專利名稱：嵌入式芯片印刷電路板及其制造方法
技術領域：
一般而言，本發(fā)明涉及嵌入式芯片印刷電路板及其制造方法。更具體而言，本發(fā)明涉及嵌入式芯片印刷電路板，其中芯片與電路線之間的連接長度減少以改善集成度，本發(fā)明還涉及制造該嵌入式芯片印刷電路板的方法。
背景技術：
隨著近來電子工業(yè)的發(fā)展，為了滿足電子產(chǎn)品微型化和高功能化的需求，已經(jīng)開發(fā)了將電阻器、電容器、IC(集成電路)等插入到基板中的電子技術。
雖然分立式芯片電阻器或分立式芯片電容器早已安裝在印刷電路板(PCB)上，但是在最近才開發(fā)了具有嵌入式芯片元件如電阻器或電容器的PCB。
在制造具有嵌入式芯片元件的PCB的技術方面，使用新型材料和方法將芯片元件如電阻器和電容器插入基板內(nèi)層中，以替代安裝在PCB上的傳統(tǒng)無源元件，如芯片電阻器和芯片電容器。
也就是說，具有嵌入式芯片的PCB是指芯片形式的電容器嵌入在基板自身的內(nèi)層中。無論基板自身的尺寸如何，一旦芯片引入成為PCB的一部分，其就稱作“嵌入式芯片”，該基板稱為“嵌入式芯片PCB”。
嵌入式芯片PCB最重要的特征在于插入已在外部制造并確認具有特定性能的電子元件，從而保持比直接在基板上制造該元件更穩(wěn)定的產(chǎn)率。
目前所開發(fā)的制造嵌入式芯片PCB的技術大致分為三類。
第一，提供了制造聚合物厚膜型電容器的方法，該方法包括涂覆聚合物電容糊，隨后將其熱固化即干燥。具體而言，該方法包括在PCB內(nèi)層上涂覆聚合物電容糊，干燥該聚合物電容糊，隨后在其上印刷銅糊并使其干燥形成電極，由此得到嵌入式電容器。
第二，提供了制造嵌入式分立型電容器的方法，該方法包括用填充有陶瓷的光致介質(zhì)樹脂(photo-dielectric resin)涂覆PCB，美國Motorola有限公司擁有該方法的專利權。該方法包括將含有陶瓷粉末的光致介質(zhì)樹脂涂覆在基板上，在該樹脂層的上下表面層壓銅箔以形成上電極和下電極，形成電路圖案，隨后蝕刻光致介質(zhì)樹脂，由此得到分立型電容器。
第三，提供了制造嵌入式電容器的方法，該方法包括分別將具有電容特性的電介質(zhì)層插入到PCB內(nèi)層中以替代安裝在PCB上的去耦電容器，美國Sanmina有限公司擁有該方法的專利權。在該方法中，將具有電源電極和接地電極的電介質(zhì)層插入到PCB內(nèi)層中，由此得到功率分布式去耦電容器。
圖1A-1F是順序示出制造嵌入式芯片PCB的傳統(tǒng)方法的截面圖，其公開在日本專利特開No.2002-118366中。
如圖1A所示，加工具有預定電路圖案的核心基板10以形成中空區(qū)域11，隨后在其中嵌入芯片，并且在中空區(qū)域11的底表面上涂覆粘合劑12。
如圖1B所示，將芯片13置于粘合劑12上，從而將其保持在中空區(qū)域11中。
將芯片13保持在中空區(qū)域11中之后，如圖1C所示，在芯片13和中空區(qū)域11內(nèi)壁之間的空隙中填充熱固性樹脂14。
如圖1D所示，將熱固性環(huán)氧樹脂片層壓在核心基板10上，隨后于50-150℃在5kg/cm2下真空壓合，以形成樹脂絕緣層15。
形成樹脂絕緣層15之后，如圖1E所示，利用激光加工樹脂絕緣層15以形成用于電連接芯片13的第一電極和第二電極的通孔16。
如圖1F所示，利用普通的PCB裝配方法制造嵌入式芯片PCB 17。
然而，制造嵌入式芯片PCB的傳統(tǒng)方法的缺點在于由于嵌入芯片、層壓樹脂絕緣層并形成使芯片電連接至電路層的通孔，導致孤立的電路連接線和大的電路空間。結果，難以制造輕、薄、短、小的嵌入式芯片PCB。
此外，制造嵌入式芯片PCB的傳統(tǒng)方法由于其電路線長度大而導致其具有高電感。

發(fā)明內(nèi)容
因此，針對現(xiàn)有技術中存在的上述問題，進行了本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種嵌入式芯片PCB，其高度密集，并且通過在芯片和電路線之間形成相對短的連接線而變得輕、薄、短、小。
本發(fā)明的另一目的是提供制造該嵌入式芯片PCB的方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種嵌入式芯片PCB，其包含核心層，該核心層包括具有在其一個表面處打開的中空區(qū)域的覆銅層壓板(CCL)、嵌入在CCL中的芯片、形成在CCL各個上下表面上的內(nèi)部電路圖案層和用于使內(nèi)部電路圖案層和芯片之間電連接的通孔；形成核心層的各個上下表面上并具有從中穿過形成的通孔的絕緣層；和形成在絕緣層上的外部電路圖案層。
此外，本發(fā)明提供制造嵌入式芯片PCB的方法，包括在CCL的一個表面處形成中空區(qū)域使得中空區(qū)域在其一個表面處打開的第一步驟；將聚合物材料涂覆在CCL中空區(qū)域的底表面上并隨后將芯片置于CCL中空區(qū)域內(nèi)的聚合物材料上的第二步驟；用聚合物材料填充中空區(qū)域中除芯片所占空間外的空隙并隨后使所述空隙的表面齊平的第三步驟；形成穿過具有芯片的CCL的通孔并隨后鍍覆或填充鍍覆所述通孔的第四步驟；利用光刻方法在CCL上形成內(nèi)部電路圖案層的第五步驟；和在所述內(nèi)部電路圖案層上層壓絕緣層、形成通孔并隨后利用半加成法形成外部電路圖案層的第六步驟。
此外，本發(fā)明提供制造嵌入式芯片PCB的方法，包括在CCL的一個表面處形成中空區(qū)域使得中空區(qū)域在其一個表面處打開的第一步驟；將聚合物材料涂覆在CCL中空區(qū)域的底表面上并隨后將芯片置于CCL中空區(qū)域內(nèi)的聚合物材料上的第二步驟；用聚合物材料填充中空區(qū)域中除芯片所占空間外的空隙并使所述空隙的表面齊平的第三步驟；形成穿過具有芯片的CCL的通孔并鍍覆或填充鍍覆所述通孔的第四步驟；利用光刻方法在CCL上形成內(nèi)部電路圖案層的第五步驟；在所述內(nèi)部電路圖案層上依次層壓絕緣層和銅箔或在所述內(nèi)部電路圖案層上依次層壓具有絕緣層的樹脂覆銅板(RCC)和疊置于該絕緣層任一表面上的銅箔、形成通孔并隨后鍍覆或填充鍍覆所述通孔的第六步驟；和利用光刻方法在RCC上形成外部電路圖案層的第七步驟。


由結合附圖的以下詳細說明，將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點，其中圖1A-1F為順序示出制造嵌入式芯片PCB的傳統(tǒng)方法的截面圖；圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的嵌入式芯片PCB的截面圖；圖3A-3M為順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方案制造嵌入式芯片PCB的方法的截面圖；圖4A-4C為示出根據(jù)本發(fā)明的具有嵌入式芯片的中空區(qū)域的截面圖；圖5A-5L為順序示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方案制造嵌入式芯片PCB的方法的截面圖；圖6A為示出傳統(tǒng)嵌入式芯片PCB的電壓在高頻下隨時間周期變化的圖；圖6B為示出本發(fā)明的嵌入式芯片PCB的電壓在高頻下隨時間周期變化的圖。
具體實施例方式
下文將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明的嵌入式芯片PCB及其制造方法。
圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的嵌入式芯片PCB的截面圖。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的嵌入式芯片PCB包含核心層110，所述核心層110包括具有絕緣層和提供在其兩個表面上的薄銅箔的CCL、嵌入在CCL中的芯片、形成在CCL上下表面上的內(nèi)部電路圖案層以及用于電連接內(nèi)部電路圖案層和嵌入式芯片的通孔。此外，嵌入式芯片PCB包含層壓在核心層110的各上下表面上并且具有從中穿過而形成的通孔的絕緣層120，以及層壓在絕緣層120上且具有外部電路圖案的外部電路圖案層130。
也就是說，通過對CCL上表面鉆孔而形成在其上表面處打開的中空區(qū)域，并隨后將芯片嵌入到所述中空區(qū)域中，通過形成穿過CCL的使內(nèi)部電路圖案層之間和芯片與內(nèi)部電路圖案層之間電連接的通孔，以及通過在CCL的上下表面上形成內(nèi)部電路圖案層，來提供核心層110。
所形成的CCL中空區(qū)域比芯片高度深，因而用聚合物材料填充中空區(qū)域中除芯片所占空間之外的空隙。
核心層110的通孔包括用于電連接內(nèi)部電路圖案層的貫通孔和用于電連接芯片與內(nèi)部電路圖案層的盲孔。
絕緣層120形成在核心層110的各上下表面上并包括用于電連接核心層110和外部電路圖案層130的通孔。
外部電路圖案層130具有形成在絕緣層120上的外部電路圖案。
圖3A-3M順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方案制造嵌入式芯片PCB的方法。
如圖3A所示，提供了包含絕緣層101和形成在絕緣層101兩個表面上的薄銅箔102的CCL。
CCL的絕緣層101由包括樹脂和玻璃布的復合材料形成，所述復合材料具有優(yōu)異的電性能和在所有方向上的高強度卻沒有樹脂的機械強度不足和尺寸隨溫度的變化(熱膨脹系數(shù))10倍于金屬的缺點。利用通過電解作用在轉動的陰極輥上薄薄地鍍覆銅的方法而在該絕緣層101上形成銅箔102，并隨后將銅箔102從陰極上剝離，由此提供CCL。
作為替代方案，不使用CCL，可以使用具有所需數(shù)目的絕緣層和所需數(shù)目的銅層的基礎基板。
如圖3B所示，通過鉆孔過程加工CCL的上表面以形成中空區(qū)域103，每一個中空區(qū)域103均在CCL的上表面處打開并且比芯片的高度深。
鉆孔過程可采用YAG(釔鋁石榴石)激光器或CO2激光器來進行。此外，當將CCL加工到CCL銅箔或絕緣層的所需深度時，可以使用用來控制深度的鉆頭以得到該所需深度。
考慮到隨后將要嵌入的芯片的尺寸，鉆頭可以根據(jù)其尺寸使用一次或兩次，以形成所需中空區(qū)域，如圖4A-4C所示。此外，可使用CO2激光器來形成略大于芯片105尺寸的CCL中空區(qū)域。加工中空區(qū)域103，使其比嵌入其中的芯片的高度深，從而允許在芯片和內(nèi)部電路圖案層之間形成通孔。
形成中空區(qū)域103之后，如圖3C所示，在中空區(qū)域103的底表面上涂覆預定聚合物材料104并且隨后將芯片105置于CCL中空區(qū)域103中的聚合物材料104上。
使用聚合物材料104，即液體環(huán)氧材料，以將芯片105固定在基板上。
如圖3D所示，用聚合物材料104填充中空區(qū)域103中除芯片105所占空間之外的空隙，使所述聚合物材料104的上表面與銅箔高度齊平。
這樣，用聚合物材料104填充中空區(qū)域103中除芯片105所占空間之外的空隙，從而形成預定的絕緣層。由此，可以使后續(xù)形成的芯片和電路之間的連接線形成得相對短。也就是說，芯片可以直接連接至該層的銅箔，其中在沒有通孔穿過其它層的情況下嵌入上述芯片。
之后，如圖3E所示，形成通孔106。
通孔106利用機械鉆孔方法形成為貫通孔或者利用諸如YAG激光器或CO2激光器的激光鉆孔精確形成為盲通孔。
通孔106形成之后，如圖3F所示，進行無電鍍銅和電鍍銅以鍍覆或填充鍍覆通孔內(nèi)部，從而形成鍍覆層107。
在無電鍍銅之后進行電鍍銅的原因是由絕緣材料形成的鉆孔內(nèi)壁不易通過電解而電鍍銅，因而，在電鍍銅之前通過沉積進行無電鍍銅。此外，僅有無電鍍層難以使用，這是因為無電鍍層很薄且性能差。因此，應以銅電鍍層涂覆無電鍍層以減輕其缺陷。
作為替代方案，不對通孔106內(nèi)部進行填充鍍覆，可以用導電墨填充通孔106，并使之平坦而后鍍覆。
如圖3G和3H所示，利用光刻方法形成內(nèi)部電路圖案層108。
使用光刻方法將印刷在布線圖膜上的電路圖案轉移至基板上?？梢蕴峁┒喾N轉移方法。在這些方法中，通常采用通過UV光將電路圖案從布線圖膜轉移至光敏干膜的方法。
具有所轉移的電路圖案的干膜用作抗蝕層。通過蝕刻處理，除去對應于未形成抗蝕圖案的區(qū)域的銅箔，從而完成具有內(nèi)部電路圖案層108的核心層110。
隨后，如圖3I所示，在核心層110的各上下表面上層壓絕緣層120。
至于絕緣層120，使用部分固化的半固化片，其由包含玻璃布和熱固性樹脂并經(jīng)預定量的熱和壓力固化的復合材料而形成。
層壓絕緣層120之后，如圖3J所示，利用鉆孔方法穿過絕緣層120形成通孔121。
如圖3K所示，利用無電鍍覆方法形成種子層122。
為了形成高度密集的電路圖案，構成種子層122的鍍覆層形成得不僅薄而且均勻分布在通孔121中。
雖然主要采用銅來進行無電鍍覆，但是其它金屬如鎳或錫只要可以進行無電鍍覆就都可以采用。
形成種子層122之后，如圖3L所示，形成抗蝕圖案123。
利用通過UV光采用光敏干膜將電路圖案從布線圖膜轉移至基板的方法，抗蝕圖案用來形成外部電路圖案。
如圖3M所示，進行鍍銅過程并移除抗蝕圖案123，之后蝕刻暴露的種子層120，從而完成外部電路圖案層130。
現(xiàn)在來看圖5A-5L，順序示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方案制造嵌入式芯片PCB的方法。
如圖5A所示，提供包含絕緣層201和形成在該絕緣層兩個表面上形成的薄銅箔的CCL。
CCL的絕緣層201由包括樹脂和玻璃布的復合材料形成，所述復合材料具有優(yōu)異的電性能和在所有方向上的高強度但沒有樹脂的機械強度不足和尺寸隨溫度的變化(熱膨脹系數(shù))10倍于金屬的缺點。利用通過電解作用在轉動的陰極輥上薄薄地鍍覆銅的方法而在該絕緣層201上形成銅箔202，并隨后將銅箔202從陰極上剝離，由此提供CCL。
作為替代方案，不使用CCL，可以使用具有所需數(shù)目的絕緣層和所需數(shù)目的銅層的基礎基板。
如圖5B所示，通過鉆孔過程加工CCL的上表面以形成中空區(qū)域203，每一個中空區(qū)域203均在CCL的上表面處打開。
鉆孔過程可采用YAG(釔鋁石榴石)激光器或CO2激光器來進行。此外，當將CCL加工到CCL銅箔或絕緣層的所需深度時，可以使用用來控制深度的鉆頭以得到該所需深度。
考慮到隨后將要嵌入的芯片的尺寸，鉆頭可以根據(jù)其尺寸使用一次或兩次，以形成所需中空區(qū)域，如圖4A-4C所示。此外，可使用CO2激光器來形成略大于芯片205尺寸的CCL中空區(qū)域。
形成中空區(qū)域203之后，如圖5C所示，在中空區(qū)域203的底表面上涂覆預定聚合物材料204并且隨后將芯片205置于CCL中空區(qū)域203中的聚合物材料204上。
使用聚合物材料204，即液體環(huán)氧材料，以將芯片205固定在基板上。
如圖5D所示，用聚合物材料204填充中空區(qū)域203中除芯片205所占空間之外的空隙，使所述聚合物材料204的上表面與銅箔高度齊平。
這樣，用聚合物材料204填充中空區(qū)域203中除芯片205所占空間之外的空隙，由此可以使后續(xù)形成的芯片和電路之間的連接線形成得相對短。也就是說，芯片可以直接連接至該層的銅箔，其中在沒有通孔穿過其它層的情況下嵌入上述芯片。
之后，如圖5E所示，形成通孔206。
通孔206利用機械鉆孔方法形成為貫通孔或者利用諸如YAG激光器或CO2激光器的激光鉆孔精確形成為盲通孔。
通孔206形成之后，如圖5F所示，進行無電鍍銅和電鍍銅以鍍覆或填充鍍覆通孔206內(nèi)部，從而形成鍍覆層207。
先進行無電鍍銅然后進行電鍍銅的原因是由絕緣材料形成的鉆孔內(nèi)壁不易通過電解而電鍍銅，因而，在電鍍銅之前通過沉積進行無電鍍銅。此外，僅有無電鍍層難以使用，這是因為無電鍍層很薄且性能差。因此，應以銅電鍍層涂覆無電鍍層以減輕其缺陷。
作為替代方案，不對通孔206內(nèi)部進行填充鍍覆，可以用導電墨填充通孔206，并使之平坦而后鍍覆。
如圖5G所示，利用光刻方法形成內(nèi)部電路圖案層208。
使用光刻方法將印刷在布線圖膜上的電路圖案轉移至基板上?？梢蕴峁┒喾N轉移方法。在這些方法中，通常采用通過UV光將電路圖案從布線圖膜轉移至光敏干膜的方法。
具有所轉移的電路圖案的干膜用作抗蝕層。通過蝕刻處理，除去對應于未形成抗蝕圖案的區(qū)域的銅箔，從而完成具有內(nèi)部電路圖案層208的核心層210。
如圖5H所示，在核心層210的各上下表面上依次層壓絕緣層和銅箔以在其上形成RCC 220，或在核心層210的各上下表面上層壓包含絕緣層和疊置于所述絕緣層任一表面上的銅箔的RCC 220。
在RCC 220中，其中RCC 220為包含絕緣層和疊置于所述絕緣層任一表面上的銅箔的基板，樹脂層用于層間絕緣，銅箔用來形成外部電路圖案層。
層壓RCC 220之后，如圖5I所示，通過鉆孔方法形成通孔221。
利用激光鉆孔或機械鉆孔，通孔221形成為用于層間電連接的盲通孔或形成為連接外層的貫通孔。
如圖5J所示，進行無電鍍覆和電鍍銅以鍍覆或填充鍍覆通孔221，從而形成鍍覆層222。
通過鍍覆或填充鍍覆通孔221，所述層相互電連接，并且鍍覆層222連同RCC 220的銅箔一起形成為外部電路圖案層。
作為替代方案，可以用導電墨填充通孔221來代替填充鍍覆，使之平坦并隨后鍍覆。
形成鍍覆層222之后，如圖5K所示，形成抗蝕圖案223。
為了形成抗蝕圖案223，應該將印制在布線圖膜上的電路圖案轉移至基板上。在多種轉移方法中，通常采用通過UV光將電路圖案從布線圖膜轉移至光敏干膜的方法。近來，LPR(液體光刻膠)可替代干膜使用。
具有所轉移的電路圖案的干膜或LPR用作抗蝕層223。當將基板浸入蝕刻溶液中時，如圖5L所示，除去對應于未形成抗蝕圖案223的區(qū)域的銅箔和鍍覆層222，從而完成具有預定外部電路圖案層230的嵌入式芯片PCB。
在本發(fā)明中，芯片與內(nèi)部電路圖案層的絕緣是通過用聚合物材料填充對應于芯片與中空區(qū)域高度差的空隙來實現(xiàn)的，從而在芯片與電路線之間形成相對短的連接線。
由此，包括電路線的電路空間即表面空間得以減小并且可以降低電感。
圖6A示出在具有芯片和電路線之間的長連接線的傳統(tǒng)嵌入式芯片PCB的電壓在高頻下隨時間周期的變化，而圖6B示出本發(fā)明的嵌入式芯片PCB的電壓在高頻下隨時間周期的變化，其中小波急劇下降。
如上所述，本發(fā)明提供嵌入式芯片PCB及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明，用來電連接芯片和電路線的通孔可以形成為與芯片和形成來嵌入芯片的中空區(qū)域之間的高度差等厚，由此包括電路線的表面空間減小，從而提高基板的集成度。也就是說，芯片可直接連接至所述層的銅箔，在所述層中，在沒有通孔穿過其它層的情況下嵌入所述芯片。
此外，芯片和電路線之間的連接長度下降，因此降低高頻下的電感和電壓小波。
雖然為了說明的目的已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，但是本領域技術人員將理解可以在不背離所附權利要求中公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，進行各種更改、添加和替換。
權利要求
1.嵌入式芯片印刷電路板，包含核心層，其包括具有在一個表面處打開的中空區(qū)域的覆銅層壓板、嵌入在覆銅層壓板中的芯片、形成在覆銅層壓板兩表面的每一表面上的內(nèi)部電路圖案層和用于使內(nèi)部電路圖案層和芯片之間電連接的通孔；絕緣層，其形成在核心層兩表面的每一表面上并具有從中穿過而形成的通孔；和外部電路圖案層，其形成在絕緣層上。
2.權利要求1的印刷電路板，其中用聚合物材料填充中空區(qū)域中除嵌入式芯片所占空間之外的空隙。
3.權利要求1的印刷電路板，其中核心層的通孔包括用于電連接各內(nèi)部電路圖案層的貫通孔和用于電連接芯片和內(nèi)部電路圖案層的盲通孔。
4.嵌入式芯片印刷電路板，包含核心層，其包括具有多個絕緣層和多個電路層并具有在一個表面處打開的中空區(qū)域的基礎基板、嵌入在基礎基板中的芯片、形成在基礎基板兩表面的每一表面上的內(nèi)部電路圖案層以及用于使內(nèi)部電路圖案層和芯片之間電連接的通孔；絕緣層，其形成在核心層兩表面的每一表面上并具有從中穿過而形成的通孔；和外部電路圖案層，其形成在絕緣層上。
5.制造嵌入式芯片印刷電路板的方法，包括第一步驟，在覆銅層壓板的一個表面處形成中空區(qū)域，使得所述中空區(qū)域在一個表面處打開；第二步驟，將聚合物材料涂覆在覆銅層壓板中空區(qū)域的底表面上并隨后將芯片置于覆銅層壓板中空區(qū)域內(nèi)的聚合物材料上；第三步驟，用聚合物材料填充中空區(qū)域中除芯片所占空間外的空隙并隨后使所填充聚合物材料的表面平坦；第四步驟，形成穿過具有芯片的覆銅層壓板的通孔并隨后鍍覆所述通孔；第五步驟，利用光刻方法在覆銅層壓板上形成內(nèi)部電路圖案層；和第六步驟，在所述內(nèi)部電路圖案層上層壓絕緣層、形成通孔并隨后利用半加成法形成外部電路圖案層。
6.權利要求5的方法，其中第一步驟中形成中空區(qū)域是通過對覆銅層壓板的一個表面鉆孔來進行的。
7.權利要求5的方法，還包括在第一步驟之前，在覆銅層壓板上層壓樹脂覆銅板的步驟，所述樹脂覆銅板含有絕緣層和形成在所述絕緣層任一表面上的銅箔。
8.權利要求5的方法，其中在第一步驟中形成中空區(qū)域，使其深度大于所要嵌入的芯片的高度。
9.權利要求5的方法，其中第四步驟中形成通孔包括形成穿過聚合物材料、用來電連接芯片和內(nèi)部電路圖案層的盲通孔；和形成穿過覆銅層壓板、用來電連接內(nèi)部電路圖案層的貫通孔。
10.權利要求5的方法，其中第四步驟中鍍覆通孔是對通孔進行無電鍍銅并隨后進行電鍍銅。
11.權利要求5的方法，其中所述聚合物材料是液體環(huán)氧材料。
12.權利要求5的方法，其中第六步驟中形成外部電路圖案層包括在具有從中穿過而形成的通孔的絕緣層上形成種子層；在種子層上提供將要通過UV光固化的干膜；在干膜上層壓具有預定電路圖案的布線圖膜；在布線圖膜上照射UV光以固化干膜；移除未被UV光固化的干膜，以暴露種子層；用銅來電鍍暴露的種子層以形成鍍覆層；移除對應于未形成鍍覆層的區(qū)域的干膜，以形成外部電路圖案層；和移除對應于未通過蝕刻形成外部電路圖案層的區(qū)域的種子層。
13.制造嵌入式芯片印刷電路板的方法，包括第一步驟，在覆銅層壓板的一個表面處形成中空區(qū)域，使得所述中空區(qū)域在一個表面處打開；第二步驟，將聚合物材料涂覆在覆銅層壓板中空區(qū)域的底表面上并隨后將芯片置于覆銅層壓板中空區(qū)域內(nèi)的聚合物材料上；第三步驟，用聚合物材料填充中空區(qū)域中除芯片所占空間外的空隙并使所填充聚合物材料的表面平坦；第四步驟，形成穿過具有芯片的覆銅層壓板的通孔并鍍覆所述通孔；第五步驟，利用光刻方法在覆銅層壓板上形成內(nèi)部電路圖案層；第六步驟，在內(nèi)部電路圖案層上層壓樹脂覆銅板、形成通孔并隨后鍍覆或填充鍍覆所述通孔；和第七步驟，利用光刻方法在所述樹脂覆銅板上形成外部電路圖案層。
14.權利要求13的方法，其中第一步驟中形成中空區(qū)域是通過對覆銅層壓板的一個表面鉆孔來進行的。
15.權利要求13的方法，還包括在第一步驟之前，在覆銅層壓板上層壓樹脂覆銅板的步驟，所述樹脂覆銅板含有絕緣層和形成在所述絕緣層任一表面上的銅箔。
16.權利要求13的方法，其中在第一步驟中形成中空區(qū)域，使其深度大于所要嵌入的芯片的高度。
17.權利要求13的方法，其中第四步驟中形成通孔包括形成穿過聚合物材料、用來電連接芯片和內(nèi)部電路圖案層的盲通孔；和形成穿過覆銅層壓板、用來電連接內(nèi)部電路圖案層的貫通孔。
18.權利要求13的方法，其中第四步驟中鍍覆通孔是對通孔進行無電鍍銅并隨后進行電鍍銅。
19.權利要求13的方法，其中第六步驟中鍍覆通孔是對通孔進行無電鍍銅并隨后進行電鍍銅。
20.權利要求13的方法，其中第六步驟中填充鍍覆通孔是對通孔進行無電鍍銅并隨后進行電鍍銅。
21.權利要求13的方法，其中所述聚合物材料是液體環(huán)氧材料。
全文摘要
本文公開了一種嵌入式芯片印刷電路板，其中嵌入芯片所需空間根據(jù)所要嵌入的芯片的不同厚度而形成為所需深度，因而，用于電連接嵌入式芯片與電路圖案層的電路線可形成得相對短，由此使空間效率最大化并且降低高頻電感。此外，還提供了制造該嵌入式印刷電路板的方法。
文檔編號H01L21/48GK1829416SQ20061005761
公開日2006年9月6日 申請日期2006年2月22日 優(yōu)先權日2005年2月28日
發(fā)明者曹碩鉉, 柳彰燮, 安鎮(zhèn)庸 申請人:三星電機株式會社