專利名稱：光刻工藝中的光學臨近效應補償方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體工藝領域中的光刻工藝，尤其是一種光刻工藝中的 光學臨近效應補償方法。
技術背景光學臨近效應是由光學系統(tǒng)的有限分辨率造成的。如圖1所示， 一個 直邊的成像位置會因透光部分的光強增強而向不透明方向移動，即直邊的 成像位置會從光強強的地方向光強弱的地方移動?，F(xiàn)有的光學系統(tǒng)分辨率 大多為有限的，光學臨近效應難以避免。在半導體工藝領域中的光刻工藝 中，掩膜板上各個區(qū)域透明度不同，有些區(qū)域透明度較高，而另一些區(qū)域 的透明度相對較低。光學臨近效應會使得成像的位置向透明度較低的方向 移動。掩膜板上孤立的圖形周圍的光強比在密集圖形之間的光強大，因而 成像位置會向光強弱的地方移動。由于掩膜板上各個區(qū)域的圖形或集中或 鼓勵，因而造成掩膜板各個區(qū)域的透明度不同，光學臨近效應會使圖形發(fā) 生形狀變化。現(xiàn)有技術通過在掩膜板上對在曝光過程中由于光學臨近效應發(fā)生形狀 變化的圖形進行補償，通常需要制作一塊測試掩膜板，并且通過實驗確定 形狀變化的實際大小來決定修正值。這種做法不僅需要花費較大人力物力 成本和時間，而且還會在光學臨近效應較大時變得不精確。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種光刻工藝中的光學臨近效應補 償方法，能夠?qū)鈱W臨近效應發(fā)生形狀變化的圖形進行補償，并且降低補 償所用的物質(zhì)和人工成本，提高生產(chǎn)效率。為解決上述技術問題，本發(fā)明光刻工藝中的光學臨近效應補償方法所 采用的技術方案是，包括以下步驟第一步，將透明度可編程薄濾光片固 定在掩膜板上；第二步，對固定在掩膜板上的透明度可編程薄濾光片進行 曝光；第三步，將曝光過的透明度可編程薄濾光片在暗室進行顯影，得到 透明度可編程薄濾光片的透明度分布。本發(fā)明的光刻工藝中的光學臨近效應補償方法通過對固定在掩膜板上 的透明度可編程薄濾光片進行曝光，并且對曝光過的透明度可編程薄濾光 片，得到濾光片的透明度分布，對掩膜板由于光學臨近效應產(chǎn)生的圖形形 狀變化進行補償，不僅能使補償圖形變化，而且大大簡化補償?shù)牟襟E，降 低補償?shù)某杀?，還提高補償?shù)木取?br>

下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖l是光學臨近效應的示意圖；圖2是本發(fā)明方法光學臨近效應補償示意圖；圖3是本發(fā)明方法流程示意圖。
具體實施方式
如圖3所示，本發(fā)明的光刻工藝中的光學臨近效應補償方法，包括以 下步驟第一步，通過掩膜板四周的支架將一次性透明度可編程薄濾光片
固定在掩膜板上；第二步，采用光刻機光源對固定在掩膜板上的一次性透 明度可編程薄濾光片進行曝光；第三步，將曝光過的一次性透明度可編程 薄濾光片在暗室進行顯影，得到一次性透明度可編程薄濾光片的透明度分 布。所述的一次性透明度可編程薄濾光片根據(jù)所需要補償?shù)墓に囘x擇合適 感光度的感光物質(zhì)作為濾光片。本發(fā)明的光刻工藝中的光學臨近效應補償 方法可應用于各種尺寸硅片光刻設備。本發(fā)明通過使用放在靠近掩膜板的一次性透明度可編程薄濾光片來實 現(xiàn)對光學臨近效應的部分補償。由于濾光片含有帶光吸收的材料，可以在 曝光過程中吸收光并且利用一定的顯定影方法使這種透明程度分布固定下 來，與掩膜板上透明度較高的區(qū)域所對應的濾光片上的區(qū)域的透明度會相 應地降低。如圖2所示，由于濾光片的感光隨光強遞增而增加，而且由于 孤立的圖形周圍的光強比在密集圖形之間的光強大，濾光片在孤立的圖形 周圍的感光比在密集圖形之間的感光大。因而濾光片在孤立的圖形周圍的 變得不透明程度也比在密集圖形之間的要大。光學臨近效應所造成的線寬 疏密差可以得到補償。本發(fā)明通過在掩膜板上方增加一次性透明度可編程薄濾光片、對該濾 光片進行曝光以及顯影定影的方法，實現(xiàn)了對光學臨近效應的補償。本發(fā) 明不僅可以實現(xiàn)光學臨近效應的補償，而且可以減少進行光學臨近補償?shù)?物質(zhì)和人工成本，提高生產(chǎn)效率，同時還提高光學臨近補償?shù)木取?br> 權利要求
1、一種光刻工藝中的光學臨近效應補償方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，將透明度可編程薄濾光片固定在掩膜板上；第二步，對固定在掩膜板上的透明度可編程薄濾光片進行曝光；第三步，將曝光過的透明度可編程薄濾光片在暗室進行顯影，得到透明度可編程薄濾光片的透明度分布。
2、 如權利要求l所述的光刻工藝中的光學臨近效應補償方法，其特征 在于，所述的透明度可編程薄濾光片為一次性透明度可編程薄濾光片。
3、 如權利要求l所述的光刻工藝中的光學臨近效應補償方法，其特征 在于，第二步中采用光刻機光源對固定在掩膜板上的透明度可編程薄濾光 片進行曝光。
4、 如權利要求1所述的光刻工藝中的光學臨近效應補償方法，其特征 在于，第一步中，通過掩膜板四周的支架將透明度可編程薄濾光片固定在 掩膜板上方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻工藝中的光學臨近效應補償方法，包括以下步驟第一步，將透明度可編程薄濾光片固定在掩膜板上；第二步，對固定在掩膜板上的透明度可編程薄濾光片進行曝光；第三步，將曝光過的透明度可編程薄濾光片在暗室進行顯影，得到透明度可編程薄濾光片的透明度分布。本發(fā)明通過在掩膜板上方固定透明度可編程薄濾光片，不僅能夠?qū)鈱W臨近效應發(fā)生形狀變化的圖形進行補償，并且降低補償所用的物質(zhì)和人工成本，提高生產(chǎn)效率。
文檔編號H01L21/027GK101118386SQ20061002961
公開日2008年2月6日 申請日期2006年8月1日 優(yōu)先權日2006年8月1日
發(fā)明者蔣運濤 申請人:上海華虹Nec電子有限公司