專利名稱：去除刻蝕殘留物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種刻蝕工藝后光刻膠殘留物質(zhì)的清除方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是芯片制造技術(shù)中用得最頻繁、最關(guān)鍵的技術(shù)之一，凡是半導(dǎo)體元件、光電器件等，都需要用光刻工藝將所需元件的基本組成單元和線路的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠圖形上，例如晶片或玻璃基板上。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等三大步驟。涂膠工藝的目的是在晶片表面建立薄而均勻、并且沒有缺陷的光刻膠膜。曝光是通過曝光燈或其他輻射光源將掩膜上圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。晶片曝光后，器件或電路的圖形被以曝光和未曝光區(qū)域的形式記錄在光刻膠上。通過對未聚合光刻膠的化學(xué)分解來使圖形顯影。顯影技術(shù)被設(shè)計成使之把完全一樣的掩膜板圖案復(fù)制到光刻膠上。光刻膠暴露在光線下會有一個聚合的過程，它會導(dǎo)致光刻膠聚合在顯影液中分解。顯影后掩膜板的圖案就被固定在光刻膠膜上并準(zhǔn)備刻蝕。在刻蝕后圖案就會被永久地轉(zhuǎn)移到晶片的表層。刻蝕就是通過光刻膠暴露區(qū)域來去掉晶片最表層的工藝。刻蝕工藝主要分為濕法和干法刻蝕，兩種方法的主要目的是將光刻掩膜板上的圖形精確地轉(zhuǎn)移到晶片的表面。目前大規(guī)模集成電路的精細圖形主要采用干法刻蝕。干法刻蝕包括等離子體刻蝕、離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。
在干法刻蝕的等離子刻蝕中一個不希望的影響是聚合物(polymer)沉積在刻蝕圖案的邊側(cè)或表面，聚合物來自光刻膠和光刻膠經(jīng)刻蝕后殘留的付產(chǎn)物?？涛g之后，圖案成為晶片最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層及其付產(chǎn)物就不再需要了，而需要從表面去掉。有許多不同的化學(xué)品被用于去除工藝。對它們的選擇依據(jù)晶片表面(在光刻膠層下)、產(chǎn)品考慮、光刻膠極性和光刻膠狀態(tài)。一系列不同的工藝濕法刻蝕、干法刻蝕和離子注入后，晶片表面的光刻膠都需要去掉。根據(jù)先前工藝的不同會有不同程度的困難。高溫硬烘烤、等離子體刻蝕的殘留物和聚合物以及由離子注入導(dǎo)致的硬殼都會對光刻膠去除帶來困難。申請?zhí)枮?3823216.2的中國專利公開了一種能除去殘留光刻膠的組合物。在制造集成電路的制程中，有時需要選擇性蝕刻半導(dǎo)體表面。在通孔、金屬線和溝槽形成過程中，反應(yīng)離子蝕刻(RIE)越來越成為選擇用于圖案轉(zhuǎn)移的方法。例如，復(fù)雜半導(dǎo)體器件如高級DRAMS和微處理器(需要多層后端線路互連配線)通過RIE來制造通孔和溝槽結(jié)構(gòu)，然后向溝槽內(nèi)填充金屬Cu。透過中間電介體層，通孔用于使一級硅、硅化物或金屬配線和另一級的配線接觸。溝槽結(jié)構(gòu)用于形成金屬線結(jié)構(gòu)。所述RIE工藝通常會留下復(fù)雜混合物的光刻膠殘留物(PR)，包括再濺射的氧化物材料以及來自用于平板印刷術(shù)限定通孔、介電質(zhì)和凹槽結(jié)構(gòu)的光致抗蝕劑和抗反射涂層材料的可能的有機材料。
圖1A至圖1C為說明現(xiàn)有晶片表面圖案形成過程的剖面圖。利用圖1A～圖1C所示的金屬圖案(metal pattern)制造工藝剖面圖說明現(xiàn)有技術(shù)清除殘留物質(zhì)的方法。如1A所示，首先在形成有若干半導(dǎo)體元件(圖未顯示)的半導(dǎo)體襯底10上形成絕緣層12，用來覆蓋上述半導(dǎo)體襯底10。接下來，形成擴散阻擋層(diffusion barrier)14，接著利用例如化學(xué)汽相沉積法(CVD)在上述阻擋層14的表面形成一電介質(zhì)層16，然后在上述電介質(zhì)層16表面沉積一復(fù)合層作為抗反射層18(anti-reflection coating；ARC)。此外，標(biāo)號20代表利用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)(photolithography)形成的光刻膠圖案((photoresist pattern)。之后，請參照圖1B與圖1C，去除未被光刻膠圖案20遮蔽的抗反射層18、電介質(zhì)層16與阻擋層14，直到露出上述絕緣層12為止。此時得到外形輪廓有些許變化的光刻膠圖案20a。然后，將半導(dǎo)體襯底10(晶片)移至有機溶劑槽，或直接移至去離子水槽(deionized water tank)，亦即以濕法清洗的方式剝除光刻膠圖案20。然后在16a之間的溝槽中填充金屬，例如銅。由于光刻膠圖案20的材料與上述蝕刻的環(huán)境特性，通常在圖案16a上還會有去除的光刻膠聚合物再沉積在晶片表面從而形成光刻膠殘留物20a。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的在于提供一種去除刻蝕殘留物的方法，在干法刻蝕形成所需圖形后，利用射頻電源產(chǎn)生偏壓，導(dǎo)入適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)氣體形成氣體噴流(flush)對刻蝕殘留物進行沖刷，然后再利用濕式清洗晶片表面的工藝步驟，此方法有效地去除刻蝕后殘留的物質(zhì)。
為達到上述目的，本發(fā)明提供的一種去除刻蝕殘留物的方法，包括
提供一半導(dǎo)體襯底；在襯底上形成功能層，在所述功能層表面形成掩膜層；圖案化所述掩膜層；干法刻蝕所述功能層以形成所需圖形并采用氣體噴流去除刻蝕殘留物；濕法清洗去除刻蝕殘留物。
所述氣體為氧氣(O2)。
所述氧氣的流量為10～2000sccm。
形成氧氣噴流氣體的反應(yīng)室內(nèi)的壓力為0.1～1000mT，噴流去除時間為0～90S。
所述氣體為氧氣(O2)和氦氣(He)的混合氣體。
所述氧氣的流量為10～2000sccm，所述氦氣的流量為10～5000sccm。
形成氧氣(O2)和氦氣(He)的混合氣體噴流氣體的反應(yīng)室內(nèi)部壓力為0.1～1000mT，時間為0～90S。
所述功能層包括氧化層、電介質(zhì)層和抗反射層。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種去除刻蝕殘留物的方法，在干法刻蝕形成所需圖形后，先利用濕法清洗晶片表面的刻蝕殘留物，再采用氣體灰化(ashing)方法去除刻蝕殘留物，然后進行灰化后清洗，此方法亦能夠有效地去除刻蝕后殘留的物質(zhì)。
為達到上述目的，本發(fā)明提供的另一種去除刻蝕殘留物的方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底；在襯底上形成功能層，在所述功能層表面形成掩膜層；圖案化所述掩膜層；刻蝕所述功能層以形成所需圖形；濕法去除刻蝕殘留物；采用灰化方法去除刻蝕殘留物；灰化后清洗。
所述灰化氣體為氮氣(N2)和氫氣(H2)的混合氣體。
所述氮氣(N2)和氫氣(H2)的混合氣體中氫氣所占流量比為5％～50％。
所述氣體灰化刻蝕的射頻偏置功率為100W～500W，反應(yīng)時間為5S～120S。
所述功能層包括氧化層、電介質(zhì)層和抗反射層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明在利用濕法去除刻蝕后的光刻膠聚合物殘留物，即利用有機去除劑進行表面清洗后，通入氧氣O2或氧氣O2和氦氣He的混合氣體，利用射頻偏壓產(chǎn)生氣體噴流，利用氣體噴流對晶片表面殘留的聚合物進行進一步的沖刷去除處理，然后再利用有機溶劑進行清洗。本發(fā)明的另一種方法是在濕法去除刻蝕后的光刻膠聚合物后利用氮氣N2和氫氣H2的混合氣體對殘留物進行灰化處理，隨后再進行灰化后清洗。本發(fā)明的方法能夠徹底去除晶片表面刻蝕后的聚合殘留物，而且不會改變晶片表面的CD。由于等離子氣體對晶片表面殘留物的去除反應(yīng)維持在很短的時間、很低的壓力和溫度下進行的，因此不會影響晶片表面低介電常數(shù)材料膜層的介電常數(shù)值。
此外，由于本發(fā)明的方法在采用氧氣O2或氧氣O2和氦氣He的混合氣體噴流進行表面去除刻蝕后聚合物殘留物時，還具有表面處理的作用，能夠?qū)⒕砻娴牡徒殡姵?shù)氧化膜層的憎水性表面轉(zhuǎn)換為親水性表面。由于被去除的聚合物殘留物是很難在親水性的表面再沉積的，因此在等離子去除工藝中被去除的殘留物在后續(xù)的清洗過程中不會再沉積在晶片表面的溝槽或通孔中。本發(fā)明的刻蝕殘留物去除方法對刻蝕后聚合物殘留物有很好的去除效果，而且能夠抗止光刻膠去除后的殘留物再沉積，很好地解決了由于被去除殘留物的再沉積而引起的其他例如堵塞通孔等問題，避免了傳統(tǒng)工藝中產(chǎn)生片狀沉積聚合物剝落導(dǎo)致污染芯片與腔體的危險。


圖1A至圖1C為說明現(xiàn)有晶片表面圖案形成過程的剖面圖；圖2A至圖2E為說明本發(fā)明去除刻蝕殘留物方法的晶片表面圖案形成過程剖面圖；圖3為本發(fā)明去除刻蝕殘留物方法第一實施例的流程圖；圖4為本發(fā)明去除刻蝕殘留物方法第二實施例的流程圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
本發(fā)明去除刻蝕殘留物的方法可被廣泛地應(yīng)用到半導(dǎo)體制造工藝中許多不同的金屬或非金屬層材質(zhì)蝕刻工藝后的光刻膠移除工藝。在此本發(fā)明通過較佳實施例來說明本發(fā)明方法，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)熟知許多的步驟是可以改變的，金屬層材料及反應(yīng)所產(chǎn)生的沉積物也可替換，這些一般的替換無疑地亦不脫離本發(fā)明的精神及保護范圍。
本發(fā)明的蝕刻后移除光刻膠殘留物方法的第一實施例是在干法蝕刻步驟后增加一高壓氣體噴流沖刷刻蝕殘留物的步驟，然后再利用濕法清洗晶片表面，可以完全去除附著在襯底表面圖案上的有機與無機沉積物與金屬殘留物，縮短傳統(tǒng)濕法移除光刻膠工藝所需的時間。首先提供一具有半導(dǎo)體器件的的半導(dǎo)體襯底，然后在其上依序形成有一金屬導(dǎo)體層及一圖案化光刻膠層；隨后以圖案化光刻膠層為光刻掩膜對金屬導(dǎo)體層進行蝕刻，形成所需要的圖形。然后，對該半導(dǎo)體襯底進行刻蝕殘留物的去除。首先射頻偏壓產(chǎn)生高壓氣體噴流，對刻蝕殘留物進行沖刷，然后對襯底表面再做適當(dāng)?shù)臐穹ㄇ逑?。本發(fā)明的刻蝕殘留物去除方法對刻蝕后殘留物有很好的去除效果，而且能夠抗止去除后的再沉積的問題，避免了傳統(tǒng)工藝中產(chǎn)生片狀沉積聚合物剝落導(dǎo)致污染芯片與腔體的危險。
圖2A至圖2D為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例說明晶片表面圖案形成過程的剖面圖。下面利用圖2A～2D所示的晶片表面圖案形成過程的剖面圖更詳細地說明本發(fā)明清除殘留物質(zhì)的方法。如圖2A所示，首先提供一形成有若干半導(dǎo)體元件(圖中未示出)的半導(dǎo)體基底100，然后，利用化學(xué)氣相淀積的方式(chemical vapor deposition CVD)形成絕緣保護層120，用來覆蓋上述半導(dǎo)體基底100。然后，再次利用CVD法形成擴散阻檔層(diffusion barrier)140；接著利用濺鍍或CVD法在上述阻擋層140的表面形成電介質(zhì)層160，然后在上述電介質(zhì)層160表面沉積一抗反射層180(anti-reflection coating ARC)。在接下來的工藝步驟中，利用光刻技術(shù)(photolithography)形成的光刻膠圖案并且光刻膠圖案200設(shè)置在欲形成金屬圖案的位置。
隨后，如圖2B所示，利用各向異性干蝕刻法，在氯氣或氯化硼等氣氛中，刻蝕未被光致抗蝕劑圖案200遮蔽的抗反射層180、電介質(zhì)層160和阻擋層140，直到露出上述絕緣層120為止。此時得到所需圖案160a，以及外形輪廓與上述圖案相同的的光刻膠圖案200a。然后，采用濕法清洗工藝，利用有機溶劑(例如CLK-888)去除光刻膠圖案200a。隨后在圖案160a之間的溝槽中填充金屬銅以形成金屬互連。然而由于光刻膠圖案200a材料的粘稠特性，加上前述氣氛氣體與金屬及水氣產(chǎn)生反應(yīng)，而形成一種有機聚合物，這種聚合物以片狀沉積聚合物的形式剝落再沉積在晶片表面，從而形成如圖2C所示的光刻膠殘留物質(zhì)300。
在本發(fā)明的去除刻蝕殘留物方法的第一實施例中，為了去除刻蝕殘留物質(zhì)300，在干法刻蝕電介質(zhì)層圖案160a之后采用就地表面處理的方法馬上去除刻蝕殘留物，然后再利用濕法清洗徹底去除刻蝕殘留物。具體做法是，在低壓的環(huán)境下將待刻蝕半導(dǎo)體襯底(晶片)移至反應(yīng)室的真空容器內(nèi)。反應(yīng)室的真空容器內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電性隔壁板，導(dǎo)電性隔壁板將真空容器內(nèi)部隔離為兩個空間，一個空間內(nèi)部形成為配置了高頻電極的噴流氣體生成空間、另一個空間為處理空間，半導(dǎo)體襯底放置在處理空間，其內(nèi)部配置有承載襯底的襯底保持機構(gòu)。上述導(dǎo)電性隔壁板具有使噴流氣體生成空間和成膜處理空間連通的多個貫通孔，并且具有與噴流氣體生成空間隔離，且通過多個擴散孔與成膜空間連通的內(nèi)部空間。在干法刻蝕完成之后，將O2通入噴流氣體生成空間，導(dǎo)入的流量為10～2000sccm，本實施例為200sccm；將壓力控制在0.1～1000mtorr，本實施例為10mtorr；處理時間為0～90S，本實施例處理大約10秒鐘。利用高頻電極提供高頻電壓，在噴流氣體生成空間中使O2電離生成高壓高速氣體噴流。本發(fā)明采用300W的射頻((radio frequency RF)電源產(chǎn)生射頻偏壓(bias)，增加離子轟擊(ion bombardment)效果，以在短時間內(nèi)沖刷刻蝕殘留物，隨后再利用化學(xué)試劑濕法清洗，達到徹底去除刻蝕殘留物質(zhì)300的目的。
本發(fā)明的去除刻蝕殘留物的方法也可以在反應(yīng)室內(nèi)同時通入氧氣O2和氦氣(He)的混合氣體。此時氧氣導(dǎo)入流量為10～2000sccm，本實施例為18sccm、氦氣的導(dǎo)入流量為10～5000sccm，本實施例為250sccm，將壓力控制在0.1～1000mtorr，本實施例為100mtorr，處理時間為0～90S，本實施例處理大約10秒鐘。
在上述去除刻蝕殘留物的過程中，采用氧氣O2或氧氣O2和氦氣He的混合氣體的高壓噴流氣體去除刻蝕后聚合物殘留物時，氧氣O2或氧氣O2和氦氣He的混合氣體還具有對襯底表面氧化層120進行處理的作用，能夠?qū)⒕砻娴牡徒殡姵?shù)氧化膜層的憎水性表面轉(zhuǎn)換為親水性表面，且不改變其介電常數(shù)值。由于被去除的聚合物殘留物是很難在親水性的表面再沉積的，因此在等離子去除工藝中被去除的殘留物在后續(xù)的清洗過程中不會再沉積在晶片表面的溝槽或通孔中。
如前所述，現(xiàn)有的去除刻蝕殘留物的方法是在形成金屬圖案160a之后，采用濕法去除外形輪廓與上述圖案相同的的光刻膠圖案200a，利用有機溶劑(例如CLK-888)去除光刻膠圖案200a。然而由于光刻膠圖案200a材料的粘稠特性，加上前述氣氛氣體與金屬及水氣產(chǎn)生反應(yīng)，而形成一種有機聚合物，這種聚合物以片狀沉積聚合物的形式剝落再沉積在晶片表面，從而形成如圖2C所示的光刻膠殘留物質(zhì)300。
為了清除此殘留物質(zhì)300，本發(fā)明的去除刻蝕殘留物方法的第二實施例在利用有機溶劑(例如CLK-888)去除光刻膠后，采用氮氣N2和氫氣H2的混合氣體對光刻膠殘留物300進行灰化去除，最后進行灰化后的清洗。在低壓的環(huán)境下將半導(dǎo)體襯底放置在反應(yīng)室真空容器內(nèi)的處理空間。反應(yīng)室的真空容器內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電性隔壁板，導(dǎo)電性隔壁板將真空容器內(nèi)部隔離為兩個空間，一個空間內(nèi)部形成為配置了高頻電極的等離子體生成空間、另一個空間為處理空間，其內(nèi)部配置有承載襯底的襯底保持機構(gòu)。將反應(yīng)氣體氮氣N2和氫氣H2的混合氣體通入反應(yīng)室，其中氫氣H2所占的流量比為5％～50％，本實施例采用20％。將壓力控制在0.1～1000mTorr，本實施例為10mtorr，處理時間根據(jù)殘留物的多少可以設(shè)置在5～120S之間，例如30S、60S和90S。利用高頻電極提供高頻電壓，本發(fā)明采用100W～500W的頻率范圍，例如150W的射頻((radio frequency RF)電源產(chǎn)生偏壓(bias)，利用反應(yīng)氣體對殘留物進行灰化處理達到徹底去除上述含有聚合物質(zhì)的殘留物質(zhì)300的目的。經(jīng)過上述等離子體與殘留物的反應(yīng)，殘留物質(zhì)300被完全地去除，后續(xù)僅需要利用ST-250等去除聚合物的化學(xué)試劑對晶片表面進行灰化的清洗即可。
圖3為本發(fā)明去除刻蝕殘留物方法第一實施例的流程圖。在本實施例中，在半導(dǎo)體襯底上形成包括氧化層、電介質(zhì)層和抗反射層的功能層；在所述功能層表面形成光刻膠層；利用掩膜光刻等工藝圖案化所述光刻膠層；干法刻蝕所述功能層以形成所需圖形之后；利用高壓氣體噴流沖刷刻蝕殘留物；然后再采用濕法清洗晶片表面徹底去除刻蝕殘留物。其中的氣體可以為氧氣(O2)，氧氣的流量為10～2000sccm。還可以為氧氣(O2)和氦氣(He)的混合氣體。其中所述氧氣的流量為10～2000sccm，所述氦氣的流量為10～5000sccm。
圖4為本發(fā)明去除刻蝕殘留物方法第二實施例的流程圖。在本實施例中，在半導(dǎo)體襯底上形成包括氧化層、電介質(zhì)層和抗反射層的功能層；在所述功能層表面形成光刻膠層；利用掩膜光刻等工藝圖案化所述光刻膠層；干法刻蝕所述功能層以形成所需圖形之后；首先采用濕法去除刻蝕殘留物；然后利用灰化的方法去除刻蝕殘留物；最后實施灰化后的清洗。其中灰化氣體為氮氣(N2)和氫氣(H2)的混合氣體。氮氣(N2)和氫氣(H2)的混合氣體中氫氣所占比例為5％～50％。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種去除刻蝕殘留物的方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底；在襯底上形成功能層，在所述功能層表面形成掩膜層；圖案化所述掩膜層；干法刻蝕所述功能層以形成所需圖形并采用氣體噴流去除刻蝕殘留物；濕法清洗去除刻蝕殘留物。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述氣體為氧氣(O2)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述氧氣的流量為10～2000sccm。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于形成氧氣噴流氣體的反應(yīng)室內(nèi)的壓力為0.1～1000mT，噴流去除時間為0～90S。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述氣體為氧氣(O2)和氦氣(He)的混合氣體。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述氧氣的流量為10～2000sccm，所述氦氣的流量為10～5000sccm。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于形成氧氣(O2)和氦氣(He)的混合氣體噴流氣體的反應(yīng)室內(nèi)部壓力為0.1～1000mT，時間為0～90S。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述功能層包括氧化層、電介質(zhì)層和抗反射層。
9.一種去除刻蝕殘留物的方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底；在襯底上形成功能層，在所述功能層表面形成掩膜層；圖案化所述掩膜層；刻蝕所述功能層以形成所需圖形；濕法去除刻蝕殘留物；采用灰化方法去除刻蝕殘留物；灰化后清洗。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述灰化氣體為氮氣(N2)和氫氣(H2)的混合氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述氮氣(N2)和氫氣(H2)的混合氣體中氫氣所占流量比為5％～50％。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述氣體灰化刻蝕的射頻偏置功率為100W～500W，反應(yīng)時間為5S～120S。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述功能層包括氧化層、電介質(zhì)層和抗反射層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種去除刻蝕殘留物的方法包括提供一半導(dǎo)體襯底；在襯底上形成功能層，在所述功能層表面形成掩膜層；圖案化所述掩膜層；干法刻蝕所述功能層以形成所需圖形并采用氣體噴流去除刻蝕殘留物；濕法清洗去除刻蝕殘留物。本發(fā)明的另一種去除刻蝕殘留物的方法在刻蝕所述功能層以形成所需圖形之后先利用濕法去除刻蝕殘留物；然后采用灰化方法去除刻蝕殘留物；最后進行灰化后的清洗。本發(fā)明的刻蝕殘留物去除方法對刻蝕后聚合物殘留物有很好的去除效果，而且能夠抗止光刻膠去除后的殘留物再沉積，很好地解決了由于被去除殘留物的再沉積而引起的例如堵塞通孔等問題。
文檔編號H01L21/02GK101063821SQ20061002632
公開日2007年10月31日 申請日期2006年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月30日
發(fā)明者王靈玲, 宋銘峰, 郭佳衢, 李建茹, 方標(biāo), 劉軒, 王秀, 鄭蓮晃, 王潤順 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司