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      半導(dǎo)體激光器的制作方法

      文檔序號:6874060閱讀:120來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體激光器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器。
      背景技術(shù)
      在半導(dǎo)體激光器中,通常公知的是光輸出的增加可能引起腔端面的損傷,即COD(Catastrophic Optical Damage,災(zāi)難性光損傷)。所述COD的原因是與半導(dǎo)體激光器的高功率運(yùn)行相關(guān)的腔端面的溫度增加。具體地,具有減少了的發(fā)光端面反射率的高功率半導(dǎo)體激光器,發(fā)光端面的溫度上升將很大,引起在發(fā)光端面上發(fā)生COD,發(fā)光端面是腔端面之一。因而,必須改善在發(fā)光端面附近的熱輻射。
      圖5顯示了在JP2003-31901 A中所述的常規(guī)半導(dǎo)體激光器的主要部分的示意透視圖。在圖5中,去除了一部分常規(guī)半導(dǎo)體激光器,以便更容易理解常規(guī)半導(dǎo)體激光器的多層結(jié)構(gòu)。
      如在圖5中所示,半導(dǎo)體激光器具有n型GaAs襯底512、在n型GaAs襯底512上形成的主體550、和對于主體550而形成為所謂保護(hù)層電極的p側(cè)鍍覆電極530。
      主體550包括n型緩沖層514、n型AlGaInP覆層516、多量子阱有源層518、p型AlGaInP覆層520、p型GaAs接觸層522和SiO2膜528,這些形成在n型GaAs襯底512上。
      在p型AlGaInP覆層520中,形成了沿腔縱向方向延伸的脊條部分540。所述脊條部分540的上表面以p型GaAs接觸層522覆蓋,并且脊條部分的兩個(gè)側(cè)面以SiO2膜528覆蓋。
      此外,主體550的發(fā)光端面550a附近的一部分是通過引入鋅而形成的窗口區(qū)532。在窗口區(qū)532上,沒有形成p側(cè)鍍覆電極530。即p側(cè)鍍覆電極530形成在主體550的發(fā)光端面550a附近部分之外的部分。
      注意的是,在圖5中的參考標(biāo)號534表示n側(cè)電極。
      在JP 2004-214441 A中描述了用于將上述常規(guī)半導(dǎo)體激光器安裝到管座(stem)上的方法。
      根據(jù)這種安裝方法,如在圖6中所示,通過低熔點(diǎn)焊接材料602將主體550連接到起熱沉作用的子座601。子座601通過粘接樹脂604連接到高導(dǎo)熱性管座603。由于pn結(jié)位于熱沉側(cè),即在子座601側(cè),所以這樣的狀態(tài)被稱為“結(jié)向下”。
      此外,主體550和子座601之間的結(jié)以樣的方式形成,使得主體550的發(fā)光端面550a從子座601的端面突出。通過這樣做,可以避免從發(fā)光端面550a發(fā)出的激光被子座601遮斷,并且此外,可以避免所述激光被粘結(jié)到發(fā)光端面550a的低熔點(diǎn)焊接材料620遮斷。
      然而,由于主體550對子座601的結(jié)引起發(fā)光端面550a從子座601的端面突出,所以在主體550的發(fā)光端面550a附近產(chǎn)生的熱量不能被有效地被傳輸?shù)阶幼?01。這引起主體550的發(fā)光端面550a附近的部分上不良散熱性的問題。

      發(fā)明內(nèi)容
      因而本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體激光器,其改善了在主體的發(fā)光端面附近部分上的散熱性,從而避免COD的發(fā)生。
      為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),提供了一種半導(dǎo)體激光器,包括半導(dǎo)體襯底;主體,其形成于半導(dǎo)體襯底上并且具有用于反射激光的發(fā)光端面;和鍍覆金屬層,形成于主體上,其中沿腔方向上,在發(fā)光端面附近的鍍覆金屬層的前端部分的厚度大于鍍覆金屬層的中心部分的厚度。
      這里,術(shù)語“主體”,指具有用于發(fā)射激光的結(jié)構(gòu),例如具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或單異質(zhì)結(jié)構(gòu)的實(shí)體。
      在這個(gè)半導(dǎo)體激光器中,例如,在主體連接到具有鍍覆金屬層的熱沉且鍍覆金屬層面對熱沉的的情形,由于鍍覆金屬層在其前端部分比在其中心部分厚,既便在主體的發(fā)光端面從熱沉突出,在主體的發(fā)光端面附近部分上的熱量也可以通過鍍覆金屬層的前端部分被有效地傳遞到熱沉。因此,改善了主體的發(fā)光端面附近部分的散熱性,從而可以避免在發(fā)光端面上COD的發(fā)生。
      在一個(gè)實(shí)施例中,所述主體包括起電流通道作用的脊條;形成于所述脊條旁邊的平坦部分;和電流阻擋層,其形成以便覆蓋脊條的側(cè)面和平坦部分,并且電流阻擋層由介質(zhì)膜形成。
      在一個(gè)實(shí)施例中,主體包括臺地部分,其通過平坦部分形成在所述脊條的旁邊并且通常與脊條的高度相同。
      在這個(gè)實(shí)施例中,由于在脊條側(cè)面形成了通常高度等于脊條的臺地部分,所以脊條被臺地部分保護(hù)而免于沖擊。因此,可以避免脊條的任何損傷。
      在一個(gè)實(shí)施例中,鍍覆金屬層的后端部分的厚度比中心部分的厚度大。
      在該實(shí)施例中,例如,在主體連接到具有鍍覆金屬層的熱沉且鍍覆金屬層面對熱沉的情形,由于鍍覆金屬膜后端部分的厚度比中心部分的厚度大,所以既便相對于發(fā)光端面的主體的對側(cè)端面從熱沉突出,在相對于發(fā)光端面的主體的一側(cè)上的熱量也可以通過鍍覆金屬層的后端部分,被有效地被傳遞到熱沉。因此,改善了相對于發(fā)光端面的主體的對側(cè)端面附近部分的散熱性,因而可以避免相對于發(fā)光端面的主體的對側(cè)上COD的產(chǎn)生。
      此外,在激光也從相對于發(fā)光端面的主體的對側(cè)端面發(fā)出的情形,通過相對于發(fā)光端面的主體的對側(cè)端面從熱沉突出的布置,可以避免從相對于發(fā)光端面的主體的對側(cè)端面發(fā)出的光被熱沉遮斷。因此可以高精度地進(jìn)行基于激光的半導(dǎo)體激光器的APC(自動功率控制)驅(qū)動。
      在一實(shí)施例中,在前端部分和中心部分之間的邊界部分形成了臺階間隙表面。
      在該實(shí)施例中,例如,在主體連接到具有鍍覆金屬層的熱沉且鍍覆金屬層面對熱沉的情形,由于鍍覆金屬層在前端部分和后端部分之間的邊界具有臺階間隙表面,所以臺階間隙表面可以被放置與通常垂直于熱沉的另一個(gè)表面的熱沉的一個(gè)表面熱接觸,同時(shí)鍍覆金屬層的中心部分與熱沉的另一個(gè)表面保持熱接觸。因此,可以增加鍍覆金屬層與熱沉熱接觸的面積,并且可以增加鍍覆金屬層的熱量被傳遞到熱沉的效率。
      在一實(shí)施例中,在后端部分和中心部分之間的邊界部分上形成臺階間隙表面。
      在本實(shí)施例中,例如,在主體連接到具有鍍覆金屬層的熱沉且鍍覆金屬層面對熱沉的情形,由于鍍覆金屬層在后端部分部分和中心部分之間的邊界部分上具有臺階間隙表面,所以所述臺階間隙表面可以被放置與通常垂直于熱沉的另一個(gè)表面的熱沉的一個(gè)表面熱接觸,同時(shí)鍍覆金屬層的中心部分與熱沉的另一個(gè)表面保持熱接觸。因此,可以增加使鍍覆金屬層與熱沉熱接觸的面積,并且可以增加鍍覆金屬層的熱量被傳遞到熱沉的效率。
      一實(shí)施例包括與主體連接從而面對鍍覆金屬層的熱沉,其中臺階間隙表面與放置發(fā)光端面的一側(cè)的熱沉的端面重疊。
      在本實(shí)施例中,由于位于前端部分和中心部分之間的邊界部分的臺階間隙表面與放置發(fā)光端面一側(cè)的熱沉的端面重疊,所以在主體發(fā)光端面上的熱量可以對于發(fā)光端面?zhèn)纫愿咝实貍鬟f到熱沉的端面。
      一實(shí)施例包括與主體連接的熱沉以便面對鍍覆金屬層,其中臺階間隙表面與相對于放置在發(fā)光端面?zhèn)鹊钠涠嗣娴臒岢恋膶?cè)端面重疊。
      在本實(shí)施例中,由于位于后端部分和中心部分之間的邊界部分的臺階間隙表面與相對于放置在發(fā)光端面?zhèn)鹊钠涠嗣娴臒岢恋膶?cè)端面重疊,所以可以以高效率將相對于發(fā)光端面?zhèn)鹊闹黧w的對側(cè)端面上的熱量傳遞到相對于發(fā)光端面?zhèn)壬掀涠嗣娴臒岢恋膶?cè)端面上。
      在一實(shí)施例中,鍍覆金屬層形成于除了主體的兩側(cè)面附近之外的部分上。
      在本實(shí)施例中,例如,在主體通過焊料與面對熱沉的鍍覆金屬層的熱沉連接的情形,由于金屬層形成于除了主體的兩側(cè)面附近之外的部分上,所以可以避免由于對于主體側(cè)面的焊料的爬上引起的電流的短路。
      在該本半導(dǎo)體激光器中,例如,在主體連接具有鍍覆金屬層的熱沉且鍍覆金屬層面對熱沉?xí)r,由于鍍覆金屬層在其前端部分比在其中心部分厚,所以既便主體的發(fā)光端面從熱沉突出,也可以通過鍍覆金屬層的前端部分高效地將主體發(fā)光端面附近部分上的熱量傳遞到熱沉。因此,改善了主體的發(fā)光端面附近的散熱性,因而可以避免在發(fā)光端面上COD的產(chǎn)生。


      通過下面給出的詳細(xì)描述和僅通過舉例的附圖將可以更充分地理解本發(fā)明,并且并不旨在限制本發(fā)明,在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器主體部分的示意透視圖;圖2是所述第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的主體的安裝狀態(tài)的示意圖;圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器主體部分的示意透視圖;圖4是所述第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的主體的安裝狀態(tài)的示意圖;圖5是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器主體的示意透視圖;以及圖6是所述現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器的主體的安裝狀態(tài)的示意圖;具體實(shí)施方式
      此后,將通過在附圖中圖示的其實(shí)施例,詳細(xì)描述本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器。
      第一實(shí)施例圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的主要部分的示意透視圖。
      所述半導(dǎo)體激光器具有作為半導(dǎo)體襯底的實(shí)例的n型GaAs襯底101、形成在n型GaAs襯底上并且具有發(fā)射激光的發(fā)光端面150a的主體150、和形成在主體150上的鍍覆金屬層112。
      主體150包括n型GaInP緩沖層102、n型AlGaInP覆層103、量子阱有源層104、p型AlGaInP第一覆層105、和蝕刻停止層106,這些順序形成在n型GaAs襯底101上。
      主體150還包括在蝕刻停止層106上形成的脊條120、在脊條120上形成的p側(cè)接觸電極109、和介質(zhì)膜110,形成介質(zhì)膜110以便覆蓋脊條的側(cè)面,并且介質(zhì)膜110由例如SiO2構(gòu)成。介質(zhì)膜110是電流阻擋層的實(shí)例。
      脊條120由p型AlGaInP第二覆層107和p型GaAs接觸層108構(gòu)成。
      p側(cè)接觸電極109具有通常等于脊條120的寬度(圖1中左右方向的長度)。
      介質(zhì)膜110還覆蓋出現(xiàn)在脊條120兩側(cè)的脊條側(cè)平坦部分121。脊條側(cè)平坦部分121由蝕刻停止層106的上表面(脊條120側(cè)表面)的沒有脊條120的部分形成。
      鍍覆金屬層112由例如Au構(gòu)成。然后,沿腔方向上,發(fā)光端面150a側(cè)鍍覆金屬層112的前端部分112a上的厚度比鍍覆金屬層112的中心部分112b的厚度厚。在前端部分112a和中心部分112b之間的邊界部分,鍍覆金屬層112的層厚度突然變化,由此形成臺階間隙表面112d。臺階間隙表面112d通常沿垂直于n型GaAs襯底101的方向延伸。即臺階間隙表面112d通常與層堆疊方向平行。
      此外,沿腔方向上,鍍覆金屬層112的后端部分112c的厚度,在相對于發(fā)光端面150a側(cè)的其一側(cè)上,通常等于鍍覆金屬層112的中心部分112b的厚度。
      另外,n側(cè)電極113形成于n型GaAs襯底101下。
      下面解釋上述半導(dǎo)體激光器的制造工藝。
      首先,在n型GaAs襯底101上,應(yīng)用外延生長以按以下順序?qū)崿F(xiàn)層的晶體生長n型GaInP緩沖層102、n型AlGaInP覆層103、量子阱有源層104、p型AlGaInP第一覆層105、蝕刻停止層106、p型AlGaInP第二覆層107和p型GaAs接觸層108。
      接著,通過濕法蝕刻部分去除p型第二覆層107和p型GaAs接觸層108,以形成脊條120,脊條120用作光導(dǎo)和電流通道。脊條120既可以用干法蝕刻也可以用濕法蝕刻形成。而且,脊條120可以通過干法蝕刻和濕法蝕刻的組合形成。
      接著,沉積介質(zhì)膜110,從而覆蓋脊條120的側(cè)面和蝕刻停止層106的上面。介質(zhì)膜110不覆蓋脊條120的上表面。介質(zhì)膜110可以通過使用例如SiO2、SiNx和Al2O3的至少一種形成。
      接著,僅在脊條120的上表面形成p側(cè)接觸電極109。
      接著,在整個(gè)晶片上形成鍍覆金屬層112的材料Au。在這種情形,Au被形成,以便具有通常整體相同的層厚度。更具體地,在這種情形,Au的層厚度被設(shè)置在0.5μm至3.0μm的范圍。
      然后,僅在發(fā)光端面150a附近的位置附加形成Au。結(jié)果,獲得了具有目標(biāo)配置的鍍覆金屬層112。在鍍覆金屬層112的上表面上(相對于脊條120側(cè)的一側(cè)的表面)形成陡峭的臺階間隙表面112d。上述附加形成的Au層的厚度被設(shè)置在0.5μm至5.0μm的范圍內(nèi)。結(jié)果,鍍覆金屬層112的前端部分112a的厚度變?yōu)樵?.0μm至8.0μm的范圍內(nèi),并且鍍覆金屬層112的中心部分112b的厚度變?yōu)樵?.5μm至3.0μm的范圍。
      然后,n型GaAs襯底101從其后面?zhèn)缺粧伖猓瑥亩粶p薄,并且隨后在n型GaAs襯底101的后面上形成n側(cè)電極113,然后進(jìn)行芯片的分割。于是,獲得了多個(gè)半導(dǎo)體激光器芯片。
      然后,如在圖2中所示,主體150安裝在具有面對熱沉115的鍍覆金屬層112的熱沉115上。更具體地,鍍覆金屬層112通過AuSn構(gòu)成的焊接材料114連接到熱沉115,并且鍍覆金屬膜112的臺階間隙表面112d與熱沉115的前端面115a在發(fā)光端面115a側(cè)上重疊。結(jié)果,發(fā)光端面150a從熱沉115突出,因而可以避免從發(fā)光端面150a發(fā)出的光被熱沉115遮斷,并且還避免被焊接材料114遮斷,因?yàn)楹附硬牧?14不附著在發(fā)光端面150a上。
      此外,通過將鍍覆金屬層112的臺階間隙表面112d與熱沉115的前端面115a重疊,鍍覆金屬層112的臺階間隙表面112d通過焊接材料114與熱沉115的前端面115a熱接觸。結(jié)果,在主體150的發(fā)光端面150a附近的部分產(chǎn)生的熱量,通過由Au制成的鍍覆金屬層112的前端部分112a,被高效地傳遞到熱沉115,Au具有高導(dǎo)熱性。因此,抑制了發(fā)光端面150a內(nèi)的溫度增加,從而可以避免在發(fā)光端面150a上發(fā)生COD。更具體地,在CW(連續(xù)波)驅(qū)動下,出現(xiàn)COD的光功率變?yōu)?30mW,因而可以進(jìn)行高功率的運(yùn)行。
      另外,在使用均勻厚度的鍍覆金屬層替代鍍覆金屬層112時(shí),在CW(連續(xù)波)驅(qū)動下,出現(xiàn)COD的光功率是300mW。
      第二實(shí)施例圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的主要部分的示意透視圖。在圖3中,與在圖1中所示的相同構(gòu)成部件被指定了與在圖1中所述構(gòu)成部件相同的參考標(biāo)號,并且省略了其描述。
      所述半導(dǎo)體激光器具有n型GaAs襯底101、形成在n型GaAs襯底101上并且具有發(fā)出激光的發(fā)光端面250a的主體250、和形成在主體250上的鍍覆金屬層212。
      主體150包括n型GaInP緩沖層102、n型AlGaInP覆層103、量子阱有源層104、p型AlGaInP第一覆層105、和蝕刻停止層106,這些按順序?qū)盈B在n型GaAs襯底101上。
      主體250還包括在蝕刻停止層106上形成的脊條120、在脊條120上形成的p側(cè)接觸電極109、介質(zhì)膜210和臺地部分241,形成介質(zhì)膜210以便覆蓋脊條120的側(cè)面,臺地部分241形成在脊條120的兩側(cè)。介質(zhì)膜210是電流阻擋層的實(shí)例。
      臺地部分241的每個(gè)由p型AlGaInP第二覆層107和p型GaAs接觸層108構(gòu)成,通常其高度等于脊條120。此外,形成臺地部分241,以便以5μm至100μm的間距與脊條120間隔開。即臺地部分241和脊條120之間的距離是5μm至100μm。
      介質(zhì)膜210覆蓋在脊條120的側(cè)上的各個(gè)臺地部分241的側(cè)面、各個(gè)臺地部分241的上表面、和出現(xiàn)在脊條120兩側(cè)的脊條側(cè)平坦部分221。這些脊條側(cè)平坦部分221由蝕刻停止層106的上表面的(脊條120側(cè)表面)既不是脊條120也不是臺地部分241的部分形成。
      鍍覆金屬層212由例如Au構(gòu)成。鍍覆金屬層212在除了主體250的兩個(gè)側(cè)面附近的部分之外的部分形成。更具體地,鍍覆金屬層212不形成在從主體250的側(cè)面向脊條120的具有5μm至40μm寬度的部分上。
      沿腔方向上,在發(fā)光端面250a側(cè)上鍍覆金屬層212的前端部分212a的厚度比鍍覆金屬層212的中心部分212b厚。在前端部分212a和中心部分212b之間的邊界部分上,鍍覆金屬層212的厚度突然變化,由此形成了臺階間隙表面212d。臺階間隙表面212d通常垂直于n型GaAs襯底101延伸。即臺階間隙表面212d通常平行于層疊方向。
      此外,在相對于發(fā)光端面250a的其一側(cè)上,鍍覆金屬層212的后端部分212c的厚度通常等于鍍覆金屬層212的前端部分212a的厚度。即在相對于發(fā)光端面250a的其一側(cè)上,鍍覆金屬層212的后端部分212c的厚度比鍍覆金屬層212的中心部分212b的厚度大。在后端部分212c和中心部分212b之間的邊界部分上,鍍覆金屬層212的厚度突然變化,由此形成臺階間隙表面212e。臺階間隙表面212e通常垂直于n型GaAs襯底101延伸。即臺階間隙表面212e通常平行于層疊方向。
      上述鍍覆金屬層212如下形成。
      首先,鍍覆金屬層的材料Au被沉積在除了在主體250兩個(gè)側(cè)面附近之外的位置上。更具體地,通過選擇性鍍覆,Au被層疊在除了具有5μm至40μm寬度的從主體250的側(cè)面到脊條120的位置之外的位置。在這種情形,Au被層疊,使得大致厚度均勻。更具體地,在這種情形,Au的層厚度被設(shè)置為0.5μm至3.0μm的范圍內(nèi)。
      接著,僅在發(fā)光端面250a附近的位置和相對于發(fā)光端面250a側(cè)的主體250的一側(cè)上的后端面250b附近附加形成Au。結(jié)果,獲得了具有目標(biāo)配置的鍍覆金屬層212。在鍍覆金屬層212的上表面上形成陡峭的臺階間隙表面212d、212e。上述附加堆疊的Au層的厚度被設(shè)置在0.5μm至5.0μm的范圍內(nèi)。結(jié)果,鍍覆金屬層212的前端部分212a的厚度和鍍覆金屬層212的后端部分212c的厚度變?yōu)樵?.0μm至8.0μm的范圍內(nèi),并且鍍覆金屬層212的中心部分212b的厚度變?yōu)樵?.5μm至3.0μm的范圍。
      雖然如在圖4中所示上述形成的鍍覆層212面對熱沉115固定,但是主體250被安裝在熱沉115上。更具體地,鍍覆金屬層212通過AuSn構(gòu)成的焊接材料114連接到熱沉115,并且鍍覆金屬膜212的臺階間隙表面212d與熱沉115的前端面115a重疊,并且鍍覆金屬膜212的臺階間隙表面212e與熱沉115的后端面115b在相對于發(fā)光端面250側(cè)的一側(cè)重疊。結(jié)果,發(fā)光端面250a從熱沉115突出,因而可以避免從發(fā)光端面150a發(fā)出的光被熱沉115遮斷,并且還避免被焊接材料114遮斷,因?yàn)楹附硬牧?14不附著在發(fā)光端面250a上。
      此外,通過將鍍覆金屬層212的臺階間隙表面212d與熱沉115的前端面115a重疊,鍍覆金屬層212的臺階間隙表面212d通過焊接材料114與熱沉115的前端面115a熱接觸。結(jié)果,主體250的發(fā)光端面250a附近的部分產(chǎn)生的熱量,通過由具有高導(dǎo)熱性的Au制成的鍍覆金屬層212的前端部分212a,被高效地傳遞到熱沉115。因此,抑制了發(fā)光端面250a內(nèi)的溫度增加,從而可以避免在發(fā)光端面250a上發(fā)生COD。
      另外,通過將鍍覆金屬層212的臺階間隙表面212e與熱沉115的后端面115b重疊,鍍覆金屬層212的臺階間隙表面212e通過焊接材料114與熱沉115的前端面115b熱接觸。結(jié)果,在主體250的后端面250b附近的部分產(chǎn)生的熱量,通過由具有高導(dǎo)熱性的Au制成的鍍覆金屬層212的后端部分212c,被高效地傳遞到熱沉115。因此,抑制了主體250的后端面250b內(nèi)的溫度增加,從而可以避免在后端面250b上發(fā)生COD。
      此外,由于主體250和熱沉之間的結(jié)引起端面250b從熱沉115突出,所以可以避免由于焊接材料114附著到后端面250b上產(chǎn)生的電流的短路。
      此外,因?yàn)殄兏步饘賹?12形成于主體兩側(cè)附近部分之外的部分,所以可以避免由于焊接材料114爬上到主體250的側(cè)面而引起的電極短路。因而,可以避免由于電極短路引起的性能故障。
      此外,由于臺地部分241形成在脊條120的兩個(gè)側(cè)面,可以避免在半導(dǎo)體激光器制造工藝中僅使脊條120突出,從而可以避免脊條120在制造過程中損壞。因而,改善了半導(dǎo)體激光器的成品率。
      如上描述了本發(fā)明的實(shí)施例,很明顯本發(fā)明可以用許多方法變化。這樣的變化不應(yīng)被認(rèn)為是脫離了本發(fā)明的精神和范圍,并且對于在本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯見所有這些修改旨在包括在權(quán)力要求的范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體激光器,包括半導(dǎo)體襯底;主體,形成于所述半導(dǎo)體襯底上并且具有用于發(fā)射激光的發(fā)光端面;和鍍覆金屬層,形成于所述主體上,其中沿腔方向上,在發(fā)光端面附近的鍍覆金屬層的前端部分的厚度大于所述鍍覆金屬層的中心部分的厚度。
      2.根據(jù)權(quán)力要求1的所述半導(dǎo)體激光器,其中所述主體包括起電流通道作用的脊條;形成于所述脊條旁邊的平坦部分;和電流阻擋層,形成以便覆蓋所述脊條的側(cè)面和平坦部分,并且所述電流阻擋層由介質(zhì)膜形成。
      3.根據(jù)權(quán)力要求1的所述半導(dǎo)體激光器,其中所述主體包括臺地部分,所述臺地部分通過平坦部分形成在所述脊條的旁邊并且通常等于所述脊條的高度。
      4.根據(jù)權(quán)力要求1的所述半導(dǎo)體激光器,其中所述鍍覆金屬層的后端部分的厚度比所述中心部分的厚度大。
      5.根據(jù)權(quán)力要求1的所述半導(dǎo)體激光器,其中在所述前端部分和中心部分之間的邊界部分上形成臺階間隙表面。
      6.根據(jù)權(quán)力要求4的所述半導(dǎo)體激光器,其中在所述后端部分和中心部分之間的邊界部分上形成臺階間隙表面。
      7.根據(jù)權(quán)力要求5的所述半導(dǎo)體激光器,還包括與所述主體連接從而面對所述鍍覆金屬層的熱沉,其中所述臺階間隙表面與放置所述發(fā)光端面的一側(cè)上的所述熱沉的端面重疊。
      8.根據(jù)權(quán)力要求6的所述半導(dǎo)體激光器,還包括與所述主體連接從而面對所述鍍覆金屬層的熱沉,其中所述臺階間隙表面與相對于放置所述發(fā)光端面?zhèn)壬系钠涠嗣娴臒岢恋膶?cè)端面重疊。
      9.根據(jù)權(quán)力要求1的所述半導(dǎo)體激光器,其中所述鍍覆金屬層形成于主體的兩側(cè)面附近的部分之外。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器。為了避免產(chǎn)生COD,在主體的發(fā)光端面附近的部分改善了散熱性。具有用于發(fā)射激光的發(fā)光端面(150a)的主體(150)形成于半導(dǎo)體襯底,n型GaAs半導(dǎo)體襯底上。沿腔方向上,形成在主體(150)上發(fā)光端面(150a)附近的鍍覆金屬層(112)的前端部分(112a)的厚度比鍍覆金屬層(112)的中心部分(112b)的厚度厚。
      文檔編號H01S5/024GK1851991SQ20061007773
      公開日2006年10月25日 申請日期2006年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月22日
      發(fā)明者國政文枝 申請人:夏普株式會社
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