專利名稱：在光致抗蝕層中形成圖像的方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領域；更具體地，其涉及采用浸式光刻技術(shù)的集成電路制造。
背景技術(shù)：
隨著高級集成電路的結(jié)構(gòu)尺寸減小，制造商轉(zhuǎn)而開發(fā)被稱作浸式光刻的微光刻技術(shù)，因為其具有提高的分辯能力。在浸式光刻中，使浸漬液位于光學透鏡和光致抗蝕層之間。與傳統(tǒng)的空氣中光輻射相比，浸漬液提供了高得多的焦深，因此有利于使用高數(shù)值孔徑的光學設計，這能夠在光致抗蝕圖案化過程中獲得提高的分辨率。但是，存在兩個與浸式光刻有關的問題。第一個問題是，在許多光致抗蝕體系中，光致抗蝕層的組分會浸出到浸漬液中和/或浸漬液滲入光致抗蝕層中，由此降低性能。第二個問題在于浸漬液中存在的痕量雜質(zhì)會浸入光致抗蝕層并最終污染集成電路中的各種結(jié)構(gòu)，從而降低收率和/或可靠性。因此，需要一種在浸式光刻系統(tǒng)中防止光致抗蝕層與浸漬液之間的相互作用并防止或降低浸漬液中的污染物污染制造中的集成電路的方法。
發(fā)明概述本發(fā)明的第一方面是一種在光致抗蝕層中形成圖像的方法，包括提供基材；在基材上形成光致抗蝕層；在光致抗蝕層上形成污染吸除面層(gettering topcoat layer)，該污染吸除面層包括一種或多種聚合物和一種或多種陽離子絡合劑；透過具有不透明和透明區(qū)域的光掩模使光致抗蝕層暴露在光化輻射下，不透明區(qū)域遮蔽了光化輻射而透明區(qū)域可透過光化輻射，光化輻射改變了光致抗蝕層中受到輻射的區(qū)域的化學組成，從而在光致抗蝕層中形成曝光和未曝光區(qū)域；以及去除光致抗蝕層的曝光區(qū)域或光致抗蝕層的未曝光區(qū)域。
本發(fā)明的第二方面是污染吸除面層材料，其包含一種或多種聚合物；一種或多種陽離子絡合劑；和鑄膜(casting)溶劑。
附圖簡述本發(fā)明的特征列在所附權(quán)利要求中。結(jié)合附圖閱讀示例性具體實施方式
的下列詳述可以最好地理解本發(fā)明，其中
圖1是本發(fā)明的工序流程圖；圖2A至2C是說明本發(fā)明的使用單面層的半導體制造過程的截面圖；圖3A至3C是說明本發(fā)明的使用雙面層的半導體制造過程的截面圖；圖4是可用于加工含有本發(fā)明的污染吸除面層的半導體晶片的示例性浸式光刻系統(tǒng)的圖。
發(fā)明詳述對于本發(fā)明，術(shù)語陽離子包括帶正電的金屬和非金屬離子。
圖1是本發(fā)明的工序流程圖。在步驟10中，任選在具有待圖案化的層的基材上涂布抗反射底涂層(BARC)，其例子包括但不限于基于聚酯和丙烯酸酯的層，例如ARC28(Brewer Science)、AR40(Rohm and Haas)和ArF-1C5D(AZ Clariant)。在步驟12中，如果存在BARC，在其上形成光致抗蝕層，如果不存在BARC，則在待圖案化的層上形成光致抗蝕層。在步驟14中，任選施用密封面層，其僅能防止浸漬液滲透光致抗蝕層并防止光致抗蝕層的組分浸入浸漬液，其例子包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯。對于該任選的密封面層，合適的鑄膜溶劑的例子包括但不限于苯甲醚和氯苯。在步驟16中，施用污染吸除面層。有四種形成污染吸除面層的方法。
在第一種方法中，將一種或多種水溶性陽離子絡合劑與一種或多種水溶性聚合物混合，并使用包含水、水醇混合物或醇的鑄膜溶劑旋涂。在第一種方法中，陽離子絡合劑是獨立于水溶性聚合物的材料。在一個例子中，鑄膜溶劑與光致抗蝕層或與下方的非污染吸除面層不混溶。水溶性聚合物是在pH值大約5至大約9的水中可溶的聚合物。將聚合物/陽離子絡合劑混合物旋涂，然后在例如大約100℃至大約130℃之間烘焙。烘焙有兩個作用。首先，烘焙驅(qū)除了鑄膜溶劑以形成在聚合物母體中包含陽離子絡合劑的膜。其次，烘焙使水溶性聚合物轉(zhuǎn)化為在光刻浸漬系統(tǒng)的浸漬液中不溶的形式。在浸漬液是水的例子中，將水溶性聚合物轉(zhuǎn)化成非水溶性聚合物。然而，非水溶性聚合物可能可溶于光致抗蝕顯影劑，包括堿性含水顯影劑。
合適的水溶性聚合物的一個例子是，但不限于，MMA-MAANH4-TBMA共聚物(MMA甲基丙烯酸甲酯；MAANH4甲基丙烯酸、銨鹽；TBMA甲基丙烯酸叔丁酯)。合適的醇的例子包括但不限于1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、1-戊醇、2-甲基-4-戊醇和正己醇。合適的水溶性陽離子絡合劑的例子包括但不限于與Cu和Ni的陽離子絡合的一水合反-1，2-二氨基環(huán)己烷-N，N，N’，N’-四乙酸(結(jié)構(gòu)I)、與Fe、Mn、Cu和Ca的陽離子絡合的二亞乙基三胺五乙酸(結(jié)構(gòu)II)、與陽離子Ca、Ni和Cu絡合的1，2-二氨基乙烷-N，N，N’，N’-四(亞甲基磷酸)(結(jié)構(gòu)III)、與陽離子Ca、K、Na、Cu、Fe、Mn和Ni絡合的次氮基乙酸(結(jié)構(gòu)IV)、與陽離子Ca、Mn、Fe、Cu和Ni絡合的1，2-乙二胺四乙酸(EDTA)(結(jié)構(gòu)V)、和與陽離子K、Cu、Mn、Ca、Fe和Ni絡合的肌醇六磷酸(結(jié)構(gòu)VI)。
在一個例子中，涂布和烘焙過的聚合物/陽離子絡合劑混合物包含相對于聚合物大約10-4摩爾％至大約0.05摩爾％的陽離子絡合劑。
在第二種方法中，將一種或多種可溶于有機溶劑的陽離子絡合劑與一種或多種可溶于有機溶劑的聚合物混合并使用有機溶劑旋涂。在第二種方法中，陽離子絡合劑是獨立于可溶于有機溶劑的聚合物的材料。在一個例子中，有機溶劑與光致抗蝕層或與下方的非污染吸除面層不混溶。將聚合物/陽離子絡合劑混合物旋涂，并任選烘焙。烘焙驅(qū)除了鑄膜溶劑以形成在聚合物母體中包含陽離子絡合劑的膜。在一些例子中，不需要烘焙，因為鑄膜溶劑暴露在環(huán)境氣氛和溫度下時會蒸發(fā)?？扇苡谟袡C溶劑的聚合物可能可溶于光致抗蝕顯影劑，包括堿性含水顯影劑。
合適的可溶于有機溶劑的聚合物的例子包括但不限于基于六氟醇取代的環(huán)烯烴的聚合物、基于氟磺酰胺取代的環(huán)烯烴的聚合物、基于丙烯酸酯的聚合物和基于甲基丙烯酸酯的聚合物。合適的有機溶劑的例子包括但不限于1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、1-戊醇、2-甲基-4-戊醇和正己醇。合適的溶劑溶解性陽離子絡合劑的例子包括但不限于與Fe、Mn、Ni和Cu的陽離子絡合的1，4，8，12-四氮雜環(huán)十五烷(結(jié)構(gòu)VII)、與Fe、Co、Ca、Mn、Ni、K和Na的陽離子絡合的乙酰丙酮(結(jié)構(gòu)VIII)、與K和NH4的陽離子絡合的18-冠-6-醚(結(jié)構(gòu)IX)、與Cu、Fe、Mn和Ni的陽離子絡合的吡咯烷二硫代氨基甲酸銨(結(jié)構(gòu)X)、與Cu和Co的陽離子絡合的二-2-吡啶基酮肟(結(jié)構(gòu)XI)、與Cu和Mn的陽離子絡合的4-苯甲?；?3-甲基-1-苯基-2-吡唑啉-5-酮(結(jié)構(gòu)XII)和與K的陽離子絡合的纈氨霉素(結(jié)構(gòu)XIII)。
在一個例子中，聚合物/陽離子絡合劑混合物包含相對于聚合物大約10-4摩爾％至大約0.05摩爾％的陽離子絡合劑。
在第三種方法中，使用鑄膜溶劑將包含兩種或多種聚合物的共聚物旋涂。在第三種方法中，陽離子絡合劑是與一種或多種聚合物相連的側(cè)基。在一個例子中，鑄膜溶劑與光致抗蝕層或下方的非污染吸除面層不混溶。在一個例子中，鑄膜溶劑是1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、1-戊醇、2-甲基-4-戊醇、正己醇或其它醇。至少一種共聚物(結(jié)構(gòu)XIV)包括與鑄膜溶劑可混溶的側(cè)基R1，且至少一種共聚物包括與陽離子絡合的側(cè)基R2。
當主鏈聚合物是丙烯酸酯、R1＝結(jié)構(gòu)(XV)且R2＝結(jié)構(gòu)(XVI)時，所得共聚物是與Cu和Ni的陽離子絡合的聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-反-1，2-二氨基環(huán)己烷-N，N，N’，N’-四乙酸)丙烯酸酯。
當主鏈聚合物是丙烯酸酯、R1＝結(jié)構(gòu)(XV)且R2＝結(jié)構(gòu)(XVII)時，所得共聚物是與Cu的陽離子絡合的聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-二(環(huán)己酮)草二腙)丙烯酸酯。
當主鏈聚合物是丙烯酸酯、R1＝結(jié)構(gòu)(XV)且R2＝結(jié)構(gòu)(XVIII)時，所得共聚物是與Fe和Ni的陽離子絡合的聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-1，2-環(huán)己二酮二肟)丙烯酸酯。
在第四種方法中，將含有既可與鑄膜溶劑混溶又可與陽離子絡合的側(cè)基R3(結(jié)構(gòu)XIX)的聚合物溶于鑄膜溶劑并旋涂。
在一個例子中，鑄膜溶劑與光致抗蝕層或下方的非污染吸除面層不混溶。在一個例子中，鑄膜溶劑是1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、1-戊醇、2-甲基-4-戊醇、正己醇或其它醇。當主鏈聚合物是聚乙烯且R3＝結(jié)構(gòu)XX時，所得聚合物是與Cu的陽離子絡合的聚乙烯偕胺肟。
回到圖1，在步驟18中，在面層上形成浸漬液，并使光致抗蝕層暴露在光致抗蝕層對其波長敏感的光化輻射下。在步驟20中，任選去除一個或兩個面層。在步驟22中，使光致抗蝕劑顯影以形成光致抗蝕圖案。如果未在步驟20中去除一個或兩個面層，則在步驟22中去除。在步驟24中，進行任選的顯影后烘焙。
圖2A至2C是說明本發(fā)明的使用單面層的半導體制造過程的截面圖。在圖2A中，提供基材30。在一個例子中，基材30是半導體基材。半導體基材的例子包括但不限于整體(bulk)(單晶)硅片和硅在絕緣體上的晶片(SOI)。在基材30的上表面35上形成任選的BARC40。在一個例子中，旋涂BARC40并進行BARC涂敷后的烘焙(在高于室溫加熱以去除大部分BARC溶劑)。在BARC40的上表面45上形成光致抗蝕層50。BARC40可以包含之前關于圖1的步驟10所述的任何材料。在一個例子中，旋涂光致抗蝕層50，并進行光致抗蝕層涂敷后的烘焙，也稱作曝光前烘焙或預烘焙(在高于室溫加熱以去除大部分光致抗蝕劑溶劑)。在一個例子中，光致抗蝕層50包含基于丙烯酸酯或基于甲基丙烯酸酯的光致抗蝕劑。然后，在光致抗蝕層50的上表面55上形成污染吸除面層60。污染吸除面層60可以包含之前關于圖1的步驟16所述的材料并通過其中所述的任何方法形成。在一個例子中，污染吸除面層60大約30納米至大約150納米厚。
在圖2B中，在浸式光刻工具中在污染吸除面層60的上表面75上形成一層浸漬液70(參看圖4并如下文所述)。浸漬液的一個例子是含或不含添加劑的水。使光致抗蝕層對其敏感的波長的光化輻射通過光掩模80。光掩模80具有可透過光化輻射的透明區(qū)域85和遮蔽光化輻射的不透明區(qū)域90。透過掩模80使光致抗蝕層50受到光化輻射以形成光致抗蝕層50的未曝光區(qū)域95A和光致抗蝕層50的曝光區(qū)域95B。曝光區(qū)域95B也被稱作潛像區(qū)域。在一個例子中，光化輻射是波長為157納米、193納米或248納米的光，且污染吸除面層60基本可透過光化輻射(也就是k＜0.01，其中k是復折射率的虛分量)。可以進行任選的曝光后烘焙(在高于室溫加熱以引發(fā)光致抗蝕化學作用)。
盡管在圖2B中顯示了正性光致抗蝕劑，本發(fā)明用負性光致抗蝕劑體系或雙性光致抗蝕劑體系也同樣進行得很好。在負性光致抗蝕劑體系中，光致抗蝕劑在未曝光的地方顯影去除(develop away)，因此需要極性與圖2B中所示相反的光掩模。雙性抗蝕劑可以根據(jù)所用顯影劑體系表現(xiàn)出負性或正性。
在圖2C中，從浸式光刻工具中取出基材30，并使光致抗蝕層50顯影以去除曝光區(qū)域95B(參看圖2B)并留下未曝光區(qū)域95A。在一個例子中，顯影劑包含TMAH之類的堿的水溶液。顯影劑還去除了污染吸除面層60(參看圖2B)。任選地，可以在曝光的光致抗蝕層50顯影之前單獨去除污染吸除面層60?？梢赃M行任選的顯影后烘焙(在高于室溫加熱以硬化光致抗蝕圖像)。
盡管在浸式光刻系統(tǒng)的背景下描述了光致抗蝕層的曝光，但本發(fā)明的面層組合物還可如上述圖2A和2B的對比所示用于傳統(tǒng)的(非浸式)光刻系統(tǒng)以作為防止來自顆粒物、水蒸氣和化學蒸氣的環(huán)境污染的保護涂層，這些污染會使成像過程劣化或?qū)е鹿庵驴刮g圖像中的缺陷，并最終導致制成品的收率不足和可靠性缺陷。
圖3A至3C是說明本發(fā)明的使用雙層面層的半導體制造過程的截面圖；圖3A和3B與圖2A和2B類似，不同的是在圖2A和2B中，污染吸除面層60A包括下密封面層61和上污染吸除面層62。在第一例子中，下密封面層61提供了防止浸漬液70(圖3B)滲透光致抗蝕層50并防止光致抗蝕層的組分浸入浸漬液70(圖3B)的保護，且上污染吸除面層62提供了污染吸除能力。在第二例子中，下密封面層61提供了防止浸漬液70(圖3B)滲透光致抗蝕層50并防止光致抗蝕層的組分浸入浸漬液70(圖3B)的保護，且上層污染吸除面層62提供了污染吸除能力，并且也提供了防止浸漬液70(圖3B)滲透光致抗蝕層50并防止光致抗蝕層的組分浸入浸漬液70的保護。
在一個例子中，上污染吸除面層62可以包含之前關于圖1的步驟16所述的材料并通過其中所述的任何方法形成，并且與前述圖2A的污染吸除面層60相同。在一個例子中，下面層61可以包含之前關于圖1的步驟14所述的材料并通過其中所述的任何方法形成。
圖4是可用于加工含有本發(fā)明的面層的半導體晶片的示例性浸式光刻系統(tǒng)的圖。在圖4中，浸式光刻系統(tǒng)100包括受控環(huán)境室105和控制器110。受控環(huán)境室105內(nèi)包含聚焦鏡115、光源120、第一聚焦透鏡(或透鏡組)125、掩模130、曝光縫隙135、第二聚焦透鏡(或透鏡組)140、最后聚焦透鏡145、浸漬頭150和晶片卡盤155。浸漬頭150包括透明窗160、中央室部分165、環(huán)繞板部分170、浸漬液入口175A和浸漬液出口175B。浸漬液185充滿中央室部分165，并接觸晶片210上表面205上的光致抗蝕層200上表面195上的污染吸除層190(按照上述本發(fā)明的具體實施方式
)。任選地，可以在晶片210的上表面上、在光致抗蝕層200下方并與其物理接觸地形成BARC。任選地，可以在光致抗蝕層200的上表面195上、在污染吸除層190下方并與其直接物理接觸地形成ARC。在一個例子中，浸漬液185包括水。板部分170放置得足夠接近污染吸除層190，以在板部分170下形成彎月面。窗160必須能透過用于照射光致抗蝕層200的波長的光。
聚焦鏡115、光源120、第一聚焦透鏡125、掩模130、曝光縫隙135、第二聚焦透鏡140、最后聚焦透鏡145、浸漬頭150全部沿著光軸220排列(光軸220又被定義為Z方向)。X方向是指與Z方向垂直并位于該圖平面中的方向。Y方面是指與X和Z方向都垂直的方向。晶片卡盤155可以在控制器110的指令下在X和Y方向上移動，以在光致抗蝕層200上形成光致抗蝕劑的曝光和未曝光區(qū)域。隨著XY-級移動，污染吸除層190的新的部分與浸漬液185接觸，并且之前浸漬過的污染吸除層的部分不與浸漬液接觸。掩模130和縫隙135可以在控制器110的控制下在Y方向上移動，以將掩模130上的圖像(未顯示)掃描到光致抗蝕層200上。在一個例子中，掩模130上的圖像是印刷圖像的1×至10×放大版本，并包括一個或多個集成電路片圖像。
當曝光完成時，在不溢出浸漬液185的情況下，從受控環(huán)境室105中取出晶片210。為此，受控環(huán)境室105還包括蓋板225，其可以移動至首先緊鄰晶片卡盤155，然后在晶片卡盤離開在浸漬頭150下方的位置時與晶片卡盤一起移動，蓋板代替晶片卡盤位于浸漬頭150下方。
因此，本發(fā)明提供了一種在浸式光刻系統(tǒng)中防止光致抗蝕層與浸漬液之間的相互作用并防止或降低浸漬液中的污染物污染在制造中的集成電路的方法。
為了理解本發(fā)明，上面給出對本發(fā)明的具體實施方式
的描述。要理解的是，本發(fā)明不限于此處所述的特定具體實施方式
，但是能夠在不背離本發(fā)明范圍的情況下如本領域技術(shù)人員顯而易見的那樣進行各種修改、重組和取代。因此，下列權(quán)利要求旨在覆蓋所有這些落在本發(fā)明的真正實質(zhì)和保護范圍內(nèi)的修改和變動。
權(quán)利要求
1.一種在光致抗蝕層中形成圖像的方法，包括提供基材；在所述基材上形成所述光致抗蝕層；在所述光致抗蝕層上形成污染吸除面層，所述污染吸除面層包括一種或多種聚合物和一種或多種陽離子絡合劑；透過具有不透明和透明區(qū)域的光掩模使所述光致抗蝕層暴露在光化輻射下，所述不透明區(qū)域遮蔽所述光化輻射而所述透明區(qū)域可透過所述光化輻射，所述光化輻射改變了所述光致抗蝕層中受到所述輻射的區(qū)域的化學組成，從而在所述光致抗蝕層中形成曝光和未曝光區(qū)域；以及去除所述光致抗蝕層的所述曝光區(qū)域或所述光致抗蝕層的所述未曝光區(qū)域。
2.權(quán)利要求1的方法，在所述提供所述基材與所述形成所述光致抗蝕層之間，進一步包括在所述基材的上表面上形成抗反射涂層，其中所述光致抗蝕層是在所述抗反射涂層的上表面上形成的。
3.權(quán)利要求1的方法，在所述形成所述污染吸除面層與所述使所述光致抗蝕層曝光之間，進一步包括在所述污染吸除面層與所述光掩模之間形成一層浸漬液。
4.權(quán)利要求3的方法，其中所述浸漬液包括水。
5.權(quán)利要求1的方法，其中所述去除進一步包括去除所述污染吸除面層。
6.權(quán)利要求1的方法，在所述形成所述污染吸除面層與所述使所述光致抗蝕層曝光之間，進一步包括從所述污染吸除面層中去除鑄膜溶劑。
7.權(quán)利要求1的方法，在所述形成所述污染吸除面層與所述將所述光致抗蝕層曝光之間，進一步包括將所述污染吸除面層加熱至高于室溫的溫度。
8.權(quán)利要求1的方法，其中所述污染吸除面層包含所述一種或多種聚合物與所述一種或多種陽離子絡合劑的混合物，所述混合物在所述光致抗蝕層上形成時是水溶性的，且所述方法進一步包括加熱所述污染吸除面層直至所述一種或多種聚合物不再可溶于水。
9.權(quán)利要求1的方法，其中所述污染吸除面層包含所述一種或多種聚合物與所述一種或多種陽離子絡合劑的混合物，所述混合物在所述光致抗蝕層上形成時可溶于有機溶劑。
10.權(quán)利要求1的方法，其中所述一種或多種陽離子絡合劑作為側(cè)基連接到所述一種或多種聚合物的一種或多種上。
11.權(quán)利要求1的方法，其中所述一種或多種聚合物中至少一種是共聚物，所述一種或多種陽離子絡合劑中至少一種作為側(cè)基連接到所述共聚物的第一聚合物上且所述共聚物的第二聚合物含有連接的可與光致抗蝕層混溶的側(cè)基。
12.權(quán)利要求1的方法，在所述形成所述光致抗蝕層與所述形成所述污染吸除面層之間，進一步包括在所述光致抗蝕層的上表面上形成密封面層，所述密封面層防止所述光致抗蝕層與浸漬液的互混，其中所述污染吸除面層是在密封面層的上表面上形成的。
13.權(quán)利要求1的方法，其中所述陽離子絡合劑選自由一水合反-1，2-二氨基環(huán)己烷-N，N，N’，N’-四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、1，2-二氨基乙烷-N，N，N’，N’-四(亞甲基磷酸)、次氮基乙酸、1，2-乙二胺四乙酸、肌醇六磷酸、1，4，8，12-四氮雜環(huán)十五烷、乙酰丙酮、18-冠-6-醚、吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、二-2-吡啶基酮肟、4-苯甲酰基-3-甲基-1-苯基-2-吡唑啉-5-酮和纈氨霉素組成的組。
14.權(quán)利要求1的方法，其中所述一種或多種聚合物選自由MMA-MAANH4-TBMA共聚物(MMA甲基丙烯酸甲酯；MAANH4甲基丙烯酸、銨鹽；TBMA甲基丙烯酸叔丁酯)、基于六氟醇取代的環(huán)烯烴的聚合物、基于氟磺酰胺取代的環(huán)烯烴的聚合物、基于丙烯酸酯的聚合物、基于甲基丙烯酸酯的聚合物、聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-反-1，2-二氨基環(huán)己烷-N，N，N’，N’-四乙酸)丙烯酸酯、聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-二(環(huán)己酮)草二腙)丙烯酸酯、聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-1，2-環(huán)己二酮二肟)丙烯酸酯和聚乙烯偕胺肟組成的組。
15.權(quán)利要求1的方法，其中所述一種或多種陽離子絡合劑與一種或多種選自由K、Na、Ca、Cu、Fe、Mn、Ni、Co、NH4組成的組的陽離子絡合。
16.一種污染吸除面層材料，包含一種或多種聚合物；一種或多種陽離子絡合劑；和鑄膜溶劑。
17.權(quán)利要求16的材料，其中所述一種或多種聚合物和所述一種或多種絡合劑構(gòu)成水溶性混合物。
18.權(quán)利要求16的材料，其中所述一種或多種聚合物和所述一種或多種絡合劑構(gòu)成可溶于有機溶劑的混合物。
19.權(quán)利要求16的材料，其中所述一種或多種絡合劑作為側(cè)基連接到所述一種或多種聚合物的一種或多種上。
20.權(quán)利要求16的材料，其中所述一種或多種聚合物中至少一種是共聚物，所述一種或多種陽離子絡合劑中至少一種作為側(cè)基連接到所述共聚物的第一聚合物上且所述共聚物的第二聚合物含有連接的可與光致抗蝕層混溶的側(cè)基。
21.權(quán)利要求16的材料，其中所述陽離子絡合劑選自由一水合反-1，2-二氨基環(huán)己烷-N，N，N’，N’-四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、1，2-二氨基乙烷-N，N，N’，N’-四(亞甲基磷酸)、次氮基乙酸、1，2-乙二胺四乙酸、肌醇六磷酸、1，4，8，12-四氮雜環(huán)十五烷、乙酰丙酮、18-冠-6-醚、吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、二-2-吡啶基酮肟、4-苯甲?；?3-甲基-1-苯基-2-吡唑啉-5-酮和纈氨霉素組成的組。
22.權(quán)利要求16的材料，其中所述一種或多種聚合物選自由MMA-MAANH4-TBMA共聚物(MMA甲基丙烯酸甲酯；MAANH4甲基丙烯酸、銨鹽；TBMA甲基丙烯酸叔丁酯)、基于六氟醇取代的環(huán)烯烴的聚合物、基于氟磺酰胺取代的環(huán)烯烴的聚合物、基于丙烯酸酯的聚合物、基于甲基丙烯酸酯的聚合物、聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-反-1，2-二氨基環(huán)己烷-N，N，N’，N’-四乙酸)丙烯酸酯、聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-二(環(huán)己酮)草二腙)丙烯酸酯、聚(二-六氟醇環(huán)己烷-共-1，2-環(huán)己二酮二肟)丙烯酸酯和聚乙烯偕胺肟組成的組。
23.權(quán)利要求16的材料，其中所述一種或多種陽離子絡合劑與一種或多種選自由K、Na、Ca、Cu、Fe、Mn、Ni、Co、NH4組成的組的陽離子絡合。
24.權(quán)利要求16的材料，其中所述鑄膜溶劑選自由水、水醇混合物、醇、1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、1-戊醇、2-甲基-4-戊醇和正己醇組成的組。
全文摘要
一種在光致抗蝕層中形成圖像的方法。該方法包括提供基材；在基材上形成光致抗蝕層；在光致抗蝕層上形成污染吸除面層，該污染吸除面層包括一種或多種聚合物和一種或多種陽離子絡合劑；透過含有不透明和透明區(qū)域的光掩模使光致抗蝕層暴露在光化輻射下，不透明區(qū)域遮蔽了光化輻射而透明區(qū)域可透過光化輻射，光化輻射改變了光致抗蝕層中受到輻射的區(qū)域的化學組成，從而在光致抗蝕層中形成曝光和未曝光區(qū)域；以及去除光致抗蝕層的曝光區(qū)域或光致抗蝕層的未曝光區(qū)域。污染吸除面層包括一種或多種聚合物、一種或多種陽離子絡合劑和鑄膜溶劑。
文檔編號H01L21/00GK1873536SQ20061008509
公開日2006年12月6日 申請日期2006年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月3日
發(fā)明者D·L·戈德法布, S·J·霍姆斯, D·A·科利斯, D·吉奧, D·施奈德, K·希梅爾, D·V·霍拉克, K·E·彼得里洛 申請人:國際商業(yè)機器公司