專利名稱：制造限制性電荷存儲(chǔ)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)器(non-volatile memory)，特別是有關(guān)一種可以在每個(gè)存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存多位的局部限制性電荷存儲(chǔ)單元(localizedtrapped charge memory cell)構(gòu)造。
背景技術(shù)：
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作用是即使在無(wú)電力的情況下維持已程序化的數(shù)據(jù)。只讀存儲(chǔ)器(Read only memory，ROM)是一種非易失性存儲(chǔ)器，經(jīng)常被使用在微處理機(jī)電子配備和行動(dòng)電子裝置例如手機(jī)。
典型的只讀存儲(chǔ)器包含多個(gè)存儲(chǔ)單元陣列。每個(gè)存儲(chǔ)單元陣列可視為一字符線(word line)與位線(bit line)交錯(cuò)而成的行列。每一個(gè)行列的交差點(diǎn)相當(dāng)于存儲(chǔ)器的一個(gè)位。在屏蔽式可編程(mask programmable)金屬氧化物半導(dǎo)體(metal oxide semiconductor，MOS)只讀存儲(chǔ)器里的行列交叉點(diǎn)，MOS晶體管的導(dǎo)通或不導(dǎo)通可用來分辨邏輯“0”和“1”。
一個(gè)可編程只讀存儲(chǔ)器(programmable read only memory，PROM)與屏蔽式可編程只讀存儲(chǔ)器非常相似，除了使用者使用一可編程只讀存儲(chǔ)器編程器儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(即程序化可編程只讀存儲(chǔ)器)。一個(gè)典型的可編程只讀存儲(chǔ)器在每個(gè)字符線與位線的交叉點(diǎn)上具有可熔斷連接，這可讓所有的位在一個(gè)特別的邏輯數(shù)值，典型地為邏輯“1”?？删幊讨蛔x存儲(chǔ)器編程器被用來設(shè)定想要的位到相對(duì)的邏輯值，典型地經(jīng)由施加一高電壓熔斷相對(duì)于想要的位的連接。一典型的可編程的只讀存儲(chǔ)器只可被編程一次。
一個(gè)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(erasable programmable read onlymemory，EPROM)就像可編程只讀存儲(chǔ)器一樣可以被編程，但是經(jīng)由曝曬在紫外光線下也可以被拭除(例如在全是“1”的邏輯狀態(tài)下)。一般的可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器在所有字符線與位線的交叉點(diǎn)設(shè)有浮動(dòng)?xùn)艠OMOS晶體管，每個(gè)晶體管有兩個(gè)柵極，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O和一個(gè)非浮動(dòng)?xùn)艠O。浮動(dòng)?xùn)艠O并沒有連接任何導(dǎo)體，而且被一層高阻抗的絕緣物質(zhì)包圍。若想要編程可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，則要將高電壓施加于每個(gè)位位置的非浮動(dòng)?xùn)艠O，而將邏輯數(shù)值(例如邏輯“0”)儲(chǔ)存。這將會(huì)導(dǎo)致絕緣物質(zhì)產(chǎn)生崩潰而使得負(fù)電荷累積在浮動(dòng)?xùn)艠O。當(dāng)高電壓移除，負(fù)電荷仍留在浮動(dòng)?xùn)艠O。在后續(xù)的讀取動(dòng)作中，當(dāng)晶體管被選擇時(shí)，負(fù)電荷防止MOS晶體管在漏極端和源極端之間形成低電阻的通道。
一個(gè)可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器集成電路通常被封裝在一個(gè)有石英蓋的包裝里，經(jīng)由曝露到穿過石英蓋的紫外線光而被拭除。包圍住浮動(dòng)?xùn)艠O的絕緣物質(zhì)也會(huì)因接觸到紫外光變成有輕微的有導(dǎo)電性，使得累積的負(fù)電荷消失。
一個(gè)典型的電氣式可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(electrically erasableprogrammable read only memory，EEPROM))也近似可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，除了個(gè)別的儲(chǔ)存單元可被電拭除。在電氣式可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器里的浮動(dòng)?xùn)艠O被一層更薄的絕緣層包圍，可以利用施加于非浮動(dòng)?xùn)艠O的程序化電壓相反電性的電壓讓浮動(dòng)?xùn)艠O的負(fù)電荷消失。
閃存(Flash memory)也叫做快閃電氣式可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(flashEEPROM)，跟電氣式可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器不同的是，它的電拭除動(dòng)作包含了大部分或是整體的閃存。
較新的非易失性存儲(chǔ)器類型是局部限制性電荷存儲(chǔ)器，這種存儲(chǔ)器通常被稱為氮化只讀存儲(chǔ)器(nitride read only memory，NROM)，縮寫“NROM”是賽方半導(dǎo)體公司(以色列，內(nèi)坦亞)的組合商標(biāo)的一部分。
局部限制性電荷存儲(chǔ)器的效能可能會(huì)被某些效應(yīng)作用而降低，這會(huì)在制造過程中介紹。其中一種效應(yīng)被稱為“鳥喙效應(yīng)”(bird’s beak effect)，即是因存儲(chǔ)單元制作時(shí)無(wú)可避免的一些氧化作用。圖1A與圖1B是鳥喙作用的意示圖。圖1A顯示一對(duì)局部限制性電荷存儲(chǔ)單元形成在基板100上。每個(gè)存儲(chǔ)單元包括一第一氧化層105形成在基板100上，和一氮化層110形成在第一氧化層105上。一第二氧化層115形成在氮化層110上，以及一導(dǎo)電柵極120形成在第二氧化層115上。在兩個(gè)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)之間有一埋藏的源極/漏極區(qū)125包括一位線形成在基板100上。根據(jù)已知的制造方法，在源極/漏極區(qū)125上覆蓋一極厚的氧化層130以隔絕隨后形成的字符線(未顯示在圖上)。
圖1B是顯示已知的局部限制性電荷存儲(chǔ)器如圖1A的結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的問題。當(dāng)源極/漏極區(qū)125上形成一極厚的氧化層130，此氧化層130可能會(huì)侵入兩個(gè)局部限制性電荷存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的區(qū)域，造成存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)保存時(shí)效以及一個(gè)讀取循環(huán)的最大數(shù)(耐久度)全都減少。
圖1B是放大圖1A中的135處，第一氧化層105和源極/漏極區(qū)125及厚氧化層130相接。當(dāng)源極/漏極區(qū)125上形成厚氧化層130，鳥喙效應(yīng)結(jié)構(gòu)127沿著厚氧化層130外側(cè)邊緣，與第一氧化層105、源極/漏極區(qū)125及厚氧化層130相接之處而產(chǎn)生。
典型地，如圖1B所示局部限制性電荷存儲(chǔ)單元在第一氧化層105的區(qū)域中儲(chǔ)存一位。鳥喙效應(yīng)結(jié)構(gòu)127可能會(huì)在第一氧化層下方延伸到一段距離，使得數(shù)據(jù)保存時(shí)效和該存儲(chǔ)單元耐久度減少。更甚者，鳥喙效應(yīng)繼續(xù)增長(zhǎng)會(huì)造成存儲(chǔ)單元渠道的有效長(zhǎng)度縮短，這是不樂見的。
除此之外，鳥喙效應(yīng)造成存儲(chǔ)單元陣列中位線的電阻增大，在存儲(chǔ)單元中產(chǎn)生相對(duì)大的壓降，使得運(yùn)作時(shí)的電力徒增浪費(fèi)。這兩種結(jié)果都會(huì)減少局部限制性電荷存儲(chǔ)單元的效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提出一種制造局部限制性電荷存儲(chǔ)器的方法，此法可降低鳥喙效應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明可做出具有相當(dāng)?shù)碗娮栉痪€的局部限制性電荷存儲(chǔ)器。
本發(fā)明包括有一種制造限制性電荷存儲(chǔ)單元陣列的操作方法。該方法包括提供一在表面形成氧化物-氮化物-氧化物層(oxide-nitride-oxide，ONO)的半導(dǎo)體基板。一第一層多晶硅(polysilicon)沉積在ONO層之上，第一層多晶硅沿一參考方向被移除，因此，至少有一個(gè)柵極(gate)結(jié)構(gòu)在曝露出來的ONO層上被形成。一個(gè)氧化物間隔沉積到該至少有一處曝露而形成柵極的ONO層的一部分上，沒有被氧化物間隔覆蓋的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一條位線形成在該曝露出來的基板上。本發(fā)明另一種制造局部限制性電荷存儲(chǔ)器的方法，是在移除部分第一層多晶硅后，以一傾斜角度植入一布植囊袋(implantpocket)穿過ONO層進(jìn)入基板。


圖1A與圖1B是現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)單元中的鳥喙效應(yīng)；圖2A與圖2B是本發(fā)明一種制造局部限制性電荷存儲(chǔ)器的方法的實(shí)施例流程圖；圖3是在基板上形成ONO層的剖面圖；圖4A是圖3的結(jié)構(gòu)沉積多晶硅后沿著Y方向刻蝕的平面圖；圖4B是圖4A的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖5是圖4B的結(jié)構(gòu)進(jìn)行囊袋布植的剖面圖；圖6是圖5的結(jié)構(gòu)形成淺的埋藏?cái)U(kuò)散層(diffusion)的剖面圖；圖7是移除已曝露的ONO層的部分結(jié)果的剖面圖；圖8是一n+型布植形成源極/漏極區(qū)的剖面圖；圖9到圖11是形成氧化層的剖面圖；圖12A是移除部分氧化成并曝露出柵極的表面的平面圖；
圖12B是圖12A的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖13A是圖12A的結(jié)構(gòu)沉積多晶硅層后的剖面圖；圖13B是圖13A的結(jié)構(gòu)移除部分多晶硅層的平面圖；圖14是圖13B的結(jié)構(gòu)剖面圖；圖15與圖16是沉積氧化層的剖面圖；以及圖17是圖16的結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanicalpolishing，CMP)結(jié)果的剖面圖。
100基板105第一氧化層110氮化硅層115第二氧化層120導(dǎo)電柵極125源極/漏極區(qū)127鳥喙效應(yīng)結(jié)構(gòu)130氧化層135局部放大區(qū)域150提供一具有ONO層的半導(dǎo)體基板155形成第一多晶硅層于ONO層上160以參考方向移除部分第一多晶硅層形成柵極結(jié)構(gòu)165以一傾斜角做p-型布植形成囊袋170進(jìn)行淺層n+型布植175沉積間隔氧化物于柵極兩側(cè)180移除部分ONO層185進(jìn)行n+型布植205沉積氮氧化硅210沉積PEOX215以化學(xué)機(jī)械 磨移除部分PEOX，停止于氮氧化硅之上220移除已曝露的氮氧化硅225沉積第二多晶硅層
230以垂直方向移除部分第一和第二多晶硅層與ONO層，定義存儲(chǔ)單元的寬度。
235沉積氮氧化硅與內(nèi)層介電層240以化學(xué)機(jī)械研磨移除內(nèi)層介電層，停止于氮氧化硅上245于柵極上形成接點(diǎn)250沉積金屬層255移除部分金屬層以定義字符線，字符線順一垂直方向與柵極結(jié)構(gòu)相接300基板305第一氧化層310氮化硅層315第二氧化層320柵極結(jié)構(gòu)321垂直物325p-型布植330布植囊袋340布植囊袋345n+型布植350擴(kuò)散層 355間隔氧化物360n+型布植365位線380氮氧化硅層 385PEOX390第二多晶硅層395氮氧化硅層400內(nèi)層介電層具體實(shí)施方式
參考圖示，圖2A與圖2B是表示本發(fā)明的方法的一流程圖，該方法以圖3至圖17來描述。步驟150中提供一具有ONO層的半導(dǎo)體基板300，如圖3所示，半導(dǎo)體基板300包含一本質(zhì)硅(intrinsic silicon)或摻雜p型摻雜物如硼或銦。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板300也可以摻雜n型摻雜物如磷或銻。ONO層可經(jīng)由在基板300表面上形成一第一氧化層305產(chǎn)生，第一氧化層305包含例如二氧化硅(silicon dioxide)等，一氮化硅層310形成在第一氧化層305上，以及一第二氧化層315形成在該氮化硅層310上，第一氧化層305和第二氧化層315的厚度足以防止介于氮化硅層310與位線或字符線之間被限制的電子產(chǎn)生電子穿隧，中間的氮化硅層310產(chǎn)生電路信道及字符線或位線，該電子穿隧在厚度約小于50埃時(shí)發(fā)失。在一實(shí)施例中，第一氧化層305包含以化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)在基板上形成50至100埃厚度的二氧化硅，氮化硅層310以化學(xué)氣相沉積法形成35至75埃的厚度，及第二氧化層315包含以化學(xué)氣相沉積法形成50至150埃厚度的二氧化硅。在其它修改后的實(shí)施例中，這三層其中之一或多可能增厚。ONO層將電荷限制在氮化層310，經(jīng)由第二氧化層315與第一氧化層305將電隔離。
在步驟155，一包含摻雜多晶硅的導(dǎo)體層沉積在該第二氧化層315上，在步驟160，經(jīng)由圖案化(pattern)與蝕刻(etch)該導(dǎo)體層以形成柵極結(jié)構(gòu)。圖4A是完成步驟160后與位線方向(參考方向)平行的該柵極結(jié)構(gòu)320的平面圖。圖4B是圖4A沿著線4B-4B’(與該參考方向垂直)的剖面圖。
參考圖5，一輕微摻雜p型布植325以與垂直物321所夾的第一傾斜角θ1的角度植入，在步驟165中被完成。布植325穿過ONO層，在靠近柵極320邊緣的基板300中形成p型物質(zhì)的布植囊袋330。同樣地，布植335以與垂直物321所夾的第二傾斜角θ2穿越ONO層在靠近柵極320相對(duì)邊緣的基板300中形成相似的p型物質(zhì)布植囊袋340，第二傾斜角θ2的角度實(shí)際上與第一傾斜角相等θ1且相反方向，在典型的實(shí)施例中，該角度范圍通常約從0度到25度之間。在一示范的實(shí)施例中，硼的濃度約介于1013至1014原子/平方公分，使用約介于15至25千電子伏特(KeV)的能量電平，以形成布植囊袋330和布植囊袋340，或者以能量準(zhǔn)位約介于40至約60千電子伏特的氟化硼(BF2)進(jìn)行布植。在某些實(shí)際操作中，布植囊袋330和布植囊袋340抑制了一種不樂見的短渠道效應(yīng)，例如臨界尺寸隨著連續(xù)生產(chǎn)工藝減少，雖然這種囊袋布植可能會(huì)造成嚴(yán)重的熱載子效應(yīng)，在渠道邊緣造成相對(duì)較高的電場(chǎng)強(qiáng)度導(dǎo)致氧化物的壽命減少，但意料外地，在某些實(shí)際操作上卻可能對(duì)使用熱電子編程的快閃裝置的運(yùn)作帶來益處。在某些實(shí)際操作上，這里所說的一連串制造工藝或描述類似于標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝。
如圖6所示，在步驟170，進(jìn)行一n+型布植345植入，此布植以垂質(zhì)的方向入射，穿過ONO層以形成一接近基板300表面的淺的埋藏?cái)U(kuò)散層350，在典型的實(shí)施例中，砷的濃度約介于1013至約1015原子/平方公分，使用約介于10至約20千電子伏特的能量電平，以完成n+型布植345。
在步驟175中，一種作用為預(yù)留空間的間隔氧化物(oxide spacers)355形成在柵極320的兩側(cè)。根劇一示范的實(shí)施例，間隔氧化物355經(jīng)由第一沉積一氧化物質(zhì)，例如二氧化硅或氮化硅，在圖6所示的結(jié)構(gòu)中曝露的表面上形成。在步驟180中，名義上以對(duì)應(yīng)基板300的表面為直角的方向進(jìn)行一非等向性蝕刻，以移除該氧化物質(zhì)的水平部分和ONO層的曝露部分，完成步驟180的蝕刻結(jié)果如圖7所示。
步驟185中，一n+型布植360被完成。例如，將一如磷或銻的n型摻雜物在一典型地濃度約1015原子/平方公分，以約10至20千電子伏特的布植能量進(jìn)行布植，此布植形成n+型的源極/汲極區(qū)，可做為在基板300區(qū)域中柵極320之間的位線365，如圖8所示。
步驟205沉積一氮氧化硅層380于曝露的表面，如圖9所示。在步驟210沉積一氧化硅，例如強(qiáng)化等離子體氧化物PEOX385，如圖10所示。步驟215部分的PEOX385以例如化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)移除，當(dāng)?shù)趸鑼?80表面曝露出來時(shí)停止化學(xué)機(jī)械研磨，如圖11所示。
步驟220經(jīng)由進(jìn)行一例如選擇性非等向性蝕刻將曝露出來的氮氧化硅物質(zhì)移除，其中蝕刻劑對(duì)氮氧化硅層380的選擇性大于PEOX385。
圖12A是氮氧化硅層380被移除后的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖12B是圖12A沿著線14B-14B’的剖面圖。
步驟225沉積一第二多晶硅層390，步驟230以字符線的方向(垂直于參考方向)移除部分第二多晶硅層390。圖13A是完成步驟225與步驟230后的結(jié)果的剖面圖，其中第二多晶硅層390已完成。
圖13B是圖13A的平面圖，其中第二多晶硅層390的移除部分(步驟230)可視為定義圖13A的剖面圖的線13A-13A’相同。圖13B中被蓋在底下但已用虛線標(biāo)出的單獨(dú)的存儲(chǔ)單元名義上位于柵極結(jié)構(gòu)320之下，而柵極320又在第二多晶硅層390剩于部分和第一多晶硅層320剩于部分的交叉點(diǎn)。圖14是另一沿圖13B線14-14’的剖面圖。如圖14所示，第二多晶硅層390被移除的部分根據(jù)存儲(chǔ)單元的間隔定義了一個(gè)單元的寬度W。
步驟235沉積一氮氧化硅層395，如圖15所示。步驟235亦沉積一內(nèi)層介電層(inter-layer dielectric，ILD)400，如圖16所示的結(jié)構(gòu)。步驟240部分內(nèi)層介電層以化學(xué)機(jī)械研磨被移除形成如圖17所示的結(jié)構(gòu)。之后的制造工藝步驟依照標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造程序。
上述
具體實(shí)施例方式
僅用于說明本發(fā)明，而非用于限定本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種制造限制性電荷存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，包含下列步驟提供一半導(dǎo)體基板，于其表面上有一氧化物-氮化物-氧化物層；沉積一第一多晶硅層于氧化物-氮化物-氧化物層上；順一參考方向移除部分第一多晶硅層，以形成至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)，曝露出部分的氧化物-氮化物-氧化物層；沉積一間隔氧化物于所述的至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)和部分的氧化物-氮化物-氧化物層之上；移除部分沒被間隔氧化物覆蓋的氧化物-氮化物-氧化物層，以曝露出部分基板；以及于基板被曝露的部分上形成至少一條的位線。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的移除部分第一多晶硅層的步驟包含移除部分第一多晶硅層后，以一傾斜角度布植一穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板的布植囊袋。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的布植的步驟包含以一傾斜角度布植多個(gè)布植囊袋穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板，以及至少部分的布植囊袋位于所述的至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)之下。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的形成至少一條位線包含放置一布植進(jìn)入基板已曝露的部分。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其中所述的形成至少一條位線的步驟該至少一條位線包含一在基板已曝露的部分上的n+區(qū)域；所述的移除部分第一多晶硅層的步驟包含移除部分第一多晶硅層后，以一傾斜角度布植一穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板的p-型囊袋；以及所述的布植囊袋的步驟包含放置一p-型布植進(jìn)入基板已曝露的部分。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟沉積氮氧化硅于所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)及間隔氧化物上；沉積強(qiáng)化等離子體氧化物于氮氧化硅上；移除一部分強(qiáng)化等離子體氧化物，停止于氮氧化硅上；以及移除部分氮氧化硅，以露出所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟沉積一第二多晶硅層于氮氧化硅及所述的至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)；以及順著一垂直于參考方向的方向移除部分第二多晶硅層、部分所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)及部分氧化物-氮化物-氧化物層，以定義至少一個(gè)的存儲(chǔ)單元的寬度與曝露部分基板，第二多晶硅層未被蝕刻的部分成為所述的至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)的一部分。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟沉積一氮氧化硅層于第二多晶硅層和已曝露的基板之上，及于所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)；沉積一內(nèi)層介電層以形成一平坦表面于所述的至少一個(gè)的存儲(chǔ)單元之上；以及以化學(xué)機(jī)械研磨移除一部分內(nèi)層介電層，停止于所述的氮氧化硅上。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟形成一接點(diǎn)對(duì)應(yīng)所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；沉積一金屬層；以及移除部分金屬層以定義至少一條字符線，該字符線順一垂直于參考方向的方向與所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相接。
10.一種制造限制性電荷存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，包含下列步驟提供一半導(dǎo)體基板，于其表面上有一氧化物-氮化物-氧化物層；沉積一第一多晶硅層于氧化物-氮化物-氧化物層上；順一參考方向移除部分第一多晶硅層，以形成至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)，曝露出部分的氧化物-氮化物-氧化物層；以一傾斜角度布植至少一個(gè)穿過該氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板的布植囊袋；沉積一間隔氧化物所述的至少一個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和部分氧化物-氮化物-氧化物層之上；移除部分沒被間隔氧化物覆蓋的氧化物-氮化物-氧化物層，以曝露出部分基板；以及于基板被曝露的部分上形成至少一條的位線。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的布植的步驟包含以一傾斜角度布植多個(gè)布植囊袋穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的布植的步驟包含以一傾斜角度布植一p-型囊袋穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的布植的步驟包含以一傾斜角度布植多個(gè)p-型囊袋穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的布植的步驟包含以一傾斜角度布植多個(gè)布植囊袋穿過氧化物-氮化物-氧化物層進(jìn)入基板，以及至少部分的布植囊袋位于所述的一個(gè)以上的柵極結(jié)構(gòu)之下。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述的形成至少一條位線的步驟包含下列步驟放置一n+型布植進(jìn)入所述基板已曝露的部分；進(jìn)行一NADP布植進(jìn)入所述基板已曝露的部分；以及進(jìn)行一非晶化前布植進(jìn)入所述基板已曝露的部分。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟沉積氮氧化硅于所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)、間隔氧化物及基板之上；沉積強(qiáng)化等離子體氧化物于氮氧化硅上；以化學(xué)機(jī)械研磨移除一部分強(qiáng)化等離子體氧化物，停止于所述的氮氧化硅上；以及移除部分氮氧化硅，以露出所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟沉積一第二多晶硅層于氮氧化硅及所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；以及順著一垂直于參考方向的方向移除部分第二多晶硅層、部分所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)及部分氧化物-氮化物-氧化物層，以定義至少一個(gè)的存儲(chǔ)單元的寬度與曝露部分基板，第二多晶硅層未被蝕刻的部分成為所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的一部分。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟沉積一氮氧化硅層于第二多晶硅層和已曝露的基板之上，及所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)；沉積一內(nèi)層介電層以形成一平坦表面于所述的至少一個(gè)的存儲(chǔ)單元之上；以及以化學(xué)機(jī)械研磨移除一部分內(nèi)層介電層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟形成一接點(diǎn)對(duì)應(yīng)所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；沉積一金屬層；以及移除部分金屬層以定義至少一條字符線，該字符線順一垂直于參考方向的方向與所述的至少一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)相接。
全文摘要
一種制造局部限制性電荷存儲(chǔ)器的方法，此法可排除鳥喙效應(yīng)的障礙。布植一傾斜角度的囊袋進(jìn)入基板以減少短渠道效應(yīng)所導(dǎo)致的問題。該方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物層(oxide－nitride－oxide，ONO)的半導(dǎo)體基板。一第一層多晶硅沉積在ONO層之上，第一層多晶硅沿一參考方向被移除，因此，至少有一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)在曝露出來的ONO層上被形成。一個(gè)氧化物間隔沉積到該至少有一處曝露而形成柵極的ONO層的一部分上，沒有被氧化物間隔覆蓋的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一條位線形成在該曝露出來的基板上。本發(fā)明另一種制造局部限制性電荷存儲(chǔ)器的方法，是在移除部分第一層多晶硅后，以一傾斜角度植入一布植囊袋穿過ONO層進(jìn)入基板。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1881567SQ20061000776
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2006年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者邱駿仁, 劉光文, 陳昕輝, 黃俊仁 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司