專利名稱：：進(jìn)行rta控溫測量的方法及其所用的測控晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及芯片制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種進(jìn)行RTA(RapidThermalAnnealing,快速熱退火)控溫測量的方法。本發(fā)明還涉及進(jìn)行RTA控溫測量專用的測控晶片。
背景技術(shù)：
：業(yè)界現(xiàn)行通用的監(jiān)測RTA設(shè)備穩(wěn)定性的方法是，用經(jīng)過離子植入的晶片(簡稱"測控晶片")，在RTA設(shè)備上作快速熱處理，對摻雜的離子進(jìn)行激活，然后測量快速熱處理后晶片的薄層電阻值。通過測得電阻值來反映RTA控溫的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。測量阻值越高，則說明RTA溫度越低，反之亦然。這種監(jiān)測方式存在嚴(yán)重不足。因?yàn)镽TA設(shè)備的測溫是通過測量晶片背面輻射率的方式來間接測量的，輻射率測量的準(zhǔn)確性直接影響RTA系統(tǒng)測溫的準(zhǔn)確性。然而產(chǎn)品晶片和測控晶片背面的輻射率不同，產(chǎn)品晶片由于前層制成的不同，造成晶片背面覆蓋的物質(zhì)不同，所以晶片背面的輻射率也各異，通常在0.4到0.95的范圍內(nèi)，而測控晶片背面性質(zhì)比較單一，輻射率比較恒定(通常在0.7到0.8的范圍內(nèi))。所以現(xiàn)有方法只能監(jiān)測某一輻射率下RTA系統(tǒng)的溫度測算的準(zhǔn)確性，不能反映晶背輻射率多變的產(chǎn)品晶片上溫度測量的準(zhǔn)確性。現(xiàn)有RTA測控方法對應(yīng)的輻射率與溫度關(guān)系曲線如圖1所示，在圖中，正常的輻射率溫度關(guān)系曲線由黑線表示，當(dāng)輻射率溫度關(guān)系曲線發(fā)生偏移時(圖中灰線所示)，往往在輻射率的高端(輻射率為0.95附近時)和低端(輻射率為0.4附近時)溫度偏移會最嚴(yán)重，此時如果應(yīng)用現(xiàn)有方法，用輻射率為0.6到0.7范圍內(nèi)測控晶片進(jìn)行測量，則不會發(fā)現(xiàn)該問題。當(dāng)該RTA設(shè)備加工產(chǎn)品晶片(輻射率范圍0.4到0.95)時，此問題才會顯現(xiàn)出來，導(dǎo)致大量的產(chǎn)品因?yàn)闇囟葴y控不準(zhǔn)確而報(bào)廢。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種進(jìn)行RTA控溫測量的方法，該方法可兼顧輻射率低/高兩端，并能更加容易地發(fā)現(xiàn)RTA設(shè)備輻射率測算出現(xiàn)的問題。為此，本發(fā)明還要提供一種進(jìn)行RTA控溫測量專用的測控晶片。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種進(jìn)行RTA控溫測量的方法，包括如下步驟(1)制備兩種測控晶片，一種為低輻射率測控晶片，另一種為高輻射率測控晶片；(2)同時應(yīng)用步驟(1)的低輻射率測控晶片和高輻射率測控晶片對RTA設(shè)備進(jìn)行測量。一種上述方法中用的測控晶片，該測控晶片是通過改變晶片背面材質(zhì)而形成。本發(fā)明的進(jìn)行RTA控溫測量的方法，通過兩種高/低不同輻射率的測控晶片，對RTA溫度測控進(jìn)行全面觀測，能更好地維護(hù)設(shè)備的穩(wěn)定。圖1是現(xiàn)有RTA測控方法對應(yīng)的輻射率與溫度關(guān)系曲線圖；圖2是本發(fā)明方法對應(yīng)的輻射率與溫度關(guān)系曲線圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的進(jìn)行RTA控溫測量的方法，首先研制兩種新的晶背輻射率不同的測控晶片，一種通過在晶片背面增加SiNitride(氮化硅)層，使其輻射率可以降低到0.35，該種晶片為低輻射率測控晶片，其制備過程如下表l所示；另一種通過在晶片背面增加POLY層，使其輻射率可以升高到0.95，這種晶片為高輻射率測控晶片，其制備過程如下表2所示。表1低輻射率測控晶片制備流程<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>表2高輻射率測控晶片制備流程制備步驟編號步驟描述<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>在對RTP設(shè)備進(jìn)行日常監(jiān)控測量時，同時應(yīng)用一片低輻射率測控晶片和一片高輻射率測控晶片。因?yàn)檫@兩種測控晶片的輻射率范圍可以覆蓋所有產(chǎn)品晶片的輻射率范圍，且可兼顧輻射率低/高兩端，所以當(dāng)RTP設(shè)備輻射率測算出現(xiàn)問題時，本發(fā)明的方法可以很容易的發(fā)現(xiàn)問題。用高/低輻射率測控晶片對RTA設(shè)備進(jìn)行測量的具體步驟過程如表3所示。表3用高/低輻射率測控晶片對RTA設(shè)備進(jìn)行測量步驟表<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>圖2所示為本發(fā)明方法對應(yīng)的輻射率與溫度關(guān)系曲線圖，當(dāng)輻射率溫度關(guān)系曲線發(fā)生偏移時(圖中灰線所示)，由于本發(fā)明方法在輻射率低端和高端分別做測控，所以很容易發(fā)現(xiàn)輻射率溫度關(guān)系曲線的偏移，這樣就可避免產(chǎn)品晶片因溫度測控不準(zhǔn)而報(bào)廢。權(quán)利要求1.一種進(jìn)行RTA控溫測量的方法，其特征在于，包括如下步驟(1)制備兩種測控晶片，一種為低輻射率測控晶片，另一種為高輻射率測控晶片；(2)同時應(yīng)用步驟(1)的低輻射率測控晶片和高輻射率測控晶片對RTA設(shè)備進(jìn)行測量。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述低輻射率測控晶片是通過在晶片背面增加氮化硅層，使其輻射率降低至0.35而制成。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高輻射率測控晶片是通過在晶片背面增加P0LY層，使其輻射率升高至0.95而制成。4.一種權(quán)利要求1所述方法中用的測控晶片，其特征在于，所述測控晶片是通過改變晶片背面材質(zhì)而形成。5.如權(quán)利要求4所述的測控晶片，其特征在于，在晶片背面增加氮化硅層，可形成低輻射率測控晶片。6.如權(quán)利要求4所述的測控晶片，其特征在于，在晶片背面增加P0LY層，可形成高輻射率測控晶片。7.如權(quán)利要求5所述的測控晶片，其特征在于，所述低輻射率測控晶片的輻射率可降低至0.35。8.如權(quán)利要求6所述的測控晶片，其特征在于，所述高輻射率測控晶片的輻射率可升高至0.95。全文摘要本發(fā)明公開了一種進(jìn)行RTA控溫測量的方法，該方法包括步驟制備兩種測控晶片，一種為低輻射率測控晶片，另一種為高輻射率測控晶片；同時應(yīng)用低輻射率測控晶片和高輻射率測控晶片對RTA設(shè)備進(jìn)行測量。本發(fā)明還公開了一種上述方法中用的測控晶片，它通過改變晶片背面材質(zhì)而形成。本發(fā)明的方法可兼顧輻射率低/高兩端，更容易發(fā)現(xiàn)RTA設(shè)備輻射率測算出現(xiàn)的問題，能更好地維護(hù)設(shè)備的穩(wěn)定。文檔編號H01L21/66GK101123170SQ20061002999公開日2008年2月13日申請日期2006年8月11日優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日發(fā)明者琳朱,許世勛申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司