專利名稱：具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于高功率的發(fā)光二極管，特別是涉及一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管 晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路。背景技水發(fā)光二極管(Light Emitting Diode; LED)隨著材料科技進(jìn)步，在發(fā)光 顏色及亮度的進(jìn)展已不可同日而語(yǔ)，各種發(fā)光二極管顯示技術(shù)已趨近全彩 化與高亮度化，發(fā)光二極管更有希望成為照亮人類生活的新世代的照明設(shè) 備。近年來(lái)，由于發(fā)光二極管發(fā)光效率等產(chǎn)品特性持續(xù)的改善，使得發(fā)光 二極管的應(yīng)用市場(chǎng)大幅度成長(zhǎng)。發(fā)光二極管之所以能有如此高的市場(chǎng)成長(zhǎng) 率，主要的成長(zhǎng)動(dòng)力有二點(diǎn)，首先是在發(fā)光二極管顯示器背光源市場(chǎng)中發(fā)光 二極管與冷陰極射線管(Codex Committee on Food Labelling; CCFL)之間 的替代；其次是在一般光源市場(chǎng)中發(fā)光二極管與白熾燈泡與熒光燈之間的 替代。在上述兩個(gè)成長(zhǎng)動(dòng)力市場(chǎng)中，發(fā)光二極管均具有環(huán)保、節(jié)能及色彩 表現(xiàn)性佳的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，其中如"歐盟2006年禁用汞"的環(huán)保法規(guī)更是驅(qū)動(dòng) 市場(chǎng)成長(zhǎng)的主要原因。在目前的二極管照明產(chǎn)品中，高壓的發(fā)光二極管其采用串聯(lián)電路設(shè)計(jì) 時(shí)，若其中一顆發(fā)光二極管發(fā)生故障，將導(dǎo)致整個(gè)裝置無(wú)法使用，此時(shí)需要將發(fā)生故障的發(fā)光二極管取下更換新或整組報(bào)廢更新，在使用上及產(chǎn)品穩(wěn) 定度上顯然存在有不便與不足。美國(guó)專利公告號(hào)第US6830358號(hào)，其揭露的發(fā)光二極管電路雖然可使 用在直流或交流電源環(huán)境中，但是其為分立元件(discrete component)，尺 寸亦較龐大，不符合短小輕薄的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。另外，美國(guó)專利公開號(hào)第20050254243號(hào)，其揭露的發(fā)光二極管電路 雖然是以晶片制程制造，可以縮小尺寸體積，但是其僅可操作于交流電壓 環(huán)境中，且同極性的發(fā)光二極管均采用串聯(lián)方式連接，故在其中一顆發(fā)光 二極管發(fā)生故障時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致其余的發(fā)光二極管無(wú)法繼續(xù)提供照明，在使 用上亦不方^f更。由于現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)是采用發(fā)光二極管串聯(lián)的設(shè)計(jì)并無(wú)阻抗元件，因此 其操作電壓僅能操作于發(fā)光二極管其臨界電壓(Vth)的倍數(shù)，不具有操作于
更細(xì)部電壓的功能。尤其是發(fā)光二極管串聯(lián)的設(shè)計(jì)是為單一回路的設(shè)計(jì)，因此僅能操作于單一高壓(Vtb串聯(lián)的發(fā)光二極管數(shù)量N)的環(huán)境下，而不具有 多段臨界電壓操作的特性。由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置在結(jié)構(gòu)與 使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上 述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直 未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述 問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu) 的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨界電壓 的高壓發(fā)光二極管電路，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極 需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置所存在的缺 陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及其專業(yè)知 識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的具阻 抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極 管晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，能夠改 進(jìn)一般現(xiàn)有的發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置，使其更具有實(shí)用性。經(jīng) 過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用 價(jià)值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置 存在的缺陷，而提供一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、次粘著基臺(tái) (Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨界電壓 的高壓發(fā)光二極管電路，又通過并聯(lián)回路與阻抗元件的阻值設(shè)計(jì)，使二極 管可以操作于任一特定的直流或交流電壓環(huán)境中，并且具有多段臨界電壓 啟動(dòng)的特性，藉此可以提升發(fā)光二體電路的使用便利性，從而更加適于實(shí) 用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的 一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第 一基 材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上；以及至少一阻抗元件，形 成于該第 一基材上且電性串聯(lián)于該第 一發(fā)光二極管的 一端。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的阻抗元件是為一二極管元件 或一電阻元件。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基 材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上；至少一第二發(fā)光二極 管，形成于該第一基材上，該第二發(fā)光二極管的極性與該第一發(fā)光二極管相 反，且該第二發(fā)光二極管是與該第一發(fā)光二極管并聯(lián)；以及至少一阻抗元 件，形成于該第一基材上且電性串聯(lián)于該第一發(fā)光二極管或該第二發(fā)光二 極管的一側(cè)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的阻抗元件是為 一二極管元件、 一電阻元件或一容抗元件。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其包 含有 一第二基材，該第二基材上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；至少一發(fā)光二極管 晶片，是形成于第二基材上，其具有 一第一基材；及至少一第一發(fā)光二極 管，形成于該第一基材上且電性連接于該些導(dǎo)線；以及至少一阻抗元件，形 成于該第二基材上，該阻抗元件是電性連接于該些導(dǎo)線且電性串聯(lián)于該第一發(fā)光二極管的一側(cè)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的第二基材是 選自印刷電路板(PCB)、硅基材及陶瓷所組成的群組之一。前述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的陶瓷是選自 氧化鋁(A1203)、氮化鋁(A1N)、氧化鈹(Be0)、低溫共燒陶瓷(Low Te即erature Co-fired Ceramic; LTCC)及高溫共燒陶乾(High temperature Co—fire Ceramic; HTCC)所組成的群組之一。前述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的阻抗元件是 為一二極管元件或 一 電阻元件。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含 有 一第二基材，該第二基材上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；至少一發(fā)光二極管晶 片，形成于第二基材上，其具有 一第一基材；及至少一第一發(fā)光二極管，形 成于該第一基材上且電性連接于該些導(dǎo)線；至少一第二發(fā)光二極管，形成于 該第 一基材或該第二基材上，該第二發(fā)光二極管的極性與該第 一發(fā)光二極 管相反且該第二發(fā)光二極管是與該第一發(fā)光二極管并聯(lián)且電性連接；以及 至少一阻抗元件，形成于該第二基材上，該阻抗元件是電性連接于該些導(dǎo) 線且電性串聯(lián)于該第 一發(fā)光二極管或該第二發(fā)光二極管的 一側(cè)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的第二基材是
選自印刷電路板(PCB)、硅基材及陶瓷所組成的群組之一。前述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的陶瓷是選自氧化鋁(A1A)、氮化鋁(A1N)、氧化鈹(BeO)、低溫共燒陶資及高溫共燒陶瓷所組成的群組之一。前述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中所述的阻抗元件是為一二極管元件、 一電阻元件或一容抗元件。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種二極管發(fā)光裝置，其包括 一座體結(jié)構(gòu)，其具有 一本體，在 該本體內(nèi)形成有一晶片基座；及至少二導(dǎo)線架，每一該導(dǎo)線架是獨(dú)立且互 不電性連結(jié)，又每一該導(dǎo)線架是固設(shè)于該本體上；至少一具阻抗元件的高壓 發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基材，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)；至少一第 一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第一導(dǎo)線電性連接于一 該導(dǎo)線架；及至少一阻抗元件，形成于該第一基材上，其一端電性串聯(lián)于 該第一發(fā)光二極管的另 一端，又該阻抗元件的另 一端是藉由一第二導(dǎo)線電 性連接于另一該導(dǎo)線架； 一取光層，覆蓋于該晶片基座內(nèi)的已完成該些導(dǎo) 線連結(jié)的該高壓發(fā)光二極管晶片上；以及一透鏡，結(jié)合于該本體且覆蓋于 該晶片基座上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶 片更包含有至少一第二發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，該第二發(fā)光二極 管的極性與該第一發(fā)光二極管相反且相互并聯(lián)。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶 片至少包含一紅色、 一藍(lán)色及一綠色的二極管晶片。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶 片是具有至少二種發(fā)光顏色，且覆蓋于該些具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管 晶片上的該取光層進(jìn)一步摻入有一擴(kuò)散粉。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片是為一發(fā)藍(lán)光的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，且覆蓋于該具阻抗 元件的高壓發(fā)光二極管晶片上的該取光層上進(jìn)一步覆蓋有一光波轉(zhuǎn)換層。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的取光層是為一高透光的透明樹脂 或一透明膠體。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的透鏡是為一玻璃或一透明塑膠或 一硅膠的材質(zhì)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種二極管發(fā)光裝置，其包括 一座體結(jié)構(gòu)，其具有 一本體，在 該本體內(nèi)形成有一晶片基座；及至少二導(dǎo)線架，每一該導(dǎo)線架是獨(dú)立且互
不電性連結(jié)，又每一該導(dǎo)線架是固設(shè)于該本體上；至少一次粘著基臺(tái)式的高 壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基材，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)；至少 一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第一導(dǎo)線電性連 接于一該導(dǎo)線架；及至少一阻抗元件，形成于該第二基材上，其一端電性 串聯(lián)于該第一發(fā)光二極管的另 一端，又該阻抗元件的另 一端是藉由一第二 導(dǎo)線電性連接于另一該導(dǎo)線架； 一取光層，覆蓋于該晶片基座內(nèi)的已完成 該些導(dǎo)線連結(jié)的該次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片上；以及一透鏡，結(jié) 合于該本體且覆蓋于該晶片基座上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管 晶片更包含有至少一第二發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，該第二發(fā)光二 極管的極性與該第一發(fā)光二極管相反且相互并聯(lián)。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管 晶片至少包含一紅色、 一藍(lán)色及一綠色的二極管晶片。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管 晶片是具有至少二種發(fā)光顏色，且覆蓋于該次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極 管晶片上的該取光層進(jìn)一步摻入有一擴(kuò)散粉。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管 晶片是為一發(fā)藍(lán)光的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，且覆蓋于該次 粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片上的該取光層上進(jìn)一步覆蓋有一光波轉(zhuǎn) 換層。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的取光層是為一高透光的透明樹脂 或一透明膠體。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的透鏡是為一玻璃或一透明塑膠或 一硅膠的材質(zhì)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種二極管發(fā)光裝置，其包括 一座體結(jié)構(gòu)，其具有 一本體,在 該本體內(nèi)形成有一晶片基座；及至少二導(dǎo)線架，每一該導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不 電性連結(jié)，又每一該導(dǎo)線架是固設(shè)于該本體上；至少一發(fā)光二極管晶片，其 包含有 一第一基材，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)；及至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第一導(dǎo)線電性連接于一該導(dǎo)線架；至少一 阻抗元件，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)，其一端電性串聯(lián)于該第一發(fā)光二極管的 另一端，又該阻抗元件的另一端是藉由一第二導(dǎo)線電性連接于另一該導(dǎo)線 架；一取光層，覆蓋于該晶片基座內(nèi)的已完成該些導(dǎo)線連結(jié)的該發(fā)光二極管 晶片及該阻抗元件上；以及一透鏡,結(jié)合于該本體且覆蓋于該晶片基座上。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的阻抗元件是為一二極管元件或一 電阻元件。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的發(fā)光二極管晶片更包含有至少一 第二發(fā)光二極管，形成于該第一基材上,該第二發(fā)光二極管的極性與該第一 發(fā)光二極管相反且相互并聯(lián)。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光二極管晶片至少包含一紅色、一 藍(lán)色及一綠色的二極管晶片。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的發(fā)光二極管晶片是具有至少二種 發(fā)光顏色，且覆蓋于該發(fā)光二極管晶片上的該取光層進(jìn)一步摻入有一擴(kuò)散 粉。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的發(fā)光二極管晶片是為 一發(fā)藍(lán)光的 發(fā)光二極管晶片，且覆蓋于該發(fā)光二極管晶片上的該取光層上進(jìn)一步覆蓋 有一光波轉(zhuǎn)換層。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的取光層是為一高透光的透明樹脂 或一透明膠體。前述的二極管發(fā)光裝置，其中所述的透鏡是為 一玻璃或一透明塑膠或 一硅膠的材質(zhì)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是操作于一直流電壓源的環(huán)境中，其包括p顆相互串聯(lián)的發(fā)光二極管；以及q顆阻 抗元件，每一該阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于該些發(fā)光二極管；其中，該p的值是為大于或等于二的整數(shù)，該q的值是小于或等于該P(yáng)的值。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其中所述的阻抗元件 是為一二極管元件或 一 電阻元件。前述的具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是為一種具多段臨 界電壓的發(fā)光二極管集成電路。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是操作于 一交流電壓源的環(huán)境中，其包括p顆相互串聯(lián)的第一發(fā)光二極管；q顆第 一阻抗元件，每一該第一阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于一該第一發(fā)光二 極管；m顆相互串聯(lián)的第二發(fā)光二極管是并聯(lián)于p顆相互串聯(lián)的該些笫一發(fā) 光二極管，且該些第二發(fā)光二極管的極性是與該些第一發(fā)光二極管相反；以 及n顆第二阻抗元件，每一該第二阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于一該第 二發(fā)光二極管；其中，該p及該m是為大于或等于二的整數(shù)，該q是小于 或等于該P(yáng)整數(shù)，該n是小于或等于該m的整數(shù)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下4支術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其中所述的第一阻抗 元件是為一二極管元件或一電阻元件或一容抗元件。前述的具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其中所述的第二阻抗 元件是為一二極管元件或一電阻元件或一容抗元件。前述的具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是為一種具多段臨 界電壓的發(fā)光二極管集成電路。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管 晶片，其包括有 一第一基材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于第一基材 上；及至少一阻抗元件，形成于第一基材上且電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管 的一端。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明又提供一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二 極管晶片，其包括有 一第一基材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于第一基 材上；至少一第二發(fā)光二極管，亦形成于第一基材上，第二發(fā)光二極管的極 性與第 一發(fā)光二極管相反且第二發(fā)光二極管是與第 一發(fā)光二極管并聯(lián)；至 少 一 阻抗元件，形成于第 一基材上且電性串聯(lián)于第 一發(fā)光二極管或第二發(fā) 光二極管的一側(cè)。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明再提供一種次粘著基臺(tái)(Submount)式 的高壓發(fā)光二極管晶片，其包括有 一第二基材，第二基材上形成有復(fù)數(shù)條 導(dǎo)線；至少一發(fā)光二極管晶片，形成于第二基材上，其具有 一第一基材;及 至少一第一發(fā)光二極管，形成于第一基材上且電性連接于該些導(dǎo)線；及至 少一阻抗元件，形成于第二基材上，阻抗元件是電性連接于上述的導(dǎo)線且 電性串聯(lián)于第 一發(fā)光二極管的 一側(cè)。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明又再提供一種次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā) 光二極管晶片，其包括有 一第二基材，第二基材上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線；至 少一發(fā)光二極管晶片，是形成于第二基材上，其具有 一第一基材;及至少 一第一發(fā)光二極管，形成于第一基材上且電性連接于該些導(dǎo)線；至少一第 二發(fā)光二極管，形成于第一基材或第二基材上，第二發(fā)光二極管的極性與 第 一發(fā)光二極管相反且第二發(fā)光二極管是與第 一發(fā)光二極管并聯(lián)且電性連 接;及至少一阻抗元件，形成于第二基材上，阻抗元件是電性連接于該些導(dǎo) 線且電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管或第二發(fā)光二極管的一側(cè)。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明又再提供一種二極管發(fā)光裝置，其包 括有 一座體結(jié)構(gòu)、至少一具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、 一取光層 以及一透鏡；其中該座體結(jié)構(gòu)，其具有 一本體，在本體內(nèi)形成有一晶
片基座；至少二導(dǎo)線架，每一導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一導(dǎo)線 架是固設(shè)于本體上。該具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第 一基材，是固設(shè)于晶片基座內(nèi)；至少一第一發(fā)光二極管，是形成于第一基 材上，其一端藉由第一導(dǎo)線電性連接于第一導(dǎo)線架；及至少一具阻抗元件 是形成于第一基材上，其一端電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管的另一端，而阻抗 元件的另一端是藉由第二導(dǎo)線電性連接于另一導(dǎo)線架。該取光層，其是用以覆蓋于晶片基座內(nèi)的已完成導(dǎo)線連結(jié)的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶 片上。透鏡，其是用以結(jié)合于本體且覆蓋于晶片基座上。此外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明又再提供一種二極管發(fā)光裝置，其包 括:一座體結(jié)構(gòu)、至少一次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片、 一取光層以 及一透鏡。該座體結(jié)構(gòu)，其具有 一本體，在本體內(nèi)形成有一晶片基座;及至 少二導(dǎo)線架，每一導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一導(dǎo)線架是固設(shè)于 該本體上。該次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基 沐固設(shè)于晶片基座內(nèi)；至少一第一發(fā)光二極管，形成于第一基材上,其一端 藉由一第一導(dǎo)線電性連接于一導(dǎo)線架；及至少一阻抗元件，形成于第二基 材上，其一端電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管的另一端，又阻抗元件的另一端 是藉由一第二導(dǎo)線電性連接于另一導(dǎo)線架。該取光層，覆蓋于晶片基座內(nèi)的 已完成該些導(dǎo)線連結(jié)的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片上。透鏡，結(jié)合 于本體且覆蓋于晶片基座上。為了達(dá)上述目的，本發(fā)明再次提供一種二極管發(fā)光裝置，其包括一 座體結(jié)構(gòu)、至少一發(fā)光二極管晶片、至少一阻抗元件、 一取光層以及一透 鏡。該座體結(jié)構(gòu)，其具有 一本體，在本體內(nèi)形成有一晶片基座；及至少 二導(dǎo)線架,每一導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一導(dǎo)線架是固設(shè)于該本 體上。該發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基材，固設(shè)于晶片基座內(nèi)；及 至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第一導(dǎo)線電 性連接于一導(dǎo)線架。該阻抗元件，固設(shè)于晶片基座內(nèi)，其一端電性串聯(lián)于 第一發(fā)光二極管的另 一端，又阻抗元件的另 一端是藉由一第二導(dǎo)線電性連 接于另一導(dǎo)線架。該取光層，覆蓋于晶片基座內(nèi)的已完成該些導(dǎo)線連結(jié)的發(fā) 光二極管晶片及阻抗元件上；及透鏡，結(jié)合于本體且覆蓋于晶片基座上。另夕卜，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明又提供一種具多段臨界電壓的發(fā)光二 極管電路，是操作于一直流電壓源的環(huán)境中，其包括有p顆相互串聯(lián)的發(fā) 光二極管；以及q顆阻抗元件，每一阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于該些 發(fā)光二極管，其中p的值是為大于或等于二的整數(shù)，而q的值是小于或等 于P的值。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明又提供一種具多段臨界電壓的發(fā)光二 極管電路，是操作于一交流電壓源的環(huán)境中，其包括有p顆相互串聯(lián)的第
一發(fā)光二極管；q顆第一阻抗元件，每一第一阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián) 于一該第一發(fā)光二極管；m顆相互串聯(lián)的第二發(fā)光二極管是并聯(lián)于p顆相互串聯(lián)的該些第 一發(fā)光二極管，并且該些第二發(fā)光二極管的極性是與該些第 一發(fā)光二極管相反；以及n顆第二阻抗元件，該每一第二阻抗元件是以一 對(duì)一方式并聯(lián)于一該第二發(fā)光二極管，其中p及m是為大于或等于二的整 數(shù)，而q是小于或等于p整數(shù)，而n是小于或等于m的整數(shù)。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、次粘 著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨 界電壓的高壓發(fā)光二極管電路至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及進(jìn)步功效1、本發(fā)明采用阻抗元件的阻值匹配設(shè)計(jì)，使發(fā)光二極管電路可使用的 電源規(guī)格不再局限于特定電壓(Vth)倍數(shù)(即3V、 6V、 9V、 12……等等)，可 以大為提升可應(yīng)用的電壓規(guī)格范圍，非常適于實(shí)用。3、本發(fā)明采用并聯(lián)回路設(shè)計(jì)，當(dāng)發(fā)光二極管電路中的發(fā)光二極管發(fā)生 故障時(shí)，其余未發(fā)生故障的發(fā)光二極管仍然可以維持正常的照明，而可以 大幅提升使用的便利性。3、本發(fā)明采用多段臨界電壓的設(shè)計(jì)，使發(fā)光二極管可依照設(shè)計(jì)的臨界 電壓值啟動(dòng)照明，而可代替以往使用開關(guān)電路進(jìn)行分段控制的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能 夠降低照明產(chǎn)品的制造成本。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電 路及其二極管發(fā)光裝置，尤其是提供了一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管 晶片、次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片、二極管發(fā)光裝置 及具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路。其中，高壓發(fā)光二極管晶片包 含有第一基材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于第一基材上;及至少一阻 抗元件，形成于第一基材上且電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管的一端。高壓發(fā) 光二極管晶片可進(jìn)一步結(jié)合于二極管發(fā)光裝置中。又高壓發(fā)光二極管晶片 可轉(zhuǎn)換形成具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路。本發(fā)明具阻抗元件的 高壓發(fā)光二極管晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極 管電路，又通過并聯(lián)回路與阻抗元件的阻值設(shè)計(jì)，使二極管可以操作于任 一特定的直流或交流電壓環(huán)境中，并且具有多段臨界電壓?jiǎn)?dòng)的特性，藉此 可以提升發(fā)光二體電路的使用便利性。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià) 值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并 產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝 置具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)廣泛利用價(jià)值，誠(chéng) 為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和
其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)i兌明如下。


圖1是本發(fā)明的一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二^f及管晶片的實(shí)施例的結(jié) 構(gòu)剖面示意圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的具阻抗元件的高壓發(fā)光二 極管晶片，其中第一發(fā)光二極管進(jìn)一步串連不同阻抗元件的實(shí)施例的結(jié)構(gòu) 剖面示意圖。圖3是本發(fā)明的一種次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖4是本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖5是本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖6是本發(fā)明的 一種二極管發(fā)光裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖7是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路的實(shí)施例的示意圖。圖8是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路的示意圖。 圖9是本發(fā)明第八實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極管的電壓-電流 特性曲線圖。圖10是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路的實(shí)施例的示 意圖。圖11是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路的實(shí)施例的示 意圖。圖12是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路的實(shí)施例的示 意圖。圖13是本發(fā)明第九實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極管的電壓-電 流特性曲線圖。10第一基材20第一發(fā)光二極管21N型半導(dǎo)體層22歐姆觸點(diǎn)23光放射層24P型半導(dǎo)體層25透明電流擴(kuò)散層26絕緣層27互連金屬導(dǎo)線30阻抗元件31蕭克利二極管32介電層34第一阻抗元件36第二阻抗元件40第二發(fā)光二極管50第二基材51導(dǎo)線52焊錫凸塊
100:具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片200:座體結(jié)構(gòu)210:本體211:晶片基座220:第一導(dǎo)線架221:第一導(dǎo)線230:第二導(dǎo)線架231:第二導(dǎo)線240:取光層250:透鏡300:次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片400:發(fā)光二極管晶片第一臨界電壓V也2:第二臨界電壓V*3:第三臨界電壓tl:第一時(shí)間t2:第二時(shí)間t3:第三時(shí)間I :電流V電壓具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的具多段臨界電壓的高 壓發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)"i兌明力p后。<第 一實(shí)施例一具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片一>請(qǐng)參閱圖1所示，是本發(fā)明的一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片 的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種具阻抗元件的高壓 發(fā)光二極管晶片，是操作于一直流電壓源的環(huán)境中，其包含有 一第一基 材IO、至少一第一發(fā)光二極管20以及至少一阻抗元件30;其中該第一基材IO,其為絕緣與耐熱材質(zhì)所構(gòu)成。該第一發(fā)光二極管20，形成于第一基材10上，其具有N型半導(dǎo)體層 21、歐姆觸點(diǎn)22、光放射層23、 P型半導(dǎo)體層24、透明電流擴(kuò)散層25、絕 緣層26及互連金屬導(dǎo)線27,其中第一發(fā)光二極管20是為一具有多重量子 井二極管(Multi-Quantum Well; MQW)結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，且其進(jìn)一步具有 一電子黑化層(Electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。該阻抗元件30，形成于第一基材10上且電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管 20的一端，其中阻抗元件30為二極管元件，其具有N型半導(dǎo)體層21、歐 姆觸點(diǎn)22、蕭克利二極管31、絕緣層26及互連金屬導(dǎo)線27。但阻抗元件 30亦可以為電阻元件，而二極管元件實(shí)務(wù)上可采用PN 二極管 (semiconductor pn junction)、 蕭克利二極管(Schockley diode)、異質(zhì) 接面二極管(semiconductor heterojunction)、有機(jī)發(fā)光二極管(organic
electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管 (polymer electro-luminescent materials),而電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐姆觸點(diǎn)電 阻(Ohmic contact resistance)或薄膜繞線式電阻。<第二實(shí)施例--具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片二>將第 一 實(shí)施例具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其中的第 一發(fā)光二 極管20進(jìn)一步并聯(lián)極性相反的第二發(fā)光二極管40后，即可操作于一交流電 壓源的環(huán)境中，其包含有 一第一基材10、至少一第一發(fā)光二極管20、至 少一阻抗元件30以及至少一第二發(fā)光二極管40;其中該第一基材IO,其為絕緣與耐熱材質(zhì)所構(gòu)成。該第一發(fā)光二極管20，形成于第一基材10上，其具有N型半導(dǎo)體層 21、歐姆觸點(diǎn)22、光放射層23、 P型半導(dǎo)體層24、透明電流擴(kuò)散層25、絕 緣層26及互連金屬導(dǎo)線27，其中第一發(fā)光二極管20是為一具有多重量子 井二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，且其進(jìn)一步具有一電子黑化層(electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。該第二發(fā)光二極管40，形成于第一基材10上，第二發(fā)光二極管40的 極性與第一發(fā)光二極管20相反，且第二發(fā)光二極管40是與第一發(fā)光二極 管20并聯(lián)。該阻抗元件30，形成于第一基材10上且電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管 20或第二發(fā)光二極管40的一側(cè)，其中阻抗元件30包含有N型半導(dǎo)體層 21、歐姆觸點(diǎn)22、介電層32、絕緣層26及互連金屬導(dǎo)線27。又該阻抗元 件30可以為二極管元件、電阻元件或容抗元件，而二極管元件實(shí)務(wù)上可采 用PN 二才及管(semiconductor pn junction),蕭克利二才及管(Schockley diode)、 異質(zhì)接面二極管(semiconductor heterojunction)、 有機(jī)發(fā)光二 極管(organic electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管 (polymer electro-luminescent materials), 而電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐 姆觸點(diǎn)電阻(ohmic contact resistance)或薄膜繞線式電阻。請(qǐng)參閱圖2所示，是本發(fā)明的第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的具阻抗元件 的高壓發(fā)光二極管晶片，其中第 一發(fā)光二極管進(jìn)一步串連不同阻抗元件的 實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。本發(fā)明的第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的具阻抗元 件的高壓發(fā)光二極管晶片，其藉由串連多數(shù)個(gè)阻抗元件30可以達(dá)到多種不 同操作電壓的特性。且將阻抗元件30與發(fā)光二極管制作成一單體，將可使 得高壓發(fā)光二極管在使用及更換上更為方便。<第三實(shí)施例一次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片一>請(qǐng)參閱圖3所示，是本發(fā)明的一種次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)
光二極管晶片的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。本實(shí)施例的高壓發(fā)光二極管晶片，是操作于一直流電壓源的環(huán)境中，其包含有 一第二基材50、至少一 發(fā)光二極管晶片400以及至少一阻抗元件30其中該第二基材50,在其一表面上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線51，而導(dǎo)線51與互 連金屬導(dǎo)線27之間設(shè)置有焊錫凸塊52，其中第二基材50實(shí)務(wù)上可采用印 刷電路板(PCB)、硅基材及陶瓷，而陶瓷又可區(qū)分為氧化鋁(A1203)、氮化 鋁(A1N)、氧化鈹(BeO)、低溫共燒陶資及高溫共燒陶f(shuō):。該發(fā)光二極管晶片400，是形成于第二基材50上，其具有 一第一基 材10;及至少一第一發(fā)光二極管20,形成于第一基材10上且電性連接于 該些導(dǎo)線51。第一發(fā)光二極管20,形成于第一基材10上，其具有N型半 導(dǎo)體層21、歐姆觸點(diǎn)22、光放射層23、 P型半導(dǎo)體層24、透明電流擴(kuò)散層 25、絕緣層26及互連金屬導(dǎo)線27，其中第一發(fā)光二極管20是為一具有多重量子井二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，且其進(jìn)一步具有一電子黑化層 (Electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。該阻抗元件30，形成于第二基材50上，其是電性連接于導(dǎo)線51且電性 串聯(lián)于第一發(fā)光二極管20的一側(cè)。又阻抗元件30可為一二極管元件，其包 含有N型半導(dǎo)體層21及P型半導(dǎo)體層24。又阻抗元件30亦可以為一電 阻元件。又二極管元件實(shí)務(wù)上可采用PN 二極管(semiconductor pn junction),蕭克利二極管(Schockley diode)、異質(zhì)接面二極管 (semiconductor heterojunction)、 有機(jī)發(fā)光二極管 (organic electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管(polymer electro-luminescent materials),而電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐姆觸點(diǎn)電 阻(Ohmic contact resistance)或薄膜繞線式電阻。<第四實(shí)施例一次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光4管晶片二>將第三實(shí)施例的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其中的第一發(fā) 光二極管20進(jìn)一步并聯(lián)極性相反的第二發(fā)光二極管40后，即可操作于一交 流電壓源的環(huán)境中。本實(shí)施例的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其包 含有 一第二基材50、至少一發(fā)光二極管晶片400、至少一第二發(fā)光二極 管40以及至少一阻抗元件30;其中該第二基材50，在其一表面上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線51，而導(dǎo)線51與互 連金屬導(dǎo)線27之間設(shè)置有焊錫凸塊52,其中第二基材50實(shí)務(wù)上可采用印 刷電路板(PCB)、硅基材及陶瓷所組成的群組之一。而陶瓷又可選自氧化 鋁)、氮化鋁、氧化鈹、低溫共燒陶瓷及高溫共燒陶瓷所組成的群組之一。該發(fā)光二極管晶片400,是形成于第二基材50上，其具有 一第一基 材10;及至少一第一發(fā)光二極管20，形成于第一基材10上且電性連接于
該些導(dǎo)線51。第一發(fā)光二極管20,形成于第一基材10上，其是電性連接 于導(dǎo)線51，其具有N型半導(dǎo)體層21、歐姆觸點(diǎn)22、光放射層23、 P型半 導(dǎo)體層24、透明電流擴(kuò)散層25、絕緣層26及互連金屬導(dǎo)線27，其中第一發(fā) 光二極管20是為一具有多重量子井二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，且其進(jìn)一步 具有一電子黑化層(Electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。該第二發(fā)光二極管40，形成于第一基材10或第二基材50上(如第四實(shí) 施例所示)，第二發(fā)光二極管40的極性與第一發(fā)光二極管20相反，且第二 發(fā)光二極管40是與第一發(fā)光二極管20并聯(lián)且電性連接。第二發(fā)光二極管 40的結(jié)構(gòu)、特性與功效是與第一發(fā)光二極管20相同，故此不再贅述。該阻抗元件30,形成于第二基材50上，其是電性連接于導(dǎo)線51且電 性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管20或第二發(fā)光二極管40的一側(cè)。該阻抗元件30 包含有N型半導(dǎo)體層21、 P型半導(dǎo)體層24、介電層32、絕緣層26及導(dǎo)線 51。又，該阻抗元件30亦可以為二極管元件、電阻元件或容抗元件。二極 管元件實(shí)務(wù)上可采用PN 二極管(semiconductor pn junction)、蕭克利二 極管 (Schockley diode)、 異質(zhì)接面二極管 (semiconductor heterojunction)、 有機(jī)發(fā)光二極管(organic electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管(polymer electro-luminescent materials)。電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐姆觸點(diǎn)電阻(Ohmic contact resistance)或薄膜繞線式電阻?！吹谖鍖?shí)施例一 二極管發(fā)光裝置一〉請(qǐng)參閱圖4所示，是本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置的實(shí)施例結(jié)構(gòu)剖面示 意圖。本實(shí)施例的二極管發(fā)光裝置，是操作于一直流電壓源的環(huán)境中，其包 含有一座體結(jié)構(gòu)200、至少一具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片100、 一 取光層240以及一透鏡250;其中上述的座體結(jié)構(gòu)200，其具有 一本體210、至少二導(dǎo)線架，例如第一導(dǎo) 線架220及第二導(dǎo)線架230。該本體210,在本體210內(nèi)形成有一晶片基座211,而晶片基座211用 以承栽具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片100。該第一導(dǎo)線架220與第二導(dǎo)線架230，其是由金屬材質(zhì)所構(gòu)成，每一導(dǎo) 線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一導(dǎo)線架是固設(shè)于本體210上。上述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片100 (如本發(fā)明第 一 實(shí)施例的 結(jié)構(gòu))，其第一基材10是固設(shè)于晶片基座211內(nèi)，而至少一第一發(fā)光二極管 20是形成于第一基材10上，其一端藉由第一導(dǎo)線221電性連接于第一導(dǎo)線 架220，其中具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片100特別可由紅色、藍(lán)色及 綠色的二極管晶片加以組合，但并不限于三種顏色的二極管晶片。
該阻抗元件30，是形成于第一基材10上，其一端電性串聯(lián)于第一發(fā)光 二極管20的另一端，而阻抗元件30的另一端是藉由第二導(dǎo)線231電性連 接于第二導(dǎo)線架230。上述的取光層240，是為一高透光的透明樹脂或一透明膠體，其是用以 覆蓋于晶片基座211內(nèi)的已完成導(dǎo)線連結(jié)的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管 晶片100上，而取光層240可進(jìn)一步摻入一擴(kuò)散粉；另外，在取光層240上 更可形成光波轉(zhuǎn)換層。上述的透鏡250，是用以結(jié)合于本體210且覆蓋于晶片基座211上，以 使具有阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片100發(fā)光時(shí)產(chǎn)生最佳的光場(chǎng)分布效 果，而透鏡250可以為玻璃、透明塑膠或硅膠的材質(zhì)。另外，上述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片IOO中，更包含有至少 一第二發(fā)光二極管40(如第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu))，形成于第一基材10上，而第 二發(fā)光二極管40的極性與第一發(fā)光二極管20相反且相互并聯(lián)，以操作于 一交流電源環(huán)境中。<第六實(shí)施例一二極管發(fā)光裝置二>請(qǐng)參閱圖5所示，是本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖 面示意圖。本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置，其包含有 一座體結(jié)構(gòu)200、至 少一次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片300、 一取光層240以及一透鏡 250;其中上述的座體結(jié)構(gòu)200，其具有 一本體210、至少二導(dǎo)線架，例如第一導(dǎo) 線架220及第二導(dǎo)線架230。該本體210，是在本體210內(nèi)形成有一晶片基座211，而晶片基座211 用以承栽次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片300。該第一導(dǎo)線架220與第二導(dǎo)線架230，是由金屬材質(zhì)所構(gòu)成，每一導(dǎo)線 架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一導(dǎo)線架是固設(shè)于本體210上。上述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片300 (如本發(fā)明第三實(shí)施例 的結(jié)構(gòu))，其包含有 一第一基材IO、至少一第一發(fā)光二極管20及至少一阻 抗元件30。該第一基材IO,是固設(shè)于晶片基座211內(nèi)，而第一發(fā)光二極管20,形 成于第一基材10上，其一端藉由一第一導(dǎo)線221電性連接于一第一導(dǎo)線架 220，其中次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片300特別可由紅色、藍(lán)色及 綠色的二極管晶片加以組合，但不限于三種顏色的二極管晶片。該阻抗元件30,形成于第二基材50上，其一端電性串聯(lián)于第一發(fā)光二 極管20的另一端，而阻抗元件30的另一端是藉由一第二導(dǎo)線231電性連 接于第二導(dǎo)線架230。
上述的取光層240,是為一高透光的透明樹脂或一透明膠體，其是用以 覆蓋于晶片基座211內(nèi)的已完成導(dǎo)線連結(jié)的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極 管晶片300上，而取光層240可進(jìn)一步摻入一擴(kuò)散粉；另外，在取光層240上更可形成一光波轉(zhuǎn)換層。上述的透鏡250，是用以結(jié)合于本體210且覆蓋于晶片基座211上，以 使次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片300發(fā)光時(shí)產(chǎn)生最佳的光場(chǎng)分布效 果，而透鏡250可以為玻璃、透明塑膠或硅膠的材質(zhì)。另外，上述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片300中更包含至少 一第二發(fā)光二極管40(如第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu))，形成于第一基材10或第二基 材50上，而第二發(fā)光二極管40的極性與第一發(fā)光二極管20相反且相互并 聯(lián)，以操作于一交流電源環(huán)境中。<第七實(shí)施例--二極管發(fā)光裝置三>請(qǐng)參閱圖6所示，是本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖 面示意圖。本發(fā)明的一種二極管發(fā)光裝置，其包含有 一座體結(jié)構(gòu)200、至 少一發(fā)光二極管晶片400、至少一阻抗元件30、 一取光層240以及一透鏡 250;其中上述的座體結(jié)構(gòu)200，其具有 一本體210、至少二導(dǎo)線架例如第一導(dǎo) 線架220及第二導(dǎo)線架230。該本體210，在本體210內(nèi)形成有一晶片基座211，而晶片基座211用 以承載發(fā)光二極管晶片400。該第一導(dǎo)線架220與第二導(dǎo)線架230,其是由金屬材質(zhì)所構(gòu)成，每一導(dǎo) 線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一導(dǎo)線架是固設(shè)于本體210上。上述的發(fā)光二極管晶片400，其包含有第一基材IO，固設(shè)于晶片基座 211內(nèi)；以及至少一第一發(fā)光二極管20，其形成于第一基材10上，其一端 藉由第一導(dǎo)線221電性連接于第一導(dǎo)線架220。該發(fā)光二極管晶片400至少 包含一紅色、 一藍(lán)色及一綠色的二極管晶片?；蛘甙l(fā)光二極管晶片400是 具有至少二種發(fā)光顏色，且覆蓋于該發(fā)光二極管晶片400上的該取光層進(jìn) 一步摻入有一擴(kuò)散粉。或者發(fā)光二極管晶片400是為一發(fā)藍(lán)光的發(fā)光二極 管晶片400,且覆蓋于發(fā)光二極管晶片400上的取光層上進(jìn)一步覆蓋有一光 波轉(zhuǎn)換層。上述的阻抗元件30，固設(shè)于晶片基座211內(nèi)，其一端電性串聯(lián)于第一發(fā) 光二極管20的另一端，又阻抗元件30的另一端是藉由一第二導(dǎo)線231電 性連接于第二導(dǎo)線架230。阻抗元件30是可以為一二極管元件或一電阻元 件。其中二極管元件是為一 PN 二極管(semiconductor pn junction)、 一 蕭克利二極管(Schockley diode)、 一異質(zhì)接面二極管(semiconductor
heterojunction)、 一有機(jī)發(fā)光二極管(organic electro-luminescent materials)或 一 高分子發(fā)光二極管(polymer electro-luminescent materials)。又電阻元件是為可以為 一歐姆觸點(diǎn)電阻(Ohmic contact resistance)或一薄膜繞線式電阻。上述的取光層240,是為一高透光的透明樹脂或一透明膠體，其是用以 覆蓋于晶片基座211內(nèi)的已完成導(dǎo)線連結(jié)的發(fā)光二極管晶片400上，而取 光層240可進(jìn)一步摻入一擴(kuò)散粉。另外，在取光層240上更可形成光波轉(zhuǎn)換 層。上述的透鏡250,是用以結(jié)合于本體210且覆蓋于晶片基座211上，以 使發(fā)光二極管晶片400發(fā)光時(shí)產(chǎn)生最佳的光場(chǎng)分布效果，而透鏡250可以 為玻璃、透明塑膠或硅膠的材質(zhì)。另外，上述的發(fā)光二極管晶片400其更包含有至少一第二發(fā)光二極管 40,形成于第一基材10上，第二發(fā)光二極管40的極性與第一發(fā)光二極管20 相反且相互并聯(lián)，以操作于一交流電源環(huán)境中。〈第八實(shí)施例一具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路一>請(qǐng)參閱圖7所示，是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路 的實(shí)施例的示意圖。本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路，是操 作于一直流電壓源的環(huán)境中，其包含有p顆相互串聯(lián)的第一發(fā)光二極管 20與q顆阻抗元件30;其中該p顆相互串聯(lián)的第一發(fā)光二極管20，是為一具有多重量子井二極管 結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，且其進(jìn)一步具有一電子黑化層(Electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。又具有多重量子井二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管進(jìn)一步具有一電 子黑化層(Electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。該q顆阻抗元件30,每一個(gè)阻抗元件30是以一對(duì)一方式并聯(lián)于該些第 一發(fā)光二極管20，其中阻抗元件30可以為二極管元件或電阻元件，而二極 管元件實(shí)務(wù)上可采用PN 二極管(semiconductor pn junction)、蕭克利二 極管 (Schockley diode)、 異質(zhì)接面二極管 (semiconductor heterojunction)、 有機(jī)發(fā)光二極管(organic electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管(polymer electro-luminescent materials),而電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐姆觸點(diǎn)電阻(Ohmic contact res i s tance)或薄膜繞線式電阻。請(qǐng)結(jié)合參閱圖8所示，是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管 電路的示意圖。其中p的值是為大于或等于二的整數(shù)，而q的值是小于p的 值(如圖8所示)或等于p的值(如圖7所示)。又本實(shí)施例的具多段臨界電 壓的高壓發(fā)光二極管電路，其可以制作為一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極
管集成電路。請(qǐng)參閱圖9所示，是本發(fā)明第八實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極 管的電壓-電流特性曲線圖。本實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極管的電 壓-電流特性曲線圖，在圖9中是以3個(gè)發(fā)光二極管為例(即p-3，q-2)，其中 第一臨界電壓(V*i)小于第二臨界電壓(V*2),而第二臨界電壓(V*2)小于第 三臨界電壓(Vt")。當(dāng)電壓到達(dá)第一臨界電壓(Vthi)時(shí)，則第一發(fā)光二極管 啟動(dòng)，當(dāng)電壓到達(dá)第一臨界電壓(V'hi)時(shí)，則第一發(fā)光二極管啟動(dòng)，當(dāng)電壓 到達(dá)第二臨界電壓(Vth2)時(shí)，則第一及第二發(fā)光二極管均會(huì)啟動(dòng)，當(dāng)電壓到 達(dá)第三臨界電壓(Vth3)時(shí)，則第一、第二及第三發(fā)光二極管均會(huì)啟動(dòng)。通過 阻抗元件的阻值匹配設(shè)計(jì)可使發(fā)光二極管電路具有多段臨界電壓的啟動(dòng)特 性，如此無(wú)需使用額外的開關(guān)電路進(jìn)行控制，即可達(dá)到分段啟動(dòng)發(fā)光二極管 照明的效果，更可以進(jìn)一步達(dá)到降低制造成本的目的。<第九實(shí)施例一具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路二>請(qǐng)參閱圖IO所示，是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路 的實(shí)施例的示意圖。本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路，是操 作于一交流電壓源的環(huán)境中，其包含有p顆相互串聯(lián)的第一發(fā)光二極管 20、 q顆第一阻抗元件34、 m顆相互串聯(lián)的第二發(fā)光二極管40及n顆第二 阻抗元件36;其中該p顆相互串聯(lián)的第一發(fā)光二極管20,是為一具有多重量子井二極管結(jié) 構(gòu)的發(fā)光二極管，且其進(jìn)一步具有一電子黑化層(Electron blacking layer)結(jié)構(gòu)。該q顆第一阻抗元件34，每一第一阻抗元件34是以一對(duì)一方式并聯(lián)于 一第一發(fā)光二極管20,其中第一阻抗元件34為二極管元件、電阻元件或容 抗元件，而二才及管元件實(shí)務(wù)上可采用PN 二極管(semiconductor pn junction)、蕭克利二極管(Schockley diode)、異質(zhì)接面二極管 (semiconductor heterojunction)、 有機(jī)發(fā)光二極管 (organic electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管(polymer electro-luminescent materials),而電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐姆觸點(diǎn)電 阻(Ohmic contact resistance)或薄膜繞線式電阻。該m顆相互串聯(lián)的第二發(fā)光二極管40，是并聯(lián)于p顆相互串聯(lián)的第一發(fā) 光二極管20，且第二發(fā)光二極管40的極性是與第一發(fā)光二極管20相反。第 二發(fā)光二極管40的結(jié)構(gòu)、特性與功效是與第一發(fā)光二極管20相同，故此不 再資述。該n顆第二阻抗元件36,每一第二阻抗元件36是以一對(duì)一方式并聯(lián)于 一該些第二發(fā)光二極管40,其中第二阻抗元件36為二極管元件、電阻元件或容抗元件，而二4及管元^f牛實(shí)務(wù)上可采用PN 二極管(semiconductor pn junction)、蕭克利二極管(Schockley diode)、異質(zhì)接面二極管 (semiconductor heterojunction)、 有機(jī)發(fā)光二極管 (organic electro-luminescent materials)或高分子發(fā)光二極管(polymer electro-luminescent materials),而電阻元件實(shí)務(wù)上可采用歐姆觸點(diǎn)電 阻(Ohmic contact resistance)或薄膜繞線式電阻。請(qǐng)?jiān)俳Y(jié)合參閱圖11、圖12所示，是本發(fā)明的一種具多段臨界電壓的發(fā) 光二極管電路的實(shí)施例的示意圖。其中p值及m值是為大于或等于二的整 數(shù)，而q值是為小于p的整數(shù)(如圖ll所示)，或等于p的整數(shù)(如圖10所 示)，而n值是小于(如圖11所示)或等于m的整數(shù)(如圖12所示)。又本實(shí)施例的具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是為一種具多段臨界電 壓的發(fā)光二極管集成電路。請(qǐng)參閱圖13所示，是本發(fā)明第九實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極 管的電壓-電流特性曲線圖。本實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極管的電 壓-電流特性曲線圖，而在圖13中是以正半周交流電源舉例說(shuō)明，其中第 一臨界電壓(V*i)小于第二臨界電壓(V*2),而第二臨界電壓(V*2)小于第三 臨界電壓(V也3),其分別對(duì)應(yīng)三個(gè)時(shí)間點(diǎn)(第一時(shí)間tl，第二時(shí)間t2、第三 時(shí)間t3)。本發(fā)明實(shí)施例的具多段臨界電壓的發(fā)光二極管電路亦可制作成集 成電路。藉由這種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝 置，使發(fā)光二極管電路具有多段臨界電壓的啟動(dòng)特性，如此無(wú)需使用額外的 開關(guān)電路進(jìn)行控制，即可達(dá)到分段啟動(dòng)發(fā)光二極管照明的效果，更可以進(jìn) 一步達(dá)到降低制造成本的目的，且采用阻值匹配與并聯(lián)設(shè)計(jì)的方式除了使 發(fā)光二極管電路可應(yīng)用的電壓規(guī)格更為廣泛之外，在部分發(fā)光二極管發(fā)生 故障時(shí)，仍可繼續(xù)維持正常照明，在使用上亦較為便利。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所 作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其特征在于其包含有一第一基材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上；以及至少一阻抗元件，形成于該第一基材上且電性串聯(lián)于該第一發(fā)光二極管的一端。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其特征 在于其中所述的阻抗元件是為一二極管元件或一 電阻元件。
3、 一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其特征在于其包含有 一第一基材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上； 至少一第二發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，該第二發(fā)光二極管的極性與該第 一發(fā)光二極管相反且該第二發(fā)光二極管是與該第 一發(fā)光二極管并聯(lián)；以及至少一阻抗元件，形成于該第一基材上且電性串聯(lián)于該第一發(fā)光二極 管或該第二發(fā)光二極管的 一側(cè)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其特征 在于其中所述的阻抗元件是為一二極管元件、 一電阻元件或一容抗元件。
5、 一種次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特征在于 其包含有一第二基材，該第二基材上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線； 至少 一發(fā)光二極管晶片，是形成于第二基材上，其具有 一第一基材；及至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上且電性連接于該些 導(dǎo)線；以及至少一阻抗元件，形成于該第二基材上，該阻抗元件是電性連接于該些 導(dǎo)線且電性串聯(lián)于該第 一發(fā)光二極管的 一側(cè)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特 征在于其中所述的第二基材是選自印刷電路板(PCB)、硅基材及陶瓷所組成 的群組之一。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特 征在于其中所述的陶資是選自氧化鋁(Al203)、氮化鋁(A1N)、氧化鈹(BeO)、 低溫共燒陶瓷(LTCC)及高溫共燒陶瓷(HTCC)所組成的群組之一。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特 征在于其中所述的阻抗元件是為一二極管元件或一電阻元件。
9、 一種次粘著基臺(tái)(Submount)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特征在于 其包含有一第二基材，該第二基材上形成有復(fù)數(shù)條導(dǎo)線； 至少一發(fā)光二極管晶片，是形成于第二基材上，其具有 一第一基材；及至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上且電性連接于該些導(dǎo)線；至少一第二發(fā)光二極管，形成于該第一基材或該第二基材上，該第二發(fā) 光二極管的極性與該第 一發(fā)光二極管相反且該第二發(fā)光二極管是與該第一 發(fā)光二極管并聯(lián)且電性連接；以及至少一阻抗元件，形成于該第二基材上，該阻抗元件是電性連接于該 些導(dǎo)線且電性串聯(lián)于該第一發(fā)光二極管或該第二發(fā)光二極管的一側(cè)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特 征在于其中所述的第二基材是選自印刷電路板(PCB)、硅基材及陶資所組成 的群組之一。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其 特征在于其中所述的陶瓷是選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹、低溫共燒陶瓷 及高溫共燒陶瓷所組成的群組之一。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其特 征在于其中所述的阻抗元件是為一二極管元件、 一電阻元件或一容抗元件。
13、 一種二極管發(fā)光裝置，其特征在于其包括 一座體結(jié)構(gòu)，其具有一本體，在該本體內(nèi)形成有一晶片基座；及 至少二導(dǎo)線架，每一該導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一該導(dǎo) 線架是固設(shè)于該本體上；至少一具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基材，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)；至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第一 導(dǎo)線電性連接于一該導(dǎo)線架；及至少一阻抗元件，形成于該第一基材上，其一端電性串聯(lián)于該第 一發(fā)光二極管的另一端，又該阻抗元件的另一端是藉由一第二導(dǎo)線電性連 接于另一該導(dǎo)線架；一取光層，覆蓋于該晶片基座內(nèi)的已完成該些導(dǎo)線連結(jié)的該高壓發(fā)光 二極管晶片上；以及一透鏡，結(jié)合于該本體且覆蓋于該晶片基座上。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片更包含有至少 一第二發(fā)光二極管，形成 于該第 一基材上，該第二發(fā)光二極管的極性與該第 一發(fā)光二極管相反且相 互并聯(lián)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片至少包含一紅色、 一藍(lán)色及一綠色的二 極管晶片。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片是具有至少二種發(fā)光顏色，且覆蓋于該 些具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片上的該取光層進(jìn)一步摻入有一擴(kuò)散粉。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片是為一發(fā)藍(lán)光的具阻抗元件的高壓發(fā)光 二極管晶片，且覆蓋于該具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片上的該取光層 上進(jìn)一步覆蓋有一光波轉(zhuǎn)換層。
18、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的二極管發(fā)光裝置,其特征在于其中所述的 取光層是為一高透光的透明樹脂或一透明膠體。
19、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 透鏡是為一玻璃或一透明塑膠或一硅膠的材質(zhì)。
20、 一種二極管發(fā)光裝置，其特征在于其包括 一座體結(jié)構(gòu)，其具有一本體，在該本體內(nèi)形成有一晶片基座；及 至少二導(dǎo)線架，每一該導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一該導(dǎo) 線架是固設(shè)于該本體上；至少一次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基材，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)；至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第 一導(dǎo)線電性連接于一該導(dǎo)線架；及至少一阻抗元件，形成于該第二基材上，其一端電性串聯(lián)于該第 一發(fā)光二極管的另一端，又該阻抗元件的另一端是藉由一第二導(dǎo)線電性連 接于另一該導(dǎo)線架；一取光層，覆蓋于該晶片基座內(nèi)的已完成該些導(dǎo)線連結(jié)的該次粘著基 臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片上；以及一透鏡，結(jié)合于該本體且覆蓋于該晶片基座上。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片更包含有至少一第二發(fā)光二極管，形 成于該第 一基材上，該第二發(fā)光二極管的極性與該第 一發(fā)光二極管相反且相互并聯(lián)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片至少包含一紅色、 一藍(lán)色及一綠色的 二極管晶片。
23、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片是具有至少二種發(fā)光顏色，且覆蓋于 該次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片上的該取光層進(jìn)一步摻入有一擴(kuò)散粉。
24、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片是為 一發(fā)藍(lán)光的次粘著基臺(tái)式的高壓 發(fā)光二極管晶片，且覆蓋于該次粘著基臺(tái)式的高壓發(fā)光二極管晶片上的該 取光層上進(jìn)一步覆蓋有一光波轉(zhuǎn)換層。
25、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 取光層是為一高透光的透明樹脂或一透明膠體。
26、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 透鏡是為一玻璃或一透明塑膠或一硅膠的材質(zhì)。
27、 一種二極管發(fā)光裝置，其特征在于其包括 一座體結(jié)構(gòu)，其具有一本體，在該本體內(nèi)形成有一晶片基座；及至少二導(dǎo)線架，每一該導(dǎo)線架是獨(dú)立且互不電性連結(jié)，又每一該導(dǎo)線架是固設(shè)于該本體上；至少 一發(fā)光二極管晶片，其包含有 一第一基材，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)；及至少一第一發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，其一端藉由一第一導(dǎo)線 電性連接于一該導(dǎo)線架；至少一阻抗元件，固設(shè)于該晶片基座內(nèi)，其一端電性串聯(lián)于該第一發(fā) 光二極管的另 一端，又該阻抗元件的另 一端是藉由一第二導(dǎo)線電性連接于 另一該導(dǎo)線架；一取光層，覆蓋于該晶片基座內(nèi)的已完成該些導(dǎo)線連結(jié)的該發(fā)光二極 管晶片及該阻抗元件上；以及一透鏡，結(jié)合于該本體且覆蓋于該晶片基座上。
28、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 阻抗元件是為一二極管元件或一電阻元件。
29、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的發(fā)光二極管晶片更包含有至少一第二發(fā)光二極管，形成于該第一基材上，該 第二發(fā)光二極管的極性與該第一發(fā)光二極管相反且相互并聯(lián)。
30、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 發(fā)光二極管晶片至少包含一紅色、 一藍(lán)色及一綠色的二極管晶片。
31、 根據(jù)權(quán)利要求43所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 發(fā)光二極管晶片是具有至少二種發(fā)光顏色，且覆蓋于該發(fā)光二極管晶片上 的該取光層進(jìn)一步摻入有一擴(kuò)散粉。
32、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 發(fā)光二極管晶片是為 一發(fā)藍(lán)光的發(fā)光二極管晶片，且覆蓋于該發(fā)光二極管 晶片上的該取光層上進(jìn)一步覆蓋有一光波轉(zhuǎn)換層。
33、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 取光層是為一高透光的透明樹脂或一透明膠體。
34、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的二極管發(fā)光裝置，其特征在于其中所述的 透鏡是為 一玻璃或 一透明塑膠或 一硅膠的材質(zhì)。
35、 一種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是操作于一直流電 壓源的環(huán)境中，其特征在于其包括p顆相互串聯(lián)的發(fā)光二極管；以及q顆阻抗元件，每一該阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于該些發(fā)光二極管；其中，該p的值是為大于或等于二的整數(shù)，該q的值是小于或等于該p 的值。
36、 根據(jù)權(quán)利要求35所述具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其 特征在于其中所述的阻抗元件是為一二極管元件或 一 電阻元件。
37、 根據(jù)權(quán)利要求35所述具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路,其 特征在于其是為一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管集成電路。
38、 一種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其是操作于一交流電 壓源的環(huán)境中，其特征在于其包括p顆相互串聯(lián)的第 一發(fā)光二極管；q顆第一阻抗元件，每一該第一阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于一該第 一發(fā)光二極管；m顆相互串聯(lián)的第二發(fā)光二極管是并聯(lián)于p顆相互串聯(lián)的該些第 一發(fā)光 二極管，且該些第二發(fā)光二極管的極性是與該些第一發(fā)光二極管相反；以及n顆第二阻抗元件，每一該第二阻抗元件是以一對(duì)一方式并聯(lián)于一該第 二發(fā)光二極管；其中，該p及該m是為大于或等于二的整數(shù)，該q是小于或等于該p整 數(shù),該n是小于或等于該m的整數(shù)。
39、 根據(jù)權(quán)利要求38所述具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其 特征在于其中所述的第一阻抗元件是為一二極管元件或一電阻元件或一容 抗元件。
40、 根據(jù)權(quán)利要求38所述具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路,其 特征在于其中所述的第二阻抗元件是為一二極管元件或一電阻元件或一容抗元件。
41、 根據(jù)權(quán)利要求38所述具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路，其 特征在于其是為一種具多段臨界電壓的發(fā)光二極管集成電路。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路及其二極管發(fā)光裝置，尤其是一種具阻抗元件的高壓發(fā)光二極管晶片、二極管發(fā)光裝置及具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路。其中高壓發(fā)光二極管晶片包含有第一基材；至少一第一發(fā)光二極管，形成于第一基材上；及至少一阻抗元件，形成于第一基材上且電性串聯(lián)于第一發(fā)光二極管的一端。高壓發(fā)光二極管晶片可進(jìn)一步結(jié)合于二極管發(fā)光裝置中。又高壓發(fā)光二極管晶片可轉(zhuǎn)換形成具多段臨界電壓的高壓發(fā)光二極管電路。
文檔編號(hào)H01L23/495GK101118920SQ20061009918
公開日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日
發(fā)明者陳明鴻 申請(qǐng)人:海立爾股份有限公司