專利名稱：交流發(fā)光裝置及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光裝置，特別是關(guān)于一種交流發(fā)光裝置及其制法。
背景技術(shù)：
不同于白熾燈發(fā)光原理，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)的發(fā)光原理主要是在可發(fā)光物質(zhì)上施加電流，達(dá)到發(fā)光效果，所以發(fā)光二極管被稱為冷光源(Cold light)。由于發(fā)光二極管具有耐久性高、壽命長、輕巧、耗電量低等優(yōu)點(diǎn)，且不含水銀等有害物質(zhì)，因此應(yīng)用LED的固態(tài)照明成為未來全球照明產(chǎn)業(yè)及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要研發(fā)目標(biāo)。常見的應(yīng)用方向包括白光照明、指示燈、車用信號燈與照明燈、手電筒以及LED背光模塊、投影機(jī)光源、戶外顯示器等顯示器應(yīng)用。
在以往的照明應(yīng)用中，最重要的白光必須使用日亞熒光粉專利工序才能完成。但是對業(yè)界而言，除了必須支付專利費(fèi)之外，熒光粉配比與覆蓋工序產(chǎn)生的白光色溫偏高會降低其操作壽命，甚至因溫度過高而失效，且這種現(xiàn)有技術(shù)不易控制封裝，增加了量產(chǎn)的難度。
另外，中國臺灣專利申請第093126201號提出一種具有交流回路發(fā)光二極管晶粒結(jié)構(gòu)。該專利至少包括在一芯片(chip)上形成一組交流微晶粒發(fā)光二極管模塊，且該交流微晶粒發(fā)光二極管模塊由兩個微晶粒發(fā)光二極管反向正負(fù)并聯(lián)，施加一交流電，使該兩個微晶粒發(fā)光二極管依正負(fù)半波作動點(diǎn)亮，解決現(xiàn)有技術(shù)中正向直流點(diǎn)亮、反向不點(diǎn)亮，直接運(yùn)用交流電作為電力供應(yīng)，大幅提高發(fā)光二極管的應(yīng)用。
但是，該專利采用平面陣列設(shè)計(jì)，發(fā)光二極管的每顆微小晶粒僅能在一個交流電周期內(nèi)順向或逆向偏壓條件下發(fā)光，即在每一瞬間發(fā)光面積僅占芯片表面積的一半，而另一半面積中的微小晶粒處于休息狀態(tài)，因此會造成發(fā)光區(qū)域的浪費(fèi)。如果要獲得對等全平面的亮度，則必須將電流密度提高一倍。
同時由于該專利中的微小晶粒呈等腰直角三角形形狀，且兩邊邊長僅70微米左右，在追求產(chǎn)品微型化、縮小發(fā)光二極管尺寸時，勢必面臨微小晶粒尺寸過小導(dǎo)致加工困難的窘境。另外，該專利仍需應(yīng)用日亞熒光粉專利，也存在上述色溫偏高與封裝控制不易等問題。
因此，如何開發(fā)一種可以解決上述現(xiàn)有技術(shù)的各種缺點(diǎn)，提供全發(fā)光面積可全時發(fā)光、均勻發(fā)光、色溫低、色溫控制有較高重疊區(qū)域、不需使用日亞熒光粉專利的技術(shù)，并且能夠降低制造難度與相對增加量產(chǎn)的可控制性，從而提高產(chǎn)業(yè)利用價值的交流發(fā)光裝置，已成為目前亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的主要目的在于提供一種全發(fā)光面積可全時發(fā)光的交流發(fā)光裝置及其制法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種無須使用熒光粉的交流發(fā)光裝置及其制法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種可縮小體積的交流發(fā)光裝置及其制法。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種可均勻發(fā)光的交流發(fā)光裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述及其它目的，本發(fā)明提供一種交流發(fā)光裝置，該交流發(fā)光裝置包括一基材；一交流微晶粒發(fā)光模塊，形成于該基材上，至少具有兩個微晶粒，且每個微晶粒均至少具有兩層的主動層；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接各微晶粒，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
上述該基材可選自一芯片或一絕緣基片。該主動層是一發(fā)光活性層。該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括連接于兩個微晶粒之間例如是導(dǎo)電架橋?qū)w。
各微晶粒與其各主動層之間的電性連接包括串聯(lián)與并聯(lián)。各微晶?？删哂邢嗤ㄩL，從而發(fā)出同色單色光；或者各微晶粒具有相異波長，從而形成混光非單色光。該微晶粒的各主動層可具有相異波長，以形成混光白光與非單色光的組合。依上述組合變化，可使各微晶粒的同層主動層依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光，或者各微晶粒的不同層主動層依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
另外，形成于基材上至少具有兩層主動層的各微晶粒，可通過倒裝芯片技術(shù)(Flip Chip)、芯片粘貼技術(shù)(wafer bonding)或磊晶技術(shù)制成。
本發(fā)明還涉及一種交流發(fā)光裝置，該交流發(fā)光裝置包括一基材；多個交流微晶粒發(fā)光模塊，形成于該基材上，各交流微晶粒發(fā)光模塊均至少具有兩個微晶粒，且每個微晶粒均至少具有兩層主動層；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，分別電性連接各交流微晶粒發(fā)光模塊、各微晶粒，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
上述各微晶粒的至少一主動層依橋式整流器(Bridge Rectifier)中二極管(Diode)電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列，并相互電性連接形成一個或多個橋式發(fā)光單元。另外，各橋式發(fā)光單元可呈矩陣排列，且中央?yún)^(qū)域的橋式發(fā)光單元數(shù)量大于各外圍橋式發(fā)光單元數(shù)量。還可包括設(shè)置于矩陣排列兩個對角處的導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極與各橋式發(fā)光單元相互串聯(lián)，供接置交流電電源。
對應(yīng)上述交流發(fā)光裝置，本發(fā)明還提供兩種交流發(fā)光裝置制法，第一種制法包括制備一基材；在該基材上至少形成兩層主動層；在該主動層形成多個開口，外露該基材；在該主動層外緣包覆一保護(hù)層；形成多個導(dǎo)電端子并穿過該保護(hù)層，與該主動層相互電性連接；以及在該開口形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接各主動層，使各主動層在施加交流電后，依該交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
第二種制法包括制備一第一基材；在該第一基材上形成一第一主動層；在一第二基材上去掉該第一基材并接置該第一主動層；在該第一主動層上形成一第二主動層，且在該第一主動層與第二主動層之間形成一連接層；在該第一主動層與第二主動層形成多個開口，外露該基材；在該第一主動層與第二主動層外緣包覆一保護(hù)層；形成多個導(dǎo)電端子并穿過該保護(hù)層，與該第一主動層與第二主動層相互電性連接；以及在該開口形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接該第一主動層與第二主動層，使該第一主動層與第二主動層施加交流電后，依該交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
再者，本發(fā)明還涉及一種交流發(fā)光裝置，該交流發(fā)光裝置至少包括一基材；一橋式發(fā)光單元，該橋式發(fā)光單元包括形成于該基材上的多個交流發(fā)光二極管微晶粒，各微晶粒依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，分別電性連接各微晶粒，使各微晶?？梢澜涣麟娬?fù)半波輪流發(fā)光。該交流發(fā)光裝置也可以包括多個相互電性連接的橋式發(fā)光單元，各橋式發(fā)光單元呈矩陣排列，且中央?yún)^(qū)域的橋式發(fā)光單元數(shù)量大于各外圍橋式發(fā)光單元數(shù)量。借此可提供全發(fā)光面積的均勻發(fā)光效果。另外，該交流發(fā)光裝置還包括設(shè)置于矩陣排列兩對角處的導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極與各橋式發(fā)光單元相互串聯(lián)，供接置交流電電源。
本發(fā)明的交流發(fā)光裝置利用每一微晶粒均具有至少兩層主動層，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光，實(shí)現(xiàn)全發(fā)光面積可全時發(fā)光、均勻地發(fā)光，同時不使用熒光粉，并可縮小發(fā)光裝置的體積，獲得更好的混光及全時發(fā)光效果。


圖1A及圖1B是本發(fā)明交流發(fā)光裝置的剖面及部分放大示意圖；圖2A及圖2B是本發(fā)明交流發(fā)光裝置的作動示意圖；圖3A及圖3B是圖2A及圖2B的等效電路圖，顯示了本發(fā)明交流發(fā)光裝置的作動示意圖；圖4是本發(fā)明的多個交流發(fā)光裝置應(yīng)用在一芯片上的俯視圖；圖5A及圖5B是本發(fā)明交流發(fā)光裝置的另一作動示意圖；圖6A及圖6B是圖5A及圖5B的等效電路圖，顯示了本發(fā)明交流發(fā)光裝置另一作動示意圖；圖7是本發(fā)明的多個交流發(fā)光裝置的三層等效電路圖；圖8是本發(fā)明的多個交流發(fā)光裝置微晶粒的至少一主動層依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列的基本電路圖；圖9A及圖9B是圖8電路結(jié)構(gòu)排列方式應(yīng)用在一芯片時，施以交流電正、負(fù)半周電流的狀態(tài)示意圖；圖10A及圖10B是圖8電路結(jié)構(gòu)排列方式視為一個橋式發(fā)光單元，并以多個橋式發(fā)光單元應(yīng)用在一芯片時，施以交流電正、負(fù)半周電流的狀態(tài)示意圖；圖11A至圖11D是本發(fā)明的多個交流發(fā)光裝置微晶粒的至少一主動層依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列的各種實(shí)施方式的電路圖；圖12A至圖12E是本發(fā)明交流發(fā)光裝置制法的結(jié)構(gòu)流程圖；以及圖13A至圖13F是本發(fā)明交流發(fā)光裝置制法的另一結(jié)構(gòu)流程圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例本發(fā)明公開一種適用于芯片(chip)上的交流發(fā)光裝置，該交流發(fā)光裝置由外加的交流電(AC power)產(chǎn)生單色光源或白色光源或非單色光源供用戶利用，該單色光源或非單色光源以全時發(fā)光狀態(tài)表現(xiàn)于該芯片的出光表面。其中，該交流電是一般市電，依各國電氣標(biāo)準(zhǔn)，其電壓為110V(伏特)、100V或220V，頻率為60Hz(赫茲)或50Hz。
圖1A及圖1B是以剖面圖表示本發(fā)明交流發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)，圖中以單個交流發(fā)光裝置的實(shí)施形態(tài)作結(jié)構(gòu)說明。該交流發(fā)光裝置至少包括一基材1、一形成于該基材1上的交流微晶粒發(fā)光模塊2以及一提供電性連接效果的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3。
該基材1是上述芯片或絕緣基片，如Al2O3、GaAs、GaP、SiC等。
該交流微晶粒發(fā)光模塊2為了清楚地以附圖表現(xiàn)，圖1B是放大圖，其至少具有兩個微晶粒20a及20b，且每個微晶粒20a及20b均至少具有兩層主動層(如圖中所示的上主動層200a及200b以及下主動層201a及201b)，其中，該主動層是一發(fā)光活性層，且該微晶粒20a及20b的各主動層均具有個別的歐姆電極202a、202b、203a、203b、204a、204b、205a及205b，外加的交流電經(jīng)由該歐姆電極202a、202b、203a、203b、204a、204b、205a及205b即可使該主動層發(fā)出光源，另外，形成于基材1上具有至少兩層主動層的各微晶粒20a及20b，可通過倒裝芯片技術(shù)(Flip Chip)、芯片粘貼技術(shù)(wafer bonding)或磊晶技術(shù)制成。
該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3電性連接各微晶粒20a及20b，使各微晶粒20a及20b的各主動層在施加交流電后，可依該交流電正負(fù)波輪流發(fā)光，其中，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3至少包括連接于兩個微晶粒之間的導(dǎo)體30b，如圖1A所示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3還包括接置交流電的導(dǎo)體30a及30c，該導(dǎo)體30a、30b及30c是一導(dǎo)電架橋。
本發(fā)明交流發(fā)光裝置的作動方式是以兩個交流發(fā)光裝置的實(shí)施形態(tài)作說明。圖2A及圖2B是施加交流電后的狀態(tài)。請同時配合圖3A及圖3B所示，其是本發(fā)明交流發(fā)光裝置的等效電路圖(分別對應(yīng)該圖2A及圖2B)，其中，各主動層(上主動層200及下主動層201)等同一發(fā)光二極管(LED)，具有P/N結(jié)構(gòu)，因此，各微晶粒20的上主動層200與下主動層201形成一串聯(lián)狀態(tài)，經(jīng)由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3電性連接的各微晶粒20之間，如圖3A及圖3B所示形成一并聯(lián)狀態(tài)。
如圖2A及圖3A所示，它是該交流電的正半周電流流過該交流發(fā)光裝置的發(fā)光狀態(tài)，當(dāng)該交流電的正半周電流輸入時，各微晶粒20的上主動層200是順向，正半周電流是如圖3A所示的箭頭，經(jīng)由各微晶粒20的上主動層200使各上主動層200發(fā)出光源，當(dāng)該交流電的負(fù)半周電流輸入時，如圖2B及圖3B所示，各微晶粒20的下主動層201是順向，負(fù)半周電流是如圖3B所示的箭頭，經(jīng)由各微晶粒20的下主動層201使各下主動層201發(fā)出光源。以本發(fā)明的等效電路圖可看出，本發(fā)明是以等同于上下堆棧的兩個發(fā)光二極管接收交流電的正、負(fù)半周電流，使本發(fā)明的裝置不論是在交流電的正半周電流或負(fù)半周電流通過時，都會發(fā)出光源，各微晶粒20的同層主動層(上主動層200或下主動層201)依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
如圖4所示，當(dāng)本發(fā)明的多個裝置相互交錯排列應(yīng)用在一芯片并施加交流電時，可使該平面(芯片的出光表面)以頻率60Hz的方式交替發(fā)光。其中，各微晶粒20可以是具有相同或相異的波長，也就是發(fā)出的光源是相同或不相同的顏色(各主動層也可以是具有相同或相異的波長)，如果是相異波長的微晶粒20，如上主動層為綠色，下主動層為紅色，可因上主動層及下主動層交替發(fā)光的方式，達(dá)到混光的效果(紅光加綠光)。例如，以波長為485至500nm的綠光(上主動層)搭配波長為580至620nm的紅光(下主動層)，即通過上主動層與下主動層發(fā)出的交錯閃爍的光線混合成近似為白光的效果(與黑體輻射曲線有多處重疊)。因此，本發(fā)明不僅提供一種可全時發(fā)光的裝置，還提供一種可依用戶需求自行調(diào)配發(fā)光光源顏色的裝置(如單色光源或非單色光源)，因此不需要通過熒光粉調(diào)配出白色光源。
圖5A及圖5B是本發(fā)明交流發(fā)光裝置的另一實(shí)施形態(tài)，其等效的電路圖如圖6A及圖6B所示，其中，各主動層(上主動層200c及200d及下主動層201c及201d)是等同一發(fā)光二極管，具有P/N結(jié)構(gòu)(上主動層200c及200d為P型結(jié)構(gòu)及下主動層201c及201d為N型結(jié)構(gòu))，因此，各微晶粒20c及20d的上主動層200c及200d與下主動層201c及201d形成一串聯(lián)狀態(tài)，經(jīng)由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3電性連接的各微晶粒20c及20d形成一并聯(lián)狀態(tài)。
如圖5A及圖6A所示，它是該交流電的正半周電流流經(jīng)該交流發(fā)光裝置的發(fā)光狀態(tài)，當(dāng)該交流電的正半周電流輸入時，彼此相鄰的微晶粒20c及20d不同層的主動層是順向(微晶粒20c上主動層200c及微晶粒20d與下主動層201d)，正半周電流是如圖6A所示的箭頭，經(jīng)由各微晶粒20c及20d的不同層主動層使各不同層主動層發(fā)出光源；當(dāng)該交流電負(fù)半周電流輸入時，如圖5B及圖6B所示，彼此相鄰的微晶粒20c及20d的不同層主動層是順向(微晶粒20d上主動層200d及微晶粒20c與下主動層201c)，負(fù)半周電流是如圖6B所示的箭頭，經(jīng)由各微晶粒20c及20d的不同層主動層使各不同層主動層發(fā)出光源。從本發(fā)明的等效電路圖可看出，本發(fā)明如同上一實(shí)施形態(tài)以等同上下堆棧的兩個發(fā)光二極管接收交流電的正、負(fù)半周電流，使本發(fā)明的裝置不論是在交流電的正半周電流或負(fù)半周電流通過時，都會發(fā)出光源，與圖2A、圖2B、圖3A及圖3B的實(shí)施形態(tài)不同之處在于各微晶粒20c及20d的不同層主動層是依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光，但本發(fā)明的多個裝置相互交錯排列應(yīng)用在一芯片并施以交流電時，也可使得該平面(芯片的出光表面)全時發(fā)光。
上述各微晶粒20c及20d也如同上一實(shí)施形態(tài)具有相同或相異的波長(各主動層也可實(shí)施為具有相同或相異的波長)，也就是發(fā)出的光源是相同或不相同的顏色，如果實(shí)施為相異波長的微晶粒20c及20d，如上主動層200c及200d為綠色，下主動層201c及201d為紅色，則可因不同主動層交替發(fā)光的方式(上主動層200c→下主動層201d或上主動層200d→下主動層201c)，達(dá)到混光的效果(紅光加綠光，其混光的等同于上一實(shí)施形態(tài)，在此不再贅述)。另外，由于上主動層200c及200d與下主動層201c及201d發(fā)出的光源為不相同的顏色，更可達(dá)到120Hz的頻率(60Hz×2)，該發(fā)光頻率已超過人類可識別的最高頻率100Hz，因此可使混光出來的視覺效果更加均勻，并且還提供一較柔和的可視效果。因此，本實(shí)施形態(tài)提供一種可全時發(fā)光、可依用戶需求自行調(diào)配發(fā)光光源顏色的裝置，且發(fā)出的光線更加均勻及柔和，給用戶提供一最佳視覺效果。
如果本發(fā)明交流發(fā)光裝置為三層主動層結(jié)構(gòu)，其實(shí)施方式如圖7所示，該圖是一等效電路(一主動層同上述與一發(fā)光二極管等效)，在交流電正半周電流通過時，如箭頭所示，該交流電正半周電流流經(jīng)的各主動層都會發(fā)光(交流電負(fù)半周電流流經(jīng)的路線可以正半周電流流經(jīng)的路徑輕易推及，在此不再贅述)。此三層結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式是第一層L1發(fā)出綠色光源(混為白光最需要的色系)，第二層L2發(fā)出藍(lán)色光源(混為白光第二需要的色系)，第三層L3發(fā)出紅色光源(混為白光第三需要的色系)。在交流電正半波電流通過時的顏色依次為藍(lán)色、綠色、綠色、紅色、藍(lán)色、綠色、綠色、紅色；在交流電負(fù)半波電流通過時的顏色為藍(lán)色、綠色、綠色、紅色、藍(lán)色、綠色、綠色、紅色，因此，本發(fā)明交流發(fā)光裝置可在交流電正、負(fù)半周電流流經(jīng)的主動層利用各種顏色的相互搭配達(dá)到混光效果，另外，此三層主動層的結(jié)構(gòu)如果要將發(fā)出的光源混成近似為白光的效果，其實(shí)施方式是波長535nm的綠光、波長460nm的藍(lán)光以及波長630nm的紅光相互搭配，需要說明的是，如果實(shí)際以此三層或多層主動層作混光時，可依實(shí)際需求作色溫調(diào)變(例如將其中的某個或某些主動層以短路的方式使其不會發(fā)光)，以符合實(shí)際的混光需求。
另外，如圖8所示，本發(fā)明中的微晶粒的至少一主動層可依橋式整流器(Bridge Rectifier)中二極管(Diode)電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列，且各主動層之間相互電性連接(一主動層同上述與一發(fā)光二極管等效)，其實(shí)施方式以兩層或三層的混光效果為最佳(兩層及三層的配色方式與上述方式相同，在此不再贅述)。
再如圖8所示，分別將上述電路結(jié)構(gòu)排列方式中電性連接的各個線路定義為第一線路C1、第二線路C2、第三線路C3、第四線路C4以及第五線路C5以方便說明。其中，各線路主動層(與發(fā)光二極管等效)的發(fā)光顏色及數(shù)量可依用戶需求自行搭配，其實(shí)施方式是第一線路C1、第二線路C2、第四線路C4以及第五線路C5分別設(shè)置10個至少一層的主動層，而第三線路C3設(shè)置22個至少一層的主動層。此電路結(jié)構(gòu)排列方式承受交流電逆向偏壓的主動層個數(shù)約為交流電順向偏壓的一半，因此，此結(jié)構(gòu)如果以多個主動層同時承受交流電的逆向偏壓時，會由每個主動層平均承受(一個主動層可承受的逆向偏壓約為10～15V)，因此結(jié)構(gòu)不會因逆向偏壓過大使得主動層被擊穿造成短路的情況發(fā)生。另外，如果要實(shí)現(xiàn)白光混光效果，請參考上述實(shí)施方式，圖8的特征除了可自行搭配主動層的發(fā)光顏色及數(shù)量外，更可將交流電正半周電流流經(jīng)的第二線路C2、第三線路C3以及第四線路C4設(shè)置為如圖9A所示，另外將交流電負(fù)半周電流流經(jīng)的第五線路C5、第三線路C3以及第一線路C1設(shè)置為如圖9B所示，以此方法設(shè)置該線路的目的，在于將交流電正、負(fù)半周電流都會流過的第三線路置放在一芯片的出光表面，可使得該芯片出光表面的主要發(fā)光區(qū)域在導(dǎo)電電極E1及E2接置交流電電源后(該導(dǎo)電電極E1及E2與該線路相互電性連接)，具有全時發(fā)光的效果。也正因?yàn)榈谌€路C3的多個至少一層的主動層不論在交流電正半周或負(fù)半周都會發(fā)光，因此可減少現(xiàn)有技術(shù)中需要主動層的數(shù)量(以上述為例，現(xiàn)有技術(shù)中的主動層在交流電正、負(fù)半周都需要22個，總數(shù)量為44個，本發(fā)明只需要22個主動層即可達(dá)到全時發(fā)光的效果)。
再者，更可將上述主動層(與發(fā)光二極管等效)電路結(jié)構(gòu)排列方式視為一個橋式發(fā)光單元B1(如圖8所示)，也就是一橋式發(fā)光單元B1是一微晶粒的至少一主動層依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列，并相互電性連接。以多個橋式發(fā)光單元B1如圖10A及圖10B所示的矩陣方式設(shè)置在一芯片的出光表面(其實(shí)施方式是中央?yún)^(qū)域橋式發(fā)光單元B1的數(shù)量大于各外圍橋式發(fā)光單元B1的數(shù)量)，且在該矩陣的兩對角設(shè)置供交流電電源接置的導(dǎo)電電極E3及E4，(該導(dǎo)電電極E3及E4與該橋式發(fā)光單元B1以串聯(lián)方式相互電性連接)，可在接置交流電電源后，使該芯片出光表面的大部分區(qū)域，不論是在交流電正半周(如圖10A所示)或負(fù)半周(如圖10B所示)都會有電流通過，使其具有全時發(fā)光的效果。
上述電路結(jié)構(gòu)可應(yīng)用在單層主動層的微晶粒構(gòu)成的交流發(fā)光裝置中，例如在一基材上形成由多個交流發(fā)光二極管微晶粒組成的橋式發(fā)光單元，各微晶粒依橋式整流器(Bridge Rectifier)中二極管(Diode)電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列，并通過一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別電性連接各微晶粒，使各微晶?？梢澜涣麟娬?fù)半波輪流發(fā)光。也可包括多個相互電性連接的橋式發(fā)光單元，各橋式發(fā)光單元呈矩陣排列，且中央?yún)^(qū)域橋式發(fā)光單元數(shù)量大于各外圍橋式發(fā)光單元數(shù)量，借此可提供全發(fā)光面積的均勻發(fā)光效果。另外，它還包括設(shè)置在矩陣排列兩對角處的導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極與各橋式發(fā)光單元相互串聯(lián)，供接置交流電電源。由于其電路結(jié)構(gòu)與上述相同，因此不再搭配附圖贅述。
如圖11A所示，混光顏色(混光色溫)調(diào)變，也可通過在第三線路C3(也就是恒亮區(qū)域，因交流電正負(fù)半波都會通過第三線路C3)以串聯(lián)多個相同波長(顏色)的微晶粒的至少一主動層，再通過相互并聯(lián)的電性連接方式實(shí)現(xiàn)，如圖中所示，該第三線路C3中由實(shí)施為紅光的多個微晶粒的至少一主動層發(fā)光線路C30、實(shí)施為綠光的多個微晶粒的至少一主動層發(fā)光線路C31以及實(shí)施為藍(lán)光的多個微晶粒的至少一主動層發(fā)光線路C32相互并聯(lián)形成，這樣，即可通過控制不同顏色的發(fā)光線路C30、C31以及C32操作電壓的方式，改變不同色光的輸出功率，從而達(dá)到控制混光色溫的目的，但是，此實(shí)施例中僅以范例作說明，并不限制實(shí)際可實(shí)施的數(shù)量及波長。
但是，上述每一發(fā)光線路C30、C31以及C32的實(shí)施方式，也可如圖11B所示，分別實(shí)施為多個相異波長(顏色)的微晶粒的至少一主動層相互串聯(lián)的形態(tài)，也可以上述混光色溫的調(diào)變手段，達(dá)到控制混光色溫的目的。
上述所有的單層單色結(jié)構(gòu)(如圖8、圖11A及圖11B)，可以數(shù)量為至少兩個且通過倒裝芯片方式或芯片粘貼方式相互疊合電性連接，如圖11C所示，以一單層發(fā)光顏色為紅色的結(jié)構(gòu)F1以及一單層發(fā)光顏色為綠色的結(jié)構(gòu)F2相互疊合并電性連接作示意，每一單層單色結(jié)構(gòu)(如單層發(fā)光顏色為紅色的結(jié)構(gòu)F1或單層發(fā)光顏色為綠色的結(jié)構(gòu)F2)具有兩個通過倒裝芯片方式或芯片粘貼方式相互電性連接的電性連接墊P1及P2(電性連接墊的設(shè)置處并無限定，只要可以實(shí)施即可)，因此，這種以相互疊合電性連接的方式，還可以上述混光色溫的調(diào)變手段，達(dá)到控制混光色溫的目的，且各單層單色結(jié)構(gòu)中的微晶粒的至少一主動層的實(shí)施數(shù)量，可為適應(yīng)不同色光發(fā)光強(qiáng)度需求作調(diào)整。
另外，第三線路C3中，又可實(shí)施如圖11D所示，以多個相同或相異波長(顏色)的微晶粒的兩個主動層相互串聯(lián)后形成的發(fā)光線路C33及C34通過并聯(lián)方式相互電性連接，即可以上述混光色溫的調(diào)變手段，達(dá)到控制混光色溫的目的。
本發(fā)明的主動層(如同上述與一發(fā)光二極管等效)不須外加負(fù)載即可直接應(yīng)用在開關(guān)電路或指示燈等相關(guān)電路，可以多個主動層并聯(lián)或以多個并聯(lián)后再進(jìn)行串聯(lián)形成不同應(yīng)用的照明設(shè)備。另外，此主動層也可應(yīng)用在如美國第2005001537、2004246696號、日本第2004333583號專利案公開的裝置背光源(LCD Backlight)中。此主動層又可應(yīng)用在多種工序，如5ФLED導(dǎo)線架罐膠封裝制成、Super Flux導(dǎo)線架罐膠封裝制成、倒裝芯片、陶瓷基片與鋁基片的相關(guān)工序、PPA點(diǎn)膠、注射封裝制成或To金屬殼封裝制成等。
本發(fā)明還提供一種對應(yīng)上述交流發(fā)光裝置的制法，如圖12A至圖12E所示，為配合上述實(shí)施形態(tài)，此制法也以兩個交流發(fā)光裝置的附圖作說明。如圖12A所示，該制法先制備一基材1，并在該基材1上以磊晶方式依次形成至少兩層的主動層(如圖中所示的上主動層200及下主動層201)，其中，該主動層相接P型發(fā)光層(上主動層200)以及N型發(fā)光層(下主動層201)，該P(yáng)型發(fā)光層以及N型發(fā)光層等同于發(fā)光二極管P/N結(jié)構(gòu)，該P(yáng)型發(fā)光層以及N型發(fā)光層的實(shí)施方式是分別為P-InGaN(氮化銦鎵)以及N-InGaN(氮化銦鎵)。接著如圖12B所示，通過黃光微影與蝕刻技術(shù)在該主動層(上主動層200及下主動層201)形成多個開口4，外露該基材1。再如圖12C所示，在該主動層(上主動層200及下主動層201)外緣包覆一保護(hù)層5，此保護(hù)層5可避免漏電，其成份是導(dǎo)電材料，如SiOx或SiNx等。接著如圖12D所示，穿過該保護(hù)層5形成多個導(dǎo)電端子6a、6b、6c及6d，與該主動層(上主動層200及下主動層201)相互電性連接。最后如圖12E所示，在該開口4形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3電性連接各主動層(上主動層200及下主動層201)，使各主動層(上主動層200及下主動層201)在通電后依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3至少包括連接該開口兩側(cè)主動層的導(dǎo)體。此制法提及的基材1、主動層(上主動層200及下主動層201)及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3，與圖2A、圖2B、圖3A及圖3B的實(shí)施方式相同，在此不再贅述。
該導(dǎo)電端子6a、6b、6c及6d以蒸鍍方式形成，其方式是一歐姆電極，與該主動層(上主動層200及下主動層201)在電性連接后形成一微晶粒20，此微晶粒20也如同上述可實(shí)施為具有相同或相異的波長。
如圖13A至圖13F所示，它是本發(fā)明公開的另一種對應(yīng)上述交流發(fā)光裝置的制法，也配合上述實(shí)施形態(tài)，以兩個交流發(fā)光裝置的作說明。該制法先制備一第一基材(未標(biāo)出)，并在該第一基材上形成一第一主動層70，再去掉該第一基材，并如圖13A所示，在一第二基材8上接置該第一主動層70。接著如圖13B所示，在該第一主動層70上形成一第二主動層71，且在該第一主動層70與第二主動層71之間形成一連接層72，該連接層72的成份是導(dǎo)電材料與非導(dǎo)電材料，且是可透光材料。再如圖13C所示，在該第一主動層70與第二主動層71通過黃光微影與蝕刻技術(shù)形成多個開口9，外露該第二基材8。接著如圖13D所示，在該第一主動層70與第二主動層71的外緣包覆一保護(hù)層10，此保護(hù)層10可避免漏電，其成份是導(dǎo)電材料，如SiOx或SiNx等。再如圖13E所示，穿過該保護(hù)層10形成多個導(dǎo)電端子6e、6f、6g及6h，與該第一主動層70與第二主動層71相互電性連接。最后如圖13F所示，在該開口9形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3至少包括連接該開口兩側(cè)的第一主動層及第二主動層導(dǎo)體，電性連接該第一主動層70與第二主動層71，使該第一主動層70與第二主動層71在施加交流電后，依該交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。此制法提及的第二基材8、主動層(第一主動層71與第二主動層72)及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3，如同圖2A、圖2B、圖3A及圖3B的實(shí)施方式，在此不再贅述。
此制法的導(dǎo)電端子6e、6f、6g及6h如同上一制法以蒸鍍方式形成，其實(shí)施方式是一歐姆電極，其與該主動層(第一主動層71與第二主動層72)在電性連接后形成一微晶粒20，此微晶粒20如同上述可實(shí)施為具有相同或相異的波長。
綜上所述，本發(fā)明的交流發(fā)光裝置利用每一微晶粒均具有至少兩層主動層(最佳實(shí)施形態(tài)為兩層或三層)，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光，達(dá)到全發(fā)光面積可全時發(fā)光的特性，并利用本發(fā)明的主動層基本結(jié)構(gòu)應(yīng)用在不同的電路排列方式，獲得更好的混光及全時發(fā)光效果。
權(quán)利要求
1.一種交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置包括一基材；一交流微晶粒發(fā)光模塊，形成于該基材上，至少具有兩個微晶粒，且每個微晶粒均至少具有兩層的主動層；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接各微晶粒，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
2.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該基材是一芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該基材是一絕緣基片。
4.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該主動層是一發(fā)光活性層。
5.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括連接于兩個微晶粒之間的導(dǎo)體。
6.如權(quán)利要求5所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該導(dǎo)體是一導(dǎo)電架橋。
7.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒與其各主動層之間的電性連接方式包括串聯(lián)與并聯(lián)。
8.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒具有相同波長。
9.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒具有相異波長。
10.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該微晶粒各主動層具有相同波長。
11.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該微晶粒各主動層具有相異波長。
12.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該微晶粒各主動層均具有個別的歐姆電極。
13.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒的同層主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
14.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒的不同層主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
15.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置至少具有兩層主動層的各微晶粒以倒裝芯片技術(shù)或芯片粘貼技術(shù)制成。
16.如權(quán)利要求1所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置至少具有兩層主動層的各微晶粒以磊晶技術(shù)制成。
17.一種交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置包括一基材；多個交流微晶粒發(fā)光模塊，形成于該基材上，各交流微晶粒發(fā)光模塊均至少具有兩個微晶粒，且每個微晶粒均至少具有兩層主動層；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，分別電性連接各交流微晶粒發(fā)光模塊、各微晶粒，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
18.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該基材是一芯片。
19.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該基材是一絕緣基片。
20.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該主動層是一發(fā)光活性層。
21.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括連接于兩個微晶粒發(fā)光模塊之間的導(dǎo)體、連接于兩個微晶粒之間的導(dǎo)體。
22.如權(quán)利要求21所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該導(dǎo)體是一導(dǎo)電架橋。
23.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒發(fā)光模塊相互串聯(lián)。
24.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒與其各主動層之間的電性連接方式包括串聯(lián)與并聯(lián)。
25.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒具有相同波長。
26.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒具有相異波長。
27.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該微晶粒各主動層均具有個別的歐姆電極。
28.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒的同層主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
29.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒的不同層主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
30.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置至少具有兩層主動層的各微晶粒以倒裝芯片技術(shù)或芯片粘貼技術(shù)制成。
31.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置至少具有兩層主動層的各微晶粒以磊晶技術(shù)制成。
32.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒的至少一主動層依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列，并相互電性連接形成一橋式發(fā)光單元。
33.如權(quán)利要求17所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒的至少一主動層依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列，并相互電性連接形成多個橋式發(fā)光單元。
34.如權(quán)利要求33所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各橋式發(fā)光單元呈矩陣排列，且中央?yún)^(qū)域的橋式發(fā)光單元數(shù)量大于各外圍橋式發(fā)光單元數(shù)量。
35.如權(quán)利要求34所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置還包括設(shè)置在矩陣排列兩對角處的導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極與各橋式發(fā)光單元相互串聯(lián)，供接置交流電電源。
36.一種交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該交流發(fā)光裝置制法包括制備一基材；在該基材上至少形成兩層主動層；在該主動層形成多個開口，外露該基材；在該主動層外緣包覆一保護(hù)層；形成多個導(dǎo)電端子并穿過該保護(hù)層，與該主動層相互電性連接；以及在該開口形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接各主動層，使各主動層在施加交流電后，依該交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
37.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該基材是一芯片。
38.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該基材是一絕緣基片。
39.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該主動層是一發(fā)光活性層。
40.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括連接該開口兩側(cè)主動層的導(dǎo)體。
41.如權(quán)利要求40所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)體是一導(dǎo)電架橋。
42.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電端子與該主動層電性連接后形成一微晶粒。
43.如權(quán)利要求42所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒具有相同波長。
44.如權(quán)利要求42所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒具有相異波長。
45.如權(quán)利要求42所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該微晶粒各主動層具有相同波長。
46.如權(quán)利要求42所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該微晶粒各主動層具有相異波長。
47.如權(quán)利要求42所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒的同層主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
48.如權(quán)利要求42所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒的不同層主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
49.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電端子以蒸鍍方式形成。
50.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電端子是一歐姆電極。
51.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該交流發(fā)光裝置制法至少在該基材上以磊晶方式依次形成兩層主動層。
52.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，在該主動層以黃光微影與蝕刻技術(shù)形成多個開口。
53.如權(quán)利要求36所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該保護(hù)層成份是導(dǎo)電材料。
54.如權(quán)利要求53所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電材料是SiOx或SiNx。
55.一種交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該交流發(fā)光裝置制法包括制備一第一基材；在該第一基材上形成一第一主動層；在一第二基材上去掉該第一基材并接置該第一主動層；在該第一主動層上形成一第二主動層，且在該第一主動層與第二主動層之間形成一連接層；在該第一主動層與第二主動層形成多個開口，外露該基材；在該第一主動層與第二主動層外緣包覆一保護(hù)層；形成多個導(dǎo)電端子并穿過該保護(hù)層，與該第一主動層與第二主動層相互電性連接；以及在該開口形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接該第一主動層與第二主動層，使該第一主動層與第二主動層施加交流電后，依該交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。
56.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該第一基材是一芯片。
57.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該第一基材是絕緣基片。
58.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該第二基材是一絕緣基片。
59.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該第一主動層是一發(fā)光活性層。
60.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該第二主動層是一發(fā)光活性層。
61.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括連接該開口兩側(cè)的第一主動層及第二主動層導(dǎo)體。
62.如權(quán)利要求61所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)體是一導(dǎo)電架橋。
63.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電端子與該第一主動層與第二主動層電性連接后形成一微晶粒。
64.如權(quán)利要求63所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒具有相同波長。
65.如權(quán)利要求63所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒具有相異波長。
66.如權(quán)利要求63所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該微晶粒第一主動層與第二主動層具有相同波長。
67.如權(quán)利要求63所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該微晶粒第一主動層與第二主動層具有相異波長。
68.如權(quán)利要求63所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，各微晶粒的第一主動層與第二主動層依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光。
69.如權(quán)利要求63所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，相鄰微晶粒的第一主動層與第二主動層依交流電正負(fù)波以不同層的方式輪流發(fā)光。
70.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電端子以蒸鍍方式形成。
71.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電端子是一歐姆電極。
72.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該連接層成份是導(dǎo)電材料或非導(dǎo)電材料。
73.如權(quán)利要求72所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該連接層是可透光材料。
74.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，在該第一主動層與第二主動層以黃光微影與蝕刻技術(shù)形成多個開口。
75.如權(quán)利要求55所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該保護(hù)層成份是導(dǎo)電材料。
76.如權(quán)利要求75所述的交流發(fā)光裝置制法，其特征在于，該導(dǎo)電材料是SiOx或SiNx。
77.一種交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置至少包括一基材；一橋式發(fā)光單元，該橋式發(fā)光單元包括形成于該基材上的多個交流發(fā)光二極管微晶粒，各微晶粒依橋式整流器中二極管電路結(jié)構(gòu)排列方式進(jìn)行排列；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，分別電性連接各微晶粒，使各微晶?？梢澜涣麟娬?fù)半波輪流發(fā)光。
78.如權(quán)利要求77所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置包括多個相互電性連接的橋式發(fā)光單元，各橋式發(fā)光單元呈矩陣排列，且中央?yún)^(qū)域的橋式發(fā)光單元數(shù)量大于各外圍橋式發(fā)光單元數(shù)量。
79.如權(quán)利要求78所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該交流發(fā)光裝置還包括設(shè)置在矩陣排列兩對角處的導(dǎo)電電極，且該導(dǎo)電電極與各橋式發(fā)光單元相互串聯(lián)，供接置交流電電源。
80.如權(quán)利要求77所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該基材是一芯片。
81.如權(quán)利要求77所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該基材是一絕緣基片。
82.如權(quán)利要求77所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該主動層是一發(fā)光活性層。
83.如權(quán)利要求77所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少包括連接于二個微晶粒之間的導(dǎo)體。
84.如權(quán)利要求83所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，該導(dǎo)體是一導(dǎo)電架橋。
85.如權(quán)利要求77所述的交流發(fā)光裝置，其特征在于，各微晶粒具有相同波長。
全文摘要
本發(fā)明公開一種交流發(fā)光裝置及其制法，該交流發(fā)光裝置包括基材；交流微晶粒發(fā)光模塊，形成于該基材上，至少具有兩個微晶粒，且每個微晶粒均至少具有兩層的主動層；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電性連接各微晶粒，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)半波輪流發(fā)光。本發(fā)明的交流發(fā)光裝置利用每一微晶粒均具有至少兩層主動層，使各微晶粒的各主動層可依交流電正負(fù)波輪流發(fā)光，實(shí)現(xiàn)全發(fā)光面積可全時發(fā)光、均勻地發(fā)光，同時不使用熒光粉，并可縮小發(fā)光裝置的體積，獲得更好的混光及全時發(fā)光效果。
文檔編號H01L21/82GK1866532SQ200610067030
公開日2006年11月22日 申請日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者林明德, 顏璽軒, 葉文勇, 林明耀, 黃勝邦 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院