專利名稱：具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，并更具體而言，涉及一種具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
進(jìn)來(lái)，對(duì)于半導(dǎo)體器件的高容量、高密度集成和高性能的要求已經(jīng)迅速增加。然而，半導(dǎo)體器件的集成度的提高導(dǎo)致對(duì)圖案線寬的進(jìn)一步減少的需要。結(jié)果，n型MOS晶體管或p型MOS晶體管的源/漏區(qū)和柵電極在寬度方面呈現(xiàn)逐步減少。由于這個(gè)原因，源/漏區(qū)和柵電極的表面電阻增加了，并因此變成器件操作特性方面退化的主要原因。因此，為了限制表面電阻的這種增加，金屬硅化物層已經(jīng)放置在源/漏區(qū)和柵電極的表面上。
在多種金屬硅化物層中，特別地，硅化鈷(CoSi2)層具有大約16到18μΩ·cm的相對(duì)低的電阻率。硅化鈷層甚至在超過(guò)800℃的高溫下也是穩(wěn)定的，并因此，能夠減少由用于后面的層間介電層，例如磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層的高溫再流工藝引起的熱聚積(thermalbudget)。硅化鈷層具有與氧化硅層的低活性，并因此，由于副反應(yīng)而導(dǎo)致器件特性的退化的可能性低。硅化鈷層的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，由于其低的摻雜依賴(dopant dependency)的優(yōu)點(diǎn)，不管器件的類型，它能保持恒定接觸電阻。而且，由鈷(Co)和主擴(kuò)散體(main diffuser)構(gòu)成的硅化鈷層水平地形成。這具有限制源漏之間的短路(short)的發(fā)生，并消除關(guān)于等離子體蝕刻工藝的大部分損害的作用。所以，硅化鈷層(CoSi2)基本沒(méi)有損害的風(fēng)險(xiǎn)，即使進(jìn)行了額外的蝕刻以形成位線接觸孔。
然而，盡管上述的很多優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)它應(yīng)用到半導(dǎo)體器件，更具體而言，諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器時(shí)，硅化鈷層遇到下列的問(wèn)題。例如，當(dāng)進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)蝕刻工藝以暴露在外圍區(qū)域中的襯底的表面時(shí)，為了保護(hù)柵極導(dǎo)電層，預(yù)先利用氮化物層，圍繞柵極堆疊的側(cè)壁形成柵極間隔層。然而，當(dāng)進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)接觸蝕刻工藝以打開(kāi)用于硅化鈷層(CoSi2)的形成的外圍區(qū)域時(shí)，可能沖擊了柵極間隔層。更壞的情況，可能移除柵極間隔層，并因此，出現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)接觸失效。這導(dǎo)致器件故障問(wèn)題。此外，蝕刻工藝可能導(dǎo)致硅襯底損耗，同時(shí)，源/漏區(qū)摻雜損耗，從而不可能在整個(gè)晶片獲得均勻的晶體管特性分布。

發(fā)明內(nèi)容
所以，考慮到上述問(wèn)題，已經(jīng)制造了本發(fā)明，本發(fā)明提供了一種具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，半導(dǎo)體器件的制造方法包括形成一結(jié)構(gòu)，包括在半導(dǎo)體襯底上形成的多個(gè)柵極堆疊、形成在半導(dǎo)體襯底上表面上并圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁的柵極間隔層和在柵極堆疊之間的絕緣層；通過(guò)移除絕緣層暴露柵極間隔層；在柵極間隔層上形成犧牲絕緣層；移除在半導(dǎo)體的上表面上形成的柵極間隔層上的部分犧牲絕緣層，同時(shí)保留在圍繞每個(gè)堆疊的側(cè)壁形成的柵極間隔層上的犧牲絕緣層的剩余部分；通過(guò)移除半導(dǎo)體襯底上的柵極間隔層而暴露柵極堆疊之間的半導(dǎo)體襯底；和在柵極堆疊之間的半導(dǎo)體襯底的暴露表面上形成金屬硅化物層。
在一些實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻工藝進(jìn)行柵極間隔層的暴露，控制該蝕刻工藝使得絕緣層和柵極間隔層的蝕刻速度比是在從約13∶1到約30∶1的范圍內(nèi)。
在一些實(shí)施例中，犧牲絕緣層可以具有約30到約150的厚度。
在一些實(shí)施例中，通過(guò)薄層(blanket)干法蝕刻工藝進(jìn)行移除部分犧牲層。
在一些實(shí)施例中，可以進(jìn)行暴露半導(dǎo)體襯底，使得圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成的柵極間隔層在移除半導(dǎo)體襯底上的柵極間隔層期間被犧牲絕緣層保護(hù)。
在一些實(shí)施例中，柵極間隔層可以由氮化物層形成，犧牲絕緣層可以由氧化物層形成。
在一些實(shí)施例中，可以利用濕法蝕刻工藝進(jìn)行暴露半導(dǎo)體襯底。
在一些實(shí)施例中，可以利用磷酸溶液(H3PO4)進(jìn)行濕法蝕刻工藝。
在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件的制造方法還可以包括進(jìn)行第二濕法工藝以在濕法蝕刻工藝之前和之后移除氧化物層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在具有單元區(qū)域和外圍區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)柵極堆疊；圍繞在單元區(qū)域中的每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成柵極間隔層，和在外圍區(qū)域中在半導(dǎo)體襯底表面上及圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成柵極間隔層；在柵極堆疊之間填充絕緣層；移除單元區(qū)域中的絕緣層，和在單元區(qū)域中的柵極堆疊之間形成多個(gè)層位插頭；利用掩模層圖案作為蝕刻掩模移除在外圍區(qū)域中的絕緣層，配置掩模層圖案以暴露外圍區(qū)域同時(shí)覆蓋所述單元區(qū)域；在全部具有多個(gè)層位插頭的單元區(qū)域和沒(méi)有絕緣層的外圍區(qū)域形成犧牲絕緣層；移除在單元區(qū)域上形成的犧牲絕緣層和在外圍區(qū)域中的襯底上的犧牲絕緣層，以暴露在外圍區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底表面上形成的柵極間隔層；移除在外圍區(qū)域中的暴露的柵極間隔層，以暴露在外圍區(qū)域中的柵極堆疊之間的半導(dǎo)體襯底；和在外圍區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底的暴露的表面上形成金屬硅化物層。
在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件的制造方法還可以包括在進(jìn)行移除外圍區(qū)域中的絕緣層之前，在襯底的整個(gè)表面上形成緩沖絕緣層。
在一些實(shí)施例中，犧牲絕緣層可以具有約30到約150的厚度。
在一些實(shí)施例中，柵極間隔層可以由氮化物層形成，犧牲絕緣層可以由高溫氧化物層形成。
在一些實(shí)施例中，可以利用濕法蝕刻工藝進(jìn)行移除犧牲絕緣層。
在一些實(shí)施例中，可以利用磷酸溶液(H3PO4)進(jìn)行濕法蝕刻工藝。
在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件的制造方法還可以包括進(jìn)行第二濕法工藝，以在濕法蝕刻工藝之前和之后移除氧化物層。
在一些實(shí)施例中，可以進(jìn)行移除外圍區(qū)域中的暴露的柵極間隔層的步驟，使得圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成的柵極間隔層在移除半導(dǎo)體襯底上的柵極間隔層期間被犧牲絕緣層保護(hù)。


從下列結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述及很多其它特性將得到更明顯地理解，其中圖1到10是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，參照附圖將說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1到10根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例說(shuō)明了具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先參照?qǐng)D1，多個(gè)柵極堆疊110形成在半導(dǎo)體襯底100上以彼此分離。半導(dǎo)體襯底100分為單元區(qū)域和外圍區(qū)域。半導(dǎo)體襯底100具有形成在其上表面的預(yù)定區(qū)域的多個(gè)雜質(zhì)區(qū)域102。雜質(zhì)區(qū)域102作為源/漏區(qū)。特別地，在外圍區(qū)域中的雜質(zhì)區(qū)102是p+型雜質(zhì)區(qū)以形成p溝道型晶體管。因此，在n溝道型晶體管的情況下，n+型雜質(zhì)區(qū)設(shè)置在外圍區(qū)域。雖然圖中沒(méi)有示出在單元區(qū)域中的雜質(zhì)區(qū)，但最好是n+型雜質(zhì)區(qū)以與外圍區(qū)域相同的方式設(shè)置在單元區(qū)域中。
每個(gè)柵極堆疊110包括柵極氧化層圖案111、多晶硅層圖案112、硅化鎢層圖案113和硬掩模氮化物層圖案114，他們依次沉積但不限于此順序，且根據(jù)器件類型可以采用其它層材料或結(jié)構(gòu)。在形成柵極堆疊110之后，圍繞柵極堆疊110的側(cè)壁形成了柵極間隔層120。在此情形，除了柵極堆疊110的側(cè)壁，柵極間隔層120也形成在外圍區(qū)域中的各個(gè)雜質(zhì)區(qū)102的表面上。在下文中，存在于除了柵極堆疊110的側(cè)壁的剩余區(qū)域中的柵極間隔層120被稱為“底柵間隔層120”。
接著，絕緣層130沉積在所得的整個(gè)表面上，以填補(bǔ)柵極堆疊之間的真空區(qū)。然后，用于僅暴露單元區(qū)域的掩模層圖案(未示出)用于移除在單元區(qū)域中的絕緣層130的暴露部分。可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)工藝進(jìn)行絕緣層130的移除，并因此，在單元區(qū)域中的柵極堆疊110之間形成自對(duì)準(zhǔn)接觸孔。接著，諸如多晶硅層的層位插頭(landing plug)導(dǎo)電層填補(bǔ)自對(duì)準(zhǔn)接觸孔，且進(jìn)行回蝕或平面化工藝以形成彼此分離開(kāi)的多個(gè)層位插頭140。在單元區(qū)域中的層位插頭140的形成期間，外圍區(qū)域被掩模層圖案(未示出)覆蓋，且所以絕緣層130保留在外圍區(qū)域中的柵極堆疊110之間。在形成層位插頭140之后，移除了在外圍區(qū)域中的掩模層圖案。
接著，參照?qǐng)D2，在整個(gè)單元區(qū)域和外圍區(qū)域中形成緩沖絕緣層150。緩沖絕緣層150由具有約100到約1000的厚度的低壓四乙基原硅酸鹽(LP-TEOS)氧化物層形成。在一些實(shí)施例中，其它絕緣層可以用作緩沖，或不使用絕緣層。
然后，參照?qǐng)D3，光致抗蝕劑層圖案160形成在緩沖絕緣層150上。光致抗蝕劑層圖案160具有用于把外圍區(qū)域暴露到外部的開(kāi)口162。即，單元區(qū)域被光致抗蝕劑層圖案160覆蓋，然而外圍區(qū)域被光致抗蝕劑層圖案160的開(kāi)口162暴露到外部。在一些實(shí)施例中，可以用硬掩模層圖案代替光致抗蝕劑層圖案160。
參照?qǐng)D4，利用光致抗蝕劑層圖案160作為蝕刻掩模，依次移除了在外圍區(qū)域中被暴露到外部的緩沖絕緣層150和在柵極堆疊110之間的絕緣層130。為了連續(xù)移除層150和130，控制蝕刻工藝使得絕緣層130與柵極間隔層120的蝕刻速度比是在從13∶1到30∶1的范圍內(nèi)，且在外圍區(qū)域中的底柵間隔層120的上表面用作蝕刻停止層。在一些實(shí)施例中，絕緣層130可以按預(yù)定厚度部分地留在底柵間隔層120上。在此情形，剩余絕緣層130的厚度可以少于大約30。對(duì)于底柵間隔層120不進(jìn)行蝕刻工藝，且所以，圍繞柵極堆疊110的側(cè)壁形成的柵極間隔層120不會(huì)有由于蝕刻工藝而損壞的風(fēng)險(xiǎn)。在完成蝕刻工藝之后，通過(guò)剝除(stripping)法移除了光致抗蝕劑層圖案160。同時(shí)，為了防止無(wú)意的光致抗蝕劑層圖案160的起皺(lifting)，利用干法蝕刻法進(jìn)行蝕刻工藝。在一些實(shí)施例中，外圍區(qū)域中的每個(gè)柵極堆疊分別具有約350nm到約650nm的寬度和約350nm到約600nm的高度。所以，如果在臨界尺寸使用濕法蝕刻法，可能引起橫向沖擊，結(jié)果是光致抗蝕劑層圖案160的起皺。
參照?qǐng)D5，犧牲絕緣層170形成在所得物的整個(gè)表面上。犧牲絕緣層170形成在單元區(qū)域中的緩沖絕緣層150上和外圍區(qū)域中的柵極堆疊110及柵極間隔層120上。在用于移除底柵間隔層120的下列工藝中，犧牲絕緣層170用以保護(hù)圍繞柵極堆疊110的側(cè)壁形成的柵極間隔層120。因此，犧牲絕緣層170由具有關(guān)于柵極間隔層120的構(gòu)成材料的足夠的蝕刻速度比的材料制成。例如，當(dāng)柵極間隔層120由氮化物層形成時(shí)，犧牲絕緣層170可以由氧化物層，更具體而言，高溫氧化物(HTO)層形成。在一些實(shí)施例中，犧牲絕緣層170的厚度是在從約30到約150的范圍內(nèi)。
參照?qǐng)D6，進(jìn)行薄層(blanket)干法蝕刻法以移除形成在單元區(qū)域中的緩沖絕緣層150上的犧牲絕緣層170，并移除在外圍區(qū)域中的底柵間隔層120和在柵極堆疊110的上表面上的犧牲絕緣層170。當(dāng)使用干法蝕刻法時(shí)，底柵間隔層120被暴露到外部，但是在圍繞柵極堆疊110的側(cè)壁的柵極間隔層120上形成的犧牲絕緣層170按預(yù)定的厚度保留。
參照?qǐng)D7，為了移除由本地氧化物層形成的剩余的犧牲絕緣層，圖6的所得物被浸進(jìn)按約300∶1的比例稀釋的緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)中約2秒到約10秒。然后，所得物被再次浸進(jìn)具有大約160℃的溫度的磷酸溶液(H3PO4)約2分鐘到約10分鐘，以移除暴露的底柵間隔層120。如果柵極間隔層120不是由氮化物層形成，可以使用其它溶液代替磷酸溶液(H3PO4)。在底柵間隔層120的移除期間，圍繞柵極堆疊110的側(cè)壁形成的柵極間隔層120被犧牲絕緣層170保護(hù)。雖然圖7沒(méi)有示出形成在圍繞柵極堆疊110的側(cè)壁的柵極間隔層120上的犧牲絕緣層170，根據(jù)一些實(shí)施例，犧牲絕緣層170可以按預(yù)定厚度保留。為了完全暴露半導(dǎo)體襯底100的雜質(zhì)區(qū)102，所得物被浸進(jìn)緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)約2秒到約20秒。
參照?qǐng)D8，金屬層180形成在所得物的整個(gè)表面上，使得金屬硅化物層形成在外圍區(qū)域中的雜質(zhì)區(qū)102上。金屬硅化物層可以由硅化鈷層(CoSi2)、硅化鈦層(TiSi2)、硅化鎳層(NiSi2)、硅化鉑(PtSi2)、硅化鈀層(PaSi2)和/或其組合構(gòu)成。在一些實(shí)施例中，當(dāng)使用硅化鈷層(CoSi2)時(shí)，利用物理氣相沉積(PVD)法，金屬層180由具有約80到約250厚度的鈷(Co)層形成。
參照?qǐng)D9，氧化限制層190形成在金屬層180上以限制表面氧化。在一些實(shí)施例中，氧化限制層190由具有約50到約100厚度的鈦/氮化鈦(Ti/TiN)層形成。在其它實(shí)施例中，氧化限制層190具有約100到約200厚度。然而，在其它實(shí)施例中，可以使用其它材料層或不使用氧化限制層。
參照?qǐng)D10，在從約600℃到約1000℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行硅化物工藝，更具體而言，快速熱退火(RTA)工藝約5秒到約20秒，以形成金屬硅化物層200。然后，利用標(biāo)準(zhǔn)凈化-1(SC-1)或硫酸過(guò)氧化物混合劑(SPM)溶液，移除氧化限制層190和剩余的非反應(yīng)金屬層180。
由上述描述可見(jiàn)，本發(fā)明提供了一種具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在移除外圍區(qū)域中相鄰的柵極堆疊之間的絕緣層之后，犧牲絕緣層沉積在圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成的柵極間隔層上和半導(dǎo)體襯底上表面上，從而當(dāng)移除在襯底上表面上的剩余的柵極間隔層時(shí)，圍繞柵極堆疊的側(cè)壁形成的柵極間隔層可以被犧牲絕緣層保護(hù)。結(jié)果，本發(fā)明可以防止對(duì)圍繞柵極堆疊的側(cè)壁形成的柵極間隔層的損壞，并減少由于蝕刻工藝導(dǎo)致的半導(dǎo)體襯底的損耗。
雖然為了示例的目的，已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，不離開(kāi)所附權(quán)利要求所公開(kāi)的本發(fā)明的精神和范圍，各種改進(jìn)、附加和替換是可能的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括形成一結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括在半導(dǎo)體襯底上形成的多個(gè)柵極堆疊、形成在所述半導(dǎo)體襯底上表面上并圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁的柵極間隔層、和在所述柵極堆疊之間的絕緣層；通過(guò)移除所述絕緣層暴露所述柵極間隔層；在所述柵極間隔層上形成犧牲絕緣層；移除在所述柵極間隔層上提供的部分所述犧牲絕緣層，同時(shí)保留圍繞所述每個(gè)堆疊的側(cè)壁形成的所述柵極間隔層上的所述犧牲絕緣層的剩余部分；通過(guò)移除在所述半導(dǎo)體襯底上提供的所述柵極間隔層而暴露在所述柵極堆疊之間的所述半導(dǎo)體襯底；和在所述柵極堆疊之間的半導(dǎo)體襯底的暴露表面上形成硅化物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中每個(gè)柵極堆疊具有約350nm到約650nm的寬度和約350nm到約600nm的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硅化物層是從硅化鈷層(CoSi2)、硅化鈦層(TiSi2)、硅化鎳層(NiSi2)、硅化鉑層(PtSi2)、硅化鈀層(PaSi2)及其組合構(gòu)成的組中選出的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硅化物層的厚度是約80到約250。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)蝕刻工藝進(jìn)行所述柵極間隔層的暴露，控制該蝕刻工藝使得所述絕緣層和柵極間隔層的蝕刻速度比是在從約13∶1到30∶1的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲絕緣層形成為約30到約150的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)薄層干法蝕刻(blanket dryetching)工藝進(jìn)行移除部分所述犧牲層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)行了所述半導(dǎo)體襯底的暴露，使得圍繞所述每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成的所述柵極間隔層在移除所述柵極間隔層期間被所述犧牲絕緣層保護(hù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極間隔層包括氮化物層，所述犧牲絕緣層包括氧化物層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中利用濕法蝕刻工藝進(jìn)行所述半導(dǎo)體襯底的暴露。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中利用磷酸溶液(H3PO4)進(jìn)行所述濕法蝕刻工藝。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括進(jìn)行第二濕法蝕刻工藝以在進(jìn)行所述濕法蝕刻工藝之前和之后移除氧化物層。
13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在具有單元區(qū)域和外圍區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)柵極堆疊；在所述單元區(qū)域中，圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成柵極間隔層，在所述外圍區(qū)域中，在所述半導(dǎo)體襯底表面上及圍繞每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成所述柵極間隔層；在所述柵極堆疊之間填充絕緣層；移除所述單元區(qū)域中的所述絕緣層，和在所述單元區(qū)域中的所述柵極堆疊之間形成多個(gè)層位插頭(landing plug)；利用掩模層圖案作為蝕刻掩模移除在所述外圍區(qū)域中的所述絕緣層，配置所述掩模層圖案以暴露所述外圍區(qū)域同時(shí)覆蓋所述單元區(qū)域；在全部具有多個(gè)層位插頭的所述單元區(qū)域和沒(méi)有絕緣層的所述外圍區(qū)域形成犧牲絕緣層；移除在所述單元區(qū)域上形成的所述犧牲絕緣層和在所述外圍區(qū)域中的襯底上的所述犧牲絕緣層，以暴露在所述外圍區(qū)域中的所述半導(dǎo)體襯底表面上形成的所述柵極間隔層；移除在所述外圍區(qū)域中的暴露的柵極間隔層，以暴露在所述外圍區(qū)域中的柵極堆疊之間的半導(dǎo)體襯底；和在所述外圍區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底的暴露表面上形成金屬硅化物層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中每個(gè)柵極堆疊具有約350nm到約650nm的寬度和約350nm到約600nm的高度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在進(jìn)行移除所述外圍區(qū)域中的所述絕緣層之前，在所述襯底的整個(gè)表面上形成緩沖絕緣層。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述犧牲絕緣層形成為約30到約150的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述柵極間隔層包括氮化物層，犧牲絕緣層包括高溫氧化物層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中利用濕法蝕刻工藝進(jìn)行移除所述犧牲絕緣層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中利用磷酸溶液(H3PO4)進(jìn)行所述濕法蝕刻工藝。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括進(jìn)行第二濕法工藝以在所述濕法蝕刻工藝之前和之后移除氧化物層。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中進(jìn)行移除所述外圍區(qū)域中的所述暴露的柵極間隔層，使得圍繞所述每個(gè)柵極堆疊的側(cè)壁形成的所述柵極間隔層在移除所述半導(dǎo)體襯底上的所述柵極間隔層期間被所述犧牲絕緣層保護(hù)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括形成一結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括在半導(dǎo)體襯底上形成的多個(gè)柵極堆疊；形成柵極間隔層，其形成在所述半導(dǎo)體襯底上表面上并圍繞每個(gè)柵極堆疊側(cè)壁；和在所述柵極堆疊之間形成絕緣層。該方法還包括在所述柵極堆疊之間的所述半導(dǎo)體襯底的暴露表面上形成金屬硅化物層。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1959956SQ20061011077
公開(kāi)日2007年5月9日 申請(qǐng)日期2006年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者尹孝根 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司