專利名稱：減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片的堆疊封裝構(gòu)造，特別是涉及一種使用導(dǎo) 線架的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
io 在多晶片封裝構(gòu)造(Mul t i-Chip Package, MCP)中，將復(fù)數(shù)個(gè)晶片縱向堆疊以節(jié)省封裝尺寸已經(jīng)是相當(dāng)成熟的技術(shù)。然而在晶片之間的間隔片 (spacer)會(huì)增加整個(gè)封裝厚度。請(qǐng)參閱圖1所示，是一種現(xiàn)有習(xí)知的多晶片堆疊封裝構(gòu)造的截面示意 圖?，F(xiàn)有習(xí)知的多晶片封裝構(gòu)造IOO,是利用導(dǎo)線架作為晶片栽體，包含有15 —導(dǎo)線架的一晶片承座111與復(fù)數(shù)個(gè)引腳112、 一第一晶片120、 一第二晶 片130以及一封膠體140。該第一晶片120與該第二晶片130是為正向堆疊 在該晶片承座111的上方。復(fù)數(shù)個(gè)焊線150是將該第一晶片120的主動(dòng)面 121上的焊墊122與該第二晶片130的主動(dòng)面131上的焊墊132分別電性連 接至該些引腳112。其中，該第一晶片120的背面是貼附于該較大尺寸的晶2o 片承座111上，在該第一晶片120的主動(dòng)面121與該第二晶片130的背面 之間應(yīng)介設(shè)有一間隔片160，以避免下方的第一焊線150碰觸到該第二晶片 130的背面。已.為熟知技術(shù)，該間隔片160是為一獨(dú)立元件，其可為虛晶片 (dummy chip)、外加金屬片、貼帶(tape)或具有間隔球的膠體。因此，最后 形成的封膠體140會(huì)具有一較大的厚度。而當(dāng)該封膠體140的厚度被限制25 時(shí)，上方的焊線150會(huì)存在有露線的風(fēng)險(xiǎn)。此外，在形成該封膠體14Q時(shí)，為 了平tf模流，該晶片承座111應(yīng)考慮將該間隔片160的厚度作適當(dāng)?shù)南鲁?設(shè)計(jì)(downset)，而使該晶片承座111低于該些引腳112。請(qǐng)參閱圓2所示，是另一種現(xiàn)有習(xí)知的多晶片堆疊封裝構(gòu)造的截面示 意圖。該另一種現(xiàn)有習(xí)知的多晶片封裝構(gòu)造200,主要包含一導(dǎo)線架的一晶:")片承座211與復(fù)數(shù)個(gè)引腳212、 一第一晶片220、 一第二晶片230以及一封 膠體240。該第一晶片220的背面是貼附于該晶片承座211的下表面，并以 焊線251電性連接至該些引腳212。該第二晶片2 30的背面是貼附于該晶片 承座211的上表面，并以焊線252電性連接至該些引腳212。因此，該第一晶 片220的背面是朝向該第二晶片230的背面，在電性連接以形成焊線251s 與25 2時(shí)需要翻轉(zhuǎn)導(dǎo)線架，且該些引腳212的上下表面須形成一雙面電鍍 層213,而導(dǎo)致導(dǎo)線架與封裝成本的增加.，此外，由于該封膠體240與一般 的電鍍層結(jié)合力不佳，若雙面電鍍層213的覆蓋面積過大，容易導(dǎo)致該封膠體240與該些引腳212的界面發(fā)生剝層分離的問題。由此可見，上述現(xiàn)有的多晶片堆疊封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍 存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相s關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被 發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相 關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的減厚的多晶片堆疊封 裝構(gòu)造，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。 有鑒于上述現(xiàn)有的多晶片堆疊封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從10 事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及其專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn) 用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，能 夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的 研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的 本發(fā)明。15發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有多晶片堆疊封裝構(gòu)造存在的缺陷，而 提供一種新的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其在 一封膠體內(nèi)密封有復(fù)數(shù)個(gè)晶片與一導(dǎo)線架的部分，善用導(dǎo)線架的承座，可使 20 晶片為同向堆疊以利于電性連接，并能夠減少約 一 個(gè)間隔片的封膠厚度，從 而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的另 一 目的在于，提供一種新的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，所 要解決的技術(shù)問題是使其在正向晶片堆疊的架構(gòu)中能避免下方焊線接觸上 方晶片的背面，從而更加適于實(shí)用。 25 本發(fā)明的還一目的在于，提供一種新的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其利用粘晶層全覆蓋上晶片的背面，可以增進(jìn)較'J 、 尺寸的間隔承座對(duì)其上方晶片的支撐性，并可避免下方焊線接觸至上方晶 片，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)3o 本發(fā)明提出的一種減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其包含 一導(dǎo)線架的一間隔 承座與復(fù)數(shù)個(gè)引腳； 一第一晶片，其具有一第一主動(dòng)面與一第一背面，該第 一主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一電極，其電性連接至部分的該些引腳； 一第 二晶片，其具有一第二主動(dòng)面與一第二背面，該第二主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù) 個(gè)第二電極，其電性連接至部分的該些引腳；以及一封膠體，用以結(jié)合該& 間隔承座、該些引購'、該第一晶片與該第二晶片；其中，第一晶片的第一主 動(dòng)面是貼附于該間隔承座的下方，第二晶片的第二背面是貼附于該間隔承 座的上方，并且該間隔承座是不遮蓋至該第一晶片的該些第一電極。前述的減厚的多晶片堆疊封i構(gòu)造:其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)第 一焊線，以電性連接該第 一 晶片的該些第 一 電極與對(duì)應(yīng)的引腳。 5 前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一焊線是為逆打線方式形成，以使該些第一焊線的弧高線段遠(yuǎn)離該第一晶片。前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中所述的間隔承座是具有一厚 度，以致使該些第 一焊線不接觸至該第二晶片的背面。前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中所述的間隔承座的尺寸是小 10 于該第一晶片的該第一主動(dòng)面。前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中所述的該些第 一電極是形成 于該第一主動(dòng)面的側(cè)邊。前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中所述的間隔承座一體連接有 復(fù)數(shù)個(gè)系條，其是延伸通過該第 一主動(dòng)面的角隅。 15 前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造,其中所述的該些系條為無彎折，而使該間隔承座為無下沉型態(tài)。前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中所述的該些引腳的內(nèi)端上表 面形成有一電鍍層。前述的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中該電鍍層是不形成于該些引腳的側(cè) 20 面與下表面。前述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其另包含一第一粘晶層與一第二粘晶層，用以分別粘接該第一晶片與該第二晶片，其中該第一粘晶層是局部覆蓋該第一晶片的該第一主動(dòng)面，該第二粘晶層是全面覆蓋該第二晶片 的該第二背面。巧 前述的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，另包含一第三晶片，其是設(shè)置于該第二晶片的該第二主動(dòng)面上。前述的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其中該第三晶片與該第二晶片之間形成 有一間隔膠體。'前述的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，另包含一第四晶片，其是設(shè)置于該第一晶 30 片的該第一背面的下方。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為了 達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了 一種多晶片堆疊封裝構(gòu)造，主要包含一導(dǎo)線架 的一間隔承座與復(fù)數(shù)個(gè)引腳、 一第一晶片、 一第二晶片以及一封膠體。該 第一晶片具有一第一主動(dòng)面與一第一背面，該第一主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè) 丄，第一電極，其電性連接至部分的該些引腳,.該第二晶片具有一第二主動(dòng)面 與一第二背面，該第二主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第二電極，其電性連接至部
分的該些引腳。該封膠體是用以結(jié)合該間隔承座、該些引腳、該第一晶片 與該第二晶片。其中，第一晶片的第一主動(dòng)面貼附于該間隔承座的下方，第 二晶片的第二背面是貼附于該間隔承座的上方，并且該間隔承座是不遮蓋至該第一晶片的該些第一電極。 5 借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，借由在一封膠體內(nèi)密封有復(fù)數(shù) 個(gè)晶片與一導(dǎo)線架的部分，善用導(dǎo)線架的承座，而可以使晶片為同向堆疊以利于電性連接，并能夠減少約一個(gè)間隔片的封膠厚度，從而更加適于實(shí)用。10 2、本發(fā)明減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，在正向晶片堆疊的架構(gòu)中能夠避免下方的焊線接觸上方晶片的背面，從而更加適于實(shí)用。3、本發(fā)明減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，借由利用粘晶層全覆蓋上晶片 的背面，而可以增進(jìn)較小尺寸的間隔承座對(duì)其上方晶片的支撐性，并可避 免下方焊線接觸至上方晶片，從而更加適于實(shí)用。15 綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，主要包含一導(dǎo)線架的一間隔承座與復(fù)數(shù)個(gè)引腳、 一第一晶片、 一第二晶片以及一封 膠體。該第一晶片的主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一電極，并電性連接至部分 的該些引腳。該第二晶片的主動(dòng)面上是形成有復(fù)數(shù)個(gè)第二電極，并電性連 接至部分的該些引腳。該封膠體是用以結(jié)合該間隔承座、該些引腳、該第20 —晶片與該第二晶片。其中，第一晶片的主動(dòng)面是貼附于該間隔承座的下 方，第二晶片的第二背面是貼附于該間隔承座的上方，并且該間隔承座是不 遮蓋至該第一晶片的該些第一電極，可達(dá)到多晶片正向堆疊的減厚功效。本 發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大 的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有25 的多晶片堆疊封裝構(gòu)造具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn) 業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附30 圖，詳細(xì)i兌明如下。
圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知的多晶片堆疊封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖2是另一種現(xiàn)有習(xí)知的多晶片堆疊封裝構(gòu)造的截面示意圖。 r, 圖3是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例， 一種多品片堆疊封裝抅造的截面示意圖.，
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實(shí)施例，該多晶片堆疊封裝構(gòu)造的第 一 晶片與間隔承座的頂面示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種多晶片堆疊封裝構(gòu)造的截面示意圖。5100:多晶片堆疊封裝構(gòu)造111:晶片承座112:引腳120:第一晶片121:主動(dòng)面122:焊墊130:第二晶片131:主動(dòng)面132:焊墊140:封膠體10150:焊線160:間隔片200:多晶片堆疊封裝構(gòu)造211:晶片承座212:引腳213:雙面電鍍層220:第一晶片221:主動(dòng)面222:焊墊230:第二晶片15231:主動(dòng)面232:焊墊240:封膠體251:焊線252:焊線'300:多晶片堆疊封裝構(gòu)造311:間隔承座312:引腳313:電鍍層314:系條2032 0:第一晶片321:第一主動(dòng)面322:第一背面323:第一電極330:第二日%片331:第二主動(dòng)面332:第二背面333:第二電極340:封膠體351:第一焊線25352:第二焊線361:第一粘晶層362:第二粘晶層400:多晶片堆疊封裝構(gòu)造4U:間隔承座412:引腳420:第一晶片421:第一電極4 30:第二晶片431:第二電極44 0:封膠體451:第一焊線452:第二焊線453:第三焊線454:第四焊線460:第三晶片470:第四晶片480:間隔膠體具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功
效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的減厚的多晶片堆疊封 裝構(gòu)造其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。請(qǐng)參閱圖3所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，一種多晶片堆疊封 裝構(gòu)造的截面示意圖。在本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中， 一種多晶片堆疊封5裝構(gòu)造300，主要包含一導(dǎo)線架的一間隔承座311 (spacer pad)與復(fù)數(shù)個(gè)引 腳312、 一第一晶片320、 一第二晶片330以及一封膠體340。該間隔承座311與該些引腳312，是由同一導(dǎo)線架裁切而成，皆為金屬 材質(zhì)，如銅、鐵或其合金。通常該間隔承座311的形狀是如同傳統(tǒng)的晶片 承座(die pad或稱chip paddle)， ^旦尺寸可稍小。 m 該第一晶片320，具有一第一主動(dòng)面321與一第一背面322，該第一主動(dòng)面321上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一電極323 (如圖4所示)?？梢岳脧?fù)數(shù)個(gè)第 一焊線351將該些第一電極323電性連接至部分的該些引腳312。該第二晶片330,具有一第二主動(dòng)面331與一第二背面332，該第二主 動(dòng)面331上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第二電極333?？衫脧?fù)數(shù)個(gè)第二焊線352將該些 is第二電極333電性連接至部分的該些引腳312。被該些第一焊線351與該些第二焊線352連接的引腳312可為重復(fù)或 不同。在本實(shí)施例中'，該第一晶片320與該第二晶片330是為同尺寸且同 向堆疊。該封膠體340，是用以結(jié)合該間隔承座311、該些引腳312、該第一晶 20片320與該第二晶片330。其中，第一晶片320的第一主動(dòng)面321是貼附于 該間隔承座311的下方，第二晶片330的第二背面332是貼附于該間隔承 座311的上方，-以達(dá)到多晶片的正面堆疊。并且，請(qǐng)參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該多晶片 堆疊封裝構(gòu)造的第一晶片與間隔承座的頂面示意圖。該間隔承座311是不 25遮蓋至該第一晶片320的該些第一電極323，方可以再粘晶進(jìn)行電性連接的 步驟，以形成該些第一焊線351。通常該間隔承座311是能夠提供一間隔厚 度，以致使該些第一焊線351不接觸至該第二晶片330的第二背面332。因此，該第一晶片320與該第二晶片330是為同向堆疊，并且該第一晶 片320與該第二晶片330之間利用該間隔承座311可以達(dá)到間隔提供與固 著的目的，而可以利于電性連接，并能夠減少該封膠體340約一個(gè)間隔片 的封膠厚度。較佳地，該多晶片堆疊封裝構(gòu)造300可另包含一第一粘晶層361與一第 二粘晶層362，用以分別粘接該第一晶片320與該第二晶片330;其中，該 第一粘晶層361是局部覆蓋該第一晶片320的該第一主動(dòng)面321，該第二粘 品層362是全面覆蓋該第二晶片330的該第二背面332,,藉此，可以增進(jìn)較 小尺寸的間隔承座、11對(duì)其上方第二晶片、30的支撐性，并可以避免下方
的第一焊線351接觸至第二晶片330的第二背面332。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3、圖4所示，較佳地，該些第一焊線351是為逆打線方式 形成，即該些第一焊線351形成時(shí)是先將線頭端接合在該些引腳312，經(jīng)引拉 后再將線尾端接合在該第一晶片320的該些第一電極323,以使該些第一焊 5線351的弧高線段遠(yuǎn)離該第一晶片320，不會(huì)干涉到第二晶片330的粘晶堆 疊。請(qǐng)?jiān)俳Y(jié)合參閱圖4所示，較佳地，該間隔承座311的尺寸是小于該第 一晶片320的該第一主動(dòng)面321,以在第一次粘晶之后顯露該第一晶片320 的該些第一電極323。在本實(shí)施例中，該些第一電極323是形成于該第一主 10 動(dòng)面321的側(cè)邊，而該間隔承座311 —體連接設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)系條314，其是延 伸通過該第一主動(dòng)面321的角隅，以使該些第一焊線351可順利連接至該些 第一電極323。較佳地，該些系條314是為無彎折，該間隔承座311則為無下沉型態(tài) 而與該些引腳312的內(nèi)端約為共平面，即可達(dá)到上下模流的平衡。此外，該15 些引腳312的內(nèi)端上表面可形成有一電鍍層313，如銀(Ag),該電鍍層是不 形成于該些引腳312的側(cè)面與下表面，即可以供正向打線的第一焊線351 與/或第二焊線352的一端連接至該些引腳312的內(nèi)端上表面。因此，不需 要將導(dǎo)線架雙面電鍍，而可以節(jié)省導(dǎo)線架的制造成本，并可減少該些引腳 312與該封膠體340之間發(fā)生剝層的可能。20 請(qǐng)參閱圖5所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種多晶片堆疊封裝構(gòu)造的截面示意圖。本發(fā)明并不局限被密封晶片的數(shù)量。本發(fā)明的第 二具體實(shí)施例捤示的另一種多晶片堆疊封裝構(gòu)造400,除了包含一導(dǎo)線架的 一間隔承座411與復(fù)數(shù)個(gè)引腳412、 一第一晶片420、 一第二晶片430以及 一封膠體440,與第一具體實(shí)施例大致相同的元件之外，其還另還包含一第25三晶片460與/或一第四晶片470等等。該第一晶片420，其主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一電極421，并利用復(fù)數(shù) 個(gè)第一焊線451電性連接至部分的該些引腳412。該第二晶片430，其主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第二電極431,并利用復(fù)數(shù) 個(gè)第二焊線452是電性連接至部分的該些引腳412。: ) 該封膠體440,是用以結(jié)合該間隔承座411、該些引腳412、該第一晶片420、該第二晶片430、該第三晶片460與該第四晶片470。其中，第一晶 片420的主動(dòng)面是貼附于該間隔承座41]的下方，第二晶片430的背面是 貼附于該間隔承座.4U的上方，并且該間隔承座411是不遮蓋至該第一晶 片420的該些第一電極421。因此，該封膠體440可以省去一個(gè)間隔物的厚:" 度.，此外，該第三晶片460,是可同向設(shè)五于該第二品片430的主動(dòng)而上,,該 第三晶片460與該第二晶片430之間可另形成有一間隔膠體480，如在該封 膠體440熟化前的B階膠體(B-stage resin),可以避免該第三晶片460碰 觸到該些第二焊線452，并可局部密封該些第二焊線452的一端。并且以復(fù) 數(shù)個(gè)第三焊線453電性連接至部分的該些引腳412。5 該第四晶片470，是為可以背對(duì)背方式設(shè)置于該第一晶片420的背面下方，能夠達(dá)到多晶片堆疊減厚的功效。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利io 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其包含一導(dǎo)線架的一間隔承座與復(fù)數(shù)個(gè)引腳；一第一晶片，其具有一第一主動(dòng)面與一第一背面，該第一主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一電極，其電性連接至部分的該些引腳；一第二晶片，其具有一第二主動(dòng)面與一第二背面，該第二主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第二電極，其電性連接至部分的該些引腳；以及一封膠體，用以結(jié)合該間隔承座、該些引腳、該第一晶片與該第二晶片；其中，第一晶片的第一主動(dòng)面是貼附于該間隔承座的下方，第二晶片的第二背面是貼附于該間隔承座的上方，并且該間隔承座是不遮蓋至該第一晶片的該些第一電極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 另包含有復(fù)數(shù)個(gè)第一焊線，以電性連接該第一晶片的該些第一電極與對(duì)應(yīng)15 的引腳。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 中所述的該些第一焊線是為逆打線方式形成，以使該些第一焊線的弧高線 段遠(yuǎn)離該第一晶片。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 20中所述的間隔承座具有一厚度，以致使該些第一焊線不接觸至該第二晶片的背面。
5、 根據(jù)權(quán)fj要求1所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 中所述的間隔承座的尺寸是小于該第一晶片的該第一主動(dòng)面。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的減厚的多晶片堆'疊封裝構(gòu)造，其特征在 25 于其中所述的該些第一電極是形成于該第一主動(dòng)面的側(cè)邊。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 中所述的間隔承座一體連接有復(fù)數(shù)個(gè)系條，其是延伸通過該第一主動(dòng)面的 角隅。 .
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 加中所述的該些系條是為無彎折，而使該間隔承座為無下沉型態(tài)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 中所述的該些引腳的內(nèi)端上表面形成有一電鍍層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，其特征在于其 另包含 一 第 一 粘晶層與 一 第二粘晶層，用以分另"粘接該第 一 晶片與該第二^晶片，其中該第一粘晶層是局部覆蓋該第一晶片的該第一主動(dòng)面，該第二 粘晶層是全面覆蓋該第二晶片的該第二背面.
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種減厚的多晶片堆疊封裝構(gòu)造，主要包含一導(dǎo)線架的一間隔承座與復(fù)數(shù)個(gè)引腳、一第一晶片、一第二晶片以及一封膠體。該第一晶片的主動(dòng)面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)第一電極，并電性連接至部分的該些引腳。該第二晶片的主動(dòng)面上是形成有復(fù)數(shù)個(gè)第二電極，并電性連接至部分的該些引腳。該封膠體是用以結(jié)合該間隔承座、該些引腳、該第一晶片與該第二晶片。其中，第一晶片的主動(dòng)面是貼附于該間隔承座的下方，第二晶片的第二背面是貼附于該間隔承座的上方，并且該間隔承座是不遮蓋至該第一晶片的該些第一電極，而可達(dá)到多晶片正向堆疊的減厚功效。
文檔編號(hào)H01L23/488GK101131991SQ20061011154
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2006年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日
發(fā)明者林鴻村 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司