專利名稱：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
硅基射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件現(xiàn)在已經(jīng)被廣泛被應(yīng)用于無(wú)線通信領(lǐng)域。隨著制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件尺寸越來(lái)越小，對(duì)器件阻抗匹配、高頻增益及射頻噪聲系數(shù)等指標(biāo)也提出了更高的要求。由于持續(xù)工作，器件不斷老化，功能慢慢衰退，穩(wěn)定性變差，增益及最小射頻噪聲系數(shù)等指標(biāo)也會(huì)隨著工作頻率增高而變差。特別是現(xiàn)在的超寬帶(Ultra-wide band)無(wú)線通信技術(shù)中需要很高的工作頻率，工作在其中的射頻器件性能衰退的現(xiàn)象越來(lái)越不能忽視。
現(xiàn)有技術(shù)中的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的如圖1A所示，半導(dǎo)體襯底100上有復(fù)數(shù)個(gè)共用源極110和漏極120的晶體管器件，其中組成晶體管器件的源極110和漏極120交叉排布，在源極110和與其相鄰的漏極120之間的襯底上形成有柵極130，柵極130的俯視圖如圖1B所示，多個(gè)柵極相互平行并通過(guò)金屬線180相連。在圖1A中，通過(guò)接觸孔155中的金屬導(dǎo)線，將源極110與第一金屬層160相連，第二金屬層170通過(guò)接觸孔165中的金屬與漏極120相連。溝槽140中填充有絕緣物質(zhì)?，F(xiàn)有技術(shù)中的這種半導(dǎo)體器件，其關(guān)鍵尺寸及柵極尺寸可以做到0.18um甚至更小，當(dāng)其應(yīng)用于高頻電路中時(shí)，由于器件本身的寄生效應(yīng)以及器件上層的互連金屬中高頻電流產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)在器件中耦合產(chǎn)生的噪聲電流，使得器件的最小射頻噪聲系數(shù)及增益變差。同時(shí)對(duì)器件的性能的檢測(cè)也不得不采用復(fù)雜的互聯(lián)抖動(dòng)反嵌(de-embedding)程序，不但浪費(fèi)時(shí)間也增加成本。
專利號(hào)為US7015545 B2的美國(guó)專利公開(kāi)了一種射頻晶體管器件能夠減小器件本身寄生效應(yīng)產(chǎn)生的噪聲。如圖2A所示，在襯底100上形成有復(fù)數(shù)個(gè)MOS管，其中120為漏極，源極110中間形成有隔離區(qū)111。在所述源極110和漏極120之間的襯底上形成有柵極130，所述柵極130如圖2B所示平行分布，每?jī)蓚€(gè)柵極130被所述隔離區(qū)111隔離。如圖2A所示，每個(gè)柵極130都有與其相應(yīng)的源極110，每?jī)蓚€(gè)柵極130有一個(gè)公共的漏極120。所述源極110與漏極120分別通過(guò)其各自的接觸孔與相應(yīng)的金屬層相連(這里沒(méi)有畫(huà)出)。所述射頻晶體管器件應(yīng)用于射頻電路中，由于隔離區(qū)存使每一MOS器件的寄生電阻減小，使得該射頻晶體管輸出噪聲減小，有較高的輸出增益。但是，上層互連金屬層中高頻電流產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)在MOS器件中耦合而產(chǎn)生的噪聲仍然沒(méi)有解除，該噪聲仍然會(huì)降低器件的性能如增益、最低噪聲系數(shù)等。對(duì)該器件的檢測(cè)也需采用復(fù)雜的互連抖動(dòng)反嵌程序。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，本發(fā)明能夠有效消除各互連層產(chǎn)生的電磁輻射對(duì)器件層產(chǎn)生噪聲干擾。
本發(fā)明提供的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的器件層；和在所述器件層上形成的屏蔽層；以及在所述屏蔽層上形成的互連層。
所述器件層為復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
所述屏蔽層材料是鋁或銅。
所述屏蔽層與器件層之間形成有絕緣層。
所述絕緣層材料是氧化硅。
所述屏蔽層接地。
所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管柵極相互平行排布。
所述絕緣層和屏蔽層中形成有連接孔。
所述復(fù)數(shù)柵金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管柵極之間的襯底上依次形成有源極和漏極。
所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵氧厚度為1.0nm～4.0nm。
所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管柵極寬度為65nm～350nm。
所述器件層通過(guò)絕緣層和屏蔽層上的連接孔與互連層相連。
相應(yīng)的，本發(fā)明提供一種射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成器件層；
在所述器件層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成屏蔽層；在所述屏蔽層和絕緣層上形成連接孔；在所述屏蔽層上形成互連層。
所述器件層為復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
所述屏蔽層材料是鋁或銅。
所述絕緣層材料是氧化硅。
所述互連層通過(guò)連接孔與器件層電連接。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，在晶體管與互連層之間引入屏蔽層，能夠有效的屏蔽互連層中的導(dǎo)線產(chǎn)生的電磁波對(duì)晶體管器件影響。本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件在晶體管上形成有屏蔽層，工作在高頻狀態(tài)時(shí)，互連層中的交變電流產(chǎn)生的電磁輻射被接地的屏蔽層所屏蔽而不能傳輸?shù)揭r底上的晶體管中，從而保證了襯底上的晶體管不受互連金屬層中的電磁輻射的干擾。同時(shí)，根據(jù)器件性能的需要，采用16或32等復(fù)數(shù)柵極結(jié)構(gòu)，降低晶體管器件的寄生電阻。減小了由于器件本身產(chǎn)生的噪聲。從而保證了半導(dǎo)體器件有較高的增益系數(shù)及較小的最小噪聲指數(shù)(NFmin)。
本發(fā)明中引入的屏蔽層能夠屏蔽掉互連層及外引線焊點(diǎn)(pad)處接觸電阻產(chǎn)生的噪聲的影響，不必采用互聯(lián)抖動(dòng)反嵌程序(de-embedding)也能夠較準(zhǔn)確的測(cè)試到器件的性能指標(biāo)。


圖1A和圖2A為現(xiàn)有技術(shù)射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件剖面圖；圖1B和圖2B分別為圖1A和圖2A所述射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件柵極俯視圖；圖3A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件剖面圖；圖3B為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件俯視圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件互連層產(chǎn)生磁場(chǎng)分布圖；圖5為本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件產(chǎn)生磁場(chǎng)分布圖；圖6A及圖6B是現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件有無(wú)互連抖動(dòng)反嵌程序在不同工作頻率時(shí)測(cè)到的最小噪聲系數(shù)(NFmin)比較圖。
圖7～10為本發(fā)明實(shí)施例的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件制造方法剖面圖；具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
圖3A和圖3B為本發(fā)明第一實(shí)施例的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)圖。如圖3A所示，在半導(dǎo)體襯底200上形成有復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管源極210和漏極220依次排布。在源極210和漏極220之間的襯底上形成有柵極230，柵氧厚度為1.0nm～4.0nm，多晶硅厚度為200nm。柵極寬度為65～350nm，柵極個(gè)數(shù)為16個(gè)或32個(gè)，相互平行排布。采用復(fù)數(shù)柵結(jié)構(gòu)可以減小柵極電阻，減小柵極溝道與源漏之間形成的寄生電阻，從而減小電流噪聲。提高器件的增益系數(shù)。溝槽240中填充有絕緣物質(zhì)。在所述柵極130上形成有絕緣層231，其可以是氧化硅等高介電常數(shù)材料。在所述絕緣層231中形成有連接孔用來(lái)連接源極210或漏極220與上層的互連層。在所述絕緣層上形成有屏蔽層235，所述屏蔽層材料可以是鋁或銅，其形成方式可以采用電鍍或沉積。若屏蔽層235采用易擴(kuò)散的銅，可以在絕緣層上先形成一阻擋層，再沉積銅，從而可以防止銅在絕緣層23 1中的擴(kuò)散而影響絕緣層的介電常數(shù)。在所述屏蔽層235上有連接孔，其位置與所述絕緣層231上的連接孔位置相對(duì)應(yīng)。在工作時(shí)，屏蔽層235接地，作為屏障層屏蔽來(lái)自上層的互連層在高頻時(shí)產(chǎn)生的電磁波。在所述屏蔽層235上形成有第一金屬層260、第二金屬層270、第三金屬層280等互連層。當(dāng)然，對(duì)于不同的器件或不同的互連方式，其上還可以有第四、第五等金屬層。第一金屬層260通過(guò)屏蔽層235和絕緣層231上的連接孔中的導(dǎo)線255與源極210相連，第二金屬層270通過(guò)屏蔽層235和絕緣層231上的連接孔中的導(dǎo)線265與漏極220相連，第三金屬層280通過(guò)金屬235和絕緣層231上的連接孔中的導(dǎo)線275與柵極230相連。導(dǎo)線255，265和275均與所述屏蔽層235絕緣。圖3B是本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件俯視圖。如圖3B所示，屏蔽層235隔離其下面的晶體管器件與其上的互連層。柵極230用虛線表示其位于所述屏蔽層235下面。多個(gè)柵極230相互平行排布，通過(guò)275與第三金屬層280連接。第三金屬層280與外引線焊接點(diǎn)282相連。多個(gè)柵極并聯(lián)有助于減小柵極電阻從而有助于降低半導(dǎo)體器件的寄生電阻產(chǎn)生的熱噪聲。多個(gè)柵極之間的間隔中依次形成有源極和漏極，并通過(guò)連接孔中的導(dǎo)線255和265連至上層第一金屬層260和第二金屬層270。第一金屬層260和第二金屬層270分別與外引線焊接塊(pad)282和283相連。
本發(fā)明的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，在晶體管與互連層之間引入屏蔽層，能夠有效的屏蔽互連層中的導(dǎo)線產(chǎn)生的電磁波對(duì)晶體管器件影響。圖4為現(xiàn)有技術(shù)共面波導(dǎo)(Co-planar waveguide layout)射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件之金屬層產(chǎn)生電磁輻射示意圖。如圖4所示，襯底200上有復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物晶體管，其上有互連層201。射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件在工作時(shí)，互連層201中高頻的交變電流會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)又產(chǎn)生交變電場(chǎng)，形成電磁輻射，所述電磁輻射在襯底形成的寄生電阻中產(chǎn)生噪聲電流。該噪聲電流影響器件的增益及最低噪聲系數(shù)(NEminminimum noise figure)，使得器件輸出的信號(hào)失真。另一方面，高頻信號(hào)的能量通過(guò)電磁輻射的形式輻射除去并耦合在襯底上的晶體管器件中產(chǎn)生有害的噪聲信號(hào)，損失的能量使得經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體器件后的射頻功率下降，不利于信號(hào)的輸入等后續(xù)處理。圖5是本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件之金屬層產(chǎn)生電磁輻射示意圖。如圖5所示，半導(dǎo)體襯底200上的復(fù)數(shù)柵金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管上形成有屏蔽層235。所述屏蔽層235上有互連層201。所述本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件工作在高頻狀態(tài)時(shí)，金屬互聯(lián)層201中的交變電流產(chǎn)生的電磁輻射被接地的屏蔽層235所屏蔽而不能傳輸?shù)揭r底上的晶體管中。從而保證了襯底上的晶體管不受互連金屬層201中的電磁輻射的干擾。同時(shí)，根據(jù)器件性能的需要，采用16或32等復(fù)數(shù)柵極結(jié)構(gòu)，降低晶體管器件的寄生電阻。減小了由于器件本身產(chǎn)生的噪聲。從而保證了半導(dǎo)體器件有較高的增益系數(shù)及較小的最小噪聲指數(shù)(NFmin)。
本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)可以屏蔽掉互連層電磁波(EM，electromagnetism)相互干擾而引起的噪聲。在對(duì)本發(fā)明的射頻金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試時(shí)也會(huì)由于該屏蔽層235的存在而變得簡(jiǎn)單。現(xiàn)有技術(shù)的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件由于沒(méi)有屏蔽層。在對(duì)其進(jìn)行功能測(cè)試時(shí)不得不設(shè)計(jì)復(fù)雜的互聯(lián)抖動(dòng)反嵌(de-embedding)步驟扣除所測(cè)試的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件中的寄生電容寄生電阻及外引線焊接點(diǎn)(pad)處接觸電阻的影響。本發(fā)明中引入的屏蔽金屬層235能夠屏蔽掉互連層及外引線焊點(diǎn)(pad)處接觸電阻產(chǎn)生的噪聲的影響，不必采用互聯(lián)抖動(dòng)反嵌程序(de-embedding)也能夠較準(zhǔn)確的測(cè)試到器件的性能指標(biāo)。圖6A、圖6B是現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件有無(wú)互連抖動(dòng)反嵌程序在不同工作頻率時(shí)的最小噪聲系數(shù)(NFmin)比較圖，其中圖6A是對(duì)16柵極的半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果，圖6B是對(duì)32柵極的半導(dǎo)體器件測(cè)試結(jié)果，橫軸表示頻率(GHz)?？v軸表示最小噪聲系數(shù)(db)。如圖6A所示，▲表示現(xiàn)有技術(shù)射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件測(cè)到的NFmin，●表示本發(fā)明中的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的NEmin?！鞅硎粳F(xiàn)有技術(shù)射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件加上選擇性互聯(lián)抖動(dòng)反嵌(de-embedding)后測(cè)到的NFmin。結(jié)果顯示16柵極的nMOSFETs，在10GHz的頻率下，現(xiàn)有技術(shù)的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件測(cè)量到的最低噪聲值(NFmin)是2.16dB。本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件由于加入了屏蔽層，測(cè)量到的最低噪聲值(NFmin)只有1.05dB。該值幾乎等于現(xiàn)有技術(shù)射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件加入互聯(lián)抖動(dòng)反嵌后測(cè)到的最低噪聲值。圖6B對(duì)32柵極的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件做了同樣的比較得出了同樣的結(jié)論，即采用本發(fā)明的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件不必采用互連抖動(dòng)反嵌程序就能夠準(zhǔn)確測(cè)量器件的最小噪聲系數(shù)。
本發(fā)明的第二實(shí)施例是在如2A的所示的晶體管上覆蓋一層屏蔽層，并在所述屏蔽層上形成互連層。其作用與效果同第一實(shí)施例，這里不再重述。
推而廣之，對(duì)于任何的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件都可在其器件層上形成本發(fā)明所述的屏蔽層，其產(chǎn)生的作用與效果同第一實(shí)施例，都在本發(fā)明所保護(hù)的范圍之內(nèi)。
圖7～10為本發(fā)明射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例的剖面圖。
如圖7所示， 提供一半導(dǎo)體襯底200，在半導(dǎo)體襯底200上形成有復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。所述晶體管源極210和漏極220依次排布。在源極210和漏極220之間的襯底上形成有柵極230，柵氧厚度為1.0nm～4.0nm，多晶硅厚度為200nm。柵極寬度為65～350nm，柵極個(gè)數(shù)為16個(gè)或32個(gè)，相互平行排布。采用復(fù)數(shù)柵結(jié)構(gòu)可以減小柵極電阻，減小柵極溝道與源漏之間形成的寄生電阻，從而減小電流噪聲。提高器件的增益系數(shù)。溝槽240中填充有絕緣物質(zhì)。
如圖8所示，在所述柵極130上形成絕緣層231，其可以是氧化硅等高介電常數(shù)材料。形成的方法可以是化學(xué)氣相沉積。在所述絕緣層231上形成屏蔽層235。所述屏蔽層235材料可以是鋁或銅，其形成方式可以采用電鍍或沉積。若屏蔽層235采用易擴(kuò)散的銅，可以在絕緣層上先形成一阻擋層，再沉積銅，從而可以防止銅在絕緣層231中的擴(kuò)散而影響絕緣層的介電常數(shù)。在工作時(shí)，屏蔽層235接地，作為屏障層屏蔽來(lái)自上層的互連層在高頻時(shí)產(chǎn)生的電磁波。
如圖9所示，在所述屏蔽層235上旋涂光致抗蝕劑(Photoresist)，通過(guò)曝光顯影形成連接孔圖案，然后刻蝕在所述屏蔽層235和絕緣層231上形成連接孔，連接孔用于連接器件層和互連層。
如圖10所示，在所述屏蔽層235上依次形成第一金屬層260、第二金屬層270、第三金屬層280等互連層。當(dāng)然，對(duì)于不同的器件或不同的互連方式，其上還可以有第四、第五等金屬層。第一金屬層260通過(guò)屏蔽層235和絕緣層231上的連接孔中的導(dǎo)線255與源極210相連，第二金屬層270通過(guò)屏蔽層235和絕緣層231上的連接孔中的導(dǎo)線265與漏極220相連，第三金屬層280通過(guò)金屬235和絕緣層231上的連接孔中的導(dǎo)線275與柵極230相連。導(dǎo)線255，265和275均與所述屏蔽層235絕緣。
對(duì)于任何的具有本發(fā)明所述屏蔽層的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，都可以通過(guò)本發(fā)明的制造方法獲得，并產(chǎn)生本發(fā)明所述的作用與效果，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于包括半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的器件層；和在所述器件層上形成的屏蔽層；以及在所述屏蔽層上形成的互連層。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述器件層為復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述屏蔽層材料是鋁或銅。
4.如權(quán)利要求1所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述屏蔽層與器件層之間形成有絕緣層。
5.如權(quán)利要求4所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述絕緣層材料是氧化硅。
6.如權(quán)利要求1或3或4所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述屏蔽層接地。
7.如權(quán)利要求2所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管柵極相互平行排布。
8.如權(quán)利要求3或4所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述絕緣層和屏蔽層中形成有連接孔。
9.如權(quán)利要求2所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述復(fù)數(shù)柵金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管柵極之間的襯底上依次形成有源極和漏極。
10.如權(quán)利要求2所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵氧厚度為1.0nm～4.0nm。
11.如權(quán)利要求2所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管柵極寬度為65nm～350nm。
12.如權(quán)利要求1所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于所述器件層通過(guò)絕緣層和屏蔽層上的連接孔與互連層相連。
13.一種射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括提供一半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成器件層；在所述器件層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成屏蔽層；在所述屏蔽層和絕緣層上形成連接孔；在所述屏蔽層上形成互連層。
14.如權(quán)利要求13所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述器件層為復(fù)數(shù)柵射頻金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
15.如權(quán)利要求13所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述屏蔽層材料是鋁或銅。
16.如權(quán)利要求13所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述絕緣層材料是氧化硅。
17.如權(quán)利要求13所述的射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于所述互連層通過(guò)連接孔與器件層電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種射頻金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，該器件包括半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的器件層；和在所述器件層上形成的屏蔽層；以及在所述屏蔽層上形成的互連層。其制造方法為提供一半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成器件層；在所述器件層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成屏蔽層；在所述屏蔽層和絕緣層上形成連接孔；在所述屏蔽層上形成互連層。所述屏蔽層屏蔽互連層產(chǎn)生電磁輻射對(duì)晶體管的影響并使得對(duì)所述半導(dǎo)體器件的測(cè)試變得簡(jiǎn)單準(zhǔn)確。
文檔編號(hào)H01L23/552GK101093831SQ200610027810
公開(kāi)日2007年12月26日 申請(qǐng)日期2006年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月19日
發(fā)明者廖金昌, 黃威森, 張莉菲 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司