專利名稱：薄膜晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示裝置具輕、薄、省電等特點，其已經(jīng)得到廣 泛應(yīng)用。液晶顯示裝置的主要元件是液晶面板，液晶面板通常 包括 一 薄膜晶體管基板、一 彩色濾光片基板和夾于該薄膜晶體
管基板與該彩色濾光片基板之間的液晶層。其中，薄膜晶體管 基板包括多個薄膜晶體管和多個像素區(qū)域，該多個薄膜晶體管 作為該多個像素區(qū)域的控制開關(guān)。
請參閱圖1 ，是 一 種現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。該
薄膜晶體管IOO包括一絕緣基板IIO、 一位于該絕緣基板110上的 柵極12 0 、 一覆蓋該絕緣基板11 0和該柵極12 0的柵極絕緣層13 0 、 一位于該柵極絕緣層130上的非晶硅層141 、 一位于該非晶硅層 141上的重?fù)诫s非晶硅層142 、 一位于該重?fù)诫s非晶硅層142和該 柵極絕緣層130上的金屬電極層150、 一覆蓋于該金屬電極層150 和該柵極絕緣層130的鈍化層160。該金屬電極層150包括一源極 151和一漏極152.。
請參閱圖2，是該薄膜晶體管IOO的制造方法的流程圖，該 制造方法包括如下步驟在絕緣基板上形成一柵極(步驟101); 在柵極和絕緣基板上沉積 一 柵極絕緣層(步驟102); 在4冊極絕緣 層上形成一非晶硅層(步驟103);在非晶硅層上形成一重?fù)诫s非 晶硅層(步驟104);在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層(步 驟105);在金屬電+及層和柵j及絕纟彖層上沉積一4屯4匕層(步驟106)。
請參閱圖3至圖8，是該薄膜晶體管IOO的制造方法的各步驟 示意圖，其包括如下步驟
步驟101如閨3所示，提供一絕緣基板IIO,利用化學(xué)氣相沉
積法或物理氣相沉積法，在該絕緣基板110上沉積一金屬層，并
在金屬層上涂布 一 光致抗蝕劑。提供 一 掩膜，對光致抗蝕劑進
行曝光顯影并刻蝕金屬層形成 一 柵極120。該絕緣基板110的材 料為玻璃、石英或者陶瓷等，該柵極120的材料為鋁鈦合金或鉻等。
步驟102如圖4所示，利用化學(xué)氣相沉積法，在該絕緣基板 IIO與門極120上沉積 一柵極絕緣層130。該柵極絕緣層130的材 料為氮化硅或氧化硅等。
步驟103如圖5所示，利用化學(xué)氣相沉積法和 一 掩膜工藝， 在該柵極絕緣層130上形成一非晶硅層141。
步驟104如圖6所示，利用化學(xué)氣相沉積法和氣相摻雜法和 一掩膜工藝，在該非晶硅層141上形成一 重?fù)诫s非晶硅層142, 其中，氣相摻雜法中摻雜雜質(zhì)是磷離子。
步驟105如圖7所示，利用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積 法，在該重?fù)诫s非晶硅層142和該柵極絕緣層130上沉積一金屬 層，并在金屬層上涂布一光致抗蝕劑。提供一掩膜，對光致抗 蝕劑進行曝光顯影并刻蝕金屬層形成一金屬電極層150。該金屬 電極層150包括 一 源極151和 一 漏極152 。該源極151和該漏極152 的材料為鋁鈦合金或鉻等。
步驟1 06如圖8所示，利用化學(xué)氣相沉積法，在該源極15 1和 漏極152和該柵極絕緣層130上沉積一鈍化層160。該鈍化層160 的材料為氮化硅或氧化硅等。
該薄膜晶體管IOO工作時，當(dāng)柵極120與源極151之間施加正 電壓，絕緣層130內(nèi)形成一強電場，該強電場排斥非晶硅層141 靠近柵極120表面的空穴而吸引電子，從而在非晶硅層141靠近 柵極120的表面形成 一 導(dǎo)電溝道將源極15 1和漏極1 52導(dǎo)通。當(dāng)棚-極120與源極151之間施加負(fù)電壓時，薄膜晶體管IOO的導(dǎo)電溝道 關(guān)閉，由于非晶硅層141的導(dǎo)電溝道中仍然存在少量空穴，在漏 極152與源極15.的電壓作用下形成薄膜晶體管的漏電流，隨著 柵極120與源極1 5 1的負(fù)電壓的變大，空穴增多，漏電流變大。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中漏電流過大的問題，有必要提供一種 減少漏電流的薄膜晶體管。
還有必要提供 一 種減少漏電流的薄膜晶體管的制造方法。 一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板、 一位于該絕緣基板 上的柵極、 一 覆蓋該絕緣基板和該柵極的柵極絕緣層、 一 位于 該柵極絕緣層上的輕摻雜非晶硅層、 一 位于該輕摻雜非晶硅層 上的非晶硅層、 一 位于該非晶硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和 一 位 于該重?fù)诫s非晶硅層和該柵極絕緣層上的金屬電極層。
一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板、 一位于該絕緣基板
上的柵極、 一 覆蓋于該絕緣基板和該柵極的柵極絕緣層、 一位
于該柵極絕緣層上的第一非晶硅層、 一 位于該第 一 非晶硅層上
的輕摻雜非晶硅層、位于該輕摻雜非晶硅層上的第二非晶硅
層、 一位于該第二非曰 曰曰硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和 一 位于該重
摻雜非晶硅層和該柵極絕緣層上的金屬電極層。
一薄膜晶體管的制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板 上形成 一 柵極；在柵極和絕緣基板上沉積 一 柵極絕緣層；在柵 極絕緣層上形成 一 輕摻雜非晶硅層；在輕摻雜非晶硅層上形成 一非晶硅層；在非晶硅層上形成 一 重?fù)诫s非晶硅層；在重?fù)诫s 非晶硅層上形成 一 金屬電極層。
一種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板
上形成 一 柵極；在柵極和絕緣基板上沉積 一 柵極絕緣層；在柵 極絕緣層上形成 一 第 一 非晶硅層；在第 一 非晶硅層上形成 一 輕 摻雜非晶硅層；在輕摻雜非晶硅層上形成 一 第二非晶硅層；在 第二非晶硅層上形成 一 重?fù)诫s非晶硅層；在重?fù)诫s非晶硅層上 形成 一 金屬電極層。
一種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板 上形成一 4冊#及；在柵j及和絕緣基板上沉積一 4冊極絕纟彖層；在棚-極絕緣層上實施等離子處理形成一磷離子雜質(zhì)層；在磷離子雜 質(zhì)層上形成 一 非晶硅層，磷離子向非晶硅層部分?jǐn)U散形成 一 輕
摻雜非晶硅層；在非晶砝層上形成一重?fù)诫s非晶硅層；在重?fù)?br> 雜非晶硅層上形成 一 金屬電極層；在金屬電極層與門極絕緣層 上沉積 一 鈍化層。
一種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板 上形成 一 柵極；在柵極和絕緣基板上沉積 一 柵極絕緣層；在柵 極絕緣層上形成 一 第 一 非晶硅層；在第 一 非晶硅層上實施等離 子處理形成一磷離子雜質(zhì)層；在磷離子雜質(zhì)層上形成一第二非 晶硅層，磷離子向第 一 非晶硅層和第二非晶硅層部分?jǐn)U散形成 一輕摻雜非晶硅層；在第二非晶硅層上形成 一 重?fù)诫s非晶硅層； 在重?fù)诫s非晶硅層上形成 一 金屬電極層；在金屬電極層與門極 絕緣層上沉積 一 鈍化層。
本發(fā)明的薄膜晶體管及其制造方法由于在柵極絕緣層和非 晶硅層之間包括 一 輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層中電子 濃度較非晶硅層中電子濃度增加，當(dāng)柵極與源極之間施加負(fù)電 壓時，增加的電子濃度可以阻礙(block)或復(fù)合(re-combine)導(dǎo) 電溝道中的空穴.，使得漏電流變大趨勢受到抑制，其漏電流變 大的程度，相較于傳統(tǒng)工藝的薄膜晶體管緩和許多。


圖1是 一 種現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是圖1所示薄膜晶體管的制造方法的流程圖。 圖3至圖8是圖l所示薄膜晶體管的制造方法的各步驟示 意圖。
圖9是本發(fā)明薄膜晶體管第一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖1 0是圖9所示薄膜晶體管的制造方法的流程圖。 圖11至圖1 7是圖9所示薄膜晶體管的制造方法的各步驟 示意圖。
圖1 8為本發(fā)明薄膜晶體管第二實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖1 9是圖1 8所示薄膜晶體管的制造方法的流程圖。 圖20至圖27是圖18所示薄膜晶體管的制造方法的各步驟 示意圖。
圖28是圖9所示薄膜晶體管的另 一制造方法的流程圖。 圖2 9是圖1 8所示薄膜晶體管的另 一 制造方法的流程圖。
具體實施例方式
請參閱圖9 ，是本發(fā)明薄膜晶體管第 一 實施方式的結(jié)構(gòu)示意 圖。該薄膜晶體管2 00包括一絕緣基板210、 一位于該絕緣基板 2 1 0上的柵極2 2 0 、 一覆蓋該絕緣基板2 1 0和該柵極2 2 0的柵極 絕緣層2 3 0 、 一位于該柵極絕緣層2 3 0上的輕摻雜非晶硅層2 41、 一位于該輕摻雜非晶硅層241上的非晶硅層242 、 一位于該非晶 硅層24 2上的重?fù)诫s非晶硅層24 3 、 一位于該重?fù)诫s非晶硅層 2 4 3和該柵極絕緣層2 3 0上的 一 金屬電極層2 5 0 、 一覆蓋該金屬 電極層2 5 0和該柵極絕緣層2 3 0的鈍化層2 6 0 。該金屬電極層 2 5 0包括 一 源極2 51和 一 漏才及2 5 2 。
請參閱圖10,是該薄膜晶體管2 00的制造方法的流程圖。 該制造方法包括如下步驟在絕緣基板上形成 一 柵極(步驟 201);在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層(步驟2 02);在柵 極絕緣層上形成一輕摻雜非晶硅層(步驟2 0 3);在輕摻雜非晶硅 層上形成一非晶硅層(步驟2 04);在非晶硅層上形成一重?fù)诫s非 晶硅層(步驟2 0 5);在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層(步 驟2 06);在金屬電極層與門極絕緣層上沉積 一 鈍化層(步驟 2 07)。
請參閱圖11至圖17，是該薄膜晶體管2 00的制造方法的各 步驟示意圖，其包括如下步驟
步驟201如圖11所示，提供一絕緣基板210，利用化學(xué)氣 相沉積法或物理氣相沉積法，在該絕緣基板210上沉積 一 金屬 層，并在金屬層上涂布一光致抗蝕劑。提供一掩膜，對光致抗 蝕劑進行曝光顯影并刻蝕金屬層形成 一 柵極2 2 0 。該絕緣基板 210的材料為玻璃、石英或者陶乾等，該柵極2 2 0的材料為鉬或 其合金、鋁鈦合金或鉻等。
步驟2 02如囝12所示，利用化學(xué)氣相沉積法，在該絕緣基
板2 1 0與門極2 2 0上沉積一 4冊極絕緣層2 3 0 。該柵極絕緣層230 的材料為氮化硅或氧化硅等。
步驟2 0 3如圖13所示，利用化學(xué)氣相沉積法和氣相摻雜法 和 一 掩膜工藝，在該柵極絕緣層2 3 0上形成 一 輕摻雜非晶硅層 241，其中，氣相摻雜法中摻雜雜質(zhì)是磷離子或砷離子，該輕摻 雜非晶硅層241的厚度小于60nm。
步驟2 04如圖14所示，利用化學(xué)氣相沉積法和 一掩膜工藝， 在該輕摻雜非晶硅層2 4 1上形成 一 非晶硅層2 4 2 。
步驟2 05如圖1 5所示，利用化學(xué)氣相沉積法與氣相摻雜法 和一掩膜工藝，在該非晶硅層2 42上形成一重?fù)诫s非晶硅層2 4 3 ， 其中，氣相摻雜法中摻雜雜質(zhì)是磷離子。
步驟206如圖16所示，利用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉 積法，在該重?fù)诫s非晶硅層2 4 3和該柵極絕緣層2 3 0上沉積一 金屬層，并在金屬層上涂布一光致抗蝕劑。提供一掩膜，對光 致抗蝕劑進行曝光顯影并刻蝕金屬層形成一金屬電極層2 5 0。該 金屬電極層2 5 0包括 一 源極2 51和 一 漏才及2 5 2，該源極251和該 漏極2 5 2的材料為鉬或其合金、鋁鈦合金或鉻等。
步驟2 07如圖17所示，利用化學(xué)氣相沉積法，在該源極251、 該漏極2 5 2和該棚j及絕纟彖層2 3 0上沉積一 4屯4b層2 6 0，該4屯化層 2 6 0的材料可以為氮化名圭或氧化珪等。
該薄膜晶體管2 00由于在柵極絕緣層2 3 0和非晶硅層242 之間包括一輕摻雜非晶硅層241，該輕摻雜非晶硅層241中電子 濃度較非晶硅層2 42中電子濃度增加，當(dāng)柵極2 2 0與源極251 之間施加負(fù)電壓時，增加的電子濃度可以阻礙(b 1 ock)或復(fù)合 (re-combine)導(dǎo)電溝道中的空穴，使得漏電流變大趨勢受到抑 制，其漏電流變大的程度，相較于傳統(tǒng)工藝緩和許多。
請參閱圖18，是本發(fā)明薄膜晶體管第二實施方式的結(jié)構(gòu)示 意圖，該薄膜晶體管3 00包括一絕緣基板310、 一位于該絕緣基 板310上的柵極32 0 、 一覆蓋于該絕緣基板310和該柵極32 0的 柵極絶緣層3 3 0 、 一位亍該柵極絕緣層3 3 0上的第一非晶硅層
341、 一位于該第一非晶硅層341上的輕摻雜非晶硅層34 2 、 一 位于該輕摻雜非晶硅層342上的第二非晶硅層34 3 、 一位于該第 二非晶硅層3 4 3上的重?fù)诫s非晶硅層344 、 一位于該重?fù)诫s非晶 硅層344和該柵極絕緣層3 3 0上的 一金屬電極層35 0 、 一覆蓋該 金屬電極層3 5 0和該柵極絕緣層3 3 0的鈍化層36 0，該電極層 3 5 0包括 一 源極3 51和 一 漏極3 5 2 。
請參閱圖19，是該薄膜晶體管3 00的制造方法的流程圖，
該制造方法包括如下步驟在絕緣基板上形成 一 柵極(步驟 301);在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層(步驟3 02);在柵 極絕緣層上形成一第一非晶硅層(步驟3 0 3);在第一非晶硅層上 形成一輕摻雜非晶硅層(步驟3 04);在輕摻雜非晶硅層上形成一 第二非晶硅層(步驟3 05);在第二非晶硅層上形成一重?fù)诫s非晶 硅層(步驟3 06);在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層(步驟 307);在金屬電極層與門極絕緣層上沉積一鈍化層(步驟308)。
請參閱圖20至圖27，是該薄膜晶體管3 00的制造方法的各 步驟示意圖，其包括如下步驟
步驟301如圖2 0所示，提供一絕緣基板310,在該絕緣基 板310上沉積 一 金屬層，并在金屬層上涂布 一 光致抗蝕劑。提 供 一 掩膜，對光致抗蝕劑進行曝光顯影并刻蝕金屬層形成 一 柵 極32 0 。
步驟3 02如圖21所示，在該絕緣基板310與門極32 0上沉 積一柵極絕緣層3 3 0 。
步驟3 0 3如圖2 2所示，在該柵極絕緣層3 3 0上形成 一 第一 非晶硅層341，該第一非晶硅層341的厚度小于60nm。
步驟3 04如圖2 3所示，在該第 一 非晶硅層34 1上形成 一 輕 摻雜非晶硅層3 4 2 。
步驟3 0 5如圖24所示，在該輕摻雜非晶硅層342上形成一 第二非晶硅層3 4 3 。
步驟3 06如圖25所示，在該第二非晶硅層34 3上形成一 重 摻雜非晶硅層344 。
步驟3 07如圖26所示，在該重?fù)诫s非晶硅層344和該柵極 絕緣層3 3 0上沉積 一 金屬層，并在金屬層上涂布 一 光致抗蝕劑。 提供 一 掩膜，對光致抗蝕劑進行曝光顯影并刻蝕金屬層形成一 金屬電極層3 5 0 。該金屬電極層3 5 0包括 一 源極351和 一 漏極
3 5 2 。
步驟3 08如圖27所示，在該源極351和漏極3 5 2和該柵極 絕緣層330上沉積一鈍化層36 0 。
該薄膜晶體管3 0 0由于在第一非晶硅層341和第二非晶硅 層34 3之間包括一輕摻雜非晶硅層34 2，該輕摻雜非晶硅層342 中電子濃度較第一非晶硅層341和第二非晶硅層34 3中電子濃 度增加，當(dāng)柵極3 2 0與源極3 5 1之間施加負(fù)電壓時，增加的電 子濃度可以阻礙(block)或復(fù)合(re-combine)導(dǎo)電溝道中的空 穴，使得漏電流變大趨勢受到抑制，其漏電流變大的程度，相 較于傳統(tǒng)工藝緩和許多，由于該輕摻雜非晶硅層342位于作為 導(dǎo)電溝道的第一非晶硅層341和第二非晶硅層343之間，其增 加的電子濃度阻礙(block)或復(fù)合(re-combine)導(dǎo)電溝道中的 空穴的效果更佳。
請參閱圖28，是該薄膜晶體管2 00的另 一制造方法的流程 圖。該制造方法包括如下步驟在絕緣基板上形成一柵極(步驟 401);在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層(步驟4 02);在柵 極絕緣層上實施等離子處理形成一磷離子雜質(zhì)層(步驟40 3);在 磷離子雜質(zhì)層上形成 一 非晶硅層，磷離子向非晶硅層部分?jǐn)U散 形成一輕摻雜非晶硅層(步驟4 0 4);在非晶硅層上形成一重?fù)诫s 非晶硅層(步驟4 05);在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層 (步驟4 06);在金屬電極層與門極絕緣層上沉積一鈍化層(步驟
4 07)
請參閱圖29,是該薄膜晶體管3 00的另 一制造方法的流程 圖，該制造方法包括如下步驟在絕緣基板上形成一柵極(步驟
5 01);在4冊才及和絕纟彖基4反上沉積一棚j及絕纟彖層(步驟5 02);在4冊 極絕緣層上形成一第 一非晶硅層(步驟5 0 3);在第一非晶硅層上
實施等離子處理形成一磷離子雜質(zhì)層(步驟5 04);在磷離子雜質(zhì) 層上形成 一 第二非晶硅層，磷離子向第 一 非晶硅層和第二非晶 硅層部分?jǐn)U散形成一輕摻雜非晶硅層(步驟5 0 5);在第二非晶硅 層上形成一重?fù)诫s非晶硅層(步驟5 06);在重?fù)诫s非晶硅層上形 成一金屬電極層(步驟5 0 7);在金屬電極層與門極絕緣層上沉積 一鈍化層(步驟5 08)。
本發(fā)明的薄膜晶體管并不限于上述實施方式所述，如輕摻 雜非晶硅.層和重?fù)诫s非晶硅層的形成方法還可以使用離子注入 法，摻雜雜質(zhì)還可以是砷離子。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板，一位于該絕緣基板上的柵極，一覆蓋于該絕緣基板和該柵極的柵極絕緣層，一位于該柵極絕緣層上的非晶硅層，一位于該非晶硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和一位于該重?fù)诫s非晶硅層和該柵極絕緣層上的金屬電極層；其特征在于該薄膜晶體管進一步包括一輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層位于該柵極絕緣層和該非晶硅層之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該輕摻雜 非晶硅層厚度小于60nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于該輕摻雜非 晶硅層的摻雜雜質(zhì)為磷離子或砷離子。
4. 一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板，一位于該絕緣基板上的 柵極， 一 覆蓋于該絕緣基板和該柵極的4冊極絕緣層， 一 位于該柵極 絕緣層上的第 一 非晶硅層，一位于該第 一 非晶硅層上的第二非晶 硅層，一位于該第二非晶硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和一位于該重 摻雜非晶硅層和該柵極絕緣層上的金屬電極層；其特征在于該 薄膜晶體管進一 步包括一輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層位于該第 一非晶硅層和該第二非晶硅層之間。
5. 如權(quán)利要求4述的薄膜晶體管，其特征在于該第一非晶 硅層的厚度小于60nm。
6. —種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板上 形成一柵極；在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層；在柵極絕 緣層上形成 一 非晶硅層；在非晶硅層上形成 一 重?fù)诫s非晶硅層； 在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層；其特征在于該薄膜晶 體管制造方法進一步形成一輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層 位于該柵極絕緣層和該非晶硅層之間。
7. 如權(quán)利要求6述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于形 成該輕摻雜非晶硅層所采用的方法為化學(xué)氣相沉積法和氣相摻雜 法。
8. —種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板 上形成一柵極；在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層；在柵極 絕緣層上形成 一 第 一 非晶硅層；在第 一 非晶硅層上形成 一 第二非 晶硅層；在第二非晶硅層上形成一重?fù)诫s非晶硅層；在重?fù)诫s非 晶硅層上形成一金屬電極層；其特征在于該薄膜晶體管制造方 法進一步形成一輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層位于該第一 非晶硅層和該第二非晶硅層之間。
9. 一種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板上 形成一柵極；在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層；在柵極絕 緣層上形成一非晶硅層；在非晶硅層上形成一重?fù)诫s非晶硅層； 在重?fù)诫s非晶硅層上形成一金屬電極層；其特征在于該薄膜晶 體管制造方法進一步形成一輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層 是由在柵極絕緣層上實施等離子處理形成一磷離子雜質(zhì)層，磷離 子向非晶硅層部分?jǐn)U散而形成。
10. —種薄膜晶體管制造方法，其包括以下步驟在絕緣基板 上形成一柵極；在柵極和絕緣基板上沉積一柵極絕緣層；在柵極 絕緣層上形成 一 第 一 非晶硅層；在第 一 非晶硅層上形成 一 第二非 晶硅層；在第二非晶硅層上形成一重?fù)诫s非晶硅層；在重?fù)诫s非 晶硅層上形成一金屬電極層；其特征在于該薄膜晶體管制造方 法進一步形成一輕摻雜非晶硅層，該輕摻雜非晶硅層是由在第一 非晶硅層上實施等離子處理形成一磷離子雜質(zhì)層，磷離子向第一 非晶硅層和第二非晶硅層部分?jǐn)U散而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管，其包括一絕緣基板、一位于該絕緣基板上的柵極、一覆蓋該絕緣基板和該柵極的柵極絕緣層、一位于該柵極絕緣層上的輕摻雜非晶硅層、一位于該輕摻雜非晶硅層上的非晶硅層、一位于該非晶硅層上的重?fù)诫s非晶硅層和一位于該重?fù)诫s非晶硅層上的金屬電極層。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制造方法。
文檔編號H01L29/786GK101179096SQ200610063529
公開日2008年5月14日 申請日期2006年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月8日
發(fā)明者張囿雄, 張建雄, 洪肇逸, 謝朝樺, 賴昭志, 鄭凱元, 顏碩廷 申請人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司