專利名稱：波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)和制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋(Distributed feed back DFB)激光器的結(jié)構(gòu)和制作方法。
背景技術(shù)：
852nm單模半導(dǎo)體激光器廣泛應(yīng)用于銫原子鐘的光泵浦和冷卻系統(tǒng)，光纖通訊，遙感測(cè)量，原子物理學(xué)和光學(xué)實(shí)驗(yàn)研究等方面。研制852nm單頻DFB/DBR-LD需要同時(shí)擁有半導(dǎo)體材料外延生長(zhǎng)系統(tǒng)，優(yōu)良的光柵制備手段和其他關(guān)鍵的后工藝處理設(shè)備。目前，國(guó)際上僅有光譜二極管實(shí)驗(yàn)室(Spectra Diode Laboratories，已經(jīng)被JDS Uniphase并購(gòu))，Blue Sky Research，Power Technology Inc，OpticalMeasurement Technology Development Company，NanoplusLaser，F(xiàn)rankfurt Laser Co.，Swiss Federal Institute ofTechnology等為數(shù)不多的幾個(gè)公司和實(shí)驗(yàn)室研究單縱模工作的852nm半導(dǎo)體激光器，商業(yè)化的852nm半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品則只有JDS Uniphase和Power Technology Inc.有出售。傳統(tǒng)的852nmDFB激光器采用GaAs量子阱結(jié)構(gòu)和在AlGaAs上刻光柵的工藝。這種激光器制作工藝存在Al原子易氧化帶來的問題，從而影響器件激射特性和壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋(DFB)激光器的結(jié)構(gòu)和制作方法，其中采用四元材料AlGaInAs作有源層，可根據(jù)預(yù)期的波長(zhǎng)獨(dú)立調(diào)節(jié)Al和In的組分；再有就是光柵層采用無鋁的GaInP材料克服了含鋁光柵易氧化帶來的問題。
本發(fā)明一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括一N型GaAs襯底；一N型GaAs緩沖層，該N型GaAs緩沖層制作在N型GaAs襯底上；一N型AlGaAs下蓋層，該N型AlGaAs下蓋層制作在N型GaAs緩沖層上；一非摻AlGaAs下波導(dǎo)層，該非摻AlGaAs下波導(dǎo)層制作在N型AlGaAs下蓋層上；
一非摻AlGaAs下壘層，該非摻AlGaAs下壘層制作在非摻AlGaAs下波導(dǎo)層上；一非摻AlGaInAs有源層，該非摻AlGaInAs有源層制作在非摻AlGaAs下壘層上；一非摻AlGaAs上壘層，該非摻AlGaAs上壘層制作在非摻AlGaInAs有源層上；一非摻AlGaAs上波導(dǎo)層，該非摻AlGaAs上波導(dǎo)層制作在非摻AlGaAs上壘層上；一非摻GaInP光柵層，該非摻GaInP光柵層制作在非摻AlGaAs上波導(dǎo)層上；一非摻AlGaAs上蓋層，該非摻AlGaAs上蓋層制作在非摻GaInP光柵層上；一P型AlGaAs上蓋層，該P(yáng)型AlGaAs上蓋層制作在非摻AlGaAs上蓋層上；一P型GaAs帽層，該P(yáng)型GaAs帽層制作在P型AlGaAs上蓋層上；一SiO2層，該SiO2層制作在P型GaAs帽層兩側(cè)的上面；一P型電極，該P(yáng)型電極制作在SiO2層和P型GaAs帽層上；以及一N型電極，該N型電極制作在N型GaAs襯底的下面。
其中N型AlGaAs下蓋層和P型AlGaAs上蓋層中AlAs的組分為0.4。
其中非摻AlGaAs下波導(dǎo)層和非摻AlGaAs上波導(dǎo)層采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4。
其中非摻AlGaInAs有源層采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)。
其中非摻GaInP光柵層采用與N型GaAs襯底晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料。
本發(fā)明一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟(1)在N型GaAs襯底依次外延生長(zhǎng)N型GaA s緩沖層、N型AlGaAs下蓋層、非摻AlGaAs下波導(dǎo)層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs上壘層、非摻AlGaAs上波導(dǎo)層和非摻GaInP光柵層；(2)在非摻GaInP光柵層上通過全息曝光加濕法腐蝕的方法制備光柵；(3)在非摻GaInP光柵層上二次外延依次生長(zhǎng)非摻AlGaAs上蓋層、P型AlGaAs上蓋層和P型GaAs帽層；(4)在P型GaAs帽層上光刻并濕法腐蝕出脊形條，保留脊形條上面的光刻膠；(5)生長(zhǎng)200nm SiO2層，帶膠剝離SiO2層暴露出脊形條，而在脊形條外則覆蓋著SiO2層；
(6)制作P型電極，蒸Ti/Pt/Au；(7)減薄N型GaAs襯底，制作N型電極，蒸Au/Ge/Ni；(8)劃片，解理成條，鍍膜，解理管芯，燒結(jié)完成激光器的制作。
其中所述步驟(2)中光柵的濕法腐蝕采用體積比為Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480腐蝕液。
其中所述步驟(4)中脊形條的濕法腐蝕采用體積比為H3PO4∶H2O2∶H2O＝1∶1∶3腐蝕液。
其中N型AlGaAs下蓋層和P型AlGaAs上蓋層中AlAs的組分為0.4。
其中非摻AlGaAs下波導(dǎo)層和非摻AlGaAs上波導(dǎo)層采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4。
其中非摻AlGaInAs有源層采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)。
其中非摻GaInP光柵層采用與N型GaAs襯底晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料。
本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是(1)采用四元材料AlGaInAs作有源層，可根據(jù)預(yù)期的波長(zhǎng)獨(dú)立調(diào)節(jié)Al和In的組分；(2)光柵層采用無鋁的GaInP材料克服了含鋁光柵易氧化帶來的問題。


為進(jìn)一步說明本發(fā)明的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中圖1是本發(fā)明852nm的分布反饋(DFB)激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是光柵的SEM圖；圖3是該器件的激射光譜圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1所示，本發(fā)明一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一N型GaAs襯底2；一N型GaAs緩沖層3，該N型GaAs緩沖層3制作在N型GaAs襯底2上；一N型AlGaAs下蓋層4，該N型AlGaAs下蓋層4制作在N型GaAs緩沖層3上；其中N型AlGaAs下蓋層4中AlAs的組分為0.4；一非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5，該非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5制作在N型AlGaAs下蓋層4上；其中非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4；
一非摻AlGaAs下壘層6，該非摻AlGaAs下壘層6制作在非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5上；一非摻AlGaInAs有源層7，該非摻AlGaInAs有源層7制作在非摻AlGaAs下壘層6上；該非摻AlGaInAs有源層7采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)；一非摻AlGaAs上壘層8，該非摻AlGaAs上壘層8制作在非摻AlGaInAs有源層7上；一非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9，該非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9制作在非摻AlGaAs上壘層8上；其中非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4；一非摻GaInP光柵層10，該非摻GaInP光柵層10制作在非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9上；該非摻GaInP光柵層10采用與N型GaAs襯底2晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料；一非摻AlGaAs上蓋層11，該非摻AlGaAs上蓋層11制作在非摻GaInP光柵層10上；一P型AlGaAs上蓋層12，該P(yáng)型AlGaAs上蓋層12制作在非摻AlGaAs上蓋層11上；其中P型AlGaAs上蓋層12中AlAs的組分為0.4；一P型GaAs帽層13，該P(yáng)型GaAs帽層13制作在P型AlGaAs上蓋層12上；
一SiO2層14，該SiO2層14制作在P型GaAs帽層13兩側(cè)的上面；一P型電極15，該P(yáng)型電極15制作在SiO2層14和P型GaAs帽層13上；以及一N型電極1，該N型電極1制作在N型GaAs襯底2的下面。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1所示，本發(fā)明一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括以下步驟(1)在N型GaAs襯底2依次外延生長(zhǎng)N型GaAs緩沖層3、N型AlGaAs下蓋層4、非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5、非摻AlGaAs下壘層6、非摻AlGaInAs有源層7、非摻AlGaAs上壘層8、非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9和非摻GaInP光柵層10；該N型AlGaAs下蓋層4和P型AlGaAs上蓋層12中AlAs的組分為0.4；該非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5和非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4；該非摻AlGaInAs有源層7采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)；該非摻GaInP光柵層10采用與N型GaAs襯底2晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料；
(2)在非摻GaInP光柵層10上通過全息曝光加濕法腐蝕的方法制備光柵；所述濕法腐蝕采用體積比為Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480腐蝕液；(3)在非摻GaInP光柵層10上二次外延依次生長(zhǎng)非摻AlGaAs上蓋層11、P型AlGaAs上蓋層12和P型GaAs帽層13；(4)在P型GaAs帽層13上光刻并濕法腐蝕出脊形條，保留脊形條上面的光刻膠；該脊形條的濕法腐蝕采用體積比為H3PO4∶H2O2∶H2O＝1∶1∶3腐蝕液；(5)生長(zhǎng)200nm SiO2層14，帶膠剝離SiO2層14暴露出脊形條，而在脊形條外則覆蓋著SiO2層14；(6)制作P型電極15，蒸Ti/Pt/Au；(7)減薄N型GaAs襯底2，制作N型電極1，蒸Au/Ge/Ni；(8)劃片，解理成條，鍍膜，解理管芯，燒結(jié)完成激光器的制作。
再如圖1所示，本發(fā)明的具體實(shí)施例1中的分布反饋(DFB)激光器結(jié)構(gòu)包括由蒸Ti/Pt/Au制作的N型電極1，由蒸Au/Ge/Ni制作的P型電極15，二者的功能在于使外加電流注入到器件中；N型GaAs襯底2；N型GaAs緩沖層3，其作用在于減少由于直接將結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)在襯底2上所產(chǎn)生的缺陷，從而提高器件的質(zhì)量；N型AlGaAs下蓋層4和P型AlGaAs上蓋層12，其中AlAs的組分選擇為0.4，是考慮到一方面可以提供足夠的光和載流子限制的功效，另一方面避免過高的AlAs的組分易于氧化，從而給材料生長(zhǎng)帶來困難；非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5和非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9，二者構(gòu)成線性漸變分離限制結(jié)構(gòu)，其中非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5中AlAs組分由0.4線性漸變到0.2，非摻AlGaAs下壘層6中AlAs組分由0.2線性漸變到0.4，線性漸變分離限制結(jié)構(gòu)相較于普通的分離限制結(jié)構(gòu)來說能夠?qū)夂洼d流子提供更好的限制，從而可以更好的減少光損耗和降低閾值電流；非摻AlGaAs下壘層6和非摻AlGaAs上壘層8，AlAs的組分選擇為0.2，其效果在于將載流子限制在有源區(qū)內(nèi)，若AlAs的組分過低，則對(duì)載流子的限制作用變差，從而會(huì)使載流子更容易泄漏到相應(yīng)的少子區(qū)，使器件性能變差，這種情況在溫度升高時(shí)更嚴(yán)重；非摻AlGaInAs有源層7，采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)。其功效是用來形成光增益，AlGaInAs有源層相較于無應(yīng)變的GaAs有源層來說具有如微分增益高，厚度和Al/In組分可獨(dú)立調(diào)節(jié)等特點(diǎn)，之所以沒有采用更高的壓應(yīng)變，是為了降低材料生長(zhǎng)的難度；非摻GaInP光柵層10，采用與N型GaAs襯底2晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料，光柵層采用無鋁的GaInP材料作用在于克服了含鋁光柵易氧化帶來的問題；非摻AlGaAs蓋層11，AlAs的組分選擇為0.2，與非摻GaInP光柵層10形成折射率的差異，從而達(dá)到對(duì)產(chǎn)生的光反饋的目的；P型GaAs帽層13；SiO2層14，用于限制電流。
本發(fā)明的具體實(shí)施例1中的分布反饋(DFB)激光器制作方法包括(1)采用外延工藝金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法在N型GaAs襯底2上依次外延生長(zhǎng)N型GaAs緩沖層3，其作用在于減少由于直接將結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)在襯底2上所產(chǎn)生的缺陷，從而提高器件的質(zhì)量；N型AlGaAs下蓋層4，AlAs的組分選擇為0.4；非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5，AlAs組分由0.4線性漸變到0.2；非摻AlGaAs下壘層6，AlAs的組分選擇為0.2；非摻AlGaInAs有源層7，采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)。其功效是用來形成光增益，AlGaInAs有源層7相較于無應(yīng)變的GaAs有源層來說具有如微分增益高，厚度和Al/In組分可獨(dú)立調(diào)節(jié)等特點(diǎn)，之所以沒有采用更高的壓應(yīng)變，是為了降低材料生長(zhǎng)的難度；非摻AlGaAs上壘層8，AlAs的組分選擇為0.2，其與非摻AlGaAs下壘層6的作用在于將載流子限制在有源區(qū)內(nèi)，若AlAs的組分過低，則對(duì)載流子的限制作用變差，從而會(huì)使載流子更容易泄漏到相應(yīng)的少子區(qū)，使器件性能變差，這種情況在溫度升高時(shí)更嚴(yán)重；非摻AlGaAs上波導(dǎo)層9，AlAs組分由0.2線性漸變到0.4，其與非摻AlGaAs下波導(dǎo)層5二者構(gòu)成線性漸變分離限制結(jié)構(gòu)，線性漸變分離限制結(jié)構(gòu)相較于普通的分離限制結(jié)構(gòu)來說能夠?qū)夂洼d流子提供更好的限制，從而可以更好的減少光損耗和降低閾值電流的作用；非摻GaInP光柵層10，采用與N型GaAs襯底2晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料，光柵層采用無鋁的GaInP材料作用在于克服了含鋁光柵易氧化帶來的問題；(2)在非摻GaInP光柵層10上通過全息曝光加濕法腐蝕的方法制備光柵，其中光柵的濕法腐蝕采用體積比為Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480腐蝕液，在冰水混合物條件下腐蝕得到深度約為70nm周期為252nm的光柵，如圖2所示；(3)在非摻GaInP光柵層10上二次外延依次生長(zhǎng)非摻AlGaAs上蓋層11，AlAs的組分選擇為0.2，與非摻GaInP光柵層10形成折射率的差異，從而達(dá)到對(duì)產(chǎn)生的光反饋的目的；P型AlGaAs上蓋層12，AlAs的組分選擇為0.4，其與N型AlGaAs下蓋層4的功能是提供足夠的光和載流子限制；P型GaAs帽層13；(4)在P型GaAs帽層13上光刻并濕法腐蝕出脊形條，其作用在于保證器件單側(cè)模工作，脊形條的濕法腐蝕采用體積比為H3PO4∶H2O2∶H2O＝1∶1∶3腐蝕液。保留脊形條上面的光刻膠；(5)生長(zhǎng)200nm SiO2層14，帶膠剝離SiO2層14暴露出脊形條，使脊形條上無SiO2，而在脊形條外則覆蓋著SiO2，其作用在于限制電流；(6)制作P型電極15，蒸Ti/Pt/Au；
(7)減薄N型GaAs襯底2，制作N型電極1，蒸Au/Ge/Ni；(8)劃片，解理成條，鍍膜，解理管芯，燒結(jié)完成激光器的制作。
進(jìn)行器件性能測(cè)量。圖3是該器件的激射光譜圖，邊模抑制比大于30dB，達(dá)到了DFB激光器對(duì)單模的要求。
權(quán)利要求
1.一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括一N型GaAs襯底；一N型GaAs緩沖層，該N型GaAs緩沖層制作在N型GaAs襯底上；一N型AlGaAs下蓋層，該N型AlGaAs下蓋層制作在N型GaAs緩沖層上；一非摻AlGaAs下波導(dǎo)層，該非摻AlGaAs下波導(dǎo)層制作在N型AlGaAs下蓋層上；一非摻AlGaAs下壘層，該非摻AlGaAs下壘層制作在非摻AlGaAs下波導(dǎo)層上；一非摻AlGaInAs有源層，該非摻AlGaInAs有源層制作在非摻AlGaAs下壘層上；一非摻AlGaAs上壘層，該非摻AlGaAs上壘層制作在非摻AlGaInAs有源層上；一非摻AlGaAs上波導(dǎo)層，該非摻AlGaAs上波導(dǎo)層制作在非摻AlGaAs上壘層上；一非摻GaInP光柵層，該非摻GaInP光柵層制作在非摻AlGaAs上波導(dǎo)層上；一非摻AlGaAs上蓋層，該非摻AlGaAs上蓋層制作在非摻GaInP光柵層上；一P型AlGaAs上蓋層，該P(yáng)型AlGaAs上蓋層制作在非摻AlGaAs上蓋層上；一P型GaAs帽層，該P(yáng)型GaAs帽層制作在P型AlGaAs上蓋層上；一SiO2層，該SiO2層制作在P型GaAs帽層兩側(cè)的上面；一P型電極，該P(yáng)型電極制作在SiO2層和P型GaAs帽層上；以及一N型電極，該N型電極制作在N型GaAs襯底的下面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中N型AlGaAs下蓋層和P型AlGaAs上蓋層中AlAs的組分為0.4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中非摻AlGaAs下波導(dǎo)層和非摻AlGaAs上波導(dǎo)層采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中非摻AlGaInAs有源層采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中非摻GaInP光柵層采用與N型GaAs襯底晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料。
6.一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟(1)在N型GaAs襯底依次外延生長(zhǎng)N型GaAs緩沖層、N型AlGaAs下蓋層、非摻AlGaAs下波導(dǎo)層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs上壘層、非摻AlGaAs上波導(dǎo)層和非摻GaInP光柵層；(2)在非摻GaInP光柵層上通過全息曝光加濕法腐蝕的方法制備光柵；(3)在非摻GaInP光柵層上二次外延依次生長(zhǎng)非摻AlGaAs上蓋層、P型AlGaAs上蓋層和P型GaAs帽層；(4)在P型GaAs帽層上光刻并濕法腐蝕出脊形條，保留脊形條上面的光刻膠；(5)生長(zhǎng)200nm SiO2層，帶膠剝離SiO2層暴露出脊形條，而在脊形條外則覆蓋著SiO2層；(6)制作P型電極，蒸Ti/Pt/Au；(7)減薄N型GaAs襯底，制作N型電極，蒸Au/Ge/Ni；(8)劃片，解理成條，鍍膜，解理管芯，燒結(jié)完成激光器的制作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，其中所述步驟(2)中光柵的濕法腐蝕采用體積比為Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480腐蝕液。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，其中所述步驟(4)中脊形條的濕法腐蝕采用體積比為H3PO24∶H2O2∶H2O＝1∶1∶3腐蝕液。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，其中N型AlGaAs下蓋層和P型AlGaAs上蓋層中AlAs的組分為0.4。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，其中非摻AlGaAs下波導(dǎo)層和非摻AlGaAs上波導(dǎo)層采用線性漸變的分離限制結(jié)構(gòu)，AlAs組分變化范圍為0.2-0.4。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，其中非摻AlGaInAs有源層采用0.65％的壓應(yīng)變，PL譜峰在845-855nm范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，其中非摻GaInP光柵層采用與N型GaAs襯底晶格匹配的Ga0.51In0.49P材料。
全文摘要
一種波長(zhǎng)為852nm的分布反饋激光器的結(jié)構(gòu)，包括在N型GaAs襯底上依次制作的N型GaAs緩沖層、N型AlGaAs下蓋層、N型GaAs緩沖層、非摻AlGaAs下波導(dǎo)層、N型AlGaAs下蓋層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaAs下波導(dǎo)層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaAs上壘層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs上波導(dǎo)層、非摻AlGaAs上壘層、非摻GaInP光柵層、非摻AlGaAs上波導(dǎo)層、非摻AlGaAs上蓋層、非摻GaInP光柵層、P型AlGaAs上蓋層、非摻AlGaAs上蓋層、P型GaAs帽層、P型AlGaAs上蓋層、SiO
文檔編號(hào)H01S5/343GK101079532SQ20061001198
公開日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2006年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月25日
發(fā)明者付生輝, 鐘源, 陳良惠 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所