專(zhuān)利名稱(chēng)：射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種射頻微電子機(jī)械系統(tǒng)雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)及其制造方法，屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體有源開(kāi)關(guān)例如FET和PIN二極管開(kāi)關(guān)相比較，MEMS電容式開(kāi)關(guān)具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如消除了歐姆接觸中的接觸電阻和擴(kuò)散電阻，因此極大地減少了器件的電阻損耗；線(xiàn)性度非常好，顯著地減小了開(kāi)關(guān)的諧波分量和互調(diào)分量；具有較高的開(kāi)關(guān)電容比，通常尺寸下，MEMS開(kāi)關(guān)的開(kāi)/關(guān)電容比約為20-100；靜電驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開(kāi)關(guān)具有極低的直流功耗，典型的瞬態(tài)功耗為10nJ；其幾乎能制作在任何襯底上。但是靜電驅(qū)動(dòng)也有其固有的問(wèn)題，就是高功率的可靠性問(wèn)題，換句話(huà)說(shuō)就是功率處理能力較差，從而限制了MEMS開(kāi)關(guān)在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的目的是提供一種可以增強(qiáng)功率處理能力的射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)及其制造方法，應(yīng)用該結(jié)構(gòu)可以解決靜電驅(qū)動(dòng)MEMS開(kāi)關(guān)的高功率自執(zhí)行和自鎖問(wèn)題，從而增強(qiáng)MEMS開(kāi)關(guān)的功率處理能力，具有可靠性高、成本低、可以與砷化鎵電路集成的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)方案本發(fā)明的射頻微電子機(jī)械并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)放在共面波導(dǎo)的信號(hào)線(xiàn)上，采用雙層膜橋的設(shè)計(jì)。地線(xiàn)連接線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)上的膜橋組成傳統(tǒng)意義上的MEMS開(kāi)關(guān)，而直流控制電極是針對(duì)自執(zhí)行和自鎖效應(yīng)設(shè)計(jì)的，它將和信號(hào)線(xiàn)上的膜橋構(gòu)成另一個(gè)電容，其大小與開(kāi)關(guān)電容相同，產(chǎn)生額外的靜電力來(lái)平衡射頻功率耦合的等效靜電力。
該開(kāi)關(guān)做在砷化鎵襯底上，由共面波導(dǎo)端口、開(kāi)關(guān)橋、地線(xiàn)連接線(xiàn)、直流控制電極、共面波導(dǎo)地線(xiàn)匹配區(qū)域、氮化硅上介質(zhì)層、氮化硅下介質(zhì)層組成；共面波導(dǎo)地線(xiàn)位于砷化鎵襯底上的四周，開(kāi)關(guān)橋位于砷化鎵襯底上的中間，同時(shí)也是信號(hào)線(xiàn)的一部分，采用雙端固支梁實(shí)現(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的上方是共面波導(dǎo)地線(xiàn)的連接線(xiàn)，也是開(kāi)關(guān)的地耦合線(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的下方是直流控制電極；在直流控制電極上面長(zhǎng)有氮化硅上介質(zhì)層，氮化硅上介質(zhì)層與開(kāi)關(guān)橋之間是下間隙，在地線(xiàn)連接線(xiàn)的下面長(zhǎng)有一層氮化硅下介質(zhì)層，氮化硅下介質(zhì)層與開(kāi)關(guān)橋之間是上間隙。
信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的上方的地線(xiàn)連接線(xiàn)厚度較厚，相對(duì)于開(kāi)關(guān)橋是剛性的。
開(kāi)關(guān)橋與地線(xiàn)連接線(xiàn)以及開(kāi)關(guān)橋與直流控制電極分別形成的電容大小相等，使得開(kāi)關(guān)橋在“關(guān)”態(tài)下不受射頻功率引起的自執(zhí)行效應(yīng)的影響。
本發(fā)明的開(kāi)關(guān)的制作工藝采用MMIC工藝，具體的流程為a、準(zhǔn)備砷化鎵襯底選用砷化鎵回拋片，用濃HCL和氨水清洗，同時(shí)要注意觀測(cè)回拋片的步進(jìn)式光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是否清晰；b、光刻共面波導(dǎo)端口，直流控制電極，地線(xiàn)連接線(xiàn)橋墩；在砷化鎵襯底上，先濺射800/300/2200的AuGeNi/Au層，然后在超發(fā)生器中剝離該金屬層，最后生長(zhǎng)開(kāi)關(guān)的共面波導(dǎo)端口、直流電極和地線(xiàn)連接線(xiàn)橋墩；c、在直流控制電極上淀積并光刻氮化硅上介質(zhì)層在直流電極上面用PECVD工藝生長(zhǎng)1000的氮化硅介質(zhì)層；d、在氮化硅上介質(zhì)層上淀積并光刻第一層聚酰亞胺犧牲層在完成上述工藝的砷化鎵基片上涂敷2μm的聚酰亞胺層、并光刻；此聚酰亞胺層的厚度決定了開(kāi)關(guān)橋和直流控制電極之間的間隙，通過(guò)調(diào)節(jié)甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)速和聚酰亞胺溶液的濃度來(lái)改變犧牲層的厚度；光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留開(kāi)關(guān)膜下的犧牲層；e、在第一層聚酰亞胺犧牲層上濺射開(kāi)關(guān)橋并光刻在聚酰亞胺層上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti＝500/1500/300；光刻并腐蝕Ti/Au/Ti底金層，形成腐蝕孔腐蝕孔的大小為8μm×8μm；然后電鍍金在55°氰基溶液中電鍍金1.7μm；f、去除殘留的光刻膠利用丙酮去除上面工藝中的殘留光刻膠；g、在開(kāi)關(guān)橋上淀積并光刻第二層聚酰亞胺犧牲層在完成上述工藝的砷化鎵基片上涂敷2μm的聚酰亞胺層、并光刻；此聚酰亞胺層的厚度決定了開(kāi)關(guān)橋和地線(xiàn)連接線(xiàn)之間的間隙，光刻出地線(xiàn)連接線(xiàn)的橋墩；h、在第二層聚酰亞胺犧牲層上淀積氮化硅下介質(zhì)層在直流控制電極上面用PECVD工藝生長(zhǎng)1000的SiN介質(zhì)層；i、濺射地線(xiàn)連接線(xiàn)并光刻在聚酰亞胺層上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti＝500/1500/300；光刻并腐蝕Ti/Au/Ti底金層，形成腐蝕孔腐蝕孔的大小為8μm×8μm；然后電鍍金在55°氰基溶液中電鍍金3μm；j、釋放犧牲層先用丙酮去除殘留的光刻膠，然后用顯影液溶解開(kāi)關(guān)膜下的聚酰亞胺犧牲層，并用無(wú)水乙醇脫水，形成最終的開(kāi)關(guān)膜結(jié)構(gòu)。
區(qū)分是否為該結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)為(a)、該開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)按從下到上的順序?yàn)樯榛壱r底；共面波導(dǎo)端口和直流控制電極；第一層氮化硅電介質(zhì)；開(kāi)關(guān)橋；第二層氮化硅電介質(zhì)；地線(xiàn)連接線(xiàn)；(b)、在信號(hào)線(xiàn)上制作開(kāi)關(guān)并在開(kāi)關(guān)橋上下各加一層極板，形成雙膜橋、三層電極；(c)、開(kāi)關(guān)橋與另外兩個(gè)極板形成的初始電容大小相等；(d)、利用改變共面波導(dǎo)地線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)之間的距離對(duì)開(kāi)關(guān)進(jìn)行阻抗匹配。
滿(mǎn)足以上幾個(gè)條件的結(jié)構(gòu)即應(yīng)視為該射頻微電子機(jī)械雙層膜并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)。
有益效果1、本開(kāi)關(guān)為靜電力驅(qū)動(dòng)微電子機(jī)械開(kāi)關(guān)，與普通的有源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)相比，具有靜態(tài)功耗小、隔離度高、插損低和線(xiàn)性度相對(duì)較好的優(yōu)點(diǎn)；2、本開(kāi)關(guān)采用雙膜橋結(jié)構(gòu)，解決了高功率射頻自執(zhí)行和自鎖效應(yīng)；3、與其它解決功功率可靠性問(wèn)題的方法相比，本開(kāi)關(guān)解決自執(zhí)行無(wú)需任何直流功耗；4、本開(kāi)關(guān)將直流控制電極放在下面，將地線(xiàn)連接線(xiàn)放在開(kāi)關(guān)橋上，這樣方便了直流控制電極的引出；5、本開(kāi)關(guān)對(duì)開(kāi)關(guān)和CPW端口進(jìn)行了阻抗匹配，提高了開(kāi)關(guān)的射頻性能；6、制作工藝采用MMIC工藝，易于與砷化鎵集成電路工藝集成。


圖1是射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)俯視圖。
圖2是射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)剖面圖，即圖1中A-A向剖面圖。
圖3是射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)外形示意圖。
圖4是圖3中機(jī)械雙膜橋部分的放大示意圖。
圖5是射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)在“關(guān)”態(tài)時(shí)的插入損耗和回波損耗示意圖。
圖6是射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)在“開(kāi)”態(tài)時(shí)的插入損耗和回波損耗示意圖。
以上的圖中有砷化鎵襯底1、共面波導(dǎo)端口2、開(kāi)關(guān)橋3、地線(xiàn)連接線(xiàn)4、直流控制電極5、共面波導(dǎo)地線(xiàn)匹配區(qū)域6、橫向匹配長(zhǎng)度L171、縱向匹配長(zhǎng)度L272、下間隙81、上間隙82、氮化硅上介質(zhì)層91、氮化硅下介質(zhì)層92。
具體實(shí)施例方式
對(duì)于本發(fā)明的射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，我們已經(jīng)設(shè)計(jì)出了完整的實(shí)現(xiàn)方案，并通過(guò)軟件模擬得出了較好的特性。這種射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)方案具體如下該開(kāi)關(guān)做在砷化鎵襯底1上，由共面波導(dǎo)端口2、開(kāi)關(guān)橋3、地線(xiàn)連接線(xiàn)4、直流控制電極5、共面波導(dǎo)地線(xiàn)匹配區(qū)域6、氮化硅上介質(zhì)層91、氮化硅下介質(zhì)層92組成；共面波導(dǎo)地線(xiàn)位于砷化鎵襯底1上的四周，開(kāi)關(guān)橋3位于砷化鎵襯底1上的中間，同時(shí)也是信號(hào)線(xiàn)的一部分，采用雙端固支梁實(shí)現(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋3的上方是共面波導(dǎo)地線(xiàn)的連接線(xiàn)4，也是開(kāi)關(guān)的地耦合線(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋3的下方是直流控制電極5；在直流控制電極5上面長(zhǎng)有氮化硅上介質(zhì)層91，氮化硅上介質(zhì)層91與開(kāi)關(guān)橋3之間是下間隙81，在地線(xiàn)連接線(xiàn)4的下面長(zhǎng)有一層氮化硅下介質(zhì)層92，氮化硅下介質(zhì)層92與開(kāi)關(guān)橋3之間是上間隙82。信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的上方的地線(xiàn)連接線(xiàn)4厚度較厚，相對(duì)于開(kāi)關(guān)橋3是剛性的。開(kāi)關(guān)橋3與地線(xiàn)連接線(xiàn)4以及開(kāi)關(guān)橋3與直流控制電極5分別形成的電容大小相等，使得開(kāi)關(guān)橋在“關(guān)”態(tài)下不受射頻功率引起的自執(zhí)行效應(yīng)的影響。
開(kāi)關(guān)的制備采用基于GaAs MMIC工藝制作，具體工藝流程如下a、準(zhǔn)備砷化鎵襯底1選用砷化鎵回拋片，用濃HCL和氨水清洗，同時(shí)要注意觀測(cè)回拋片的步進(jìn)式光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是否清晰；b、光刻共面波導(dǎo)端口2，直流控制電極5，地線(xiàn)連接線(xiàn)橋墩41；在砷化鎵襯底1上，先濺射800/300/2200的AuGeNi/Au層，然后在超發(fā)生器中剝離該金屬層，最后生長(zhǎng)開(kāi)關(guān)的共面波導(dǎo)端口、直流控制電極5和地線(xiàn)連接線(xiàn)橋墩；c、在直流控制電極(5上淀積并光刻氮化硅上介質(zhì)層(91)在直流電極上面用PECVD工藝生長(zhǎng)1000的氮化硅介質(zhì)層；d、在氮化硅上介質(zhì)層91上淀積并光刻第一層聚酰亞胺犧牲層在完成上述工藝的砷化鎵基片上涂敷2μm的聚酰亞胺層、并光刻；此聚酰亞胺層的厚度決定了開(kāi)關(guān)橋3和直流控制電極5之間的間隙81，通過(guò)調(diào)節(jié)甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)速和聚酰亞胺溶液的濃度來(lái)改變犧牲層的厚度；光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留開(kāi)關(guān)膜下的犧牲層；e、在第一層聚酰亞胺犧牲層上濺射開(kāi)關(guān)橋3并光刻在聚酰亞胺層上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti＝500/1500/300；光刻并腐蝕Ti/Au/Ti底金層，形成腐蝕孔腐蝕孔的大小為8μm×8μm；然后電鍍金在55°氰基溶液中電鍍金1.7μm；f、去除殘留的光刻膠利用丙酮去除上面工藝中的殘留光刻膠；g、在開(kāi)關(guān)橋3上淀積并光刻第二層聚酰亞胺犧牲層在完成上述工藝的砷化鎵基片上涂敷2μm的聚酰亞胺層、并光刻；此聚酰亞胺層的厚度決定了開(kāi)關(guān)橋3和地線(xiàn)連接線(xiàn)4之間的間隙82，光刻出地線(xiàn)連接線(xiàn)的橋墩；h、在第二層聚酰亞胺犧牲層上淀積氮化硅下介質(zhì)層92在直流控制電極上面用PECVD工藝生長(zhǎng)1000的SiN介質(zhì)層；i、濺射地線(xiàn)連接線(xiàn)4并光刻在聚酰亞胺層上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti＝500/1500/300；光刻并腐蝕Ti/Au/Ti底金層，形成腐蝕孔腐蝕孔的大小為8μm×8μm；然后電鍍金在55°氰基溶液中電鍍金3μm；
j、釋放犧牲層先用丙酮去除殘留的光刻膠，然后用顯影液溶解開(kāi)關(guān)膜下的聚酰亞胺犧牲層，并用無(wú)水乙醇脫水，形成最終的開(kāi)關(guān)膜結(jié)構(gòu)。
除此之外，整個(gè)技術(shù)方案中還需注意一些問(wèn)題，其中包括a、直流控制電極、共面波導(dǎo)、地線(xiàn)連接線(xiàn)尺寸的設(shè)計(jì)這對(duì)于整體器件結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)、閾值電壓的大小，非線(xiàn)性特性以及自執(zhí)行和自鎖效應(yīng)的消除都具有十分重要的意義；b、犧牲層的選擇，這決定了釋放后表面的粗糙程度和關(guān)態(tài)的電容值，影響到開(kāi)關(guān)的隔離度和可靠性；縱觀實(shí)現(xiàn)該射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)的工藝過(guò)程，其中沒(méi)有任何的特殊材料，也不需要任何特殊的工藝，完全與GaAs MMIC工藝相兼容。因此，應(yīng)用本發(fā)明中的射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)易于實(shí)現(xiàn)，且其可以與GaAs集成電路相集成，同時(shí)此結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了開(kāi)關(guān)高功率的處理能力。
權(quán)利要求
1.一種射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)，其特征是該開(kāi)關(guān)做在砷化鎵襯底(1)上，由共面波導(dǎo)端口(2)、開(kāi)關(guān)橋(3)、地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)、直流控制電極(5)、共面波導(dǎo)地線(xiàn)匹配區(qū)域(6)、氮化硅上介質(zhì)層(91)、氮化硅下介質(zhì)層(92)組成；共面波導(dǎo)地線(xiàn)位于砷化鎵襯底(1)上的四周，開(kāi)關(guān)橋(3)位于砷化鎵襯底(1)上的中間，同時(shí)也是信號(hào)線(xiàn)的一部分，采用雙端固支梁實(shí)現(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋(3)的上方是共面波導(dǎo)地線(xiàn)的連接線(xiàn)(4)，也是開(kāi)關(guān)的地耦合線(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋(3)的下方是直流控制電極(5)；在直流控制電極(5)上面長(zhǎng)有氮化硅上介質(zhì)層(91)，氮化硅上介質(zhì)層(91)與開(kāi)關(guān)橋(3)之間是下間隙(81)，在地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)的下面長(zhǎng)有一層氮化硅下介質(zhì)層(92)，氮化硅下介質(zhì)層(92)與開(kāi)關(guān)橋(3)之間是上間隙(82)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)，其特征在于信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的上方的地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)厚度較厚，相對(duì)于開(kāi)關(guān)橋(3)是剛性的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)，其特征在于開(kāi)關(guān)橋(3)與地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)以及開(kāi)關(guān)橋(3)與直流控制電極(5)分別形成的電容大小相等，使得開(kāi)關(guān)橋在“關(guān)”態(tài)下不受射頻功率引起的自執(zhí)行效應(yīng)的影響。
4.一種如權(quán)利要求1所述的射頻微電子機(jī)械雙膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)的制造方法，其特征在于采用基于GaAs MMIC工藝制作，具體工藝流程如下a、準(zhǔn)備砷化鎵襯底(1)選用砷化鎵回拋片，用濃HCL和氨水清洗，同時(shí)要注意觀測(cè)回拋片的步進(jìn)式光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是否清晰；b、光刻共面波導(dǎo)端口(2)，直流控制電極(5)，地線(xiàn)連接線(xiàn)橋墩(41)；在砷化鎵襯底(1)上，先濺射800/300/2200的AuGeNi/Au層，然后在超發(fā)生器中剝離該金屬層，最后生長(zhǎng)開(kāi)關(guān)的共面波導(dǎo)端口、直流電極(5)和地線(xiàn)連接線(xiàn)橋墩；c、在直流控制電極(5)上淀積并光刻氮化硅上介質(zhì)層(91)在直流電極上面用PECVD工藝生長(zhǎng)1000的氮化硅介質(zhì)層；d、在氮化硅上介質(zhì)層(91)上淀積并光刻第一層聚酰亞胺犧牲層在完成上述工藝的砷化鎵基片上涂敷2μm的聚酰亞胺層、并光刻；此聚酰亞胺層的厚度決定了開(kāi)關(guān)橋(3)和直流控制電極(5)之間的間隙(81)，通過(guò)調(diào)節(jié)甩膠機(jī)的轉(zhuǎn)速和聚酰亞胺溶液的濃度來(lái)改變犧牲層的厚度；光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留開(kāi)關(guān)膜下的犧牲層；e、在第一層聚酰亞胺犧牲層上濺射開(kāi)關(guān)橋(3)并光刻在聚酰亞胺層上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti＝500/1500/300；光刻并腐蝕Ti/Au/Ti底金層，形成腐蝕孔腐蝕孔的大小為8μm×8μm；然后電鍍金在55°氰基溶液中電鍍金1.7μm；f、去除殘留的光刻膠利用丙酮去除上面工藝中的殘留光刻膠；g、在開(kāi)關(guān)橋(3)上淀積并光刻第二層聚酰亞胺犧牲層在完成上述工藝的砷化鎵基片上涂敷2μm的聚酰亞胺層、并光刻；此聚酰亞胺層的厚度決定了開(kāi)關(guān)橋(3)和地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)之間的間隙(82)，光刻出地線(xiàn)連接線(xiàn)的橋墩；h、在第二層聚酰亞胺犧牲層上淀積氮化硅下介質(zhì)層(92)在直流控制電極上面用PECVD工藝生長(zhǎng)1000的SiN介質(zhì)層；i、濺射地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)并光刻在聚酰亞胺層上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti＝500/1500/300；光刻并腐蝕Ti/Au/Ti底金層，形成腐蝕孔腐蝕孔的大小為8μm×8μm；然后電鍍金在55°氰基溶液中電鍍金3μm；j、釋放犧牲層先用丙酮去除殘留的光刻膠，然后用顯影液溶解開(kāi)關(guān)膜下的聚酰亞胺犧牲層，并用無(wú)水乙醇脫水，形成最終的開(kāi)關(guān)膜結(jié)構(gòu)。
全文摘要
射頻微電子機(jī)械雙層膜橋并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)用于射頻微波電路中。該結(jié)構(gòu)使用雙端固支梁作為開(kāi)關(guān)膜橋，采用雙層膜結(jié)構(gòu)解決了由于射頻高功率引起的自執(zhí)行和自鎖效應(yīng)。具體的結(jié)構(gòu)為開(kāi)關(guān)做在砷化鎵襯底上(1)；開(kāi)關(guān)以共面波導(dǎo)為端口(2)；開(kāi)關(guān)橋是信號(hào)線(xiàn)的一部分(3)，采用雙端固支梁實(shí)現(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的上方是共面波導(dǎo)地線(xiàn)的連接線(xiàn)(4)，也是開(kāi)關(guān)的地耦合線(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)開(kāi)關(guān)橋的下方是直流控制電極(5)；在直流電極(5)以及地線(xiàn)連接線(xiàn)(4)與開(kāi)關(guān)橋(3)相對(duì)的面上都長(zhǎng)有一層氮化硅介質(zhì)層(91、92)。采用MMIC工藝制作，利用聚酰亞胺作為犧牲層。該開(kāi)關(guān)延續(xù)了MEMS開(kāi)關(guān)低功耗、高隔離度和低插入損耗以及較好線(xiàn)形度的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01H49/00GK1832081SQ20061003959
公開(kāi)日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2006年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月17日
發(fā)明者廖小平, 董喬華 申請(qǐng)人:東南大學(xué)