專利名稱：制造發(fā)光二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種制造發(fā)光二極管的方法，特別是有關(guān)于一種將吸光的襯底層移除及透明導(dǎo)電層形成在n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層以增加發(fā)光面積。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管的發(fā)光機(jī)制擁有許多的特頂，使得在現(xiàn)今的工業(yè)以及日常生活中可以普遍的見到其應(yīng)用。例如，只需要小面積的照明時(shí)，發(fā)光二極管不但可以提供小面積的照明，而且其電源消耗遠(yuǎn)較傳統(tǒng)的白熾燈泡或是日光燈來的低。另外，發(fā)光二極管的發(fā)射光線的頻譜遠(yuǎn)較傳統(tǒng)的照明設(shè)備為窄，因而可以發(fā)射某些特定波段的光線。日常見到的發(fā)光二極管就有紅色，黃色，綠色，藍(lán)綠色，藍(lán)色等各種顏色。不同顏色的發(fā)光二極管可以作為不同狀態(tài)的指示燈。
現(xiàn)有的發(fā)光二極管，如圖1所示，是在一基板10上形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)20，包含一在基板10上的n-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層22，一在n-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層22上的有源層24，一在有源層24上的p-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26。在襯底10的下方有一n電極23，而在p-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26上有一p電極27以及可選擇性的在p-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26上有一透明導(dǎo)電層28。
如果大部分的電流從p電極27直接往p-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26通過，則在有源層24上會只有少部分的面積會有機(jī)會產(chǎn)生電子電動對的結(jié)合而發(fā)光。透明導(dǎo)電層28的主要目的，就是希望p型電極27的電流會先均勻地在透明導(dǎo)電層28上面擴(kuò)散。然后，電流才均勻地向下流向p-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26。在發(fā)光二極管中，增加電流向p-型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26的面積可以增加發(fā)光二極管的發(fā)光面積。透明導(dǎo)電層28，主要會使用的材料是銦錫氧化物。然而，銦錫氧化物與p型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26之間并不易形成歐姆接觸，這會造成電流從透明導(dǎo)電層26流向p型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層26的阻礙。故發(fā)光二極管制造不易，產(chǎn)品的良率低。
一種解決的方式，就是尋找與p型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈歐姆接觸的透明導(dǎo)電的材質(zhì)。然而，目前的透明導(dǎo)電的材質(zhì)均為與n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈歐姆接觸，不易找到與p型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈歐姆接觸這樣的透明導(dǎo)電的材質(zhì)。
因此，亟需一種方式制造發(fā)光二極管可以解決上述問題以增加發(fā)光二極管的發(fā)光面積。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的發(fā)明背景中，傳統(tǒng)的發(fā)光二極管所產(chǎn)生的諸多問題與缺點(diǎn)，本發(fā)明主要的目的在于提供一種發(fā)光二極管的制造方式，其中以銦錫氧化物為材質(zhì)的透明導(dǎo)電層形成在n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層端，而在p型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層端形成適當(dāng)?shù)慕饘贇W姆接觸層與金屬襯底。在本發(fā)明中光線是透過n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層發(fā)射出去，正好搭配與n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈歐姆接觸的透明導(dǎo)電材質(zhì)。
本發(fā)明的另一目的為增加發(fā)光二極管的發(fā)光面積，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電材質(zhì)與n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈現(xiàn)歐姆接觸，電流會均勻分布在透明導(dǎo)電層以及n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層。
本發(fā)明的又一目的為使用剝離法移除半導(dǎo)體襯底。剝離法可以讓相異的兩層材質(zhì)之間成為剝離。
本發(fā)明的再一目的在于使用金屬襯底可以將發(fā)射到p型導(dǎo)通半導(dǎo)體層反射回n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層，亦可作為p電極，以及促進(jìn)發(fā)光二極管的散熱。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供了一種制造發(fā)光二極管的方法，包含在一半導(dǎo)體襯底上形成一高選擇比層。然后，在高選擇比層上形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在高選擇比層上以及一p-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上。之后，在發(fā)光結(jié)構(gòu)上依序形成一p型歐姆接觸層以及一金屬層在p型歐姆接觸層上。接著，將半導(dǎo)體襯底以及高選擇比層移除。然后，緊鄰在n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層旁形成一n型接觸電極與一透明導(dǎo)電層。
本發(fā)明亦提供了一種制造發(fā)光二極管的方法，包含在一三五族化合物半導(dǎo)體襯底上形成一剝離層。然后，在剝離層上依序形成一n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層，在n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上形成一有源層，在有源層上形成一p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層。之后，在p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上形成一p型金屬接觸層，并且進(jìn)行退火工藝使得前述p型金屬接觸層成為一p型歐姆接觸層。接著，在p型歐姆接觸層上形成一金屬層。然后，切穿前述三五族化合物半導(dǎo)體襯底直到剝離層，并且以剝離法移除剝離層以及半導(dǎo)體襯底。再者，緊鄰在前述n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層旁形成n型接觸電極以及透明導(dǎo)電層，如銦錫氧化物層。


圖1顯示傳統(tǒng)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)；圖2顯示本發(fā)明的形成發(fā)光二極管各步驟的流程圖；圖3A-圖3G顯示依照本發(fā)明的方式制造發(fā)光二極管的各步驟階段的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖4顯示切割后的單一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
符號說明10 襯底20 發(fā)光結(jié)構(gòu)22 n型導(dǎo)電半導(dǎo)體層23 n型接觸電極24 有源層26 p型導(dǎo)電半導(dǎo)體層27 p型接觸電極28 銦錫氧化物110 襯底112 高選擇比層114 切穿孔120 發(fā)光結(jié)構(gòu)122 n型導(dǎo)電半導(dǎo)體層124 有源層126 p型導(dǎo)電半導(dǎo)體層128 銦錫氧化物層130 p型歐姆接觸層131 n型接觸電極132 金屬層具體實(shí)施方式
本發(fā)明的一些實(shí)施例會詳細(xì)描述如下。然而，除了詳細(xì)描述的實(shí)施例外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實(shí)施例中施行，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以之后的申請專利范圍為準(zhǔn)。
再者，為提供更清楚的描述及更易理解本發(fā)明，圖標(biāo)內(nèi)各部分并沒有依照其相對尺寸繪圖，某些尺寸與其它相關(guān)尺度相比已經(jīng)被夸張；不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分也未完全繪出，以求圖標(biāo)的簡潔。
本發(fā)明主要將透明導(dǎo)電層形成在n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上，兩者之間即為歐姆接觸。這種方式會使得發(fā)光二極管的光線會從n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上發(fā)射。因此，需要將半導(dǎo)體襯底移除，移除的方式會以剝離法較佳。另外，在p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層一端形成金屬襯底。金屬襯底可以作為p電極以及促進(jìn)發(fā)光二極管的散熱等功能。
本發(fā)明因此提供一種制造發(fā)光二極管的方法，包含在一半導(dǎo)體襯底上形成一高選擇比層。然后，在高選擇比層上形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中的發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在高選擇比層上以及一p-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上。之后，在發(fā)光結(jié)構(gòu)上依序形成一p型歐姆接觸層以及一金屬層在p型歐姆接觸層上。接著，將半導(dǎo)體襯底以及高選擇比層移除。然后，緊鄰在n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層旁形成一n型接觸電極與一透明導(dǎo)電層，其中的透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物。
前述半導(dǎo)體襯底為三五族化合物半導(dǎo)體襯底，在本發(fā)明中可為GaAs，而前述的高選擇比層可為AlAs或是AlGaAs形成p型歐姆接觸層的步驟包含，在p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上形成一p型金屬接觸層，以及進(jìn)行退火工藝使得前述p型金屬接觸層成為p型歐姆接觸層。另外，移除半導(dǎo)體襯底以及高選擇比層的步驟可包含切穿前述三五族化合物半導(dǎo)體襯底直到高選擇比層，以及以氫氟酸剝離高選擇比層以及半導(dǎo)體襯底。然而，上述移除半導(dǎo)體襯底以及高選擇比層的步驟亦可以不包含切穿前述三五族化合物半導(dǎo)體襯底的步驟，直接以氫氟酸剝離高選擇比層以及半導(dǎo)體襯底。兩種步驟的選擇主要取決于移除襯底的效率何者較佳。
本發(fā)明的實(shí)施例可參照圖2的流程圖。首先，提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底可選擇GaAs半導(dǎo)體化合物。然后，在半導(dǎo)體襯底上形成一高選擇比層。高選擇比層主要是提供后面的剝離工藝中的剝離(lift-off)層。之后，在高選擇比層上形成發(fā)光二極管的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中的發(fā)光結(jié)構(gòu)包含n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層，有源層，以及p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層。其中上述的有源層可為雙異質(zhì)接面結(jié)構(gòu)(double hetero-junction structure)，單一量子井結(jié)構(gòu)(single quantum well structure)，或是多重量子井結(jié)構(gòu)(multiple quantum well structure)。接著，在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成一p型歐姆接觸層。這里的歐姆接觸層不需要考慮是否透光，因?yàn)楣饩€將會從另外一端發(fā)射出去。一般形成歐姆接觸層的方式包含金屬沉積以及退火等過程。之后，在p型歐姆接觸層上形成一金屬層。這層金屬層提供了幾個(gè)功能，一個(gè)是作為發(fā)光二極管的金屬基板，另一個(gè)是作為p電極。接著，將高選擇比層以及三五族化合物半導(dǎo)體襯底移除，移除的方式是以剝離法較佳。高選擇比層的材質(zhì)是AlAs，使用氫氟酸作為移除的蝕刻劑。然后，在緊鄰在發(fā)光結(jié)構(gòu)的n型導(dǎo)電層旁形成n型接觸電極與透明導(dǎo)電層。一般透明導(dǎo)電層可使用銦錫氧化物。
在圖2中形成發(fā)光二極管各步驟階段的結(jié)構(gòu)示意圖是顯示在圖3A-圖3G中。再者，圖3A-圖3G所示為晶圓階段的工藝，形成的發(fā)光二極管晶粒需要被切割。
如圖3A所示，在一半導(dǎo)體基板110上形成一高選擇比層112。半導(dǎo)體襯底110主要是以三五族化合物為主，例如，GaAs，GaSb，InP，或是GaP等的半導(dǎo)體化合物。會考慮上述材料的主要原因是因?yàn)檫@些材料在產(chǎn)業(yè)界的應(yīng)用上是十分成熟的。另外，亦可以考慮二六族的半導(dǎo)體化合物，或者是可以考慮使用四族的本征半導(dǎo)體材料或是四族的半導(dǎo)體化合物作為襯底，只要其晶格常數(shù)與上面的高選擇比層112的晶格常數(shù)可以匹配。
高選擇比層112的材料較佳的選擇會是AlAs。因?yàn)锳lAs這種材料對于發(fā)光二極管的發(fā)光結(jié)構(gòu)具有很高的蝕刻選擇比。AlAs的形成方式可以使用化學(xué)氣相磊晶法(CVD；Chemical Vapor Deposition)，例如有機(jī)金屬化學(xué)氣相磊晶法(MOCVD；Metal Organic CVD)，等離子體增益化學(xué)氣相磊晶法(PECVD；Plasma Enhanced CVD)，或是分子束磊晶(MBE；MolecularBeam Epitaxy)等均可。高選擇比層112的厚度約為20-2000埃。
如圖3B所示，在高選擇比層112上形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)120，在本實(shí)施例中以雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)作為說明，但是亦可以為均勻的pn接面(homogeneous pnjunction)，單一量子井結(jié)構(gòu)(single quantum well)，多重量子井結(jié)構(gòu)等。發(fā)光結(jié)構(gòu)120為發(fā)光二極管發(fā)光的部分。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包含一n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122，一有源層124，以及一p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層126。另外，亦可以包含其它功能的半導(dǎo)體層，例如緩沖層，光學(xué)取出層，電流擴(kuò)散層，電流阻擋層，或是其它可能的非半導(dǎo)體層等。這些額外的層并不會影響到本發(fā)明的特征，可以在適當(dāng)?shù)牡胤皆黾印?br> 之后，如圖3C所示，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120上形成一p型金屬歐姆接觸層130。在本發(fā)明中，金屬歐姆接觸層130的材質(zhì)可為AuBe，AuZn，PdBe，NiBe，NiZn，PdZn，或是AuZn，或是上述的材料與Pt或是Au的多層結(jié)構(gòu)。p型金屬歐姆接觸層130形成的方式主要包含鍍膜以及退火等兩個(gè)步驟。鍍膜的方式可以使用蒸鍍(thermal evaporation)，濺鍍(sputtering)，或是電子束蒸鍍(E-beam evaporation)，形成之后的金屬層需要經(jīng)過退火才會與p型半導(dǎo)體層之間形成歐姆接觸。金屬歐姆接觸層130的厚度約為50-20,000埃。這里使用金屬歐姆接觸層130有幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。一個(gè)是提供良好的歐姆接觸。另外是提供發(fā)光二極管一個(gè)好的反射面，可以讓朝向p型半導(dǎo)體層發(fā)射的光線經(jīng)由反射而朝向n型半導(dǎo)體層出去。
如圖3D所示，在金屬歐姆接觸層130上形成一金屬層132。這層金屬層132有幾個(gè)功能，一個(gè)是作為發(fā)光二極管的基板，另一個(gè)是作為p電極。因?yàn)樵诒景l(fā)明中原先的半導(dǎo)體基板110會被移除，所以最后的發(fā)光二極管會使用這層金屬層132作為基板。再者，金屬基板有許多的好處，如散熱佳，提供絕佳的反射效果。而金屬層132作為p電極還有其它的好處，例如，電流可以均勻的擴(kuò)散且流向發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)以增加發(fā)光面積。金屬層132的形成方式可以有多樣化的選擇，可以使用電鍍方式(plating)，印刷(printing)，涂布(spin coating)，噴涂(spray)。在本實(shí)施例中，金屬層132的材質(zhì)可為金，銀，銅，鎳金，或是銀膠(silver epoxy)或是焊接貼(solder paste)等。金屬層132的厚度約為10-200微米。
然后，如圖3E所示，將半導(dǎo)體襯底110切穿。這里我們選擇使用切穿襯底110的方式可以提供大片晶圓面積時(shí)較佳的蝕刻效果。由于之后的工藝是針對半導(dǎo)體襯底110，高選擇比層112，以及p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122，因此將圖標(biāo)上下翻轉(zhuǎn)俾使利于解說本發(fā)明。將半導(dǎo)體襯底110切穿到暴露出高選擇比層112層的方式有許多種，可以使用干式蝕刻或是濕式蝕刻，或是以激光束切穿半導(dǎo)體層均可。
接著，如圖3F所示，以剝離法將半導(dǎo)體襯底110與高選擇比層112移除。在本實(shí)施例中，使用氫氟酸蝕刻高選擇比層112的蝕刻速率會比蝕刻半導(dǎo)體襯底110以及p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122的蝕刻速率高，大約大于108。也就是說，當(dāng)高選擇比層112被完全蝕刻之后，半導(dǎo)體襯底110以及發(fā)光結(jié)構(gòu)120仍然保持著，而半導(dǎo)體襯底110就會像是被剝離開，與發(fā)光二極管完全脫離。另外，蝕刻之后的p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122的表面具有良好的晶格表面，可以再繼續(xù)磊晶其它的層。在本實(shí)施例中，將發(fā)光二極管的半導(dǎo)體襯底110浸置在氫氟酸溶液中，使得高選擇比層112會接觸到氫氟酸溶液。當(dāng)高選擇比層112被蝕刻之后，半導(dǎo)體襯底110就會留在氫氟酸溶液中。
如圖3G所示，在n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122上分別形成n電極131以及透明導(dǎo)電層128。在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層128為銦錫氧化物層128，然而，亦可為鋅錫氧化物(IZO；Indium Zinc Oxide)，或是其它透明金屬層。由于銦錫氧化物或是鋅錫氧化物是與n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122呈歐姆接觸，電流由n電極131會均勻的分布在銦錫氧化物層128上，然后均勻的向下流向n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層122。
圖4是顯示切割之后的發(fā)光二極管的晶粒。
由于現(xiàn)今的透明導(dǎo)電材質(zhì)是與n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈歐姆接觸，本發(fā)明將銦錫氧化物或是鋅錫氧化物的透明導(dǎo)電材質(zhì)形成在n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層上，可以改善發(fā)光二極管的諸多問題以及改善發(fā)光二極管的效率。由于光線是從n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層發(fā)射出去，正好搭配與n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈歐姆接觸的透明導(dǎo)電材質(zhì)。而發(fā)光二極管的有效發(fā)光面積亦得以增加，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電材質(zhì)與n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層之間呈現(xiàn)歐姆接觸，電流會均勻分布在透明導(dǎo)電層以及n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層。另外，在p型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層端形成適當(dāng)?shù)慕饘贇W姆接觸層與金屬襯底。使用金屬襯底可以將發(fā)射到p型導(dǎo)通半導(dǎo)體層反射回n型導(dǎo)通的半導(dǎo)體層。而且，金屬襯底亦可作為p電極，以及促進(jìn)發(fā)光二極管的散熱。再者，利用剝離法移除半導(dǎo)體襯底，可以讓相異的兩層材質(zhì)之間剝離開。
對熟悉此領(lǐng)域技藝者，本發(fā)明雖以一較佳實(shí)例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā)明精神。在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改與類似的安排，均應(yīng)包含在申請專利范圍內(nèi)，這樣的范圍應(yīng)該與覆蓋在所有修改與類似結(jié)構(gòu)的最寬廣的詮釋一致。因此，闡明如上的本發(fā)明一較佳實(shí)例，可用來鑒別不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種制造發(fā)光二極管的方法，包含提供一半導(dǎo)體襯底；形成一高選擇比層在該半導(dǎo)體襯底上；形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)在該高選擇比層上，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在該高選擇比層上以及一p-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上；形成一p型歐姆接觸層在該發(fā)光結(jié)構(gòu)上；形成一金屬層在該p型歐姆接觸層上；移除該半導(dǎo)體襯底以及該高選擇比層；形成一n型接觸電極且緊鄰在該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層；以及形成一透明導(dǎo)電層且緊鄰在該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的半導(dǎo)體襯底為三五族化合物半導(dǎo)體襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的三五族化合物半導(dǎo)體襯底為GaAs。
4.如權(quán)利要求3所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的高選擇比層為AlAs。
5.如權(quán)利要求2所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的三五族化合物半導(dǎo)體襯底為GaSb，InP，或GaP之一。
6.如權(quán)利要求5所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的高選擇比層為AlAs，AlGaAs之一。
7.如權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的形成該p型歐姆接觸層的步驟包含形成一p型金屬接觸層在該p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上；以及進(jìn)行退火工藝使得該p型金屬接觸層成為該p型歐姆接觸層。
8.如權(quán)利要求2所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的移除該該半導(dǎo)體襯底以及該高選擇比層的步驟包含切穿該三五族化合物半導(dǎo)體襯底直到該高選擇比層；以及以氫氟酸剝離該高選擇比層以及該半導(dǎo)體襯底。
9.如權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物。
10.如權(quán)利要求1所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一有源層位于該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層與該p-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層之間。
11.一種制造發(fā)光二極管的方法，包含提供一三五族化合物半導(dǎo)體襯底；形成一剝離層在該三五族化合物半導(dǎo)體襯底上；形成一n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在該剝離層上；形成一有源層在該n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上；形成一p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層在該有源層上；形成一p型金屬接觸層在該p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上；進(jìn)行退火工藝使得該p型金屬接觸層成為p型歐姆接觸層；形成一金屬層在該p型歐姆接觸層上；切穿該三五族化合物半導(dǎo)體襯底直到該剝離層；以剝離法移除該剝離層以及該半導(dǎo)體襯底；形成n型接觸電極緊鄰在該n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層；以及形成銦錫氧化物層緊鄰在該n型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層。
12.如權(quán)利要求11所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的三五族化合物半導(dǎo)體襯底為GaAs。
13.如權(quán)利要求12所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的剝離層為AlAs。
14.如權(quán)利要求12所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的三五族化合物半導(dǎo)體襯底為GaSb，InP，或GaP之一。
15.如權(quán)利要求14所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的剝離層為AlAs，AlGaAa之一。
16.如權(quán)利要求11所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的剝離法是使用氫氟酸作為移除該剝離層以及該半導(dǎo)體襯底的溶液。
17.如權(quán)利要求11所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中上述的發(fā)光結(jié)構(gòu)包含一有源層位于該n-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層與該p-型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層之間。
全文摘要
一種制造發(fā)光二極管的方法，包含在一半導(dǎo)體襯底上依序形成一高選擇比層以及一發(fā)光結(jié)構(gòu)。之后，在發(fā)光結(jié)構(gòu)上依序形成一p型歐姆接觸層以及一金屬層在p型歐姆接觸層上。接著，將半導(dǎo)體襯底以及高選擇比層移除。然后，在發(fā)光結(jié)構(gòu)相對于該金屬層的面形成一n型接觸電極與一透明導(dǎo)電層。
文檔編號H01L33/00GK101075649SQ20061008259
公開日2007年11月21日 申請日期2006年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月18日
發(fā)明者吳伯仁, 吳美慧, 詹凱富, 陳建安, 張?jiān)葱? 葉立學(xué) 申請人:洲磊科技股份有限公司