專利名稱：多端子型層疊電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多端子型層疊電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在數(shù)字電子設(shè)備中安裝的中央處理器(CPU)的供電用電源中，一方面發(fā)展低電壓化，另一方面，負(fù)載電流在增大。因此，對(duì)負(fù)載電流的急劇變化，要將電源電壓的變動(dòng)抑制在允許值以內(nèi)較困難，所以在電源中連接稱為去耦電容器的層疊電容器。并且，在負(fù)載電流變動(dòng)過大時(shí)，從該層疊電容器向CPU供給電流，抑制電源電壓的變動(dòng)。
近幾年隨著CPU工作頻率的進(jìn)一步高頻化，負(fù)載電流迅速變得更大。因此，對(duì)于用作去耦電容器的層疊電容器，要求增大等效串聯(lián)電阻(ESR)。
在日本特開2000-208361號(hào)公報(bào)中公開的多端子型層疊電容器中，在各層的內(nèi)部電極中設(shè)有用于連接端子電極的引出電極，這些引出電極被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面。端子電極通過電鍍等形成在陶瓷基體側(cè)面，與該引出電極相接合。端子電極通過與引出電極的接合結(jié)構(gòu)與陶瓷基體緊密接合。
在這種層疊電容器中要獲得高的ESR，可以考慮減小設(shè)置在各層的內(nèi)部電極的膜厚的方法。
但是，在日本特開2000-208361號(hào)公報(bào)所述的技術(shù)中，由于形成為引出電極的膜厚與內(nèi)部電極的膜厚相同的結(jié)構(gòu)，所以，若減小內(nèi)部電極的膜厚，則引出電極的膜厚也會(huì)減小。若減小引出電極的膜厚，則不能夠賦予端子電極充分的接合結(jié)構(gòu)，難以確保端子電極與陶瓷基體的的粘接性。
提高ESR的另一種方法，可考慮減少層疊數(shù)的方法。
但是，若減少層疊數(shù)，則引出電極數(shù)量也減少。在日本特開2000-208361號(hào)公報(bào)所述的技術(shù)中，形成了引出電極的膜厚與內(nèi)部電極的膜厚相同的結(jié)構(gòu)，若減少引出電極數(shù)量，則這也不能夠賦予端子電極充分的接合結(jié)構(gòu)，也難以確保端子電極與陶瓷基體的粘接性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是提供一種多端子型層疊電容器及其制造方法，即使為實(shí)現(xiàn)高ESR化而減少層疊數(shù)或者減薄內(nèi)部電極的膜厚的情況下，也能夠確保端子電極與陶瓷基體的粘接性。
(多端子型層疊電容器)為了解決上述課題，涉及本發(fā)明的多端子型層疊電容器，包括陶瓷基體、以及在陶瓷基體內(nèi)部夾著陶瓷而層疊的多個(gè)電極層。
上述電極層分別包括內(nèi)部電極和引出電極。上述引出電極的一端與同層的內(nèi)部電極相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，并形成為比上述同層的內(nèi)部電極厚。
如上所述，涉及本發(fā)明的多端子型層疊電容器，包括陶瓷基體、以及在陶瓷基體的內(nèi)部夾著陶瓷層而層疊的多個(gè)電極層。因此，能夠獲得多端子型層疊電容器的基本結(jié)構(gòu)。
電極層分別包括內(nèi)部電極和引出電極。引出電極的一端與同層的內(nèi)部電極相連接著，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面。因此，在陶瓷基體的側(cè)面形成端子電極，能夠提供與引出電極的接合結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明中，引出電極形成為比同層的內(nèi)部電極厚。若采用該結(jié)構(gòu)，即使在為提高ESR而減少層疊數(shù)，或者減薄內(nèi)部電極的膜厚的情況下，也能夠?qū)σ鲭姌O確保與端子電極的接合結(jié)構(gòu)所需的膜厚。因此，能夠賦予端子電極充分的接合結(jié)構(gòu)，確保端子電極與陶瓷基體的粘接性。因此，能夠防止熱沖擊造成端子電極剝離。
優(yōu)選上述引出電極在陶瓷基體的側(cè)面附近形成為比上述同層的內(nèi)部電極厚。
在一個(gè)實(shí)施方式中，上述電極層還包括虛擬電極，上述虛擬電極與同層的內(nèi)部電極和引出電極隔開間隔配置，一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面。若采用該結(jié)構(gòu)，則可以對(duì)端子電極，除了提供與引出電極的接合結(jié)構(gòu)外，還提供與虛擬電極的接合結(jié)構(gòu)，這樣，能夠增大端子電極與陶瓷基體的粘接性。
在上述電極層的至少一層中，最好是上述虛擬電極與同層的內(nèi)部電極的關(guān)系來看形成同極。若上述虛擬電極與同層的內(nèi)部電極的關(guān)系來看是同極，則能夠防止虛擬電極和內(nèi)部電極之間的短路故障。
在另一個(gè)實(shí)施方式中，上述陶瓷基體具有內(nèi)層部分，具有夾著陶瓷層而層疊的上述電極層；以及外層部分，從上述內(nèi)層部分來看位于外層，在上述外層部分具有虛擬電極層。上述虛擬電極層包括外層虛擬電極，上述外層虛擬電極的一端被出到陶瓷基體的側(cè)面。若采用該結(jié)構(gòu)，則能夠?qū)Χ俗与姌O，除了提供與引出電極的接合結(jié)構(gòu)外，還提供與外層虛擬電極的接合結(jié)構(gòu)，這樣，能夠增大端子電極與陶瓷基體的粘接性。
(多端子型層疊電容器的制造方法)在涉及本發(fā)明的多端子型層疊電容器的制造方法中，在未燒結(jié)陶瓷片上形成內(nèi)部電極層和第一引出電極層。并且，在上述第一引出電極層上形成第二引出電極層。并且，將形成了內(nèi)部電極層和第一、第二引出電極層的上述未燒結(jié)陶瓷片作為單位層來構(gòu)成層疊體。
如上所述，在涉及本發(fā)明的多端子型層疊電容器的制造方法中，在未燒結(jié)的陶瓷片上形成內(nèi)部電極層和第一引出電極層，在第一引出電極層上形成第二引出電極層。因此，可以獲得具有內(nèi)部電極以及形成為比同層的內(nèi)部電極厚的引出電極的基本結(jié)構(gòu)。
再者，將形成了內(nèi)部電極層和第一、第二引出電極層的未燒結(jié)陶瓷片作為單位層來構(gòu)成層疊體。因此，能夠獲得上述涉及本發(fā)明的多端子型層疊電容器。
在一個(gè)實(shí)施方式中，上述第二引出電極層由多層構(gòu)成。
在另一個(gè)實(shí)施方式中，在上述內(nèi)部電極層上形成由陶瓷漿料構(gòu)成的臺(tái)階吸收層。然后，將形成了內(nèi)部電極層、第一、第二引出電極層和臺(tái)階吸收層的上述未燒結(jié)陶瓷片作為單位層來構(gòu)成層疊體。若采用該臺(tái)階吸收層，則能夠吸收內(nèi)部電極層和第二引出電極之間產(chǎn)生的臺(tái)階。
如上所述，若采用本發(fā)明，則能夠提供一種多端子型層疊電容器及其制造方法，在為獲得高ESR化而減少層疊數(shù)或者減薄內(nèi)部電極的膜厚的情況下，也能夠確保端子電極與陶瓷基體的粘接性。


圖1是表示本發(fā)明的多端子型層疊電容器的一實(shí)施方式的外觀斜視圖；圖2是表示沿圖1的2-2線的截面的模式圖；圖3是表示電極層結(jié)構(gòu)的模式圖；圖4是對(duì)圖2所示的截面放大表示電極層121、122的附近部分的圖；圖5是表示虛擬電極層的結(jié)構(gòu)的模式圖；圖6是表示本發(fā)明的多端子型層疊電容器的制造方法的一實(shí)施方式所包含的步驟的圖；圖7是沿圖6的7-7線的局部放大截面圖；圖8是表示圖6和圖7所示的步驟之后的步驟的圖；圖9是表示圖8所示的步驟之后的步驟的圖；圖10是表示圖9所示的步驟之后的步驟的圖。
具體實(shí)施例方式
(多端子型層疊電容器)
圖1是表示本發(fā)明的多端子型層疊電容器的一實(shí)施方式的外觀斜視圖；圖2是表示沿圖1的2-2線的截面的模式圖。如圖所示，本發(fā)明的多端子型層疊電容器包括陶瓷基體1和多個(gè)電極層121～128。
陶瓷基體1由例如以鈦酸鋇為主要成分的電介質(zhì)材料等構(gòu)成。陶瓷基體1是具有長(zhǎng)度方向X、寬度方向Y和厚度方向Z的大致直方體形狀。在寬度方向Y上看的一個(gè)側(cè)面101上設(shè)有端子電極21～24。這些端子電極21～24在側(cè)面101上相互隔開長(zhǎng)度方向X的間隔配置，相鄰的端子電極相互形成異極。具體來說，端子電極21、23為負(fù)極，端子電極22、24為正極。
在陶瓷基體1的另一側(cè)面102上也設(shè)有端子電極25～28。這些端子電極25～28在側(cè)面102上相互隔開長(zhǎng)度方向X的間隔配置，相鄰的端子電極相互成為異極。具體來說，端子電極25、27是負(fù)極，端子電極26、28是正極。
端子電極21～28可以在陶瓷基體1上涂敷導(dǎo)電性漿料而燒結(jié)后基底膜211～281上，由單層或多層電鍍膜(212～282)、(213～283)構(gòu)成。基底膜211～281，例如以Cu或Ag為主要成分而構(gòu)成，鍍膜例如由Ni/Sn的多層鍍膜(212～282)、(213～283)等構(gòu)成。
若參見圖2，電極層121～128在陶瓷基體1的內(nèi)部夾著陶瓷層而層疊。若詳細(xì)說明，則陶瓷基體1包括內(nèi)層部分12、位于內(nèi)層部分12的上層的第一外層部分11、以及位于內(nèi)層部分12的下層的第二外層部分13，電極層121～128配置在陶瓷基體1的內(nèi)層部分12。電極層121～128例如由Ni等構(gòu)成。
圖3是表示電極層121～128的結(jié)構(gòu)的模式圖。以下依次說明電極層121～128。
首先，說明電極層121。電極層121包括內(nèi)部電極A1和引出電極B1。內(nèi)部電極A1設(shè)置成夾著電介質(zhì)層與電極層122的內(nèi)部電極A2相對(duì)置，具有靜電電容電極的功能。引出電極B1的一端與同層的內(nèi)部電極A1相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的一個(gè)側(cè)面，與端子電極21相連接。因此，內(nèi)部電極A1通過引出電極B1而與端子電極21電連接，與端子電極21成為同極即負(fù)極。
電極層121還包括虛擬電極D11～D13。虛擬電極D11～D13分別與同層的內(nèi)部電極A1和引出電極B1隔開間隔配置。再者，這些虛擬電極D11～D13分別與端子電極21～28中被選擇的端子電極相連接，與同層的內(nèi)部電極A1的關(guān)系來看成為同極。若詳細(xì)說明，內(nèi)部電極A1成為負(fù)極，虛擬電極D11的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的一側(cè)面，與負(fù)極的端子電極23相連接。虛擬電極D12、D13的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的另一個(gè)側(cè)面，分別與負(fù)極的端子電極25、27相連接。
以下說明電極層122。電極層122包括內(nèi)部電極A2和引出電極B2。內(nèi)部電極A2設(shè)置成夾著電介質(zhì)層與電極層121的內(nèi)部電極A1和電極層123的內(nèi)部電極A3相對(duì)置，具有靜電電容電極的功能。引出電極B2的一端與同層的內(nèi)部電極A2相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的一側(cè)面，與端子電極22相連接。因此，內(nèi)部電極A2通過引出電極B2而與端子電極22電連接，與端子電極22成為同極、即正極。
電極層122還包括虛擬電極D21～D23，虛擬電極D21～D23分別與同層的內(nèi)部電極A2和引出電極B2隔開間隔配置。再者，這些虛擬電極D21～D23分別與端子電極21～28中被選擇的端子電極相連接，與同層的內(nèi)部電極A2的關(guān)系來看成為同極。若詳細(xì)說明，內(nèi)部電極A2是正極，虛擬電極D21的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的一側(cè)面，與正極的端子電極24相連接。虛擬電極D22、D23的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的另一側(cè)面，分別與正極的端子電極26、28相連接。
以下電極層123～128也是一樣，對(duì)這些說明盡量省略重復(fù)說明。
若說明電極層123，引出電極B3的一端與同層的內(nèi)部電極A3相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極23相連接。因此，內(nèi)部電極A3通過引出電極B3與端子電極23電連接，與端子電極23成為同極、即負(fù)極。虛擬電極D31～D33分別與負(fù)極的端子電極21、25、27相連接，與同層的內(nèi)部電極A3的關(guān)系來看成為同極。
接著，若說明電極層124，引出電極B4的一端與同層的內(nèi)部電極A4相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極24相連接。因此內(nèi)部電極A4通過引出電極B4而與端子電極24電連接，與端子電極24成為同極、即正極。虛擬電極D41～D43分別與正極的端子電極22、26、28相連接，與同層的內(nèi)部電極A4的關(guān)系來看成為同極。
接著，若說明電極層125，引出電極B5的一端與同層的內(nèi)部電極A5相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極25相連接。因此，內(nèi)部電極A5通過引出電極B5而與端子電極25連接，形成與端子電極25同極、即負(fù)極。虛擬電極D51～D53分別與負(fù)極的端子電極21、23、27相連接，與同層的內(nèi)部電極A5的關(guān)系來看形成同極。
接著，若說明電極層126，引出電極B6的一端與同層的內(nèi)部電極A6相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極26相連接。因此，內(nèi)部電極A6通過引出電極B6而與端子電極26電連接，與端子電極26成為同極、即正極。虛擬電極D61～D63分別與正極的端子電極22、24、28相連接，與同層的內(nèi)部電極A6的關(guān)系來看形成同極。
接著，若說明電極層127，引出電極B7的一端與同層的內(nèi)部電極A7相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極27相連接。因此，內(nèi)部電極A7通過引出電極B7而與端子電極27電連接，與端子電極27成為同極、即負(fù)極。虛擬電極D71～D73分別與負(fù)極的端子電極21、23、25相連接，與同層的內(nèi)部電極A4的關(guān)系來看成為同極。
最后，若說明電極層128，引出電極B8的一端與同層的內(nèi)部電極A8相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極28相連接。因此，內(nèi)部電極A8通過引出電極B8而與端子電極28電連接，與端子電極28成為同極、即正極。虛擬電極D81～D83分別與正極的端子電極22、24、26相連接，與同層的內(nèi)部電極A8的關(guān)系來看成為同極。
電極層121～128的基本結(jié)構(gòu)如以上說明。詳細(xì)結(jié)構(gòu)以電極層121為例進(jìn)行說明如下。
圖4是圖2所示的截面，放大表示電極層121、122的附近部分的圖。若參照?qǐng)D4，電極層121的引出電極B1與同層的內(nèi)部電極A1形成一體。
再者，引出電極B1在陶瓷基體1的側(cè)面101附近，形成為比內(nèi)部電極A1厚。詳細(xì)情況是引出電極B1的層厚t3比內(nèi)部電極A1的層厚t1大。引出電極B1的層厚t3是指在陶瓷基體1的側(cè)面101附近觀看時(shí)的層厚，內(nèi)部電極A1的層厚t1是指承擔(dān)作為靜電電容電極的功能的實(shí)質(zhì)部分的層厚。
引出電極B1的層厚t3，考慮內(nèi)部電極A1的層厚t1和在內(nèi)部電極之間觀看的陶瓷層的層厚t5等來決定。層厚t3理想的范圍是t1＜t3＜t5 ……(1)更理想的范圍是1.5×t1≤t3≤0.9×t5 ……(2)以數(shù)值為例，當(dāng)內(nèi)部電極A1的層厚t1為2μm，從內(nèi)部電極間來看的陶瓷層的厚度t5為6μm時(shí)，引出電極B 1的層厚t3可以形成4μm。
以下，對(duì)于電極層122～128的內(nèi)部電極A2～A8和引出電極B2～B8，也可以采用與電極層121的這些相同的結(jié)構(gòu)。
再參照?qǐng)D2繼續(xù)說明。在陶瓷基體1的第一外層部分11中具有虛擬電極層111～11n。同樣，在第二外層部分13中具有虛擬電極層131～13n。這些虛擬電極層例如由Ni等構(gòu)成，夾著陶瓷層而層疊。以下代表性地說明第一外層部分11的虛擬電極層111～11n。
圖5是表示虛擬電極層111～11n的結(jié)構(gòu)的模式圖。首先，說明虛擬電極層111。虛擬電極層111包括外層虛擬電極E11～E14，外層虛擬電極E11～E14的一端分別被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極21～28中被選擇的端子電極相連接。詳細(xì)地，外層虛擬電極E11、E12被導(dǎo)出到陶瓷基體的一側(cè)面，分別與正極的端子電極22、24相連接，外層虛擬電極E13、E14被導(dǎo)出到陶瓷基體的另一側(cè)面，分別與正極的端子電極26、28相連接。
以下，說明虛擬電極層112。虛擬電極層112包括外層虛擬電極E21～E24，外層虛擬電極E21～E24各自的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，與端子電極21～28中被選擇的端子電極相連接。詳細(xì)地，外層虛擬電極E21、E22被導(dǎo)出到陶瓷基體的一側(cè)面，分別與負(fù)極的端子電極21、23相連接，外層虛擬電極E23、E24被導(dǎo)出到陶瓷基體的另一側(cè)面，分別與負(fù)極的端子電極25、27相連接。
以下對(duì)虛擬電極層113～11n也可以采用同樣的結(jié)構(gòu)。例如在虛擬電極層113～11n中，奇數(shù)參考編號(hào)層可以采用與虛擬電極層111相同的結(jié)構(gòu)，偶數(shù)參考編號(hào)層可以采用與虛擬電極層112相同的結(jié)構(gòu)。
并且，第二外層部分13的虛擬電極層131～13n也可以采用和第一外層部分11的虛擬電極層111～11n相同的結(jié)構(gòu)。例如，虛擬電極層131～13n分別采用與虛擬電極層11n～111相同的結(jié)構(gòu)，能夠確保夾著內(nèi)層部分12的電極層121～128而對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
再者，配置在第一外層部分11中的虛擬電極層的層數(shù)、以及配置在第二外層部分13中的虛擬電極層的層數(shù)分別可以取任意數(shù)。
如參照?qǐng)D1和圖2說明的那樣，本發(fā)明的多端子型層疊電容器包括陶瓷基體1、以及在陶瓷基體1內(nèi)部夾著陶瓷層而層疊的多個(gè)電極層121～128。因此，能夠獲得多端子型層疊電容器的基本結(jié)構(gòu)。
再者，如參照?qǐng)D3說明的那樣，電極層121～128包括內(nèi)部電極A1～A8和引出電極B1～B8，這些引出電極B1～B8的一端分別與同層的內(nèi)部電極A1～A8相連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體1的側(cè)面。因此，在陶瓷基體1的側(cè)面形成端子電極21～28，能夠提供與引出電極B1～B8的接合結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明中，引出電極B1～B8分別形成為比同層的內(nèi)部電極A1～A8厚。若采用該結(jié)構(gòu)，則為實(shí)現(xiàn)高ESR化而減少層疊數(shù)，或者減薄內(nèi)部電極A1～A8的層厚的情況下，也能夠?qū)σ鲭姌OB1～B8確保與端子電極21～28的接合結(jié)構(gòu)所需的層厚。例如，參照?qǐng)D4，引出電極B1的層厚t3比內(nèi)部電極A1的層厚t1大。因此，即使減薄內(nèi)部電極1的層厚t1的情況下，也能夠?qū)σ鲭姌OB1確保與端子電極21的接合結(jié)構(gòu)所需的層厚t3。
因此，能夠?qū)Χ俗与姌O21～28賦予充分的接合結(jié)構(gòu)，能夠確保端子電極21～28與陶瓷基體1的粘接性。因此，能夠防止由熱沖擊造成的端子電極剝離。
在圖示的實(shí)施方式中，形成具有8層電極層121～128的結(jié)構(gòu)。但本發(fā)明并不僅限于這種結(jié)構(gòu)，電極層的層數(shù)可以取大于等于2的任意數(shù)。
再者，如參照?qǐng)D3說明的那樣，電極層121～128包括虛擬電極D11～D83，這些虛擬電極的一端分別被導(dǎo)出到陶瓷基體1的側(cè)面，與被選擇的端子電極相連接。例如虛擬電極D31、D51、D71各自的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體1的側(cè)面，與端子電極21相連接。因此，對(duì)端子電極21除了賦予與引出電極B1的接合結(jié)構(gòu)外，還賦予與虛擬電極D31、D51、D71的接合結(jié)構(gòu)，由此，能夠增大端子電極21與陶瓷基體1的粘接性。對(duì)其他端子電極22～28也是一樣。
而且，虛擬電極D11～D83，與同層的內(nèi)部電極的關(guān)系來看成為同極。例如虛擬電極D11～D13與同層的內(nèi)部電極A1(負(fù)極)的關(guān)系來看是同極、即負(fù)極。因此，能夠防止內(nèi)部電極A1和虛擬電極D11～D13之間的短路故障。對(duì)其他內(nèi)部電極A2～A8也是一樣。
在圖示的實(shí)施方式中，虛擬電極D11～D83分別形成與同層的內(nèi)部電極A1～A8相同的厚度。但也可以與此不同，將虛擬電極D11～D83分別形成為比同層的內(nèi)部電極A1～A8厚。若采用該結(jié)構(gòu)，則即使減少高ESR化所需的層疊數(shù)、或者減薄內(nèi)部電極A1～A8的層厚的情況下，也能夠?qū)μ摂M電極D11～D83確保與端子電極21～28的接合結(jié)構(gòu)所需的層厚，能夠進(jìn)一步增大端子電極21～28與陶瓷基體1的粘接性。
(多端子型層疊電容器的制造方法)接著，說明本發(fā)明的多端子型層疊電容器的制造方法的一實(shí)施方式。該實(shí)施方式涉及圖1～圖5所示的多端子型層疊電容器的制造方法。
圖6表示本發(fā)明的多端子型層疊電容器的制造方法的一實(shí)施方式中所包括的步驟的圖。圖7是沿圖6的7-7線的局部放大截面圖。圖中代表性地表示出提供給多端子層疊電容器內(nèi)所設(shè)置的電極層之一(例如電極層121)的區(qū)域621。
接著，參照?qǐng)D6和圖7，未燒結(jié)的陶瓷片(陶瓷生片ceramic greensheet)41被附著在支承體3的一面。未燒結(jié)的陶瓷片41由混合了陶瓷粉末、溶劑和粘合劑等的陶瓷漿料構(gòu)成，形成一定厚度。并且，支承體3由適當(dāng)?shù)膿闲运芰媳∧?gòu)成。
其次，如圖6和圖7所示，在未燒結(jié)的陶瓷片41上以預(yù)定圖案形成內(nèi)部電極層A1a、第一引出電極層B1a、和虛擬電極層D11a～D13a。在圖示實(shí)施方式中，內(nèi)部電極層A1a和第一引出電極層B1a形成為一體，在未燒結(jié)陶瓷片41上形成預(yù)定的厚度。并且，虛擬電極層D11a～D13a也形成與內(nèi)部電極層A1a和第一引出電極層B 1a相同的厚度。這些電極層通過印刷導(dǎo)體漿料而形成。通過混合導(dǎo)體粉末、溶劑和粘合劑等而得到導(dǎo)體漿料。印刷方法可以舉出絲網(wǎng)印刷法、凹版印刷法或膠版印刷法等。
而且，圖中雖未表示，但在區(qū)域621的周圍還有提供給他電極層(例如電極層122～128)的區(qū)域，在這些區(qū)域內(nèi)也同樣地形成內(nèi)部電極層A2a～A8a、第一引出電極層B2a～B8a和虛擬電極層D21a～D83a。
接著，如圖8所示，在第一引出電極層B1a上形成第二引出電極層B1b。第二引出電極層B1b以與第一引出電極層B1a相同形狀的圖案來形成，在第一引出電極層B1a上形成預(yù)定的厚度。第二引出電極層B1b與內(nèi)部電極層A1a及第一引出電極層B1a一樣，通過印刷導(dǎo)體漿料而形成，在圖示的實(shí)施方式中，第二引出電極層B1b由單一層構(gòu)成。與此不同，第二引出電極層也可以由多層來構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)的第二引出電極層通過多次重復(fù)導(dǎo)體漿料的印刷而得到。
以下，如圖9所示，在內(nèi)部電極層A1a上形成臺(tái)階吸收層43。臺(tái)階吸收層43承擔(dān)吸收內(nèi)部電極層A1a和第二引出電極層B1b之間產(chǎn)生的臺(tái)階的功能。在圖示的實(shí)施方式中，在未燒結(jié)陶瓷片41上的區(qū)域621內(nèi)，在沒有設(shè)置內(nèi)部電極層A1a、第一引出電極層B1a和虛擬電極層D11a～D13a的空白區(qū)域內(nèi)也形成臺(tái)階吸收層43，還承擔(dān)吸收空白區(qū)域和第二引出電極層B1b之間產(chǎn)生的臺(tái)階的功能。最好是臺(tái)階吸收層43的表面與第二引出電極層B1b的表面形成為相同高度位置。臺(tái)階吸收層43基本上由與未燒結(jié)陶瓷片41相同結(jié)構(gòu)的陶瓷漿料來構(gòu)成。
接著，如圖10所示，將形成了內(nèi)部電極A1a、第一、第二引出電極層B1a、B1b和臺(tái)階吸收層43的未燒結(jié)陶瓷片41作為單位層521～528而構(gòu)成層疊體。在圖示的實(shí)施方式中，除了這些單位層521～528外，還將形成了外層虛擬電極層E1a的未燒結(jié)陶瓷片42作為外層單位層511～51n、531～53n構(gòu)成層疊體。在圖示的實(shí)施方式中，用于構(gòu)成層疊體的方法，采用將外層單位層511～51n、單位層521～528以及外層單位層531～53n層疊在層疊臺(tái)7上的方法，但并不僅限于該方法。例如也可以采用在撓性支承體上僅重復(fù)所需次數(shù)的的陶瓷生片(未燒結(jié)陶瓷片)的形成工序和電極層的印刷工序等的方法。
對(duì)這樣制成的薄片層疊體進(jìn)行加壓后，若截?cái)酁閱位瑓^(qū)域，則得到層疊生基片(green chip)。再進(jìn)行脫粘合劑、燒結(jié)和端子電極形成等工序，則可以得到圖1～圖5所示的多端子型層疊電容器。
在本發(fā)明的多端子型層疊電容器的制造方法中，如圖6和圖7所示，在未燒結(jié)陶瓷片41上形成內(nèi)部電極層A1a和第一引出電極層B1a之后，如圖8所示，在第一引出電極層B1a上形成第二引出電極B1b。因此，能夠得到具有內(nèi)部電極、以及形成為比同層的內(nèi)部電極厚的引出電極的基本結(jié)構(gòu)。
然后，如圖10所示，形成了內(nèi)部電極A1a、第一、第二引出電極層B1a、B1b的未燒結(jié)陶瓷片41作為單位層521～528來構(gòu)成層疊體。因此，能夠構(gòu)成本發(fā)明的多端子型層疊電容器。詳細(xì)地，單位層521～528構(gòu)成圖2所示的陶瓷基體1的內(nèi)層部分12，外層單位體511～51n、531～53n構(gòu)成陶瓷基體1的外層部分11、13。
圖示的實(shí)施方式的情況下，如圖9所示，在內(nèi)部電極層A1a上形成由陶瓷漿料構(gòu)成的臺(tái)階吸收層43。然后，如圖10所示，將形成了內(nèi)部電極層A1a、第一、第二引出電極層B1a、B1b和臺(tái)階吸收層43的未燒結(jié)陶瓷片41作為單位層521～528來構(gòu)成層疊體。若采用該臺(tái)階吸收層43，則能夠吸收內(nèi)部電極層A1a和第二引出電極層B1b之間產(chǎn)生的臺(tái)階。
在圖9所示的結(jié)構(gòu)中，臺(tái)階吸收層43的表面形成為與第二引出電極層B1b的表面成為相同高度位置。但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。很明顯，關(guān)于這一點(diǎn)，例如即使臺(tái)階吸收層的表面的高度位置比第二引出電極層的表面低，也能夠獲得消除臺(tái)階的效果。
權(quán)利要求
1.一種多端子型層疊電容器，其中包括陶瓷基體；以及多個(gè)電極層，在陶瓷基體內(nèi)部夾著陶瓷層而層疊，其特征在于，上述電極層分別包括內(nèi)部電極和引出電極；上述引出電極的一端與同層的內(nèi)部電極連接，另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面，并形成為比上述同層的內(nèi)部電極厚。
2.如權(quán)利要求1所述的多端子型層疊電容器，其特征在于，上述引出電極在陶瓷基體的側(cè)面附近形成為比上述同層的內(nèi)部電極厚。
3.如權(quán)利要求1所述的多端子型層疊電容器，其特征在于，還包括設(shè)置在陶瓷基體的側(cè)面的端子電極，上述引出電極中的至少一個(gè)的另一端與端子電極相連接著。
4.如權(quán)利要求1所述的多端子型層疊電容器，其特征在于，上述電極層還包括虛擬電極，上述虛擬電極與同層的內(nèi)部電極和引出電極隔開間隔配置，一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面。
5.如權(quán)利要求4所述的多端子型層疊電容器，其特征在于，在上述電極層的至少一層中，上述虛擬電極與同層的內(nèi)部電極的關(guān)系來看成為同極。
6.如權(quán)利要求1所述的多端子型層疊電容器，其特征在于上述陶瓷基體具有內(nèi)層部分，具有夾著陶瓷層而層疊的上述電極層；以及外層部分，從上述內(nèi)層部分來看位于外層，在上述外層部分具有虛擬電極層，上述虛擬電極層包括外層虛擬電極，上述外層虛擬電極的一端被導(dǎo)出到陶瓷基體的側(cè)面。
7.一種多端子型層疊電容器的制造方法，其特征在于，在未燒結(jié)陶瓷片上形成內(nèi)部電極層和第一引出電極層，在上述第一引出電極層上形成第二引出電極層，將形成了內(nèi)部電極層和第一引出電極層、第二引出電極層的上述未燒結(jié)陶瓷片作為單位層來構(gòu)成層疊體。
8.如權(quán)利要求7所述的多端子型層疊電容器的制造方法，其特征在于，上述第二引出電極層由多層構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求7所述的多端子型層疊電容器的制造方法，其特征在于，在上述內(nèi)部電極層上形成由陶瓷漿料構(gòu)成的臺(tái)階吸收層，然后，將形成了內(nèi)部電極層、第一引出電極層、第二引出電極層和臺(tái)階吸收層的上述未燒結(jié)陶瓷片作為單位層來構(gòu)成層疊體。
10.如權(quán)利要求7所述的多端子型層疊電容器的制造方法，其特征在于，在未燒結(jié)的陶瓷片上，與上述內(nèi)部電極層和上述第一引出電極層一起形成虛擬電極層。
全文摘要
本發(fā)明的電極層(121～128)在陶瓷基體1的內(nèi)部夾著陶瓷層被層疊。電極層(121～128)各自包括內(nèi)部電極A1～A8和引出電極B1～B8。若對(duì)電極層121進(jìn)行說明，則引出電極(B1)的一端與同層的內(nèi)部電極(A1)相連接；另一端被導(dǎo)出到陶瓷基體(1)的側(cè)面，并且，引出電極(B1)形成為比同層的內(nèi)部電極(A1)厚。
文檔編號(hào)H01G4/12GK1832069SQ20061005474
公開日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2006年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月10日
發(fā)明者奧山博 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社