電致發(fā)光顯示器件及其制造方法

文檔序號：6874406閱讀：158來源：國知局

導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

專利名稱：電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括EL元件的EL顯示器件，所述EL元件由夾在陽極和陰極之間的能夠獲得EL (電致發(fā)光)的有機(jī)發(fā)光材料(后面稱為有機(jī)EL材料)構(gòu)成，所述陽極和陰極形成在基片上，以及制造以EL顯示器件作為顯示部分(顯示器或者顯示監(jiān)視器)的電子裝置(電子設(shè)備) 的方法。應(yīng)該注意上述EL顯示器件也稱為OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)。
背景技術(shù)：
近年來，采用EL元件作為自發(fā)光元件的顯示器件(EL顯示器件) 的研究獲得了發(fā)展，所述自發(fā)光元件利用有機(jī)發(fā)光材料的EL現(xiàn)象。因為EL顯示器件是自發(fā)光類型，它不象液晶顯示器件那樣需要背景光。而且，由于EL顯示器件的視場角較寬，發(fā)現(xiàn)它可以作為戶外使用的移動設(shè)備的理想顯示部分。有兩種類型的EL顯示器件，無源型(簡單矩陣類型)和有源類型 (有源矩陣類型)。兩種類型EL顯示器件的研究正在活躍進(jìn)行。特別地，有源矩陣EL顯示器件目前引起很大的興趣。關(guān)于用于形成發(fā)光層的有機(jī)EL材料正在對低分子有機(jī)EL材料和高分子有機(jī)EL材料(有機(jī) 聚合物EL材料)進(jìn)行研究，所述發(fā)光層可以作為EL元件的芯。高分子有機(jī)EL材料更引人注意，因為它們比低分子有機(jī)EL材料更容易處理，而且具有高耐熱特性。關(guān)于高分子有機(jī)EL材料的薄膜沉積方法，Seiko Epson, Co. Ltd提出的墨噴方法被認(rèn)為最好的方法。日本專利申請公開平10-12377、日本專利申請公開平10-15967和日本專利申請公開平11-54270等可以看作是關(guān)于這一技術(shù)的。然而，在墨噴方法中，高分子有機(jī)EL材料被噴涂在應(yīng)用表面上。因此，如果應(yīng)用表面與墨噴頭噴嘴之間的距離設(shè)置不合適，液滴將被噴射在不需要應(yīng)用的部件上，導(dǎo)致稱為變化曲線的問題發(fā)生。注意關(guān)于變8化曲線的細(xì)節(jié)在上述日本專利申請>^開平11-54270中批露了，其中產(chǎn)生距離噴射定位靶0.5pm或更多的偏差。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題完成了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種高生產(chǎn)率薄膜沉積裝置，用于精確沉積由聚合物制成的有機(jī)EL材料薄膜，而不產(chǎn) 生任何位置偏移。本發(fā)明的再一個目的在于提供一種利用這種裝置的EL 顯示器件及其制造方法。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種利用EL顯示器件作為它的顯示部分的電子設(shè)備。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的特征在于利用分配器式的薄膜沉積裝置把紅、綠、藍(lán)發(fā)光層形成條形。應(yīng)該注意條形包括長寬比為2或更大的長而窄的長方形、長短軸之比為2或更大的長而窄的橢圓形。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多條柵極連線排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的第三象素行。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多條源極連線排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的第三象素行。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、設(shè)置在所述多條柵極連線上方的多個棱、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的第三象素行。
本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、設(shè)置在所述多條源極連線上方的多個棱、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的笫三象素行。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多個設(shè)置成條形的陰極、多個設(shè)置成條形以便與所述多個陰極相交的陽極、以及設(shè)置在所述多個陰極與所述多個陽極之間的多個發(fā)射層，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個陰極排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的第三象素行。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多個設(shè)置成條形的陰極、多個設(shè)置成條形以便與所述多個陰極相交的陽極、設(shè)置在所述多個陰極的間隙內(nèi)的多個棱、以及設(shè)置在所述多個陰極與所述多個陽極之間的多個發(fā)射層，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的第三象素行。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、在所述多條柵極連線或所述多條源極連線之上的多個棱、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的第三象素行；和其中所述多個象素行中的每個象素行包括至少兩個象素和覆蓋所述至少兩個象素的一個光發(fā)射層。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、在所述多條柵極連線之上的多個棱、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至
少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行包括其中形成有紅光發(fā)射層的第一象素行、其中形成有綠光發(fā)射層的第二象素行和其中形成有藍(lán)光發(fā)射層的笫三象素行；和其中所述多個象素行中的每個象素行包括至少兩個象素和覆蓋所述至少兩個象素的一個光發(fā)射層。本發(fā)明還提供了一種電致發(fā)光顯示器件，包括象素區(qū)，具有多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、在所述多條柵極連線或所述多條源極連線之上的多個棱、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，其中所述象素區(qū)包括沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及其中所述多個象素行中的每個象素行包括至少兩個象素和覆蓋所述至少兩個象素的一個光發(fā)射層。其中所述紅光發(fā)射層、所述綠光發(fā)射層和所述藍(lán)光發(fā)射層包括高分子有機(jī)電致發(fā)光材料。其中所述電致發(fā)光顯示器件包括在選自包括如下裝置組的電子裝置中攝象機(jī)，數(shù)碼相機(jī)；防護(hù)鏡型顯示器；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置；個人計算機(jī)；游戲設(shè)備；移動信息終端。本發(fā)明還提供了一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件具有象素區(qū)，包括多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，該方法包括如下步驟形成沿著所述多條柵極連線排列的多個象素行，以及在每個象素行中形成光發(fā)射層，其中所述光發(fā)射層選自包括紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層和藍(lán)光發(fā)射層的組。本發(fā)明還提供了一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件具有象素區(qū)，包括多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，該方法包括如下步驟形成沿著所述多條源極極連線排列的多個象素行，以及在每個象素行中形成光發(fā)射層，其中所述光發(fā)射層選自包括紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層、和藍(lán)光發(fā)射層的組。
本發(fā)明還提供了一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件具有象素區(qū)，包括多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、設(shè)置在所述多條柵極連線上方的多個棱、被所述多條柵極連線和所述多條源極連線包圍的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，該方法包括如下步驟形成沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及在每個象素行中形成光發(fā) 射層，其中所述光發(fā)射層選自包括紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層、和藍(lán)光發(fā)射層的組。本發(fā)明還提供了一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件具有象素區(qū)，包括多條柵極連線、與所述多條柵極連線相交的多條源極連線、設(shè)置在所述多條源極連線上方的多個棱、包圍所述多條柵極連線和所述多條源極連線的至少一個薄膜晶體管、以及電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光元件，該方法包括如下步驟形成沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及在每個象素行中形成光發(fā)射層，其中所述光發(fā)射層選自包括紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層、和藍(lán)光發(fā) 射層的組。本發(fā)明還提供了一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件具有象素區(qū)，包括多個設(shè)置成條形的陰極、多個設(shè)置成條形以便與所述多個陰極相交的陽極、設(shè)置在所述多個陰極與所述多個陽極之間的多個發(fā)射層，該方法包括如下步驟形成沿著所述多個陰極排列的多個象素行，以及在每個象素行中形成光發(fā)射層，其中所述光發(fā)射層選自包括紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層、和藍(lán)光發(fā)射層的一組。本發(fā)明還提供了一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，該電致發(fā)光顯示器件具有象素區(qū)，包括多個設(shè)置成條形的陰極、多個設(shè)置成條形以便與所述多個陰極相交的陽極、設(shè)置在所述多個陰極的間隙內(nèi)的多個棱、以及設(shè)置在所述多個陰極與所述多個陽極之間的多個發(fā)射層，該方法包括如下步驟形成沿著所述多個棱排列的多個象素行，以及在每個象素行中形成光發(fā)射層，其中所述光發(fā)射層選自包括紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層、和藍(lán)光發(fā)射層的一組。其中所述紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層、和藍(lán)光發(fā)射層通過以下步驟形成從分離的噴嘴同時排放將變成所述紅光發(fā)射層的紅光發(fā)射層涂敷液體、將變成所述綠光發(fā)射層的綠光發(fā)射層涂敷液體和將變成所述藍(lán)光發(fā)
射層的藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體，和對排放的所述紅光發(fā)射層涂敷液體、所述綠光發(fā)射層涂敷液體和所述藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體進(jìn)行熱處理。其中至少所述紅光發(fā)射層、所述綠光發(fā)射層和所述藍(lán)光發(fā)射層之一通過對從噴嘴排放的涂敷液體進(jìn)行熱處理形成，而其余的光發(fā)射層通過選自包括旋涂方法、印刷方法和蒸發(fā)方法的方法形成。本發(fā)明還提供了一種形成電致發(fā)光顯示器件的方法，包括如下步驟在基片上形成至少具有兩個相鄰象素的象素區(qū)；以及在相對于所述基片移動所述分配器的過程中從分配器連續(xù)地在所述兩個相鄰象素中進(jìn) 行光發(fā)射層涂敷；其中所述光發(fā)射層涂敷選自包括紅光發(fā)射層涂敷、綠光發(fā)射層涂敷和藍(lán)光發(fā)射層涂敷的一組。本發(fā)明還提供了一種形成電致發(fā)光顯示器件的方法，包括如下步驟在基片上形成至少具有一個象素行的象素區(qū)；以及在相對于所述基片移動所述分配器的過程中從分配器連續(xù)地在所述一個象素行中進(jìn)行光發(fā)射層涂敷；其中所述光發(fā)射層涂敷選自包括紅光發(fā)射層涂敷、綠光發(fā) 射層涂敷和藍(lán)光發(fā)射層涂敷的一組。其中上述方法進(jìn)一步包括在所述光發(fā)射層涂覆步驟之后進(jìn)行熱處理以便形成光發(fā)射層。因此，利用薄膜沉積裝置，發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的三種類型發(fā)光層可以同時形成。因此，由高分子有機(jī)EL材料制成的發(fā)光層可以高生產(chǎn)率形成。此外，不同于墨噴方法，本發(fā)明的方法能夠把條形涂敷液體施加到?jīng)]有間隔的象素行，導(dǎo)致大大提高的生產(chǎn)率。

圖1 A至1C是本發(fā)明的EL有機(jī)材料的應(yīng)用處理的示意圖；圖2是象素區(qū)的截面結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3A至3B分別是象素區(qū)上部結(jié)構(gòu)和構(gòu)成的示意圖；圖4A至4E是EL顯示器件的制造過程的示意圖；圖5A至5D是EL顯示器件的制造過程的示意圖；圖6A至6C是EL顯示器件的制造過程的示意圖；圖7是示出EL顯示器件的外觀示意圖；圖8是示出EL顯示器件的電路方塊結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9是象素區(qū)的放大示意圖；圖IO是EL顯示器件的抽樣電路的元件結(jié)構(gòu)的示意圖11A至11B分別是有源矩陣EL顯示器件的上部結(jié)構(gòu)和截面結(jié)構(gòu) 的示意圖；圖12 A至12B分別是本發(fā)明的有機(jī)EL材料的應(yīng)用處理的示意圖和象素區(qū)的放大示意圖；圖13是無源型EL顯示器件的截面構(gòu)造的示意圖；圖14A和14B是象素區(qū)的放大圖；圖15是無源型EL顯示器件的截面構(gòu)造圖；圖16是本發(fā)明的有機(jī)EL材料的應(yīng)用處理圖；圖17A至17C是示出頭部的噴嘴的排列的視圖；圖18A至18F是電子設(shè)備的具體例子的視圖；圖19A和19B是電子設(shè)備的具體例子的視圖；圖20是有源矩陣EL顯示器件的截面構(gòu)造圖；圖21A和21B是基片的粘接過程的視圖；圖22A和22B是基片的分離過程的視圖；圖23是有源矩陣EL顯示器件的截面構(gòu)造圖；圖24A至24C是EL顯示器件的象素的組成的視圖；圖25A和25B分別是電流控制TFT的結(jié)構(gòu)和象素組成的視圖。
具體實施方式
本發(fā)明的薄膜沉積裝置示于圖1中。圖l是示出當(dāng)實施本發(fā)明時由7i共軛基聚合物制成的有機(jī)EL材料的薄膜沉積狀態(tài)的示意圖。在圖1A中象素區(qū)111、源極側(cè)驅(qū)動器電路112、以及柵極側(cè)驅(qū)動電路113都由TFT形成，它們被形成在基片10上。被多根連接到源極側(cè)驅(qū)動器電路112上的源極連線和多根連接到柵極側(cè)驅(qū) 動電路113上的柵極連線包圍的區(qū)域是一個象素。TFT和電連接到TFT 上的EL元件形成在象素內(nèi)。因此，象素區(qū)111由排列成矩陣的這樣的象素形成。這里，參考標(biāo)號114a表示發(fā)紅光的有機(jī)EL材料和溶劑(后面稱為紅光發(fā)射層涂敷液體)的混合物；參考標(biāo)號114b表示發(fā)綠光的有機(jī)EL 材料和溶劑(后面稱為綠光發(fā)射層涂敷液體)的混合物；而參考標(biāo)號114c 表示發(fā)藍(lán)光的有機(jī)EL材料和溶劑(后面稱為藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體)的混合物。注意對于這些涂敷液體，聚合物是有機(jī)EL材料，有將聚合材料直接溶解到溶劑中以便應(yīng)用的方法，或者完成熱聚合到材料上的方
法，這是通過把羊體溶解到溶劑中然后進(jìn)行薄膜沉積形成的，以便形成^ 聚合物。無論哪種方法在本發(fā)明都可以使用。利用處理成聚合物或溶解在溶劑中的有機(jī)EL材料的例子在這里示出。在本發(fā)明的情況下，紅光發(fā)射層涂敷液體U4a、綠光發(fā)射層涂敷液體114b和藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體114c分別從薄膜沉積裝置中排放出來并沿著箭頭所示方向施加。換句話說，在將發(fā)紅光的象素行、將發(fā)綠光的象素行和將發(fā)藍(lán)光的象素行中，同時形成條形發(fā)光層(嚴(yán)格地說是發(fā)光層母體)。注意這里說的象素行表示棱121分隔開的一行象素，所述棱121形成在源極連線上部。也就是說，包括多個沿著源極連線串聯(lián)排列的一行象素稱為象素行。這里介紹棱121形成在源極連線上部的情況，但是棱 121也可以設(shè)置在柵極連線的上部。在這種情況下，包括多個沿著柵極連線串聯(lián)排列的一行象素稱為象素行.因此，象素區(qū)111可以看作是被設(shè)置在多根源極連線或柵極連線上部的條形棱分開的多個象素行組件。當(dāng)這樣看待象素行時，也可以說象素區(qū)111由其中形成有發(fā)紅光的條形發(fā)光層的象素行、其中形成有發(fā)綠成。而且，因為上述條形棱設(shè)置在多根源極連線或柵極連線的上部，實質(zhì)上，象素區(qū)111也可以看作被源極連線或柵極連線分開的多個象素行裝置。然后，在圖1B中示出當(dāng)完成圖1A中所示的應(yīng)用處理之后薄膜沉積裝置的頭部(也可以稱為排放部)的狀態(tài)。參考標(biāo)號115表示薄膜沉積裝置的頭部，其中用于紅色的噴嘴 116a、用于綠色的噴嘴116b和用于藍(lán)色的噴嘴116c連接在上面。而且，紅光發(fā)射層涂敷液體U4a、綠光發(fā)射層涂敷液體114b和藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體114c存儲在各自的噴嘴內(nèi)。向填充有惰性氣體的管117施加壓力以便把這些涂敷液體排放到象素區(qū)111。向著圖的前方沿著限定空間在垂直方向上掃描頭部115從而完成圖1A所示的應(yīng)用處理。注意在本發(fā)明的說明書中，頭部表示為被掃描。特別地，利用X-Y 平臺在垂直或水平方向移動基片。這樣，頭部相對在垂直或水平方向上掃描基片。當(dāng)然，可以固定基片以便頭部本身完成掃描。然而從穩(wěn)定的角度看，首選的方法是移動基片。圖1C是參考標(biāo)號118表示的排放部附近的放大示意圖。形成在基片110上的象素區(qū)lll是包括多個TFT119a至119c和多個象素電極120a 至120c的多個象素裝置。在圖1B中，當(dāng)噴嘴116a至116c被惰性氣體加壓時，由于這一壓力，涂敷液體114a至114c將從噴嘴116a至116c 排出。注意樹脂材料形成的棱121設(shè)置在象素之間的間隙內(nèi)以便阻止涂敷液體混合到象素之間的間隙內(nèi)。在這一結(jié)構(gòu)中，使得棱121的寬度(由光刻工藝的分辨率確定)很窄以便象素區(qū)的集成化程度提高，從而可以獲得高分辨率圖象。特別地，在涂敷液體的粘度在1至30cp的情況下是有效的。然而，如果涂敷液體的粘度為30cp或更大，或者如果涂敷液體呈溶膠或凝膠形式，那么可以在結(jié)構(gòu)上省去棱。換句話說，只要在施加涂敷液體之后涂敷液體和應(yīng)用表面之間的接觸角足夠大，涂敷液體就不會不必要地擴(kuò)散。因此，不需要設(shè)置防止涂敷液體不必要擴(kuò)散的棱。在這種情況下，發(fā)光層的最終形狀將形成為卯形(長而窄的橢圓型，長短軸之比為2或更大)，通常長而窄的橢圓型從象素區(qū)的一端延伸到另一端。關(guān)于形成棱121的樹脂材料可以使用丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺以及聚伊末酰胺(polyimeamide)。如果事先在這些樹脂材料中提供碳或黑色填料或類似物質(zhì)以便使得樹脂材料發(fā)黑，那么可以使用棱121作為象素之間的遮光膜。此外，通過把利用光反射鏡的傳感器連接在靠近噴嘴116a、 116b和 116c中任何一個頂部，可以調(diào)整應(yīng)用表面與噴嘴之間的距離以便總是保持固定距離。而且，提供用于調(diào)整噴嘴ll&至116c之間對應(yīng)于象素間距(象素之間的距離)的間隙的機(jī)構(gòu)允許把噴嘴應(yīng)用到具有任何象素間距的EL顯示器件。這樣，施加從噴嘴116a至116c排出的涂敷液體114a至114c以便覆蓋各個象素電極120a至120c。在施加完涂敷液體114a至114c之后，在真空中進(jìn)行熱處理(烘干處理或高熱處理)以便揮發(fā)掉包含在涂敷液體114a至114c中的有機(jī)溶劑，從而形成由EL有機(jī)材料制成的發(fā)光層。因此，使用在低于EL有機(jī)材料玻璃化溫度(Tg)的溫度下?lián)]發(fā)的有機(jī) 溶劑。而且，最終形成的發(fā)光層的薄膜厚度由EL有機(jī)材料的粘度確定。
在這種情況下，雖然可以通過選擇有機(jī)溶劑或者添加劑調(diào)整粘度，但是優(yōu)選粘度在1至50cp之間(最好是在5至加cp之間)。如果在有機(jī)EL材料中有許多易于變成結(jié)晶晶核的雜質(zhì)，當(dāng)揮發(fā)有機(jī)溶劑時結(jié)晶有機(jī)EL材料的可能性變大。當(dāng)有機(jī)EL材料結(jié)晶之后，發(fā)光效率降低，因此是不希望的。希望有機(jī)EL材料中盡可能不含有雜質(zhì)。為了減少雜質(zhì)，溶劑和EL有機(jī)材料被高度提純，而且當(dāng)把溶劑與 EL有機(jī)材料混合時保持環(huán)境盡可能地清潔很重要。對于溶劑和EL有機(jī) 材料的提純，最好反復(fù)進(jìn)行諸如蒸發(fā)、升華、過濾、再結(jié)晶、再沉淀、色譜法、滲析法等工藝。希望最終把諸如金屬元素和堿金屬元素的雜質(zhì) 減少到0.1ppm或更少(最好是0.01卯m或更少)。此外，最好在施加利用圖1所示的薄膜沉積裝置形成的含有EL有機(jī)材料的涂敷液體時對環(huán)境給予足夠的重視。更具體地說，希望上述EL 有機(jī)材料的薄膜沉積在填充諸如氮?dú)獾亩栊詺怏w的潔凈室和在手套式工作箱中進(jìn)行。下面將參考圖2、 3A和3B描述本發(fā)明的幾個實施例。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的EL顯示器件中的象素區(qū)的截面圖。圖3A示出象素區(qū)的頂視圖，圖3B示出它的電路結(jié)構(gòu)。在實際結(jié)構(gòu)中，象素被布置在多條線中以便形成矩陣，從而形成象素區(qū)(圖象顯示部分)。圖2示出沿著圖3A 中的線A-A'剖開的截面圖。因此，在這兩個圖中相同的元件通常使用相同的參考標(biāo)號表示，而且理解該結(jié)構(gòu)最好同時參考這兩個圖。此外，在圖3A中的頂視圖中示出的兩個象素具有相同的結(jié)構(gòu)。在圖2中，參考標(biāo)號ll表示基片，而12表示基本絕緣膜(后面稱為基膜)。關(guān)于基片11，可以使用玻璃基片、玻璃陶瓷基片、石英基片、硅基片、陶瓷基片、金屬基片、或者塑料基片(包括塑料膜)。此夕卜，基膜12對于包括活動離子的基片或具有導(dǎo)電性的基片尤其有益，但是對于石英基片就不必設(shè)置。關(guān)于基膜12，可以使用含有硅的絕緣膜。在本說明書中，"含有硅的絕緣膜，，是指含有預(yù)定比例的硅和氧或氮的絕緣膜，具體地說，是指氧化硅膜、氮化硅膜、或者氮氧化硅膜 (表示為SiOxYy)。最好為基膜12提供熱輻射功能以便擴(kuò)散掉TFT中產(chǎn)生的熱量，目的是防止TFT或者EL元件損壞?？梢岳萌魏我阎牟牧咸峁彷椛涔δ堋Ｔ谠摾又?，在一個象素中具有兩個TFT。 TFT201作為開關(guān)元件 (后面稱為開關(guān)TFT)，而TFT202作為電流控制元件，用于控制流經(jīng) EL元件的電流量(后面稱為電流控制TFT) 。 TFT 201和202 二者都由n溝道TFT構(gòu)成。因為n溝道TFT的場效應(yīng)遷移率比p溝道TFT的場效應(yīng)遷移率高，所以n溝道TFT能夠以較高速率工作和接收大量電流。而且，與p溝道 TFT相比相同的電流量可以流經(jīng)較小尺寸的n溝道TFT。因此，最好使用n溝道TFT作為電流控制TFT，因為這樣導(dǎo)致顯示部分的有效發(fā)光表面面積提高。p溝道TFT具有優(yōu)點(diǎn)，例如其中熱載流子的注入幾乎不成為問題，而且截止電流小。這樣，已經(jīng)有報道p溝道TFT用作開關(guān)TFT或電流控制TFT的結(jié)構(gòu)。然而，在本發(fā)明中，通過提供LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)，即使在n溝道TFT中也能克服關(guān)于熱載流子的注入和小截止電流的問題。因此，象素中的所有TFT可以由n溝道TFT構(gòu)成。然而，本發(fā)明并不限于開關(guān)TFT和電流控制TFT由n溝道TFT構(gòu) 成的情況。開關(guān)TFT和電流控制TFT 二者或其中之一可以使用p溝道 TFT。開關(guān)TFT 201形成為具有源區(qū)13、漏區(qū)14、包括LDD區(qū)15a至15d 的有源層、高濃度雜質(zhì)區(qū)16及溝道形成區(qū)17a和17b、柵極絕緣膜18、柵極19a和19b、第一層間絕緣膜20、源極連線21、以及漏極連線22。此外，如圖3A和3B所示，柵極19a和19b通過不同材料制成(比柵極19a和19b的電阻率低)的源極連線211彼此電連接，從而形成雙源極結(jié)構(gòu)。當(dāng)然不僅可以使用雙源極結(jié)構(gòu)，也可以使用所謂的多源極結(jié) 構(gòu)(包括有源層的結(jié)構(gòu)，其中含有兩個或多個溝道形成區(qū)，彼此串聯(lián))，諸如三源極結(jié)構(gòu)。多源極結(jié)構(gòu)對于降低截止電流十分有益。根據(jù)本發(fā)明，具有低截止電流的開關(guān)元件可以通過使得象素中的開關(guān)元件201具有多源極結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。此外，有源層由包括晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜形成。它可以是單晶半導(dǎo) 體膜、多晶半導(dǎo)體膜、或微晶半導(dǎo)體膜。柵極絕緣膜18可以由含有硅的絕緣膜形成。而且，任何類型的導(dǎo)電膜可以用作柵極、源極連線或者漏
極連線。而且，在開關(guān)TFT 201中，LDD區(qū)15a至15d設(shè)置成不覆蓋柵極19 a和19b。這樣的結(jié)構(gòu)對于降低截止電流是十分有益的。為了降低截止電流，更好地是在溝道形成區(qū)和LDD區(qū)之間設(shè)置偏置區(qū)(由與溝道形成區(qū)相同組分的半導(dǎo)體層制成，而且上面不加?xùn)烹妷?。此外，在具有兩個或多個柵極的多柵極結(jié)構(gòu)的情況下，位于溝道形成區(qū)之間的高濃度雜質(zhì)區(qū)對于減低截止電流是有效的。如上所述，如果多柵極結(jié)構(gòu)TFT用作象素的開關(guān)TFT201，可以大大降低截止電流。換句話說，低截止電流意味著施加到電流控制TFT的柵極上的電壓可以保持較長時間。因此，用于保持電位的電容器，諸如圖2中所示的日本專利申請公開平10-189252中所描述的電容器，可以制成較小，而且即使省去，也可以保持能夠保持電流控制TFT的柵電壓直到下一個記錄周期的優(yōu)點(diǎn)。然后，電流控制TFT 202形成為具有源區(qū)31、漏區(qū)32、包括LDD 區(qū)33和溝道形成區(qū)34的有源層、柵極絕緣膜18、柵極35、第一層間絕緣膜20、源極連線36、以及漏極連線37。雖然所示柵極35具有單柵極結(jié)構(gòu)，它也可以具有多柵極結(jié)構(gòu)。如圖2所示，開關(guān)TFT 201的漏極連接到電流控制TFT 202的柵極上。更具體地說，電流控制TFT202的柵極35通過漏極連線22電連接到開關(guān)TFT201的漏區(qū)14上。而且，源極連線36連接到電源線212上 (見圖3A)。電流控制TFT 202是用于控制將注入到EL元件203中的電流量的器件。然而，考慮到可能損壞EL元件，最好不允許大量電流流入。因此，為了防止超載電流流經(jīng)電流控制TFT 202 ，最好它的溝道長度(L) 設(shè)計成較長。希望溝道長度(L)設(shè)計成每個象素0.5至2pm (最好是1 至l,5fim)長。從上面的描述來看，如圖9所示，開關(guān)TFT的溝道長度L1 (其中 Ll=Lla+ Lib)和溝道寬度W1以及電流控制TFT的溝道長度L2和溝道寬度W2最好如下設(shè)置Wl在0.1至5pm (通常是0.5至2)tim)范圍內(nèi)；W2在0.5至lOjum (通常是2至5|iim)范圍內(nèi)；Ll在0.2至18|um (通常是2至l5|um )范圍內(nèi)；以及L2在1至SO^im(通常是10至30)am ) 范圍內(nèi)。然而，本發(fā)明并不限于上述數(shù)值。將形成在開關(guān)TFT 201內(nèi)的LDD區(qū)的長度(寬度)設(shè)置在0.5至 3.5pm范圍內(nèi)，通常是2.0至2.5miu范圍內(nèi)。如圖2所示的EL顯示器件的特征在于LDD區(qū)33設(shè)置在電流控制 TFT 202的漏區(qū)32和溝道形成區(qū)34之間，而且部分LDD區(qū)33通過柵極絕緣膜18覆蓋柵極35。為了電流控制TFT 202提供電流使得EL元件204發(fā)光，最好采取措施防止由于熱栽流子注入而產(chǎn)生的損壞，如圖2中所示。注意到為了抑制截止電流的數(shù)值，形成LDD區(qū)是有效的，以便于和柵極的一部分重疊。在這種情況下，與柵極重疊的區(qū)域抑制熱栽流子的注入，而且不與柵極重疊的區(qū)域阻止了 OFF電流值。重疊柵極的LDD區(qū)的長度在這點(diǎn)上可以是O.ljam到3|iim (最好在 (Uiam到l.5i_im)，而且，在提供不與柵極重疊的LDD區(qū)域的情況下， LDD區(qū)域的長度可以是1.0|um到3.5)um(最好在1.5)um和2.0|Lim之間)。也可以使用寄生電容(也稱做柵電容)作為用于保持電勢(保持電荷)的電容，寄生電容在柵極和通過柵絕緣膜與柵極重疊的LDD區(qū)域之間的區(qū)域形成的。在本實施例里，形成在圖2中示出的LDD區(qū)域33，從而在柵極35和LDD區(qū)域33之間形成柵電容。這個用來保持電勢的柵電容(如在圖2中所示)在日本專利申請公開平10-189252中公開了。當(dāng)然，如果做一個專用電容也沒有關(guān)系。然而，采用諸如本發(fā)明的結(jié)構(gòu)形成電容，能夠在極小的區(qū)域里形成保持電勢的電容，而且能夠提高象素的有效發(fā)光表面面積(能夠取出EL元件發(fā)射的光的表面面積)。對于電流控制TFT202而言，載流子(這里是電子)的流動方向總是相同的，因此作為阻止熱載流子的措施，僅在漏區(qū)形成LDD區(qū)就足夠了。從盡可能地增加電流量的觀點(diǎn)考慮，增加電流控制TFT 202的有源層的薄膜厚度(特別地，在溝道形成區(qū)的厚度)也是有效的(較好在50 到lOOnm的范圍內(nèi)，更好是在60到80nm的范圍內(nèi))。另一方面，對于開關(guān)TFT 201的情況，從減小OFF電流的觀點(diǎn)考慮，降低電流控制 TFT 202的有源層(特別地，在溝道形成區(qū)的厚度)的薄膜厚度也是有效的(最好在20到50nm的范圍內(nèi)，更好是在25到40nm的范圍內(nèi))。進(jìn)一步，在本實施例中，電流控制TFT202表示為羊柵極結(jié)構(gòu)。然而，它也可以是串聯(lián)在一起的許多TFT組成的多柵極結(jié)構(gòu)。而且，電流
控制TFT也可具有這樣的結(jié)構(gòu)多個TFT按行(并行)連接在一起，實質(zhì)上將溝道形成區(qū)分割成許多區(qū)域，從而進(jìn)行高效熱輻射。這樣的結(jié) 構(gòu)作為防止熱造成惡化的措施是有效的。下面，參考標(biāo)號38表示笫一鈍化膜，它的薄膜厚度可以形成在10nm 到l|am之間(最好在200和500nm之間)。含有硅的絕緣膜(尤其是氮氧硅薄膜或氮化硅薄膜優(yōu)選)可用作該薄膜的材料。而且，形成第一鈍化膜38是有效，以便具有高的熱輻射效應(yīng)。形成在第一鈍化膜38上的第二層間絕緣膜39(調(diào)平膜)起到對TFT 形成的階梯部分調(diào)平的作用。最好用有機(jī)樹酯膜作為第二層間絕緣薄膜 39，并可以使用如聚醜亞胺、聚酰胺、丙稀酸或BCB (苯并環(huán)丁烷)。當(dāng)然只要能夠足夠調(diào)平，也可以使用無機(jī)薄膜。由第二層間絕緣膜39調(diào)平TFT內(nèi)部的階梯部分是極其重要的。后面形成的EL層很薄，因此有由于階梯區(qū)的存在而導(dǎo)致弱亮度的情況。因此最好在形成象素電極之前進(jìn)行調(diào)平，以便能夠在盡可能平的表面上形成EL層。參考標(biāo)號40表示由高反射導(dǎo)電膜構(gòu)成的象素電極(EL元件的陰極)。在打開第二層間絕緣膜39和第一鈍化膜38中的接觸孔(開孔) 后，形成象素電極40以便于在形成的開口區(qū)域內(nèi)連接到電流控制TFT 202的漏極連線37。最好使用諸如鋁合金和銅合金低阻抗導(dǎo)電膜作為象素電極40。當(dāng)然，它也可以是具有其它導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)。光發(fā)射層42是由如圖1中所示的薄膜沉積裝置的設(shè)備形成。注意到，雖然在圖中只示出了一個象素，相應(yīng)于各個顏色R(紅)、G(綠) 和B (藍(lán))的光發(fā)射層是同時形成的。高分子材料用作有機(jī)EL材料的光發(fā)射層。諸如下面的聚合物可以作為典型的高分子材料聚對次笨基亞乙烯(PPV)基的材料；聚乙烯^t唑(PVK)基的材料以及聚努基的材料。注意有各種類型的PPV基有機(jī)EL材料。已經(jīng)報道有如下的分子式。(H.Shenkj H.becker， O.Gelsen， E.Klugn， W.Kreuder和H. Spreitzer， "聚合物發(fā)光二極管(Polymers for Light Emitting Diodes )，，， Euro Display, Proceedings, 1999， pp.33-37)化合物l (化合物的結(jié)構(gòu)式見說明書最后一頁)化合物2
進(jìn)一步，也可以使用日本申請專利公開號10-92S76中公開的(聚亞苯基亞乙烯)分子式。分子式變成如下化合物3 化合物4而且，象PVK基有機(jī)EL材料的分子式一樣，有一個類似下面的分子式?；衔?高分子有機(jī)EL材料的使用可以通過在它處于聚合物狀態(tài)時將高分子有機(jī)EL材料溶解在溶劑中，或它在單體狀態(tài)時將高分子有機(jī)EL材料溶解在溶劑中，然后進(jìn)行聚合反應(yīng).在使用處于單體狀態(tài)的高分子有機(jī)EL材料的情況下，首先，形成聚合物母體，而后在真空中進(jìn)行加熱處理從而把它聚合成聚合物。作為一個具體的光發(fā)射層，氰基對次苯基亞乙烯可以用作發(fā)紅色光的光發(fā)射層；對次苯基亞乙烯作為發(fā)綠光的光發(fā)射層；而聚次苯基亞乙烯或聚乙醇亞乙基作為發(fā)藍(lán)光的光發(fā)射層。光發(fā)射層的薄膜厚度可以形成在30到150nm之間(最好在40到100nm之間)。而且，將熒光物質(zhì)(典型地是香豆酮6、紅熒烯(rublene)、尼羅紅、DCM、喹亞啶酮等)摻雜到光發(fā)射層中，以便把熒光物質(zhì)傳送到發(fā) 光中心，因而可獲得理想的發(fā)光。任何所知道的熒光物質(zhì)都可使用。然而，上面例子只是一些可以用作本發(fā)明的光發(fā)射層的有機(jī)EL的范例，絕對沒有必要將EL材料僅限于這些。在本發(fā)明中，采用圖1中示例的方法使用有機(jī)EL材料和溶劑的混合物。將溶劑揮發(fā)掉，因而去掉溶劑以便形成光發(fā)射層。因此，在揮溶劑發(fā)過程中，不超過光發(fā)射層的玻璃化溫度的任何類型的有機(jī)EL材料的組合都可以使用。引用三氯曱烷、二氯甲烷、Y丁基內(nèi)酯、丁基乙二醇一乙醚或NMP (N-曱基-2-吡咯烷酮)作為典型的溶劑。添加添加劑對于提高涂敷液體的粘度有效。而且，當(dāng)形成光發(fā)射層42時，處理氣體是干燥氣體，濕度盡可能小，理想地，這個形成過程在惰性氣體中進(jìn)行。EL層很容易地由于潮濕和氧氣的存在而變差。因此，當(dāng)形成EL層時，應(yīng)盡可能地消除這些因素。比如，最好在氣體諸如干燥氮?dú)夂透稍餁鍤庵?。為了達(dá)到此目的，圖1 中的薄膜沉積裝置安裝在充滿惰性氣體的清潔室里。理想地是光發(fā)射層
的薄膜沉積過程在這樣的氣體中進(jìn)行。如果按照上面的方式形成光發(fā)射層42，下一步將是形成空穴注入層 43。本實施例方式采用聚噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PAni)作為空穴注入層43。由于這些材料是水溶性的，光發(fā)射層可以42不必溶解而形成，而且它的膜厚度可以在5到30rnn之間(最好在10到20nm之間)。由透明的導(dǎo)電膜構(gòu)成的陽極44形成在空穴注入層43上。在本發(fā)明實施例模式中，光發(fā)射層42發(fā)出的光發(fā)射到上側(cè)面(朝TFT頂部的方向)。這樣，陽極必須有光透射特性。氧化銦和氧化錫的混合物以及氧化銦和氧化鋅的混合物可用作透明導(dǎo)電膜。然而，由于透明導(dǎo)電膜是在光發(fā)射層和空穴注入層形成之后形成的，光發(fā)射層和空穴注入層具有低的熱阻，可以在盡可能低的溫度下形成在此層膜中的材料是優(yōu)選的。EL元件203是在形成陽極44的點(diǎn)處完成。注意到EL元件203這里表示由象素電極(陰極)40、空穴注入層43、光發(fā)射層42以及陽極 44形成的電容。正如在圖3中所示，由于象素電極40幾乎與象素的表面面積一致，所以整個象素作為EL元件。因此，發(fā)光的使用效率極高，使得能夠顯示更明亮的圖象。而且，在本發(fā)明的實施例模式中，象素電極40形成為使得它的結(jié)構(gòu) 是陰極結(jié)構(gòu)。因此，光發(fā)射層產(chǎn)生的光全部發(fā)射到陽極一側(cè)。然而與EL 元件的結(jié)構(gòu)相反，還可以形成象素電極使得它的結(jié)構(gòu)與由透明導(dǎo)電膜構(gòu) 成的陽極的結(jié)構(gòu)相同。在這種情況下，由于光發(fā)射層產(chǎn)生的光也發(fā)射到陽極一側(cè)，所以從基片ll側(cè)也可以觀察到光。在本發(fā)明的實施例模式中，在陽極44上進(jìn)一步提供了第二鈍化膜 45。對于第二鈍化膜45，最好是氮化硅膜或氮氧硅薄膜。這樣做的目的是將EL元件與外界屏蔽，有兩個意義，一個是阻止由于氧化造成的有機(jī)EL元件的惡化，另一個是抑制從有機(jī)EL材料中泄漏氣體。因此，可以提高EL顯示器件的可靠性。本發(fā)明的EL顯示器件有一個包含圖2中所示結(jié)構(gòu)的象素的象素區(qū)，而且響應(yīng)于它們的作用的不同結(jié)構(gòu)的TFT排列在象素內(nèi)。OFF電流值足夠低的開關(guān)TFT和一個熱載流子注入很強(qiáng)的電流控制TFT可以在同一個象素內(nèi)形成，這樣具有高可靠性并能夠4艮好地顯示圖象(高操作性能)的EL顯示器件就形成了。注意到，雖然在本發(fā)明的實施例方式中，平面TFT的結(jié)構(gòu)表示為采
用頂柵極TFT的例子，但是底柵極TFT (典型地反交錯TFT)也可以使用。本發(fā)明的特征在于有機(jī)EL元件的薄膜沉積方法，而排列在象素內(nèi)的TFT的結(jié)構(gòu)不受限制。實施例1采用圖4A到圖6C來解釋本發(fā)明的實施例。這里介紹了同時制造象素區(qū)、以及在象素區(qū)周邊形成的驅(qū)動電路部分的TFT的方法。注意為了簡化說明，CMOS電路被表示為驅(qū)動電路的基本電路。首先，如圖4A所示，厚度為300nm的基膜301在玻璃基片300上形成。在實施例1中氮氧硅薄膜疊層作為基膜301。此時，適當(dāng)設(shè)置接觸玻璃基片300的薄膜中的氮濃度在10到25%之間。另外，基膜301 具有熱輻射效應(yīng)是有效的，而且也可以提供DLC (類金剛石碳)薄膜。下面，用已知的沉積方法在基膜301上形成非晶態(tài)硅膜(在圖中為示出)，其厚度為50nm。注意這不必局限在非晶態(tài)珪膜上，也可以形成其它膜，只要是包含非晶態(tài)結(jié)構(gòu)(包括微晶半導(dǎo)體薄膜)的半導(dǎo)體薄膜。另外，也可以使用包含非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的復(fù)合半導(dǎo)體薄膜，諸如非晶態(tài) 硅鍺薄膜。而且膜厚度可以在20到100nm的范圍內(nèi)。然后，用已知的技術(shù)將非晶態(tài)硅膜結(jié)晶形成晶體硅膜(也稱做多晶硅膜或多晶硅膜)302。使用電爐的熱結(jié)晶法、采用激光的激光退火結(jié)晶法和使用紅外燈的燈退火結(jié)晶法都是已知的結(jié)晶方法。在實施例1中的結(jié)晶處理使用的是準(zhǔn)分子激光器，它使用XeCl氣體。注意，在實施例1中使用形成線狀的脈沖發(fā)射準(zhǔn)分子激光，但是也可以使用長方形，也可以使用連續(xù)發(fā)光的氬激光和連續(xù)發(fā)光的準(zhǔn)分子激光。在本實施例中，雖然結(jié)晶硅膜用做TFT的有源層，用非晶態(tài)硅膜也是可以的。注意，形成開關(guān)TFT的有源層是有效的，這里必須通過非晶態(tài)硅膜來降低截止電流，并且通過結(jié)晶硅膜形成電流控制TFT的有源層。電流在非晶態(tài)硅膜中流動是困難的，因為載流子的遷移率低，而且截止電流不易流動。換句話說，可以最大限度地利用非晶態(tài)硅膜和結(jié)晶硅膜的好處，電流不易流過前者，而電流容易流過后者。下面，如圖4B中所示，在結(jié)晶硅膜302上用氧化硅膜形成厚度為 l;30nm的保護(hù)膜303。厚度可在100到200nm的范圍內(nèi)選擇(最好在130
到170nm之間)。而且，也可以使用其它薄膜，只要它們是包含硅的絕緣膜。形成保護(hù)膜303使得在添加雜質(zhì)時結(jié)晶硅膜不直接地暴露在等離子體中，而且使得能夠精細(xì)地控制雜質(zhì)的濃度。而后抗蝕掩膜304a和304b在保護(hù)膜303上形成，并添加雜質(zhì)元素，雜質(zhì)元素具有n型導(dǎo)電性(以后稱為n型雜質(zhì)元素)。注意到，元素周期表族15中的元素一般地用做n型雜質(zhì)元素，典型地可以使用磷或砷。注意采用的是等離子體摻雜方法，其中在實施例1中磷化氫(PH3)是等離子體激活的，并且沒有質(zhì)量分離，而且磷的摻雜濃度為1*1018個原子/c邁3。當(dāng)然也可以采用離子注入的方法，其中需要進(jìn)行質(zhì)量分離。調(diào)節(jié)劑量使得n型雜質(zhì)區(qū)305和306中含有n型雜質(zhì)元素，這樣通過這一過程，濃度為2*1016到5*1019個原子/cm3 (典型地在5*1017到 5*1018個原子/0113之間)。下面，如圖4C中所示，去掉保護(hù)膜303，并激活添加的n型雜質(zhì)元素。已知的激活技術(shù)可用作激活的手段，但是在實施例1中激活采用的是準(zhǔn)分子激光輻射的方法。當(dāng)然，可以使用脈沖發(fā)射準(zhǔn)分子激光和連續(xù) 發(fā)射準(zhǔn)分子激光，對準(zhǔn)分子激光的使用不必有任何限制。目標(biāo)是激活添加的雜質(zhì)元素，所以最好在不使結(jié)晶硅膜融化的能級上實施輻射。注意到激光輻射也可以在存在保護(hù)膜303情況下進(jìn)行。采用熱處理(爐子退火)激活也可以和激光對雜質(zhì)元素的激活同時進(jìn)行。當(dāng)采用熱處理激活時，考慮到基片的熱阻，最好在450TC到550 t:的數(shù)量級上進(jìn)行熱處理。在n型雜質(zhì)區(qū)305和306的周圍，連同n型雜質(zhì)區(qū)305和306末端部分的邊緣區(qū)(連接區(qū))，即沒有填充n型雜質(zhì)元素的區(qū)域，被該處理過程勾劃出來。這意味著，當(dāng)后面完成TFT時，在這一點(diǎn)上可以在LDD 區(qū)和溝道形成區(qū)之間可以形成相當(dāng)良好的連接部分。然后把結(jié)晶硅膜的不必要部分去掉，如圖4D中所示，并形成島形半導(dǎo)體膜(后面稱為有源層)307到310。如圖4E中所示，而后形成覆蓋有源層307到310的柵極絕緣膜311。包含硅、其厚度為10到200nm (最好在50nm和150nm之間)的絕緣薄膜可以用作柵極絕緣層311?？刹捎脝螌咏Y(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。在實施例l 中使用的是110nm厚的氮氧硅膜。后來，形成200nm到400nm厚的導(dǎo)電膜并成型以便形成柵極312 到316。在本實施例中，柵極和用來電連接到柵極以便提供導(dǎo)電通路的連線(后面稱為柵極連線)是由互不相同的材料作成的。更具體地講，柵極連線由電阻率比柵極低的材料制成。這樣，可以精細(xì)處理的材料用于柵極，而柵極連線是由具有更小的導(dǎo)線電阻但不適合精細(xì)處理的材料構(gòu)成。當(dāng)然可以用同樣的材料制作柵極和柵極連線。雖然柵極可以由單層導(dǎo)電層構(gòu)成，但是如果需要，柵極最好是由兩層、三層或更多層形成疊層膜。任何已知的導(dǎo)電材料可以用于柵極。然而，應(yīng)當(dāng)注意到，最好使用能夠精細(xì)處理的材料，更具體地講，可構(gòu)圖為線寬2nm或更窄的材料.典型地，可以采用選自下面所述的元素作成的薄膜鉭(Ta)、鈦 (Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、和硅(Si)，上面元素的氮化物薄膜(典型地，氮化鉭薄膜，氮化鴒薄膜，或氮化鈦薄膜)，上面元素組合的合金膜(典型地，Mo-W合金或Mo-Ta合金)，或上面元素的硅化物薄膜(典型地，硅化鵠薄膜或硅化鈦薄膜)。當(dāng)然，薄膜可以單層使用或疊層使用。在本實施例中，使用厚度為30nm的氮化鴒薄膜(WN)和厚度為 "Onm的鴒薄膜組成的疊層薄膜。這可以使用'減射的方法形成。當(dāng)添加 Xe、 Ne或類似的惰性氣體作為濺射氣體時，由于壓力造成的薄膜脫落的問題就可以避免。此時形成柵極313和316以便于分別重疊n型雜質(zhì)區(qū)域305和306的一部分，夾住柵極絕緣薄膜311。這個重疊區(qū)域以后變成重疊柵極的LDD 區(qū)域。下一步，把n型摻雜元素(在實施例1中使用磷元素)以自對準(zhǔn)的方式添加進(jìn)去，柵極312-316作為掩膜，如圖5A所示，調(diào)整摻雜度使得摻雜到摻雜區(qū)317到323中的磷的濃度占雜質(zhì)區(qū)305和30的1/10到1/2 (通常在1/4至1/3之間)。具體地，濃度最好是1*1016到5*1018個原子/cm3 (典型地，3*1017到3"0"個原子/cm3)。下一步形成抗蝕掩膜324a到324c，其形狀是覆蓋柵極等，如圖5B 所示，而且添加n型雜質(zhì)元素(在實施例l中使用磷)，形成包含高濃度磷的雜質(zhì)區(qū)325到331。這里也采用磷化氫(PH3)離子摻雜，并加以調(diào)整使得這些區(qū)的磷濃度從1*102"到1*1021個原子/ 113的范圍(典型地，在2*1020和5*1021個原子/ 113之間)。
通過這一過程形成n溝道TFT的源區(qū)或漏區(qū)，而且在開關(guān)TFT中，由圖5A中的過程形成的n型摻雜區(qū)320到322的一部分被保留下來。這些保留部分對應(yīng)于圖2中的開關(guān)TFT的LDD區(qū)域5a至15d。下一步，如圖5C中所示，抗蝕掩膜324a到M4c被去掉，而且形成一個新的抗蝕掩膜332。而后添加p型摻雜元素(在實施例1中使用硼)，形成包含高濃度硼的摻雜區(qū)333和334。用乙硼烷(B2H6)采用離子摻雜法添加硼而形成濃度在3*103°倒3*1021個原子/cm3的摻雜區(qū)333和 334。注意到磷已經(jīng)以摻雜濃度1*102()到1M0"個原子/cm3添加到摻雜區(qū) 333和334，但是在這里添加硼的濃度至少是磷的濃度的3倍。因此，已經(jīng)形成的n型摻雜區(qū)完全轉(zhuǎn)換成p型，并作為p型摻雜區(qū)。下一步，在移去抗蝕掩膜332后，以各自的濃度摻雜到有源區(qū)層n 型或p型摻雜元素被激活。爐退火、激光退火、或燈退火可以用作激活的手段。在實施例1中，在充以氮?dú)獾碾姞t中在550。C度的溫度下進(jìn)行 4個小時的熱處理。此時，盡可能地消除周圍空氣中的氧氣是至關(guān)重要的。這是因為即使僅有少量的氧氣存在的情況下，暴露的柵極表面就被氧化，其結(jié)果是造成阻抗增加，以后與柵極形成歐姆接觸是很困難的.因此，在激活處理中，周圍空氣中的氧氣的濃度設(shè)定在l卯m或更小，最好是0.1ppm或更小。在完成激活處理后，形成厚度為300nm的柵極連線335。關(guān)于柵極連線335的材料，可以使用包含鋁(Al)或銅(Cu)為主要成分(占組合物的50%到100% )的金屬薄膜。象在圖3A中柵極連線211那樣，柵極連線33設(shè)置成為開關(guān)TFT (看圖5D)的柵極314和315 (相應(yīng)于圖 3A中的柵極19a和19b)提供電連接。上面描述的結(jié)構(gòu)允許柵極連線的導(dǎo)線阻抗大大地降低，因此，能夠形成大面積的圖象顯示區(qū)(象素區(qū))。更具體地講，依據(jù)本發(fā)明的象素結(jié)構(gòu)對于實現(xiàn)具有對角線尺寸為IO英寸或更大(或30英寸或更大)的顯示屏的EL顯示裝置來講是有利的。下一步，如圖6A中所示，形成第一層間絕緣膜336。包含硅的單層絕緣膜用作第一層間絕緣膜336，當(dāng)然也可以使用疊層薄膜。進(jìn)一步地，也可以使用厚度為400nm到1.5pm的薄膜。在實施例1中使用的是在200nm厚的氮氧硅膜上有800nm厚氧化硅膜的疊層結(jié)構(gòu)。另外，在含有3%到100%氫氣的空氣中在300到450。C的溫度下進(jìn) 行l(wèi)到12個小時的熱處理，完成氫化作用。這一過程是用氫在半導(dǎo)體薄膜里進(jìn)行懸桂鍵氫端接的過程，所述氬被熱激活。作為另一種氫化作用的手段，也可以進(jìn)行等離子體氫化作用(使用被等離子體激活的氫)。注意到，在第一層間絕緣膜336形成的過程中也可以加插氫化處理。亦即，可以在形成200nm厚的氮氧硅薄膜后進(jìn)行上面所述的氫化處理，而后可以形成余下的800nm厚的氧化硅薄膜，下一步，在第一層間絕緣薄膜336中形成一個接觸孔，而且形成源極連線337到340和漏極連線341到343。在本實施例中，電極是由三層結(jié)構(gòu)的疊層膜構(gòu)成的，其中鉭薄膜的厚度為100nm，包含鉭并具有 S00mn厚的鋁層，以及厚度為150nm的鉭層，它們是用濺射的方法連續(xù) 形成的。當(dāng)然也可以使用其它的電導(dǎo)膜。下一步，形成厚度為50到500nm (典型地在200到300nm之間) 的第一鈍化膜344。在實施例1中使用300nm厚的氮氧化硅薄膜作為第一鈍化膜344。也可以用氮化硅薄膜代替。注意到，在形成氮氧化硅薄膜之前，用含有氫如H2或NH3的氣體進(jìn)行等離子體處理是有效的。由此處理過程激活的氬提供給第一層間絕緣薄膜336，采用熱處理的方式提高第一鈍化膜344的薄膜質(zhì)量。同時，添加到第一層間絕緣薄膜336 的氫擴(kuò)散到濃度低的一面，而且有源層可以有效地氫化。下一步，如圖6B所示，形成由有機(jī)樹脂構(gòu)成的第二層間絕緣膜345。關(guān)于有機(jī)樹脂，可以使用聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯、BCB(笨并環(huán)丁烷) 或類似物質(zhì)。特別地，因為笫二層間絕緣膜345主要用來調(diào)平，具有優(yōu)良調(diào)平特性的丙烯是很好的選擇。在本實施例中，形成的丙烯膜的厚度足以調(diào)平TFT形成的階梯區(qū)。其厚度在lym到5nm之間(最好在2 jli m到4 p m之間)是合適的。而后，在第二層間絕緣膜345和第一鈍化層344里形成接觸孔，并到達(dá)漏極連線343，然后形成象素電極346。在本實施例中，厚度為300nm 的鋁合金膜(包含lwt。/n的鉭的鋁膜)形成為象素電極346。下面，如圖6C所示，形成由樹酯材料組成的棱347。棱347可通過構(gòu)圖l到2fxm厚的丙稀酸膜或聚酰亞胺膜形成。如圖3中所示，棱347 在象素中間形成條狀。在實施例l中，棱347沿源極連線339形成，但
是也可以沿柵極連線336形成。下一步是利用參考圖1描述的薄膜沉積裝置采用薄膜沉積工藝形成光發(fā)射層348。具體地，作為光發(fā)射層3站的有機(jī)EL材料在諸如二氯甲烷、二氯乙烷、二甲苯、甲苯、和四氫化呋喃的溶劑中溶解后再使用。而后，為了將溶劑揮發(fā)掉，進(jìn)行熱處理。由有機(jī)EL材料構(gòu)成的薄膜(光發(fā)射層)就這樣形成了。注意到，在實施例1中僅說明了一個象素。然而，在這一點(diǎn)上同時形成發(fā)紅光的光發(fā)射層，發(fā)射綠光的光發(fā)射層，發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層。在實施例1中，氰基對次苯基亞乙烯用于形成發(fā)紅色光的光發(fā)射層；對次苯基亞乙烯用于發(fā)綠光的光發(fā)射層；而聚乙醇亞乙基用于發(fā)藍(lán)光的光發(fā)射層。每個光發(fā)射層形成厚度為50nm。另外，1，2-二氯甲烷用做為溶劑，而后溫度為80到150°熱片上進(jìn)行1到5分鐘的熱處理將其揮發(fā)。下一步，形成厚度為20nm的空穴注入層349。由于可以同時為所有的象素提供空穴注入層349，因此使用旋轉(zhuǎn)涂敷法或印刷法形成空穴注入層349是適當(dāng)?shù)?。在實施?中，聚噻呤(PEDOT)用做溶液，并在溫度為100到150。的熱片上進(jìn)行熱處理1至5分鐘，從而揮發(fā)掉潮氣。在這種情況下，因為聚次苯基亞乙烯或聚乙醇亞乙基是不溶性的，所以形成空穴注入層349 ，而不溶解光發(fā)射層348 。注意到，低分子有機(jī)EL材料可以用做空穴注入層349。在這種情況下，采用蒸發(fā)的方法形成空穴注入層是適當(dāng)?shù)?。在實施?中形成由光發(fā)射層和空穴注入層構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。然而，諸如空穴輸運(yùn)層、電子注入層和電子輸運(yùn)層的其它層也可以設(shè)置。諸如各層組合的各種各樣的疊層結(jié)構(gòu)的例子已經(jīng)有報道，任何結(jié)構(gòu)可以用于本發(fā)明。在形成光發(fā)射層348和空穴注入層349后，就形成厚度為120nm的由透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成的陽極350。在實施例1中，摻雜10%到20wt。/。氧化鋅的氧化銦用于透明導(dǎo)電膜。就象薄膜沉積方法那樣，在室溫中采用蒸發(fā)法形成陽極350是最好的，以便于光發(fā)射層348和空穴注入層349 不受損壞。在形成陽極350后，以等離子體CVD形成材料有氮氧化硅膜制成的厚度為300nm的第二鈍化膜351。在這一點(diǎn)，注意薄膜沉積溫度也是必要的。使用遠(yuǎn)程等離子體CVD可以降低薄膜沉積溫度。這樣就形成如圖6C所示的結(jié)構(gòu)的有源矩陣基片。注意到，在形成了棱347后，采用薄膜沉積射裝置的多腔法(或在線法)來處理薄膜形成直到連續(xù)地形成鈍化膜351，而不暴露在空氣中，是有效的。在本發(fā)明的有源矩陣基片中，具有優(yōu)化結(jié)構(gòu)的TFT不僅安放在象素區(qū)而且安放在驅(qū)動電路區(qū)，這樣使得它具有極高的可靠性并提高操作性能。首先，采用具有降低熱載流子注入以便于盡可能地不降低工作速度的結(jié)構(gòu)的TFT作為形成驅(qū)動電路部分的CMOS電路的n溝道TFT 205。注意到，這里的驅(qū)動電路包括一個移位寄存器、一個緩沖器、一個電平轉(zhuǎn)換器、一個采樣電路(采保電路)以及類似電路。在有數(shù)字驅(qū)動的情況下，也可以包括信號轉(zhuǎn)換電路如D/A轉(zhuǎn)換器。在實施例1的情況下，如圖6C所示，n溝道TFT205的有源層是由一個源區(qū)355、一個漏區(qū)356、一個LDD區(qū)357和一個溝道形成區(qū)358 組成的。LDD區(qū)257通過柵極絕緣膜311與柵極313重疊。這種結(jié)構(gòu)和電流控制TFT 202是相同的。考慮到不降低工作速度是LDD區(qū)僅在漏區(qū)一側(cè)形成的原因。在這個 n溝道TFT205中，特別地關(guān)心OFF電流值是不必要的，而應(yīng)當(dāng)對工作速度給予足夠的重視。這樣，使LDD區(qū)357完全與柵極重疊以便于把阻抗元件降低到最小值是理想的。也就是說，最好去除所謂的偏移。而且，因為在CMOS電路里由于熱載流子的注入導(dǎo)致p溝道TFT 206的惡化幾乎是可以忽略的。因此，為p溝道的TFT 206提供任何的 LDD區(qū)都是不必要的。當(dāng)然，類似于為n溝道TFT 205提供LDD區(qū)，為p溝道TFT206提供LDD區(qū)作為阻止熱載流子的措施是可能的。注意到，在驅(qū)動電路中，采樣電路和其它電路相比是有點(diǎn)不同的，這里，有雙向的大電流流過溝道形成區(qū)。亦即，源區(qū)和漏區(qū)的作用可以互換。另外，控制截止電流值盡可能地小是有必要的，為此，在采樣電路中使用具有處于開關(guān)TFT和電流控制TFT中間電平功能的TFT是最好的。因此，在形成采樣電路的n溝道TFT里，安放具有如圖10所示結(jié) 構(gòu)的TFT是理想的。如圖10所示，LDD區(qū)901a和卯lb的一部分通過柵極絕緣膜902與柵極卯3重疊。采用這種結(jié)構(gòu)的好處已經(jīng)在參考電流控制TFT 202描述過。在TFT用于采樣電路的情況下，LDD區(qū)被安放
在溝道形成區(qū)904之間，這是不同于電流控制TFT的情形。注意到，實際上在完成到圖6C后，使用低氣體泄漏(如疊層膜或紫外線固化的樹脂膜)的高氣密性保護(hù)膜或使用具有透射性的密封材料另外進(jìn)行額外的包裝(密封)以便于不暴露到空氣中是最好不過的了。通過使密封材料內(nèi)部是惰性環(huán)境并在其內(nèi)部填充干燥劑(例如，氧化鋇)，可以提高EL元件的可靠性。而且，通過包裝處理等過程，氣密性增加了，連接上用來連接形成在基片上的元件或電路的輸出端子與外部信號端子的連接器(柔性印刷電路，F(xiàn)PC)后，就完成了產(chǎn)品的制造過程。處于能夠運(yùn)輸狀態(tài)的制造完成的產(chǎn)品在本說明書中稱做EL顯示器件(或EL模塊)。這里，本實施例的有源矩陣EL顯示器件的結(jié)構(gòu)將參考圖7的透視圖來加以描述。本實施例的有源矩陣EL顯示器件是由在玻璃基片701 上形成的象素區(qū)702、柵極側(cè)驅(qū)動電路703和源極側(cè)驅(qū)動電路704構(gòu)成的。象素區(qū)的開關(guān)TFT705是n溝道TFT，而且位于連接到柵極側(cè)驅(qū)動叉點(diǎn)處。開關(guān)TFT,705的漏極連接到電流控制TFT 7朋的初f極。 ^另外，電流控制TFT708的源極連接到電流源線709，在如實施例1 中，地電勢(大地電勢)被給予電流源線709。而且，EL元件710連接到電流控制TFT 708的漏極。預(yù)定電壓(在3v到12v之間，最好在3v 和5v之間)施加到EL元件710的陽極。在FPC 711中也提供了用來將信號傳輸?shù)津?qū)動電路部分的連線712 和713以及連接到電流源線709的連線714，作為外部輸入/輸出端子。圖8顯示的是在圖7中顯示的EL顯示器件的電路結(jié)構(gòu)的例子。本發(fā)明實施例的EL顯示器件提供了一個源極側(cè)驅(qū)動電路801、一個柵極側(cè) 驅(qū)動電路(A) 807、一個柵極側(cè)驅(qū)動電路(B) 811和一個象素區(qū)806。注意到，在整個本說明書中，驅(qū)動電路部分對于源極側(cè)驅(qū)動電路和柵極側(cè)驅(qū)動電路是同一個名字。源極側(cè)驅(qū)動電路801提供了一個移位寄存器802、一個電平轉(zhuǎn)換器 803、緩沖器804，和一個采樣電路805 (采樣保持電路)。柵極側(cè)驅(qū)動電路(A) 807提供了一個移位寄存器808、一個電平轉(zhuǎn)換器809和一個緩沖器810。柵極側(cè)驅(qū)動電路(B) 811也具有同樣的結(jié)構(gòu)。這里，移位寄存器802和808分別具有驅(qū)動電壓5至16V (通常為10V)，而由3圖6C中的205表示的結(jié)構(gòu)適合用于形成電路的COMS 電路中的n溝道TFT。此外，與移位寄存器類似，對于每個電平轉(zhuǎn)換器柳3和柳9以及緩沖器804和810，包括圖6C中的n溝道TFT 205的CMOS驅(qū)動電路都是合適的。注意到，為了提高每個電路的可靠性，使得柵極連線為多柵極結(jié)構(gòu)如雙柵極結(jié)構(gòu)或三柵極結(jié)構(gòu)是有效的。另外，由于源區(qū)和漏區(qū)被反向，所以有必要降低OFF電流值，包括圖10中的n溝道TFT 208的CMOS電路適合做采樣電路8O5。象素區(qū)806中放置的象素具有在圖2中所示的結(jié)構(gòu)。依據(jù)在圖4A到6C中所示的制造過程制造TFT很容易實現(xiàn)前面的結(jié)構(gòu)。在本實施例中，雖然只是顯示了象素區(qū)和驅(qū)動電路部分的結(jié)構(gòu)，如果采用本實施例的制造過程，除了驅(qū)動電路外，還可以在相同的基片上形成邏輯電路，如信號分離電路、D/A轉(zhuǎn)換器電路、運(yùn)算放大器電路、一個Y校正電路，進(jìn)一步地，可以考慮形成存儲區(qū)、微處理器或類似電路。而且，實施例1中包含密封材料的EL模塊使用圖11A和11B進(jìn)行解釋說明。注意，必要時引用了在圖7和8中的標(biāo)號。圖IIA顯示的是圖7中顯示的狀態(tài)的簡要頂視圖，圖7所示的狀態(tài) 中提供了一個密封結(jié)構(gòu)。以虛線標(biāo)示，參考標(biāo)號702表示象素區(qū)，703 表示柵極側(cè)驅(qū)動電路，以及704表示源極側(cè)驅(qū)動電路。在圖7中顯示的本發(fā)明的密封結(jié)構(gòu)是這樣的結(jié)構(gòu)，其中填充材料(在圖中未示出)、覆蓋材料1101、密封材料(在圖中未示出)和框架材料1102提供給圖7 所示的狀態(tài)。這里，在圖11B中顯示的是沿圖11A中的A-A，線剖開的截面圖。注意到在圖IIA和圖IIB中，對于相同的元件使用了相同的參考標(biāo)號。如在圖11B中所示的，在基片701上形成象素區(qū)702和柵極側(cè)驅(qū)動電路703。象素區(qū)是由許多的包含電流控制TFT 202和象素電極346的象素組成的，所述象素電極電連接到電流控制TFT 202。而且，柵極側(cè) 驅(qū)動電路703是采用n溝道TFT 205和p溝道TFT 206復(fù)合成的CMOS 電路形成的。象素電極346的功能是作為EL元件的陰極。另外，棱347在象素電極346的兩端形成，而且光發(fā)射層348和空穴注入層349在棱347的內(nèi)側(cè)形成。進(jìn)一步在上面形成EL元件的陽極350和笫二鈍化膜,351。如同在本發(fā)明實施例模式中所做的解釋，EL元件當(dāng)然可以具有象素電極做陽極的相反結(jié)構(gòu)。在實施例1中的情形下，陽極350也作為連接到所有象素的公共連線，并通過連線712電連接到FPC 711。而且，在象素區(qū)702和柵極側(cè) 驅(qū)動電路703中的所有元件都被第二鈍化膜351所覆蓋?？梢允÷缘舻?二鈍化膜351 ，但是最好提供這層膜使得把各個元件與外界隔離。下一步，提供了填充材料1103以便于覆蓋EL元件。填充材料1103 也作為粘合劑，用來粘住覆蓋材料1101。關(guān)于填充材料1103，可以使用 PVC (聚氯乙烯)、環(huán)氧樹脂、硅樹脂、PVB (聚丁酸乙烯)或EVA (乙烯-乙酸乙烯共聚物)。因為可以保持吸收效應(yīng)，所以最好在填充材料 1103中放置干燥劑(在圖中未示出)。在此，干燥劑可以是摻雜在填充材料的制劑或封在填充材料中的制劑。然而，在實施例l中使用的是具有透射性的材料，從而光可從填充材料1103的側(cè)面射出。進(jìn)而，在實施例l中，玻璃片、FRP(玻璃纖維加強(qiáng)塑料)片、PVF (聚氟乙烯)膜、聚酯薄膜、聚酯膜或丙稀酸膜可以作為覆蓋材料1101。在實施例1中，類似于填充材料，覆蓋材料1101必須是透明性材料。注意到提前將諸如氧化鋇的干燥劑摻雜在填充材料1103中是有效的。在使用填充材料1103粘貼覆蓋材料1101后，下面就是附著框架材料以便于覆蓋填充材料1103的側(cè)面(暴露面)。僅僅用密封材料1104 (起到粘貼劑的作用)粘貼框架材料1102。在此，最好用光固化樹脂做密封材料1104。然而，只要EL層的熱阻允許，使用熱固化樹脂也是可以的。注意到使用盡可能不透過氧和潮汽的材料作為密封材料1104是再理想不過的了。另外，可以往密封材料1104中摻雜干燥劑。采用上面的步驟將EL元件密封到填充材料1103當(dāng)中，借此把EL元件完全與外面的空氣分開并阻止外面的諸如潮濕和氧的物質(zhì)進(jìn)入，這些物質(zhì)由于EL層的氧化而引起EL元件損壞。因此，可以制造高可靠性的EL顯示器件。實施例2在實施例1中顯示的在縱向或橫向同時形成發(fā)射紅、綠、藍(lán)色光的三個帶狀光發(fā)射層的例子。在實施例2中顯示的是通過在縱向上把它分成多個部分形成帶狀光發(fā)射層的例子。
如在圖12A中所示，都是由TFT構(gòu)成的象素區(qū)111、源極側(cè)驅(qū)動電路112和柵極側(cè)驅(qū)動電路113是在基片110上形成的。象素區(qū)111被棱 1201分成矩陣形式。在實施例2中，如圖12B中所示的，許多的象素被設(shè)置在一個被棱1201分割的方塊1202中。然而，象素的數(shù)目是不受限制的。在這種狀態(tài)下，使用圖1中的薄膜沉積裝置實現(xiàn)對有機(jī)EL材料的薄膜沉積處理，有機(jī)EL材料的薄膜用做光發(fā)射層。即使在這種情況下，可同時用頭部115分別地噴涂紅色涂敷液體114a、綠色涂敷液體114b、藍(lán)色涂敷液體114c。實施例2的特征在于這樣的事實涂敷液體114a到114c可以單獨(dú) 地涂敷到上述方框1202中。換句話說，使用圖l的方法，紅、綠、藍(lán)色的涂敷液體中的每一種只能分別地以帶形涂敷，然而，在實施例2彩色可以在每個方框中自由地設(shè)置。因此，如在圖12A中所示，能夠?qū)⒁环N 顏色的涂敷液以一種方式涂敷到任選的方格中，使得整行(或列)被移位。進(jìn)而，在方格1202里提供一種象素也是可能的，而且在這種情況下，可以采用通常稱為A布置的象素結(jié)構(gòu)(布置相應(yīng)于各自顏色的RGB使得總是形成一個三角的象素結(jié)構(gòu))。為了實現(xiàn)實施例2的目的，給予頭部115的操作是這樣的。首先，按照箭頭a方向移動頭部115，并用涂敷液完全浸濕三個方格內(nèi)部(三個方格相應(yīng)于紅、綠、藍(lán)三色)的內(nèi)側(cè)。完成此操作后，將頭部115移到箭頭b所指的方向上，從而將涂敷液涂敷到下面的三個方格。重復(fù)此操作將涂敷液涂敷到象素區(qū)。而后，用熱處理的方法將溶劑揮發(fā)掉而形成有機(jī)EL材料。在傳統(tǒng)的噴墨方法中描述的范例中，用來形成涂敷液滴的有機(jī)EL 材料變成圓形。因此，很難覆蓋整個長而窄的象素。特別地，在實施例 1的情況下，整個象素用做光發(fā)射區(qū)，整個象素需要被有機(jī)EL材料覆蓋，另一方面，實施例2的優(yōu)點(diǎn)在于通過按照箭頭a所指的方向移動頭部115能夠用涂敷液完全充滿方格。注意到在制造實施例1中的EL顯示器件時可以采用實施例2中的結(jié)構(gòu)。棱1201可以通過成型形成為矩陣形狀，而且頭部115的操作可由電子控制。實施例3在實施例3將參考圖13解釋將本發(fā)明應(yīng)用于無源型的(簡單矩陣型)EL顯示器件的情形.在圖13中，參考標(biāo)號l301表示一個塑料基片， 1302表示鋁合金膜做的陰極。在實施例3中陰極1302是用蒸發(fā)的方法形成的。注意到雖然在圖13中未示出，在限定的空間內(nèi)在垂直方向上以條狀設(shè)置許多數(shù)目的陰極線。進(jìn)而，形成棱1303以便于填充以帶狀布置的陰極1302之間的空間。棱1303在限定空間內(nèi)在垂直方向上沿陰極1302形成。接著，采用圖1中的薄膜沉積裝置用薄膜沉積法形成由高分子有機(jī) EL材料構(gòu)成的光發(fā)射層1304a到1304c。當(dāng)然，參考標(biāo)號1304a是發(fā)射紅光的光發(fā)射層，參考標(biāo)號1304b是發(fā)射綠光的光發(fā)射層，參考標(biāo)號 1304c是發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層。實施例3中可以使用類似在實施例1中使用的有機(jī)EL材料。因為這些光發(fā)射層沿棱1302形成的槽形成，這些層在確定空間上在垂直方向上以條狀布置。而后，對于所有象素而言都是一樣，空穴注入層1305用旋轉(zhuǎn)噴敷法或印刷法形成。空穴注入層也可以類似于實施例1中的空穴注入層。另外，由透明電導(dǎo)膜構(gòu)成的陽極1306在空穴注入層1305上形成。在實施例3中，采用蒸發(fā)法形成的氧化銦和氧化鋅的混合物形成為透明導(dǎo)電膜。注意到雖然未在圖13中示出，在確定空間上的許多的陽極線的平行方向是縱向的，而且陽極1306以帶狀布置以便于與陰極1302相交。進(jìn) 而，在圖中未示出的連線被連接到FPC后來附著的區(qū)域，使得預(yù)定的電壓可以施加到陽極1306上。進(jìn)而，在形成陽極1306后，提供作為鈍化膜的氮化硅膜(圖中未示出)。這樣就在基片1301上形成一個EL元件。注意，因為下側(cè)電極是一個光屏蔽陰極，所以光發(fā)射層1304a到1304c產(chǎn)生的光被輻射到上表面 (在基片1301的對面)。然而，通過將EL元件的結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)，下側(cè)電極可以是透明的陽極。在這種情形下，光發(fā)射層1304a到1304c產(chǎn)生的光被輻射到下表面(基片1301)。塑料片制備成覆蓋材料1307。在必要的時候可以在表面上形成光屏蔽膜或彩色濾光片。在實施例3中所示的結(jié)構(gòu)中，因為發(fā)自EL元件的光穿過覆蓋材料1307并進(jìn)入觀察者的眼里，所以覆蓋材料1307是透明的。在實施例3中使用的是塑料片，但是也可以使用玻璃片和如PVF膜的透明基片(或透射膜)。當(dāng)然，正如前面解釋的，在反轉(zhuǎn)EL元件的結(jié)構(gòu)情況下，覆蓋材料具有光屏蔽特性。因此，可以使用諸如陶瓷基片等。當(dāng)這樣制備好覆蓋材料1307后，則用摻雜氧化鋇作為干燥劑(在圖中未畫出)的填充材料1308將其粘在基片上。而后，采用由紫外線固化樹脂構(gòu)成的封裝材料1309將框架材料1310固定。在實施例3中不銹鋼材料用作框架材料1310。最后，用導(dǎo)電膠1311粘貼FPC，至此完成無源型EL顯示器件。實施例4當(dāng)從圖11A中的方向觀察有源矩陣EL顯示器件時，各行象素在縱向或橫向上形成。換句話說，在縱向方向上形成按行排列象素的情況下，象素的布置變成在圖14A中的樣子。另一方面，在橫向方向上形成按行排列象素的情況下，象素的布置變成在圖14B中的樣子。在圖14A中，參考標(biāo)號1401表示的是在縱向方向形成的帶狀棱， 1402a表示發(fā)紅光的EL層，1402b表示發(fā)綠光的EL層。當(dāng)然，發(fā)藍(lán)光的EL層(在圖中未畫出)緊靠發(fā)綠光的EL層1402b形成。注意到在源極連線的上部方向，通過一個絕緣膜沿源極連線方向形成棱1401。這里說的EL層指的是由有機(jī)EL材料構(gòu)成的層，此層有助于諸如光發(fā)射層、電荷注入層以及電荷輸運(yùn)層的發(fā)光。有形成光發(fā)射層為單個層的情況。然而，比如在形成由空穴注入層和光發(fā)射層組成的疊層時，這個疊層稱為EL層。在此，將由虛線指示的象素1403之間的相互距離(D)設(shè)置為EL 層膜厚(t)的5倍或更大(最好是10倍或更大)是理想的。其原因在于如果D〈5t，象素之間可能產(chǎn)生串?dāng)_的問題。注意到如果象素之間的距離(D)太大的話，不可能獲得高分辨率的圖象。因此，距離D應(yīng)為 5t<D<50t (最好是10t<D<35t)。進(jìn)一步，在圖14B中，參考標(biāo)號1404表示在橫向方向上形成的帶狀棱，1405a表示的是一個發(fā)射紅光的EL層，"OSb表示的是一個發(fā)射綠光的EL層，1405c表示的是一個發(fā)射藍(lán)光的EL層。應(yīng)當(dāng)注意到在柵極連線的上部方向，通過一個絕緣膜沿柵極連線方向形成棱1404。也是在這種情形下，將由虛線指示的象素1406之間的相互距離(D )
設(shè)置為EL層膜厚(t)的5倍或更大(最好是10倍或更大)是理想的。進(jìn)而，距離(D)應(yīng)為5t<D<50t (最好是10t<D<35t)。注意到實施例4的構(gòu)成可以利用將其與實施例1到3中任何一個的構(gòu)成組合得到。象在實施例4中，通過調(diào)整象素的距離和EL層的膜厚之間的關(guān)系，獲得高分辨率的圖象而沒有串?dāng)_是可能的。實施例5通過采用圖1中的薄膜沉積裝置形成所有光發(fā)射層(發(fā)射紅光的光發(fā)射層，發(fā)射綠光的光發(fā)射層，發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層)的范例在實施例 1中已說明。然而，采用圖1中的薄膜沉積裝置可以形成至少紅、綠、藍(lán)色之一的光發(fā)射層。也就是說，在圖1B中，省略了噴嘴116c (用來涂敷藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體的噴嘴)。也可以使用其它涂敷裝置涂敷藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體 114c。這樣的范例在圖15中示出。在圖115中顯示的范例情形是，其中實施例5的組成用于在實施例3 中說明的無源型EL顯示器件。基本結(jié)構(gòu)和圖13中顯示的無源型EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)相同，因此，只是不同部分的參考標(biāo)號被加以改變和解釋。在圖15中，在基片1301上形成陰極1302后，采用圖1中的薄膜沉積裝置形成發(fā)射紅光的光發(fā)射層1304a和發(fā)射綠光的光發(fā)射層1403b。而后，采用旋轉(zhuǎn)涂敷法、印刷法或蒸汽法在其上形成發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層1501。另外，形成空穴注入層1305和陽極1306。而后，依據(jù)實施例3的解釋說明形成填充材料1308、覆蓋材料1307、密封材料1309、框架材料1310、導(dǎo)電膠1311以及FPC 1312，至此完成圖15中的無源型EL顯示器件。實施例5的特征在于發(fā)射紅光的光發(fā)射層1304a、發(fā)射綠光的光發(fā) 射層1304b、發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層1501是用不同方法形成的。當(dāng)然，顏色可以自由組合，而且可以采用旋轉(zhuǎn)涂敷法、印刷法或蒸汽法形成發(fā)射綠光的光發(fā)射層，而不是上面提到的發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層。另外，采用圖1中的注入器件形成的發(fā)射綠光的光發(fā)射層，而采用旋轉(zhuǎn)涂敷法、印刷法或蒸汽法形成發(fā)射紅光的光發(fā)射層和發(fā)射藍(lán)光的光發(fā)射層。即使在這種情況下，顏色可以自由組合。依據(jù)實施例5中的結(jié)構(gòu)，對發(fā)射紅光的象素、發(fā)射綠光的象素、發(fā) 射藍(lán)光的象素這些光發(fā)射象素而言，至少有一個具有將兩個不同類型的
光發(fā)射層作為一個光發(fā)射層的疊層結(jié)構(gòu)。在這種情況下，兩種不同類型的光發(fā)射層中的任何一個層由于能量的遷移性可發(fā)射一種顏色。然而，無論發(fā)射那種顏色的光，都可以提前檢測。這樣，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計結(jié)構(gòu)使得最后可獲得紅、綠、藍(lán)三顏色光。關(guān)于將光發(fā)射層作成疊層結(jié)構(gòu)的一個優(yōu)點(diǎn)是，如上面所述，由小孔引起的短路可能性降低也是值得一提的優(yōu)點(diǎn)。因為光發(fā)射層很薄，由針孔引起的陰極和陽極短路的可能性就變成了一個問題。然而，采用疊層結(jié)構(gòu)就可以填堵住針孔，并因此大大地減小短路發(fā)生的可能性。在這種意義上講，采用蒸汽法在疊層結(jié)構(gòu)的上層形成光發(fā)射層是有效的，這樣很難形成針孔。注意到在實施例5中，以無源型EL顯示器件作為一個范例來加以說明，然而，也可以使用有源矩陣EL顯示器件。因此，可以通過將它和實施例1到4中任何一個的結(jié)構(gòu)組合形成實施例5的結(jié)構(gòu)。實施例6在圖1中顯示的是噴嘴附著到頭部115的范例。然而，相應(yīng)于多行象素頭部可進(jìn)一步附著三個或更多的噴嘴，這樣的例子在圖16中示出。注意到字母R、 G、 B各自相應(yīng)于紅、綠、藍(lán)色。在圖16中顯示的是一個將有機(jī)EL材料(嚴(yán)格地講涂敷材料)涂敷到象素區(qū)的各行象素上的范例。也就是說，附著到頭部1601的噴嘴上的數(shù)目和象素行數(shù)相同。通過設(shè)計一個這樣的結(jié)構(gòu)，在一次掃描內(nèi)將涂敷液涂敷到整個象素行上是可能的，因此使生產(chǎn)效率大大提高。進(jìn)而，象素區(qū)被分割成許多區(qū)，可以使用提供有噴嘴數(shù)與在每個區(qū) 中可能包含的象素行的數(shù)目相同的頭部。也就是說，如果象素區(qū)被分割成n個區(qū)，那么通過掃描n次可將有機(jī)EL材料(嚴(yán)格地講涂敷液)涂敷到所有象素行上。因為實際中有這樣的情況，即象素4艮小，在幾十個pm級別上，那么一個象素行也就是幾十個ILim的寬度。在這種情況下，因為在一個水平行上安放噴嘴很困難，所以必須設(shè)法安放噴嘴。在圖H中顯示的是這樣的一個例子，這里改變了噴嘴附著到頭部的位置。在圖17A中，噴嘴51a到52c在頭部51上形成，而以對角線方式移位它們的附著位置。注意到參考標(biāo)號52a表示涂敷紅光發(fā)射層的涂敷液噴嘴，52b表示涂敷綠光發(fā)射層的涂敷液噴嘴，52c表示涂敷藍(lán)光發(fā)
射層的涂敷液噴嘴，而且，每個箭頭相應(yīng)于一行象素。噴嘴52a到52c作為一個單元來考慮，如參考標(biāo)號53表示。這樣，在頭部提供了一到幾個單元。如果有一個單元53，那么可以同時將有機(jī) EL材料涂敷到三行象素上。這意味著如果有n個單元，那么可以同時將有機(jī)EL材料涂敷到11個三行象素上。借以形成這樣的結(jié)構(gòu)，噴嘴的安放空間的自由度增加了，使得并不困難地在高密度象素區(qū)實現(xiàn)本發(fā)明。另外，在一并處理(將涂敷液涂敷到那)象素區(qū)中的所有象素行的過程當(dāng)中，可以使用圖17A中的頭部51，或者也可以在象素區(qū)被分割成許多區(qū)而且各行象素的處理被分解成幾次的情況下也可以^^用。在圖17B中所示的頭部54是圖17A所示的改進(jìn)型式。它是提高包含在一個單元55中的噴嘴數(shù)目的情況的例子。也就是說，在單元55中包含2個用于涂敷紅光發(fā)射層的涂敷液的噴嘴56a， 2個用于涂敷綠光發(fā) 射層的涂敷液的噴嘴56b， 2個用于涂敷藍(lán)光發(fā)射層的涂敷液的噴嘴 56c。因此，以一個單元55用有機(jī)EL材料可以同時總共涂敷六行象素。在實施例6中可以提供了一個以上的上述的單元55。如果僅有一個單元55，那么有機(jī)EL材料可以同時涂敷到6行象素上。如果有n個單元55，那么有機(jī)EL材料可以同時涂敷到n個6行象素上。當(dāng)然，在一個單元55中提供的噴嘴數(shù)目并不局限于6，可以提供額外數(shù)目的噴嘴。在這種結(jié)構(gòu)里，類似于圖17A中的情況，在象素區(qū)中的所有行象素可一并處理，或者當(dāng)象素區(qū)被分割成許多區(qū)時，可以將將處理過程分成幾次。另外，可以使用諸如圖17C中所示的頭部57。在頭部57中三行象素的空間被打開，以便設(shè)置用于涂敷紅光發(fā)射層的涂敷液的噴嘴58a、用于涂敷綠光發(fā)射層的涂敷液的噴嘴58b、和用于涂敷藍(lán)光發(fā)射層的涂敷液的噴嘴58c。首先，掃描頭部57—次，以便將有機(jī)EL材料涂敷到各行象素上。下一步，把頭部57向右邊移動三行象素，并再次掃描。然后再次把頭部向右邊移動三行象素，并再次掃描。這樣掃描三次，從而有機(jī)EL材料可以按紅、綠、藍(lán)的順序涂敷到條上。也是在此結(jié)構(gòu)的情形下，類似于圖17A中的情況，在象素區(qū)中的所有行的象素可被一并處理，或者當(dāng)象素區(qū)被分割成許多區(qū)時可以將處理
過程分成幾次。這樣，在圖1中的薄膜沉積裝置中，通過設(shè)計噴嘴附著到頭部上的位置，在有很窄的象素間隔(象素之間的距離)的高密度象素區(qū)中也可以實現(xiàn)本發(fā)明。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。注意到可以通將其自由地與實施例1到5中的任何一個結(jié)構(gòu)組合來實現(xiàn)實施例6的組成。實施例7當(dāng)本發(fā)明用來實現(xiàn)制造一個有源矩陣EL顯示器件時，使用硅基片 (硅片)作為基片是有效的。在釆用硅基片作為基片的情況下，可以利用傳統(tǒng)IC、 LSI或類似的MOSFET制造技術(shù)來制造在象素區(qū)形成的開關(guān)元件和電流控制元件，或在驅(qū)動電路中部分形成的驅(qū)動元件。就象MOSFET在IC和LSI中獲得的成功一樣，它可以形成變化極小的電路。對于有源矩陣EL顯示器件的模擬驅(qū)動電路而言，通過電流值來獲得分級顯示是有效。注意到，因為硅基片是不透明的，因而必須制造結(jié)構(gòu)使得來自光發(fā) 射層的光被輻射到基片的對側(cè)。實施例7中的EL顯示器件的結(jié)構(gòu)類似于圖11中的結(jié)構(gòu)。然而，不同點(diǎn)是使用MOSFET代替TFT來形成象素區(qū)702和驅(qū)動電路區(qū)703。實施例8才艮據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的EL顯示器件相對于液晶顯示器件來講在明亮區(qū) 域具有極高的可視度，這是因為它是自發(fā)光型器件而且視場寬。因此，它可以作為各種電子裝置的顯示部分。比如，可以利用本發(fā)明的EL顯示器件作為對角線長為30英寸或更大(典型地等于40英寸或更大)EL 顯示器(在殼體被包括EL顯示器件的顯示器)的顯示部分，用于欣賞大屏幕TV廣播。注意到所有的諸如個人計算機(jī)顯示器、TV廣播接收顯示器或廣告顯示板等的展示(顯示)信息的顯示器都可以歸入EL顯示器。進(jìn)而，本發(fā)明的EL顯示器件可用做其它各種電子器件的顯示部分。下面的范例可以作為這種電子器件的范例攝象機(jī)，數(shù)碼相機(jī)；防護(hù)鏡型顯示器(頭戴顯示器)；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置(如汽車音響系統(tǒng)，音響組合系統(tǒng))；筆記本個人電腦；游戲設(shè)備；移動信息終端(如移動計算機(jī)，移動電話，移動游戲設(shè)備或電子書)；以及提供記錄介質(zhì)的圖象回放裝置(具體地，進(jìn)行記錄介質(zhì)回放并具有顯示這些圖象的裝置的器件，諸如數(shù)字視盤(DVD)。特別地，因為便攜式終端經(jīng) 常是從對角方向觀察，視場寬度被認(rèn)為是很重要的。這樣，最好使用EL 顯示器件。在圖18A到圖19B中顯示的是這些電子裝置的范例。圖18A是一個包含一個箱體2001 、一個支架2002和一個顯示區(qū)2003 的EL顯示器。本發(fā)明可以用在顯示區(qū)2003。因為EL顯示器是自發(fā)光型器件而不需要背景光，所以其顯示部分可以作得比液晶顯示器件更薄些。圖18B是攝象機(jī)，包括主體2101、顯示部分2102、音頻輸入部分 2103、操作開關(guān)2104、電池2105、和圖象接收部分2106。本發(fā)明的EL 顯示器件可以用在顯示部分2102。圖18C是一個頭戴型EL顯示器(右側(cè))的一部分，包含一個主體 2201、一個信號電纜2202、一個頭部固定帶2203、一個顯示部分2204、一個光學(xué)系統(tǒng)2205以及一個EL顯示器件2206。本發(fā)明可以用在EL顯示器件2206。圖18D是一個圖象回放裝置(特別地，一個DVD回放裝置)，提供有記錄介質(zhì)，包含一個主體2301、一個記錄介質(zhì)(如DVD)、操作開關(guān)2303、顯示部分(a) 2304和顯示部分(b) 2305。顯示部分(a) 主要用來顯示圖象信息，而顯示部分(b)主要用來顯示字符信息，而且本發(fā)明的EL顯示器件可以用于圖象顯示(a)和圖象顯示部分(b)。注意到家用游戲設(shè)備歸入包括記錄介質(zhì)的圖象回放裝置。圖18E是一個移動電腦，包含一個主體2401 、一個照相機(jī)部分2402、一個圖象接收部分2403、操作開關(guān)2404和一個顯示部分2405。本發(fā)明的EL顯示器件可于顯示部分2405。圖18F是一個個人計算機(jī)，包含一個主體2501、一個箱體2502、一個顯示部分2503、和一個鍵盤2504 本發(fā)明的EL顯示器件可用在顯示部分2503。注意到在將來如果EL材料的發(fā)光亮度高的話，包括輸出圖象的投影光可被透鏡或類似物放大。那么把本發(fā)明的EL顯示器件用在前型或后型投影儀上是可能的。上面的電子裝置越來越廣泛地用來顯示通過電子傳輸線路如 Internet或CATV (有線電視)提供的信息，特別地，顯示動畫信息的
機(jī)會一直在增加。EL材料的響應(yīng)速度是極高的。因此EL顯示器件適合于進(jìn)行動畫顯示。然而，象素間的輪廓變得模糊，因此整個圖象也變得模糊。因此，將本發(fā)明的EL顯示器件用于電子設(shè)備的顯示部分是很有效的，因為它能夠使象素間的輪廓清晰。由于EL顯示器件的發(fā)射區(qū)消耗功率，因此，最好顯示信息使得發(fā) 射區(qū)變得盡可能地小。因此，當(dāng)EL顯示器件用于主要用來顯示字符信息的顯示部分時，如便攜式信息終端、特別地在移動電話和音頻回放裝置里，最好是通過將非發(fā)射區(qū)設(shè)為背景而在發(fā)射區(qū)形成字符信息的方式來驅(qū)動它。圖19A是一個便攜式電話，包含一個主體2601、一個音頻輸出部分 2602、一個音頻輸入部分2603、一個顯示部分2604、操作開關(guān)2605和一個天線2606。本發(fā)明的EL顯示器件可用在顯示區(qū)2604中。注意到通過在顯示區(qū)2604中在黑色背景上顯示白色字符的方式就可以降低移動電話的功率消耗。圖19B是一個音頻重放裝置，具體地是一個汽車音響系統(tǒng)，包含一個主體2701、一個顯示部分702以及一個操作開關(guān)2703和2704。本發(fā) 明的EL顯示器件可用在顯示部分2702里，進(jìn)而，在實施例8中顯示的是一個汽車音響重放系統(tǒng)，但是它也可以用于移動型和家用型音頻重放系統(tǒng)中。注意到通過在顯示區(qū)2704里在黑色背景上顯示白色字符的方式可以減小功率消耗。這在移動型音頻重放裝置中是特別有效的。本發(fā)明的應(yīng)用范圍是#^寬的，而且將本發(fā)明應(yīng)用到所有的領(lǐng)域的電子器件上都是可能的。進(jìn)而，在實施例1到7中顯示的EL顯示裝置的組成可應(yīng)用于實施例8中的電子裝置。實施例9在實施例9中，將參考圖20加以解釋說明在不同于圖11中顯示的實施例1中的EL顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)的EL元件情況下的密封方法。注意到在實施例9中一直到源矩陣基片的形成的所有處理都類似于實施例1中的步驟，因此省略了對它們的解釋。依據(jù)實施例l形成的有源矩陣基片，有粘貼到其上的密封材料2801 和覆蓋材料2802。具有粘性的樹脂如紫外線固化樹脂可用作密封材料 2801。特別地，最:fcH吏用樹脂，通過它盡可能地阻止潮濕進(jìn)入并盡可能地減少氣體泄漏。另外，可以提取形成在基片上的EL元件發(fā)射的光并
包含具有透光特性的窗口元件的材料可以用做覆蓋材料2802，所述基片諸如玻璃基片、塑料基片或陶瓷基片。在實施例9里，形成紫外線固化樹脂制成的密封材料2801，使得能夠用分配器將象素區(qū)702和驅(qū)動電路部分703包圍。而后，將由塑料構(gòu) 成的覆蓋材料粘敷在其上。下一步，采用紫外線固化密封材料2801，借以將覆蓋材料2802粘在有源矩陣基片上。注意到，在將由塑料構(gòu)成的覆蓋材料2802粘貼到基片上之前，先將由樹脂構(gòu)成的彩色濾光片2803和2804放置在由塑料構(gòu)成的覆蓋材料 2802的上面。在每個象素的上面安放一個彩色濾光片2803和2804以期提高發(fā)自EL元件的光的色彩純度。不提供彩色濾光片也沒關(guān)系。由有源矩陣基片、覆蓋材料2802、以及密封材料2801形成的封閉空間2S05充以惰性氣體(具體地氮?dú)饣蚨栊?稀有)氣體)。為此目的，在惰性氣體中接合有源矩陣基片和覆蓋材料是適當(dāng)?shù)摹＿M(jìn)而，在封閉空間2805內(nèi)放置如氧化鋇等干燥劑是有效的。另外在密封材料2801、覆蓋材料2802或彩色濾光片2803和2804中額外摻雜干燥劑也是可能的。注意到，通過將它與實施例1到7中的任何一個結(jié)構(gòu)自由組合實現(xiàn) 實施例9的結(jié)構(gòu)是可能的。實施例9中獲得的EL顯示器件可用于實施例8中的任何一個電子設(shè)備中。實施例10在實施例10中說明的是在大基片上制造許多依據(jù)本發(fā)明的EL顯示器件的情況。采用圖21A和圖21B以及圖22A和圖22B顯示的頂視圖來加以解釋說明。注意到，每個頂視圖都有兩個分別沿線A-A，和B-B，的剖面圖。圖21A顯示的是一個有源矩陣基片的狀態(tài)，依據(jù)本發(fā)明的實施例1 到7中的任何一個形成，其上有密封材料。參考標(biāo)號2901表示的是源矩陣基片，在幾個位置上設(shè)置有密封材料2卯2。EL顯示器件的象素區(qū)和驅(qū)動部分都各自包含在被密封材料2902包圍的區(qū)域當(dāng)中。也就是說，許多的有源矩陣區(qū)2卯3形成在一個大的基片上(有源矩陣基片2901)上，每個有源矩陣區(qū)是由象素區(qū)和驅(qū)動電路部分組合而成的。典型地，其面積為620mmx720mm或400mmx500mm的基片可用做大基片。當(dāng)然，也可以使用具有其它面積值的基片。圖21B顯示的是覆蓋材料2卯4粘敷到有源矩陣基片2901上的情
況。具有與有源矩陣基片2卯1相同面積的基片可以用做覆蓋材料2904。因此，在圖21B中所示的，公共覆蓋材料可用于所有有源矩陣區(qū)。下面，把圖21B中所示的有源矩陣基片切開的過程將參考圖22A和圖22B加以解釋。在實施例10中，用切片器把有源矩陣基片2卯1和覆蓋材料2卯4切開。切片器是切開基質(zhì)的設(shè)備，首先在基片上形成一個窄槽(切槽)，而后在切槽用力以便在基片上沿切槽形成裂痕，從而切開基片。注意到，另一種可用來切基片的工具是切塊機(jī)。切塊機(jī)是這樣的設(shè) 備，其中有一個堅硬切刀(也稱做切鋸)高速旋轉(zhuǎn)并放置在基片上，從而將基片切開。注意到，另一種可用來切基片的工具是切塊機(jī)。切塊機(jī)是這樣的設(shè) 備，其中有一個堅硬切刀(也稱做切鋸)高速旋轉(zhuǎn)并放置在基片上，從而將基片切開。然而，在使用切塊機(jī)時，要向切鋸噴灑水，以防止發(fā)熱和打磨掉的塵埃擴(kuò)散。因此，在制造EL顯示器件時，使用切片器是理想的，它不需要水。在有源矩陣基片2卯1和覆蓋材料2904中形成切槽的順序如下。首先，在由箭頭(a)指示的方向上形成切槽2卯5a，而后在箭頭(b)所指示的方向上形成切槽2905b，最后，在箭頭(c)所指示的方向上形成切槽2905c。在形成切槽后，用由彈性材料如硅樹脂構(gòu)成的棒向切槽用力以形成裂隙，而后有源基片2901和覆蓋材料2904被切開。圖22B顯示的是在切開有源矩陣基片2901和覆蓋材料2904后的狀態(tài)簡圖。在這個圖中，由有源矩陣基片2卯1，和覆蓋材料2904，組成的整體包括一個有源矩陣區(qū)。進(jìn)一步，此時將覆蓋材料2卯4，切割得比有源矩陣基片2卯1，還小。這樣做的目的是為了把FPC (柔性印刷電路)附著到由參考標(biāo)號2906 表示的區(qū)域上。在將FPC附著完后，至此完成了EL顯示器件。這樣通過實施例10許多的EL顯示器件可以由一個基片制造。例如，由一個620mmx720mm的基片可以制造六個對角線為13到14英寸的EL顯示器件或四個對角線為15到17英寸的EL顯示器件。因此，可以達(dá)到大大地提高產(chǎn)量并降低制造成本的目的。實施例11
參考圖23在實施例11中說明的是這樣的一個結(jié)構(gòu)，其中象素區(qū)中的EL元件203的結(jié)構(gòu)被反轉(zhuǎn)。注意到實施例11的結(jié)構(gòu)與圖2中的結(jié)構(gòu) 的差別僅在于EL元件和電流控制TFT部分，因此其它部分的解釋在此省略掉了。在圖23中，采用p溝道TFT形成電流控制TFT 61，所述p溝道 TFT和依據(jù)實施例1中的制造程序形成的p溝道TFT 206的結(jié)構(gòu)相同。因此，省略了對電流控制TFT61的詳細(xì)描述。在實施例11中，透明導(dǎo)電膜作為象素電極(陽極)62。特別地，使用氧化銦和氧化鋅的復(fù)合物制成的導(dǎo)電膜。當(dāng)然，也可以使用由氧化銦和氧化錫的復(fù)合物制成的導(dǎo)電摸。在由絕緣膜構(gòu)成的棱63a和63b形成后，進(jìn)行溶劑涂敷從而形成由聚乙烯^t唑構(gòu)成的光發(fā)射層64。由乙?；徕洏?gòu)成的電子注入層65 在光發(fā)射層64上形成，而后在其上形成由鋁合金構(gòu)成的陰極66。在這種情況下，陰極66也起到鈍化膜的功能。這樣就形成了 EL元件67。在實施例11的情況下，如箭頭所指示的，發(fā)自光發(fā)射層64的光被輻射到其上形成有TFT的基片。當(dāng)形成如實施例11中所示的結(jié)構(gòu)時，最好是用P溝道TFT形成電流控制TFT。然而，也可以由n溝道TFT 形成電流控制TFT。注意到，可以通過將其與實施例1到7、 9和10中的任何一個的結(jié) 構(gòu)自由組合而形成實施例11的結(jié)構(gòu)。另外，采用具有實施例ll結(jié)構(gòu)的 EL顯示器件作為實施例8中的電子設(shè)備的顯示部分是有效的。實施例12在實施例12中，說明的是圖24中的象素構(gòu)成不同于圖3b所示的電路圖(構(gòu)成)的情況的例子。注意到，在實施例12里，參考標(biāo)號71表示的是開關(guān)TFT72的源極連線。73表示的是開關(guān)TFT的柵極連線，74 表示的是電流控制TFT， 75表示電容器，76和78表示電流源線，以及 77表示的是EL元件。注意到，電容器75利用的是電流控制TFT74的柵極電容(形成在柵極和LDD區(qū)之間的柵極電容)，這里電流控制TFT 74是由n溝道 TFT形成的。實際上并不提供電容器75，因此用虛線指示。當(dāng)然，電容器也可以在不同的結(jié)構(gòu)中形成。圖24A描述的是電流源線76對兩個象素是公共的情況的例子。亦
即，其特征在于在電流源線76周圍形成具有線性對稱結(jié)構(gòu)的兩個象素。在這種情形中，可以減少電流源線的數(shù)目，因此象素區(qū)可以作成具有更高的分辨率。進(jìn)一步，圖24B說明的是電流源線78與柵極連線73平行形成的情況的例子。注意到，在圖24B中，形成這樣的結(jié)構(gòu)，使得電流源線78 不與柵極連線73重疊，但是假定它們是在不同的層上形成的連線，那么可以通過絕緣膜形成重疊。在這種情況下，專用表面區(qū)可由電流源線78 和柵極連線73共享，這樣象素區(qū)的分辨率可以做得更高。進(jìn)而，圖24C的特征在于，類似于圖24B的結(jié)構(gòu)，電流源線78和柵極連線73平行形成，另外，還在于這樣形成兩個象素，即在電流源線 78周圍具有線性對稱結(jié)構(gòu)。而且，形成電流源線78^吏得與柵極連線73 之一重疊是有效的。在這種情形下，可以減少電流源線的數(shù)目，并因此提高象素區(qū)的分辨率。注意到，將其與實施例1到7和9到11中的任何一個的結(jié)構(gòu)自由結(jié) 合形成實施例12的結(jié)構(gòu)是可能的。另外，利用具有實施例12中的象素結(jié)構(gòu)的EL顯示器件作為實施例8中的電子設(shè)備的顯示部分是有效的。實施例13在實施例ll中，p溝道TFT被用做電流控制TFT61。在實施例13 中顯示的是利用有LDD區(qū)的p溝道TFT的例子。在圖25A中顯示的是實施例13中的電流控制TFT的結(jié)構(gòu)。在圖25A里，參考標(biāo)號81表示的是源區(qū)，82表示的是漏區(qū)，83表示的是LDD區(qū)，84表示的是溝道形成區(qū)，85表示的是柵極絕緣膜，86 表示的是柵極，87表示的是第一層間絕緣膜，88表示的是源極連線，89 表示的是漏極連線以及90表示的是第一鈍化膜。在形成實施例13的結(jié)構(gòu)的情況下，處于如下狀態(tài)，其中柵極86通過柵極絕緣膜85和LDD區(qū)83重疊，柵極電容在它們之間形成。實施例 13的特征在于柵極電容用做保持電流控制TFT柵極電壓的電容器。在圖25B中顯示的是依據(jù)實施例13的象素構(gòu)成的范例，在圖25B 里，參考標(biāo)號91表示源極連線，92表示的是柵極連線，93表示的是開關(guān)TFT， 94表示的是電流控制TFT， 95表示的是由電流控制TFT的柵極電容形成的電容器，96表示的是EL元件，以及97表示的是電流源線。注意到圖25A所示結(jié)構(gòu)是這樣的，其中電流控制TFT的結(jié)構(gòu)和圖24A中EL元件的方向是相反的。也就是說，形成象素使具有如圖2犯和圖24C中的電路結(jié)構(gòu)是可能的。在形成實施例13中的電流控制TFT的情形中，需要形成p溝道TFT 的LDD區(qū)的步驟。然而，用來形成LDD區(qū)83的成型過程以及摻雜p 型摻雜元素的摻雜過程可以加到實施例1的制造過程。當(dāng)增加這些過程時，將包含在LDD區(qū)83的p型摻雜元素的濃度設(shè)定在lxlO^到lx1018 個原子/cm3 (典型地，在5xl0"和5xl(F個原子/cm3之間)之間是合適的。注意到，將其與實施例1到7和9到12中的任何一個的結(jié)構(gòu)自由結(jié) 合形成實施例13的結(jié)構(gòu)是可能的。另外，利用具有實施例13中的象素結(jié)構(gòu)的EL顯示器件作為實施例8中的電子設(shè)備的顯示部分是有效的。實現(xiàn)本發(fā)明使得有機(jī)EL材料的薄膜沉積毫無問題，而且不引起在噴墨法中的行程曲線問題。亦即，因為高分子有機(jī)EL材料可以精確地進(jìn)行薄膜沉積而沒有位置偏移問題，因此采用高分子有機(jī)EL材料制成的EL顯示器件的生產(chǎn)效率提高了。進(jìn)而，有機(jī)EL材料是以"線"的形式涂敷的，而不是象噴墨法中那樣以"點(diǎn)"的形式涂敷，因此，獲得高產(chǎn)量。<formula>formula see original document page 48</formula>
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā) 光材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括在選自包括如下裝置組的電子裝置中攝象機(jī)；數(shù)碼相機(jī)；防護(hù)鏡型顯示器；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置；個人計算機(jī)；游戲設(shè)備；移動計算機(jī)；移動電話；移動游戲裝置；電子書；和圖像回放裝置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體器件還包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
5. —種半導(dǎo)體器件，包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，其中所述干燥劑包括氧化鋇。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體器件還包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括在選自包括如下裝置組的電子裝置中攝象機(jī)；數(shù)碼相機(jī)；防護(hù)鏡型顯示器；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置；個人計算機(jī)；游戲設(shè)備；移動計算機(jī)；移動電話；移動游戲裝置；電子書；和圖像回放裝置。
10. —種半導(dǎo)體器件，包括第一玻璃襯底；在所述笫一玻璃襯底之上、以條形布置的多個笫一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料；其中所述多個第一電極是透明的，所述多個笫二電極是反射性的。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體器件還包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括在選自包括如下裝置組的電子裝置中攝象機(jī)；數(shù)碼相機(jī)；防護(hù)鏡型顯示器；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置；個人計算機(jī)；游戲設(shè)備；移動計算機(jī)；移動電話；移動游戲裝置；電子書；和圖像回放裝置。
14. 一種半導(dǎo)體器件，包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃村底；將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料；和其中所述發(fā)光層產(chǎn)生的光向第一玻璃襯底照射。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體器件還包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括在選自包括如下裝置組的電子裝置中攝象機(jī)；數(shù)碼相機(jī)；防護(hù)鏡型顯示器；汽車導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音重放裝置；個人計算機(jī)；游戲設(shè)備；移動計算機(jī)；移動電話；移動游戲裝置；電子書；和圖像回放裝置。
18. —種汽牟音響系統(tǒng)，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的汽車音響系統(tǒng)，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的汽車音響系統(tǒng)，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
21. —種汽車音響系統(tǒng)，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的汽車音響系統(tǒng)，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的汽車音響系統(tǒng)，其中所述干燥劑包括氧化鋇。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的汽車音響系統(tǒng)，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
25. —種汽車音響系統(tǒng)，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述笫一玻璃襯底之上、以條形布置的多個笫一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個笫二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料；其中所述多個第一電極是透明的，所述多個第二電極是反射性的。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25的汽車音響系統(tǒng)，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的汽車音響系統(tǒng)，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
28. —種汽車音響系統(tǒng)，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的汽車音響系統(tǒng)，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的汽車音響系統(tǒng)，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
31. —種聲音重放裝置，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃村底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
32. 根據(jù)權(quán)利要求;3i的聲音重放裝置，其中所迷發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
33. 根據(jù)權(quán)利要求:3i所述的聲音重放裝置，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
34. —種聲音重放裝置，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的聲音重放裝置，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
36. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的聲音重放裝置，其中所述干燥劑包括氧化鋇。
37. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的聲音重放裝置，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
38. —種聲音重放裝置，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料；其中所述多個第一電極是透明的，所述多個第二電極是反射性的。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38的聲音重放裝置，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
40. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的聲音重放裝置，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個笫一電極之間的空間的棱。
41. 一種聲音重放裝置，包括一個顯示裝置，所述顯示裝置包括第一玻璃襯底；在所述第一玻璃襯底之上、以條形布置的多個第一電極；形成在所述多個第一電極之上的發(fā)光層；以條形布置的多個第二電極，與所述多個第一電極交叉；在所述多個第二電極之上的第二玻璃襯底；位于所述多個第二電極和第二玻璃襯底之間的干燥劑；和將第一玻璃襯底和第二玻璃襯底相互粘合在一起的密封材料。
42. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的聲音重放裝置，其中所述發(fā)光層包括有機(jī)電致發(fā)光材料。
43. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的聲音重放裝置，其中顯示裝置包括被形成用于填充所述多個第一電極之間的空間的棱。
全文摘要
為了提供一種高效率薄膜沉積方法，用于精確地薄膜沉積由聚合物制成的有機(jī)EL材料而沒有任何偏移。像素區(qū)被棱分割為多個像素行，薄膜沉積裝置的頭部沿著像素行掃描從而同時把紅光發(fā)射層涂敷液體、綠光發(fā)射層涂敷液體和藍(lán)光發(fā)射層涂敷液體涂敷成條狀。然后進(jìn)行熱處理以便形成發(fā)射紅、綠和藍(lán)色光的光發(fā)射層。
文檔編號H01L51/40GK101118923SQ20061008192
公開日2008年2月6日申請日期2000年10月12日優(yōu)先權(quán)日1999年10月12日
發(fā)明者山崎舜平, 山本一宇, 廣木正明, 福永健司申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所

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