專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)及方法，特別是涉及一種在源極/漏極金屬層上的接觸井填入金屬，或在多晶硅島上相應(yīng)于源極/漏極金屬層位置的接觸井填入金屬的結(jié)構(gòu)及方法，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)為了實(shí)現(xiàn)高精細(xì)度的畫(huà)質(zhì)和避免不同顏色的衰變，設(shè)計(jì)方向已轉(zhuǎn)變?yōu)檎喜噬珵V光片的單一白光源，因此大幅提高畫(huà)面分辨率與顯示器尺寸。一般整合彩色濾光片的制作流程采用彩色濾光片在陣列之上(Color Filter on Array，COA)的結(jié)構(gòu)，使用下發(fā)射型白光有機(jī)發(fā)光二極管為發(fā)光源，但因彩色濾光片固化后的表面粗糙度較高，為了降低其粗糙度需多增加一層平坦層，這將使顯示器厚度增加，并因而增加像素電極的接觸電阻阻值，使得薄膜晶體管組件操作時(shí)源極/漏極金屬與有機(jī)發(fā)光二極管下電極之間的導(dǎo)電性較差，易造成金屬的燒毀而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管組件無(wú)法正常工作。
公知技術(shù)所公開(kāi)的有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片的結(jié)構(gòu)，如美國(guó)專利第6515428號(hào)“Pixel Structure of an Organic Light Emitting Diode DisplayDevice and its Manufacturing Method”所述，為了降低該結(jié)構(gòu)表面粗糙度而在彩色濾光片上增加一平坦層，如圖1所示，其中一基板110上形成一多晶硅島120，該多晶硅島120上形成有一氧化層130，其中一柵極金屬層135相應(yīng)于該多晶硅島120的中間位置形成于該氧化層130上，該氧化層130上再形成一介電層140并覆蓋該柵極金屬層135，接著一源極/漏極金屬層150穿過(guò)該介電層140與該氧化層130而與該多晶硅島120的相應(yīng)位置相連接，之后形成一彩色濾光片160于該源極/漏極金屬層150之上，再于該彩色濾光片160上形成一平坦層170，之后再于該平坦層170上形成一像素電極層180，該像素電極層180穿過(guò)該平坦層170與該彩色濾光片160以形成一接觸井而與該源極/漏極金屬層150相連接。在此公知結(jié)構(gòu)中，由于彩色濾光片160加上平坦層170的厚度過(guò)大，導(dǎo)致像素電極層180需要填更深的接觸井，當(dāng)電流在傳導(dǎo)時(shí)因熱使得金屬劣化，從而使像素電極層180與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻過(guò)高，也就是薄膜晶體管組件操作時(shí)源極/漏極金屬與像素電極間的導(dǎo)電性較差，容易造成金屬的燒毀而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管組件無(wú)法正常工作，這也是造成有機(jī)發(fā)光二極管面板色彩顯示不均勻的主要因素之一。
有鑒于公知有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片的結(jié)構(gòu)及方法所產(chǎn)生因彩色濾光片與平坦層的厚度過(guò)大導(dǎo)致像素電極與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻過(guò)高的問(wèn)題，本發(fā)明提出一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)及方法，該結(jié)構(gòu)及方法主要是在源極/漏極金屬層上的接觸井填入金屬，或在多晶硅島上相應(yīng)于源極/漏極金屬層位置的接觸井填入金屬，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)及方法，該結(jié)構(gòu)及方法主要是在源極/漏極金屬層上的接觸井填入金屬，或在多晶硅島上相應(yīng)于源極/漏極金屬層位置的接觸井填入金屬，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為公知技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
其中，附圖標(biāo)記110、210、310、410～基板120、220、320、420～多晶硅島130、230、330、430～氧化層135、235、335、435～柵極金屬層140、240～介電層150、250、450～源極/漏極金屬層160、260、340、440～彩色濾光片170、270、350、460～平坦層180、280、360、470～像素電極層275、355、445～金屬層具體實(shí)施方式
圖2所示為本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)，其中一基板210上形成一多晶硅島220，該多晶硅島220上形成有一氧化層230，其中一柵極金屬層235相應(yīng)于該多晶硅島220的中間位置形成于該氧化層230上，該氧化層230上再形成一介電層240并覆蓋該柵極金屬層235，接著一源極/漏極金屬層250穿過(guò)該介電層240與該氧化層230而與該多晶硅島220的相應(yīng)位置相連接，之后形成一彩色濾光片260于該金屬層250之上，之后在該彩色濾光片260上形成一平坦層270，之后再于穿過(guò)該平坦層270與該彩色濾光片260的接觸井填入一金屬層275而與該源極/漏極金屬層250相連接，再于該金屬層275與該平坦層270上形成一像素電極層280。此第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)，用來(lái)改進(jìn)上述公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)，借助在穿過(guò)該平坦層與該彩色濾光片的接觸井填入一金屬層，即可降低像素電極層與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻，進(jìn)而改善有機(jī)發(fā)光二極管組件的色彩顯示畫(huà)質(zhì)及延長(zhǎng)使用壽命。而由于一般彩色濾光片是負(fù)型光阻，所以用來(lái)定義彩色濾光片的光罩圖案與填入接觸井的金屬圖案相同，故本發(fā)明可以共享彩色濾光片的光罩而不需額外的光罩。
本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第一實(shí)施例的制造方法，包括下列步驟(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一多晶硅島；(c)在該基板上形成一氧化層，且該氧化層覆蓋該多晶硅島；(d)在相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成一柵極金屬層于該氧化層上；(e)在該氧化層上形成一介電層，且該介電層覆蓋該柵極金屬層；(f)在該介電層上開(kāi)設(shè)數(shù)個(gè)接觸井，使該些接觸井貫穿該介電層與該氧化層而分別連通至該多晶硅島的相應(yīng)位置；(g)在該介電層上形成一源極/漏極金屬層；(h)在該源極/漏極金屬層上形成一彩色濾光片；(i)在該彩色濾光片上形成一平坦層；(j)在穿過(guò)該平坦層與該彩色濾光片的接觸井填入一金屬層而與該源極/漏極金屬層相連接；及(k)在該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層。
圖3所示為本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)，其中一基板310上形成一多晶硅島320，該多晶硅島320上形成有一氧化層330，其中一柵極金屬層335相應(yīng)于該多晶硅島320的中間位置形成于該氧化層330上，該氧化層330上再形成一彩色濾光片340并覆蓋該柵極金屬層335，之后在該彩色濾光片340上形成一平坦層350，接著再于穿過(guò)該平坦層350、該彩色濾光片340與該氧化層330的接觸井填入一金屬層355而與該多晶硅島320的相應(yīng)位置相連接，之后再于該金屬層355與該平坦層350上形成一像素電極層360，在此實(shí)施例該像素電極層360同時(shí)具有源極/漏極金屬層的功能。此第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)，也是用來(lái)改進(jìn)上述公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)，借助在穿過(guò)該平坦層、該彩色濾光片與該氧化層的接觸井填入一金屬層，即可降低像素電極層與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻，進(jìn)而改善有機(jī)發(fā)光二極管組件的色彩顯示畫(huà)質(zhì)及延長(zhǎng)使用壽命。如同前述，由于一般彩色濾光片是負(fù)型光阻，所以用來(lái)定義彩色濾光片的光罩圖案與填入接觸井的金屬圖案相同，故本發(fā)明可以共享彩色濾光片的光罩而不需額外的光罩。
本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第二實(shí)施例的制造方法，包括下列步驟(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一多晶硅島；(c)在該基板上形成一氧化層，且該氧化層覆蓋該多晶硅島；(d)在相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成一柵極金屬層于該氧化層上；(e)在該氧化層上形成一彩色濾光片，且該彩色濾光片覆蓋該柵極金屬層；(f)在該彩色濾光片上形成一平坦層；(g)在該平坦層上開(kāi)設(shè)數(shù)個(gè)接觸井，使該些接觸井貫穿該平坦層、該彩色濾光片與該氧化層而分別連通至該多晶硅島的相應(yīng)位置；(h)在該些接觸井填入一金屬層而與該多晶硅島的相應(yīng)位置相連接；(i)在該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層。
圖4所示為本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)，其中在一基板410上形成一多晶硅島420，該多晶硅島420上形成有一氧化層430，其中一柵極金屬層435相應(yīng)于該多晶硅島420的中間位置形成于該氧化層430上，該氧化層430上再形成一彩色濾光片440并覆蓋該柵極金屬層435，接著在穿過(guò)該彩色濾光片440與該氧化層430的接觸井填入一金屬層445而與該多晶硅島420的相應(yīng)位置相連接，之后在該金屬層445與該彩色濾光片440上形成一源極/漏極金屬層450，之后再于該源極/漏極金屬層450上形成一平坦層460并覆蓋該彩色濾光片440，再于穿過(guò)該平坦層460的接觸井與該平坦層460上形成一像素電極層470而與該源極/漏極金屬層450的相應(yīng)位置相連接。此第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)，也是用來(lái)改進(jìn)上述公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)，借助在穿過(guò)該彩色濾光片與該氧化層的接觸井填入一金屬層，即可降低像素電極層與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻，進(jìn)而改善有機(jī)發(fā)光二極管組件的色彩顯示畫(huà)質(zhì)及使用壽命。另一方面，此第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)在形成一像素電極層470之前，也可如同第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)所示在穿過(guò)該平坦層460的接觸井填入一金屬層(圖中未示)而與該源極/漏極金屬層450相連接，再于該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層470，來(lái)進(jìn)一步降低像素電極層與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻。如同前述，由于一般彩色濾光片是負(fù)型光阻，所以用來(lái)定義彩色濾光片的光罩圖案與填入接觸井的金屬圖案相同，故本發(fā)明可以共享彩色濾光片的光罩而不需額外的光罩。
本發(fā)明改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的第三實(shí)施例的制造方法，包括下列步驟(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一多晶硅島；(c)在該基板上形成一氧化層，且該氧化層覆蓋該多晶硅島；(d)在相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成一柵極金屬層于該氧化層上；(e)在該氧化層上形成一彩色濾光片，且該彩色濾光片覆蓋該柵極金屬層；(f)在該彩色濾光片上開(kāi)設(shè)數(shù)個(gè)接觸井，使該些接觸井貫穿該彩色濾光片與該氧化層而分別連通至該多晶硅島的相應(yīng)位置；(g)在該些接觸井填入一金屬層而與該多晶硅島的相應(yīng)位置相連接；(h)在該金屬層與該彩色濾光片上形成一源極/漏極金屬層；(i)在該彩色濾光片上形成一平坦層，且該平坦層覆蓋該源極/漏極金屬層；及(j)在穿過(guò)該平坦層的接觸井與該平坦層上形成一像素電極層而與該源極/漏極金屬層相連接。
另一方面，此第三實(shí)施例的制造方法在步驟(j)形成一像素電極層之前，也可如同第一實(shí)施例的制造方法所示在穿過(guò)該平坦層的接觸井填入一金屬層(圖中未示)而與該源極/漏極金屬層相連接，再于該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層，來(lái)進(jìn)一步降低像素電極層與薄膜晶體管間的金屬接觸電阻。
此外，本發(fā)明中的平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料；其中的介電層也可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料，基板則可以是塑料、玻璃、石英或硅晶；填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
綜合上述，本發(fā)明提出一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)及方法，該結(jié)構(gòu)及方法主要是在源極/漏極金屬層上的接觸井填入金屬，或在多晶硅島上相應(yīng)于源極/漏極金屬層位置的接觸井填入金屬，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；一多晶硅島，形成于該基板之上；一氧化層，形成于該基板之上且覆蓋該多晶硅島；一柵極金屬層，相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成于該氧化層上；一介電層，形成于該氧化層之上且覆蓋該柵極金屬層，該介電層開(kāi)設(shè)有數(shù)個(gè)接觸井，該些接觸井貫穿該介電層與該氧化層；一源極/漏極金屬層，形成于該介電層之上，且經(jīng)該些接觸孔與該多晶硅島的相應(yīng)位置連接；一彩色濾光片，形成于該源極/漏極金屬層之上；一平坦層，形成于該彩色濾光片之上；一金屬層，填入穿過(guò)該平坦層與該彩色濾光片的接觸井而與該源極/漏極金屬層相連接；及一像素電極層，形成于該金屬層與該平坦層之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該介電層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板可為塑料、玻璃、石英或硅晶。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
7.一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，包括下列步驟(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一多晶硅島；(c)在該基板上形成一氧化層，且該氧化層覆蓋該多晶硅島；(d)在相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成一柵極金屬層于該氧化層上；(e)在該氧化層上形成一介電層，且該介電層覆蓋該柵極金屬層；(f)在該介電層上開(kāi)設(shè)數(shù)個(gè)接觸井，使該些接觸井貫穿該介電層與該氧化層而分別連通至該多晶硅島的相應(yīng)位置；(g)在該介電層上形成一源極/漏極金屬層；(h)在該源極/漏極金屬層上形成一彩色濾光片；(i)在該彩色濾光片上形成一平坦層；(j)在穿過(guò)該平坦層與該彩色濾光片的接觸井填入一金屬層而與該源極/漏極金屬層相連接；及(k)在該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，該介電層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，該多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料，且該基板可為塑料、玻璃、石英或硅晶。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
10.一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括一基板；一多晶硅島，形成于該基板之上；一氧化層，形成于該基板之上且覆蓋該多晶硅島；一柵極金屬層，相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成于該氧化層上；一彩色濾光片，形成于該氧化層之上且覆蓋該柵極金屬層；一平坦層，形成于該彩色濾光片之上；一金屬層，填入穿過(guò)該平坦層、該彩色濾光片與該氧化層的接觸井而與該多晶硅島的相應(yīng)位置相連接；及一像素電極層，形成于該金屬層與該平坦層之上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板可為塑料、玻璃、石英或硅晶圓。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
15.一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，包括下列步驟(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一多晶硅島；(c)在該基板上形成一氧化層，且該氧化層覆蓋該多晶硅島；(d)在相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成一柵極金屬層于該氧化層上；(e)在該氧化層上形成一彩色濾光片，且該彩色濾光片覆蓋該柵極金屬層；(f)在該彩色濾光片上形成一平坦層；(g)在該平坦層上開(kāi)設(shè)數(shù)個(gè)接觸井，使該些接觸井貫穿該平坦層、該彩色濾光片與該氧化層而分別連通至該多晶硅島的相應(yīng)位置；(h)在該些接觸井填入一金屬層而與該多晶硅島的相應(yīng)位置相連接；及(i)在該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，該多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料，且該基板可為塑料、玻璃、石英或硅晶圓。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
18.一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；一多晶硅島，形成于該基板之上；一氧化層，形成于該基板之上且覆蓋該多晶硅島；一柵極金屬層，相應(yīng)于該多晶硅島的中間位置形成于該氧化層上；一彩色濾光片，形成于該氧化層之上且覆蓋該柵極金屬層；一金屬層，填入穿過(guò)該彩色濾光片與該氧化層的接觸井而與該多晶硅島的相應(yīng)位置相連接；一源極/漏極金屬層，形成于該金屬層與該彩色濾光片之上；一平坦層，形成于該源極/漏極金屬層之上并覆蓋該彩色濾光片；及一像素電極層，形成于穿過(guò)該平坦層的接觸井與該平坦層之上而與該源極/漏極金屬層的相應(yīng)位置相連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極層可由下列結(jié)構(gòu)取代一金屬層，填入穿過(guò)該平坦層的接觸井而與該源極/漏極金屬層相連接；及一像素電極層，形成于該金屬層與該平坦層之上。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板可為塑料、玻璃、石英或硅晶。
23.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
24.一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，包括下列步驟(a)提供一基板；(b)在該基板上形成一多晶硅島；(c)在該基板上形成一氧化層，且該氧化層覆蓋該多晶硅島；(d)在相應(yīng)于該多晶硅島的位置形成一柵極金屬層于該氧化層上；(e)在該氧化層上形成一彩色濾光片，且該彩色濾光片覆蓋該柵極金屬層；(f)在該彩色濾光片上開(kāi)設(shè)數(shù)個(gè)接觸井，使該些接觸井貫穿該彩色濾光片與該氧化層而分別連通至該多晶硅島的相應(yīng)位置；(g)在該些接觸井填入一金屬層而與該多晶硅島的相應(yīng)位置相連接；(h)在該金屬層與該彩色濾光片上形成一源極/漏極金屬層；(i)在該彩色濾光片上形成一平坦層，且該平坦層覆蓋該源極/漏極金屬層；及(j)在穿過(guò)該平坦層的接觸井與該平坦層上形成一像素電極層而與該源極/漏極金屬層相連接。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該步驟(j)可由下列步驟取代在穿過(guò)該平坦層的接觸井填入一金屬層而與該源極/漏極金屬層相連接；及在該金屬層與該平坦層上形成一像素電極層。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該平坦層可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，該多晶硅島可為任何半導(dǎo)體材料，且該基板可為塑料、玻璃、石英或硅晶。
27.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的方法，其特征在于，該填入接觸井的金屬層可為任意具低電阻的金屬或有機(jī)導(dǎo)電材料，并可為多層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種改善有機(jī)發(fā)光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結(jié)構(gòu)及方法，該結(jié)構(gòu)及方法主要是在源極/漏極金屬層上的接觸井填入金屬，或在多晶硅島上相應(yīng)于源極/漏極金屬層位置的接觸井填入金屬，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101047198SQ20061006744
公開(kāi)日2007年10月3日 申請(qǐng)日期2006年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月27日
發(fā)明者劉育榮, 黃怡碩, 葉永輝 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院