專利名稱：：焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明為一半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，尤指焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)及該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
：目前半導(dǎo)體芯片具有輸入/輸出的接腳(pads)，該接腳必須連接至外部的電路，以使實現(xiàn)電子系統(tǒng)的一部分功能。該連接的媒介主要是以金屬導(dǎo)線陣列(如一個導(dǎo)線架)或為一輔助電路(supportcircuit)如基板(substrate)，雖然該連接的媒介可直接連接至電路操作面板(如主機板)。目前有很多連接技術(shù)被廣泛地使用，包括有打線接合(wirebonding)、卷帶自動接合(tapeautomatedbonding，TAB)及覆晶接合(flip-chipbonding)等技術(shù)。在下一層組合期間，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)是連續(xù)被連接至其它電路如印刷電路板(PCB)或主機板。不同的半導(dǎo)體芯片封裝在下一層組合被采用不同的方式。例如，球格式陣列構(gòu)裝(ballgridarray，BGA)，包含一錫球陣列，而平面柵格陣列構(gòu)裝(landgridarray，LGA)包含一金屬接腳陣列，該金屬接腳陣列接收在印刷電路板上錫的痕跡。球格式陣列構(gòu)裝主要有錫球熔化在鎳端的金屬元素表面，因此錫球為下一層組合的接觸端。當錫球與該金屬元素表面分離時，該球格式陣列構(gòu)裝變成無法接觸或無效。傳統(tǒng)的錫球接觸技術(shù)，其目的在于允許錫球容易熔合于金屬元素表面。例如，連續(xù)電鍍鎳和金的薄層于金屬元素表面的一個平滑及偏平的表面，允許錫球可以簡易的溶合在金屬元素表面，但是不能避免錫球分離的問題。傳統(tǒng)的錫球接觸技術(shù)，也熔合在接觸絕緣體上，例如BT樹脂(三氮雜苯雙馬來聚亞酰胺，Bismaleimidetriazineepoxy)對錫球，雖增強該錫球的機械接觸。然而，該錫球容易被該樹脂分離，與前述的金屬元素表面存在相同的問題。在目前有效的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)具有不同的限制及發(fā)展階段，故亟待在半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)上發(fā)展更具有經(jīng)濟性、可信賴性、可制作性、多樣性，及提供具優(yōu)越的機械及電子特性的焊接端，且利用連接接合的技術(shù)，使之可適用于已知應(yīng)用范圍的優(yōu)點。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，提供一焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，并提供一低成本、高經(jīng)濟性及高可靠度的構(gòu)裝。本發(fā)明的另一目的在于，提供一方便性及經(jīng)濟性的制造半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的方法?？偠灾?，本發(fā)明提供一半導(dǎo)體芯片，包括一具導(dǎo)電接腳的半導(dǎo)體芯片、一具繞線、金屬壁及焊接端的導(dǎo)電跡線及一可使該繞線及導(dǎo)電接腳間具有電連接的連接部。該金屬壁包含一孔洞，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸并與該繞線隔離。本發(fā)明還提供一制造該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括一金屬基板、一繞線、一金屬壁及一焊接層，其中，該金屬壁具有一孔洞，使該焊接端與孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并使該半導(dǎo)體芯片連接至該路線，且形成一可使該繞線與導(dǎo)電接腳間具有電連接的連接部，接著，蝕刻該金屬基板減少該金屬基板與繞線及金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，以及提供一具焊接層的焊接端。依據(jù)本發(fā)明的內(nèi)容，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)具有與一橫向方向正交的第一垂直方向及相對的第二垂直方向，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)包括具相對應(yīng)的第一平面及第二平面的半導(dǎo)體芯片，其中該半導(dǎo)體芯片的第一平面包含一導(dǎo)電接腳，一導(dǎo)電跡線包含繞線、金屬壁及焊接端，其中該繞線在該金屬壁及焊接端間橫向延伸，該金屬壁包含一孔洞，并具有一固定厚度，該金屬壁為該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中唯一的導(dǎo)電體并與該焊接端接觸，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，一連接部可使該繞線及導(dǎo)電接腳間具有電連接，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，一絕緣基板與該繞線及金屬壁接觸。該半導(dǎo)體芯片被嵌入該密封劑內(nèi)，該金屬壁被嵌入于該絕緣基板內(nèi)，并從該焊接端的第一方向垂直延伸及從繞線的第二方向垂直延伸，該孔洞延伸至該絕緣基板內(nèi)，該焊接端延伸至絕緣基板內(nèi)但不被該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的其它材料覆蓋于該焊接端的第二方向上，整體的焊接端延伸至該絕緣基板內(nèi)是在該孔洞的表面區(qū)域內(nèi)，并不被該金屬壁覆蓋于該焊接端的第一方向。該半導(dǎo)體芯片為單一芯片被嵌入于該密封劑內(nèi)，或者為多芯片被嵌入于該密封劑內(nèi)。該半導(dǎo)體芯片的第一平面面對第一方向及該半導(dǎo)體芯片的第二平面面對第二方向，或者為該半導(dǎo)體芯片的第一平面面對第二方向及該半導(dǎo)體芯片的第二平面面對第一方向。該半導(dǎo)體芯片從該繞線、金屬壁、焊接端及絕緣基板往第一方向垂直延伸。該半導(dǎo)體芯片也從該導(dǎo)電跡線往第一方向垂直延伸。另外，任何半導(dǎo)體芯片被嵌入該密封劑內(nèi)為從該導(dǎo)電跡線往第一方向垂直延伸。該繞線為從該金屬壁及焊接端橫向延伸，并面向該半導(dǎo)體芯片。該繞線為從該金屬壁及焊接端往第一方向垂直延伸及從該半導(dǎo)體芯片往第二方向垂直延伸。該繞線向該半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)外延伸，或被置于該半導(dǎo)體芯片邊緣外。該繞線亦為平坦并與該半導(dǎo)體芯片的第二平面平行。該繞線與該金屬壁接觸，但不與該金屬壁整合為一體，或者該繞線與該金屬壁隔離。而且該繞線是在該金屬壁與任何被嵌入于密封劑的半導(dǎo)體芯片間，及該焊接端與任何被嵌入于密封劑的半導(dǎo)體芯片間具有一具電力的導(dǎo)電路徑。任何被嵌入于密封劑的半導(dǎo)體芯片與該金屬壁及焊接端間通過包含繞線的具電力的導(dǎo)電路徑而具有電連接。該金屬壁被嵌入該絕緣基板內(nèi)。該金屬壁從該焊接端往第一方向垂直延伸，并能從該半導(dǎo)體芯片、繞線、連接部及密封劑往第二方向垂直延伸，且能被置于該半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)或其邊緣外。該金屬壁為該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中唯一的導(dǎo)電體并與該焊接端接觸，且橫向于延伸至該絕緣基板的整體焊接端外圍旋轉(zhuǎn)360度。該金屬壁具有一碗形，在其垂直平面上具有一U字形并平行于第一方向及第二方向，其橫向平面為一圓形、一矩形或一正方形并與第一方向及第二方向正交，且于該孔洞的開口處。該金屬壁的厚度同時地比繞線的厚度薄，并為單一金屬如鎳，且包括一具連續(xù)單一表面用來定義該孔洞。該金屬壁只與該繞線、焊接端及絕緣基板接觸，或者只與一金屬柱、該焊接端及絕緣基板接觸。該孔洞延伸經(jīng)過該金屬壁大部分的高度與直徑，并能被該金屬壁覆蓋于第一方向及橫向方向上，且包括一面向第二方向的開口，該孔洞為一凹形。該焊接端于該孔洞內(nèi)部及外部延伸，或者能被置于該孔洞內(nèi)。該焊接端為從該半導(dǎo)體芯片、繞線、連接部及密封劑往第二方向垂直延伸，并被置于該半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)或邊緣外。例如該焊接端于該孔洞內(nèi)部及外部延伸，并從該金屬壁及絕緣基板往第二方向垂直延伸，且被金屬壁覆蓋于第二方向。該焊接端填滿該孔洞。另外，該焊接端延伸至該絕緣基內(nèi)的部分是在該孔洞內(nèi)，并只與該金屬壁接觸，且被金屬限制于第一方向及橫向方向向內(nèi)。而且介于該焊接端與金屬壁間所有的接觸是在該孔洞內(nèi)。該連接部是在該繞線及導(dǎo)電接腳之間延伸并使該繞線及導(dǎo)電接腳之間具有電連接。該連接部為電鍍金屬、無電電鍍金屬、錫料、導(dǎo)電黏著劑或焊線。該密封劑覆蓋該半導(dǎo)體芯片、繞線、金屬壁、焊接端、連接部及絕緣基板于第一方向上，并能與該金屬壁及焊接端隔離。該絕緣基板能從該金屬壁及焊接端往第一方向垂直延伸，從該半導(dǎo)體芯片、繞線、連接部及密封劑往第二方向垂直延伸，并覆蓋于該半導(dǎo)體芯片于第二方向上，且能與該焊接端隔離。該絕緣基板能橫向于該金屬壁外圍旋轉(zhuǎn)360度。而且該絕緣基板能與該金屬壁橫向排列于一朝向第二方向的平面，該焊接端被置于該孔洞內(nèi)，并橫向排列于該朝向第二方向的平面，或者該焊接端于孔洞內(nèi)部及外部延伸，并從該朝向第二方向的平面往第二方向垂直延伸。該導(dǎo)電跡線包含一金屬柱，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間具有電連接，但不與該繞線及金屬壁整合為一體，且使該繞線與該金屬壁隔離，并從該金屬柱橫向延伸。該金屬柱為從金屬壁及焊接端往第一方向垂直延伸，從該半導(dǎo)體芯片、繞線、連接部及密封劑往第二方向垂直延伸，并能被置于該半導(dǎo)體芯片的邊緣內(nèi)或邊緣外。該金屬柱被繞線覆蓋于第一方向及被該金屬壁及焊接端覆蓋于第二方向。該金屬柱的厚度同時地比繞線的厚度較厚，并為一單一金屬如銅。該金屬柱為一圓錐形，其直徑大小為當該金屬壁往第二方向延伸時同時持續(xù)縮減。而且該金屬柱包含一朝向第一方向的第一平面及一朝向第二方向的第二平面，該金屬壁的第二平面的表面積小于該金屬壁的第一平面的表面積，該金屬壁的第一平面的表面積至少比該金屬壁的第二平面的表面積大20％。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)包含與半導(dǎo)體芯片與密封劑接觸的絕緣基板，該絕緣基板從該半導(dǎo)體芯片往第二方向垂直延伸。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)包含于該導(dǎo)電接腳與焊接端間的具電力的導(dǎo)電路徑，該導(dǎo)電路徑需要繞線、金屬壁及連接部。而且該繞線于該導(dǎo)電接腳與焊接端間提供水平繞線，但不提供垂直繞線，該金屬壁是在該焊接端與其它導(dǎo)電體間不提供繞線。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次構(gòu)裝，為單芯片或多芯片構(gòu)裝。根據(jù)本發(fā)明其它方面來看，一種制造半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的方法包括(1)提供一金屬基板、一繞線、一金屬壁及一焊接層，其中該金屬基板包含第一平面及相對的第二平面，該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，該金屬壁延伸至金屬基板內(nèi)，從該金屬基板的第二平面朝該金屬基板的第一平面延伸，并包括一孔洞，該孔洞從該金屬基板的第二平面朝該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并包括一朝向第二方向的開口，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，(2)機械地連接該半導(dǎo)體芯片至該繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳，(3)接著形成一使該繞線與導(dǎo)電接腳間具有電連接的連接部，(4)利用一種濕式化學(xué)蝕刻方式對該金屬基板進行蝕刻，因此減少該金屬基板與該繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，以及(5)提供一焊接端，該焊接端在該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸并包含該焊接層。該方法包含形成繞線通過沉積該繞線于金屬基板上而形成。例如該方法包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，該電鍍屏蔽包含一開口使該金屬基板有部分暴露，然后穿過該電鍍屏蔽上的開口將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分。該方法包含形成金屬壁是通過沉積該金屬壁于金屬基板上而形成。例如該方法包括形成一電鍍屏蔽于金屬基板上，該電鍍屏蔽具有一開口使該金屬基板有部分暴露，然后穿過該電鍍屏蔽上的開口將該金屬壁電鍍于該金屬基板暴露的部分。該方法包含形成該金屬壁是通過蝕刻該金屬基板形成一導(dǎo)通孔，從該金屬基板的第二平面朝該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，然后使該金屬壁沉積并進入該導(dǎo)通孔。例如該導(dǎo)通孔為一穿孔，穿過該金屬基板，并使該繞線暴露，該金屬壁穿過該金屬基板，與該繞線接觸，并利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，且能消除該金屬基板與繞線間、該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間。或者該導(dǎo)通孔具有一凹口，該凹口延伸至該金屬基板內(nèi)但不穿透，并與該金屬基板的第一平面及繞線隔離，該金屬壁延伸至該金屬基板內(nèi)但不穿透并與該金屬基板的第一平面及繞線隔離，蝕刻該金屬基板利用濕式化學(xué)蝕刻，并從該金屬基板未蝕刻的部分形成一金屬柱，該金屬基板未蝕刻的部分由金屬壁來定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸。該方法包含形成焊接層是通過沉積該焊接層于該金屬壁上而形成。同樣地，形成該焊接層使該焊接層只與該金屬壁接觸。該形成焊接端的方法是通過形成該焊接層，或者形成該焊接層然后形成焊接端。例如形成該焊接端包括沉積錫膏于金屬壁，然后使該錫膏回流形成該焊接層及焊接端，或者沉積該錫膏于金屬壁，然后使該錫膏回流形成該焊接層，接著沉積一焊錫材料于焊接層上，而使該焊錫材料及該焊接層回流形成該焊接端。該方法包含形成金屬壁及焊接層是通過蝕刻該金屬基板形成該導(dǎo)通孔，然后沉積該金屬壁于該金屬基板上并于該導(dǎo)通孔內(nèi)，接著沉積該焊接層于該金屬壁上。例如按順序地形成該金屬壁及焊接層包括先蝕刻該金屬基板形成該導(dǎo)通孔，將該金屬壁鍍于該金屬基板的暴露部分并于該導(dǎo)通孔內(nèi)，接著使錫膏沉積于該金屬壁上，然后使該錫膏回流形成該焊接層。而且，按順序地形成該導(dǎo)通孔及金屬壁包含形成一具開口的屏蔽于該金屬基板上，使該金屬基板有部分暴露，接著穿過該屏蔽的開口蝕刻該金屬基板形成該導(dǎo)通孔，然后穿過該屏蔽的開口將該金屬壁鍍于該金屬基板暴露的部分并于該導(dǎo)通孔內(nèi)，且移除該屏蔽，或者形成一具開口的蝕刻屏蔽于金屬基板上，使該金屬基板有部分暴露，并穿過該蝕刻屏蔽的開口蝕刻該金屬基板形成該導(dǎo)通孔，接著移除該蝕刻屏蔽，然后形成一具開口的電鍍屏蔽于該金屬基板上，使該金屬基板有部分暴露并使該導(dǎo)通孔暴露，接著穿過該電鍍屏蔽的開口將該金屬壁鍍于該金屬基板的暴露部分并與該導(dǎo)通孔內(nèi)，且移除該電鍍屏蔽。此外，按順序地形成該焊接層包含穿過該具開口的屏蔽(對該導(dǎo)通孔提供一蝕刻屏蔽及對該金屬壁提供一電鍍屏蔽)使該錫膏沉積于該金屬壁上，使該錫膏回流，然后移除該屏蔽；或者移除該屏蔽，使該錫膏沉積于該金屬壁上，并使該錫膏回流。同樣地，按順序地形成該焊接層包括穿過該具開口的電鍍屏蔽(是在金屬壁上的電鍍屏蔽及于該導(dǎo)通孔的蝕刻屏蔽被移除后)使該錫膏沉積該金屬壁上，使該錫膏回流，并移除該電鍍屏蔽；或者移除該電鍍屏蔽，使該錫膏沉積于該金屬柱上，并使該錫膏回流。該方法包含連接該半導(dǎo)體芯片至該繞線，將一絕緣黏著劑置于該半導(dǎo)體芯片與金屬基板間，然后使該黏著劑硬化。該方法包含形成連接部，是通過將該連接部電鍍于該繞線與導(dǎo)電接腳間。例如該連接部使用電鍍或無電電鍍等方式鍍于該繞線與導(dǎo)電接腳之間?；蛘咴撔纬蛇B接部的方法使一非固態(tài)材料沉積無該繞線與導(dǎo)電接腳間，然后使該非固態(tài)材料硬化。例如該錫膏能被沉積于該繞線與導(dǎo)電接腳間，然后通過回流并硬化，或該導(dǎo)電黏著劑能被置于該繞線與導(dǎo)電接腳間，然后被硬化。該形成連接部的方法是通過打線接合形成。該方法包含蝕刻該金屬基板是利用濕式化學(xué)蝕刻方式，因此使該繞線暴露，并移除于導(dǎo)電接腳及半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)的金屬基板。例如利用濕式化學(xué)蝕刻方式蝕刻該金屬基板移除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與該金屬壁的接觸區(qū)域，并能移除該金屬基板，或者利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，并從該金屬基板未蝕刻的部分形成一金屬柱，該金屬基板未蝕刻的部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線及金屬壁間具有電力的連接，且移除大部分的金屬基板。而且利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離，并使該導(dǎo)電接腳與于半導(dǎo)體芯片的其它導(dǎo)電接腳具電力地隔離。例如形成連接部的方法是通過打線接合，然后利用濕式化學(xué)蝕刻方式對該金屬基板蝕刻，因此使該繞線與其它繞線具電力地隔離，及使該導(dǎo)電接腳與其它導(dǎo)電接腳具電力地隔離。或者形成連接部的方法為電鍍并利用該金屬基板為一電鍍總線，然后利用濕式化學(xué)蝕刻方式對該金屬基板蝕刻，因此使該繞線與其它繞線具電力地隔離，及使該導(dǎo)電接腳與其它導(dǎo)電接腳具電力地隔離?；蛘呶g刻該金屬基板的方法利用濕式化學(xué)蝕刻，因此使該繞線與其它繞線具電力地隔離，然后通過無電電鍍形成該連接部，于此該導(dǎo)電接腳仍能與其它導(dǎo)電接腳具電力地隔離。該方法包含形成該金屬壁前形成繞線，或者該繞線與金屬壁同時地被形成，或者于該金屬壁形成后形成該繞線。該方法包含于形成該焊接層前形成該金屬壁。該方法包含于該半導(dǎo)體芯片與該金屬基板及繞線連接前形成金屬壁，或者于該半導(dǎo)體芯片與該金屬基板及繞線連接后形成金屬壁。該方法包含于該半導(dǎo)體芯片與該金屬基板及繞線連接前形成焊接層，或者于該半導(dǎo)體芯片與該金屬基板及繞線連接后形成焊接層。該方法包含于形成該焊接端前形成該焊接層，或者形成該焊接層為該焊接端。該方法是在利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻前形成該連接部，或者于利用濕式化學(xué)蝕刻方式蝕刻該金屬基板后形成該連接部。該方法包含于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成該焊接端，或者連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成該焊接端。該方法包含于形成該連接部前形成該焊接端，或者于形成該連接部后形成該焊接端。該方法包含于利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻前形成該焊接端，或者于利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻后形成該焊接端。該方法包含形成該金屬壁，然后形成該焊接層，然后連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層，以及然后利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻。該方法包含形成該金屬壁，然后連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁，接著形成該焊接層，并利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻。該方法包含連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，然后形成該金屬壁，接著形成該焊接層，并利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻。該方法包含于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線之后，形成密封劑，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并覆蓋該半導(dǎo)體芯片于第一方向上。該密封劑是通過轉(zhuǎn)注成形法或被硬化形成。該方法包含于形成該密封劑之后，形成絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上，然后移除一部分的絕緣基板，以致該絕緣基板不再覆蓋該焊接層于第二方向上。該方法包含(1)提供一具相對的第一平面及第二平面的金屬基板，其中，該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，(2)然后形成一繞線于該金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸并與該金屬基板的第二平面隔離，(3)接著利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻形成一導(dǎo)通孔于金屬基板，該導(dǎo)通孔從該金屬基板的第二平面往該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，(4)接著形成一金屬壁于該金屬基板上，其中該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，并從該金屬基板的第二平面往該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，且包括一孔洞，該孔洞從該金屬基板的第二平面往該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被金屬壁覆蓋于第一方向上，且包括一朝向第二方向的開口，(5)形成一焊接層并與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，且與該繞線隔離，(6)機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中，該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳，(7)形成一連接部，并使該繞線及導(dǎo)電接腳間電連接，(8)接著利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻是在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬壁及繞線及形成該金屬壁及焊接層后，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬壁與金屬基板間的接觸區(qū)域，以及(9)提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包括該焊接層。該方法包括(1)提供一金屬基板，該金屬基板包括相對的第一平面及第二平面，其中，該金屬基板的第一平面朝向第一方向及該金屬基板的第二平面朝向第二方向相對于第二方向，然后(2)形成一繞線于該金屬基板的第一平面，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸及與該金屬基板的第二平面隔離，(3)利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔從該金屬基板的第二平面往該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，(4)形成一金屬壁于該金屬基板上，其中，該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，并從該金屬基板的第二平面往該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，且包含一孔洞，該孔洞從該金屬基板的第二平面朝該金屬基板的第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包括一朝向第二方向的開口，(5)形成一錫接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，與該繞線隔離，(6)連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳，(7)形成一連接部，該連接部使該繞線與該導(dǎo)電接腳間具有電連接，(8)形成一密封劑是在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線之后，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板及繞線往第一方向垂直延伸，該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直延伸，(9)利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻是在形成該金屬壁、焊接層及密封劑之后，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，(10)形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上，是在利用該第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻之后，(11)移除一部分的絕緣基板使該絕緣基板不再覆蓋該焊接層于第二方向上，以及(12)提供一焊接端，該焊接端與于孔洞內(nèi)的金屬壁接觸并包括該焊接層。該方法包括依序形成該金屬壁及焊接層，是通過將該金屬壁電鍍于該金屬基板并穿過一電鍍屏蔽的開口使該金屬壁可鍍于該導(dǎo)通孔內(nèi)，且使該錫膏沉積于該金屬壁，接著使該錫膏回流形成該焊接層。該方法包括通過形成該焊接層而形成該焊接端，或者通過使一焊錫材料沉積于該焊接層上是在利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，然后使該焊錫材料及該焊接層一起回流而形成該焊接端。該方法包括連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬壁及繞線(如果該金屬壁及焊接層已被形成)是通過將該絕緣黏著劑置于該半導(dǎo)體芯片與金屬基板間，然后使該黏著劑硬化。該方法包括利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一穿孔，延伸穿過該金屬基板，并使該繞線暴露，接著利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，并移除該金屬基板，或者利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一凹口，并延伸至該金屬基板內(nèi)，并不穿過該金屬基板，接著利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，并從該金屬基板未蝕刻的部分形成一金屬柱，該金屬柱使該繞線與金屬壁間具電力的連接，并移除大部分的金屬基板。該方法包括移除該部分的絕緣基板是通過研磨、激光消熔、等離子蝕刻或光蝕刻等方式。另外該方法包括從全部的絕緣基板移除該部分的絕緣基板，該部分的絕緣基板是指覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上的絕緣基板，并使該金屬壁及焊接層暴露于第二方向，但不使該繞線暴露。例如該方法包括利用研磨方式研磨該絕緣基板，但不研磨該金屬壁及焊接層，然后研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，直到該絕緣基板與該金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面上即停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。而且于停止研磨后，該焊接端由該焊接層構(gòu)成，并能被橫向排列于該平面上，或者該方法包括一焊錫材料沉積于該焊接層，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流而形成該焊接端，該焊接端從該金屬壁及絕緣基板往第二方向垂直延伸。該方法包括利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，然后形成該金屬壁，接著形成該焊接層，后來連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層，接著形成該密封劑，然后利用第二濕式化學(xué)蝕刻對金屬基板進行蝕刻，接著形成絕緣基板，以及最后移除部分的絕緣基板。該方法包括利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，然后形成該金屬壁，接著連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁，然后形成該密封劑，接著形成該焊接層，然后利用第二濕式化學(xué)蝕刻對金屬基板進行蝕刻，接著形成絕緣基板，最后移除部分的絕緣基板。該方法包括連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線金屬壁，然后形成該密封劑，接著利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，然后形成該金屬壁，接著形成該焊接層，然后利用第二濕式化學(xué)蝕刻對金屬基板進行蝕刻，接著形成絕緣基板，最后移除部分的絕緣基板。本發(fā)明的好處在于該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)方便地被制造及具經(jīng)濟性。本發(fā)明另一好處于該金屬基板被蝕刻前縮減該金屬基板與金屬壁的接觸區(qū)域，因此加強機械支撐及保護該繞線。另一好處在于該金屬柱通過蝕刻形成比由電鍍或無電電鍍形成更能提高一致性及降低制造時間及成本。另一好處在于該焊接端能延伸至該金屬壁于該絕緣基板內(nèi)更勝過于與該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)于一橫向平面的高壓邊界接觸，因該橫向平面的高壓邊界為一朝向第二方向的暴露主要平面，因此可降低錫料分離及提高可靠度。另一好處在于該連接部由各種不同的材料與處理制造形成，因此可利用成熟的連接技術(shù)有益于制造及改善制造方法。另一好處在于該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)不包括打線接合或卷帶自動接合導(dǎo)線，雖然該處理是具彈性的可與其它技術(shù)兼容。另一好處在于該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)利用低溫處理被制造，可降低壓力及提升可靠度。除上述之外本發(fā)明具有更多好處，如該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)利用良好控制的處理過程被制造，容易地被建置于電路板、導(dǎo)線架及卷帶制造。仍有其它好處為該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)合，利用兼容的材料制造如銅的半導(dǎo)體芯片及無導(dǎo)線環(huán)境的必要品。本發(fā)明的特征及優(yōu)點將進一步于實施方式中舉較佳實施例來描述，可更具體地了解本發(fā)明。圖1a為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖1b為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖1c為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖2a為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2b為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2c為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖3a為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3b為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖3c為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖4a為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4b為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖4c為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖5a為本發(fā)明金屬壁形成于金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5b為本發(fā)明金屬壁形成于金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖5c為本發(fā)明金屬壁形成于金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖6a為本發(fā)明模板覆蓋于第二光阻層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6b為本發(fā)明模板覆蓋于第二光阻層結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖6c為本發(fā)明模板覆蓋于第二光阻層結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖7a為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7b為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖7c為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖8a為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8b為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖8c為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖9a為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖9b為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖9c為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖10a為本發(fā)明第一光阻層及第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖10b為本發(fā)明第一光阻層及第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖10c為本發(fā)明第一光阻層及第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖11a為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖11b為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖11c為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖12a為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖12b為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖12c為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖13a為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖13b為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖13c為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖14a為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖14b為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖14c為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖15a為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖15b為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖15c為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖16a為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖16b為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖16c為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖17a為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖17b為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖17c為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖18a為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖18b為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖18c為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖19a為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖19b為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖19c為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖20a為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖20b為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖20c為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖21a為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖21b為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖21c為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖22a為本發(fā)明金屬柱于金屬基板上形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖22b為本發(fā)明金屬柱于金屬基板上形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖22c為本發(fā)明金屬柱于金屬基板上形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖23a為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖23b為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖23c為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖24a為本發(fā)明絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖24b為本發(fā)明絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖24c為本發(fā)明絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖25a為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖25b為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖25c為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖26a為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖26b為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖26c為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖27a為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖27b為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖27c為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖28a為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖28b為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖28c為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖29a為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖29b為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖29c為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖30a為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖30b為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖30c為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖31a為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖31b為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖31c為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖32a為本發(fā)明具金屬壁的金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖32b為本發(fā)明具金屬壁的金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖32c為本發(fā)明具金屬壁的金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖33a為本發(fā)明第一光阻層及第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖33b為本發(fā)明第一光阻層及第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖33c為本發(fā)明第一光阻層及第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖34a為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖34b為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖34c為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖35a為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖35b為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖35c為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖36a為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖36b為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖36c為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖37a為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖37b為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖37c為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖38a為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖38b為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖38c為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖39a為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖39b為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖39c為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖40a為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖40b為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖40c為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖41a為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖41b為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖41c為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖42a為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖42b為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖42c為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖43a為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖43b為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖43c為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖44a為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖44b為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖44c為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖45a為本發(fā)明模板覆蓋于金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖45b為本發(fā)明模板覆蓋于金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖45c為本發(fā)明模板覆蓋于金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖46a為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖46b為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖46c為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖47a為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖47b為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖47c為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖48a為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖48b為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖48c為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖49a為本發(fā)明金屬柱于金屬基板上形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖49b為本發(fā)明金屬柱于金屬基板上形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖49c為本發(fā)明金屬柱于金屬基板上形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖50a為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖50b為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖50c為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖51a為本發(fā)明部分絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖51b為本發(fā)明部分絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖51c為本發(fā)明部分絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖52a為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖52b為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖52c為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖53a為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖53b為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖53c為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖54a為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖54b為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖54c為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖55a為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖55b為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖55c為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖56a為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖56b為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖56c為本發(fā)明金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖57a為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖57b為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖57c為本發(fā)明光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖58a為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖58b為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖58c為本發(fā)明繞線附于金屬基板時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖59a為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖59b為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖59c為本發(fā)明第三光阻層及第四光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖60a為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖60b為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖60c為本發(fā)明焊接屏蔽于金屬基板及繞線時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖61a為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖61b為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖61c為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖62a為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖62b為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖62c為本發(fā)明電鍍接點形成于繞線后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖63a為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖63b為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖63c為本發(fā)明第五光阻層及第六光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖64a為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖64b為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖64c為本發(fā)明黏著劑形成于焊接屏蔽后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖65a為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖65b為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖65c為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖66a為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖66b為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖66c為本發(fā)明連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖67a為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖67b為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖67c為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖68a為本發(fā)明第二光阻層形成于金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖68b為本發(fā)明第二光阻層形成于金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖68c為本發(fā)明第二光阻層形成于金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖69a為本發(fā)明具凹口結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖69b為本發(fā)明具凹口結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖69c為本發(fā)明具凹口結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖70a為本發(fā)明具金屬壁結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖70b為本發(fā)明具金屬壁結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖70c為本發(fā)明具金屬壁結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖71a為本發(fā)明模板覆蓋于第二光阻層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖71b為本發(fā)明模板覆蓋于第二光阻層結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖71c為本發(fā)明模板覆蓋于第二光阻層結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖72a為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖72b為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖72c為本發(fā)明錫膏沉積于金屬壁結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖73a為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖73b為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖73c為本發(fā)明移去模板后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖74a為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖74b為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖74c為本發(fā)明錫膏形成焊接層后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖75a為本發(fā)明第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖75b為本發(fā)明第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖75c為本發(fā)明第二光阻層剝落后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖76a為本發(fā)明金屬基板移除后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖76b為本發(fā)明金屬基板移除后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖76c為本發(fā)明金屬基板移除后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖77a為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖77b為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖77c為本發(fā)明絕緣基板形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖78a為本發(fā)明部分絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖78b為本發(fā)明部分絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖78c為本發(fā)明部分絕緣基板移除后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖79a為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖79b為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖79c為本發(fā)明錫球形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖80a為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖80b為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖80c為本發(fā)明焊接端形成后結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖81a為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖81b為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖81c為本發(fā)明半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖82a為本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖82b為本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖82c為本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖83a為本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖83b為本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖83c為本發(fā)明第五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖84a為本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖84b為本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖84c為本發(fā)明第六實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖85a為本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖85b為本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖85c為本發(fā)明第七實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖86a為本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖86b為本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖86c為本發(fā)明第八實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖87a為本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖87b為本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖87c為本發(fā)明第九實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖88a為本發(fā)明第十實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖88b為本發(fā)明第十實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖88c為本發(fā)明第十實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖89a為本發(fā)明第十一實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖89b為本發(fā)明第十一實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖89c為本發(fā)明第十一實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖90a為本發(fā)明第十二實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖90b為本發(fā)明第十二實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖90c為本發(fā)明第十二實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖91a為本發(fā)明第十三實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖91b為本發(fā)明第十三實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖91c為本發(fā)明第十三實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖92a為本發(fā)明第十四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖92b為本發(fā)明第十四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖92c為本發(fā)明第十四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖93a為本發(fā)明第十五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖93b為本發(fā)明第十五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖93c為本發(fā)明第十五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。圖94為本發(fā)明第十六實施例的金屬柱的結(jié)構(gòu)示意圖。圖95為本發(fā)明第十七實施例的金屬柱的結(jié)構(gòu)示意圖。圖96為本發(fā)明第十八實施例的金屬柱的結(jié)構(gòu)示意圖。圖97為本發(fā)明第十九實施例的金屬柱的結(jié)構(gòu)示意圖。圖98為本發(fā)明第二十實施例的金屬柱的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施例方式圖1a至圖27c為制作半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)方法的第一實施例，其中圖1a至圖27a為剖面示意圖、圖1b至圖27b為俯視示意圖、圖1c至圖27c為仰視示意圖。請參閱圖1a、圖1b及圖1c所示，為本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示本發(fā)明為一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體芯片110為一集成電路，并由多個晶體管、電路、連接部及與其它連接所組成(圖中未示)。該半導(dǎo)體芯片110包含相對應(yīng)的第一平面112及第二平面114，該第一平面112與第二平面114間的厚度為150微米，該第一平面112為主動面(activesurface)并包含一導(dǎo)電接腳116及一鈍化層118(passivationlayer)。實質(zhì)上，該導(dǎo)電接腳116與該鈍化層118成直線排列，使該第一平面112的表面為平坦。該導(dǎo)電接腳116延伸于鈍化層118上，或者被嵌入于該鈍化層118內(nèi)，該導(dǎo)電接腳116提供一接合點與該半導(dǎo)體芯片110外部的電路連接。因此，該導(dǎo)電接腳116為一輸入/輸出接腳或一電源/接地接腳。該導(dǎo)電接腳116的長度及寬度各為100微米。該導(dǎo)電接腳116具有一鋁基板，該導(dǎo)電接腳116被清洗是通過浸泡該半導(dǎo)體芯片110于室溫下0.05M磷酸中1分鐘，然后利用蒸餾水清洗。該導(dǎo)電接腳116將鋁基板視為一表面層，或者該導(dǎo)電接腳116包含一表面層，該表面層覆蓋該鋁基板，并依該連接部的性質(zhì)與該表面層接觸。在第一實施例中，該連接部為一金屬金打線(agoldwirebond)。因此該導(dǎo)電接腳116不能被視為容納該連接部，或者該導(dǎo)電接腳116由至少一以上的金屬層堆棧于該鋁基板上，該導(dǎo)電接腳116可為鉻層/銅層/金層，或為鈦層/鎳層/金層于該鋁基板上。其中，該鉻層或鈦層提供該鋁基板一屏障(abarrier)及于上層金屬層與該鋁基板間布置有一黏著劑。然而該金屬層堆棧具選擇性地被沉積是通過利用一屏蔽進行蒸鍍(evaporation)、電鍍(electroplating)或噴鍍(sputtering)等相關(guān)地復(fù)雜的處理?；蛘?，該導(dǎo)電接腳116亦可通過形成一鎳表面層于該鋁基板上，如可將該半導(dǎo)體芯片110浸泡于一鋅溶液，沉積一鋅層于該鋁基板上，其方法為鋅化(zincation)。更進一步，上述該鋅溶液包含150克/公升的氫氧化鈉(NaOH)、25克/公升的氧化鋅(ZnO)及1克/公升的亞硝酸鈉(NaNO3)，就像酒石酸可減少該鋁基板的分解率。之后，該鎳表面層為無電沉積于該經(jīng)鋅化的鋁基板，一種合適的無電鎳電鍍?nèi)芤簽橛跀z氏85度下的EnthoneEnplateNI-424。該半導(dǎo)體芯片110包含至少一以上的導(dǎo)電接腳于第一平面112上，但圖中只標示單一個導(dǎo)電接腳116，為了圖示及說明方便。另外，該半導(dǎo)體芯片110已跟其它半導(dǎo)體芯片被獨立出來，而該半導(dǎo)體芯片原本皆附于一晶圓上。請參閱圖2a、圖2b及圖2c所示，為本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬基板仰視示意圖。如圖所示該金屬基板120包含相對應(yīng)的第一主要平面122及第二主要平面124。該金屬基板120(Metalbase)為一金屬銅板，其厚度為150微米。請參閱圖3a、圖3b及圖3c所示，為本發(fā)明的光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的光阻層與金屬基板結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第一光阻層126(photoresistlayer)及第二光阻層128被形成于該金屬基板120上。該第一光阻層126及第二光阻層128是通過一種干式薄膜層壓處理(adryfilmlamination)被沉積，并同時將該第一光阻層126及第二光阻層128分別地?zé)釢L壓印于該第一主要平面122及第二主要平面124。一光罩(Areticle)(圖中未示)放置于該第二光阻層128附近。之后，該第二光阻層128被印有圖案是通過選擇性地使光透過該光罩，并使用一顯影溶劑(adeveloper)將光阻部分移除，并通過光使該光阻部分為可溶解的，然后烤干(hardbaking)。該第二光阻層128包含一開口，該開口的直徑為250微米，并選擇性地使該第二主要平面124暴露，而該第一光阻層126未印有圖案。該第一光阻層126及第二光阻層128的厚度為25微米，是指分別從該第一主要平面122及第二主要平面124開始算起。請參閱圖4a、圖4b及圖4c所示，為本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具凹口的金屬基板結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該凹口130被形成于該金屬基板120上。該凹口130的形成是通過一種背邊式濕式化學(xué)蝕刻(aback-sidewetchemicaletch)，使該第二主要平面124的暴露部分進行蝕刻，并利用該第二光阻層128為其蝕刻屏蔽。由于該第一光阻層126可保護該金屬基板120的一面，例如一底部噴嘴(圖中未示)能噴射該濕式化學(xué)蝕刻溶液于該金屬基板120上，當一頂部噴嘴(圖中未示)不被使用時，或整體結(jié)構(gòu)浸于濕式化學(xué)蝕刻溶液里時及該第二光阻層提供前端保護。該濕式化學(xué)蝕刻溶液具有高選擇性的銅，并對該金屬基板120蝕刻80微米深。該凹口130為一盲孔(ablindvia)，并從該第二主要平面第二主要平面124延伸至該金屬基板120內(nèi)，但未穿透該金屬基板120。該凹口130于該第二平面第二主要平面124之上的直徑為300微米，該凹口130相對于該第二平面第二主要平面124的深度為80微米，與第一平面第一主要平面122的間距為70微米。其中，一種合適的濕式化學(xué)蝕刻溶液為堿性的氨水。為了使該凹口130具有適當?shù)闹睆?，而將該金屬基?20暴露于該化學(xué)蝕刻溶液的理想的蝕刻時間必須經(jīng)過反復(fù)試驗來建立。請參閱圖5a、圖5b及圖5c所示，為本發(fā)明的金屬壁形成于金屬基板結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬壁形成于金屬基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬壁形成于金屬基板結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬壁132被形成于該金屬基板120的凹口130內(nèi)，并與該凹口130的輪廓相應(yīng)。該金屬壁132覆蓋該凹口130于向下方向，并被沉積于該凹口130內(nèi)但非填滿該凹口130。而該金屬壁132與該金屬基板120電連接，但非與該金屬基板120整合為一體。該金屬壁132由一鍍于該金屬基板120的鎳層及一鍍于該鎳層的金層所組成(圖中未示)。該鎳層被夾于該金屬基板120與金層間并與該金屬基板120及金層接觸，而該金層與該鎳層接觸，并與該金屬基板120隔離。因此該鎳層被該金層覆蓋，而該金層被暴露。該金屬壁132的厚度為10.1微米。特別地，該鎳層的厚度為10微米，該金層的厚度為0.1微米。為了圖示方便，該鎳層及金層于圖中只繪出單一層。該金屬壁132的形成利用該第一光阻層126及第二光阻層128為電鍍屏蔽，并進行電鍍處理。因此，該金屬壁132被形成。一開始，一電鍍總線(aplatingbus)(圖中未示)連接至該金屬基板120，從外部電源所產(chǎn)生的電流用于該電鍍總線，并將該金屬基板120浸于一電解鎳電鍍?nèi)芤?anelectrolyticnickelplatingsolution)，該溶液如于室溫下的TechnicTechniNickel“S”。最后，該鎳層鍍于該金屬基板120的凹口130暴露部分。然而持續(xù)進行鎳電鍍處理直到該鎳層到達所需要的厚度。之后將整體結(jié)構(gòu)從該電解鎳電鍍?nèi)芤褐幸瞥?，再浸于電解金電鍍?nèi)芤?，該溶液如于室溫下的TechnicOrotemp，同時由外部電源所得的電流用于該電鍍總線，使該金層鍍于鎳層上，而持續(xù)進行金電鍍直到該金層到達所需要的厚度，然而將整體結(jié)構(gòu)從電解金電鍍?nèi)芤阂瞥霾⒗谜麴s水沖洗，除去污染物。該金屬壁132的形狀呈碗狀，其垂直平面為一U字形，并與向上方向與向下方向平行，且其于第二主要平面第二主要平面124的橫向平面的形狀為圓形，而與向上方向及向下方向正交。該金屬壁132的高度為80微米，與該第二主要平面124的直徑為300微米，該金屬壁132的厚度為10.1微米。但該金屬壁132具有微小的厚度變化。比如該金屬壁132能比于該第二主要平面124附近的厚度較厚，因為該第二主要平面124附近的電解溶液的流動率較高。該金屬壁132由連續(xù)的單一鎳層及連續(xù)的單一金層所組成。該金屬壁132具有一孔洞134，該孔洞134與該金屬基板120隔離，并延伸至該凹口130內(nèi)。該孔洞134向該金屬壁132延伸，并經(jīng)過該金屬壁132大部分的高度及直徑，該孔洞134被該金屬壁132覆蓋于向上方向及橫向方向，并包含一開口136，該開口朝向下方向，并形成一凹面，坑洞的形狀。請參閱圖6a、圖6b及圖6c所示，為本發(fā)明的模板覆蓋于第二光阻層的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的模板覆蓋于第二光阻層的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的模板覆蓋于第二光阻層的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該模板138的厚度為80微米，并包含一開口(anopening)，其開口的直徑為200微米，該模板138與于該第二光阻層128的開口、金屬壁132及孔洞134被垂直排列。為了圖示及說明方便，該金屬基板120繪于該模板138之上，并保持固定方向方便與前圖比較，雖然整體架構(gòu)方向巔倒，而該重力將幫助該模板138覆蓋于該第二光阻層128上。請參閱圖7a、圖7b及圖7c所示，為本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該錫膏140包含粉末狀鈦-銀-銅的錫料顆?；旌嫌谝火さ挠袡C樹脂溶劑中，其包含一助熔劑。該錫膏140利用模板印刷使其被沉積于該金屬壁132上。于模板印刷處理中，一擠壓器(squeegee)(圖中未示)擠壓該錫膏140沿著該模板138相對于該金屬基板120的表面，通過該第二光阻層128的開口與模板138的開口擠入于該金屬壁132上及該孔洞134內(nèi)。該錫膏140于室溫下可形成任何形狀，所以該錫膏140填滿該孔洞134，于該第二光阻層128的開口及于該模板1388的開口。然而該錫膏140與該金屬基板120分離。然而，該錫膏140與該金屬基板120隔離。為了圖示說明方便，該金屬基板120繪制于該錫膏140的上方，并保持固定方向為了能與前圖比對，雖然整體結(jié)構(gòu)被顛倒但重力可幫助該錫膏140的沉積。請參閱圖8a、圖8b及圖8c所示，為本發(fā)明移去模板后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明移去模板后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明移去模板后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示為將該模板138從該第二光阻層128移去后的示意圖。為了圖示說明方便，該金屬基板120繪制于該錫膏140的上方，并保持固定方向為了能與前圖比對，雖然整體結(jié)構(gòu)被顛倒，當該模板138被移除時，該錫膏140通過重力幫助覆蓋于該結(jié)構(gòu)上。請參閱圖9a、圖9b及圖9c所示，為本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接層142(solderlayer)與該金屬壁132接觸并電連接，但非與該金屬壁132整合為一體，且與該金屬基板120隔離。而且，該焊接層142填滿該孔洞134，其厚度為30微米，相對于該金屬基板120、金屬壁132及孔洞134的向下方向。該焊接層142由該錫膏140回流所形成。一開始，整體結(jié)構(gòu)被加熱至約260度，加熱造成于錫膏140內(nèi)的助溶劑與該金屬壁132及該錫膏140內(nèi)的錫料顆粒產(chǎn)生反應(yīng)，并從該金屬壁132及該錫膏140內(nèi)的錫料顆粒移除氧化物，使該錫料顆粒被融化，并使該錫料顆粒結(jié)合，并將于該錫膏140內(nèi)的有機樹脂蒸發(fā)，因此該錫膏140比它原有的尺寸更小并產(chǎn)生錫料回流。另外該金屬壁132的金層提供一濕潤表面(awettablesurface)為了使錫料回流并分解已被融化的錫料，所以該金屬壁132本為雙片金屬層由鎳層及金層所構(gòu)成，被改變由單片金屬的鎳層所構(gòu)成。而且，該第二光阻層128限制該錫料回流至該金屬壁132，并防止該錫料接觸到該金屬基板120。之后，停止加熱并將被融化的錫料顆粒冷卻凝固，當變硬時即成焊接層142。該焊接層142的直徑為280微米，并與于該第二光阻層128的開口、金屬壁132及孔洞134垂直地排列。為了圖示說明方便，該金屬基板120繪制于該焊接層142的上方，并保持固定方向為了能與前圖比對，雖然整體結(jié)構(gòu)被顛倒，當該焊接層142形成時，該錫料通過重力回流。請參閱圖10a、圖10b及圖10c所示，為本發(fā)明的第一光阻層及第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第一光阻層及第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第一光阻層及第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第一光阻層126及第二光阻層128使用一溶劑使其被移除，該溶劑為溫合的堿性溶液，其pH值為9，是在當光阻蝕劑對銅、鎳及錫時適用，所以該金屬基板120、金屬壁132或錫金屬層142沒被移除。請參閱圖11a、圖11b及圖11c所示，為本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第三光阻層144及第四光阻層146利用干式薄膜層壓處理將該第三光阻層144及第四光阻層146分別熱滾壓印于第一主要平面122及第二主要平面124。一光罩(Areticle)(圖中未示)放置于該第三光阻層144的附近。之后，該第三光阻層144印有圖案通過選擇性地使光透過該光罩，并使用一顯影溶劑(adeveloper)將光阻部分移除，并通過光使該光阻部分為可溶解的，然后烤干(hardbaking)。所以該第三光阻層144具有一開口，并選擇性地使該第一主要平面第一主要平面122暴露，而該第四光阻層146未印有圖案。該第三光阻層144及第四光阻層146的厚度為50微米，并分別從該第一主要平面第一主要平面122及第二主要平面第二主要平面124開始計算。請參閱圖12a、圖12b及圖12c所示，為本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該繞線150被形成于該金屬基板120的第一主要平面122，并與該第二主要平面124、金屬壁132及焊接層142隔離。該繞線150由一鍍于該金屬基板120的鎳層及一鍍于鎳金屬層的銅層所組成，該鎳層與該金屬基板120接觸并被夾于該金屬基板120及銅層之間，而該銅層與該鎳層接觸，并與該金屬基板120隔離。因此，該鎳層被該銅層覆蓋，而該銅層被暴露。該繞線150的厚度為30微米。特別地，該鎳層的厚度為5微米，該銅層的厚度為25微米。為了圖示說明方便，圖中未繪出該鎳層及銅層，只繪出單一金屬層。該繞線150被使用該第三光阻層144及第四光阻層146為電鍍屏蔽進行電鍍處理而形成。一開始，一電鍍總線(圖中未示)連接至該金屬基板120，從外部電源所提供的電流可用于該電鍍總線，而該金屬基板120浸于一電解鎳電鍍?nèi)芤?，其溶液如于室溫下的TechnicTechniNickel“S”。因此該鎳層鍍(沉積或長)于該金屬基板120的暴露部分，接著持續(xù)進行鎳電鍍處理直到該鎳層達到所需要的厚度。之后，將整個結(jié)構(gòu)從電解鎳電鍍?nèi)芤阂瞥霾⒔谝浑娊忏~電鍍?nèi)芤?，其溶液如于室溫下的Sel-RexCUBATHMTM，而目前電流可用于該電鍍總線，使該銅層鍍于鎳層，且持續(xù)銅電鍍直到該銅層達到所需要的厚度。之后整體結(jié)構(gòu)從電解銅電鍍?nèi)芤阂瞥?，并用蒸餾水清洗移除污染物。該繞線150為平坦的平面，其包含一長形繞線部分152(elongatedroutingportion)以及較大圓形部分154(enlargedcircularportion)。該長形繞線部分152及較大圓形部分154相互鄰接并于同一平面上。該長形繞線部分152的寬度為100微米，該較大圓形部分154的直徑為300微米。而且，該長形繞線部分152之從該較大的圓形部分154橫向延伸，該金屬壁132及焊接層142與該較大的圓形部分154垂直地排列。請參閱圖13a、圖13b及圖13c所示，為本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第三光阻層144及第四光阻層146利用一溶劑使其被移除，該溶劑為溫合的堿性溶液，其pH值為9，當光阻蝕劑對銅、鎳及錫料時適用。所以該金屬基板120、金屬壁132、焊接層142或繞線150沒被移除。請參閱圖14a、圖14b及圖14c所示，為本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接屏蔽156(Soldermask)為一液態(tài)樹脂，被沉積于該金屬基板120及繞線150上。之后該液態(tài)樹脂(liquidresin)于相對低溫時可凝固或硬化，其相對溫度的范圍介于攝氏100度至攝氏250度間，使該液態(tài)樹脂形成一固態(tài)絕緣環(huán)氧樹脂層(solidinsulativeepoxylayer)，該固態(tài)絕緣環(huán)氧樹脂層的厚度為50微米，并于該金屬基板120及繞線150接觸，且從該繞線150向上延伸20微米。之后，將該焊接屏蔽156的上面部分是通過研磨被移除。特別地，利用一旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪(arotatingdiamondsandwheel)及蒸餾水用于該焊接屏蔽156的前側(cè)。一開始，該鉆石砂輪只對該焊接屏蔽156進行研磨，當持續(xù)研磨時，使該焊接屏蔽156變薄于被研磨的表面向下地遷移時。然后該鉆石砂輪接觸到該繞線150時，因此開始研磨該繞線150，當持續(xù)研磨時，該繞線150及焊接屏蔽156同時變薄于被研磨的表面向下遷移時。直到該繞線150及焊接屏蔽156達到所需要的厚度及接觸到該金屬基板120前停止研磨，然后，將整體結(jié)構(gòu)用蒸餾水清洗并除去污染物。當研磨完之后，該繞線150及焊接屏蔽156從該金屬基板120向上延伸25微米。因此該研磨處理為移去5微米厚的繞線150的上方部分，及25微米厚的焊接屏蔽156的上方部分。在這階段中，該焊接屏蔽156連接并與該繞線150接觸，且覆蓋該繞線150的邊緣側(cè)面。然而，該焊接屏蔽156不再覆蓋于該繞線150于向上方向。因此該繞線150及焊接屏蔽156皆被暴露。而且，該繞線150與焊接屏蔽156被橫向排列于一朝向上的平面上。因此，一被暴露水平表面包括該繞線150與焊接屏蔽156，并朝向上方。請參閱圖15a、圖15b及圖15c所示，為本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第五光阻層158被形成于該繞線150及焊接屏蔽156上，而該第六光阻層160被形成于該金屬基板120、金屬壁132及焊接層142上。該第五光阻層158及第六光阻層160以液態(tài)的形式被沉積，并利用滾壓涂布分別沉積于相對應(yīng)的平面。一光罩(Areticle)(圖中未示)放置于該第五光阻層158的附近。之后，該第六光阻層160印有圖案，并選擇性地使光透過該光罩，并使用一顯影溶劑(adeveloper)將光阻部分移除，且通過光使該光阻部分為可溶解的，然后烤干(hardbaking)。所以該第五光阻層158具有一開口，選擇性地使該繞線150暴露，而該第六光阻層160未印有圖案。該第五光阻層158及第六光阻層160的厚度為50微米，并分別從該繞線150及金屬基板120開始計算。請參閱圖16a、圖16b及圖16c所示，為本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該電鍍接點162(Platedcontact)與該繞線150接觸并電連接，但非與該繞線150整合為一體，并與該金屬基板120隔離。該電鍍接點162由一鍍于該繞線150的鍍鎳層及一鍍于鎳層的金層，該鎳層與該繞線150及金層接觸，并被夾于該繞線150與金層之間，而該金層與該鎳層接觸，并與該繞線150隔離。因此，該鎳層被該金層覆蓋，而該金層被暴露。該電鍍接點162的厚度為3.5微米，特別地，該鎳層的厚度為3微米，而該金層的厚度為0.5微米。為了圖示說明方便，圖中未繪出該鎳層及金層，只繪出單一金屬層。該電鍍接點162該第五光阻層158及第六光阻層160為電鍍屏蔽進行電鍍處理而被形成。一開始，一電鍍總線(圖中未示)連接至該金屬基板120，從外部電源所提供的電流可用于該電鍍總線，以及該金屬基板120浸于一電解鎳電鍍?nèi)芤?，其溶液如于室溫下的TechnicTechniNickel“S”。因此該鎳層鍍于該繞線150的暴露部分，持續(xù)進行鎳電鍍直到該鎳層達到所需要的厚度。然而，將整個結(jié)構(gòu)從電解鎳電鍍?nèi)芤阂瞥霾⒔谝浑娊饨痣婂內(nèi)芤海淙芤喝缬谑覝叵碌腡echnicOrotemp，而目前電流可用于該電鍍總線，使該金層鍍于鎳層，且持續(xù)金電鍍直到該鍍金層達到所需要的厚度。然后將整體結(jié)構(gòu)從電解銅電鍍?nèi)芤阂瞥觯⒂谜麴s水清洗移除污染物。請參閱圖17a、圖17b及圖17c所示，為本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第五光阻層158及第六光阻層160使用一溶劑使其被移除，該溶劑為溫合的堿性溶液，其pH值為9，當光阻蝕劑對銅、鎳、錫料及環(huán)氧樹脂時適用。所以該金屬基板120、金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156或電鍍接點162沒被移除。請參閱圖18a、圖18b及圖18c所示，為本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該黏著劑164(Adhesive)能包含一有機表面保護劑(anorganicsurfaceprotectant)，如HK2000，該黏著劑164是在該第五光阻層158及第六光阻層160被移除后被使用于整體結(jié)構(gòu)，減少自然氧化物產(chǎn)生于被暴露的銅層表面。用于半導(dǎo)體芯片封裝裝過程使用該有機表面保護劑于絕緣黏著技術(shù)中。然后，一液態(tài)樹脂如聚酰胺酸(polyamicacid)利用模板印刷使其沉積于該焊接屏蔽156，于模板印刷時，一模板(圖中未示)被置于該繞線150及焊接屏蔽156上，一模板開口(astencilopening)與該金屬基板120排成一列，并與該繞線150有偏移，然后，一擠壓器(squeegee)(圖中未示)擠壓該液態(tài)樹脂沿著該模板表面往相對應(yīng)的焊接屏蔽156方向，穿過該模板開口，于該焊接屏蔽156之上，但不是金屬基板120、繞線150或電鍍接點162。該液態(tài)樹脂于室溫下可塑型為任何形狀。所以，該液態(tài)樹脂流動并覆蓋一部分的焊接屏蔽156，但仍與金屬基板120、繞線150及電鍍接點162隔離。請參閱圖19a、圖19b及圖19c所示，為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該黏著劑164與該半導(dǎo)體芯片110及焊接屏蔽156接觸，并于該半導(dǎo)體芯片110與焊接屏蔽156間延伸，但仍與該金屬基板120、繞線150及電鍍接點162隔離。該半導(dǎo)體芯片110的第一平面112朝向上并遠離該焊接屏蔽156且被暴露；而該半導(dǎo)體芯片110的第二平面114朝向下，并面向該焊接屏蔽156，且被該黏著劑164覆蓋。該半導(dǎo)體芯片110與金屬基板120不相互接觸，該半導(dǎo)體芯片110與繞線150不相互接觸，及該半導(dǎo)體芯片110與焊接屏蔽156不相互接觸。該黏著劑164被夾于該半導(dǎo)體芯片110與焊接屏蔽156間使用相對低壓于擷取頭(pick-uphead)，該擷取頭放置在黏著劑164上的半導(dǎo)體芯片110，需強壓該半導(dǎo)體芯片110于黏著劑上5秒，然后放松該半導(dǎo)體芯片110。該擷取頭被加熱于相對低溫中，如相對低溫為150度，而該黏著劑164從該擷取頭接收熱并傳至該半導(dǎo)體芯片110。因此該黏著劑164緊鄰著該半導(dǎo)體芯片特別地被聚合的，并形成一膠體但不是完全地被凝固，以及該黏著劑164特別地被聚合的，并提供一軟式機械接合(aloosemechanicalbond)于該半導(dǎo)體芯片110及焊接屏蔽156間。該半導(dǎo)體芯片110與金屬基板120被置于相對位置，以致于該半導(dǎo)體芯片110被置于該黏著劑164的邊緣內(nèi)，及該金屬壁132，焊接層142、繞線150及電鍍接點162被置于該半導(dǎo)體芯片110的邊緣外。該半導(dǎo)體芯片110及金屬基板120利用一自動圖案識別系統(tǒng)(anautomatedpatternrecognitionsystem)被排列。之后，整體結(jié)構(gòu)被放置于一烘箱，該黏著劑164于相對低溫中完全被硬化，其相對低溫的范圍介于200度至250度，并形成一硬黏著絕緣熱調(diào)整聚酰胺層(adhesiveinsulativethermosettingpolyimidelayer)，其與該半導(dǎo)體芯片110及焊接屏蔽156接觸，并被夾于該半導(dǎo)體芯片110與焊接屏蔽156間，且可機械地連接該半導(dǎo)體芯片110及焊接屏蔽156。該黏著劑164于該半導(dǎo)體芯片110與焊接屏蔽156間的厚度為35微米。在這階段中，該金屬基板120覆蓋該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162及黏著劑164，并從該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162及黏著劑164向下延伸，該金屬壁132被配置于該半導(dǎo)體芯片的邊緣外，并從該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162及黏著劑164向下延伸，該焊接層142被配置于該半導(dǎo)體芯片110的邊緣外，并從該半導(dǎo)體芯片110、金屬壁132、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162及黏著劑164向下延伸，該繞線150被置于該半導(dǎo)體芯片110的向下方向，并于該半導(dǎo)體芯片110的邊緣外，且從該金屬壁132及該焊接層142橫向延伸，朝向該半導(dǎo)體芯片110，及該黏著劑164從該半導(dǎo)體芯片110向下延伸。而且，該半導(dǎo)體芯片110仍具電力地與該金屬基板120、金屬壁132、焊接層142、繞線150及電鍍接點162隔離。請參閱圖20a、圖20b及圖20c所示，為本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該連接部166為一金屬金的打線，其球狀接合于該導(dǎo)電接腳116上，其楔形接合于該電鍍接點162上。其中該金屬線連接球狀接點及楔形接點，該打線的厚度為25微米。因此該連接部166與該導(dǎo)電接腳116及電鍍接點162接觸，并使該導(dǎo)電接腳116及電鍍接點162電連接，所以亦可使該導(dǎo)電接腳116可具電力地與該金屬基板120、金屬壁132、焊接層142及繞線150連接。而該連接部166是在該半導(dǎo)體芯片110的邊緣內(nèi)及邊緣外延伸，并自該半導(dǎo)體芯片110向上延伸100微米，并與該金屬基板120、金屬壁132、焊接層142、繞線150及焊接屏蔽156隔離。請參閱圖21a、圖21b及圖21c所示，為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該密封劑168是通過轉(zhuǎn)注成形法(transfermolding)被沉積，該轉(zhuǎn)注成形法最常用于半導(dǎo)體芯片構(gòu)裝方法對塑料構(gòu)裝而言。一般來說，該轉(zhuǎn)注成形法包括組件于一密封模內(nèi)形成一注模材料(moldingcompound)，該注模材料是在可為熱、塑料狀態(tài)的壓力下將該注模材料于從中心儲存槽(centralreservoir)亦為料腔(transferpot)穿過樹狀陣列的澆道(runners)及澆口(gates)傳送至密封的模穴中。較好的轉(zhuǎn)注成形統(tǒng)包含一預(yù)熱器(preheater)、一模子、一模壓機(press)及一硬化爐(cureoven)。該模子包含一上模部分及一下模部分，亦可稱為(platens)或(halves)用來定義該模穴。該模子也包含該料腔、澆道澆口及排氣口(vents)。該料腔容納該注模材料。該澆道及澆口提供從該料腔至模穴的通道。該澆口被置于該模穴入口附近，并被壓縮進而控制進入該模穴時該注模材料的流動速度及注入速度且使該被固化的注模材料容易移動于該轉(zhuǎn)注形成進行時。該排氣口準許受限制的空氣能排出，但該排氣口很小，只能使極少數(shù)的注模材料通過。該注模材料是在一開始處于平板的形式。該預(yù)熱器使用高頻率能源使該注模材料預(yù)熱至一溫度，其溫度范圍介于50度至100度之間。該預(yù)熱的溫度低于轉(zhuǎn)注的溫度，所以該被預(yù)熱的注模材料不處于一流體的狀態(tài)。此外，整體結(jié)構(gòu)被置在其中一個模穴中，該模壓機油壓地運作使該模子密合及通過上層模塊及下層模塊定位使該模穴密合。該定位銷(Guidepins)確保該上模部分及下模部分密合處剛恰好于分模線。另外，該模子被加熱至一轉(zhuǎn)注溫度，其轉(zhuǎn)注溫度的范圍介于150度至250度之間，是通過插入電子加熱匣于該上模部分及下模部分。密封該模子之后，該被預(yù)熱的注模材料為平板形態(tài)被置于該料腔內(nèi)。然后一轉(zhuǎn)注撞針(transferplunger)加壓至于該料腔內(nèi)的注模材料。該壓力范圍介于10至100kg/cm2并可設(shè)定越高越好且不會有可靠度的問題。對該模子加熱及加壓于該轉(zhuǎn)注撞針的壓力等處理將于料腔內(nèi)的注模材料轉(zhuǎn)換至流體狀態(tài)。而且，從該轉(zhuǎn)注撞針而來的壓力強制使該流體的轉(zhuǎn)注撞針通過該澆道及澆口進入該模穴。該壓力被維持于一固定的最佳時間，方可確保該注模材料填滿該模穴。該下層模塊與該金屬基板120接觸，并可與該金屬基板120密合，且與該金屬基板120緊接。然而，該上模部分與該連接部166距離120微米。因此該注模材料與該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166的暴露部分接觸于模穴中。于轉(zhuǎn)注溫度過了1至3分鐘后，該注模材料聚合的并部分地被硬化于模子中。一旦有部分的注模材料被硬化后，具有足夠之彈性及硬度，使其可抵抗擠出之力量，使其無法顯著且永久的變形。該模壓機打開模子，該起模桿從該模子中取出被鑄造的結(jié)構(gòu)，并剩于的注模材料附于該被鑄造的結(jié)構(gòu)上，該剩于的注模材料被固化于該澆道及澆口上被整理及移除。該被鑄造的結(jié)構(gòu)被加載一匣盒(magazine)，并被置于該硬化爐內(nèi)4至16個小時，且于一比轉(zhuǎn)注溫度稍微低的溫度中但比室內(nèi)溫度高使該注模材料完全地硬化。該注模材料為一多組成混和的密封樹脂添加各種不同的添加劑，其主要的添加劑包含硬化劑、加速劑、惰性填料、連結(jié)劑、難燃劑、消除應(yīng)力劑、著色劑及脫模劑。該密封樹脂提供一屏蔽物(abinder)，該硬化劑(curingagent)提供直線/十字線的聚合作用(linear/cross-polymerization)，該加速劑提高該聚合速率，該惰性填料增加熱傳導(dǎo)性、抗熱撞擊性及降低熱膨脹系數(shù)、樹脂流失、收縮及剩余的壓力，該連結(jié)劑增加對整體結(jié)構(gòu)的黏著力，該難燃劑降低易燃性，該消除應(yīng)力劑減少裂紋擴展，該著色劑減少光子活動力及裝置可見度，以及該脫模劑使容易從模子移出。該密封劑168與該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166接觸并覆蓋。該密封劑168與該半導(dǎo)體芯片110的第一平面112及其外部邊緣接觸，但與該半導(dǎo)體芯片110的第二平面114隔離。該密封劑168覆蓋于該金屬基板120、金屬壁132及焊接端142，但與該金屬基板120、金屬壁132及焊接端142隔離。該密封劑168為一可壓縮的固態(tài)黏著鈍化層，其可提供環(huán)境的保護，如耐濕性，以及對半導(dǎo)體芯片110的顆粒保護如對該繞線150的機械支撐一樣。該半導(dǎo)體芯片被嵌入于該密封劑168中。該密封劑168從該半導(dǎo)體芯片110、金屬基板120、金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166向上延伸，其厚度為400微米，并從該連接部166向上延伸120微米。請參閱圖22a、圖22b及圖22c所示，為本發(fā)明的金屬柱于金屬基板上形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬柱于金屬基板上形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬柱于金屬基板上形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬柱170為該金屬基板120的未被蝕刻部分，與該金屬壁132及繞線150接觸，并被夾于該金屬壁132與繞線150間，且使該金屬壁132與繞線150間電連接，但不與該金屬壁132及繞線150整合為一體，而該金屬柱170由銅組成。該金屬柱170被形成是通過一種濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板120蝕刻，并利用該金屬壁132及焊接層142為其蝕刻屏蔽，且選擇性地保護該金屬基板120。因此，該金屬柱170依該金屬壁132來定出該金屬基板120未被蝕刻部分而被形成。一種背邊式濕式化學(xué)蝕刻被用于對該金屬基板120的第二主要平面124、金屬壁132及焊接端142。如該底部噴嘴能噴射該濕式化學(xué)蝕刻溶液于該金屬基板120上，當頂部噴嘴不被使用時或整體結(jié)構(gòu)被浸于該濕式化學(xué)蝕刻溶液里，該密封劑168提供前側(cè)保護。當銅對鎳、錫料、環(huán)氧樹脂及注模材料時適用該濕式化學(xué)蝕刻，所以，當該金屬基板120對該金屬壁132、焊接層142、該繞線150的鎳層、焊接屏蔽156及密封劑168時適用該濕式化學(xué)蝕刻。該濕式化學(xué)蝕刻完全穿過該金屬基板120，因此影響該金屬壁132的圖案轉(zhuǎn)移于金屬基板120上。并使該繞線150及焊接屏蔽156暴露，減少但不移除該金屬基板120與金屬壁132、繞線150及焊接屏蔽156的接觸區(qū)域。然而該金屬壁132、焊接層142、繞線150的鎳層、焊接屏蔽156或密封劑168沒被移除。而該繞線150的鎳層是在化學(xué)蝕刻時保護該繞線150的銅層。所以該繞線150沒被移除。該濕式化學(xué)蝕刻也橫向切割該金屬基板120相對于該金屬壁132，并造成該金屬柱170向內(nèi)部傾斜并增加高度。一合適之傾斜角度介于45度至小于90度間，如約75度。該金屬柱170與該繞線150于較大圓形部分154接觸，但與長形繞線部分152隔離，并從該繞線150向下延伸。因此該金屬柱170與該繞線150于向下方向有部分重迭，然而該金屬柱170無覆蓋該繞線150于向下方向。一種合適的濕式化學(xué)蝕刻溶液被堿性的氨水提供。使該金屬基板120暴露于該化學(xué)蝕刻溶液中的理想的蝕刻時間須多次的反復(fù)試驗，為了蝕刻穿透該金屬基板120，以及形成具理想尺寸的金屬柱170，但不使該金屬壁132受到侵蝕或避免使該繞線150暴露于化學(xué)蝕刻溶液中。該金屬柱170包含相對應(yīng)的第一平面172、第二平面174及錐面176(taperedsidewalls)，其中，該金屬柱170的第一平面172建構(gòu)于該金屬基板120的第一主要平面第一主要平面122的未蝕刻部分上，該金屬柱170的第二平面174建構(gòu)于該金屬基板120內(nèi)的凹口130的未蝕刻部分。因此該第一平面172朝向上，該第二平面174朝向下。該第一平面172與該繞線150接觸并面向該繞線150，且與該金屬壁132隔離，而該第二平面174與該金屬壁132接觸并面向該金屬壁132，但與該繞線150隔離。此外，該第一平面172為平坦的，并與該半導(dǎo)體芯片110的第一平面112及第二平面114及繞線150平行，而該第二平面174沿著該金屬壁132的輪廓。該錐面176與該第一平面172及第二平面174鄰接，并朝向該第二平面174往內(nèi)部傾斜。該金屬柱170為一圓錐形，其介于第一平面172與第二平面174間的高度為70微米，于該第一平面172向下延伸時(從該第一平面172朝向第二平面174)，其直徑逐漸地縮小。該第一平面172為圓形，其直徑為250微米，而該第二平面174亦為圓形，其直徑為200微米。該第一平面172及第二平面174與金屬壁132、焊接層142及較大圓形部分154等呈垂直地排列。因此該第二平面174被置于該金屬壁132、焊接層142、較大圓形部分154及第一平面172的表面區(qū)域內(nèi)。而且該第一平面172的表面區(qū)域比該第二平面174的表面區(qū)域至少大20％。該金屬柱170被置于該半導(dǎo)體芯片110的邊緣外，并被置于該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、黏著劑164、連接部166及密封劑168于向下方向，且從該金屬壁132及焊接層142向上延伸。而該半導(dǎo)體芯片110從該繞線150、焊接屏蔽156、黏著劑164及金屬柱170向上延伸，該繞線被置于該金屬壁132、焊接層142及金屬柱170于向上方向，并從該金屬壁132、焊接層142及金屬柱170橫向延伸，且朝向該半導(dǎo)體芯片110，該密封劑168覆蓋該半導(dǎo)體芯片110、金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156、黏著劑164、連接部166及金屬柱170，并從該半導(dǎo)體芯片110、金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156、黏著劑164、連接部166及金屬柱170向上延伸。該密封劑168對該繞線150及金屬柱170提供機械支撐，減少于該黏著劑164上的機械張力，于該金屬基板120被蝕刻形成該金屬柱170之后特別地有用。該密封劑168保護該繞線150及金屬柱170于化學(xué)蝕刻及蒸餾水清洗時避免機械損害。例如該密封劑168吸收于化學(xué)蝕刻及蒸餾水清洗時的物理力量，因于化學(xué)蝕刻及蒸餾水清洗時能使該半導(dǎo)體芯片110與該繞線150分離。因此，該密封劑168增加結(jié)構(gòu)的完整性，并可于化學(xué)蝕刻及蒸餾水清洗被使用更堅固地，進而提高生產(chǎn)率。該導(dǎo)電跡線180包括金屬壁132、焊接層142、繞線150、電鍍接點162及金屬柱170。該導(dǎo)電跡線180適合提供水平及垂直方向的通路于導(dǎo)電接腳116與下一層次構(gòu)裝間。請參閱圖23a、圖23b及圖23c所示，為本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該絕緣基板182一開始為一膏狀的環(huán)氧樹脂，其包括一環(huán)氧樹脂、一硬化劑、一加速劑及一填充劑，其中該填充劑為一惰性材料，如硅土(silica)為粉末溶化狀的石英，增進熱傳導(dǎo)性、抗熱沖擊性(thermalshockresistance)及熱膨脹系數(shù)的一致性。該環(huán)氧樹脂膏(epoxypaste)沉積于該金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170上，然后該環(huán)氧樹脂膏于相對低溫下硬化形成一固態(tài)黏著絕緣體，其相對低溫的范圍介于100度至250度，并可提供該繞線150及金屬柱170一具保護的密封層(aprotectiveseal)。該絕緣基板182與該金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170接觸并覆蓋該金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170，且從該金屬壁132、焊接層142、繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170向下延伸，而覆蓋該半導(dǎo)體芯片110、電鍍接點162、連接部166及密封劑168，但與該半導(dǎo)體芯片110、電鍍接點162、連接部166及密封劑168隔離。該絕緣基板182的厚度為200微米。因此該絕緣基板182從金屬壁132、焊接層142、繞線150及金屬柱170向下延伸，并使該金屬壁132、焊接層142、繞線150及金屬柱170未暴露的。請參閱圖24a、圖24b及圖24c所示，為本發(fā)明的絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該絕緣基板182的較低部分是通過研磨方法被移除。特別地，一旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水被用于該絕緣基板182的背面。一開始，該鉆石砂輪只對該絕緣基板182研磨，當持續(xù)研磨時，使該絕緣基板182變薄于該被研磨的表面向上遷移時。然后該鉆石砂輪與該焊接層142接觸，所以開使研磨該焊接層142。當持續(xù)研磨時，使該絕緣基板182及焊接層142同時變薄在其被研磨的表面向上遷移時。然而該鉆石砂輪接觸該金屬壁132，因此開使研磨該金屬壁132。當持續(xù)研磨時，使該金屬壁132、焊接層142及絕緣基板182變薄于在其被研磨的表面向上遷移時。持續(xù)研磨直到該該金屬壁132、焊接層142及絕緣基板182達到所需要的厚度及于接觸到該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164、連接部166、密封劑168或金屬柱170前即停止研磨，之后，將整體結(jié)構(gòu)用蒸餾水清洗并除去污染物。當研磨處理完之后，該金屬壁132、焊接層142及絕緣基板182從該金屬柱170向下延伸70微米。因此研磨處理移除10微米厚的金屬壁132較低部分，移除40微米厚的焊接層142較低部分，以及移除60微米該絕緣基板182較低部分。經(jīng)上述過程后，該半導(dǎo)體芯片110仍被嵌入該密封劑168內(nèi)，該金屬柱170被嵌入該絕緣基板182內(nèi)，而該繞線150及金屬柱170仍未被暴露，以及該金屬壁132及焊接層被暴露。該絕緣基板182覆蓋該半導(dǎo)體芯片110、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166未與該半導(dǎo)體芯片110、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166，并從該半導(dǎo)體芯片110、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166向下延伸，但與該半導(dǎo)體芯片110、電鍍接點162、黏著劑164及連接部166隔離；而與該繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170接觸，并從該繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170向下延伸，與該金屬壁132接觸但與該焊接層142隔離。該絕緣基板182與該繞線150、焊接屏蔽156、密封劑168及金屬柱170于向下方向有部分重迭，然而該絕緣基板182不再覆蓋該繞線150、焊接屏蔽156、密封劑168或金屬柱170于向下方向。而且該金屬壁132、焊接層142及絕緣基板182被橫向相互排列于一朝向下的平面上。因此該金屬壁132、焊接層142及絕緣基板182為一被暴露的水平面，該平面朝向下。請參閱圖25a、圖25b及圖25c所示，為本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該錫球184起初為一無鉛球并為一球狀，其直徑為300微米，該無鉛球被浸泡于助熔劑中，并提供該錫球184具有流動表面涂層，其圍繞著該無鉛球。然后將整體結(jié)構(gòu)倒轉(zhuǎn)，使該焊接層142朝向上，而該錫球184被沉積于該焊接層142上。該錫球184附著于該焊接層142上并不穩(wěn)固，因為該錫球184的流動表面涂層。為了圖示及說明方便，該錫球184繪于該焊接層142下方，保持與前圖同一方向以便進行比對，雖然整體結(jié)構(gòu)顛倒，但通過重力使該錫球184黏著于該焊接層上。請參閱圖26a、圖26b及圖26c所示，為本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接端186(Solderterminal)包括該焊接層142及錫球184并由該焊接層142及錫球184而被形成。首先，該錫球184置于該焊接層142上。然后，整體結(jié)構(gòu)被加熱至一溫度，其溫度約為260度。進行加熱造成于該錫球184上的助熔劑產(chǎn)生反應(yīng)，并從該焊接層142上移除氧化物，且使該焊接層142及錫球184被融化。因此使該焊接層142及錫球184一起回流成一被融化錫料混合物及產(chǎn)生錫料回流。而該絕緣基板182不提供一可使該錫料回流容易的濕表面。所以該錫料回流被該金屬壁132局限。之后，停止加熱使該被融化的錫料冷卻凝固硬化形成焊接端186。在這方法中，將該焊接層142及錫球184被轉(zhuǎn)換為焊接端186。因此該焊接層142及焊接端186依順序被形成。該金屬壁132被鍍于金屬基板120，然后該錫膏140被沉積于金屬壁132上并于回流時形成該焊接層142，接著該錫球184被沉積于該焊接層142上，然后該焊接層142及錫球184被一起回流形成該焊接端186。該焊接端186的直徑為400微米，其向下方向相對于金屬壁132及絕緣基板182的厚度為50微米，并填滿該孔洞134，且與該金屬壁132、較大圓形部分154及金屬柱170呈垂直地排列。該焊接端186與該金屬壁132接觸并與其電連接，但非與該金屬壁132整合為一體，且只與該金屬壁132及該孔洞134內(nèi)的金屬壁132接觸。因此該焊接端186與該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164、連接部166、密封劑168、金屬柱170及絕緣基板182隔離，并從該半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164、連接部166、密封劑168、金屬柱170及絕緣基板182向下延伸。而且該焊接端186往該孔洞134的內(nèi)部及外部延伸，并覆蓋該金屬壁132及金屬柱170于向下方向，但不被該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的任何材料覆蓋于向下方向。同樣地，該焊接端186往該絕緣基板182內(nèi)延伸的整體部分只與該金屬壁132有接觸，并被該金屬壁覆蓋于向上方向，且于該孔洞134內(nèi)。該焊接端186提供一堅固的電力接點可與該金屬壁132連接，及接觸端于外部電路上。有助于該焊接端186延伸至該金屬壁132于該絕緣基板182內(nèi)，且可避免與該開136于一橫向平面上的高壓邊界接觸，該開136是在該絕緣基板182的主要暴露表面上并朝向下方向，因此可減少錫料分離并增進可靠度。經(jīng)由上述，該導(dǎo)電跡線180包括金屬壁132、繞線150、電鍍接點162、金屬柱170及焊接端186。為了圖示及說明方便，該焊接端186繪于該半導(dǎo)體芯片的下方，并維持與前圖相同方向為了方便比對，雖然整體結(jié)構(gòu)顛倒，于該焊接端186的形成時，通過重力幫助錫料回流。請參閱圖27a、圖27b及圖27c所示，為本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示經(jīng)上述過程該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)198包括半導(dǎo)體芯片110、金屬壁132、繞線150、焊接屏蔽156、電鍍接點162、黏著劑164、連接部166、密封劑168、金屬柱170、絕緣基板182及焊接端186所構(gòu)成。該半導(dǎo)體芯片110從該導(dǎo)電跡線180向上延伸，并與該絕緣基板182于向上方向有部分重迭，但并沒有與該導(dǎo)電跡線180于向上方向重迭。因此該導(dǎo)電跡線180被置于該半導(dǎo)體芯片110的邊緣外。該金屬壁132從該焊接端186向上延伸，并具有固定厚度，且只與金屬柱170、絕緣基板182及焊接端186接觸。該孔洞134被置于該絕緣基板182內(nèi)，并被該焊接端186填滿。該繞線150與該半導(dǎo)體芯片110機械地連接是通過黏著劑164，并與該半導(dǎo)體芯片110電連接是通過該連接部166，且從該金屬壁132、金屬柱170及焊接端186橫向延伸，而朝向半導(dǎo)體芯片110，該繞線150為平坦且平行于半導(dǎo)體芯片110的第一平面112及第二平面114。該密封劑168覆蓋該半導(dǎo)體芯片110、焊接屏蔽156、黏著劑164、連接部166、導(dǎo)電跡線180及絕緣基板182于向上方向。該金屬柱170被繞線150覆蓋于向上方向，而被該金屬壁132及焊接端186覆蓋于向下方向。雖然該金屬柱170未被暴露，并與該金屬壁132、絕緣基板182及焊接端186于向下方向有部分重迭，該金屬柱170不被該密封劑168、絕緣基板182或任何絕緣材質(zhì)于半導(dǎo)體芯片封裝覆蓋于向下方向。該絕緣基板182與該金屬壁132、繞線150、焊接屏蔽156及金屬柱170接觸，并從金屬壁132及焊接端186向上延伸，且從半導(dǎo)體芯片110、繞線150、焊接屏蔽156、連接部166、密封劑168及金屬柱170向下延伸。該金屬壁132、金屬柱170及焊接端186從該繞線150向下擴展，但不覆蓋該繞線150于向下方向。該金屬壁132橫向繞該焊接端186延伸至該絕緣基板182內(nèi)的整體部分外圍旋轉(zhuǎn)360度，而該絕緣基板182橫向繞該金屬壁132外圍旋轉(zhuǎn)360度。該密封劑168及絕緣基板182對該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)198提供機械支撐及環(huán)境保護。該連接部166提供水平繞線及垂直繞線于導(dǎo)電接腳116與外部電路間，并提供水平輸出繞線(horizontalfan-outrouting)該繞線150是在導(dǎo)電接腳116與外部電路間，但不提供垂直繞線，該金屬柱170及焊接端186提供垂直繞線于導(dǎo)電接腳116與外部電路間，但不提供水平繞線，而該金屬壁132及電鍍接點162不提供水平繞線或垂直繞線于導(dǎo)電接腳116與外部電路間。同樣地，該金屬壁132不提供繞線于焊接端186與任何導(dǎo)電體間。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為一單芯片第一層次構(gòu)裝。因此該半導(dǎo)體芯片110為該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的唯一芯片，被嵌入該密封劑168內(nèi)。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)包含其它導(dǎo)電跡線，并被嵌入于該焊接屏蔽156、密封劑168及絕緣基板182內(nèi)，于圖中只繪制一導(dǎo)電跡線180使圖示及說明方便。每一導(dǎo)電跡線相互隔離并具電力。每一導(dǎo)電跡線皆包含各自的金屬壁、繞線、電鍍接點、金屬柱及焊接端，并通過各自的連接部使該半導(dǎo)體芯片110的導(dǎo)電接腳與導(dǎo)電跡線間電連接，且提供水平輸出繞線及垂直繞線給各自的導(dǎo)電接腳。而且每一導(dǎo)電跡線具有一向下凸出的焊接端，提供球格式陣列構(gòu)裝。該半導(dǎo)體芯片110包含導(dǎo)電接腳，但與其它零件具電力地隔離。然而一開始該相應(yīng)的繞線被鍍于金屬基板，并通過該金屬基板使該繞線與其它零件間電連接。而且該連接部使該繞線及相應(yīng)的導(dǎo)電接腳間電連接，因此該導(dǎo)電接腳可與其它零件電連接。然后，一旦該金屬基板被蝕刻形成金屬柱，該繞線與其它零件具電力地隔離，所以該導(dǎo)電接腳與其它零件具電力地隔離。所以于該金屬基板120被蝕刻形成金屬柱后，無電鍍總線或相關(guān)電路可與導(dǎo)電跡線連接。該圖28a至圖54c制造該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的過程第二實施例。于該第二實施例中，該焊接層被形成于該密封劑被形成后才形成。為了簡化的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第二實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，但第二實施例中組件佰位數(shù)用“2”表示而第1實施例中組件佰位數(shù)用“1”表示，如半導(dǎo)體芯片210對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線250對應(yīng)于繞線150…等。請參閱圖28a、圖28b及圖28c所示，為本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該半導(dǎo)體芯片210包含第一平面212及第二平面214。該第一平面212包含導(dǎo)電接腳216及鈍化層218。請參閱圖29a、圖29b及圖29c所示，為本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬基板220包含第一平面222及第二平面224。請參閱圖30a、圖30b及圖30c所示，為本發(fā)明的光阻層與金屬基板的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的光阻層與金屬基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的光阻層與金屬基板的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第一光阻層226及第二光阻層228形成于該金屬基板220上。該第二光阻層228包含一開口及使該第二平面224局部暴露，該第一光阻層226未具圖案。請參閱圖31a、圖31b及圖31c所示，為本發(fā)明的具凹口的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的具凹口的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的具凹口的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該凹口230被形成于該金屬基板220內(nèi)。請參閱圖32a、圖32b及圖32c所示，為本發(fā)明的具金屬壁的金屬基板結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的具金屬壁的金屬基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的具金屬壁的金屬基板結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬壁232被形成于該金屬基板220上。請參閱圖33a、圖33b及圖33c所示，為本發(fā)明的第一光阻層及第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第一光阻層及第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第一光阻層及第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示是在第一光阻層226及第二光阻層228剝落后該金屬基板220及金屬壁232的結(jié)構(gòu)示意。請參閱圖34a、圖34b及圖34c所示，為本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層形成于金屬基板后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第三光阻層244及第四光阻層246形成于金屬基板220上。該第三光阻層244包含一開口及使該金屬基板220的第一平面222具局部暴露部分，該第四光阻層246未具有圖案。請參閱圖35a、圖35b及圖35c所示，為本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該繞線250是通過電鍍使其被鍍于該金屬基板220上。請參閱圖36a、圖36b及圖36c所示，為本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示為該第三光阻層244及第四光阻層246剝落后，該金屬基板220、金屬壁232及繞線250的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖37a、圖37b及圖37c所示，為本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接屏蔽256被形成于該金屬基板220及繞線250上。請參閱圖38a、圖38b及圖38c所示，為本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第五光阻層258及第六光阻層260被形成于該結(jié)構(gòu)上。其中該第五光阻層258被形成于繞線250及焊接屏蔽256上，該第六光阻層260被形成于該金屬基板220及金屬壁232上。該第五光阻層258及第六光阻層260利用一種干式薄膜層壓技術(shù)分別壓印于相對應(yīng)的平面上。該第五光阻層258包含一開口及使該繞線250具局部暴露部分，該第六光阻層未具有圖案。請參閱圖39a、圖39b及圖39c所示，為本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該電鍍接點262是通過電鍍被鍍于該繞線250上。請參閱圖40a、圖40b及圖40c所示，為本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示是在第五光阻層258及第六光阻層260剝落后，該金屬基板220、金屬壁232、繞線250及電鍍接點262的結(jié)構(gòu)示意。請參閱圖41a、圖41b及圖41c所示，為本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該黏著劑264形成于該焊接屏蔽256上。請參閱圖42a、圖42b及圖42c所示，為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該半導(dǎo)體芯片210是通過該黏著劑264附著于結(jié)構(gòu)上，其結(jié)構(gòu)包含金屬基板220、金屬壁232、繞線250、焊接屏蔽256及電鍍接點262。請參閱圖43a、圖43b及圖43c所示，為本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該連接部266形成于該導(dǎo)電接腳216及電鍍接點262上。請參閱圖44a、圖44b及圖44c所示，為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該密封劑268形成于半導(dǎo)體芯片210、繞線250、焊接屏蔽256、電鍍接點262、黏著劑264及連接部266上。請參閱圖45a、圖45b及圖45c所示，為本發(fā)明的模板覆蓋于金屬基板的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的模板覆蓋于金屬基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的模板覆蓋于金屬基板的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該模板238覆蓋于該金屬基板220上。請參閱圖46a、圖46b及圖46c所示，為本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該錫膏240沉積于金屬壁232上。請參閱圖47a、圖47b及圖47c所示，為本發(fā)明的移去模板后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的移去模板后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的移去模板后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該模板238從該金屬基板220移除。請參閱圖48a、圖48b及圖48c所示，為本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接層242由該錫膏240形成。該金屬壁232提供一濕表面使該錫料容易流動，然而該金屬基板220不提供。因此該錫料只于該金屬壁232內(nèi)流動。請參閱圖49a、圖49b及圖49c所示，為本發(fā)明的金屬柱于金屬基板上形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬柱于金屬基板上形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬柱于金屬基板上形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬柱270由該金屬基板220形成。請參閱圖50a、圖50b及圖50c所示，為本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該絕緣基板282形成于金屬壁232、焊接層242、繞線250、焊接屏蔽256及金屬柱270上。請參閱圖51a、圖51b及圖51c所示，為本發(fā)明的部分絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的部分絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的部分絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示是在部分絕緣基板282被移除后的結(jié)構(gòu)示意。請參閱圖52a、圖52b及圖52c所示，為本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該錫球284形成于焊接層242上。請參閱圖53a、圖53b及圖53c所示，為本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接端286由焊接層242與錫球284所形成。請參閱圖54a、圖54b及圖54c所示，為本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示利用一刀片將該焊接屏蔽256、密封劑268及絕緣基板282切割成半導(dǎo)體芯片封裝。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)298包含半導(dǎo)體芯片210、金屬壁232、繞線250、焊接屏蔽256、電鍍接點262、黏著劑264、連接部266、密封劑268、金屬柱270、絕緣基板282及焊接端286。從圖55a至圖81c為本發(fā)明的第三實施例，為該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作過程。與的前實施例比較在第三實施例中該金屬壁及焊接層是在密封劑形成后才形成，以及少去金屬柱。請參閱圖55a、圖55b及圖55c所示，為本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該半導(dǎo)體芯片310包含第一平面312及第二平面314。該第一平面312包含導(dǎo)電接腳316及鈍化層318。請參閱圖56a、圖56b及圖56c所示，為本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬基板結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬基板320包含第一平面322及第二平面324。請參閱圖57a、圖57b及圖57c所示，為本發(fā)明的光阻層與金屬基板的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的光阻層與金屬基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的光阻層與金屬基板的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第三光阻層344及第四光阻層346形成于該金屬基板320上。該第四光阻層346包含一開口及使該第一平面322局部暴露，該第三光阻層344未印有圖案。請參閱圖58a、圖58b及圖58c所示，為本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的繞線附于金屬基板時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該繞線350是通過電鍍使其被鍍于該金屬基板320上。請參閱圖59a、圖59b及圖59c所示，為本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第三光阻層及第四光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示為該第三光阻層344及第四光阻層346剝落后，該金屬基板320及繞線350的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖60a、圖60b及圖60c所示，為本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的焊接屏蔽于金屬基板及繞線時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接屏蔽356被形成于該金屬基板320及繞線350上。請參閱圖61a、圖61b及圖61c所示，為本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該第五光阻層358及第六光阻層360被形成于該結(jié)構(gòu)上。其中該第五光阻層358被形成于繞線350及焊接屏蔽356上，該第六光阻層360被形成于該金屬基板320上。該第五光阻層358包含一開口及使該繞線350具局部暴露部分，該第六光阻層未印有圖案。請參閱圖62a、圖62b及圖62c所示，為本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的電鍍接點形成于繞線后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該電鍍接點362是通過電鍍被鍍于該繞線350上。請參閱圖63a、圖63b及圖63c所示，為本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五光阻層及第六光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示是在第五光阻層358及第六光阻層360剝落后，該金屬基板320、繞線350及電鍍接點362的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖64a、圖64b及圖64c所示，為本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的黏著劑形成于焊接屏蔽后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該黏著劑364形成于該焊接屏蔽356上。請參閱圖65a、圖65b及圖65c所示，為本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該半導(dǎo)體芯片310是通過該黏著劑364附著于結(jié)構(gòu)上，其結(jié)構(gòu)包含金屬基板320、繞線350、焊接屏蔽356及電鍍接點362。請參閱圖66a、圖66b及圖66c所示，為本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的連接部附于導(dǎo)電接腳及電鍍接點時的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該連接部366形成于該導(dǎo)電接腳316及電鍍接點362上。請參閱圖67a、圖67b及圖67c所示，為本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的剖面示意圖、本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的俯視示意圖及本發(fā)明具密封劑結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。如圖所示該密封劑368形成于半導(dǎo)體芯片310、繞線350、焊接屏蔽356、電鍍接點362、黏著劑364及連接部366上。請參閱圖68a、圖68b及圖68c所示，為本發(fā)明的第二光阻層形成于金屬基板的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第二光阻層形成于金屬基板的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第二光阻層形成于金屬基板的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該328形成于該金屬基板320上。該第二光阻層328包含一開口，其開口直徑為200微米及使該第二平面324局部暴露。請參閱圖69a、圖69b及圖69c所示，為本發(fā)明的具凹口的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的具凹口的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的具凹口的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該穿孔330為穿過該金屬基板320。該穿孔330由化學(xué)蝕刻溶液對該金屬基板320的第二主要平面324局部暴露部分進行蝕刻，并利用該第二光阻層328為其蝕刻屏蔽。該底部噴嘴將化學(xué)蝕刻溶液噴射于金屬基板320上，當頂部噴嘴不被使用或整體架構(gòu)浸于化學(xué)蝕刻溶液時，而該密封劑368可保護前側(cè)，該化學(xué)蝕刻溶液為高選擇性的銅，并將該金屬基板320蝕刻穿透。所以該穿孔330穿透該金屬基板320，其介于該金屬基板320的第一平面322與第二平面324之間，并使該繞線350暴露。該穿孔330于第一平面322上的直徑為300微米，其深度為150微米。因此，該穿孔330與第一實施例的口130形成方法相同，除了該化學(xué)蝕刻應(yīng)用時間較長使該金屬基板320蝕刻穿透之外。一種適合的化學(xué)蝕刻溶液為堿性的氨水。將該金屬基板320浸于化學(xué)蝕刻溶液中的理想的蝕刻時間須反復(fù)試驗，為了形成具適當直徑的穿孔330。請參閱圖70a、圖70b及圖70c所示，為本發(fā)明的具金屬壁的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的具金屬壁的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的具金屬壁的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬壁332被形成于該金屬基板320及繞線350上。該金屬壁332于凹口330中與該金屬基板320及繞線350具電力的連接，但非整體與該金屬基板320及繞線350接合。請參閱圖71a、圖71b及圖71c所示，為本發(fā)明的模板覆蓋于第二光阻層的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的模板覆蓋于第二光阻層的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的模板覆蓋于第二光阻層的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該模板338覆蓋于該第二光阻層328上。請參閱圖72a、圖72b及圖72c所示，為本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫膏沉積于金屬壁的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該錫膏340沉積于金屬壁332上。請參閱圖73a、圖73b及圖73c所示，為本發(fā)明的移去模板后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的移去模板后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的移去模板后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該模板338從該第二光阻層328移除。請參閱圖74a、圖74b及圖74c所示，為本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫膏形成焊接層后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接層342由該錫膏340形成。請參閱圖75a、圖75b及圖75c所示，為本發(fā)明的第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第二光阻層剝落后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示是在第二光阻層328剝落后，該半導(dǎo)體芯片310、金屬基板320、金屬壁332、焊接層342、繞線350、電鍍接點362、黏著劑364、連接部366及密封劑368的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖76a、圖76b及圖76c所示，為本發(fā)明的金屬基板移除后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的金屬基板移除后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的金屬基板移除后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬基板320由一種背邊式濕式化學(xué)蝕刻溶液對該第二主要平面324、金屬壁332及焊接層342進行蝕刻。如該底部噴嘴將化學(xué)蝕刻溶液噴射于金屬基板320上，當頂部噴嘴不被使用或整體架構(gòu)浸于化學(xué)蝕刻溶液時，而該密封劑368可保護前側(cè)，當銅對鎳、錫料、環(huán)氧樹脂及注模材料時適用該濕式化學(xué)蝕刻，所以，該金屬基板320對該金屬壁332、焊接層342、該繞線350的鎳層、焊接屏蔽356及密封劑368時采用該濕式化學(xué)蝕刻。該濕式化學(xué)蝕刻將該金屬基板蝕刻并移除。所以，該濕式化學(xué)蝕刻移除該金屬壁332、繞線350及焊接屏蔽356與該金屬基板320間所接觸的區(qū)域。因此，該金屬基板320被移除與第一實施例的金屬基板120被蝕刻形成金屬柱170的方法相同，除了該化學(xué)蝕刻應(yīng)用時間較長使該金屬基板320蝕刻移除之外。一種適合的化學(xué)蝕刻溶液為堿性的氨水。將該金屬基板320浸于化學(xué)蝕刻溶液中的理想的蝕刻時間須反復(fù)試驗，為了可移除該金屬基板320但不使該金屬壁332及繞線350暴露于化學(xué)蝕刻溶液中。請參閱圖77a、圖77b及圖77c所示，為本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的絕緣基板形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該絕緣基板382形成于金屬壁332、焊接層342、繞線350及焊接屏蔽356上。請參閱圖78a、圖78b及圖78c所示，為本發(fā)明的部分絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的部分絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的部分絕緣基板移除后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示是在部分絕緣基板382被移除后的結(jié)構(gòu)示意。請參閱圖79a、圖79b及圖79c所示，為本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的錫球形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該錫球384形成于焊接層342上。請參閱圖80a、圖80b及圖80c所示，為本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的焊接端形成后的結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該焊接端386由焊接層342與錫球384所形成。請參閱圖81a、圖81b及圖81c所示，為本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示該金屬壁332只與繞線350、絕緣基板382及焊接層386接合，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)沒有金屬柱。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)398包含半導(dǎo)體芯片310、金屬壁332、繞線350、焊接屏蔽356、電鍍接點362、黏著劑364、連接部366、密封劑368、絕緣基板382及焊接端386。請參閱圖82a、圖82b及圖82c所示，為本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第四實施例中，該半導(dǎo)體芯片為覆晶接合。首先該連接部466為一焊錫凸塊(asolderbump)沉積于該導(dǎo)電接腳416上，該焊錫凸塊為一半球體，其直徑為100微米。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第四實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片410對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線450對應(yīng)于繞線150…等。該繞線450于該半導(dǎo)體芯片410的周圍擴展延伸。因此該長形繞線部分(相對于第一實施例中組件標號152)加長。進一步調(diào)整第一實施例中的經(jīng)電鍍形成的繞線150。特別地，該第三光阻層(相對于第一實施例的第三光阻層144)具有圖案并重新形成一開口于繞線450上，因此該繞線450比第一實施例的繞線150變得更長。該電鍍接點(相對于第一實施例的電鍍接點162)被省略。該半導(dǎo)體芯片410的第一平面412面向下，其第二平面412面向上，該繞線450向側(cè)面延伸經(jīng)過導(dǎo)電接腳416，該連接部466介于導(dǎo)電接腳416與繞線450之間并與其接觸。然后進行加熱使該連接部466產(chǎn)生流動，停止加熱使該連接部466冷卻凝固形成一硬化的焊接點可附著于該導(dǎo)電接腳416及繞線450并使該導(dǎo)電接腳416及繞線450間電連接。該連接部466有局部性潤濕但不致于倒塌，而該半導(dǎo)體芯片410與該繞線450隔離。之后，該黏著劑464填入半導(dǎo)體芯片410及焊接屏蔽456之間，然后使該黏著劑464硬化。所以該黏著劑464被夾于半導(dǎo)體芯片410及焊接屏蔽456間并與該半導(dǎo)體芯片410及焊接屏蔽456接合，亦與該連接部466接合，未與該導(dǎo)電接腳416接觸。因此該黏著劑464與第一實施例的黏著劑164較厚。一種合適的黏著劑為NamicsU8443。該密封劑468、金屬柱470、絕緣基板482及焊接端486被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)498包含半導(dǎo)體芯片410、金屬壁432、繞線450、焊接屏蔽456、黏著劑464、連接部466、密封劑468、金屬柱470、絕緣基板482及焊接端486。請參閱圖83a、圖83b及圖83c所示，為本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第五實施例中，該連接部經(jīng)電鍍所形成。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第五實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片510對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線550對應(yīng)于繞線150…等。該導(dǎo)電接腳516可容納一電鍍銅的連接部，是通過形成一鎳表面層于該鋁基板上。如該半導(dǎo)體芯片510被浸泡于一鋅溶液，使一鋅層沉積于鋁基板上。該方法為鋅化(zincation)。該鋅溶液包含150克/公升的氫氧化鈉、25克/公升的氧化鋅及1克/公升的亞硝酸鈉，就像酒石酸可減少該鋁基板的分解速率。然后該鎳表面層無電地沉積于經(jīng)鋅化的鋁基板。一種合適的無電鎳電鍍?nèi)芤簽橛跀z氏85度下的EnthoneEnplateNI-424。該繞線550是在于該半導(dǎo)體芯片510的邊緣內(nèi)及邊緣外延伸。因此該長形繞線部分(相對于第一時施例中的長形繞線部分152)變得更長，是通過對于第一實施例中繞線由電鍍形成的處理過程作輕微地調(diào)整。該第三光阻層(相對于第一時施例中的第三光阻層144)印有圖案并重新形成一開口于繞線550，使該繞線550比第一實施例中的繞線150變得更長。該金屬基板(相對于第一時施例中的金屬基板120)被蝕刻形成一第二背側(cè)凹口(圖中未示)，該電鍍接點(相對于第一時施例中的電鍍接點162)被刪除，該黏著劑564沉積于該繞線550及焊接屏蔽556上。該半導(dǎo)體芯片510被倒裝，其中該第一平面512朝向下方及該第二平面514朝向上，該黏著劑564與該導(dǎo)電接腳516及繞線550接觸，并被夾于該導(dǎo)電接腳516與繞線550間，并與該導(dǎo)電接腳516與繞線550互有接觸，于該導(dǎo)電接腳516與繞線550間的厚度為5微米，該繞線550與導(dǎo)電接腳516有部分重迭。接著，該密封劑568被形成，然后該金屬基板再被蝕刻轉(zhuǎn)換該第二背側(cè)凹口為一狹槽(slot)(圖中未示)，該狹槽延伸并穿透該金屬基板，使該焊接屏蔽556暴露，并與該導(dǎo)電接腳516呈垂直排列。然后，該穿孔565(through-hole)被形成于該焊接屏蔽556及黏著劑564內(nèi)，并使該導(dǎo)電接腳516暴露。當該焊接屏蔽556及黏著劑564對該導(dǎo)電接腳516及繞線550時采用合適的蝕刻方法形成穿孔565。在這實施例中選用一種aTEACO2激光蝕刻方法。該激光是指向該導(dǎo)電接腳516，并于該導(dǎo)電接腳516垂直對齊并集中于該導(dǎo)電接腳516。該激光具有一光點，其大小為70微米，該導(dǎo)電接腳516的長度及寬度為100微米。該激光擊中該導(dǎo)電接腳516及部分的繞線550，該焊接屏蔽556及黏著劑564是在該導(dǎo)電接腳516的邊緣內(nèi)延伸，并融化該焊接屏蔽556及黏著劑564。該激光鉆穿該部分的焊接屏蔽556及黏著劑564，并移除部分的焊接屏蔽556及黏著劑564。然而部分的焊接屏蔽556及黏著劑564延伸經(jīng)過該導(dǎo)電接腳516的邊緣，但于該激光能接觸的范圍外。同樣地，該繞線550于激光蝕刻中可保護一部分的黏著劑564，該一部分的黏著劑564被夾于該導(dǎo)電接腳516及繞線550之間并相互接合。該激光蝕刻非等向性，所以有小部分的黏著劑564被夾于導(dǎo)電接腳516及繞線550之間被移除或切除。該穿565能輕微地切除于該導(dǎo)電接腳516與繞線550間的黏著劑564，因該激光束的角度、激光的溫度及等離子氧的等向性或化學(xué)清洗方式，使該穿565的直徑稍大于70微米。為了說明方便，有稍微的切割及擴張被省略。然后該凹口565的形成沒有對該半導(dǎo)體芯片510或繞線550產(chǎn)生損害，亦沒延伸至該半導(dǎo)體芯片510內(nèi)部。然后利用簡短的清洗步驟使該導(dǎo)電接腳516及繞線550暴露的部分可移除氧化物及碎片。如一種簡短的等離子氧清洗方法應(yīng)用于結(jié)構(gòu)上，或者選擇一種利用具高錳酸鉀溶液的簡短的化學(xué)清洗方法應(yīng)用于結(jié)構(gòu)上。上述的清洗方法皆能清洗導(dǎo)電接腳516及繞線550暴露的部分，并不損害整體結(jié)構(gòu)。該連接部566是通過電鍍而被形成，首先該金屬基板連接至一電鍍總線(圖中未示)，該電鍍總線使用外部電源，整體結(jié)構(gòu)被浸于一電解銅電鍍?nèi)芤海淙芤喝缬谑覝氐腟el-RexCUBATHMTM。所以該連接部566鍍于該金屬基板暴露的部分。另外從該電鍍總線提供電流給金屬基板，所以該金屬基板將提供電流給繞線550，該連接部566鍍于穿孔565內(nèi)繞線550暴露的部分。于這階段一開始，從該黏著劑564為一絕緣體，而該導(dǎo)電接腳516并未與電鍍總線連接，該連接部566未鍍于導(dǎo)電接腳516上，并與該導(dǎo)電接腳516隔離。然而，當持續(xù)進行銅電鍍時，該連接部566持續(xù)鍍于繞線550上，并往黏著劑564延伸穿透，最后與該導(dǎo)電接腳516接觸。該導(dǎo)電接腳516被連接至該電鍍總線是通過該金屬基板、繞線550及連接部566，所以該連接部566開始可鍍于導(dǎo)電接腳516上。持續(xù)進行銅電鍍直到該連接部566達到所需要的厚度。然后將整體結(jié)構(gòu)從電解銅電鍍?nèi)芤阂瞥?，并用蒸餾水清洗去除污染物。接著該絕緣塞569(insulativeplug)被形成于焊接屏蔽556及連接部566上，并沉積于狹槽中，然后該金屬壁570，絕緣基板582及焊接端586被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)598包含半導(dǎo)體芯片510、金屬壁532、繞線550、焊接屏蔽556、黏著劑564、連接部566、密封劑568、絕緣塞569、金屬柱570、絕緣基板582及焊接端586。請參閱圖84a、圖84b及圖84c所示，為本發(fā)明的第六實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第六實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第六實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第六實施例中該連接部為無電電鍍。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第六實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片610對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線650對應(yīng)于繞線150…等。該導(dǎo)電接腳616包含一鎳層，與第五實施例中的導(dǎo)電接腳516形成方法相同，該繞線650與第五實施例中的繞線550形成方法相同，該黏著劑664沉積于繞線650及焊接屏蔽656與第五實施例中的黏著劑564沉積于繞線550及焊接屏蔽556形成方法相同，該電鍍接點(相對于第一實施例中的電鍍接點162)被省略。該半導(dǎo)體芯片610被倒裝，其中該第一平面612于下方及該第二平面614于上方，該黏著劑664介于該導(dǎo)電接腳616與繞線650之間，并與該導(dǎo)電接腳516與繞線550互有接觸，其間的厚度為5微米，該繞線650與導(dǎo)電接腳616有部分重迭。接著，該密封劑668被形成，然后該金屬基板被蝕刻形成一金屬柱670。接著，該穿孔656被形成于該焊接屏蔽656及黏著劑664內(nèi)，并使該導(dǎo)電接腳616暴露。該穿孔665與第五實施例中的凹口565形成方法相同。接著，該連接部666是通過電鍍而被形成。整體結(jié)構(gòu)被浸于一電解鎳電鍍?nèi)芤?，其溶液如于攝氏85度的EnthoneEnplateNI-424。較好的電解鎳電鍍?nèi)芤喊蛩徭?nickel-sulfate)及氯化鎳(nickel-chloride)，其溶液的pH值約介于9.5至10.5之間。具高濃度的電解鎳電鍍?nèi)芤杭涌祀婂兯俾?afasterplatingrate)，但降低該溶液的穩(wěn)定性。該溶液中具一定數(shù)量的螫合劑(chelatingagents)或配位體(ligands)依據(jù)鎳的濃度及它們的化學(xué)結(jié)構(gòu)、功能性及當量。大部分的螫合劑被用于無電鎳電鍍?nèi)芤簽橛袡C羥基酸(hydroxyorganicacids)，形成一或多個水溶性鎳環(huán)形復(fù)合物。上述的復(fù)合物減少自由基鎳離子濃度，因此增加該溶液的穩(wěn)定性，并保有快速的電鍍速率。一般來說，該復(fù)合劑具有高濃度，并降低電鍍速率。另外當持續(xù)進行無電電鍍時，該溶液的pH值及電鍍速率持續(xù)遞減，歸因于氫氧離子被注入該溶液中為鎳還原的副產(chǎn)物。于是該溶液被緩沖并補償受該氫氧離子的影響。合適的緩沖劑包含單原子(mono)的鈉(sodium)鹽或鉀(potassium)鹽及二元的有機酸(dibasicorganicacids)。最后，由上述的過程可知該無電鎳電鍍?nèi)芤翰粫练e純元素鎳，因還原劑(reducingagent)如H2PO2將自然地分解于無電電鍍鎳的過程中。所以經(jīng)上述可得知無電電鍍鎳的過程中，該鎳的化合物幾乎為鎳但不是純元素鎳。該導(dǎo)電接腳616包含一被暴露的鎳表面層，所以該導(dǎo)電接腳616與無電鎳有接觸反應(yīng)。而且該焊接屏蔽656、黏著劑664及密封劑668不與該無電鎳有接觸反應(yīng)，所以不須使用電鍍屏蔽。該連接部666鍍于導(dǎo)電接腳616上，并與該導(dǎo)電接腳616及于穿孔665中繞線650接觸，且使該導(dǎo)電接腳616及于穿孔665中繞線650間電連接。當持續(xù)進行無電鍍鎳處理直到該連接部666的厚度約為10微米。然后整體架構(gòu)從無電鍍鎳溶液中移出，并以蒸餾水清洗。接著，該絕緣基板682及焊接端686被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)698包含半導(dǎo)體芯片610、金屬壁632、繞線650、焊接屏蔽656、黏著劑664、連接部666、密封劑668、金屬柱670、絕緣基板682及焊接端686。請參閱圖85a、圖85b及圖85c所示，為本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第七實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第七實施例中，該焊接層提供該焊接端。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第七實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片710對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線750對應(yīng)于繞線150…等。該錫球(相對于第一實施例中的錫球184)被省略，所以該焊接層(相對于第一實施例中的焊接層142)提供該焊接端786。該焊接端786被置于孔洞734內(nèi)，該金屬壁732、絕緣基板782及焊接端786被橫向相互排列于一朝向下的平面上。因此一暴露的水平面朝向下，并包含金屬壁732、絕緣基板782及焊接端786。而且每一導(dǎo)電跡線包含一橫向排列的焊接端提供一平面柵格陣列構(gòu)裝。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)798包含半導(dǎo)體芯片710、金屬壁732、繞線750、焊接屏蔽756、電鍍接點762、黏著劑764、連接部766、密封劑768、金屬柱770、絕緣基板782及焊接端786。請參閱圖86a、圖86b及圖86c所示，為本發(fā)明的第八實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第八實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第八實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第八實施例中，利用激光消熔(laserablation)將該絕緣基板部分移除。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第六實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片610對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線650對應(yīng)于繞線150…等。該絕緣基板882于沒有使用填充劑(filler)時被形成。所以該金屬基板882于激光蝕刻時比第一實施例中的金屬基板182更敏感。而研磨處理被刪除，以具選擇性的TEACO2激光蝕刻取代并利用復(fù)合的激光直寫頭。該激光被指向該焊接層(相對于第一實施例的焊接層142)。該激光的光點大小為100微米。而且該激光直寫頭(laserdirectwrites)相互偏移尚未重迭，使該激光掃描焊接層的中心部分，其掃描直徑為150微米。在這方法中，該激光直寫頭(laserdirectwrites)呈垂直地排列并集中于金屬壁832、金屬柱870及焊接層上。所以該激光光擊中該焊接層，并蝕刻絕緣基板882與焊接層重迭的部分，且消熔該絕緣基板882。該激光鉆穿并移除部分的絕緣基板882。然后一部分的絕緣基板882延伸并穿過該焊接層的邊緣，但于被激光擊中的范圍外。因此，該絕緣基板882仍與該焊接層有接觸及重迭，但不再覆蓋于該焊接層上。接著利用簡短的清洗步驟使該焊接層暴露的部分可移除氧化物及碎片。如一種簡短的等離子氧清洗方法應(yīng)用于結(jié)構(gòu)上，或者選擇一種利用具高錳酸鉀溶液的簡短的化學(xué)清洗方法應(yīng)用于結(jié)構(gòu)上。上述的清洗方法皆能清洗焊接層暴露的部分，并不損害整體結(jié)構(gòu)。該開口883被形成于該絕緣基板882上，并垂直延伸至該絕緣基板882但并未穿透該絕緣基板882，并被置于該半導(dǎo)體芯片810的邊緣，且與金屬壁832、金屬柱870及焊接層呈垂直地排列，該開口883使該焊接層暴露，并與該金屬壁832、繞線850、焊接屏蔽856及金屬柱870分離，該開口883的直徑為150微米。該開口883的形成沒對焊接層造成損傷或延伸至該焊接層內(nèi)。該開口883的直徑可能有稍大于150微米，歸因于該激光束的角度、激光溫度及等離子氧的等向性或化學(xué)清洗方法。為了說明方便，其中有稍微擴張部分省略。接著該焊接端886被形成。該焊接端886是在該該開口883的內(nèi)部及外部延伸，并填滿該開口883，且從該絕緣基板882向下延伸。而且雖然該焊接端886延伸至該絕緣基板882內(nèi)的整體部分是在該孔洞834的表面區(qū)域內(nèi)。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)898包含半導(dǎo)體芯片810、金屬壁832、繞線850、焊接屏蔽856、電鍍接點862、黏著劑864、連接部866、密封劑868、金屬柱870、絕緣基板882及焊接端886。請參閱圖87a、圖87b及圖87c所示，為本發(fā)明的第九實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第九實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第九實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第九實施例中，利用等離子蝕刻將該絕緣基板部分移除。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第九實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片910對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線950對應(yīng)于繞線150…等。該絕緣基板982于沒有使用填充劑(filler)時被形成。所以該金屬基板982于激光蝕刻時比第一實施例中的金屬基板182更敏感而研磨過程被省略，進一步以毯覆式背邊式等離子蝕刻取代并應(yīng)用于結(jié)構(gòu)中。當環(huán)氧樹脂對鎳及錫料時采用等離子蝕刻，所以當該絕緣基板982對金屬壁932及焊接端986時采用等離子蝕刻。該等離子蝕刻可從絕緣基板982的較低部分可移除80微米的厚度。所以該金屬壁932及焊接端986從絕緣基板982向下延伸，并使該絕緣基板982被凹入，相對于金屬壁932及焊接端956于向下方向。而且該絕緣基板982從該金屬柱970向下擴展，該金屬柱970為未暴露的。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)998包含半導(dǎo)體芯片910、金屬壁932、繞線950、焊接屏蔽956、電鍍接點962、黏著劑964、連接部966、密封劑968、金屬柱970、絕緣基板982及焊接端986。請參閱圖88a、圖88b及圖88c所示，為本發(fā)明的第十實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第十實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第十實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第十實施例中，沒有絕緣基板。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第十實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片1010對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線1050對應(yīng)于繞線150…等。該絕緣基板(相對于第一實施例中的絕緣基板182)被刪除，所以于本實施例不需要研磨。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)1098包含半導(dǎo)體芯片1010、金屬壁1032、繞線1050、焊接屏蔽1056、電鍍接點1062、黏著劑1064、連接部1066、密封劑1068、金屬柱1070及焊接端1086。請參閱圖89a、圖89b及圖89c所示，為本發(fā)明的第十一實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第十一實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第十一實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第十一實施例中，該金屬壁與繞線同時被形成。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第十一實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片1110對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線1150對應(yīng)于繞線150…等。該金屬壁1132及繞線1150同時于電鍍過程中被形成，對第一實施例中的形成金屬壁132的電鍍過程作稍微調(diào)整。特別地，該第一光阻層(相對于第一實施例中的第一光阻層126)與第三光阻層(相對于第一實施例中的第三阻層144)一樣印有圖案形成繞線1150。而且該凹口(相對于第一實施例中的凹口130)是通過一種背邊式濕式化學(xué)蝕刻形成，并不使用前側(cè)式濕式化學(xué)蝕刻(front-sidewetchemicaletch)，因此該第一光阻層(相對于第一實施例中的第一光阻層126)具選擇性地使該金屬基板(相對于第一實施例中的金屬基板120)的第一平面暴露。例如，該底部噴嘴能噴射濕式化學(xué)蝕刻溶液于金屬基板(相對于第一實施例中的金屬基板120)上，當該頂部噴嘴不被使用時。接著該金屬壁1132及繞線1150同時地分別被鍍于金屬基板上。所以該金屬壁1132及繞線1150皆由一鍍于金屬基板的鎳層及一鍍于鎳層的金層所組成。而且該鎳層的厚度為30微米。于金屬壁1132及繞線1150兩者中，該鎳層被夾于該金屬基板及金層間，并被金層覆蓋，且該鎳層的厚度為30微米，而該金層與該鎳層接合，但與該金屬基板隔離，該金層的表面被暴露，其厚度為0.1微米。此外，該第三光阻層及第四光阻層(相對于第一實施例中的第三光阻層144及第四光阻層146)于電鍍過程形成繞線1150被刪除。然后該焊接層(相對于第一實施例中的焊接層142)、焊接屏蔽1156、電鍍接點1162及黏著劑1164被形成，該半導(dǎo)體芯片1110被裝置于該黏著劑1164上，然后該連接部1166、密封劑1168、金屬柱1170、絕緣基板1182及焊接端1186被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)1198包含半導(dǎo)體芯片1110、金屬壁1132、繞線1150、焊接屏蔽1156、電鍍接點1162、黏著劑1164、連接部1166、密封劑1168、金屬柱1170、絕緣基板1182及焊接端1186。請參閱圖90a、圖90b及圖90c所示，為本發(fā)明的第十二實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第十二實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第十二實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第十二實施例中，該金屬壁及電鍍接點同時地被形成。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第十二實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片1210對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線1250對應(yīng)于繞線150…等。該金屬壁1232及電鍍接點1262于電鍍過程中同時地被形成，對第一實施例中形成金屬壁132的電鍍過程作稍微調(diào)整。特別地，于該繞線1250及焊接屏蔽1256被形成后，該第一光阻層(相對于第一實施例中的第一光阻層126)與第五光阻層(相對于第一實施例中的第五光阻層158)一樣具有圖案。然后，該凹口(相對于第一實施例中的凹口130)是通過一種背邊式濕式化學(xué)蝕刻形成，并不使用前側(cè)式濕式化學(xué)蝕刻，因此該第一光阻層(相對于第一實施例中的第一光阻層126)具選擇性地使該繞線1250的銅層暴露。例如，該底部噴嘴能噴射濕式化學(xué)蝕刻溶液于金屬基板(相對于第一實施例中的金屬基板120)上，當該頂部噴嘴不被使用時。接著該金屬壁1232及電鍍接點1262同時地分別被鍍于金屬基板及繞線1250上。所以該金屬壁1232及電鍍接點1262皆由一10微米厚的鎳層及一0.1微米厚的金層所組成。此外，該第五光阻層、第六光阻層(相對于第一實施例中的第五光阻層158及第六光阻層160)于電鍍過程中形成電鍍接點1162被刪除。接著，該焊接層(相對于第一實施例中的焊接層142)及黏著劑1264被形成，該半導(dǎo)體芯片1210被裝置于該黏著劑1264上，然后該連接部1266、密封劑1268、金屬柱1270、絕緣基板1282及焊接端1286被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)1298包含半導(dǎo)體芯片1210、金屬壁1232、繞線1250、焊接屏蔽1256、電鍍接點1262、黏著劑1264、連接部1266、密封劑1268、金屬柱1270、絕緣基板1282及焊接端1286。請參閱圖91a、圖91b及圖91c所示，為本發(fā)明的第十三實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第十三實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第十三實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第十三實施例中，該金屬壁、金屬柱及焊接端被配置于該半導(dǎo)體芯片的邊緣內(nèi)。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第十三實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片1310對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線1350對應(yīng)于繞線150…等。該繞線1350是在該半導(dǎo)體芯片的邊緣內(nèi)及邊緣外延伸，該金屬壁1332、金屬柱1370及焊接端1386被配置于該半導(dǎo)體芯片1310的周邊內(nèi)，是通過對第一實施例中的凹口130及繞線150的電鍍過程作稍微地調(diào)整。特別地，該第二光阻層(相對于第一實施例中的第二光阻層128)印有圖案，并改變橫向于該凹口(相對于第一實施例中的凹口130)的開口，所以該凹口相對于該凹口130已被改變。接著該第三光阻層(相對于第一實施例中的第三光阻層144)印有圖案使形成繞線1350的開口重新形成。所以該金屬壁1332、金屬柱1370及焊接端1386被配置于該半導(dǎo)體芯片1310的周邊內(nèi)。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)1398包含半導(dǎo)體芯片1310、金屬壁1332、繞線1350、焊接屏蔽1356、電鍍接點1362、黏著劑1364、連接部1366、密封劑1368、絕緣基板1382及焊接端1386。請參閱圖92a、圖92b及圖92c所示，為本發(fā)明的第十四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第十四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第十四實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第十四實施例中，該金屬柱被上下顛倒。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第十四實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片1410對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線1450對應(yīng)于繞線150…等。該金屬基板(相對于第一實施例中的金屬基板120)的厚度為500微米。該凹口(相對于第一實施例中的凹口130)及金屬壁1432被形成于金屬基板的第一主要平面(相對于第一實施例中的第一主要平面122)，該焊接層(相對于第一實施例中的焊接層142)被形成于金屬壁1432上，該繞線1450被形成于金屬基板的第二平面(相對于第一實施例中的第二主要平面124)，該焊接屏蔽(相對于第一實施例中的焊接屏蔽152)被刪除。接著，該絕緣基板1482被置于該繞線1450及金屬基板上，然后該絕緣基板的部分為可聚合的并形成一膠體(gel)。接著，整體結(jié)構(gòu)被置于一與第一實施例的金屬基板120相似的支撐物，當該絕緣基板1482為膠體時，該絕緣基板1482與該支撐物接觸并被夾于該金屬基板與支撐物間及該繞線1450與支撐物，然后該絕緣基板1482變硬。接著，該金屬柱1470被形成，然后該電鍍接點1462被形成。再來，該黏著劑1464被置于絕緣基板1482上，然后該半導(dǎo)體芯片1410被置于黏著劑1464上，接著該黏著劑1464變硬。該金屬柱1470不被配置于該半導(dǎo)體芯片1410的下方，反而向上擴展并超過該半導(dǎo)體芯片1410的厚度。而且該金屬柱1470的厚度為420微米。接著，該連接部1466被形成，該密封劑1468隨后被形成。該密封劑1468與第一實施例的絕緣基板182相似，其厚度為600微米。于是，該密封劑1468被置于該半導(dǎo)體芯片1410、繞線1450、黏著劑1464、連接部1466、金屬柱1470及絕緣基板1462上，而該密封劑1468變硬。之后，該密封劑1468被研磨，并使該金屬壁1432及焊接層暴露，隨后該焊接端1486被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)1498包含半導(dǎo)體芯片1410、金屬壁1432、繞線1450、電鍍接點1462、黏著劑1464、連接部1466、密封劑1468、金屬柱1470、絕緣基板1482及焊接端1486。請參閱圖93a、圖93b及圖93c所示，為本發(fā)明的第十五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖、本發(fā)明的第十五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖及本發(fā)明的第十五實施例的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)仰視示意圖。如圖所示于第十五實施例中，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為多芯片構(gòu)裝。為了簡短的目的，與第一實施例有相同的描述，不須要被重復(fù)。同樣地，該第十五實施例的組件與第一實施例相似具有相應(yīng)的參考編號，如半導(dǎo)體芯片1510對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片110，繞線1550對應(yīng)于繞線150…等。該電鍍接點1562被延長，對第一實施例中形成電鍍接點162的電鍍過程作稍微調(diào)整。特別地，該第五光阻層(相對于第一實施例中的第五光阻層158)具有圖案，并使形成電鍍接點1562的開口延長，所以該電鍍接點1562相對于第一實施例的電鍍接點162變得更長。該半導(dǎo)體芯片1510與該焊接屏蔽1556通過該第一黏著劑1564呈機械連接，并與該繞線1550通過第一連接部1566具有電連接。接著，該第二黏著劑1565被配置于第一半導(dǎo)體芯片1510上，其為一區(qū)隔第一半導(dǎo)體芯片1510及第二半導(dǎo)體芯片1511的硅膠，然后該第二半導(dǎo)體芯片1511(包含導(dǎo)電接腳1517與于第一半導(dǎo)體芯片1510的導(dǎo)電接腳1516一樣)被置于該第二黏著劑1565上，該第二黏著劑1565被夾于第一半導(dǎo)體芯片1510及第二半導(dǎo)體芯片1511之間，然后將整體結(jié)構(gòu)放于烘箱中，使該第二黏著劑1565于相對低溫下被硬化形成固態(tài)絕緣黏著層(solidadhesiveinsulativelayer)，使該第一半導(dǎo)體芯片1510與第二半導(dǎo)體芯片1511間具物理性連接，其相對低溫的范圍介于150度至200度之間，而該第二黏著劑1565介于第一半導(dǎo)體芯片1510與第二半導(dǎo)體芯片1511間的厚度為100微米，并使該第一半導(dǎo)體芯片1510與第二半導(dǎo)體芯片1511被分隔，且互相成垂直地排列。一種合適的分隔劑(spacerpaste)為HysolQMI500。然后，該第二半導(dǎo)體芯片1511與繞線1550通過第二連接部1567具有電連接，與該第一半導(dǎo)體芯片1510與繞線1550通過第二連接部1566具有電連接一樣的方法。之后，該密封劑1568被形成，其厚度為700微米，該密封劑1568與該第一半導(dǎo)體芯片1510、第二半導(dǎo)體芯片1511、繞線1550、焊接屏蔽1556、電鍍接點1562、第一黏著劑1564、第二黏著劑1565、第一連接部1566及第二連接部1567接觸并覆蓋在其上。該金屬柱1570、絕緣基板1582及焊接端1582隨后被形成。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為多芯片第一層次構(gòu)裝(multi-chipfirst-levelpackage)。該第一半導(dǎo)體芯片1510及第二半導(dǎo)體芯片1511被嵌入該密封劑1568。而且該第一導(dǎo)電接腳1516與焊接端1586間不僅包含并且需要金屬壁1532、繞線1550、電鍍接點1567及金屬柱1570構(gòu)成一具電力的導(dǎo)電路徑，另該第二導(dǎo)電接腳1517與焊接端1586間不僅包含并且需要金屬壁1532、繞線1550、電鍍接點1567及金屬柱1570構(gòu)成一具電力的導(dǎo)電路徑。因此該第一半導(dǎo)體芯片1510及第二半導(dǎo)體芯片1511皆被嵌入于該密封劑1568，并通過該金屬壁1532、繞線1550、電鍍接點1567及金屬柱1570所構(gòu)成的具電力的導(dǎo)電路徑與該焊接端1568呈電連接。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)1598包含第一半導(dǎo)體芯片1510、第二半導(dǎo)體芯片1511、金屬壁1532、繞線1550、焊接屏蔽1556、電鍍接點1562、第一黏著劑1564、第二黏著劑1565、第一連接部1566、第二連接部1567、密封劑1568、金屬柱1570、絕緣基板1582及焊接端1586。請參閱圖94、圖95、圖96、圖97及圖98所示，為本發(fā)明的第十六至二十實施例的金屬柱結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖所示當進行濕式化學(xué)蝕刻時，第十六至二十實施例中的金屬柱1670、1770、1870、1970及2070逐漸變狹窄并切割該金屬壁，例如通過增加蝕刻濃度或蝕刻時間。該金屬柱1670、1770、1870、1970及2070亦為錐形，當金屬柱向下延伸，其直徑將持續(xù)地縮減。此外，每一金屬柱包含一上方平面(相對于第一實施例中該金屬柱170的第一平面172)、一下方平面(相對于第一實施例中該金屬柱170的第二平面174)，及一錐表面(相對于第一實施例中該金屬柱170的錐表面176)，于這些之間，該下方平面集中地被置于上方平面的表面積范圍內(nèi)，而該下方平面的表面積至少比上方平面的表面積大20％。上述的實施例中的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)只為示范的實例。還有很多實施例為可考慮的，例如將該焊接屏蔽、電鍍接點、金屬柱及絕緣基板刪除。另外，上述的實施例可互相結(jié)合應(yīng)用，例如于第二實施例的密封劑后形成焊接層，以及于第三實施例的密封劑后形成金屬壁及焊接層能被用在其它實施例上。同樣地，該于第四實施例的覆晶接合及于第五及第六實施例的經(jīng)電鍍的連接部被用在其它實施例中，除了于第十五實施例的多芯片半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)外，因為該半導(dǎo)體芯片無法被倒裝。同樣地，于第七實施例被用在其它實施例中。于第八及第九實施例的絕緣基板及于第十實施例中被刪除的絕緣基板同樣地可被用在其它實施例中。于第十一實施例中同時被形成的金屬壁及繞線與第十二實施例中同時被形成的金屬壁及電鍍接點同樣地可被用在其它實施例中。于第十三及第十四實施例的金屬壁、金屬柱及焊接端同樣地可被用在其它實施例中。于第十五實施例的多芯片半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)同樣地可用在其它實施例中，除了第四至第六實施例，因為該半導(dǎo)體芯片無法被倒裝。于第六、第七、第八、第九及第十二實施例的金屬柱同樣地被用于第一、第二及第四至第十五實施例中，但不能用于第三實施例，因為該金屬柱被刪除。上述的實施例互相混合搭配成其它實施例，可隨設(shè)計上及可靠性上的考慮而定。該金屬基板于該半導(dǎo)體芯片的邊界內(nèi)不須要被移除，例如該一部分的金屬基板于半導(dǎo)體芯片的邊界內(nèi)延伸并于該金屬壁分隔，仍能保持完整并提供一散熱器(heatsink)。該金屬壁為各種不同材料，其材料包括銅、金、鎳、鈀、鈦、焊錫及上述材料的結(jié)合，該金屬壁通過各種方式被形成，其方式包括電鍍、無電電鍍、印刷、回流及上述方式的結(jié)合，該金屬壁為單層或多層并具有不同形狀及尺寸，例如該金屬壁的形成可由單一方式如電鍍或錫膏沉積與反流，或復(fù)雜方式如隨錫膏沉積與反流時進行電鍍。而該金屬壁包括一孔洞，其孔洞為單金屬面，該單金屬面為不同的濕潤金屬(wettablemetals)，其包括金、鈦及錫料，特別在于該錫料發(fā)生回流或不同的非濕潤金屬(non-wettablemetals)時，特別在于該錫料已經(jīng)發(fā)生反流或沒有發(fā)生。另外，該孔洞具有一開口，其開口形狀為圓形、長方形或正方形。于該繞線被沉積于金屬基板前、于該繞線被沉積于金屬基板之間或于該繞線被沉積于金屬基板后；于該電鍍接點被沉積于繞線前、于該電鍍接點被沉積于繞線之間或于該電鍍接點被沉積于繞線后；于該半導(dǎo)體芯片與繞線連接前或于該半導(dǎo)體芯片與繞線連接后；于該密封劑被形成前或于該密封劑被形成后；以及于該連接部被形成前、于該連接部被形成之間或于該連接部被形成后，該金屬壁被沉積于金屬基板上。例如，經(jīng)電鍍的金屬壁能同時與繞線、電鍍接點或連接部被形成，因此改善制造產(chǎn)率。第二光阻層128是在該金屬壁被移除時被形成前或于該第二光阻層是在該金屬壁被移除時被形成后，該焊接層被形成于金屬壁上。例如，該光阻層存在于該錫膏進行沉積與回流，局限該焊接層被形成于金屬壁內(nèi)，而該金屬仍為完整的情形下。該繞線為不同的導(dǎo)電金屬，其包括銅、金、鎳、銀、鈀、鈦、上述金屬的結(jié)合物及上述金屬的合金。該繞線的較好組合將依該連接部的本質(zhì)如設(shè)計及可靠度的因素而定。而且，由上述可知于，銅材料為典型的銅合金，幾乎大部分成分為銅但非純銅，如銅鋯合金(99.9％銅)、銅-銀-磷-鎂(copper-silve-phosphorus-magnesium)(99.7％銅)或銅-鈦-鐵-磷(copper-tin-iron-phosphorus)(99.7％銅)。該繞線可為輸入(fan-in)如輸出(fan-out)一樣。該繞線是通過多種沉積技術(shù)使其能形成于金屬基板上，其技術(shù)包括電鍍及無電電鍍。另外，該繞線被沉積于金屬基板上，該繞線為單層或多層。例如該繞線為一10微米厚的金層，或可為一9.5微米厚的鎳層鍍于一0.5微米厚的金層并鍍于一銅基板，以減少成本；或一9微米厚的鎳層鍍于一0.5微米的金層，再鍍于一0.5微米的鈦層并鍍于一銅基板，以減少成本及避免于鍍銅層被蝕刻時難移除的金銅合金。另一例子，該繞線由一非銅層(non-copperlayer)鍍于一銅基板上及一銅層鍍于非銅層上所構(gòu)成。合適的非銅層包括鎳、金、鈀及銀。該繞線被形成時，當銅對非銅層時適用濕式化學(xué)蝕刻蝕刻該銅基板并使該繞線暴露，但沒有移除該銅層及非銅層。該非銅層提供一蝕刻停止(etchstop)，防止該濕式化學(xué)蝕刻將鍍銅層移除。在上述說明中，該繞線及金屬基板為不同的金屬(或金屬材料)，雖然具多層的繞線包含一單層其與金屬基板相似，或為一具多層金屬基板的單層(singlelayerofamulti-layermetalbase)。該繞線通過蝕刻一附于金屬基板的金屬層而形成。例如，一光阻層能被形成于金屬層，該金屬層被蝕刻時利用該光阻層為其蝕刻屏蔽，然后該光阻層被剝落；或為使一光阻層形成于該金屬層上，一經(jīng)電鍍的金屬具選擇性地被鍍于金屬層并利用光阻層為其電鍍屏蔽，然后該光阻層能被剝落，并使該金屬層被蝕刻并使用該經(jīng)電鍍的金屬作為蝕刻屏蔽，在這方法中，該繞線被形成，其包括該金屬層的未蝕刻部分及經(jīng)電鍍的金屬。該繞線由金屬層形成，不管該經(jīng)電鍍的金屬是否為蝕刻屏蔽，該經(jīng)電鍍的金屬附著于該繞線。該繞線可為點電鍍(spotplated)于導(dǎo)電接腳附近并使連接部與其兼容。例如，一銅的繞線為與鎳點電鍍，然后銀使其與一具金屬金球的連接部兼容，避免易碎的銀與銅兩金屬形成混合物。該金屬壁經(jīng)點電鍍使其能與焊接端兼容，例如一鎳的金屬壁能與金點電鍍使促進錫料回流。該金屬柱能具有各種形狀及尺寸。例如其上方平面及下方平面(相對于第一實施例的金屬柱的第一平面172及第二平面174)為圓形、長方形或正方形。另外，該金屬柱的上方平面的直徑小于、等于或大于該金屬柱的下方平面的直徑。如該金屬柱的下方平面及該繞線的較大圓形部分在該金屬柱的上方平面之上并被覆蓋，其直徑至少比該金屬璧外層邊界小100微米，并使其容易形成高密度的電路。關(guān)于該金屬柱的細節(jié)蝕刻該金屬基板形成及與該繞線連接，在下面參考文件中被揭露美國專利申請?zhí)柕?0/714,794號于2003年11月17日由ChuenRongLeu等人提出，其
專利名稱：「具嵌入的金屬柱的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)」、美國專利申請?zhí)柕?0/994,604號，于2004年11月22日由CharlesW.CLin等人提出，其
專利名稱：「具塊狀金屬柱的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)」及美國專利申請?zhí)柕?0/994,836號于2004年11月22日由CharlesW.CLin等人提出，其
專利名稱：「具雕刻塊狀接觸端的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)」，所以該金屬柱的詳情由此參考數(shù)據(jù)可知。該焊接端的下方不能被該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的密封劑、絕緣基板或其它絕緣材料覆蓋。例如該焊接端的下方可被暴露，或者該焊接端的下方能被該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)外的絕緣材料覆蓋，如多個半導(dǎo)體芯片組成堆棧地排列。在每個半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，該焊接端的下方不被該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的密封劑、絕緣基板或其它絕緣材料覆蓋。該導(dǎo)電跡線能具信號、電源或接地層功能依據(jù)結(jié)合半導(dǎo)體芯片接腳的目的。該半導(dǎo)體芯片與主要平面垂直，該半導(dǎo)體芯片包括于朝上方向的導(dǎo)電接腳并遠離該繞線，或者該半導(dǎo)體芯片能被倒裝，其主要平面是在朝下方向并朝向該繞線，例如該半導(dǎo)體芯片與位于朝上方向的主要平面利用打線接合，或者該半導(dǎo)體芯片能與位于朝下方向的主要平面利用覆晶接合。而且該半導(dǎo)體芯片通過各種不同的連接部與該繞線間具有電力的連接，不管該半導(dǎo)體芯片直立的或被倒裝。例如該半導(dǎo)體芯片與一錫的連接部或一金的連接部以覆晶接合。舉例來說，一焊錫凸塊能被形成于導(dǎo)電接腳上，該半導(dǎo)體芯片能通過一擷取頭被倒裝或被配置，該擷取頭為該焊錫凸塊被夾于該導(dǎo)電接腳與繞線間，并將一對流的烘箱加熱使該焊錫凸塊回流至一錫的連接部，該錫的連接部與該導(dǎo)電接腳與繞線接合。其它例子如一金凸塊能被形成于該導(dǎo)電接腳上，該繞線與一金層被形成，該半導(dǎo)體芯片能通過一擷取頭被倒裝或被配置，該擷取頭為該金凸塊被夾于該導(dǎo)電接腳與繞線間，能應(yīng)用熱能量及壓力并被傳遞穿過該半導(dǎo)體芯片至該金凸塊，而熱度、壓力及超音波的結(jié)合能形成一金對金連接(gold-goldinterconnect，GGI)，其介于金凸塊與該繞線的金層之間，因此一金的連接部與該導(dǎo)電接腳及繞線接合。該導(dǎo)電接腳具有多種形狀，其形狀包括平坦矩形凸狀。該導(dǎo)電接腳與該連接部相容。多種黏著劑能連接該半導(dǎo)體芯片至繞線。例如該黏著劑如膏狀、夾層或液狀被應(yīng)用于網(wǎng)格印刷(screen-printing)、旋轉(zhuǎn)(spin-on)或噴射(spray-on)。該黏著劑為單層被應(yīng)用于金屬基板或焊接屏蔽，并與該半導(dǎo)體芯片接觸，或為單層被應(yīng)用至該半導(dǎo)體芯片，并與該金屬基板或焊接屏蔽接觸。相似地，該黏著劑為復(fù)合層，具有第一層使用于金屬基板或焊接屏蔽，第二層用于該半導(dǎo)體芯片，然后該第一層及第二層相互接觸。該熱固性黏著劑形成液態(tài)及膏狀如樹脂適用的。同樣地，熱塑性黏著劑如一具400度玻璃轉(zhuǎn)換溫度的絕緣的熱塑性的聚亞酰胺薄膜適用的。硅膠狀的黏著劑也適用。該密封劑利用各種不同技術(shù)形成，其技術(shù)包括印刷及轉(zhuǎn)注成形。例如該密封劑如樹脂被印于半導(dǎo)體芯片上，然后硬化形成一固態(tài)黏著鈍化層。該密封劑為上述黏著劑的種類。此外該密封劑不一定與該半導(dǎo)體芯片接觸。例如一封膠涂料置于該半導(dǎo)體芯片于該半導(dǎo)體芯片連接至繞線后，然后該密封劑能被形成于該封膠涂料上。該絕緣基板能為堅硬的或具彈性的，并能為由各種不同的絕緣薄膜或玻璃纖維形成多種有機或無機的絕緣體如卷帶、聚酰胺(polyimide)、樹脂、硅膠、玻璃、芳香族聚酰胺(aramid)及陶瓷(ceramic)。有機絕緣體具有低成本及高絕緣性，然而該無機絕緣體于高熱功率消耗及相當?shù)臒崤蛎浵禂?shù)時是重要的。例如該絕緣基板起初為一環(huán)氧樹脂，其包括環(huán)氧樹脂、硬化劑、加速劑及填充劑，可同時地硬化形成一固態(tài)黏著絕緣層。該填充劑為一惰性材料如硅土(silica)(粉末狀溶化的石英)，其可改善熱傳導(dǎo)性、熱沖擊性及熱膨脹系數(shù)。有機強化纖維能被用于如環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、聚亞酰胺、特富龍及上述的結(jié)合物等樹脂中。該纖維包括芳香族聚酰胺、多元酯(polyester)、poly-ether-ether-ketone、聚亞酰胺、熱可塑型聚酰亞胺(polyetherimide)及聚砜(polysulfone)被使用。該強化纖維為織布(wovenfabric)、玻纖布(wovenglass)、randommicrofiberglass、編織石英(wovenquartz)、編織物(woven)、芳香族聚酰胺(aramid)、無紡布(non-wovenfabric)、無紡芳香族聚酰胺纖維(non-wovenaramidfiber)或紙。商業(yè)上可用的絕緣材料如由W.L.Gore&AssociatesofEauClaire制造的SPEEDBOARDC預(yù)浸材料為合適的。該絕緣基板利用多種方式被形成，其方式包括印刷及轉(zhuǎn)注形成。而且該絕緣基板于該半導(dǎo)體芯片連接至該繞線的前或該半導(dǎo)體芯片連接至該繞線之后被形成。該絕緣基板利用各種不同的技術(shù)將其較低部分移除，其技術(shù)包含研磨(包含機械研磨及化學(xué)機械研磨)、毯覆式激光消熔及毯覆式等離子蝕刻。同樣地，該絕緣基板具可選擇部分于該金屬壁、金屬柱及焊接層下被移除利用各種不同技術(shù)，其中該技術(shù)包括選擇性激光消熔、選擇性等離子蝕刻及光蝕刻。該絕緣基板與金屬壁沿著其朝下方平面橫向排列，并從該繞線及金屬柱向下延伸，且研磨該絕緣基板但沒研磨該焊接層、金屬柱或繞線，然后研磨該絕緣基板及金屬壁但沒研磨該金屬柱或繞線，接著于到達該金屬柱及繞線停止研磨。該絕緣基板與焊接層橫向排列于一朝下的平面，該絕緣基板從該繞線及金屬柱向下延伸，且研磨該絕緣基板但沒研磨該焊接層、金屬柱或繞線，然后研磨該絕緣基板及焊接板但沒研磨該金屬柱或繞線，接著于到達該金屬柱或繞線前停止研磨。同樣地，該絕緣基板與金屬壁及焊接層沿著其朝下平面橫向排列，并從該繞線及金屬柱向下延伸，且研磨該絕緣基板但沒研磨該金屬壁、焊接層、金屬柱或繞線，然后研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層但沒研磨該金屬柱或繞線，接著于到達該金屬柱或繞線前停止研磨。該連接部利用各種不同材料形成，其材料包括銅、金、鎳、鈀、鈦、其合金及其結(jié)合物，并利用各種不同過程形成，其過程包括電鍍、無電電鍍、球焊、打線接合、柱狀接合(studbumping)、錫料回流焊接、導(dǎo)電黏著劑硬化及焊接，該連接部可具有各種不同形狀及尺寸。根據(jù)設(shè)計與可靠度的考慮，該連接部的形狀及組成依該繞線的組成。而且具電鍍的連接部的細節(jié)是在美國專利申請?zhí)柕?9/865,367號于2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
專利名稱：為「具同時電鍍形成的接觸端及連接部的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)」中已被揭露。而經(jīng)無電電鍍的連接部的細節(jié)于美國專利申請?zhí)柕?9/864,555號于2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
專利名稱：為「具同時無電電鍍形成的接觸端及連接部的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)」中已被揭露。經(jīng)球焊形成的連接部于美國專利申請?zhí)柕?9/864,773號于2001年5月24日由CharlesW.C.Lin提出，其
專利名稱：為「具球焊形成的連接部的半導(dǎo)體芯片」中被揭露。經(jīng)焊錫或?qū)щ婐ぶ鴦┬纬傻倪B接部于美國專利申請?zhí)柕?9/927,216號于2001年8月10日由CharlesW.C.Lin提出，其
專利名稱：為「具硬化的連接部的半導(dǎo)體芯片」被揭露。經(jīng)焊接的連接部于美國專利申請?zhí)柕?0/302,642號于2002年11月23由Cheng-LienChiang等人提出，其
專利名稱：為「利用等離子蝕刻連接導(dǎo)電跡線至半導(dǎo)體芯片的方法」被揭露。于該連接部被形成后，如果該電鍍總線存在時該連接部不與該導(dǎo)電跡線連接。該電鍍總線是通過機械式切割、激光切割、化學(xué)蝕刻及合并不被連接。如果該電鍍總線被置于該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)附近但未整合至該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，然后當該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)與其它半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)分離時，該電鍍總線不被連接。然而如果該電鍍總線已被整合至該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，或被獨立已經(jīng)發(fā)生，該光蝕刻(photolithographystep)選擇性地被加入關(guān)于半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的電路切割，而該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)配有電鍍總線，于該電路另縮短該導(dǎo)電跡線時。而且該電鍍總線是通過蝕刻該金屬板不被連接。一焊錫材料或錫球能通過電鍍、印刷或涂布技術(shù)被置于焊接層上于需進行下一層次構(gòu)裝。然后該下一層次構(gòu)裝不需包含錫料的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，例如在平面柵格陣列構(gòu)裝中，該焊錫材料是通過面板提供而不是于半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的接觸端。各種不同的清洗方式如簡短的等離子氧清洗方式，或利用過錳酸鉀溶液的簡短的濕式化學(xué)清洗方式，能被應(yīng)用于各種不同過程的結(jié)構(gòu)中，如于形成連接部前能立即地清洗該導(dǎo)電跡線及導(dǎo)電接腳。由本發(fā)明的說明書中可知，任何半導(dǎo)體芯片被嵌于該密封劑內(nèi)是通過一具電力的導(dǎo)電路徑與該焊接端間具有電連接，該具電力的導(dǎo)電路徑包括繞線及金屬壁，其意思在于該繞線及金屬壁連接被嵌入于密封劑的焊接端及任何半導(dǎo)體芯片間的具電力的導(dǎo)電路徑。不管是單芯片被嵌入該密封劑內(nèi)(該半導(dǎo)體芯片被嵌于該密封劑內(nèi)是通過一具電力的導(dǎo)電路徑與該焊接端間具有電力的連接，該具電力的導(dǎo)電路徑包括繞線及金屬壁)，或為多芯片被嵌入該密封劑內(nèi)(每一半導(dǎo)體芯片被嵌于該密封劑內(nèi)是通過一具電力的導(dǎo)電路徑與該焊接端間具有電力的連接，該具電力的導(dǎo)電路徑是否包括繞線及金屬壁)。亦不管該具電力的導(dǎo)電路徑包含或需要一連接部及(或)一電鍍接點于該繞線及半導(dǎo)體芯片間。不管該具電力的導(dǎo)電路徑是否包含或需要一金屬柱于該繞線與金屬壁間。不管該具電力的導(dǎo)電路徑是否包含或需要一如電容器或電阻器的無源組成組件。亦不管該多芯片是否通過復(fù)數(shù)個連接部與該繞線電連接，該復(fù)數(shù)個連接部是通過繞線相互成電連接。不管該多芯片是否通過不同的具電力的導(dǎo)電路徑與該焊接端具有電連接(如上述多個連接部的例子)只要每一具電力的導(dǎo)電路徑包括該繞線及金屬壁。由本發(fā)明的說明書中可知，該金屬柱是通過濕式化學(xué)蝕刻形成，但不是一次就形成金屬柱。例如該第一次濕式化學(xué)蝕刻形成該凹口并能形成該金屬柱下方平面，該第二次濕式化學(xué)蝕刻形成該金屬柱的上方平面及其錐表面。在這例子中該第二次濕式化學(xué)蝕刻完全使該金屬柱形成。由本發(fā)明的說明書中可知，該金屬柱為具錐表面的圓錐形，其錐表面緊鄰且擴展于該金屬柱的上方及下方平面間并向內(nèi)部傾斜，即使該內(nèi)部斜面能會改變。例如該錐表面能向內(nèi)部傾斜，即使一部分的錐表面向外部傾斜，只是該金屬柱的上方平面的直徑大在其下方平面的直徑及該錐表面幾乎向內(nèi)傾斜于從該金屬柱的上方平面向下方平面傾斜。由本發(fā)明的說明書中可知，該焊接端包括該焊接層并與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，不管該焊接端包括焊接層及其它焊錫材料，或該焊接端由該焊接層組成，不管該焊接端往該孔洞內(nèi)部延伸及外部擴展，或被置于該孔洞內(nèi)，不管該焊接層是否于孔洞外的金屬壁接觸，不管該焊接層是否與該金屬壁接觸。于本發(fā)明的說明書中可明白得知，該焊接端包括該焊接層即使該焊接層可能被改變。例如該焊接層的形狀在進行化學(xué)蝕刻形成金屬柱、硬化形成絕緣基板、研磨該焊接層暴露部分及錫料回流形成焊接端時被改變。同樣地，該錫料回流形成焊接端時能改變該焊接層的形狀及組合，并可能與該錫球及焊接層混合一起，使它們不再為可明確的分隔。在每一實施例中該焊接端包括該焊接層。該“向上”及“向下”垂直方向不依該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的定位而定，將明確的表達于文中。例如，該密封劑從該繞線往“向上”方向垂直地延伸、該金屬壁從該半導(dǎo)體芯片往“向下”方向垂直地延伸及該絕緣基板從該密封劑往“向下”方向垂直地延伸，不管該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)是否被倒裝或覆蓋于一印刷電路板上。同樣地，該繞線從該金屬壁橫向地延伸，不管該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)是否被倒裝、旋轉(zhuǎn)或分割。因此該“向上”及“向下”方向為相對的，并與一橫向方向正交，該“橫向地排列”表面只于同一橫向平面上或與向上及向下方向。該半導(dǎo)體芯片被繪制于該繞線、金屬壁、金屬柱、焊接端及絕緣基板之上，以及該密封劑被繪制于該半導(dǎo)體芯片、繞線、金屬壁、金屬柱、焊接端及絕緣基板之上具有一單一定位于圖上各處，為了圖與圖之間進行比對，雖然該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)及它的組成能被倒裝于各種不同的制造過程中。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的工作形式能為單芯片構(gòu)裝或多芯片構(gòu)裝基于制造設(shè)計上。例如該單芯片構(gòu)裝包含能被獨立地制造的單芯片?；蛘叨鄠€半導(dǎo)體芯片同時地被制于一具單一焊接屏蔽、密封劑及絕緣基板的金屬基板上，然后相互隔離，如多芯片構(gòu)裝中的凹口同時地于蝕刻該金屬基板時形成，然后該金屬壁同時地被鍍于金屬基板的凹口上，接著分離錫膏利用單一模板同時地被置于該相應(yīng)的金屬壁內(nèi)，然后該錫膏同時地回流形成焊接層，而該繞線同時地被鍍于金屬基板上，接著該電鍍接點同時地被鍍于相應(yīng)的繞線，各別分離的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的黏著劑同時地被置于焊接屏蔽上，而該半導(dǎo)體芯片同時地被置于相應(yīng)的黏著劑上，該黏著劑同時地被硬化，然后該連接部被形成于相應(yīng)的電鍍接點及導(dǎo)電接腳上，接著該密封劑被形成，該金屬基板被蝕刻并同時地形成金屬柱，然后該絕緣基板被形成，而該絕緣基板、金屬壁及焊接層同時地被研磨，然后錫膏分離的空間同時地被置于相應(yīng)的焊接層上，而該焊接層及錫球同時地被回流形成焊接端，以及該焊接屏蔽、密封劑及絕緣基板被切割，因此分割為具獨立的單芯片基板的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)具有不同的構(gòu)裝形式于進行下一層次構(gòu)裝時，例如該導(dǎo)電跡線被形成，因該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為一種格狀陣列如球格式陣列、柱格式陣列、平面柵格陣列或針格式陣列。該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次構(gòu)裝，其構(gòu)裝為單芯片構(gòu)裝(如第一實施例至第十四實施例)或為多芯片構(gòu)裝(如第十五實施例)。而且該多芯片的第一層次構(gòu)裝能包括半導(dǎo)體芯片被堆棧及相互間成垂直排列，或半導(dǎo)體芯片皆為同一平面上并相互間成橫向排列。于本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法具可靠度及其成本較低。該密封劑及絕緣基板保護該半導(dǎo)體芯片于處理過程受到損害，并提供該導(dǎo)電跡線一絕源的屏蔽，以及保護該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)不受到污染物及不必要的錫料回流于下一層次構(gòu)裝。該密封劑能提供該導(dǎo)電跡線一機械支撐于該金屬基板被蝕刻形成金屬柱或被移除時。該金屬壁能局限該焊接層及焊接端于進行錫料回流操作時。另外該焊接端能延伸至該絕緣基板內(nèi)的金屬壁，而不是使該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)與其橫向平面的高壓邊界接觸，其橫向平面為一朝向下方被暴露的主要平面，因此可減少錫料分隔及改善可靠度。該接合方式可由機械式的耦合替換為冶金式的耦合，確保冶金式的接合有足夠強度。而且該導(dǎo)電跡線能為機械式地及冶金式地于該半導(dǎo)體芯片耦合而不使用打線接合、卷帶自動接合、焊錫或具導(dǎo)電性的黏著劑，雖然過程為可調(diào)整的，可調(diào)整需要的技術(shù)。該過程具多功能的并許可各種不同完善的接合技術(shù)被應(yīng)用于獨立的及經(jīng)改善的方法中。而且該金屬柱特別地適當?shù)奈恢脺p少因溫度不對稱造成下一層組合時的壓力及影響良率并提高可靠度于下一層組合，其已經(jīng)超過傳統(tǒng)的球格式構(gòu)裝。所以本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的構(gòu)裝技術(shù)相比可提高生產(chǎn)量、利潤及效能等特性。而且本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)可與銅金屬兼容。上述僅為本發(fā)明的實施例而已，不能以此來限定本發(fā)明實施的范圍；故，凡依本發(fā)明所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明保護范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一金屬基板、一繞線、一金屬壁及一焊接層，其中該金屬基板包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面，該金屬基板的第一平面朝向第一方向上，該金屬基板的第二平面朝向第二方向上，而該第二方向與第一方向相反，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并包含一朝向第二方向的開口，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸；b、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；c、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；d、利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域；以及e、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式將該繞線沉積于該金屬基板上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分并穿過該電鍍屏蔽的開口。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁的形成方式使該金屬壁沉積于該金屬基板上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及將該金屬壁電鍍于該金屬基板的暴露部分，并穿過該電鍍屏蔽的開口。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁的形成方式包括蝕刻該金屬基板形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔由該金屬基板的第二方向往其第一方向延伸至該金屬基板內(nèi)；以及使該金屬壁沉積于該導(dǎo)通孔內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)通孔為一穿孔，延伸至該金屬基板內(nèi)并穿透，使該繞線暴露；以及該金屬壁延伸至該金屬基板內(nèi)并穿透，且與該繞線接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板被蝕刻穿透使該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域被去除。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)通孔為一凹口，該凹口延伸至該金屬基板內(nèi)但未穿透，并與該金屬基板的第一平面及繞線隔離；以及該金屬壁延伸至該金屬基板內(nèi)但未穿透，并與該金屬基板的第一平面及繞線隔離。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板被蝕刻從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及該金屬壁接觸。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層的形成方式包括使該焊接層沉積于該金屬壁上。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層的形成方式包括該焊接層只與該金屬壁接觸。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層的形成方式包括使一錫膏沉積于該金屬壁上，以及使該錫膏回流。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端的形成方式包括使一焊錫材料沉積于該焊接層上，以及使該焊錫材料與焊接層一起回流。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、使該錫膏沉積于該金屬壁上；b、使該錫膏回流，因此形成該焊接端；c、使一焊錫材料沉積于該焊接層上；以及d、使該焊錫材料及焊接層一起回流，因此形成該焊接端。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、蝕刻該金屬基板形成一導(dǎo)通孔；b、使該金屬壁沉積于該金屬基板上，并進入該導(dǎo)通孔內(nèi)；以及c、使該焊接層沉積于該金屬壁上。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、蝕刻該金屬基板并穿過一蝕刻屏蔽的開口，因此形成一導(dǎo)通孔；b、使該金屬壁電鍍于該金屬基板的暴露部分，并穿過一電鍍屏蔽的開口進入該導(dǎo)通孔內(nèi)；c、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及d、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、蝕刻該金屬基板形成一導(dǎo)通孔；b、使該金屬壁電鍍于該金屬基板的暴露部分，并穿過一電鍍屏蔽的開口進入該導(dǎo)通孔內(nèi)；c、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及d、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、形成一屏蔽于該金屬基板，其中該屏蔽包含一開口，使一部分的金屬基板暴露；b、蝕刻該金屬基板并穿過該屏蔽的開口，因此形成一導(dǎo)通孔；c、使該金屬壁電鍍于該金屬基板的暴露部分，并穿過該屏蔽的開口進入該導(dǎo)通孔內(nèi)；d、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及e、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、形成一蝕刻屏蔽于該金屬基板，其中該蝕刻屏蔽包含一開口，使一部分的金屬基板暴露；b、蝕刻該金屬基板并穿過該蝕刻屏蔽的開口，因此形成一導(dǎo)通孔；c、形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，使一部分的金屬基板及該導(dǎo)通孔暴露；d、使該金屬壁電鍍于該金屬基板的暴露部分，并穿過該電鍍屏蔽的開口進入該導(dǎo)通孔內(nèi)；d、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及e、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片與繞線連接的方式包括將一黏著劑置放于該半導(dǎo)體芯片與金屬基板間，然后使該黏著劑硬化。23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部形成的方式包括將該連接部電鍍于該繞線與導(dǎo)電接腳間。24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部形成的方式包括利用無電電鍍將該連接部鍍于該繞線與導(dǎo)電接腳間。25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部形成的方式包括使一非固態(tài)材料沉積于該繞線及導(dǎo)電接腳間，并使該非固態(tài)材料硬化。26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部形成的方式包括提供一打線于該繞線與導(dǎo)電接腳間。27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該繞線暴露。28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除于該導(dǎo)電接腳邊緣內(nèi)的金屬基板。30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除于該半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)的金屬基板。31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域減少但未完全去除。32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱使該繞線與金屬壁電連接。33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域完全去除。34.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并移除該金屬基板。35.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離。36.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在該焊接層形成前形成。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁形成前形成該繞線。39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁形成后形成該繞線。40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁同時地與該繞線形成。41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。42.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。43.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。44.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。45.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在該焊接端形成前形成。46.根據(jù)權(quán)利要求37所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層直接形成該焊接端。47.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。48.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。49.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。50.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。51.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端在該連接部形成前形成。52.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端在該連接部形成后形成。53.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端在該金屬基板利用濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。54.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端在該金屬基板利用濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。55.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成該金屬壁，接著形成該焊接層，然后連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層，以及利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻。56.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成該金屬壁，接著連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁，然后形成該焊接層，以及利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻。57.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，接著形成該金屬壁，然后形成該焊接層，以及利用濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻。58.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成一密封劑，該密封劑是在連接該半導(dǎo)體芯片至該繞線后覆蓋該半導(dǎo)體芯片于第一方向上。59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該密封劑被形成后進一步形成一絕緣基板，并覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上，然后移除一部分的絕緣基板使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上。60.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次封裝。61.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)；d、形成一金屬壁于該金屬基板上，其中，該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；e、形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；f、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；g、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；h、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線及形成該金屬壁及焊接層后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域；以及i、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及穿過該電鍍屏蔽的開口將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分。63.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、穿過一電鍍屏蔽的開口將該金屬壁電鍍于該金屬基板上，并進入該導(dǎo)通孔；b、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及c、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。64.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。65.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。66.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片與金屬基板及繞線連接的方式包括將一黏著劑置放于該半導(dǎo)體芯片與金屬基板間，然后使該黏著劑硬化。67.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部形成的方式包括提供一打線于該繞線與導(dǎo)電接腳間。68.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該繞線暴露。69.根據(jù)權(quán)利要求68所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一穿孔并延伸穿透該金屬基板，使該繞線暴露；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域。70.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除該金屬基板。71.根據(jù)權(quán)利要求68所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一凹口并延伸該金屬基板但未穿透；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間電連接。72.根據(jù)權(quán)利要求71所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。73.根據(jù)權(quán)利要求71所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除于該導(dǎo)電接腳邊緣內(nèi)的金屬基板。74.根據(jù)權(quán)利要求71所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除于該半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)的金屬基板。75.根據(jù)權(quán)利要求68所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離。76.根據(jù)權(quán)利要求68所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。77.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。78.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。79.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。80.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。81.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。82.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。83.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成一密封劑，該密封劑在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后覆蓋于該半導(dǎo)體芯片于第一方向上。84.根據(jù)權(quán)利要求83所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該密封劑被形成后進一步形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上，然后移除一部分的絕緣基板使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上。85.根據(jù)權(quán)利要求84所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板使該金屬壁及焊接層于第二方向暴露，但不使該繞線暴露。86.根據(jù)權(quán)利要求85所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板。87.根據(jù)權(quán)利要求86所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該焊接層暴露。88.根據(jù)權(quán)利要求87所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層直接形成為該焊接端。89.根據(jù)權(quán)利要求88所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于該絕緣基板、金屬壁及焊接端被研磨后使一焊錫材料沉積于該焊接層，然后使該焊錫材料與焊接層一起回流形成該焊接端。90.根據(jù)權(quán)利要求61所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次封裝。91.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于金屬基板形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸延伸至該金屬基板內(nèi)；d、形成一金屬壁于該金屬基板上，其中，該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；e、形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；f、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；g、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；h、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成一密封劑，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板及繞線往第一方向垂直地延伸，而該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直地延伸；i、于形成該金屬壁、焊接層及密封劑后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域；j、于該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后，形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上；k、移除一部分的絕緣基板，使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上；以及l(fā)、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。92.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及穿過該電鍍屏蔽的開口將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分。93.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、穿過一電鍍屏蔽的開口將該金屬壁電鍍于該金屬基板上，并進入該導(dǎo)通孔；b、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及c、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。94.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。95.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。96.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片與金屬基板及繞線連接的方式包括將一黏著劑置放于該半導(dǎo)體芯片與金屬基板間，然后使該黏著劑硬化。97.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部形成的方式包括提供一打線于該繞線與導(dǎo)電接腳間。98.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該繞線暴露。99.根據(jù)權(quán)利要求98所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一穿孔并延伸穿透該金屬基板，使該繞線暴露；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域。100.根據(jù)權(quán)利要求99所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除該金屬基板。101.根據(jù)權(quán)利要求98所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一凹口并延伸該金屬基板但未穿透；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間電連接。102.根據(jù)權(quán)利要求101所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。103.根據(jù)權(quán)利要求101所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除于該導(dǎo)電接腳邊緣內(nèi)的金屬基板。104.根據(jù)權(quán)利要求101所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除于該半導(dǎo)體芯片邊緣內(nèi)的金屬基板。105.根據(jù)權(quán)利要求98所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離。106.根據(jù)權(quán)利要求98所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。107.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。108.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。109.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線前形成。110.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層在連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成。111.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。112.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。113.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該密封劑利用轉(zhuǎn)注成形法形成。114.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板使該金屬壁及焊接層于第二方向暴露，但不使該繞線暴露。115.根據(jù)權(quán)利要求114所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板為移除覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上的絕緣基板。116.根據(jù)權(quán)利要求115所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板。117.根據(jù)權(quán)利要求116所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。118.根據(jù)權(quán)利要求117所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層直接形成為該焊接端。119.根據(jù)權(quán)利要求118所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于該絕緣基板、金屬壁及焊接端被研磨后使一焊錫材料沉積于該焊接層，然后使該焊錫材料與焊接層一起回流形成該焊接端。120.根據(jù)權(quán)利要求91所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次封裝。121.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)；d、形成一金屬壁于該金屬基板上，其中，該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；e、形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；f、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；g、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；h、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接端后形成一密封劑，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層往第一方向垂直地延伸，而該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直地延伸；i、于形成該密封劑后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，并使該繞線暴露；j、于該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后，形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上；k、移除一部分的絕緣基板，使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上；以及l(fā)、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。122.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及穿過該電鍍屏蔽的開口將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分。123.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、穿過一電鍍屏蔽的開口將該金屬壁電鍍于該金屬基板上，并進入該導(dǎo)通孔；b、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及c、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。124.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。125.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。126.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一穿孔并延伸穿透該金屬基板，使該繞線暴露；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域。127.根據(jù)權(quán)利要求126所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除該金屬基板。128.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一凹口并延伸該金屬基板但未穿透；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間電連接。129.根據(jù)權(quán)利要求128所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。130.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離。131.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。132.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。133.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。134.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板使該金屬壁及焊接層于第二方向暴露，但不使該繞線暴露。135.根據(jù)權(quán)利要求134所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板為移除覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上的絕緣基板。136.根據(jù)權(quán)利要求135所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板。137.根據(jù)權(quán)利要求136所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。138.根據(jù)權(quán)利要求137所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層直接形成為該焊接端。139.根據(jù)權(quán)利要求138所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于該絕緣基板、金屬壁及焊接端被研磨后使一焊錫材料沉積于該焊接層，然后使該焊錫材料與焊接層一起回流形成該焊接端。140.根據(jù)權(quán)利要求121所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次封裝。141.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)；d、形成一金屬壁于該金屬基板上，其中，該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；e、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；f、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；g、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁后形成一密封劑，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板、繞線及金屬壁往第一方向垂直地延伸，而該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直地延伸；h、于形成該密封劑后，形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；i、于形成該焊接層后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，并使該繞線暴露；j、于該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后，形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上；k、移除一部分的絕緣基板，使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上；以及l(fā)、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。142.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及穿過該電鍍屏蔽的開口將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分。143.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、穿過一電鍍屏蔽的開口將該金屬壁電鍍于該金屬基板上，并進入該導(dǎo)通孔；b、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及c、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。144.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。145.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。146.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一穿孔并延伸穿透該金屬基板，使該繞線暴露；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域。147.根據(jù)權(quán)利要求146所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除該金屬基板。148.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一凹口并延伸該金屬基板但未穿透；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間電連接。149.根據(jù)權(quán)利要求148所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。150.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離。151.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。152.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。153.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。154.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板使該金屬壁及焊接層于第二方向暴露，但不使該繞線暴露。155.根據(jù)權(quán)利要求154所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板為移除覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上的絕緣基板。156.根據(jù)權(quán)利要求155所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板。157.根據(jù)權(quán)利要求156所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。158.根據(jù)權(quán)利要求157所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層直接形成為該焊接端。159.根據(jù)權(quán)利要求158所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于該絕緣基板、金屬壁及焊接端被研磨后使一焊錫材料沉積于該焊接層，然后使該焊錫材料與焊接層一起回流形成該焊接端。160.根據(jù)權(quán)利要求141所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次封裝。161.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；d、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；e、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成一密封劑，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板及繞線往第一方向垂直地延伸，而該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直地延伸；f、于形成密封劑后，利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)；g、形成一金屬壁于該金屬基板上，其中，該金屬壁與該導(dǎo)通孔內(nèi)的金屬基板接觸，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；h、形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；i、于形成該焊接層后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，并使該繞線暴露；j、于該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后，形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上；k、移除一部分的絕緣基板，使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上；以及l(fā)、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。162.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線的形成方式包括形成一電鍍屏蔽于該金屬基板上，其中該電鍍屏蔽包含一開口，該開口使一部分的金屬基板暴露；以及穿過該電鍍屏蔽的開口將該繞線電鍍于該金屬基板的暴露部分。163.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬壁及焊接層的形成方法至少包括下列步驟并依照順序a、穿過一電鍍屏蔽的開口將該金屬壁電鍍于該金屬基板上，并進入該導(dǎo)通孔；b、使一錫膏沉積于該金屬壁上；以及c、使該錫膏回流，因此形成該焊接層。164.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。165.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。166.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一穿孔并延伸穿透該金屬基板，使該繞線暴露；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域。167.根據(jù)權(quán)利要求166所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除該金屬基板。168.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第一濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻形成該導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔為一凹口并延伸該金屬基板但未穿透；以及該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間電連接。169.根據(jù)權(quán)利要求168所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。170.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離。171.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。172.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻前形成。173.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接部在該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后形成。174.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板使該金屬壁及焊接層于第二方向暴露，但不使該繞線暴露。175.根據(jù)權(quán)利要求174所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板為移除覆蓋該金屬壁及焊接層于第二方向上的絕緣基板。176.根據(jù)權(quán)利要求175所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板。177.根據(jù)權(quán)利要求176所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。178.根據(jù)權(quán)利要求177所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接層直接形成為該焊接端。179.根據(jù)權(quán)利要求178所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于該絕緣基板、金屬壁及焊接端被研磨后使一焊錫材料沉積于該焊接層，然后使該焊錫材料與焊接層一起回流形成該焊接端。180.根據(jù)權(quán)利要求161所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)為第一層次封裝。181.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一穿孔，該穿孔穿過該金屬基板的第一及第二平面間，使該繞線暴露；d、形成一金屬壁于該金屬基板及繞線，其中，該金屬壁與該穿孔內(nèi)的金屬基板及繞線接觸，該金屬壁延伸穿透該金屬基板的第一及第二平面間，而該金屬壁包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；e、形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；f、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；g、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；h、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成一密封劑，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板及繞線往第一方向垂直地延伸，而該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直地延伸；i、于形成該金屬壁、焊接層及密封劑后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此去除該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，并使該繞線暴露；j、于該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后，形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁及焊接層于第二方向上；k、移除一部分的絕緣基板，使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上；以及l(fā)、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。182.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線、金屬壁及焊接端的形成方式包括將該繞線電鍍于該金屬基板上，再將該金屬壁電鍍于該金屬基板及繞線，接著使一錫膏沉積于金屬壁上，最后使該錫膏回流，因此形成該焊接層。183.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。184.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。185.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除該金屬基板。186.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離，以及使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。187.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成該金屬壁，接著形成該焊接層，然后連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層，以及形成該密封劑。188.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成該金屬壁，接著連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁，然后形成該密封劑，以及形成該焊接層。189.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，接著形成該密封劑，然后形成該金屬壁，以及形成該焊接層。190.根據(jù)權(quán)利要求181所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。191.一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，至少包括a、提供一包含相對應(yīng)的第一平面及第二平面的金屬基板，其中該金屬基板的第一平面朝向第一方向，該金屬基板的第二平面朝向第二方向，而該第二方向與第一方向相反；b、形成一繞線于金屬基板的第一平面上，其中該繞線與該金屬基板的第一平面接觸，并與該金屬基板的第二平面隔離；c、利用第一濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻，因此于該金屬基板內(nèi)形成一凹口，該凹口由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)但未穿透，并與該金屬基板的第二平面隔離；d、形成一金屬壁于該金屬基板及繞線，其中，該金屬壁與該凹口內(nèi)的金屬基板接觸，該金屬壁由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)但未穿透，而該金屬壁與該金屬基板的第一平面隔離并包含一孔洞，該孔洞由該金屬基板的第二平面往其第一平面延伸至該金屬基板內(nèi)，并被該金屬壁覆蓋于第一方向上，且包含一朝向第二方向的開口；e、形成一焊接層，該焊接層與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并與該繞線隔離；f、機械地連接一半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，其中該半導(dǎo)體芯片包括一導(dǎo)電接腳；g、形成一連接部，該連接部與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接；h、于連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線后形成一密封劑，其中，該密封劑與該半導(dǎo)體芯片接觸，并從該半導(dǎo)體芯片、金屬基板及繞線往第一方向垂直地延伸，而該金屬基板從該半導(dǎo)體芯片及繞線往第二方向垂直地延伸；i、于形成該金屬壁、焊接層及密封劑后，利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板蝕刻，因此減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域但未去除，并從該金屬基板的未蝕刻部分形成一金屬柱，該金屬基板的未蝕刻部分是通過該金屬壁定義，該金屬柱與該繞線及金屬壁接觸，并使該繞線與金屬壁間電連接，且與該焊接層隔離，使該繞線暴露；j、于該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻后，形成一絕緣基板，該絕緣基板與該繞線、金屬壁、金屬柱及焊接層接觸，并覆蓋該繞線、金屬壁、金屬柱及焊接層于第二方向上；k、移除一部分的絕緣基板，使該絕緣基板無法覆蓋該焊接層于第二方向上；以及l(fā)、提供一焊接端，該焊接端與該孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，并包含該焊接層。192.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該繞線、金屬壁及焊接端的形成方式包括將該繞線電鍍于該金屬基板上，再將該金屬壁電鍍于該金屬基板及繞線，接著使一錫膏沉積于金屬壁上，最后使該錫膏回流，因此形成該焊接層。193.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端為該焊接層。194.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該焊接端形成的方式包括于利用第二濕式化學(xué)蝕刻對該金屬基板進行蝕刻后，使一焊錫材料沉積于該焊接層上，然后使該焊錫材料及焊接層一起回流，形成該焊接端。195.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用該第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，移除大部分的金屬基板。196.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬基板利用第二濕式化學(xué)蝕刻進行蝕刻，并使該繞線與其它與金屬基板接觸的繞線具電力地隔離，以及使該導(dǎo)電接腳與其它于半導(dǎo)體芯片上的導(dǎo)電接腳具電力地隔離。197.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成該金屬壁，接著形成該焊接層，然后連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層，以及形成該密封劑。198.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含形成該金屬壁，接著連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板、繞線及金屬壁，然后形成該密封劑，以及形成該焊接層。199.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，進一步包含連接該半導(dǎo)體芯片至該金屬基板及繞線，接著形成該密封劑，然后形成該金屬壁，以及形成該焊接層。200.根據(jù)權(quán)利要求191所述的焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該移除一部分的絕緣基板利用研磨方式研磨該絕緣基板，但未研磨該金屬壁及焊接層，接著研磨該絕緣基板、金屬壁及焊接層，然后直到該絕緣基板、金屬壁及焊接層橫向地排列于一朝向第二方向的平面時停止研磨，并使該金屬壁及焊接層暴露。全文摘要本發(fā)明提供一種焊接端具金屬壁的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其方法為提供金屬基板、繞線、金屬壁及焊接層。金屬壁包含一孔洞，焊接端與孔洞內(nèi)的金屬壁接觸，機械地連接半導(dǎo)體芯片至繞線，形成連接部，而連接部可與該繞線及導(dǎo)電接腳電連接，通過對該金屬基板蝕刻，減少該金屬基板與繞線間及該金屬基板與金屬壁間的接觸區(qū)域，并提供包含焊接層的焊接端。文檔編號H01L21/60GK1925123SQ20061010329公開日2007年3月7日申請日期2006年7月24日優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日發(fā)明者林文強,王家忠申請人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司