專(zhuān)利名稱(chēng)：太陽(yáng)能電池及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池，尤其是可見(jiàn)光響應(yīng)型組分漸變薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟(jì)的迅猛發(fā)展，煤炭、石油等不可再生資源日益減少，環(huán)境污染日益嚴(yán)重，尋找新能源成為當(dāng)前人類(lèi)面臨的迫切課題。于是，太陽(yáng)能作為新能源成為人們的首要選擇。太陽(yáng)能作為一種可再生能源，首先它不會(huì)改變地球的熱能平衡，也不會(huì)造成生態(tài)環(huán)境污染，另外，太陽(yáng)能還有取之不盡、功率巨大、使用安全等優(yōu)點(diǎn)，因此，太陽(yáng)能的開(kāi)發(fā)利用引起了人類(lèi)的重視，而太陽(yáng)能電池是開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能最有效的方法之一，太陽(yáng)能電池也就由此產(chǎn)生。
1954年，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研制出第一塊半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池，開(kāi)始了利用太陽(yáng)能發(fā)電的新紀(jì)元。由于太陽(yáng)能電池價(jià)格昂貴，因此其發(fā)展緩慢，當(dāng)時(shí)主要用于航天科技工程。20世紀(jì)70年代，由于石油危機(jī)，使人們對(duì)于可再生能源的興趣越來(lái)越濃，太陽(yáng)能電池也進(jìn)入了快速發(fā)展的階段。近幾年太陽(yáng)能電池市場(chǎng)以每年30％的速度遞增。
第一代太陽(yáng)能電池基于硅晶片基礎(chǔ)之上，主要采用單晶體硅、多晶體硅等為材料，轉(zhuǎn)換效率為11％～15％，但原料成本太高，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，而且材料本身不利于降低成本，這限制了它的民用化。為降低成本，基于薄膜技術(shù)的第二代太陽(yáng)能電池登上了歷史舞臺(tái)。薄膜太陽(yáng)能電池材料主要有多晶硅、非晶硅、硫化鎘、碲化鎘以及銅銦硒等。薄膜太陽(yáng)能電池在很大程度上解決了太陽(yáng)能電池的成本問(wèn)題，但是效率很低，目前商用薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率只有6％～8％。第二代太陽(yáng)能電池中，盡管硫化鎘、碲化鎘多晶薄膜電池的效率較非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池效率高，成本較單晶硅電池低，并且也易于大規(guī)模生產(chǎn)，但由于鎘有劇毒，會(huì)對(duì)環(huán)境造成嚴(yán)重的污染，因此，并不是晶體硅太陽(yáng)能電池最理想的替代品。銅銦硒作為太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料，具有價(jià)格低廉、性能良好和制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，唯一的問(wèn)題是材料的來(lái)源，由于銦和硒都是比較稀有的元素，因此，這類(lèi)電池的發(fā)展又必然受到限制。
目前，各類(lèi)薄膜太陽(yáng)能電池的材料大多為單一組分，并且以吸收紫外光居多，但是太陽(yáng)光中紫外光能量?jī)H占4％，可見(jiàn)光能量占43％，現(xiàn)有的薄膜型太陽(yáng)能電池不能有效地利用太陽(yáng)能。因此，開(kāi)發(fā)能夠充分地利用太陽(yáng)光中可見(jiàn)光的薄膜太陽(yáng)能電池，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率，是當(dāng)前太陽(yáng)能電池主要研究方向之一。采用可見(jiàn)光響應(yīng)型的組分漸變薄膜材料制備太陽(yáng)能電池，可拓展光譜響應(yīng)范圍，能更加充分地利用太陽(yáng)光中的可見(jiàn)光。
CN1230033公開(kāi)了光電池(22)的批量制造方法，該方法包括以下步驟(a)提供至少一個(gè)導(dǎo)電材料條帶(1)，(b)在所說(shuō)條帶(1)中連續(xù)地切割出具有所需光電池(22)形狀和尺寸的基片(2)，(c)將切割出的基片(2)放回所說(shuō)條帶(1)中，(d)在所說(shuō)條帶(2)的一個(gè)表面上沉積構(gòu)成至少一個(gè)n-i-p或p-i-n結(jié)的半導(dǎo)體材料(16)，(e)在所說(shuō)半導(dǎo)體材料(16)的頂面上沉積透明的導(dǎo)電材料層，(f)從所說(shuō)條帶(1)中取出覆蓋有所說(shuō)半導(dǎo)體材料(16)和所說(shuō)上部。
申請(qǐng)?zhí)?3158056.4的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N作為Si太陽(yáng)能電池的背面電極用來(lái)使用時(shí)，在維持作為Si太陽(yáng)能電池的背面電極的功能的同時(shí)，燒結(jié)時(shí)的電極膜的燒結(jié)收縮小，并且能夠抑制Si晶片的翹曲的導(dǎo)電漿。本發(fā)明的Si太陽(yáng)能電池的背面電極形成用導(dǎo)電漿，含有Al粉末、玻璃熔塊、有機(jī)展色料、以及對(duì)該有機(jī)展色料難溶性或不溶性的粒子，其中該粒子是有機(jī)化合物粒子或碳粒子中的至少一種。
申請(qǐng)?zhí)?2137582.8提供一種無(wú)鋁珠析出的硅太陽(yáng)電池背場(chǎng)合金成分的配方比例，使在全自動(dòng)背電極、背場(chǎng)、柵極生產(chǎn)中，既能不出現(xiàn)鋁珠，又能不減弱背反射作用，該合金成份根據(jù)電極基體材料的電阻率，選擇合適的銀漿與鋁漿(12-15)∶(85-88)的比例，制備銀鋁漿。
如上所述，包括摻雜采用離子注入鋁(鎵)或磷(砷)，化學(xué)摻雜如三氯氧磷擴(kuò)散摻雜，三氧化二鎵高溫?cái)U(kuò)散等已經(jīng)是商業(yè)化應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種新型的可見(jiàn)光響應(yīng)型組分漸變薄膜太陽(yáng)能光電池及其制備方法。本發(fā)明的光電池薄膜材料組分為InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4，對(duì)應(yīng)圖1左側(cè)中的1和2；薄膜組分還可以是InNbO4/InVO4/InTaO4，分別對(duì)應(yīng)圖1中右側(cè)的1、2和3。
太陽(yáng)能電池薄膜結(jié)構(gòu)為組分拼接，在襯底上設(shè)有電極和太陽(yáng)能電池薄膜、太陽(yáng)能電池的上表面設(shè)有電極，所述薄膜型太陽(yáng)能電池含有塊狀或條狀拼接的兩或三組分薄膜材料，其構(gòu)成是InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4或InNbO4/InVO4/InTaO4，并在每種薄膜材料上摻雜鋁、鎵、磷或砷原子，摻雜量為1～15×10-6原子。本發(fā)明設(shè)有兩或三組分薄膜材料，是塊狀或條狀的，幾何尺寸為每個(gè)組分的長(zhǎng)條狀薄膜的寬度為1～15cm。兩或三組分薄膜材料是組分漸變薄膜，且為可見(jiàn)光響應(yīng)型。
該組分漸變薄膜厚度尺寸是3～18微米。
太陽(yáng)能電池的襯底材料選用石英、陶瓷、玻璃、YSZ單晶基片、Si基襯底或者聚合物等，襯底上可以生長(zhǎng)ITO或其他電極材料。
太陽(yáng)能電池的制備方法，采用離子注入法或化學(xué)擴(kuò)散法對(duì)薄膜材料摻雜三價(jià)或五價(jià)原子；電極的制備采用真空鍍ITO或絲網(wǎng)印刷法印刷導(dǎo)電極，其特征是制備光電池的薄膜材料所需的靶材是InTaO4、InVO4、InNbO4等化合物。上述太陽(yáng)能電池組分漸變薄膜有兩種制備工藝，一是通過(guò)多靶磁控濺射和掩模技術(shù)制備選擇不同的襯底材料，在氬氣和氧氣的混合氣體中，以純金屬I(mǎi)n和Ta、In和Nb、In和V作為靶材進(jìn)行磁控共濺射；二是采用脈沖激光濺射沉積和掩模技術(shù)制備以InVO4、InTaO4和InNbO4作為靶材，工作氣氛為氬氣，控制激光濺射淀積時(shí)間，脈沖激光功率密度為5～60mJ/mm2，在襯底上沉積組分漸變單層薄膜。具體制備方法首先將靶材、襯底和基片放在濺射腔里，在掩模上設(shè)有二至三個(gè)開(kāi)閉的?？?，每種靶材材料濺射時(shí)一個(gè)模孔打開(kāi)，其它的一至二個(gè)?？妆徽谏w。制備三組分薄膜材料時(shí)，InVO4在InNbO4和InTaO4的中間。
本發(fā)明中太陽(yáng)能電池所用的靶材InTaO4、InVO4、InNbO4的制備是以In2O3和M2O5(M＝V、Ta、Nb)為原材料，經(jīng)充分混合后，放入三氧化二鋁坩堝內(nèi)，在空氣中常壓下在電爐中燒結(jié)，化合物靶材采用固相合成的方法制備，在800～1200℃下燒結(jié)12～24h，經(jīng)粉碎、造粒、壓制成型，再在1100℃下燒結(jié)24h。
由于上述薄膜材料為組分漸變型，不同的組分單相具有不同的能帶寬度，因此可以更加充分地利用太陽(yáng)光中的可見(jiàn)光。
本發(fā)明特點(diǎn)是新型的可見(jiàn)光響應(yīng)型組分漸變薄膜太陽(yáng)能光電池及其制備方法。太陽(yáng)能電池所用組分漸變薄膜有三種，三種薄膜組成分別為InTaO4/InVO4、InVO4/InNbO4、InNbO4/InVO4/InTaO4，利用上述薄膜制備的光電池光電轉(zhuǎn)化效率分別為2.13％、2.24％和2.61％，而由單組分薄膜InTaO4、InNbO4和InVO4制備的光電池的光電轉(zhuǎn)化效率分別為1.09％、1.14％和1.62％，可以看出由組分漸變薄膜制備的光電池的光電轉(zhuǎn)化效率大于由單組分薄膜制備的光電池的光電轉(zhuǎn)化效率，因此能夠更加有效地利用太陽(yáng)能。


圖1是組分漸變薄膜示意圖(左側(cè)為二組分示意圖，右側(cè)為三組分示意圖)。
圖2是本發(fā)明所用的自制新型掩模。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明制備可見(jiàn)光響應(yīng)型組分漸變薄膜的方法為選擇不同的襯底材料，采用多靶磁控濺射和掩模技術(shù)，在氬氣和氧氣的混合氣體中，以純金屬I(mǎi)n和Ta、In和Nb、In和V作為靶材在襯底材料上進(jìn)行磁控共濺射，制得所需兩或三組分漸變薄膜。
本發(fā)明制備可見(jiàn)光響應(yīng)型組分漸變薄膜的另一方法包括以下步驟1)采用固相合成的方法制備InTaO4、InVO4、InNbO4等靶材，制備條件為800～1200℃下燒結(jié)12～24h，經(jīng)粉碎、造粒、壓制成型，再在1100℃下燒結(jié)24h；2)采用脈沖激光濺射沉積和掩模技術(shù)，以InVO4、InTaO4和InNbO4作為靶材，工作氣氛為氬氣，在襯底上沉積組分漸變單層薄膜。
本發(fā)明先在襯底上鍍ITO導(dǎo)電極，以及摻雜工藝，均采用現(xiàn)有硅太陽(yáng)能電池的方法，絲網(wǎng)印刷時(shí)合金成份根據(jù)電極基體材料的電阻率，選擇合適的銀漿與鋁漿(12-15)∶(85-88)的比例，制備銀鋁漿。此處不多描述。
包括摻雜采用離子注入鋁(鎵)或磷(砷)，三氯氧磷擴(kuò)散摻雜，三氧化二鎵高溫?cái)U(kuò)散等化學(xué)摻雜亦采用現(xiàn)有技術(shù)。組分漸變薄膜的制備1、以化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)量高純的試劑In2O3和M2O5(M＝V、Ta、Nb)，經(jīng)充分混合后，放入三氧化二鋁坩堝內(nèi)，在空氣中常壓下在電爐中燒結(jié)，采用固相合成的方法制備；在800～1200℃下燒結(jié)12～24h，經(jīng)粉碎、造粒、壓制成型，再在1100℃下燒結(jié)24h，制得所需的化合物靶材InTaO4、InVO4、InNbO4。
2、采用多靶磁控濺射技術(shù)制備組分漸變單層薄膜本工藝和下面的工藝中所采用的掩模均為自制新型掩模，如圖2所示。所有的?？准性谝黄谀Ｉ希髂？字g無(wú)縫隙緊密相連，使用時(shí)，首先將第一?？状蜷_(kāi)，其他?？追忾]，進(jìn)行第一種組分的濺射，待操作完成后將下一個(gè)?？状蜷_(kāi)，其他?？追忾]，進(jìn)行第二種組分的濺射，依此類(lèi)推，這樣可以保證不同組分單相之間有較好的結(jié)合性。
2.1 InTaO4/InVO4薄膜的制備1)首先將靶材、襯底和基片放在濺射腔里，襯底放在基片的中央；2)采用自制掩模，掩模放置在襯底上，掩模將襯底完全覆蓋，打開(kāi)?？?同時(shí)關(guān)閉模孔2和3；3)用螺絲和壓片將掩模壓在襯底上；把基片放在托盤(pán)上，關(guān)閉濺射腔；抽真空至1.0～2.0×10-5Pa；4)加入氬氣，氣壓為0.5Pa；5)起輝，然后通入氧氣，控制氬氣和氧氣流量比為4∶1，或1∶2，或3∶2，濺射純金屬靶材In和Ta，濺射功率為20～40W，從而控制靶材濺射速率；6)開(kāi)始鍍膜，控制鍍膜時(shí)間，制得InTaO4薄膜；7)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉模孔1和3同時(shí)打開(kāi)?？?，以純金屬I(mǎi)n和V為靶材重復(fù)上述操作，制得InVO4薄膜；8)通過(guò)上述工藝制得組分漸變薄膜InTaO4/InVO4。
2.2 InNbO4/InVO4薄膜的制備1)首先將靶材、襯底和基片放在濺射腔里，襯底放在基片的中央；2)采用自制掩模，掩模放置在襯底上，掩模將襯底完全覆蓋，打開(kāi)?？?同時(shí)關(guān)閉?？?和3；3)用螺絲和壓片將掩模壓在襯底上；把基片放在托盤(pán)上，關(guān)閉濺射腔；抽真空至1.0～2.0×10-5Pa；4)加入氬氣，氣壓為0.5Pa；5)起輝，然后通入氧氣，控制氬氣和氧氣流量比為4∶1，或1∶2，或3∶2，濺射純金屬靶材In和Nb，濺射功率為20～40W，從而控制靶材濺射速率；6)開(kāi)始鍍膜，控制鍍膜時(shí)間，制得InNbO4薄膜；7)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉?？?和3同時(shí)打開(kāi)?？?，以純金屬I(mǎi)n和V為靶材重復(fù)上述操作，制得InVO4薄膜；8)通過(guò)上述工藝制得組分漸變薄膜InNbO4/InVO4。
2.3 InNbO4/InVO4/InTaO4薄膜的制備1)首先將靶材、襯底和基片放在濺射腔里，襯底放在基片的中央；2)采用自制掩模，掩模放置在襯底上，掩模將襯底完全覆蓋，打開(kāi)模孔1同時(shí)關(guān)閉?？?和3；
3)用螺絲和壓片將掩模壓在襯底上；把基片放在托盤(pán)上，關(guān)閉濺射腔；抽真空至1.0～2.0×10-5Pa；4)加入氬氣，氣壓為0.5Pa；5)起輝，然后通入氧氣，控制氬氣和氧氣流量比為4∶1，或1∶2，或3∶2，濺射純金屬靶材In和Nb，濺射功率為20～40W，從而控制靶材濺射速率；6)開(kāi)始鍍膜，控制鍍膜時(shí)間，制得InNbO4薄膜；7)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉?？?和3同時(shí)打開(kāi)?？?，以純金屬I(mǎi)n和V為靶材重復(fù)上述操作，制得InVO4薄膜；8)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉?？?和2同時(shí)打開(kāi)?？?，以純金屬I(mǎi)n和Ta為靶材重復(fù)上述操作，制得InTaO4薄膜；9)通過(guò)上述工藝制得組分漸變薄膜InNbO4/InVO4/InTaO4。
3、采用脈沖激光濺射沉積技術(shù)制備組分漸變單層薄膜3.1InTaO4/InVO4薄膜的制備1)首先將靶材和襯底放在真空腔里，將靶材InTaO4放在靶臺(tái)上，襯底放在襯底臺(tái)上，掩模放置在襯底上，掩模將襯底完全覆蓋，打開(kāi)?？?同時(shí)關(guān)閉?？?和3；2)用螺絲和壓片將掩模壓在襯底上，襯底臺(tái)由電阻絲采用溫控程序控制加熱；3)將真空腔抽真空至10-4～10-5Pa，然后加熱襯底到500～750℃；4)通入氧氣，氧氣壓力控制在5～20Pa；5)采用脈沖激光濺射鍍膜，控制激光濺射淀積時(shí)間，脈沖激光功率密度為5～60mJ/mm2，制得InTaO4薄膜；6)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉?？?和3同時(shí)打開(kāi)模孔2，以InVO4為靶材重復(fù)上述操作，制得InVO4薄膜；7)通過(guò)上述工藝制得組分漸變薄膜InTaO4/InVO4。
3.2 InNbO4/InVO4薄膜的制備1)首先將靶材和襯底放在真空腔里，將靶材InNbO4放在靶臺(tái)上，襯底放在襯底臺(tái)上，掩模放置在襯底上，掩模將襯底完全覆蓋，打開(kāi)?？?同時(shí)關(guān)閉?？?和3；2)用螺絲和壓片將掩模壓在襯底上，襯底臺(tái)由電阻絲采用溫控程序控制加熱；
3)將真空腔抽真空至10-4～10-5Pa，然后加熱襯底到500～750℃；4)通入氧氣，氧氣壓力控制在5～20Pa；5)采用脈沖激光濺射鍍膜，控制激光濺射淀積時(shí)間，脈沖激光功率密度為5～60mJ/mm2，制得InNbO4薄膜；6)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉?？?和3同時(shí)打開(kāi)?？?，以InVO4為靶材重復(fù)上述操作，制得InVO4薄膜；7)通過(guò)上述工藝制得組分漸變薄膜InNbO4/InVO4。
3.3 InNbO4/InVO4/InTaO4薄膜的制備1)首先將靶材和襯底放在真空腔里，將靶材InNbO4放在靶臺(tái)上，襯底放在襯底臺(tái)上，掩模放置在襯底上，掩模將襯底完全覆蓋，打開(kāi)?？?同時(shí)關(guān)閉?？?和3；2)用螺絲和壓片將掩模壓在襯底上，襯底臺(tái)由電阻絲采用溫控程序控制加熱；3)將真空腔抽真空至10-4～10-5Pa，然后加熱襯底到500～750℃；4)通入氧氣，氧氣壓力控制在5～20Pa；5)采用脈沖激光濺射鍍膜，控制激光濺射淀積時(shí)間，脈沖激光功率密度為5～60mJ/mm2，制得InNbO4薄膜；6)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉模孔1和3同時(shí)打開(kāi)?？?，以InVO4為靶材重復(fù)上述操作，制得InVO4薄膜；7)打開(kāi)倉(cāng)門(mén)，關(guān)閉?？?和2同時(shí)打開(kāi)模孔3，以InTaO4為靶材重復(fù)上述操作，制得InTaO4薄膜；8)通過(guò)上述工藝制得組分漸變薄膜InNbO4/InVO4/InTaO4。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能電池，在襯底上設(shè)有電極和太陽(yáng)能電池薄膜，太陽(yáng)能電池的上表面設(shè)有電極，其特征是所述薄膜型太陽(yáng)能電池含有塊狀或條狀拼接的兩或三組分薄膜材料，其構(gòu)成是InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4或InNbO4/InVO4/InTaO4；并在每種薄膜材料上摻雜鋁、鎵、磷或砷原子，摻雜量為1～15×10-6原子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征是兩或三組分薄膜材料是塊狀或條狀的，幾何尺寸為每個(gè)組分單相的長(zhǎng)條狀薄膜的寬度為1～15cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征是兩或三組分薄膜材料是組分漸變薄膜，且為可見(jiàn)光響應(yīng)型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征是該組分漸變薄膜厚度尺寸是3～18微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征是襯底材料是石英、陶瓷、玻璃、YSZ單晶基片、Si基襯底或者聚合物襯底材料。
6.太陽(yáng)能電池的制備方法，采用離子注入法或化學(xué)擴(kuò)散法對(duì)薄膜材料摻雜三價(jià)或五價(jià)原子；電極的制備采用真空鍍ITO或絲網(wǎng)印刷法印刷導(dǎo)電極，其特征是制備光電池的薄膜材料所需的靶材是InTaO4、InVO4、InNbO4等化合物，采用脈沖激光濺射鍍膜，控制激光濺射淀積時(shí)間，脈沖激光功率密度為5～60mJ/mm2，制得組分漸變薄膜；或用純金屬I(mǎi)n、Ta、Nb和V為靶材制備光電池薄膜，以多靶磁控濺射和掩模技術(shù)，在襯底材料上進(jìn)行磁控共濺射，制得所需組分漸變薄膜，工作氣氛為真空或氬氣，純金屬I(mǎi)n、Ta、Nb和V為靶材時(shí)加入氧氣氛。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是化合物靶材InTaO4、InVO4、InNbO4的制備是以In2O3和M2O5(M＝V、Ta、Nb)為原材料，經(jīng)充分混合后，放入三氧化二鋁坩堝內(nèi)，在空氣中常壓下在電爐中燒結(jié)，化合物靶材采用固相合成的方法制備；在800～1200℃下燒結(jié)12～24h，經(jīng)粉碎、造粒、壓制成型，再在1100℃下燒結(jié)24h。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是首先將靶材、襯底和基片放在濺射腔里，采用設(shè)有二至三個(gè)可開(kāi)閉?？椎难谀?，每種靶材材料濺射時(shí)一個(gè)?？状蜷_(kāi)，其它的一至二個(gè)?？妆徽谏w。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征是薄膜材料為三組分時(shí)，InVO4在InNbO4和InTaO4的中間。
全文摘要
太陽(yáng)能電池，在襯底上設(shè)有電極和太陽(yáng)能電池薄膜，太陽(yáng)能電池的上表面設(shè)有電極，所述薄膜型太陽(yáng)能電池含有塊狀或條狀拼接的兩或三組分薄膜材料，其構(gòu)成是InTaO
文檔編號(hào)H01L31/18GK1845342SQ20061004005
公開(kāi)日2006年10月11日 申請(qǐng)日期2006年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月30日
發(fā)明者欒景飛, 王艷錦, 帖靖璽, 張繼彪, 鄭正, 唐登勇, 李培培, 趙偉 申請(qǐng)人:南京大學(xué)