專利名稱：襯底的處理方法及用于該方法的藥液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底的處理方法及用于該方法的藥液。
背景技術(shù)：
布線電路的形成通常通過例如，在半導(dǎo)體晶片、LCD(液晶顯示屏)襯底或其它襯底上形成有機(jī)膜圖案，和通過以該有機(jī)膜圖案為掩模進(jìn)行底?；蛞r底的蝕刻，從而進(jìn)行底膜的圖案形成處理，在底膜的圖案形成處理之后去除有機(jī)膜圖案。
例如，JP No.8-23103提出了形成布線電路的方法，其包括的步驟為在襯底上形成有機(jī)膜圖案(在所述公開中稱為“抗蝕圖案”)后，通過進(jìn)行以該有機(jī)膜圖案為掩膜的蝕刻，對一層或兩層底膜進(jìn)行圖案形成處理，對有機(jī)膜圖案進(jìn)行顯影處理，即，使有機(jī)膜圖案顯影過度，以該顯影過度的有機(jī)膜圖案為掩膜，對一層或兩層底膜進(jìn)行再次的圖案形成處理。使底膜形成為錐狀或臺階狀。從而形成對抗介電擊穿能力高的布線電路。在底膜的再次圖案形成處理之后，通過剝離處理去除有機(jī)膜圖案。
圖1為進(jìn)行上述公開中所述方法的流程圖。
如圖1所示，該方法包括的步驟按照順序?yàn)樵谝r底上形成的導(dǎo)電膜上涂敷有機(jī)膜(即，光致抗蝕劑)，對有機(jī)膜進(jìn)行曝光處理(步驟S01)、顯影處理(步驟S02)、以及預(yù)烘或加熱處理(步驟S03)，因此，在襯底上形成最初的有機(jī)膜圖案。該方法進(jìn)一步包括的步驟按照順序?yàn)橐杂袡C(jī)膜圖案為掩膜對襯底上的導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻處理(步驟S04)，對有機(jī)膜圖案進(jìn)行顯影過度處理(步驟S101)，和對有機(jī)膜圖案進(jìn)行預(yù)烘或加熱處理(步驟S102)，將有機(jī)膜進(jìn)行圖案形成處理成為新的圖案。
該方法進(jìn)一步包括以下步驟以顯影過度的有機(jī)膜圖案為掩膜，通過對導(dǎo)電膜進(jìn)行半蝕刻處理，使導(dǎo)電膜的截面形狀為臺階狀，以防止截面垂直化、或變?yōu)榈瑰F形。
然而該方法的問題在于在對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻處理(步驟S04)中，最初的有機(jī)膜圖案實(shí)際上受到破壞，導(dǎo)致在有機(jī)膜圖案上形成變質(zhì)層和/或沉積層。
如此形成的變質(zhì)層和/或沉積層(以下稱為“破壞層”)阻礙對該有機(jī)膜圖案的第二顯影(步驟S101)。即，由于破壞層覆蓋有機(jī)膜圖案的表面，使有機(jī)膜圖案難以順利進(jìn)行顯影過度。
顯影過度的進(jìn)行根據(jù)破壞層的狀態(tài)的不同而不同。如果蝕刻處理(步驟S04)為濕法蝕刻，使用的藥液和溫度會對破壞層的狀況產(chǎn)生很大的影響。另一方面，如果蝕刻處理(步驟S04)為干法蝕刻，使用的氣體種類、處理的壓力以及放電方式會對破壞層的狀況產(chǎn)生很大的影響。并且，使用的氣體種類的不同會導(dǎo)致對有機(jī)膜圖案的化學(xué)破壞不同，處理的壓力及放電方式的不同會導(dǎo)致離子化氣體或自由基氣體對有機(jī)膜圖案的物理沖擊力的不同。濕法蝕刻比干法蝕刻對有機(jī)膜圖案造成的破壞小，因此由濕法蝕刻產(chǎn)生的破壞層比在干法蝕刻中產(chǎn)生的破壞層對有機(jī)膜圖案顯影的阻礙程度小。
如上所述，由于破壞層的存在而使有機(jī)膜圖案的顯影過度處理無法順利進(jìn)行，從而導(dǎo)致對有機(jī)膜圖案的顯影過度處理不均一，從而產(chǎn)生例如對底膜的二次圖案加工中形成圖案不均一的問題。
基于WO 00/41048(PCT/US99/28593)的JP No.2002-534789提出用于處理襯底的同步系統(tǒng)中使用的裝置。具體地，該裝置包括晶片簇工具，其具有使系統(tǒng)中所有事件彼此同步的調(diào)度程序。
JP No.10-247674提出用于處理襯底的裝置，其包括多個處理器，每個處理器對襯底實(shí)施一系列的處理；和將襯底運(yùn)送到各處理器中的運(yùn)送工具。所述運(yùn)送工具包括運(yùn)送板；可圍繞第一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的第一旋轉(zhuǎn)器，所述第一旋轉(zhuǎn)軸與運(yùn)送板垂直延伸；用于使第一旋轉(zhuǎn)器旋轉(zhuǎn)的第一傳動器；可圍繞第二旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的第二旋轉(zhuǎn)器，所述第二旋轉(zhuǎn)軸與第一旋轉(zhuǎn)器垂直延伸；用于使第二旋轉(zhuǎn)器旋轉(zhuǎn)的第二傳動器；可圍繞第三旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的襯底支持器，所述第三旋轉(zhuǎn)軸與第二旋轉(zhuǎn)器垂直延伸，所述襯底支持器支持襯底；和用于驅(qū)動襯底支持器的第三傳動器。
發(fā)明簡述考慮到現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明的目的是提供處理襯底的方法，其能夠使襯底上形成的有機(jī)膜圖案順利地顯影過度。
本發(fā)明還提供在上述方法中使用的藥液。
本發(fā)明的一個方面提供襯底上形成的有機(jī)膜圖案的處理方法，其包括的步驟為第一步驟，去除在有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或沉積層；第二步驟，縮小有機(jī)膜圖案的至少一部分，或去除有機(jī)膜圖案的一部分。
最初在襯底上形成的有機(jī)膜圖案可具有均一的厚度，但優(yōu)選最初在襯底上形成的有機(jī)膜圖案具有厚度彼此不同的至少兩個部分。
為使有機(jī)膜圖案具有厚度彼此不同的至少兩個部分，可使有機(jī)膜圖案暴露于至少兩種不同的光下。具體地，可使用透光度彼此不同的兩個或多個光柵掩膜。通過使有機(jī)膜圖案接觸兩種或多種不同水平的光而使有機(jī)膜圖案進(jìn)行顯影，使有機(jī)膜圖案的曝光較多或較少的部分變薄，導(dǎo)致形成具有厚度彼此不同的兩個或多個部分的有機(jī)膜圖案。
有機(jī)膜圖案的初始曝光的歷史會在有機(jī)膜圖案中殘留，因此，通過對有機(jī)膜圖案進(jìn)行作為第二顯影處理的顯影處理，可使具有厚度小的部分進(jìn)一步變薄或去除。
對于第二步驟中使用的具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液，如果用于形成最初的有機(jī)膜圖案的顯影處理所使用正顯影劑，那么同樣使用具有正顯影功能的顯影液，如果用于形成最初的有機(jī)膜圖案的顯影處理使用負(fù)顯影劑，那么同樣使用具有負(fù)顯影功能的顯影液。
使較薄的膜部分變薄或去除的步驟可通過保持有機(jī)膜在進(jìn)行第一步驟之前為無感光狀態(tài)來進(jìn)行。
另外，可通過保持有機(jī)膜在進(jìn)行第一步驟之前為無感光狀態(tài)，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行確定有機(jī)膜圖案的新圖案的步驟。
本發(fā)明另外提供襯底上形成的有機(jī)膜圖案的處理方法，其包括第一步驟，去除在有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層，使有機(jī)膜圖案的未變質(zhì)部分顯現(xiàn)；第二步驟，縮小所述有機(jī)膜圖案的至少一部分，或去除所述有機(jī)膜圖案的一部分。
本發(fā)明另外提供襯底上形成的有機(jī)膜圖案的處理方法，其包括第一步驟，去除在有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層，使有機(jī)膜圖案顯現(xiàn)；第二步驟，縮小所述有機(jī)膜圖案的至少一部分，或去除所述有機(jī)膜圖案的一部分。
本發(fā)明的另一方面提供上述方法中使用的藥液，其包含0.01重量％到10重量％(含端值)的胺類材料。
本發(fā)明的方法可另外包括加熱有機(jī)膜圖案的步驟。該加熱處理的目的在于去除有機(jī)膜圖案中滲入的水分、酸溶液和/或堿溶液，或當(dāng)有機(jī)膜圖案和底膜之間的粘合力下降時，恢復(fù)該粘合力。有機(jī)膜圖案的這種加熱處理在例如50-150℃溫度下進(jìn)行60-300秒。
可通過本發(fā)明的方法徹底去除有機(jī)膜圖案。這意味著本發(fā)明的方法可以用于有機(jī)膜圖案的剝離或分離處理。
前述的本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在以下具體描述。
由于本發(fā)明的方法包括去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或沉積層的第一步驟，所以可順利地進(jìn)行縮小有機(jī)膜圖案的至少一部分或去除有機(jī)膜圖案的一部分的第二步驟。
如果第二步驟是使有機(jī)膜圖案顯影兩次或多次的步驟，有利于促進(jìn)具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液滲透進(jìn)有機(jī)膜圖案中，并使有機(jī)膜圖案均一地顯影。即使使用不具有使有機(jī)膜圖案顯影功能而具有使有機(jī)膜圖案溶解功能的藥液進(jìn)行第二步驟，也可得到同樣的效果。


圖1是表示進(jìn)行襯底處理的常規(guī)方法的步驟的流程圖。
圖2是處理襯底的裝置的例子的平面圖。
圖3是處理襯底的裝置的另一個例子的平面圖。
圖4是表示用于安裝在處理襯底的裝置中的候選處理單元的示意圖。
圖5是對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的單元的例子的截面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施方案處理襯底的方法中進(jìn)行的步驟的流程圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施方案處理襯底的方法的例子中實(shí)施步驟的流程圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施方案處理襯底的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第三個實(shí)施方案處理襯底的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第四個實(shí)施方案處理襯底的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第四個實(shí)施方案處理襯底的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第四個實(shí)施方案處理襯底的方法中第一個實(shí)施例中實(shí)施步驟的流程圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明第四個實(shí)施方案進(jìn)行處理襯底的方法第二個實(shí)施例中實(shí)施步驟的流程圖。
圖14表示與形成變質(zhì)層的原因?qū)?yīng)的變質(zhì)層的變質(zhì)化程度。
圖15表示藥液中胺類材料的濃度與去除率之間關(guān)系的示意圖。
圖16表示對變質(zhì)層只實(shí)施灰化處理時變質(zhì)層的變化。
圖17表示對變質(zhì)層只實(shí)施藥液處理時變質(zhì)層的變化。
圖18表示對變質(zhì)層依次實(shí)施灰化處理和實(shí)施藥液處理時變質(zhì)層的變化。
優(yōu)選實(shí)施方案本發(fā)明的實(shí)施方案涉及的襯底處理方法通過使用例如圖2所示的襯底處理裝置100或圖3所示的襯底處理裝置200來進(jìn)行。
設(shè)計裝置100和200，使其選擇性地具有后面敘述的對襯底實(shí)施多種處理的處理單元。
例如如圖4中所示，裝置100、200可具有六種處理單元用于有機(jī)膜圖案曝光的第一處理單元17、用于加熱有機(jī)膜圖案的第二處理單元18、用于控制有機(jī)膜圖案溫度的第三處理單元19、用于有機(jī)膜圖案顯影的第四處理單元20、用于對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的第五處理單元21、和用于對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理的第六處理單元22。
在用于有機(jī)膜圖案曝光的第一處理單元17中，對在襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光處理?？墒垢采w至少一部分襯底的有機(jī)膜圖案曝光。例如，可使完全覆蓋襯底或覆蓋襯底的總面積的至少1/10的有機(jī)膜圖案曝光。在用于有機(jī)膜圖案曝光的第一處理單元17中，可以使有機(jī)膜圖案一次完全曝光，或在有機(jī)膜圖案的預(yù)定區(qū)域內(nèi)用聚光燈掃描曝光。例如，有機(jī)膜圖案曝光所使用的光是紫外線、熒光、或自然光。
在用于加熱有機(jī)膜圖案的第二處理單元18中，對襯底或有機(jī)膜圖案進(jìn)行加熱處理或烘干處理，處理溫度可以在例如80℃-180℃、或100℃-150℃的范圍內(nèi)。第二處理單元18包括使襯底呈水平狀態(tài)支承的平臺和在其中配置有平臺的箱體。
第三處理單元19控制有機(jī)膜圖案或襯底的溫度。例如第三處理單元19保持有機(jī)膜圖案和/或襯底的溫度在例如10℃-50℃、或10℃-80℃范圍內(nèi)。第三處理單元19包括使襯底呈水平狀態(tài)支承的平臺和在其中配置有平臺的箱體。
在第五處理單元21中對有機(jī)膜圖案或襯底實(shí)施藥液處理。
如圖5中所示，第五處理單元21包括，例如，存儲藥液的藥液箱301、內(nèi)部配置有襯底500的箱體302。箱體302包括將由藥液箱301壓送的藥液提供到襯底500上的可動噴嘴303、使襯底500呈幾乎水平狀態(tài)支承的平臺304、從箱體302內(nèi)排出廢液和氣體的排出口305。
在第五處理單元21中，通過向藥液箱301內(nèi)壓送氮?dú)?，可以將該藥液?01內(nèi)的藥液通過可動噴嘴303提供到襯底500上。并且，可動噴嘴303可以沿著水平方向移動。平臺304包括多個直立栓將襯底500從下表面進(jìn)行支承。
第五處理單元21也可以是將藥液蒸氣化并從而將蒸汽化的藥液實(shí)施于襯底500上的干式的構(gòu)造類型。
例如，在第五處理單元21使用的藥液包含至少一種的酸溶液、有機(jī)溶劑和堿溶液。
在用于有機(jī)膜圖案顯影的第四處理單元20中，使有機(jī)膜圖案或襯底顯影。例如，除了顯影劑存儲于藥液箱301中之外，可將第四處理單元20設(shè)計成與第五處理單元21具有相同結(jié)構(gòu)。
在第六處理單元22中，通過以下處理或其它處理對在襯底500上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行蝕刻等離子體處理(氧等離子體或氧/氟等離子體)、使用諸如紫外線等波長短的光的光能處理、及使用光能或熱的臭氧處理。
如圖2中所示，襯底處理裝置100包括第一盒子臺1，其中放置有用于存放襯底(例如LCD襯底或半導(dǎo)體晶片)的盒子L1；第二盒子臺2，其中放置有和盒子L1相同的盒子L2；處理單元配置區(qū)域3到11，它們各自分別配置有處理單元U1到U9；在第一和第二盒子臺1和2及各處理單元U1到U9之間進(jìn)行襯底傳送的襯底傳送自動機(jī)12；用于控制自動裝置12傳送襯底和控制處理單元U1到U9來進(jìn)行多種處理的控制器24。
例如，盒子L1用于存放襯底處理裝置100進(jìn)行處理前的襯底，盒子L2用于存放襯底處理裝置100處理結(jié)束后的襯底。
可選擇圖4中所示六個處理單元中任一個作為布置于處理單元配置區(qū)域3-11中的處理單元U1到U9中的每一個。
根據(jù)處理單元的種類或處理能力，可以調(diào)節(jié)處理單元的數(shù)量。因此，在處理單元配置區(qū)域3到11任一個或多個中可以不布置任何處理單元。
控制器24根據(jù)處理單元U1到U9中的每一個和自動機(jī)12中將要進(jìn)行的處理來選擇程序，并執(zhí)行所選擇的程序，從而控制處理單元U1到U9和自動機(jī)12的操作。
具體地，控制器24根據(jù)與處理順序相關(guān)的數(shù)據(jù)控制自動機(jī)12傳送襯底的順序，由此從第一和第二盒子臺1、2及各處理單元U1到U9中取出襯底，并將襯底按照規(guī)定的順序加入到其中。
另外，控制器24根據(jù)與處理?xiàng)l件有關(guān)的數(shù)據(jù)操作處理單元U1到U9。
圖2中所示的裝置100被設(shè)計成能夠改變處理單元所要執(zhí)行的處理的順序。
相比之下，在圖3中所示的裝置200中，處理裝置所要執(zhí)行的處理順序是固定的。
如圖3所示，裝置200包括放置有盒子L1的第一盒子臺13；放置有盒子L2的第二盒子臺16；分別配置有各處理單元U1到U7的處理單元配置區(qū)域3到9；在盒子L1和處理單元U1之間傳送襯底的第一自動機(jī)14；在處理單元U7和盒子L2之間傳送襯底的第二自動機(jī)15；和控制第一和第二自動機(jī)14和15將襯底傳送到處理單元U1到U7以進(jìn)行多種處理操作的控制器24。
在裝置200中，在處理單元執(zhí)行的處理順序是固定的。具體地，連續(xù)處理從位于上流的處理單元開始，如圖3中的箭頭A的方向執(zhí)行。
在處理單元配置區(qū)域3到9中將要布置的處理單元U1到U7中的每個選自圖4所示的六種處理單元中的任意一種。根據(jù)處理的種類或處理能力，可以適當(dāng)確定處理單元的數(shù)量。因此在處理單元配置區(qū)域3到9中的任意一個或多個中可不布置處理單元。
裝置100和200設(shè)計成包括用于運(yùn)送襯底的單元(具體為自動機(jī))、用于在其中存儲盒子的單元(具體為盒子臺)和選自圖4中所示六個處理單元的處理單元，以處理在襯底上形成的有機(jī)膜圖案。
雖然圖2和圖3中所示裝置100和200設(shè)計成分別包含九個和六個處理單元，但這些數(shù)量也可以根據(jù)處理的種類、處理單元的容量、成本等情況適當(dāng)?shù)卦鰷p。
此外，雖然裝置100和200設(shè)計成包括兩個盒子L1和L2，但其可根據(jù)需要的容量、成本等情況適當(dāng)?shù)卦鰷p其數(shù)量。
裝置100和200可包括不同于圖4中所示六個處理單元的處理單元。例如，裝置100和200可包括用于使襯底曝光形成小圖案的處理單元、用于濕或干法蝕刻襯底的處理單元、用于在襯底上涂覆抗蝕膜的處理單元、用于強(qiáng)化襯底和有機(jī)膜圖案之間粘合力的處理單元、或用于洗滌襯底的處理單元(通過使用UV光或等離子體的干法清洗，和使用清洗液的濕法清洗)。
當(dāng)裝置100和200包括用于濕或干法蝕刻襯底的處理單元時，有可能使用有機(jī)膜圖案作為掩膜對底膜(例如襯底表面)進(jìn)行圖案加工。
如果第五處理單元21包括可以蝕刻底膜的藥液，具體地為其中包含酸或堿的蝕刻劑時，第五處理單元21可用作用作濕或干法蝕刻襯底的處理單元。
為了使各處理均一，裝置100和200可包括多個用于對襯底實(shí)施多次共同處理的共同處理單元。
當(dāng)裝置100和200包括用于對襯底實(shí)施多次共同處理的多個共同處理單元時，優(yōu)選在共同處理單元中處理襯底，以使襯底在共同處理單元中朝向彼此不同的方向(例如反向)。在這種情況中，優(yōu)選裝置100和200設(shè)計成具有使襯底在處理單元中的朝向不同的功能，以確保襯底的轉(zhuǎn)向不需手動而可以自動完成。
當(dāng)裝置100和200包括單個的處理單元時，優(yōu)選襯底在處理單元中處理多次，并且每次處理中襯底朝向彼此不同的方向。例如，優(yōu)選在彼此相反的多個方向上處理襯底，在這種情況中，優(yōu)選裝置100和200設(shè)計成具有在某一個處理單元中處理襯底的功能，在每次處理中襯底朝向彼此不同的方向。
還優(yōu)選襯底在一個處理單元中以第一方向進(jìn)行處理，然后以與第一方向不同的第二方向進(jìn)行處理，在這種情況中，優(yōu)選裝置100和200設(shè)計成具有可以這樣作的功能。
以下說明本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案。
以下實(shí)施方案的方法被實(shí)施于在襯底上形成的由感光有機(jī)膜組成的有機(jī)膜圖案。在該方法中，在有機(jī)膜圖案表面上形成的破壞層(變質(zhì)層或沉積層)通過第一步驟去除，然后，在第二處理中縮小有機(jī)膜圖案的至少一部分，或去除有機(jī)膜圖案的一部分。
(第1實(shí)施方案)圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案處理襯底的方法中的實(shí)施步驟的流程圖。
在第一實(shí)施方案的方法中，在去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或沉積層后，通過對該有機(jī)膜圖案進(jìn)行顯影處理(例如第二顯影處理)，從而縮小該有機(jī)膜圖案的至少一部分，或去除有機(jī)膜圖案的一部分。
以常規(guī)方式在襯底上形成有機(jī)膜圖案，例如通過光刻法來進(jìn)行。
具體地，在襯底上涂敷有機(jī)膜，然后，如圖6所示，依次進(jìn)行襯底(即有機(jī)膜)曝光處理(步驟S01)、有機(jī)膜顯影處理(步驟S02)、預(yù)烘干或加熱有機(jī)膜(步驟S03)，從而在襯底上形成最初的有機(jī)膜圖案。
在有機(jī)膜顯影處理(步驟S02)之后進(jìn)行的預(yù)烘干或加熱有機(jī)膜(步驟S03)起到在有機(jī)膜顯影過度處理之前進(jìn)行的有機(jī)膜(抗蝕膜)的預(yù)烘或加熱的作用?？紤]到在高溫時有機(jī)膜中的光敏基團(tuán)分解和樹脂交聯(lián)，因此有機(jī)膜的預(yù)烘干或加熱(步驟S03)不在這樣高的溫下進(jìn)行，以防止在顯影過度處理中有機(jī)膜不能進(jìn)行再次處理。具體地，有機(jī)膜的預(yù)烘干或加熱(步驟S03)在至多為140℃下進(jìn)行。例如有機(jī)膜的預(yù)烘干或加熱(步驟S03)在等于或低于有機(jī)膜的預(yù)烘干的溫度(50到130℃)下進(jìn)行。由于上述原因，有可能通過控制有機(jī)膜預(yù)烘干或加熱(步驟S03)的實(shí)施溫度控制顯影過度的比率。
可通過例如印刷法在襯底上形成初始的有機(jī)膜圖案，在這種情況中，在去除變質(zhì)層和沉積層之后進(jìn)行的有機(jī)膜的顯影處理是第一顯影處理。
因此，如圖6所示，用最初的有機(jī)膜圖案作為掩膜蝕刻位于有機(jī)膜圖案下面的底膜，即襯底的表面(步驟S04)。
第一實(shí)施方案的方法在蝕刻處理(步驟S04)之后具有另一處理。
具體地，如圖6所示，在第一個實(shí)施方案的方法中，在對有機(jī)膜實(shí)施藥液處理(步驟S11)作為前處理(第一處理)之后，按順序進(jìn)行有機(jī)膜圖案顯影處理(步驟S12)和加熱有機(jī)膜圖案(步驟S13)作為主處理(第二處理)。
在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)中，將藥液(酸溶液、堿溶液或有機(jī)溶劑)實(shí)施于有機(jī)膜圖案上以去除在有機(jī)膜圖案表面形成的變質(zhì)層或沉積層。對有機(jī)膜表表面實(shí)施藥液處理(步驟S11)在第五處理單元21中進(jìn)行。
在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)中，可決定該步驟的實(shí)施時間和選擇使用的藥液，以只去除破壞層(變質(zhì)層或沉積層)。
在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)中，如果在有機(jī)膜圖案表面形成變質(zhì)層而沒有形成沉積層，則選擇性地去除變質(zhì)層，如果在有機(jī)膜圖案表面形成變質(zhì)層和沉積層，則去除變質(zhì)層和沉積層，如果在有機(jī)膜圖案表面沒有形成變質(zhì)層而形成沉積層，則選擇性地去除沉積層。
去除變質(zhì)層和/或沉積層的結(jié)果是，使有機(jī)膜圖案的未變質(zhì)部分顯現(xiàn)，或使被沉積層覆蓋的有機(jī)膜圖案顯現(xiàn)。
例如，通過前處理(步驟S11)去除的沉積層是通過有機(jī)膜圖案表面的變質(zhì)形成的，引起所述變質(zhì)的因素如下老化、熱氧化、熱硬化、沉積層對有機(jī)膜圖案的附著、使用酸蝕刻劑對有機(jī)膜圖案的濕法蝕刻、對有機(jī)膜圖案灰化處理(例如O2灰化處理)、或使用干法蝕刻氣體的干法蝕刻。也就是說，有機(jī)膜圖案由于所述因素而受到物理的、化學(xué)的破壞而變質(zhì)。由于其變質(zhì)的程度、變質(zhì)層的特性根據(jù)以下因素而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生變質(zhì)層去除的難易度的不同濕法蝕刻處理中使用的藥液；干法蝕刻處理(等離子體的應(yīng)用)是各向同性或各向異性；有機(jī)膜圖案上的沉積物的有無；干法蝕刻處理中使用的氣體。
通過前處理(步驟S11)應(yīng)去除的沉積層是由干法蝕刻處理引起的。該沉積層的特性也由于隨著以下因素而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生沉積層去除的難易度的不同干法蝕刻處理是否是各向同性或各向異性；干法蝕刻處理中的使用氣體。
因此，進(jìn)行前處理(步驟S11)的時間和在前處理(步驟S11)中使用的藥液需要根據(jù)變質(zhì)層或沉積層去除難易適當(dāng)?shù)卦O(shè)定或選擇。
例如，作為前處理(步驟S11)中所使用的藥液，可選擇含有堿性化學(xué)品的藥液、含有酸性化學(xué)品的藥液、含有有機(jī)溶劑的藥液、含有有機(jī)溶劑和胺類材料系材料的藥液、或含有堿性化學(xué)品和胺類材料的藥液。
例如，上述堿性化學(xué)品可含有胺類材料和水，上述有機(jī)溶劑可含有胺類材料。
在前處理(步驟S11)中所使用的藥液也可以含有防腐劑。
例如，胺類材料選自一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶和甲基吡啶。藥液可包含選自其中的一種或多種胺類材料。
藥液中胺類材料的含量優(yōu)選為0.01重量％到10重量％(含端值)，更優(yōu)選為0.05重量％到3重量％(含端值)，最優(yōu)選為0.05重量％到1.5重量％(含端值)。
前處理(步驟S11)具有以下優(yōu)點(diǎn)具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液在隨后的步驟(即，顯影過度(步驟S12))中可容易地滲透到有機(jī)膜圖案中，從而，提高顯影過度處理的質(zhì)量及效率。
有機(jī)膜圖案的第二顯影處理或顯影過度處理(步驟S12)在第四處理單元20中進(jìn)行，用于縮小襯底上的有機(jī)膜圖案的至少一部分，或去除有機(jī)膜圖案的一部分。
在第四處理單元20中，使用具有有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液對在襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行顯影處理。
對于具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液，可選自含有0.1到10.0重量％的TMAH(氫氧化四甲基銨)的堿性水溶液，或如NaOH或CaOH的無機(jī)堿水溶液。
在加熱有機(jī)膜圖案(步驟S13)中，將襯底置于第二處理單元18中的保持在預(yù)定溫度(例如80到180℃)下的平臺上，并保持預(yù)定的時間(例如3到5分鐘)。通過進(jìn)行該步驟，可以使在顯影過度處理(步驟S12)中實(shí)施于襯底上的具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液滲入滲透到有機(jī)膜圖案中，有利于通過顯影過度處理將有機(jī)膜圖案縮小或去除。
優(yōu)選在進(jìn)行步驟S13之后，使襯底的溫度冷卻到為約室溫。
如上所述，用于縮小有機(jī)膜圖案的至少一部分或去除有機(jī)膜圖案的一部分的主處理包括顯影過度處理(步驟S12)和加熱處理(步驟S13)。
使有機(jī)膜圖案的至少一部分縮小的處理包括不改變有機(jī)膜圖案的面積而只縮小其體積(即，將有機(jī)膜圖案的至少一部分變薄)的處理，和縮小有機(jī)膜圖案的面積的處理。有機(jī)膜圖案的一部分的去除伴隨有有機(jī)膜圖案面積的縮小。
進(jìn)行本實(shí)施方案中的主處理具有如下的任一個目的。
(A)通過縮小有機(jī)膜圖案的面積，將有機(jī)膜圖案變成新的圖案。
(B)去除有機(jī)膜圖案的至少一部分，用于將有機(jī)膜圖案的一部分分離成為多個部分，從而將有機(jī)膜圖案變成新的圖案。
(C)在所述(A)及(B)的處理之前及之后，分別以有機(jī)膜圖案作為掩膜對底膜實(shí)施蝕刻處理，以使顯影過度處理(步驟S12)前的蝕刻處理(步驟S04)中的蝕刻區(qū)域與步驟S12和S13后的蝕刻處理中的蝕刻區(qū)域不同。
(D)通過進(jìn)行所述處理(C)，將位于有機(jī)膜圖案下的底膜(例如襯底的表面)加工成為錐狀(越上面的部分越細(xì))或臺階狀。
將底膜加工成為臺階狀的處理可包括將顯影過度處理后的有機(jī)膜圖案作為掩膜，對底膜(例如導(dǎo)電膜)進(jìn)行半蝕刻處理。這樣的處理可以將底膜的截面形狀變?yōu)榕_階狀，從而防止截面垂直化或變?yōu)榈棺敌巍?br> (E)當(dāng)位于有機(jī)膜圖案下的底膜為多層結(jié)構(gòu)時，底膜中的任意至少兩個層可通過上述步驟(C)而被蝕刻加工成為互不相同的圖案。
(F)作為所述處理(A)及(B)的例子，假設(shè)有機(jī)膜圖案由絕緣性材料構(gòu)成，在顯影過度處理(步驟S12)之前對襯底進(jìn)行蝕刻(步驟S04)之后，使該有機(jī)膜圖案變形，使得有機(jī)膜圖案起到成為僅覆蓋電路圖案的絕緣膜。
(G)當(dāng)最初的有機(jī)膜圖案具有厚度彼此不同的至少兩個部分時，通過選擇性地只去除所述部分中厚度小的部分進(jìn)行(A)或(B)處理，和隨后的(C)到(F)處理。
(H)使有機(jī)膜圖案的至少一部分縮小或變薄。通過這樣的操作，可以使有機(jī)膜圖案的至少一部分易于去除。
可通過實(shí)施處理(H)直到底膜出現(xiàn)，去除有機(jī)膜圖案的至少一部分。
(I)當(dāng)最初的有機(jī)膜圖案具有厚度彼此不同的至少兩個部分時，在各部分中只有厚度小的部分變薄，確保該部分可被容易地去除。
如果進(jìn)行步驟(I)直到底膜顯現(xiàn)，步驟(I)實(shí)質(zhì)上與步驟(G)相同。
以下參照圖7對步驟(G)的例子進(jìn)行說明。
圖7是當(dāng)最初的有機(jī)膜圖案具有厚度彼此不同的至少兩個部分時，用于選擇性地只去除部分中厚度小的部分的步驟的流程圖。
圖7(a-2)、圖7(b-2)、圖7(c-2)及圖7(d-2)分別是平面圖，圖7(a-1)是圖(a-2)的截面圖，圖7(b-1)是圖7(b-2)的截面圖，圖7(c-1)是圖7(c-2)的截面圖，圖7(d-1)是圖7(d-2)的截面圖。
如圖7(a-1)及圖7(a-2)所示，在絕緣襯底601上形成規(guī)定形狀的柵電極602。絕緣襯底601上形成柵絕緣膜603，以覆蓋所述柵電極602，并且，柵絕緣膜603上依次淀積有非晶硅層604、N+非晶硅層605及源極/漏極層606。
如圖7(b-1)及圖7(b-2)所示，在源極/漏極層606上形成最初的有機(jī)膜圖案607(步驟S01到S03)，然后，以有機(jī)膜圖案607為掩膜對源極/漏極層606、N+非晶硅層605及非晶硅層604進(jìn)行蝕刻(步驟S04)。結(jié)果是，在沒有被有機(jī)膜圖案607覆蓋的區(qū)域顯現(xiàn)出柵絕緣膜603。
形成有機(jī)膜圖案607以使其部分覆蓋柵絕緣膜603的薄部分607a。具有兩種厚度的有機(jī)膜圖案可通過使作為薄部分607a的部分和607a以外的部分的曝光量互相不同而形成。
然后，實(shí)施前處理(對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的步驟S11)及主處理(有機(jī)膜圖案顯影處理的步驟S12和加熱有機(jī)膜圖案的步驟S13)。形成最初的有機(jī)膜圖案607時的曝光的歷史也殘留在有機(jī)膜圖案607中。因此，通過進(jìn)行主處理(步驟S12和步驟S13)，有機(jī)膜圖案607中只有薄部分607a被選擇性地去除，如圖7(c-1)及圖7(c-2)所示的狀態(tài)。也就是說，最初的有機(jī)膜圖案607被分割為多個部分(在圖7中為兩部分)。
然后，以有機(jī)膜圖案607為掩膜，對源極/漏極層606及N+非晶硅層605進(jìn)行蝕刻，結(jié)果使非晶硅層604顯現(xiàn)，然后去除有機(jī)膜圖案607。
當(dāng)最初的有機(jī)膜圖案形成為厚度彼此不同的多個部分時，通過只去除有機(jī)膜圖案的多個部分中的薄部分，可以將有機(jī)膜進(jìn)行圖案形成處理，成為新的圖案。具體地，通過將有膜圖案分離為多個部分(例如圖7(c-2)所示的二個部分)，可以將有機(jī)膜進(jìn)行圖案形成處理，成為新的圖案。
當(dāng)位于有機(jī)膜圖案下的底膜由多個層構(gòu)成時，在上述處理步驟S11、步驟S12和步驟S13之前和之后，分別以有機(jī)膜圖案為掩膜對底膜進(jìn)行蝕刻，以使在顯影過度處理(步驟S12)之前進(jìn)行的蝕刻處理(步驟S04)中所蝕刻的區(qū)域與在步驟S12和S13之后進(jìn)行的蝕刻處理中所蝕刻的區(qū)域相互不同。因此，可以對底膜的多個層中的第一層(例如非晶硅層604)和第二層(例如源極/漏極層606及N+非晶硅層605)進(jìn)行蝕刻處理，形成互相不同的圖案。
以下對進(jìn)行第一實(shí)施方案的方法中所使用的襯底處理裝置的具體例子進(jìn)行說明。
進(jìn)行第一實(shí)施方案的方法中所使用的襯底處理裝置包括裝置100或200，其包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第五處理單元21、第四處理單元20，和第二處理單元18的襯底處理。
在裝置100中，第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18的布置是任意的。
相比之下，襯底處理裝置200中，依照圖3中的箭頭A方向按順序布置第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18。類似地，在以下說明的方法中，裝置200中各處理單元需要按照預(yù)定順序布置。
加熱有機(jī)膜圖案的步驟S13可以省略，在這種情況中，就不需要裝置100或200包括第二處理單元18了。在以下圖8至圖11中，和步驟S13一樣，被括號括起的步驟意味著它們也同樣可以被省略。另外，用括號括起的步驟所對應(yīng)的處理單元也同樣可以省略。
即使同一步驟進(jìn)行多次(例如即使步驟S4進(jìn)行兩次)，裝置100包括單個的處理單元用于進(jìn)行該步驟。相比之下，裝置200必需包括與進(jìn)行同一步驟次數(shù)相等的同一處理單元。例如，如果步驟S4要進(jìn)行二次，裝置200就需要包括二個第二處理單元18。這一點(diǎn)在以下要說明的各襯底處理方法中是一樣的。
在第一實(shí)施方案的方法中，由于首先進(jìn)行前處理以去除在有機(jī)膜圖案表面形成的變質(zhì)層或沉積層，然后進(jìn)行主處理以使有機(jī)膜圖案的至少一部分縮小或去除有機(jī)膜圖案的一部分。因此可以順利地進(jìn)行主處理。即，有可能有助于具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液滲透有機(jī)膜圖案中，并使有機(jī)膜圖案均一顯影。
(第二實(shí)施方案)圖8是表示進(jìn)行本發(fā)明第二實(shí)施方案的方法中的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖8所示，與第一實(shí)施方案的方法相比，第二實(shí)施方案的方法另外包括在主處理(步驟S12和S13)之前對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理的步驟(步驟S21)。
即，第二實(shí)施方案的方法與第一實(shí)施方案的方法的差別只在于其另外包括有機(jī)膜圖案的灰化處理(步驟S21)，除了具有灰化處理(步驟S21)之外，與第一實(shí)施方案的方法是相同的。
在第二本實(shí)施方案的方法中，通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理(步驟S21)，從而去除在有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或沉積層。
所述灰化處理(步驟S21)在第六處理單元22中進(jìn)行對于灰化處理(步驟S21)，可進(jìn)行干法處理如在氧或氧/氟氣氛中對有機(jī)膜圖案實(shí)施等離子體；對有機(jī)膜圖案實(shí)施具有短波長的光能如紫外線；或?qū)τ袡C(jī)膜圖案實(shí)施臭氧。也就是對有機(jī)膜圖案實(shí)施光能或熱。
優(yōu)選設(shè)置灰化處理(步驟S21)的實(shí)施時間，以使得只有變質(zhì)層或沉積層被去除。
對于去除該變質(zhì)導(dǎo)或沉積層的結(jié)果，與上述第一實(shí)施方案一樣，使有機(jī)膜圖案的未變質(zhì)部分顯現(xiàn)，或使被沉積層覆蓋的有機(jī)膜圖案顯現(xiàn)。
作為前處理的灰化處理(步驟S21)可以提供的優(yōu)點(diǎn)在于，在隨后的步驟(即顯影過度處理(步驟S12))中可使具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液容易地滲透到有機(jī)膜圖案中，即，起到提高顯影過度的質(zhì)量及效果的作用。
隨后的處理與第一實(shí)施方案中的處理一樣，所以省略其說明。
第二實(shí)施方案提供與所述第一實(shí)施方案相同的優(yōu)點(diǎn)。
另外，由于對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理(步驟S21)作為前處理，所以即使變質(zhì)層、沉積層比較頑固，難以僅僅通過顯影過度處理(步驟S21)除去的情況下，也可以將這些變質(zhì)層、沉積層輕松地除去。
(第三實(shí)施方案)圖9是進(jìn)行本發(fā)明第三實(shí)施方案的方法中的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖9所示，第三實(shí)施方案的方法包括對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理(步驟S21)和對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)，兩者都作為前處理，并包括顯影過度處理(步驟S12)和加熱處理(步驟S13)，兩者都作為主處理。
即，第三實(shí)施方案的方法中，只在前處理包括對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理(步驟S21)和對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)的組合來進(jìn)行這一點(diǎn)上與第一實(shí)施方案的方法不同，其它方面都與第一實(shí)施方案的方法相同。
在第一實(shí)施方案中，前處理包括濕法處理(步驟S11)。相比之下，第三實(shí)施方案的前處理包括干法處理(步驟S21)和濕法處理(步驟S11)。因此，變質(zhì)層或沉積層的表面通過干法處理，即灰化處理(步驟S21)除去，而變質(zhì)層或沉積層的其余部分通過濕法處理，即實(shí)施藥液處理(步驟S11)除去。
第三實(shí)施方案的方法提供與第一實(shí)施方案得到的相同的優(yōu)點(diǎn)。
另外，即使難以只通過實(shí)施藥液處理(步驟S12)除去變質(zhì)層或沉積層，但是通過在實(shí)施藥液處理(步驟S12)之前實(shí)施灰化處理(步驟S21)也可除去所述層。
在前處理中進(jìn)行的灰化處理(步驟S21)用于除去變質(zhì)層或沉積層的表面。因此與第二實(shí)施方案相比，可以縮短灰化處理時間，以確?？梢詼p少由該灰化處理對底膜造成的破壞。
第三實(shí)施方案的步驟S11中所使用的藥液與第一實(shí)施方案的步驟S11中所使用的藥液相比，可以使用對有機(jī)膜圖案侵蝕度小的藥液，或使第三實(shí)施方案的步驟S11的處理時間比第一實(shí)施方案的步驟S11的處理時間短。
(第四實(shí)施方案)圖10和圖11是本發(fā)明第四實(shí)施方案的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
在圖10和圖11中，沒有省略在襯底上形成最初的有機(jī)膜圖案的步驟S01到S03，以及對底膜的蝕刻步驟S04。
如圖10和圖11所示，第四實(shí)施方案的方法另外包括在進(jìn)行第一到第三實(shí)施方案的方法之前，進(jìn)行有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
如圖10(a)、圖10(b)及圖10(c)所示，有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟41)可在前處理之前進(jìn)行，或可選擇地，如圖10(d)所示，有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟41)可在前處理的過程中進(jìn)行，具體地，在灰化處理(步驟S21)和實(shí)施藥液處理(步驟S11)之間進(jìn)行?？蛇x擇地，或如圖11(a)、圖11(b)和圖11(c)所示，有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)可在前處理開始后立即進(jìn)行。
在步驟S41中，當(dāng)最初的有機(jī)膜圖案通過光刻法形成時，有機(jī)膜圖案曝光二次，而當(dāng)最初的有機(jī)膜圖案通過印刷法形成時，有機(jī)膜圖案曝光一次。
在有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟41)中，覆蓋至少一部分襯底的有機(jī)膜圖案被曝光。例如，使完全覆蓋襯底或覆蓋了襯底總面積的至少1/10的有機(jī)膜圖案曝光。有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)在第一處理單元17中進(jìn)行。在第一處理單元17中，可使有機(jī)膜圖案一次完全曝光，或在預(yù)定區(qū)域內(nèi)使用聚光燈掃描曝光。例如，可使有機(jī)膜圖案暴露于紫外光、熒光或自然光下。
在第四實(shí)施方案中，優(yōu)選在初次曝光形成有機(jī)膜圖案后，到步驟S41之前，保持襯底為無感光狀態(tài)。通過保持無感光狀態(tài)，這樣有可能使顯影過度處理(步驟S12)的效果均一，或使有機(jī)膜圖案的總曝光均一。為了使襯底保持無感光狀態(tài)，可對所有工序進(jìn)行管理，或使裝置100或200設(shè)計成具有這種功能的構(gòu)造。
有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S14)可如下實(shí)施。
第一，通過使用具有規(guī)定圖案的掩膜進(jìn)行有機(jī)膜圖案的曝光處理。即，根據(jù)在步驟S41中曝光的有機(jī)膜圖案的區(qū)域確定有機(jī)膜圖案的新圖案。在隨后的顯影過度處理(步驟S12)中部分地除去有機(jī)膜圖案，以使有機(jī)膜圖案變?yōu)樾聢D案。在形成有機(jī)膜圖案的初始曝光后，到實(shí)施步驟S41為止的期間，需要使有機(jī)膜圖案(或襯底)保持無感光狀態(tài)。
第二，通過使襯底整體全面曝光，可更有效地進(jìn)行步驟S12的有機(jī)膜圖案的顯影過度處理。這種情況下，在形成有機(jī)膜圖案的初始曝光后，到步驟S41為止的期間，無需對有機(jī)膜圖案(或襯底)的感光狀態(tài)進(jìn)行管理。即使在進(jìn)行步驟S41之前有機(jī)膜圖案在某種程度上被曝光(例如有機(jī)膜圖案暴露于紫外線、UV光、熒光或自然光下，或在這些光下長時間放置)時，或不明程度的曝光的情況下，可通過實(shí)施步驟S41，使襯底均一曝光。
以下對第四實(shí)施方案的方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例1)圖10(a)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例1中的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖10(a)所示，與圖6中所示的第一實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例1的方法中，另外包括在蝕刻步驟S04后和實(shí)施藥液處理S11之前有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例1中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例2)圖10(b)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例2中的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖10(b)所示，與圖8中所示的第二實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例2的方法中，另外包括在蝕刻步驟S04后和灰化處理S21之前有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例2中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第六處理單元22、第四處理單元20和第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例3)圖10(c)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例3中的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖10(c)所示，與圖9中所示的第三實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例3的方法中，另外包括在蝕刻步驟S04后和灰化處理S21之前有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例3中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第六處理單元22、第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例4)圖10(d)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例4的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖10(d)所示，與圖9中所示的第三實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例4的方法中，另外包括在灰化處理S21和實(shí)施藥液處理S11之間的有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例4中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第六處理單元22、第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例5)圖11(a)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例5的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖11(a)所示，與圖6中所示的第一實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例5的方法中，另外包括在實(shí)施藥液處理S11和顯影過度處理S12之間的有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例5中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例6)圖11(b)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例6的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖11(b)所示，與圖8中所示的第二實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例6的方法中，另外包括在灰化處理S21和顯影過度處理S12之間的有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例6中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第六處理單元22、第四處理單元20和第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例7)圖11(c)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例7的實(shí)施步驟的流程圖。
如圖11(c)所示，與圖9中所示的第三實(shí)施方案的方法相比，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例7的方法中，另外包括在實(shí)施藥液處理S11和顯影過度處理S12之間的有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟S41)。
在實(shí)施例7中所使用的裝置100或200包括作為處理單元U1到U9或U1到U7的第一處理單元17、第六處理單元22、第五處理單元21、第四處理單元20和第二處理單元18。
以下參照圖12對第四實(shí)施方案的實(shí)施例1進(jìn)行更具體的說明。
圖12(a-2)、圖12(b-2)、圖12(c-2)及圖12(d-2)分別是平面圖，圖12(a-1)是圖12(a-2)的截面圖，圖12(b-1)是圖12(b-2)的截面圖，圖12(c-1)是圖12(c-2)的截面圖，圖12(d-1)是圖12(d-2)的截面圖。
如圖12(a-1)及圖12(a-2)所示，在絕緣襯底601上形成具有規(guī)定形狀的柵電極602。在絕緣襯底601上形成柵絕緣膜603，以覆蓋所述柵電極602，然后，在柵絕緣膜603上依次層積非晶硅層604、N+非晶硅層605及源極/漏極層606。
如圖12(b-1)和圖12(b-2)所示，在源極/漏極層606上形成有機(jī)膜圖案607。然后，以有機(jī)膜圖案607為掩膜對源極/漏極層606、N+非晶硅層605及非晶硅層604進(jìn)行蝕刻。這樣一來，只在沒有形成有機(jī)膜圖案607的區(qū)域顯現(xiàn)出柵絕緣膜603。
最初的有機(jī)膜圖案607和圖7(b-1)所示的最初有機(jī)膜圖案不同，其具有均一的厚度。
然后，按照進(jìn)行上述本實(shí)施方案的實(shí)施例1-7(圖10和11)中任一項(xiàng)所述的順序進(jìn)行前處理、主處理和有機(jī)膜圖案的曝光處理S41。
通過使用具有預(yù)定圖案的掩膜進(jìn)行有機(jī)膜圖案的曝光處理S41。在隨后的顯影過度處理(步驟S12)中，有機(jī)膜圖案607被加工成為新圖案，如圖7(c-1)及圖7(c-2)所示。即，最初的有機(jī)膜圖案607被分割為多個部分(在圖12中為二個部分)。
然后，使用有機(jī)膜圖案607作為掩膜對源極/漏極層606及N+非晶硅層605進(jìn)行蝕刻，使非晶硅層604顯現(xiàn)，除去有機(jī)膜圖案607。
當(dāng)位于有機(jī)膜圖案下的底膜由多個層構(gòu)成時，在前處理、主處理和有機(jī)膜圖案曝光處理之前和之后，使用有機(jī)膜圖案作為掩膜對底膜進(jìn)行蝕刻，以使在顯影過度處理(步驟S12)之前進(jìn)行的蝕刻處理(步驟S04)中所蝕刻的區(qū)域與在步驟S12和S13之后進(jìn)行的蝕刻處理中所蝕刻的區(qū)域相互不同。因此，可以對底膜的多個層中的第一層(例如非晶硅層604)和第二層(例如源極/漏極層606及N+非晶硅層605)進(jìn)行蝕刻處理，形成互相不同的圖案。
以下參照圖13對第四實(shí)施方案的實(shí)施例2進(jìn)行更具體的說明。
圖13(a-2)、圖13(b-2)、圖13(c-2)及圖13(d-2)分別是平面圖，圖13(a-1)是圖13(a-2)的截面圖，圖13(b-1)是圖13(b-2)的截面圖，圖13(c-1)是圖13(c-2)的截面圖，圖13(d-1)是圖13(d-2)的截面圖。在圖13(b-2)及圖13(c-2)中省略了有機(jī)膜圖案。
如圖13(a-1)及圖13(a-2)所示，在絕緣襯底601上形成具有規(guī)定形狀的柵電極602。在絕緣襯底601上形成柵絕緣膜603，以覆蓋所述柵電極602。在柵絕緣膜603上形成規(guī)定形狀的源極/漏極電極801，并在柵絕緣膜603上形成由絕緣材料組成的覆蓋膜802，以覆蓋所述源極/漏極電極801。
如圖13(b-1)和13(b-2)所示，在覆蓋膜802上形成最初的有機(jī)膜圖案607。然后，以該有機(jī)膜圖案607為掩膜對覆蓋膜802及柵絕緣膜603進(jìn)行蝕刻。這樣一來，在沒有最初的有機(jī)膜圖案607覆蓋的區(qū)域顯現(xiàn)出柵電極602。
最初的有機(jī)膜圖案607和圖7(b-1)所示的最初有機(jī)膜圖案不同，其具有均一的厚度。
然后，按照上述實(shí)施例1-7(圖10和11)中任一項(xiàng)所述的順序進(jìn)行前處理、主處理及有機(jī)膜圖案的曝光處理S41。
使用具有預(yù)定圖案的掩膜進(jìn)行有機(jī)膜圖案607的曝光處理S41。從而在隨后的如圖13(c-1)所示的顯影過度處理(步驟S12)中將有機(jī)膜圖案607加工成為新圖案。
然后，如圖13(c-1)和13(c-2)所示，使用主處理得到的有機(jī)膜圖案607作為掩膜對覆蓋膜802進(jìn)行蝕刻，結(jié)果使源極/漏極電極801部分地顯現(xiàn)，然后除去有機(jī)膜圖案607。
當(dāng)位于有機(jī)膜圖案下的底膜由多個層構(gòu)成時，在前處理、主處理和有機(jī)膜圖案曝光處理之前和之后，使用有機(jī)膜圖案作為掩膜對底膜進(jìn)行蝕刻，以使在顯影過度處理(步驟S12)之前進(jìn)行的蝕刻處理(步驟S04)中所蝕刻的區(qū)域與在步驟S12和S13之后進(jìn)行的蝕刻處理中所蝕刻的區(qū)域相互不同。因此，可以對底膜的多個層中的第一層(例如柵絕緣層603)和第二層(例如覆蓋膜802)進(jìn)行蝕刻處理，形成互相不同的圖案。
在對柵電極602上的柵絕緣膜603及覆蓋膜802進(jìn)行蝕刻后，只對源極/漏極電極801上的覆蓋膜802進(jìn)行蝕刻，可防止源極/漏極電極801被破壞。
由于第四實(shí)施方案的方法與第一到第三實(shí)施方案的方法相比，另外包括了有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟41)，所以即使最初的有機(jī)膜圖案的具有均一厚度的情況下(即，最初的有機(jī)膜圖案不具有厚度彼此不同的至少兩個部分時)，也可以將有機(jī)膜進(jìn)行圖案形成處理，成為新圖案。
可選擇地，即使在有機(jī)膜圖案不被加工成為新的圖案時，另外包括有機(jī)膜圖案的曝光處理(步驟41)的第四實(shí)施方案的方法也可有效地進(jìn)行顯影過度處理(步驟S12)。
以下對上述各實(shí)施方案中的前處理的選擇方針進(jìn)行說明。
圖14表示與變質(zhì)層的成因?qū)?yīng)的變質(zhì)層的變質(zhì)程度。在圖14中對變質(zhì)化程度以濕法剝離變質(zhì)層的難易為基準(zhǔn)進(jìn)行確定。
如圖14所示，變質(zhì)層的變質(zhì)化程度主要取決于濕法蝕刻中使用的藥液、干法蝕刻處理是否為各向同性或各向異性、在有機(jī)膜圖案上有無沉積物、濕法蝕刻處理中使用的氣體。因此，變質(zhì)層的除去的難易度也取決于那些因素。
對于在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)中使用的藥液，可選自是酸溶液、堿溶液或有機(jī)溶劑，或是它們的組合。
具體地，藥液選自堿性水溶液、或包含至少一種胺類材料作為有機(jī)溶劑的水溶液，其中胺類材料的含量為0.05到10重量％。
其中，胺類材料選自一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶或甲基吡啶。
如果變質(zhì)層的變質(zhì)化程度相對小，即，如果因老化引起的氧化、酸蝕刻劑、各向同性氧灰化處理形成變質(zhì)層，則所選藥液中胺類材料的含量為0.05到3重量％。
圖15是藥液中胺類材料的濃度與有機(jī)膜圖案除去效率之間關(guān)系的示意圖。
如圖15示，優(yōu)選藥液包含0.05到1.5重量％的胺類材料作為有機(jī)溶劑以只除去有機(jī)膜圖案的變質(zhì)層，而保留未變質(zhì)部分。為此，優(yōu)選藥液中包含選自羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶或甲基吡啶的胺類材料。對于防腐劑，可選擇D-葡萄糖(C6H12O6)、螯合劑或抗氧化劑。
通過設(shè)定對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)的實(shí)施時間，以及選擇適當(dāng)?shù)乃幰?，可只除去有機(jī)膜圖案上的變質(zhì)層或沉積層，而保留沒有變質(zhì)的部分或使被沉積層覆蓋的有膜圖案顯現(xiàn)。
對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S11)的優(yōu)點(diǎn)在于，在步驟S11之后進(jìn)行的顯影過度處理(步驟S12)中，具有使有機(jī)膜圖案顯影的功能的藥液可容易地滲透到有機(jī)膜圖案中。
實(shí)際上，通過對有機(jī)膜圖案的表面施用上述藥液，可使變質(zhì)層龜裂，或變質(zhì)層的一部分或全部被除去。因此，可以在顯影過度處理中避免變質(zhì)層妨礙具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液滲透到有機(jī)膜圖案內(nèi)。
重要的是，有機(jī)膜圖案中沒有變質(zhì)的部分不能被除去而應(yīng)保留下來，和藥液可通過只除去變質(zhì)層或使變質(zhì)層龜裂而容易地滲透到有機(jī)膜圖案中未變質(zhì)的部分。需要選擇可發(fā)揮所述作用的藥液。
當(dāng)形成的變質(zhì)層或沉積層很牢固、或較厚、或相當(dāng)難以除去時，優(yōu)選在如圖8、圖9、圖10(b)、圖10(c)、圖10(d)、圖11(b)及圖11(c)所示的灰化處理單獨(dú)進(jìn)行，或與對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理組合進(jìn)行。通過單獨(dú)進(jìn)行這樣的灰化處理或與藥液處理組合進(jìn)行，可以解決只用藥液處理難于除去變質(zhì)層、或除去時花費(fèi)太多時間等的問題。
圖16表示對變質(zhì)層只實(shí)施氧(O2)灰化處理或各向同性等離子體處理時的變質(zhì)層的變化，圖17表示對變質(zhì)層只實(shí)施藥液處理(使用了含有2％羥胺的水溶液)時的變質(zhì)層的變化，圖18表示對變質(zhì)層依次實(shí)施上述灰化處理和上述藥液處理時的變質(zhì)層的變化。在圖16到18中，與圖14類似，根據(jù)濕法剝離變質(zhì)層的難易程序確定變質(zhì)化程度。
如圖16到18所示，無論哪種情況下都可以除去變質(zhì)層。然而，將圖16所示的氧灰化處理(各向同性等離子體處理)與對變質(zhì)層施用藥液處理(使用了含有2％羥胺的水溶液)的步驟相比較時，根據(jù)變質(zhì)層的厚度、特征的不同，變質(zhì)層的除去程度也不同。
如圖16所示，氧灰化處理(各向同性等離子體處理)對有沉積物的變質(zhì)層的除去比較是有效的，但易于對物體產(chǎn)生破壞。因此，如果對上面沒有沉積物的變質(zhì)層進(jìn)行氧灰化處理(各向同性等離子體處理)時，比只對變質(zhì)層實(shí)施藥液處理(圖15)剩余變質(zhì)層的程度大。
相比之下，如圖17所示，對變質(zhì)層施用藥液(含有2％羥胺的水溶液)處理對有沉積物的變質(zhì)層的除去不如氧灰化處理有效果，但不會產(chǎn)生破壞。因此，如果對上面沒有沉積物的變質(zhì)層實(shí)施藥液處理時，比只進(jìn)行氧灰化處理處理的剩余變質(zhì)層的程度大。
因此，為了具有圖16和17中所示的優(yōu)點(diǎn)，如圖18所示，依次對變質(zhì)層實(shí)施氧灰化處理(各向同性等離子體處理)和實(shí)施藥液(使用了含有2％羥胺的水溶液)處理?？梢岳斫猓瑘D18中所示的方法對有無沉積物的變質(zhì)層都會產(chǎn)生效果，同時在可以抑制破壞產(chǎn)生的情形下除去變質(zhì)層。
在上述各實(shí)施方案中，主處理包括有機(jī)膜顯影過度處理(步驟S12)和加熱有機(jī)膜圖案(步驟S13)。主處理可包括對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理，其中藥液沒有使有機(jī)膜圖案顯影的功能，而具有溶解有機(jī)膜圖案的功能。例如，這種藥液可通過稀釋分離劑得到。具體地，可通過將分離劑濃度稀釋到20％或更低的濃度獲得該藥液。優(yōu)選分離劑的濃度至少為2％。例如，可通過用水稀釋分離劑得到所述藥液。
在上述實(shí)施方案中，有機(jī)膜圖案主要由有機(jī)感光膜組成。當(dāng)有機(jī)膜圖案通過印刷法形成，并且當(dāng)使用不具有有機(jī)膜圖案顯影功能而具有溶解有機(jī)膜圖案功能的藥液進(jìn)行主處理時，有機(jī)膜圖案不總是需要由感光性有機(jī)膜構(gòu)成。另外，這種情況下可不需要有機(jī)膜圖案的曝光處理S41。
即使有機(jī)膜圖案通過印刷法形成，其也可由有機(jī)感光膜組成，可進(jìn)行有機(jī)膜圖案的曝光處理S41。
上述實(shí)施方案的方法可進(jìn)一步包括加熱有機(jī)膜圖案的步驟。進(jìn)行加熱有機(jī)膜圖案的步驟的目的是除去有機(jī)膜圖案內(nèi)滲入的水分、酸溶液和/或堿溶液，或在有機(jī)膜圖案和底膜之間的粘合力下降時，恢復(fù)該粘合力。例如，有機(jī)膜圖案在50到150℃溫度下加熱60到300秒。
在上述實(shí)施方案的方法中可徹底除去有機(jī)膜圖案。這意味著上述實(shí)施方案的方法或其部分可用于剝離或分離有機(jī)膜圖案。具體地，作為第一個例子，可通過使用不僅具有可除去變質(zhì)層和/或沉積層、而且可除去有機(jī)膜圖案的藥液，并且比在實(shí)施方案中前處理的實(shí)施時間(即，其中進(jìn)行前處理而不徹底除去有機(jī)膜圖案的時間)更長的時間內(nèi)實(shí)施前處理可徹底除去有機(jī)膜圖案。作為第二個例子，在前處理中除去變質(zhì)層或沉積層，并且比在實(shí)施方案中的主處理的實(shí)施時間(即，其中進(jìn)行主處理而不徹底除去有機(jī)膜圖案的時間)更長的時間內(nèi)實(shí)施主處理可徹底除去有機(jī)膜圖案。
權(quán)利要求
1.襯底上形成的有機(jī)膜圖案的處理方法，所述有機(jī)膜圖案具有至少兩種厚度，所述方法包括主要步驟通過使用藥液縮小或去除所述有機(jī)膜圖案的至少一部分。
2.襯底上形成的有機(jī)膜圖案的處理方法，所述有機(jī)膜圖案具有至少兩種厚度，所述方法包括主要步驟通過將所述有機(jī)膜圖案的薄部分選擇性地變薄或選擇性地去除而縮小或去除所述有機(jī)膜圖案的至少一部分。
3.權(quán)利要求1或2所述的方法，其進(jìn)一步包括第一步驟去除所述有機(jī)膜圖案表面形成的變質(zhì)層或沉積層，所述第一步驟在所述主要步驟前進(jìn)行。
4.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述變質(zhì)層或沉積層在所述第一步驟中去除。
5.權(quán)利要求4所述的方法，其中所述變質(zhì)層或沉積層在所述第一步驟中在選定的區(qū)域中去除。
6.權(quán)利要求5所述的方法，其中去除所述變質(zhì)層，使所述有機(jī)膜圖案的未變質(zhì)部分顯現(xiàn)。
7.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在所述主要步驟中，所述有機(jī)膜圖案的至少一部分保持未被去除。
8.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由所述有機(jī)膜圖案表面因老化、熱氧化和熱硬化而發(fā)生的變質(zhì)中的至少一種變質(zhì)引起。
9.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由使用濕法蝕刻劑對所述有機(jī)膜圖案進(jìn)行濕法蝕刻引起。
10.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由對所述有機(jī)膜圖案進(jìn)行干法蝕刻或者灰化處理引起。
11.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由對所述有機(jī)膜圖案進(jìn)行干法蝕刻引起的沉積物引起。
12.權(quán)利要求1或2所述的方法，其進(jìn)一步包括第一步驟去除所述有機(jī)膜圖案表面形成的沉積層，使所述有機(jī)膜圖案顯現(xiàn)，所述第一步驟在所述主要步驟前進(jìn)行。
13.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述沉積層是由對所述有機(jī)膜圖案進(jìn)行干法蝕刻而在所述有機(jī)膜圖案表面上形成。
14.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述有機(jī)膜圖案通過印刷法形成。
15.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述有機(jī)膜圖案通過光刻法形成。
16.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述主要步驟由使用具有使所述有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影的步驟構(gòu)成。
17.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述藥液由含有TMAH(氫氧化四甲基銨)的堿性水溶液或無機(jī)堿性水溶液構(gòu)成。
18.權(quán)利要求17所述的方法，其中所述無機(jī)堿性水溶液選自NaOH和CaOH。
19.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述第二步驟由對所述有機(jī)膜圖案進(jìn)行第K次顯影處理的步驟構(gòu)成，其中K為等于或大于2的整數(shù)。
20.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述主要步驟由對所述有機(jī)膜圖案施用藥液的步驟組成，所述藥液不具有使所述有機(jī)膜圖案顯影的功能、但具有溶解所述有機(jī)膜圖案的功能。
21.權(quán)利要求20所述的方法，其中所述藥液是通過稀釋分離劑得到的。
22.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在所述主要步驟中，至少一個所述有機(jī)膜圖案分離成多個部分。
23.權(quán)利要求1或2所述的方法，其進(jìn)一步包括使用尚未實(shí)施所述主要步驟的所述有機(jī)膜圖案作為掩膜對位于所述有機(jī)膜圖案下的底膜進(jìn)行圖案形成處理的步驟。
24.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施變形處理，以使所述有機(jī)膜圖案成為覆蓋所述襯底上形成的電路圖案的絕緣膜。
25.權(quán)利要求1或2所述的方法，其進(jìn)一步包括使用已經(jīng)實(shí)施了所述主要步驟的所述有機(jī)膜圖案作為掩膜對位于所述有機(jī)膜圖案下的底膜進(jìn)行圖案形成處理的步驟。
26.權(quán)利要求23所述的方法，其中所述底膜在所述步驟中被處理成為錐狀或臺階狀。
27.權(quán)利要求23所述的方法，其中所述底膜具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)中的任意兩層或更多層在所述步驟中經(jīng)過處理而具有與其它圖案不同的圖案。
28.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理進(jìn)行。
29.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案施用藥液進(jìn)行。
30.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案施用藥液和實(shí)施灰化處理進(jìn)行。
31.權(quán)利要求30所述的方法，其中依次對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理和對所述有機(jī)膜圖案施用藥液。
32.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一步驟完全通過對所述有機(jī)膜圖案施用藥液進(jìn)行。
33.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一步驟完全通過依次對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理和對所述有機(jī)膜圖案施用藥液進(jìn)行。
34.權(quán)利要求29所述的方法，其中所述藥液含有以下中至少之一酸性化學(xué)品、有機(jī)溶劑、堿性化學(xué)品、有機(jī)溶劑與胺類材料二者、或堿性化學(xué)品與胺類材料二者。
35.權(quán)利要求34所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑至少含有胺類材料。
36.權(quán)利要求34所述的方法，其中所述堿性化學(xué)品至少含有胺類材料和水。
37.權(quán)利要求34所述的方法，其中所述胺類材料選自一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶和甲基吡啶。
38.權(quán)利要求35所述的方法，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.01重量％到10重量％，含端值。
39.權(quán)利要求38所述的方法，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到3重量％，含端值。
40.權(quán)利要求39所述的方法，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到1.5重量％，含端值。
41.權(quán)利要求29所述的方法，其中所述藥液包含防腐劑。
42.權(quán)利要求1或2所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述有機(jī)膜圖案曝光的曝光步驟，所述曝光步驟在所述主要步驟前進(jìn)行。
43.權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述有機(jī)膜圖案曝光的曝光步驟，所述曝光步驟在所述第一步驟前進(jìn)行。
44.權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述有機(jī)膜圖案曝光的曝光步驟，所述曝光步驟在所述第一步驟期間進(jìn)行。
45.權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述有機(jī)膜圖案曝光的曝光步驟，所述曝光步驟在所述主要步驟和第一步驟之間進(jìn)行。
46.權(quán)利要求42所述的方法，其中所述曝光步驟只在預(yù)定區(qū)域?qū)λ鲇袡C(jī)膜圖案進(jìn)行。
47.權(quán)利要求46所述的方法，其中所述曝光步驟由在所述預(yù)定區(qū)域?qū)λ鲇袡C(jī)膜圖案完全曝光或者在所述預(yù)定區(qū)域用聚光燈掃描的步驟構(gòu)成。
48.權(quán)利要求46所述的方法，其中所述預(yù)定區(qū)域的面積至少為所述襯底面積的1/10。
49.權(quán)利要求46所述的方法，其中所述有機(jī)膜圖案的新圖案根據(jù)所述曝光步驟的實(shí)施區(qū)域確定。
50.權(quán)利要求49所述的方法，其中確定所述曝光步驟的實(shí)施區(qū)域，以將所述有機(jī)膜圖案的至少一部分分離為多個部分。
51.權(quán)利要求42所述的方法，其中在所述曝光步驟中使用紫外線、熒光和自然光中的至少之一。
52.權(quán)利要求28所述的方法，其中在所述灰化中由使用等離子體、臭氧及紫外線。
53.權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述有機(jī)膜圖案在所述襯底上形成所述有機(jī)膜圖案之后、實(shí)施所述主要步驟之前保持沒有曝光。
54.用于權(quán)利要求35所述方法中的藥液，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.01重量％到10重量％，含端值。
55.權(quán)利要求54所述的藥液，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到3重量％，含端值。
56.權(quán)利要求54所述的藥液，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到1.5重量％，含端值。
57.權(quán)利要求54所述的藥液，其中所述胺類材料選自羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶和甲基吡啶。
全文摘要
本發(fā)明提供處理襯底上形成的有機(jī)膜圖案的方法，其包括第一步驟(步驟S11)，去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或沉積層；和第二步驟(步驟S12和S13)，將有機(jī)膜圖案的至少一部分縮小，或去除所述有機(jī)膜圖案的一部分。
文檔編號H01L21/00GK1892444SQ200610093729
公開日2007年1月10日 申請日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月18日
發(fā)明者城戶秀作 申請人:Nec液晶技術(shù)株式會社