專利名稱：傳輸腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體硅片加工設(shè)備，尤其涉及一種硅片傳輸系統(tǒng)的傳輸腔室。 背錄技術(shù)在半導(dǎo)體硅片加工集群設(shè)備的硅片傳輸系統(tǒng)中，傳輸腔室有各種各樣的結(jié)構(gòu)。如圖l 所示，是一種普遍采用的傳輸腔室的結(jié)構(gòu)圖。腔室上表面開有燕尾槽，其作用是放置密封 圈，然后便可把用于密封的腔室上蓋放置在密封圉上，使傳輸腔室內(nèi)部形成密閉的空問。 由于硅片的制程要求硅片表面保持高度潔凈，并且要求在髙真空的環(huán)境下加工硅片，所以 傳輸腔室內(nèi)部也要保持真空狀態(tài)，這樣就要求傳輸腔室與其上蓋之間要有良好的密封性。傳輸腔室的尺寸較大，尤其是用于300毫米硅片的傳輸腔室，其圓形上蓋的直徑接近l米， --旦傳輸腔室處于真空狀態(tài)，上蓋必然在巨大的大氣壓力下產(chǎn)生形變，從而對密封性能產(chǎn) 生負(fù)面影響。如圖2所示，傳輸腔室上端開有圓形開口，腔壁1的上緣開有燕尾型密封槽4，密封圈5 放入密封槽4中，要求密封囫4突出腔壁1的上表面，以保證其具有適當(dāng)?shù)膲嚎s量，然后把底 面平整的上蓋3放到密封豳5上，其間形成密閉的腔室2。當(dāng)對腔室2抽真空時，上蓋l在壓差 的作用下向下壓緊密封圈5，使密封圉5與上蓋3和腔壁1之間形成密實的接觸，從而形成密 封。由于傳輸腔室內(nèi)部是真空，加上腔室2的上蓋3尺寸較大，以上蓋3的直徑為1米算，則 整個上蓋3受到的壓力將近80000牛頓，在該壓力作用下，上蓋3會產(chǎn)生變形，其中心向下凹 陷。如圖3、圖4所示，傳輸腔室的上表面是位于同一平面內(nèi)的平整面，密封槽4兩側(cè)的高 度相同，這樣一旦上蓋3在其上下壓力差下產(chǎn)生向下的形變，在整個上蓋3的中心下陷的同 時上蓋3的周邊上翹，且上蓋3越大其受到的力也越大，形變也越大，其結(jié)果是上蓋3的底面 與傳輸腔室腔壁l的上邊緣相切，而上蓋3原來與密封圑5緊密接觸的底面卻偏離密封圈5， 其切點即是上蓋底面與腔壁2內(nèi)緣的接觸點6。由此可見，當(dāng)上蓋3發(fā)生形變后，密封圈5的 壓縮程度降低，其密封性能也隨之下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、密封性好的傳輸腔室。 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的本發(fā)明的傳輸腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口設(shè)有上蓋，腔壁與上蓋接觸的 部位設(shè)有密封裝置，所述的密封裝置包括設(shè)于腔壁上緣的密封槽，密封槽內(nèi)設(shè)有密封圈， 所述密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽外側(cè)邊緣的高度。所述的密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為內(nèi)低外高的坡面。所述的密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為平面。所述的密封槽的橫截面為矩形、梯形、半圓形或三角形。所述的密封槽的橫截面為上窄下寬的梯形。所述的腔室的上口為圓形、橢圓形或多邊形。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的傳輸腔室，由于腔壁上緣的密 封槽的內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽外側(cè)邊緣的高度，當(dāng)上蓋發(fā)生形變時，其下底面不會和 密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣接觸，從而提髙了密封性能。結(jié)構(gòu)簡單、尤其適用于半導(dǎo)體硅片加工設(shè)備中硅片傳輸系統(tǒng)的傳輸腔室，也適用于其 它設(shè)備。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)傳輸腔室的結(jié)構(gòu)示意圖圖2為現(xiàn)有技術(shù)傳輸腔室的腔壁與上蓋密封狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為現(xiàn)有技術(shù)傳輸腔室的上蓋變形狀態(tài)參考圖；圖4為圖3的A部放大圖；圖5為本發(fā)明傳輸腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明傳輸腔室的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6的B部放大圖；圖8為本發(fā)明傳輸腔室的上蓋變形狀態(tài)局部參考圖 圖9為本發(fā)明傳輸腔室的另一個實施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明的傳輸腔室較佳的具體實施方式
如圖5所示，包括腔壁l,腔壁1形成的腔室2的 上口設(shè)有上蓋3，腔壁1與上蓋3接觸的部位設(shè)有密封裝置。所述的密封裝置包括設(shè)于腔壁l 上緣的密封槽4，密封槽4內(nèi)可設(shè)置密封圉5。如圖6、圖7所示，所述密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽4外側(cè)邊緣的高度。且密封
槽4內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為內(nèi)低外高的坡面。密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣與外側(cè)邊緣的高度差h,以及密 封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的上表面的坡度a,要保證腔室2真空狀態(tài)下，上蓋3受壓變形時，上蓋3的下表面不會碰到密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣，或剛剛碰到。如圖8所示，具有上述結(jié)構(gòu)的傳輸腔室能保證上蓋3在變形后依然能與密封圈5緊密接 觸，甚至更加緊密，圖中的點畫線表示沒有變形的上蓋3，實線是發(fā)生形變的情況。從圖中 可看出，當(dāng)上蓋3發(fā)生形變后，其下底面沒有和密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣接觸，而且此時上蓋3的 底面與密封圏5接觸的部分的髙度要低于密封槽4外側(cè)邊緣的高度，與上蓋3沒發(fā)生形變的情 況相比，變形后的上蓋3更進(jìn)一步壓縮了密封園5，從而提高了密封性能，所以這種結(jié)構(gòu)能 保證上蓋3在變形前后的密封性良好，并能夠滿足各種高真空的制程要求。如圖9所示，本發(fā)明另一種較佳的具體實施例是，密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的髙度低于密封槽 4外側(cè)邊緣的髙度，但密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為平面。這樣，加工起來比較簡單，只要密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣與外側(cè)邊緣的髙度差h能保證腔室 2真空狀態(tài)下，上蓋3受壓變形時，上蓋3的下表面不會碰到密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣，就可以保 證上蓋3在變形前后的密封性良好，并能夠滿足各種高真空的制程要求。上述的密封槽4的橫截面可以為矩形、梯形、半圓形或三角形等，最好為上窄下寬的 梯形。腔室2的上口可以為圓形、橢圓形或多邊形等各種形狀。結(jié)構(gòu)簡單、密封性好，尤其適用于半導(dǎo)體硅片加工設(shè)備中硅片傳輸系統(tǒng)的傳輸腔室， 也適用于其它設(shè)備。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任 何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、 一種傳輸腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口設(shè)有上蓋，腔壁與上蓋接觸的 部位設(shè)有密封裝置，其特征在于，所述的密封裝置包括設(shè)于腔壁上緣的密封槽，密封槽內(nèi) 設(shè)有密封豳，所述密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽外側(cè)邊緣的髙度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面 為內(nèi)低外髙的坡面。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面 為平面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽的橫截面為 矩形、梯形、半圓形或三角形。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽的橫截面為上窄下 寬的梯形。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的腔室的上口為圓形、橢圓 形或多邊形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種傳輸腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口設(shè)有上蓋，腔壁與上蓋接觸的部位設(shè)有密封裝置，密封裝置包括設(shè)于腔壁上緣的密封槽，密封槽內(nèi)設(shè)有密封圈，密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽外側(cè)邊緣的高度。密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面可以為內(nèi)低外高的坡面，也可以為平面。密封槽的橫截面可以為矩形、梯形、半圓形或三角形，最好為上窄下寬的梯形。腔室上口可以為圓形、橢圓形或多邊形。結(jié)構(gòu)簡單、密封性好，尤其適用于半導(dǎo)體硅片加工設(shè)備中硅片傳輸系統(tǒng)的傳輸腔室，也適用于其它設(shè)備。
文檔編號H01L21/67GK101145537SQ20061011297
公開日2008年3月19日 申請日期2006年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月13日
發(fā)明者張金斌 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司