專利名稱：薄膜導(dǎo)體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜導(dǎo)體及其制造方法，一種薄膜晶體管(TFT)面板及其制造方法，具體地說，涉及一種具有改進(jìn)粘附力和優(yōu)良導(dǎo)電性的薄膜導(dǎo)體，一種制造該薄膜導(dǎo)體的方法，一種包括該薄膜導(dǎo)體的TFT面板，以及一種制造該TFT面板的方法。
背景技術(shù)：
LCD作為最廣泛使用的平板顯示器之一，包括兩個基板，該基板具有多個電極；以及設(shè)于基板之間的液晶層，LCD通過向電極施加電壓以再排列液晶層中的液晶分子來調(diào)節(jié)在其間傳輸?shù)墓饬俊?br> 近來，廣泛使用的是包括設(shè)置有場致電極的兩個基板的普通LCD。具體地，普通LCD包括一個基板，設(shè)置有以矩陣形式排列的多個像素電極；以及另一個基板，設(shè)置有共用電極。LCD通過調(diào)節(jié)像素電極與共用電極之間的電壓差而顯示所需的圖像。就此而言，薄膜晶體管(TFT)，作為用于將不同電壓切換至各個像素電極的三端元件，被連接至每個像素電極。此外，在基板上形成有柵極薄膜導(dǎo)體和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體，其中，柵極薄膜導(dǎo)體包括傳輸控制TFT的信號的柵極線，而數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體包括傳輸要施加至柵極薄膜導(dǎo)體的電壓的數(shù)據(jù)線。
隨著LCD或有機(jī)EL顯示裝置的顯示面積的增加，連接至TFT的柵極線和數(shù)據(jù)線也變得較長，使得薄膜導(dǎo)體的電阻增加。為了解決電阻增加導(dǎo)致的信號延遲問題，柵極線和數(shù)據(jù)線應(yīng)該由電阻系數(shù)盡可能低的材料制成。
在用于液晶顯示(LCD)裝置的薄膜導(dǎo)體的材料中，已知銀(Ag)具有大約1.59μΩcm的電阻系數(shù)。因此，在實(shí)際工藝中通過使用由銀制成的柵極薄膜導(dǎo)體和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體可以解決信號延遲問題。但是，銀對于下面的結(jié)構(gòu)，諸如由玻璃形成的基板或由本征非晶硅或摻雜質(zhì)非晶硅制成的半導(dǎo)體基板，具有較差的粘附力。結(jié)果，銀不容易沉積并且易受薄膜導(dǎo)體起皺或剝落的影響。而且，由于其耐熱性和耐化學(xué)性較差，所以銀通過高溫?zé)崃拷Y(jié)塊且容易被蝕刻劑腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有優(yōu)良粘附力和導(dǎo)電性的薄膜導(dǎo)體及其制造方法。
本發(fā)明還提供了一種包括具有優(yōu)良粘附力和導(dǎo)電性的薄膜導(dǎo)體的薄膜晶體管(TFT)面板以及制造該TFT面板的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種薄膜導(dǎo)體。該薄膜導(dǎo)體包括粘附層，含有氧化反應(yīng)金屬或硅化反應(yīng)金屬和銀；銀導(dǎo)電層，形成于粘附層上；以及保護(hù)層，形成于銀導(dǎo)電層上并含有氧化反應(yīng)金屬和銀。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造薄膜導(dǎo)體的方法，該方法包括順序地沉積第一銀合金層、銀導(dǎo)電層、和第二銀合金層，其中，第一銀合金層含有硅化反應(yīng)金屬或氧化反應(yīng)金屬，第二銀合金層含有氧化反應(yīng)金屬；以及在所得到的結(jié)構(gòu)(resultant structure)上實(shí)施熱處理，從而通過第一銀合金層中所包含的硅化反應(yīng)金屬的硅化，或第一銀合金層中所包含的氧化反應(yīng)金屬的氧化形成粘附層，并通過第二銀合金層中所包含的氧化反應(yīng)金屬的氧化形成保護(hù)層。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種薄膜晶體管(TFT)面板，包括柵極薄膜導(dǎo)體，包括在第一方向上延伸的柵極線；以及數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體，包括與柵極薄膜導(dǎo)體絕緣的數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵極薄膜導(dǎo)體交叉，并在第二方向上延伸，其中，從柵極薄膜導(dǎo)體和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體組成的組中選取的至少一個包括薄膜導(dǎo)體，在該薄膜導(dǎo)體上順序地沉積含有硅化反應(yīng)金屬或氧化反應(yīng)金屬和銀的粘附層、銀導(dǎo)電層、以及含有氧化反應(yīng)金屬和銀的保護(hù)層。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一方面，提供了一種制造薄膜晶體管(TFT)面板的方法，該方法包括形成柵極薄膜導(dǎo)體，該柵極薄膜導(dǎo)體包括在第一方向上延伸的柵極線；形成數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體，該數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體包括與柵極薄膜導(dǎo)體絕緣的數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵極薄膜導(dǎo)體交叉，并在第二方向上延伸，其中，形成柵極薄膜導(dǎo)體或數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體中的至少一個形成過程包括，順序地沉積含有硅化反應(yīng)金屬或氧化反應(yīng)金屬的第一銀合金層、銀導(dǎo)電層、以及含有氧化反應(yīng)金屬的第二銀合金層；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上實(shí)施熱處理，從而通過第一銀合金層中所包含的硅化反應(yīng)金屬的硅化，或第一銀合金層中所包含的氧化反應(yīng)金屬的氧化形成粘附層，并通過第二銀合金層中所包含的氧化反應(yīng)金屬的氧化形成保護(hù)層。


通過以下結(jié)合附圖對示例實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯然，附圖中圖1至圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體的截面視圖；
圖4至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造薄膜導(dǎo)體方法的加工步驟的截面視圖；圖7至圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造薄膜導(dǎo)體方法的加工步驟的截面視圖；圖10A是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的通過制造TFT面板的方法制造的薄膜晶體管(TFT)面板的布局圖；圖10B和圖10C是沿圖10A的B-B’線截取的截面視圖；圖11A、圖13A和圖19A是順序地示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造TFT面板方法的布局圖；圖11B和圖12是示出了沿圖11A的B-B’線截取的加工步驟的截面視圖；圖13B至圖18是示出了沿圖13A的B-B’線截取的加工步驟的截面視圖；以及圖19B是示出了沿圖19A的B-B’線截取的加工步驟的截面視圖。
具體實(shí)施例方式
參照下面對優(yōu)選實(shí)施例和附圖的詳細(xì)描述，可以更容易理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)施方法。但是，本發(fā)明可以以許多不同形式來實(shí)施，而并不局限于這里所述的實(shí)施例。當(dāng)然，提供這些實(shí)施例，是為了使本公開全面和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分轉(zhuǎn)達(dá)本發(fā)明的原理，而且，本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求來限定。整個說明書中，相同的附圖標(biāo)號表示相同的元件。
現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
首先，將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體。圖1至圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體的截面視圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體具有形成于基板1上的粘附層3、銀導(dǎo)電層5和保護(hù)層7。粘附層3包含與氧具有強(qiáng)反應(yīng)能力的氧化反應(yīng)金屬和銀。保護(hù)層7包含與粘附層3中所包含的氧化反應(yīng)金屬相同的氧化反應(yīng)金屬。
粘附層3是含有氧化金屬和銀的合金層，且對于粘附層3下面的基板1具有優(yōu)良的粘附力，其中，氧化金屬通過氧化反應(yīng)金屬與氧之間的反應(yīng)而形成。氧化反應(yīng)金屬可以包括但不限于從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬，只要它與氧反應(yīng)。粘附層中所含有的氧化反應(yīng)金屬的濃度可以在大約0.1至大約50at％的范圍內(nèi)。此時(shí)，粘附層3中所含有的氧化反應(yīng)金屬的濃度不固定。換句話說，以這樣的方式形成濃度梯度，即氧化反應(yīng)金屬的濃度從粘附層3與銀導(dǎo)電層5之間的界面向基板1與粘附層3之間的界面增加。
沉積在粘附層3上的銀導(dǎo)電層5起到電信號通道的作用，這也是薄膜導(dǎo)體的固有功能，且具有較低的電阻系數(shù)。
銀導(dǎo)電層5上所形成的保護(hù)層7是含有氧化金屬和銀的合金層，并在順序熱處理或蝕刻過程期間保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層5，其中，氧化金屬通過與粘附層3中所含有的氧化反應(yīng)金屬相同的氧化反應(yīng)金屬與氧之間的反應(yīng)而形成。氧化反應(yīng)金屬可以以大約0.1至大約50at％的量包含在保護(hù)層7中。此時(shí)，保護(hù)層7中所含有的氧化反應(yīng)金屬的濃度不固定。換句話說，以這樣的方式形成濃度梯度，即氧化反應(yīng)金屬的濃度從銀導(dǎo)電層5與保護(hù)層7之間的界面向保護(hù)層7的表面增加。
參照圖2，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體相同，除了粘附層3′、銀導(dǎo)電層5和含有氧化反應(yīng)金屬的保護(hù)層7設(shè)置在基板1上，并且粘附層3′和保護(hù)層7中所包含的氧化反應(yīng)金屬彼此不同之外。如在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體中一樣，粘附層3′對于基板1具有優(yōu)良的粘附力，銀導(dǎo)電層5起到電信號通道的作用，而且保護(hù)層7保護(hù)銀導(dǎo)電層5。
參照圖3，根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體包括基板1上的粘附層3″、銀導(dǎo)電層5、和保護(hù)層7，其中，粘附層3″含有與硅具有強(qiáng)反應(yīng)能力的硅化反應(yīng)金屬，保護(hù)層7含有氧化反應(yīng)金屬。這里，薄膜導(dǎo)體下面的基板1應(yīng)該包含硅。
粘附層3″是含有硅化金屬和銀的合金層，且對于基板1具有優(yōu)良的粘附力，其中，硅化金屬通過硅化反應(yīng)金屬與基板1中所包含的硅之間的反應(yīng)而形成。在這種情況下，硅化反應(yīng)金屬可以包括但不限于從Ca、Th、Zr、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬，只要它與硅反應(yīng)。粘附層3″中所包含的硅化反應(yīng)金屬的濃度可以在大約0.1至大約50at％的量內(nèi)。此時(shí)，粘附層3″中所含有的硅化反應(yīng)金屬的濃度不固定。換句話說，以這樣的方式形成濃度梯度，即硅化反應(yīng)金屬的濃度從粘附層3″與銀導(dǎo)電層5之間的界面向基板1與粘附層3″之間的界面增加。
如在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體中一樣，粘附層3″上所形成的銀導(dǎo)電層5起到電信號通道的作用。形成于銀導(dǎo)電層5上的保護(hù)層7是含有氧化金屬和銀的合金層，并保護(hù)銀導(dǎo)電層5，氧化金屬通過氧化反應(yīng)金屬與氧之間的反應(yīng)而形成。
其次，參照圖1和圖4至圖6，將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜導(dǎo)體的制造方法。圖4至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造薄膜導(dǎo)體方法的加工步驟的截面視圖。
如圖4所示，用含有作為主要元素的銀和0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極(target)在由SiO2玻璃制成的基板1上進(jìn)行濺射，從而形成第一銀合金層2。氧化反應(yīng)金屬可以包括但不限于從Mg、Al、Li、Zn、In和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬，只要它與氧反應(yīng)。此時(shí)，沒有限定第一銀合金層2的厚度。但是，由于當(dāng)?shù)谝汇y合金層2的厚度過厚時(shí)薄膜導(dǎo)體的電阻系數(shù)可能增加，優(yōu)選地，第一銀合金層2的厚度在100-2000范圍內(nèi)。
然后，用銀靶電極在第一銀合金層2上進(jìn)行濺射，從而形成銀導(dǎo)電層5。銀導(dǎo)電層5可以起到電信號通道的作用，即，薄膜導(dǎo)體的固有功能。優(yōu)選地，銀導(dǎo)電層5的厚度可以在1000-3000范圍內(nèi)。
然后，用含有作為主要元素的銀和0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極在銀導(dǎo)電層5上進(jìn)行濺射，從而形成第二銀合金層6。氧化反應(yīng)金屬可以包括與第一銀合金層2中所含有的金屬相同或不同的金屬。盡管在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，第一銀合金層2和第二銀合金層6中所包含的氧化反應(yīng)金屬彼此相同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造薄膜導(dǎo)體的方法也可以適用于第一銀合金層2和第二銀合金層6中所包含的氧化反應(yīng)金屬彼此不同的情況。
如第一銀合金層2中所包含的氧化反應(yīng)金屬一樣，第二銀合金層6中所包含的氧化反應(yīng)金屬可以由從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬形成。此時(shí)，沒有限定第一銀合金層2的厚度。但是，由于當(dāng)銀合金層的厚度較大時(shí)薄膜導(dǎo)體的電阻系數(shù)可能增加，優(yōu)選地，銀合金層的厚度在500-2000范圍內(nèi)。
然后，如圖5所示，退火是一種熱處理，是在包括第一銀合金層(圖4中的2)、銀導(dǎo)電層5、和第二銀合金層(圖4中的6)的所得到的基板1上進(jìn)行的。
退火是在真空下，或在含氮或少量氧的大氣中進(jìn)行的，并且退火溫度和持續(xù)時(shí)間分別在大約200-300℃和大約30分鐘至2個小時(shí)。
作為熱處理的結(jié)果，第一銀合金層(圖4中的2)和第二銀合金層(圖4中的6)中所包含的氧化反應(yīng)金屬比銀更快速地分散，并運(yùn)動至基板1與第一銀合金層(圖4中的2)之間的界面和第二銀合金層(圖4中的6)表面。已經(jīng)運(yùn)動至與基板1之間界面的氧化反應(yīng)金屬與基板1中所包含的SiO2反應(yīng)，從而形成氧化金屬。已經(jīng)運(yùn)動至第二銀合金層(圖4中的6)表面的氧化反應(yīng)金屬與空氣中的氧反應(yīng)，從而形成氧化金屬。例如，當(dāng)氧化反應(yīng)金屬是Mg或Al時(shí)，其通過熱處理與氧反應(yīng)，從而形成諸如MgO或Al2O3的氧化金屬。
含有氧化金屬的這種層變成粘附層3，用于提高對基板1的粘附力，和/或變成保護(hù)層7，保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層5。粘附層3和/或保護(hù)層7中所包含的氧化反應(yīng)金屬的濃度不固定。換句話說，以這種方式形成濃度梯度，即粘附層3中所包含的氧化反應(yīng)金屬的濃度從粘附層3與銀導(dǎo)電層5之間的界面向基板1與粘附層3之間的界面增加。此外，這樣形成濃度梯度，即保護(hù)層7中所包含的氧化反應(yīng)金屬的濃度從銀導(dǎo)電層5與保護(hù)層7之間的界面向保護(hù)層7的表面增加。粘附層3和保護(hù)層7的厚度可以根據(jù)第一銀合金層(圖4中的2)和第二銀合金層(圖4中的6)的厚度而變化。例如，當(dāng)未經(jīng)處理的第一銀合金層2和第二銀合金層6的厚度分別是大約500和1000時(shí)，粘附層3和保護(hù)層7的厚度可以分別是大約200至150。
然后，如圖6所示，在包括粘附層3、銀導(dǎo)電層5、和保護(hù)層7的熱處理后所得到的結(jié)構(gòu)上形成感光層，進(jìn)而圖樣化形成所需的形狀，從而形成感光層圖樣8。
最后，回來參照圖1，利用感光層圖樣8作為蝕刻掩模，對包括粘附層3、銀導(dǎo)電層5、和保護(hù)層7的熱處理后所得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖樣化，從而完成薄膜導(dǎo)體。
以下，將參照圖3和圖7至圖9，描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造薄膜導(dǎo)體的方法。圖7至圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造薄膜導(dǎo)體方法的加工步驟的截面視圖。
參照圖7，用含有作為主要元素的銀和0.1-50at％的硅化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極，在包含本征非晶硅或摻雜質(zhì)非晶硅的基板1上進(jìn)行濺射，從而形成含有硅化反應(yīng)金屬的第一銀合金層2″。任何與硅反應(yīng)時(shí)可以引起硅化的金屬均可以用作硅化反應(yīng)金屬，且其例子包括但不限于從Ca、Th、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬。這里，沒有特別限定第一銀合金層2″的厚度，但是，如果形成的第一銀合金層2″過厚，那么所形成的薄膜導(dǎo)體的相對電阻可能不合需要地增加。因此，第一銀合金層2″優(yōu)選地具有大約100至2000范圍內(nèi)的厚度。
然后，用銀靶電極在第一銀合金層2″上進(jìn)行濺射，從而形成銀導(dǎo)電層5。銀導(dǎo)電層5可以起到電信號通道的作用，即，薄膜導(dǎo)體的固有功能，并且銀導(dǎo)電層5的厚度可以在1000-3000的范圍內(nèi)。
然后，用含有作為主要元素的銀和0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極在銀導(dǎo)電層5上進(jìn)行濺射，從而形成第二銀合金層6。任何與氧具有強(qiáng)反應(yīng)能力的金屬均可以用作氧化反應(yīng)金屬，并且其例子包括但不限于從Mg、Al、Li、Zn、In和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。這里，沒有指定第二銀合金層6的厚度，但是，如果形成的第二銀合金層6過厚，那么所形成的薄膜導(dǎo)體的相對電阻可能不合需要地增加。因此，第二銀合金層6優(yōu)選地具有大約500至2000范圍內(nèi)的厚度。
然后，如圖8所示，在包括第一銀合金層(圖7中的2″)、銀導(dǎo)電層5、和第二銀合金層(圖7中的6)的所得到的基板1上進(jìn)行退火，退火是一種熱處理。退火是在真空下，或在含氮或少量氧的大氣中進(jìn)行的，并且退火溫度和持續(xù)時(shí)間分別在大約200-300℃和大約30分鐘至2個小時(shí)。
作為熱處理的結(jié)果，第一銀合金層(圖7中的2″)中所包含的硅化反應(yīng)金屬比銀更快速地分散，運(yùn)動至與基板1之間的界面，并與基板1中所包含的硅反應(yīng)，從而形成硅化金屬。例如，當(dāng)硅化反應(yīng)金屬是Ti或Co時(shí)，其通過熱處理與硅反應(yīng)，從而形成諸如TiSi2或CoSi2的硅化金屬。含有硅化反應(yīng)金屬的層提高對基板1的粘附力，減小對基板1的接觸電阻，并起到用于防止硅分散到基板1中的粘附層3″的作用。粘附層3″中所含有的氧化反應(yīng)金屬的濃度不固定。換句話說，以這樣的方式形成濃度梯度，即粘附層3″中所包含的氧化反應(yīng)金屬的濃度從粘附層3″與銀導(dǎo)電層5之間的界面向基板1與粘附層3″之間的界面增加。粘附層3″的厚度可以根據(jù)第一銀合金層(圖7中的2″)和第二銀合金層(圖7中的6)的厚度而改變。例如，當(dāng)未經(jīng)處理的第一銀合金層(圖7中的2″)的厚度大約是1000時(shí)，粘附層3″的厚度可以大約是100。
此外，作為熱處理的結(jié)果，第二銀合金層(圖7中的6)中所包含的氧化反應(yīng)金屬比銀更快速地分散，運(yùn)動至第二銀合金層(圖7中的6)表面，并與空氣中的氧反應(yīng)，從而形成氧化金屬。例如，當(dāng)氧化反應(yīng)金屬是Mg或Al時(shí)，其通過熱處理與氧反應(yīng)，從而形成諸如MgO或Al2O3的氧化金屬。含有氧化金屬的這種層變成保護(hù)層7，保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層5。保護(hù)層7中所包含的氧化反應(yīng)金屬的濃度不固定。換句話說，以這種方式形成濃度梯度，即保護(hù)層7中所包含的氧化反應(yīng)金屬的濃度從銀導(dǎo)電層5與保護(hù)層7之間的界面向保護(hù)層7的表面增加。保護(hù)層7的厚度可以根據(jù)未經(jīng)處理的第二銀合金層(圖7中的6)的厚度而改變。例如，當(dāng)未經(jīng)處理的第二銀合金層6的厚度大約是1000時(shí)，保護(hù)層7的厚度可以大約是150。
然后，如圖9所示，在進(jìn)行退火之后，在包括粘附層3″、銀導(dǎo)電層5、和保護(hù)層7的所得到的結(jié)構(gòu)上形成感光層，進(jìn)而圖樣化形成所希望的形狀，從而完成感光層圖樣8。此后，如圖3所示，利用感光層圖樣8作為蝕刻掩模，圖樣化包括粘附層3″、銀導(dǎo)電層5、和保護(hù)層7的熱處理后所得到的結(jié)構(gòu)，從而完成薄膜導(dǎo)體。
薄膜導(dǎo)體及其制造方法也可以適用于薄膜晶體管(TFT)面板及其制造方法。
以下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT面板及其制造方法。
首先，將參照圖10A至10C，描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過制造TFT面板的方法制造的TFT面板。圖10A是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的通過制造TFT面板的方法制造的薄膜晶體管(TFT)面板的布局圖，而圖10B是沿圖10A的B-B′線截取的截面視圖。
如圖10A至10C所示，在基板10上形成傳遞柵極信號的多個柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27、和28)。柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27、28)包括柵極線22，在行方向上延伸；柵極線焊盤24，連接至柵極線22的端部，以接收來自外部的柵極信號并將該信號傳遞給柵極線22；突起形態(tài)的TFT的柵極電極26，連接至柵極線22；以及存儲電極27和存儲電極線28，與柵極線22平行地形成。存儲電極線28在穿過像素區(qū)的橫向延伸，并連接至比存儲電極線28寬的存儲電極27。
與連接至像素電極82(將在后面描述)的漏電極延伸部67搭接的存儲電極27形成存儲電容器，能夠提高像素的電荷存儲能力。存儲電極27和存儲電極線28的形狀和排列可以以各種方式改變。當(dāng)由于像素電極82和柵極線22搭接而產(chǎn)生的存儲電容器足夠時(shí)，可以省去存儲電極27的形成。
柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27)可以具有三層結(jié)構(gòu)，包括粘附層(221、241、261、271)，含有對基板10具有優(yōu)良粘附力的氧化反應(yīng)金屬；銀導(dǎo)電層(222、242、262、272)，起到電信號通道的作用；以及保護(hù)層(223、243、263、273)，含有保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層(222、242、262、272)的氧化反應(yīng)金屬。此時(shí)，氧化反應(yīng)金屬以氧化金屬的形式包含在粘附層(221、241、261、271)和保護(hù)層(223、243、263、273)中。
粘附層(221、241、261、271)和保護(hù)層(223、243、263、273)可以含有相同的氧化反應(yīng)金屬，如圖10B中的標(biāo)號G1所示，或不同的氧化反應(yīng)金屬，如圖10C中的標(biāo)號G2所示。盡管沒有直接在附圖中示出，存儲電極線28也可以具有與柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27)相同的結(jié)構(gòu)。在具有多層結(jié)構(gòu)(在下面描述)的柵極薄膜導(dǎo)體中，也可以包括存儲電極線28，而且柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27)的多層特征對存儲電極線28也適用。
在基板10和柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27、28)上形成由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣層30。
在柵極絕緣層30上形成由諸如氫化非晶硅之類的半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體層42、44、48。在半導(dǎo)體層42、44、48上形成由硅化物或摻雜高濃度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅制成的歐姆接觸層52、55、56、58。
歐姆接觸層52、55、56、58減小了下面的半導(dǎo)體圖樣42、44、48與上面的數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)之間的接觸電阻，并且具有與數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)完全相同的形狀。其間，半導(dǎo)體層42、44、和48具有與數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)(將在后面描述)和歐姆接觸層52、55、56、58大體上相同的結(jié)構(gòu)，除了TFT通道部(channel portion)不同外。
在歐姆接觸層52和56以及柵極絕緣層30上形成數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)。數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)包括數(shù)據(jù)線62，在縱向延伸并與柵極線22交叉，以定義像素；源電極65，連接至數(shù)據(jù)線62并在歐姆接觸層55上方延伸；數(shù)據(jù)線焊盤68，連接至數(shù)據(jù)線62的一端并接收來自外部電路的圖像信號；漏電極66，與源電極65間隔開并形成于歐姆接觸層56上，由柵極電極26看來與源電極65相對；以及漏電極延伸部67，從漏電極66延伸并具有與存儲電極27搭接的大面積。
源電極65與半導(dǎo)體層40的至少一部分搭接。漏電極66相對于柵極電極26與源電極65相對，并與半導(dǎo)體層40的至少一部分搭接。
漏電極延伸部67與存儲電極27搭接，以在存儲電極27與柵極絕緣層30之間形成存儲容量。當(dāng)不形成存儲電極27時(shí)，也不形成漏電極延伸部67。
如圖10B中的D1所示，數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)可以具有三層結(jié)構(gòu)，包括粘附層(621、651、661、671、681)，含有對底層具有優(yōu)良粘附力并降低接觸電阻的硅化反應(yīng)金屬；銀導(dǎo)電層(622、652、662、672、682)，起到電信號通道的作用；以及保護(hù)層(623、653、663、673、683)，含有保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層(622、652、662、672、682)的氧化反應(yīng)金屬。這里，硅化反應(yīng)金屬以硅化金屬的形式包含在作為三層結(jié)構(gòu)上層的粘附層(621、651、661、671、681)中，而氧化反應(yīng)金屬以氧化金屬的形式包含在保護(hù)層(623、653、663、673、683)中。
在數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體(62、65、66、67、68)和半導(dǎo)體層40的暴露部分上形成保護(hù)層70。保護(hù)層70優(yōu)選地由諸如氮化硅(SiNx)的無機(jī)絕緣體、或諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F之類的低介電常數(shù)(low dielectric)絕緣材料制成。
此外，保護(hù)層70優(yōu)選地由諸如氮化硅或氧化硅的有機(jī)絕緣體(未示出)、具有良好平面特征的感光有機(jī)材料、或諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F之類的低介電常數(shù)絕緣材料制成。
在保護(hù)層70上形成接觸孔77和78，以露出漏電極延伸部67和數(shù)據(jù)線焊盤68，并在保護(hù)層70和柵極絕緣層30上形成接觸孔74，以露出柵極線焊盤24。以這種方式在保護(hù)層70上形成像素電極82，即像素電極82可以通過接觸孔77電連接至漏電極66，并位于像素區(qū)中。在被供給數(shù)據(jù)電壓的像素電極82與上顯示基板的共用電極之間產(chǎn)生電場，該電場決定了像素電極82與共用電極之間的LC層中的液晶分子的排列取向。
而且，以這種方式在保護(hù)層70上形成輔助柵極線焊盤84和輔助數(shù)據(jù)線焊盤88，即它們可以通過接觸孔74和78分別電連接至柵極線焊盤24和數(shù)據(jù)線焊盤68。像素電極82和輔助柵極線焊盤84以及輔助數(shù)據(jù)線焊盤88優(yōu)選地由ITO或IZO制成。
以下，將參照圖10A至圖10C以及圖11A至圖19B，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用制造薄膜導(dǎo)體的方法制造TFT面板的方法。
首先，如圖11A和圖11B所示，用含有作為主要金屬的銀和0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極在SiO2制成的玻璃基板1上進(jìn)行濺射，從而形成第一銀合金層。在用銀靶電極進(jìn)行濺射以形成銀導(dǎo)電層之后，用含有0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極進(jìn)行濺射，以形成第二銀合金層。
這里，第一和第二銀合金層中所含有的氧化反應(yīng)金屬可以彼此相同或彼此不同。任何與氧反應(yīng)時(shí)可以引起氧化反應(yīng)的金屬均可以用作氧化反應(yīng)金屬，并且可以是從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。沒有特別指定第一銀合金層、銀導(dǎo)電層以及第二銀合金層的厚度，但是，如果當(dāng)它們的厚度過厚時(shí)，則所形成的薄膜導(dǎo)體的電阻可能不合需要地增加，優(yōu)選地，它們的厚度分別在大約100至大約2000范圍內(nèi)、大約1000至大約3000范圍內(nèi)、以及大約500至大約2000范圍內(nèi)。
在真空環(huán)境或在含氮或少量氧的大氣中，在大約200-300℃溫度下，對三層金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火，持續(xù)時(shí)間大約30分鐘至2個小時(shí)。結(jié)果，第一銀合金層中的氧化反應(yīng)金屬分散到與基板10之間的界面，并與基板10中的SiO2反應(yīng)，從而形成氧化金屬。第二銀合金層中的氧化反應(yīng)金屬分散到第二銀合金層表面，并與空氣中的氧反應(yīng)，從而形成氧化金屬。因此，第一銀合金層、銀導(dǎo)電層和第二銀合金層分別轉(zhuǎn)變成由于熱處理對基板10具有優(yōu)良粘附力的粘附層(221、241、261、271)、起到電信號通道的作用的銀導(dǎo)電層(222、242、262、272)、和保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層(222、242、262、272)的保護(hù)層(223、243、263、273)。在這種情況下，以這種方式形成濃度梯度，即粘附層(221、241、261、271)和保護(hù)層(223、243、263、273)中所含有的氧化反應(yīng)金屬的濃度從銀導(dǎo)電層(222、242、262、272)與每一個粘附層(221、241、261、271)以及與保護(hù)層(223、243、263、273)之間的界面向所得到的結(jié)構(gòu)的表面增加。
對所得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖樣化，從而完成柵極薄膜導(dǎo)體(22、24、26、27、和28)，該柵極薄膜導(dǎo)體包括柵極線22、柵極電極26、柵極線焊盤24、存儲電極27、和存儲電極線28。
然后，如圖12所示，將由氮化硅制成的柵極絕緣層30、本征非晶硅層40、和摻雜質(zhì)非晶硅層50例如通過化學(xué)氣相沉積(CVD)順序地沉積至厚度分別為1500-5000、500-2000、和300-600。
然后，用含有作為主要元素的銀和0.1-50at％的硅化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極在非晶硅層50上進(jìn)行濺射，從而形成第三銀合金層。然后，用銀靶電極在銀合金靶電極上進(jìn)行濺射，以形成銀導(dǎo)電層，在含有0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬的銀合金靶電極上進(jìn)行濺射，從而形成第四銀合金層。
這里，任何與硅反應(yīng)時(shí)可以引起硅化的金屬均可以用作硅化反應(yīng)金屬，且其例子包括但不限于從Ca、Th、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬。此外，任何與氧反應(yīng)時(shí)可以引起氧化反應(yīng)的金屬均可以用作包含在第四銀合金層內(nèi)的氧化反應(yīng)金屬，且其例子包括但不限于從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。沒有特別指定第三銀合金層、銀導(dǎo)電層以及第四銀合金層的厚度，且優(yōu)選地，它們的厚度分別在大約100至2000范圍內(nèi)、大約1000至3000范圍內(nèi)、以及大約500至2000范圍內(nèi)，從而所形成的薄膜導(dǎo)體的相對電阻不會不合需要地增加。
在真空環(huán)境或在含氮或少量氧的大氣中，在大約200-300℃溫度下，對三層結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火，持續(xù)時(shí)間大約30分鐘至2個小時(shí)。結(jié)果，第三銀合金層中的硅化反應(yīng)金屬分散到本征非晶硅層40與摻雜質(zhì)非晶硅層50之間的界面，進(jìn)后與其中的硅反應(yīng)，從而形成硅化金屬。此外，第四銀合金層中的氧化反應(yīng)金屬分散到第四銀合金層表面，并與空氣中的氧反應(yīng)，從而形成氧化金屬。因此，第三銀合金層、銀導(dǎo)電層和第四銀合金層分別轉(zhuǎn)變成由于熱處理對下層具有優(yōu)良粘附力的粘附層601、起到電信號通道作用的銀導(dǎo)電層602、和保護(hù)熱穩(wěn)定性和耐化學(xué)性較差的銀導(dǎo)電層602的保護(hù)層603。這里，以這種方式形成濃度梯度，即硅化反應(yīng)金屬的濃度從銀導(dǎo)電層602與粘附層601之間的界面向粘附層與非晶硅層40以及摻雜質(zhì)非晶硅層之間的界面增加。也可以以這種方式形成濃度梯度，即氧化反應(yīng)金屬的濃度從保護(hù)層603與銀導(dǎo)電層602之間的界面向保護(hù)層603表面增加。
然后，在已退火的結(jié)構(gòu)上涂覆感光層110。
然后，如圖13A和圖13B所示，光通過掩模(未示出)照射在感光層110上并顯影，從而形成感光層圖樣112和114。這里，在兩個感光層圖樣112和114中，TFT通道部，即位于源電極(圖10B和圖10C中的65)與漏電極(圖10B和圖10C中的66)之間的第一部114具有比位于數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部(即將要形成數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體的電位部(potential portion))中的第二部112小的厚度。除去殘留在通道部和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部之外的其它部中的感光層圖樣。在這種情況下，殘留在通道部中的感光層圖樣114的厚度與殘留在數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部中的感光層圖樣112的厚度之比，隨蝕刻工藝條件(將在后面描述)而改變。例如，第一部114的厚度可以小于或等于第二部112厚度的一半，例如，4000。
然后，使用感光層圖樣112和114作為蝕刻掩模，對包括保護(hù)層603、銀導(dǎo)電層602、和粘附層601的所得到的結(jié)構(gòu)圖樣化。結(jié)果，如圖14所示，只有具有通道部和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部的三層圖樣保留，而通道部和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部之外的其它部都被除去了，從而露出摻雜質(zhì)非晶硅層50。殘留的三層圖樣具有大體上與最終形成的數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體相同的形狀，除了源電極(圖10B和圖10C中的65)與漏電極(圖10B和圖10C中的66)彼此沒有分離之外。
然后，如圖15所示，在除了通道部和數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部之外的其它部中的已露出的摻雜質(zhì)非晶硅層50、本征非晶硅層40和感光層110的第一部114通過干法蝕刻被同時(shí)除去，進(jìn)而進(jìn)行灰化(ashing)，以除去殘留在通道部的源/漏三層圖樣64表面上的感光層殘?jiān)?br> 然后，如圖16所示，為了除去而蝕刻通道部的三層圖樣，該三層圖樣包括保護(hù)層643，銀導(dǎo)電層642和粘附層641，而使用例如干法蝕刻形成由摻雜質(zhì)非晶硅制成的歐姆接觸層52、55、56、和58?？梢猿グ雽?dǎo)體層44的一部分，從而可以減小半導(dǎo)體層44的厚度。此外，可以將感光層圖樣的第二部112蝕刻成預(yù)定厚度。結(jié)果，源電極65和漏電極66彼此分離，并完成數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體65和66以及沉積在下面的歐姆接觸層55和56。
然后，如圖17所示，除去殘留在數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體部中的感光層的第二部(圖16中的112)。
然后，如圖18所示，由單層或多層形成保護(hù)層70，而該單層或多層由具有優(yōu)良平面特征和優(yōu)良感光性的有機(jī)材料、由等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的低介電常數(shù)絕緣材料諸如a-Si:C:O或a-Si:O:F、或諸如氮化硅(SiNx)之類的無機(jī)材料制成。
然后，如圖19A和圖19B所示，通過光刻法(photolithography)圖樣化柵極絕緣層30和保護(hù)層70，從而分別形成露出柵極線焊盤24、漏電極延伸部67、和數(shù)據(jù)線焊盤68的接觸孔74、77、和78。當(dāng)由具有感光特性的有機(jī)材料制成保護(hù)層70時(shí)，可以僅使用光刻法形成接觸孔74、77、和78。此時(shí)，可以在蝕刻條件下進(jìn)行光刻，從而用于柵極絕緣層30和保護(hù)層70的蝕刻比例大體上相同。
最后，如圖10A至圖10C所示，沉積諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料，并在透明導(dǎo)電材料上進(jìn)行光刻，從而形成通過接觸孔77連接至漏電極66的像素電極82，以及通過接觸孔74和78連接至柵極線焊盤24和數(shù)據(jù)線焊盤68的輔助柵極線焊盤84和輔助數(shù)據(jù)線焊盤88。
盡管在本發(fā)明的示例實(shí)施例中描述了具有半導(dǎo)體層和使用大體上相同的光刻膠圖樣(photoresist pattern)通過光刻法形成的數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體的TFT基板，以及制造TFT基板的方法，本發(fā)明也可以適用于具有半導(dǎo)體層和使用不同掩模通過光刻法形成的數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體的TFT基板。
此外，盡管通過實(shí)例已經(jīng)描述了包括數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體的TFT面板，其中數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體具有含有硅化反應(yīng)金屬的粘附層，僅為了舉例而提供所示實(shí)例，而且本發(fā)明也可以適用于包括數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體的TFT面板，其中數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體具有含有氧化反應(yīng)金屬的粘附層。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在使用制造薄膜導(dǎo)體的方法制造的TFT面板的柵極薄膜導(dǎo)體或數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體中，在銀導(dǎo)電層下面形成粘附層，以提高對下層的粘附力，并在銀導(dǎo)電層上形成保護(hù)層，以保護(hù)銀導(dǎo)電層。因此，可以防止柵極薄膜導(dǎo)體或數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體的起皺或剝落，從而提高液晶顯示(LCD)裝置的信號特性和圖像質(zhì)量。
對詳細(xì)描述進(jìn)行總結(jié)，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不背離本發(fā)明原則的前提下，可以對優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行各種變化和更改。因此，本發(fā)明所公開的優(yōu)選實(shí)施例僅用于一般的描述性說明，并不限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種薄膜導(dǎo)體，包括粘附層，用于將所述薄膜導(dǎo)體粘附到基板上，所述粘附層含有氧化反應(yīng)金屬或硅化反應(yīng)金屬和銀；銀導(dǎo)電層，形成于所述粘附層上；以及保護(hù)層，形成于所述銀導(dǎo)電層上，并含有氧化反應(yīng)金屬和銀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述粘附層和所述保護(hù)層中包含相同的氧化反應(yīng)金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述氧化反應(yīng)金屬包括從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述粘附層或所述保護(hù)層包含0.1-50at％的氧化反應(yīng)金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，含有所述硅化反應(yīng)金屬的所述粘附層還包括在其下的硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述硅化反應(yīng)金屬包括從Ca、Th、Zr、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述粘附層包含0.1-50at％的所述硅化反應(yīng)金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述粘附層中包含的硅化反應(yīng)金屬與硅反應(yīng)，以形成硅化金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述粘附層中包含的氧化反應(yīng)金屬與氧反應(yīng)，以形成氧化金屬。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜導(dǎo)體，其中，所述保護(hù)層中包含的氧化反應(yīng)金屬與周圍的氧反應(yīng)，以形成氧化表面。
11.一種制造薄膜導(dǎo)體的方法，包括在基板上沉積含有硅化反應(yīng)金屬或氧化反應(yīng)金屬的第一銀合金層；在所述第一銀合金層上沉積銀導(dǎo)電層；在所述銀導(dǎo)電層上沉積含有氧化反應(yīng)金屬的第二銀合金層；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行熱處理，通過所述硅化反應(yīng)金屬的硅化或所述氧化反應(yīng)金屬的氧化，將所述第一銀合金層粘附到所述基板上，并通過所述第二銀合金層中包含的所述氧化反應(yīng)金屬的氧化，將所述第二銀合金層轉(zhuǎn)變成保護(hù)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一和第二銀合金層中包含相同的氧化反應(yīng)金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述氧化反應(yīng)金屬包括從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一銀合金層或所述第二銀合金層包含0.1-50at％的所述氧化反應(yīng)金屬。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，含有所述硅化反應(yīng)金屬的所述第一銀合金層還包括位于其下的硅層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述硅化反應(yīng)金屬包括從Ca、Th、Zr、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述熱處理是在大約200℃至大約300℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行的。
18.一種薄膜晶體管(TFT)面板，包括柵極薄膜導(dǎo)體，包括在第一方向上延伸的柵極線；以及數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體，包括與所述柵極薄膜導(dǎo)體絕緣的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極薄膜導(dǎo)體交叉，并在第二方向上延伸；其中，從所述柵極薄膜導(dǎo)體和所述數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體組成的組中選取的至少一個包括薄膜導(dǎo)體，在所述薄膜導(dǎo)體上順序地沉積含有硅化反應(yīng)金屬或氧化反應(yīng)金屬和銀的粘附層、銀導(dǎo)電層、以及含有氧化反應(yīng)金屬和銀的保護(hù)層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述粘附層和所述保護(hù)層中包含的所述氧化反應(yīng)金屬彼此相同或彼此不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述氧化反應(yīng)金屬包括從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述粘附層或所述保護(hù)層包含0.1-50at％的所述氧化反應(yīng)金屬。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，含有硅化反應(yīng)金屬的所述粘附層包括位于其下的硅層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的TFT面板，其中，所述硅層是半導(dǎo)體層或歐姆接觸層。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述硅化反應(yīng)金屬包括從Ca、Th、Zr、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述粘附層包含0.1-50at％的所述硅化反應(yīng)金屬。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述粘附層中包含的所述硅化反應(yīng)金屬與硅反應(yīng)，并以硅化金屬的形式被包含，或者所述粘附層中包含的所述氧化反應(yīng)金屬與氧反應(yīng)，并以氧化金屬的形式被包含。
27.根據(jù)權(quán)利要求18所述的TFT面板，其中，所述保護(hù)層中包含的所述氧化反應(yīng)金屬與氧反應(yīng)。
28.一種制造薄膜晶體管(TFT)面板的方法，所述方法包括形成柵極薄膜導(dǎo)體，所述柵極薄膜導(dǎo)體包括在第一方向上延伸的柵極線；以及形成數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體，所述數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體包括與所述柵極薄膜導(dǎo)體絕緣的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極薄膜導(dǎo)體交叉，并在第二方向上延伸；其中，所述柵極薄膜導(dǎo)體或所述數(shù)據(jù)薄膜導(dǎo)體中的至少一個所述形成步驟包括，在基板上順序地沉積含有硅化反應(yīng)金屬或氧化反應(yīng)金屬的第一銀合金層、銀導(dǎo)電層、以及含有氧化反應(yīng)金屬的第二銀合金層，并在所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行熱處理，從而通過所述第一銀合金層中包含的所述硅化反應(yīng)金屬的硅化或所述氧化反應(yīng)金屬的氧化，在所述基板上形成粘附層，并通過所述第二銀合金層中包含的所述氧化反應(yīng)金屬的氧化，形成保護(hù)層。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述第一和第二銀合金層中包含相同的氧化反應(yīng)金屬。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述氧化反應(yīng)金屬包括從Mg、Al、Li、Zn、In、和Sn組成的組中所選擇的至少一種金屬。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述第一銀合金層包含0.1-50at％的所述硅化反應(yīng)金屬。
32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，含有硅化反應(yīng)金屬的所述第一銀合金層包括位于其下的硅層。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述硅層是半導(dǎo)體層或歐姆接觸層。
34.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述硅化反應(yīng)金屬包括從Ca、Th、Zr、Co、Ni、Ti、V、Nb、Mo、Ta、W、和Cr組成的組中所選擇的至少一種金屬。
35.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述第一銀合金層包含0.1-50at％的所述硅化反應(yīng)金屬。
36.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述熱處理是在大約200℃至大約300℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有改進(jìn)粘附力和優(yōu)良導(dǎo)電性的薄膜導(dǎo)體，一種制造薄膜導(dǎo)體的方法，一種包括薄膜導(dǎo)體的薄膜晶體管(TFT)面板，以及一種制造TFT面板的方法。該薄膜導(dǎo)體包括粘附層，含有氧化反應(yīng)金屬或硅化反應(yīng)金屬和銀；銀導(dǎo)電層，形成于粘附層上，以及保護(hù)層，形成于所述銀導(dǎo)電層上，并含有氧化反應(yīng)金屬和銀。
文檔編號H01L21/84GK1913146SQ200610112109
公開日2007年2月14日 申請日期2006年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月12日
發(fā)明者趙范錫, 李制勛, 鄭敞午, 裵良浩 申請人:三星電子株式會社