專利名稱：減小sti邊緣漏電的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造的工藝方法，具體涉及一種減小STI (淺溝槽隔離)邊緣漏電的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，對(duì)器件隔離性能的要求也越來(lái)越 高，用STI作隔離的器件， 一般對(duì)STI的漏電的要求都非常高。而STI 頂部邊緣小角的形貌是影響STI邊緣漏電的一個(gè)非常重要的因素。當(dāng)STI 頂部邊緣小角變深的時(shí)候，會(huì)對(duì)這以后的許多工藝造成影響。例如，在進(jìn) 行多晶硅刻蝕的時(shí)候，如果STI頂部邊緣小角較深，采用干法刻蝕很難將 小角內(nèi)的多晶硅刻蝕干凈，從而造成STI邊緣漏電；在進(jìn)行側(cè)墻刻蝕的時(shí) 候，如果STI頂部邊緣小角較深，采用干法刻蝕很難將小角內(nèi)的氮化硅刻 蝕干凈，也會(huì)造成STI邊緣漏電；在硅化物生長(zhǎng)工藝中，如果STI頂部邊 緣小角較深，硅化物則會(huì)沿著有源區(qū)邊緣往下生長(zhǎng)，產(chǎn)生結(jié)漏電?，F(xiàn)有工 藝如圖1所示，包含步驟如下第一步，STI HDP (高密度等離子體)場(chǎng) 氧生長(zhǎng)；第二步，STICMP (化學(xué)機(jī)械拋光)；第三步，濕法刻蝕；第四步， STI氮化硅去除。如圖2所示，經(jīng)過(guò)現(xiàn)有工藝最終形成的STI頂部邊緣小 角較深。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種減小STI邊緣漏電的方法，該方
法能有效防止STI邊緣小角的形成，達(dá)到改善STI邊緣漏電的效果。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種減小STI邊緣漏電的方法，包括如下步驟第一步，STI髙密度等離子體場(chǎng)氧生長(zhǎng)；第二步，STI化學(xué)機(jī)械拋光；第三步，干法刻蝕；第四步，STI氮化硅去除。在第三步干法刻蝕之后，第四步STI氮化硅去除之前，增加--步濕法 刻蝕。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明在STI化學(xué)機(jī)械 拋光后，采用干法刻蝕的方法，利用此步千法刻蝕對(duì)二氧化硅和氮化硅刻 蝕的高選擇比，以及干法刻蝕的微負(fù)載效應(yīng)，使得在STI邊緣的區(qū)域的場(chǎng) 氧化硅比其他區(qū)域稍厚，形成一個(gè)小型側(cè)墻，從而起到有效防止STI邊緣 小角形成的作用，達(dá)到改善STI邊緣漏電的效果。


圖l是現(xiàn)有工藝的流程圖；圖2是現(xiàn)有工藝的每一步驟完成后STI的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明的工藝流程圖；圖4是本發(fā)明的每一步驟完成后STI的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。 如圖3所示，本發(fā)明在STICMP步驟之后，用干法刻蝕取代了原工藝 中的濕法刻蝕，該步千法刻蝕的工藝要求其對(duì)二氧化硅對(duì)氮化硅刻蝕有著 較高的選擇比，而且，該步千法刻蝕需要具有較強(qiáng)的微負(fù)載效應(yīng)，使得在 STI邊緣的區(qū)域的場(chǎng)氧化硅比其他區(qū)域稍厚，形成一個(gè)小型側(cè)墻(如圖4 所示)。從而使得之后的V系列的濕法工藝由于受到這個(gè)小型側(cè)墻的影響，無(wú)法形成明顯的STI邊緣小角。最終起到有效防止STI邊緣小角形成的作 用，達(dá)到改善STI邊緣漏電的效果。在此步千法刻蝕之后，也可以再追加 -步濕法刻蝕，用于控制場(chǎng)氧上的二氧化硅的高度。如圖4所示，最終形成的STI形狀結(jié)構(gòu)與圖2所示的相比較，圖2 所示的STI頂部邊緣小角較深，而圖4所示的STI頂部邊緣小角不明顯， 顯然采用本發(fā)明方法可以減小或消除STI邊緣小角，有效改善STI邊緣小 角形貌，從而達(dá)到改善STI邊緣漏電的效果。
權(quán)利要求
1、一種減小STI邊緣漏電的方法，包括如下步驟第一步，STI高密度等離子體場(chǎng)氧生長(zhǎng)；第二步，STI化學(xué)機(jī)械拋光；第三步，刻蝕；第四步，STI氮化硅去除，其特征在于，第三步為干法刻蝕。
2、 如權(quán)利要求1所述的減小STI邊緣漏電的方法，其特征在于，在 第三步干法刻蝕之后，第四步STI氮化硅去除之前，增加一步濕法刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種減小STI邊緣漏電的方法，在STI化學(xué)機(jī)械拋光后，采用干法刻蝕取代了原工藝中的濕法刻蝕，利用此步干法刻蝕對(duì)二氧化硅對(duì)氮化硅刻蝕的高選擇比，以及干法刻蝕的微負(fù)載效應(yīng)，使得在STI邊緣的區(qū)域的場(chǎng)氧化硅比其他區(qū)域稍厚，形成一個(gè)小型側(cè)墻，從而起到有效防止STI邊緣小角形成的作用，達(dá)到改善STI邊緣漏電的效果。
文檔編號(hào)H01L21/762GK101127319SQ20061003010
公開(kāi)日2008年2月20日 申請(qǐng)日期2006年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月15日
發(fā)明者呂煜坤, 周貫宇, 錢文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司