解。然而，天線 元件18的形狀可以不同并且可以是例如螺旋形或片狀。配置天線元 件18以發(fā)射和接收具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。第一工作頻 帶是射頻頻帶并且可以是，例如US-GSM 850( 824-894 MHz)、EGSM 900 ( 880-960MHz) 、 PCN/DCS1800 ( 1710-1880 MHz) 、 PCS1900 (1850-1990 MHz)、 US-WCDMA1900 ( 1850-1990)、 WCDMA21000 頻帶(Tx: 1920-1980， Rx: 2110-2180 )或WLAN\BLUETOOTH (藍(lán) 牙)(2400 MHz )。
在此實(shí)施方式中，饋線22耦合到天線元件18的底面24。該饋 線22機(jī)械地并且電子地將天線元件18耦合到地平面20。饋線22 和層壓衰減器26彼此沒有物理接觸并且因此彼此在電氣上隔離?？?能需要在層壓衰減器26中形成用于饋線22的過孔?？梢允褂糜糜?形成過孔的任何處理，例如，化學(xué)蝕刻或鉆孔。在另一個(gè)實(shí)施方式 中，饋線22可以連接至天線元件18的側(cè)表面。
在一個(gè)實(shí)施方式中，饋線22包括單個(gè)導(dǎo)線。在另一個(gè)實(shí)施方式 中，饋線22包括一對(duì)導(dǎo)線，該對(duì)導(dǎo)線提供了饋送和電接地。
層壓衰減器26定位于鄰近天線元件18的底面24并且位于天線 元件18和地平面20之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，層壓衰減器26^妻觸 天線元件18的底面24。在另一個(gè)實(shí)施方式中，層壓衰減器26不接 觸天線元件18的底面24，〗旦是定位于天線元件18的底面24附近。 因而，對(duì)詞語'鄰近，的使用應(yīng)該被理解為包括'接觸，或'定位 在附近'。
例如，在層壓衰減器26接觸天線元件18的底面24的實(shí)施方式中，該層壓衰減器26可以使用任何合適的方法在天線元件18上形 成，這些方法例如是濺射或化學(xué)汽相沉積(CVD),從而其物理地 附著于天線元件18。
在該實(shí)施方式中，層壓衰減器26包括換能器28,其耦合到天線 元件18的底面24。配置該換能器28以將具有第一工作頻帶內(nèi)頻率 的入射電磁波轉(zhuǎn)換為具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。該換能器28 可以包括任何合適的壓電材料，例如其可以包括AIN (氮化鋁)、 ZnO (氧化鋅)或PZT (鋯鈦酸鉛)。
該層壓衰減器26還包括第一材料30和第二材料32，交替配置 第一材料30和第二材料32以形成多個(gè)薄片。該多個(gè)薄片在方向上 基本上平行于換能器28并且物理地耦合到換能器28。它們朝向地平 面20進(jìn)行"堆疊"。換能器28和多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片彼此相鄰 并且基本上具有與第一天線18的底面24相同的表面積。
第一材料30具有與第二材料32基本上不同的聲阻抗。在此實(shí) 施方式中，第一材料30是鎢(W)，其具有高的聲阻抗，并且第二 材料32是二氧化硅(Si02 )，其具有低的聲阻抗。鴒的聲阻抗和二 氧化硅的聲阻抗的比例是8:1?？商鎿Q地，第一材料30可以是氮化; 鋁(AIN)并且第二材料32可以是二氧化硅。氮化鋁的聲阻抗和二 氧化硅的聲阻抗的比例是3:1。
第一材料30和第二材料32中每個(gè)薄片的厚度等于第一工作頻 帶預(yù)定頻率的四分之一波長。例如，如果入射聲波的頻率是2GHz, 則每個(gè)薄片的厚度大約是1微米。因而，應(yīng)該理解，薄片的厚度取
和入 射電磁波的預(yù)定頻率。因此，第一材料30的薄片可以具有與第 二材料32的薄片不同的厚度。
在工作中，天線元件18發(fā)射和接收具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的 電磁波。從底面24發(fā)射的電磁波由換能器28作為入射電磁波接收。. 該換能器28將該具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的入射電磁波轉(zhuǎn)換為具有 第一工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。然后，該聲波至少部分地在第一和第二材料30和32的薄片之間的每個(gè)交界面處被反射。每個(gè)薄片的厚 度導(dǎo)致了入射聲波和反射聲波之間的相消千擾，從而導(dǎo)致了該聲波 的衰減。
因而，層壓衰減器26可以將天線元件18和地平面20 (電/f茲地) 隔離開來。這可以改善在高出地平面20的給定高度處的天線元件18 的帶寬。在至少一個(gè)實(shí)施方式中，天線元件18和地平面20彼此充 分隔離以使層壓衰減器26能夠被置于地平面20上。由于層壓衰減 器26的厚度通常小于1 mm,所以這可以形成具有較小剖面(profile ) 的天線配置12。因而，使用層壓衰減器26可以減少無線收發(fā)器設(shè)備 10內(nèi)的天線配置所需的空間量。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的天線配置12的示意性側(cè) 視圖。其中圖3中示出的特征類似于圖2中示出的特征，并使用相 同的參考數(shù)字。在此實(shí)施方式中，層壓衰減器34不包括用于將電磁 波轉(zhuǎn)換為聲波的換能器。取而代之的是，層壓衰減器34包括至少一 個(gè)充當(dāng)輻射屏蔽物的金屬薄片，從而減少天線元件18和地平面20 之間的電f茲井禹合。
更詳細(xì)地，層壓衰減器34包括第一材料36和第二材料38,交 替配置第 一材料36和第二材料38以形成多個(gè)連續(xù)堆疊的薄片。每 個(gè)薄片的厚度大約是1微米。第一材料36包括諸如二氧化硅之類的, 電介質(zhì)并且第二材料38包括諸如鴒或鉬(Mo)之類的金屬。
在工作中，天線元件18發(fā)射和接收電磁波。發(fā)射自底面24的 電磁波由層壓衰減器34作為入射電磁波接收。金屬薄片38充當(dāng)用 于入射電磁波的RF屏蔽物(其以與法拉第籠類似的方式工作)并且 從而將天線元件18和地平面20 (電磁地)隔離開來。更詳細(xì)地，入 射電磁波的電子屏蔽物在金屬薄片38內(nèi)產(chǎn)生電流，這引起了其中的 電荷轉(zhuǎn)移。這種效應(yīng)至少部分地^^氏消了入射電場。類似地，入射電 磁波的變化中的磁場在金屬薄片38內(nèi)產(chǎn)生了勢渦(vortice)。這種 效應(yīng)至少部分地《^氐消了入射》茲場。因而，金屬薄片38充當(dāng)入射電》茲 波的衰減器。此外，第一材料36 (電介質(zhì)材料)的阻抗不同于第二材料36和 38(金屬)的阻抗。這導(dǎo)致了入射電磁波在第一和第二材料38的薄 片之間的交界面處的反射。如果多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片的厚度是入 射電磁波的波長的四分之一 ，則反射的電磁波將與入射電磁波進(jìn)行 相消干擾。圖3中示出的實(shí)施方式可以提供與參考圖2所述的實(shí)施 方式相同的優(yōu)勢。
圖4示出了根據(jù)天線配置12的實(shí)施方式的示意性俯視圖。該天 線配置12包括分別經(jīng)由第一和第二饋線(未示出)安裝在地平面20 上的第一天線元件40和第二天線元件42。層壓衰減器44定位于鄰 近第一天線元件40并且配置該衰減器以衰減有第二天線元件42發(fā) 射的電》茲波。
在此實(shí)施方式中，配置第一天線元件40以發(fā)射和接收具有第一 工作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。配置第二天線元件42以發(fā)射和接收具有 第二工作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。第一工作頻帶可以是，例如1800 MHz的PCN。第二工作頻帶可以是，例如1900 MHz的PCS。
層壓衰減器44包括第一材料46和第二材料48,交替配置第一 材料46和第二材料48以形成多個(gè)薄片。多個(gè)薄片耦合到第一天線 元件40的每個(gè)表面，并且對(duì)其進(jìn)行定向以便它們與它們耦合的表面 平行。換能器50耦合到多個(gè)薄片的每個(gè)表面以封裝第 一天線元件40 和多個(gè)薄片。換能器50的操作類似于圖2中示出的換能器28的操 作并且因而不在此處詳細(xì)討論。
第 一 材料4 6和第二材料4 8的每個(gè)薄片的厚度等于第二工作頻 帶內(nèi)的預(yù)定頻率的四分之一波長。因而，配置層壓衰減器44以衰減 由第二天線元件42而不是第一天線元件40發(fā)射的電磁波。在此實(shí) 施方式中，每個(gè)薄片的厚度大約是1微米。
在工作中，第二天線元件42發(fā)射具有第二工作頻帶內(nèi)頻率的電 磁波。換能器50將該電磁波轉(zhuǎn)換為具有第二工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。 然后，該聲波至少部分地在第 一和第二材料46和48的薄片之間的 每個(gè)交界面處被反射。每個(gè)薄片的厚度導(dǎo)致了入射聲波和反射聲波之間的相消干擾，從而導(dǎo)致了對(duì)該聲波的衰減。
層壓衰減器44可以減少第一天線元件40和第二天線元件42之 間的電磁耦合并且從而將第一天線元件40與第二天線元件42(電磁 地)隔離開來。這使第一天線元件40和第二天線元件42之間的距 離減少。此天線配置可以提供這樣的優(yōu)勢，即它在無線收發(fā)器設(shè)備 10中可以需要更少的空間。而且，它可以提供另一個(gè)優(yōu)勢，即在收 發(fā)器14中可以不需要附加電路(例如，隔離器)，這可以降低無線 收發(fā)器設(shè)備10的成本。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的天線配置12的示意性側(cè) 視圖。該天線配置12包括分別經(jīng)由第一和第二饋線(為了清楚，未 示出)安裝在地平面20上的第一天線元件52和第二天線元件54。 配置第一天線元件52以發(fā)射和接收具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的電磁 波，并且配置第二天線元件54發(fā)射和接收具有第二工作頻帶內(nèi)頻率 的電i茲波。
在此實(shí)施方式中，第一天線元件52和第二天線元件54的形狀 為條形。第一天線元件52包括底面59、側(cè)表面57和頂面58。第二 天線元件54包括底面63、側(cè)表面61和頂面62。第一層壓衰減器56 定位于鄰近第一天線元件52的底面59和側(cè)表面57。第一層壓衰減 器56定位于不鄰近頂面58。第二層壓衰減器60定位于鄰近第二天 線元件54的底面63和側(cè)表面61。第二層壓衰減器60定位于不鄰近 頂面62。
配置第一層壓衰減器56以衰減具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的電磁 波。配置第二層壓衰減器60以衰減具有第二工作頻帶內(nèi)頻率的電磁 波。第一和第二層壓衰減器56和60類似于圖2中示出的層壓衰減 器26。
更詳細(xì)地，第一層壓衰減器56包括換能器67，其物理地耦合到 第一天線元件52的底面59和側(cè)表面57。第一層壓衰減器56還包括 第一材料69和第二材料68，交替地配置第一材料69和第二材料68. 以形成多個(gè)薄片。第 一材料69具有與第二材料68基本上不同的聲阻抗。使多個(gè)薄片的方向基本上平行于換能器67并且將其物理地耦 合到換能器67。該換能器67和多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片是彼此相鄰 的。第一層壓衰減器56的每個(gè)薄片的厚度大約是1微米。第一層壓 衰減器56的厚度小于1毫米。
配置第一層壓衰減器56以接收并且衰減來自于第一天線元件52 的底面59和側(cè)表面57的電磁波。因而，僅第一天線元件52的頂面 58基本上能夠發(fā)射/接收電磁波。
第二層壓衰減器60包括換能器70,其物理地耦合到第二天線^ 件54的底面63和側(cè)表面61。第二層壓衰減器60還包括第一材料 71和第二材料72,交替地(為了清楚，未示出)配置第一材料71 和第二材料72以形成多個(gè)薄片。第一材料71具有與第二材料72基 本上不同的聲阻抗。使多個(gè)薄片的方向基本上平行于換能器70并且 將其物理地耦合到換能器70。該換能器70和多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片 是彼此相鄰的。第二層壓衰減器60的每個(gè)薄片的厚度大約是1微米。 第二層壓衰減器60的厚度小于1毫米。
配置第二層壓衰減器60以接收并且衰減來自于第二天線元件64 的底面63和側(cè)表面61的電》茲波。因而，4又第二天線元件54的頂面 62基本上能夠發(fā)射/接收電磁波。
圖5中示出的天線配置12提供的優(yōu)勢與圖4中示出的天線配置 提供的優(yōu)勢類似。例如，第一天線元件52至少部分地與第二天線元 件54在電磁上隔離，反之亦然。而且，在此實(shí)施方式中，第一和第 二天線元件52和54與地平面20電磁上隔離，并且因而可以提供與 參考圖2討論的那些相同的優(yōu)勢。例如，層壓衰減器56和60可以 減少第一和第二天線元件52和56在地平面20之上的高度。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方式的天線配置12的示意性側(cè) ^L圖。該天線配置12包括天線元件62,配置天線元件62以發(fā)射和 接收具有第一工作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。天線元件62經(jīng)驗(yàn)饋線(為 了清楚，未示出)安裝在地平面20上。第一層壓衰減器64定位于, 鄰近天線元件62的底面63。第二層壓衰減器66定位于鄰近天線元件62的其余表面。
第一層壓衰減器64基本上類似于圖2示出的層壓衰減器26，并 且因而將不在此詳細(xì)討論?？商鎿Q地，第一層壓衰減器64可以基本 上類似于圖3所示的層壓衰減器34。配置第一層壓衰減器64以在電 磁上將天線元件62與地平面20隔離開。如參考圖2所述，第一層 壓衰減器64提供下列優(yōu)勢，即它可以改善在高出地平面20給定高 度處的天線元件62的帶寬，并且有助于減小天線配置12的剖面。
第二層壓衰減器66基本上類似于圖4所示的層壓衰減器44，并 且因而不在此詳細(xì)討論其操作。配置第二層壓衰減器66以在電磁上 將天線元件62與無線收發(fā)器設(shè)備10內(nèi)的天線元件隔離開，即，配 置第二層壓衰減器66以衰減具有第一工作頻帶之外的特定頻率范圍 的電磁波。該層壓衰減器66可以提供下列優(yōu)勢，即它可以支持減少 天線元件62和無線收發(fā)器設(shè)備10內(nèi)的任何其他天線元件之間的間 隔。
盡管已經(jīng)參考各種示例，在前面的段落中描述了本發(fā)明的實(shí)施 方式，但是應(yīng)該理解在不脫離所聲明的本發(fā)明范圍的情況下，可以 對(duì)給定的示例進(jìn)行修改。例如，設(shè)備IO可以包括代替無線收發(fā)器電 路14的發(fā)射器或接收器。
當(dāng)致力于前述說明書從而著眼于被認(rèn)為是本發(fā)明特別重要的那 些特征的時(shí)候，應(yīng)該理解，申請(qǐng)人要求關(guān)于任何專利性特征或此前 陳述的和/或在附圖中示出的特征的組合的保護(hù)，而不論是否對(duì)其特 別強(qiáng)調(diào)。
權(quán)利要求
1. 一種天線配置，包括第一天線元件，具有一個(gè)或多個(gè)表面；以及層壓衰減器，定位于鄰近所述第一天線元件的至少一個(gè)表面的一部分，其中所述層壓衰減器被配置用于對(duì)預(yù)定射頻電磁波進(jìn)行衰減。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線配置，進(jìn)一步包括地平面，其中 所述層壓衰減器定位在所述第一天線元件和所述地平面之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線配置，其中所述第一天線元件可 在至少第一工作頻帶中工作，并且所述層壓衰減器被配置用于衰減 具有所述第一工作頻帶內(nèi)的頻率的電磁波。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)所述的天線配置，其中所述層 壓衰減器包括多個(gè)薄片，其中至少一個(gè)所述薄片包括金屬。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線配置，其中所述層壓衰減器包括 換能器，所述換能器被配置用于將具有所述第一工作頻帶內(nèi)頻率的 電磁波轉(zhuǎn)換為具有所述第一工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線配置，其中所述層壓衰減器包括多個(gè)薄片，并且其中所述換能器定位在所述第一天線元件和所述多 個(gè)薄片之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線配置，其中所述層壓衰減器包括 第一材料和第二材料，交替地配置所述第一材料和第二材料以形成 所述多個(gè)薄片，所述第一材料和所述第二材料具有基本上不同的聲 阻抗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的天線配置，其中所述多個(gè)薄片中的每個(gè)薄片具有等于所述聲波波長的四分之一的厚度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6到8中任何一項(xiàng)所述的天線配置，其中所述 多個(gè)薄片中的至少一個(gè)包括金屬。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5到9中任何一項(xiàng)所述的天線配置，其中所述 換能器包括壓電材料。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線配置，進(jìn)一步包括第二天線元件， 所述第二天線元件可在至少第二工作頻帶中工作，其中所述層壓衰減器被配置用于衰減具有所述第二工作頻帶內(nèi)的頻率的電磁波。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的天線配置，其中所述層壓衰減器包括換能器，所述換能器被配置用于將具有所述第二工作頻帶內(nèi)頻率 的電磁波轉(zhuǎn)換為具有所述第二工作頻帶內(nèi)頻率的聲波。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的天線配置，其中所述層壓衰減器包 括多個(gè)薄片，該多個(gè)薄片定位于鄰近所述第一天線元件，并且其中所述換能器定位于鄰近所述多個(gè)薄片，遠(yuǎn)離所述第一天線元件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的天線配置，其中所述層壓衰減器包 括第 一材料和第二材料，交替地配置所述第 一 材料和第二材料以形 成所述多個(gè)薄片，所述第一材料和所述第二材料具有基本上不同的 聲阻抗。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的天線配置，其中所述多個(gè)薄片 中的每個(gè)薄片具有等于所述聲波波長的四分之一的厚度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12到15中任何一項(xiàng)所述的天線配置，其中所 述換能器包括壓電材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11到16中任何一項(xiàng)所述的天線配置，其中所 述層壓衰減器定位于鄰近所述第一天線元件的每個(gè)表面。
18. 根據(jù)權(quán)利要求11到16中任何一項(xiàng)所述的天線配置，其中所 述第一天線元件可在至少第一工作頻帶中工作，并且所述天線配置 包括其他層壓衰減器，所述其他層壓衰減器定位于鄰近所述第一天 線元件的至少一個(gè)表面的一部分，其中所述其他層壓衰減器被配置 用于衰減具有所述第一工作頻帶內(nèi)頻率的電磁波。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的天線配置，進(jìn)一步包括地平面，其 中所述其他層壓衰減器定位在所述第一天線元件和所述地平面之間。
20. —種天線配置，基本上參考附圖如上所述和/或在所述附圖 中示出。
21. —種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1到20中任 何一項(xiàng)所述的天線配置。
22. —種方法，用于形成天線配置，所述方法包括 提供具有一個(gè)或多個(gè)表面的第一天線元件； 將層壓衰減器定位于鄰近所述第一天線元件的至少一個(gè)表面的一部分，其中所述層壓衰減器被配置用于衰減預(yù)定的射頻電磁波。
23. —種方法，基本上參考附圖如上所述和/或在所述附圖中示出。
24. —種在天線配置中對(duì)層壓衰減器的使用，所述層壓衰減器包括第一材料和第二材料，交替地配置所述第一材料和第二材料以形 成多個(gè)薄片，所述第 一材料和所述第二材料具有基本上不同的聲阻抗。
全文摘要
一種天線配置，包括具有一個(gè)或多個(gè)表面的第一天線元件；以及層壓衰減器，其定位于鄰近第一天線元件的至少一個(gè)表面的一部分，其中配置該層壓衰減器以對(duì)預(yù)定的射頻電磁波進(jìn)行衰減。
文檔編號(hào)H01Q1/24GK101288201SQ200580051822
公開日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2005年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月13日
發(fā)明者H·波若南 申請(qǐng)人:諾基亞公司