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      電子封裝元件的制作方法

      文檔序號(hào):6874650閱讀:206來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:電子封裝元件的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種電子封裝元件,特別涉及一種具有散熱孔洞的電子封裝元件。
      背景技術(shù)
      因應(yīng)環(huán)保意識(shí)的提高升,歐盟制定關(guān)于電子元件工藝的要求,其中無(wú)鉛工藝就是在制造電子元件的過(guò)程中禁止使用鉛金屬,因?yàn)殂U不僅會(huì)危害大自然,也會(huì)對(duì)人體造成傷害。而這無(wú)鉛工藝也成了各國(guó)在生產(chǎn)電子元件過(guò)程中,所需要考慮的因素。在無(wú)鉛工藝的要求下,電子元件的焊接技術(shù)遇到重大變革,習(xí)知的焊料為錫/鉛合金已無(wú)法繼續(xù)使用。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的研究后,終于找到一些無(wú)鉛焊料,例如錫/銀/銅合金。
      請(qǐng)參閱圖1所示,一種習(xí)知的電子封裝元件1為一表面貼裝元件(SurfaceMount Device,SMD),其在回焊(reflow soldering)過(guò)程中,受一光源12所發(fā)出的紅外光照射,紅外光所產(chǎn)生的熱使得焊料熔化而完成焊接。習(xí)知的回焊過(guò)程中,使用錫/鉛合金作為焊料,紅外光所照射的溫度只需要220℃左右就可使焊料熔化;但在無(wú)鉛工藝中,使用無(wú)鉛的金屬如錫/銀/銅合金作為焊料,需要約260℃的高溫才能使焊料熔化。
      請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示,該電子封裝元件1的封裝本體11包覆至少一線圈112;而該線圈112表面被一硅材113所包覆。當(dāng)該封裝本體11處于260℃的回焊高溫中,該封裝本體11的該硅材113會(huì)受熱膨脹,所產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)傳到該封裝本體11,而造成該封裝本體11表面產(chǎn)生裂痕114,如圖2B所示,使其可靠度降低。
      因此,如何提供一種電子封裝元件,可以適用于無(wú)鉛工藝,且不會(huì)損及封裝本體,實(shí)為當(dāng)前重要課題之一。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于上述課題,本發(fā)明的目的為提供一種能適用于無(wú)鉛工藝,且不會(huì)損及封裝本體的電子封裝元件。
      于是,為達(dá)上述目的,本發(fā)明的一種電子封裝元件包括一封裝本體、設(shè)置于該封裝本體內(nèi)部的多個(gè)磁性元件、以及一覆蓋于該等磁性元件表面的硅材。其中該封裝本體由一成型材料所構(gòu)成,并于其至少一側(cè)面開(kāi)設(shè)至少一散熱孔洞。
      承上所述,本發(fā)明的電子封裝元件因其封裝本體的側(cè)面開(kāi)設(shè)有至少一散熱孔洞,故在無(wú)鉛回焊的高溫環(huán)境中,熱可藉由散熱孔洞迅速排出,且受熱的硅材亦有多余的空間可膨脹。與習(xí)知技術(shù)相較,本發(fā)明能夠降低該封裝本體內(nèi)的硅材所承受的溫度,并使硅材有可膨脹的空間,使得該封裝本體不會(huì)因硅材熱膨脹所產(chǎn)生的應(yīng)力而產(chǎn)生裂痕導(dǎo)致?lián)p壞。


      圖1為一種習(xí)知電子封裝元件在回焊過(guò)程中的一示意圖;圖2A為一種習(xí)知電子封裝元件在回焊過(guò)程中的剖面示意圖;圖2B為圖2A的電子封裝元件的立體示意圖;圖3為本發(fā)明未含硅材的電子封裝元件的一實(shí)施例立體示意圖;以及圖4為圖3含硅材的剖面示意圖。
      元件符號(hào)說(shuō)明1、2電子封裝元件 11、21 封裝本體112 線圈 22 磁性元件113、23 硅材 114 裂痕12 光源 24 接腳211、211’、212 側(cè)面 213 散熱孔洞具體實(shí)施方式
      以下將參照相關(guān)附圖,說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種電子封裝元件,其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說(shuō)明。
      請(qǐng)同時(shí)參閱圖3與圖4所示,本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種電子封裝元件2包括一封裝本體21、多個(gè)磁性元件22、一硅材23以及多個(gè)接腳24。
      該封裝本體21由一成型材料所構(gòu)成,包覆該等磁性元件22,以本實(shí)施例而言,該磁性元件22可為一線圈,且該成型材料可含有環(huán)氧樹(shù)脂(epoxyresin)。如圖3所示,該硅材23覆蓋于該等磁性元件22的表面(圖4為能清楚顯示出該等線圈,故硅材23并未繪示出來(lái)),以保護(hù)該等磁性元件22。該等多個(gè)接腳24則設(shè)置于該封裝本體21的相對(duì)兩側(cè)邊211,211’,用來(lái)與其它設(shè)備或元件產(chǎn)生電連結(jié)。該電子封裝元件2較佳地為一表面貼裝元件(SMD),例如局域網(wǎng)絡(luò)濾波器(LAN Filter)。
      請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參閱圖3與圖4,該封裝本體21的一側(cè)面212開(kāi)設(shè)有至少一散熱孔洞213,以本實(shí)施例而言,在同一側(cè)面212開(kāi)設(shè)兩散熱孔洞213。
      當(dāng)該電子封裝元件2進(jìn)入無(wú)鉛回焊的高溫環(huán)境時(shí),因其封裝本體21的一側(cè)面212開(kāi)設(shè)有至少一散熱孔洞213,故熱可藉由該散熱孔洞213迅速排出,且受熱的硅材23亦有多余的空間可膨脹,使得該封裝本體21不會(huì)因硅材23熱膨脹所產(chǎn)生的應(yīng)力而產(chǎn)生裂痕導(dǎo)致?lián)p壞。
      當(dāng)然,該封裝本體還可被一導(dǎo)熱夾具所包覆,該導(dǎo)熱夾具緊密地包覆于該封裝本體21的頂面及側(cè)面而不與該等接腳24接觸。該導(dǎo)熱夾具較佳地由導(dǎo)熱良好的金屬材質(zhì)所制成,例如銅,以達(dá)到良好的散熱效果。如此,在回焊過(guò)程中,封裝本體21表面的高溫可藉由該導(dǎo)熱夾具迅速排出到外界。
      以上所述僅為舉例性,而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇,而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更,均應(yīng)包含于后附的權(quán)利區(qū)域所限定的范圍中。
      權(quán)利要求
      1.一種電子封裝元件,包括多個(gè)磁性元件;一封裝本體,包覆該等磁性元件;其中該封裝本體的至少一側(cè)面開(kāi)設(shè)有至少一散熱孔洞。
      2.如權(quán)利要求1所述的電子封裝元件,還包括一硅材,覆蓋于該磁性元件的表面。
      3.如權(quán)利要求1所述的電子封裝元件,其中該封裝本體由一成型材料(molding material)所構(gòu)成。
      4.如權(quán)利要求3所述的電子封裝元件,其中該成型材料含有環(huán)氧樹(shù)脂。
      5.如權(quán)利要求1所述的電子封裝元件,其中該磁性元件為一線圈。
      6.如權(quán)利要求1所述的電子封裝元件,其還包括多個(gè)接腳,分別設(shè)置于該封裝本體的相對(duì)兩側(cè)邊。
      7.如權(quán)利要求6所述的電子封裝元件,其為一表面貼裝元件(SMD)。
      8.如權(quán)利要求7所述的電子封裝元件,其為一局域網(wǎng)絡(luò)濾波器(LANFilter)。
      9.如權(quán)利要求1所述的電子封裝元件,其中該封裝本體被一導(dǎo)熱夾具所包覆。
      10.如權(quán)利要求9所述的電子封裝元件,其中該導(dǎo)熱夾具由銅或金屬材質(zhì)制成。
      全文摘要
      一種電子封裝元件包括一封裝本體、設(shè)置于該封裝本體內(nèi)部的多個(gè)磁性元件、以及一覆蓋于該等磁性元件表面的硅材;其中該封裝本體的至少一側(cè)面開(kāi)設(shè)至少一散熱孔洞,以加速散熱并使該硅材具有可膨脹的空間。
      文檔編號(hào)H01L23/34GK101079401SQ200610084469
      公開(kāi)日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2006年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月23日
      發(fā)明者陳志澤, 高清滿, 許漢正 申請(qǐng)人:臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
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